CN104838732B - 除渣处理方法及除渣处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种不论是起因于无机物质及有机物质的哪种的残渣都能够可靠地除去、不需要使用需要废液处理的除渣处理方法及除渣处理装置。本发明的除渣处理方法是层叠有由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层的配线基板材料的除渣处理方法，其特征在于，具有：紫外线照射处理工序，对上述配线基板材料照射波长220nm以下的紫外线；以及物理性振动处理工序，对经过了该紫外线照射处理工序的配线基板材料施加物理性振动。

Description

除渣处理方法及除渣处理装置
技术领域
本发明涉及将由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层层叠而成的配线基板材料的除渣处理方法及除渣处理装置。
背景技术
作为用来搭载例如半导体集成电路元件等的半导体元件的配线基板，已知有将绝缘层和导电层(配线层)交替地层叠而成的多层配线基板。在这样的多层配线基板中，为了将一个导电层与其他导电层电连接，形成了将1个或多个绝缘层在厚度方向上贯通而延伸的导通孔或透孔。
在多层配线基板的制造工序中，通过对将绝缘层和导电层层叠而成的配线基板材料实施钻削加工或激光加工来将绝缘层或导电层的一部分除去，形成导通孔或透孔。并且，在导通孔或透孔的形成中，在配线基板材料中产生起因于构成绝缘层或导电层的材料的残渣。因此，对该配线基板材料进行将残渣除去的除渣处理。
作为配线基板材料的除渣处理方法，以往，已知有湿式的除渣处理方法及干式的除渣处理方法(参照专利文献1及专利文献2)。
湿式的除渣处理方法，是通过将配线基板材料浸渍到溶解有高锰酸钾或氢氧化钠的碱溶液中而将残留在配线基板材料上的残渣溶解或剥离除去的方法。另一方面，干式的除渣处理方法，是通过对配线基板材料照射紫外线、用该紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的臭氧将残渣分解除去的方法。
但是，在湿式的除渣处理方法中，因为为了使残渣溶解到碱溶液中而需要较长的时间、在将配线基板材料浸渍到碱溶液中之后需要进行清洗处理及中和处理、对于已使用的碱溶液需要废液处理等，所以有除渣处理的成本变得相当高的问题。
此外，近年来，随着配线基板上的配线图案的细微化的要求，要求形成直径较小的导通孔。并且，在对具有直径较小的导通孔的配线基板材料进行除渣处理的情况下，由于碱溶液不充分渗入到导通孔内，所以难以可靠地进行所需的除渣处理。
相对于此，根据干式的除渣处理方法，由于能够在短时间内进行除渣处理，此外，不需要配线基板材料的清洗、中和及废液处理，所以关于除渣处理能够实现成本的降低。进而，关于具有直径较小的导通孔的配线基板材料也能够对应。
但是，在以往的干式的除渣处理中，明确了有以下这样的问题。
在干式的除渣处理中，起因于构成绝缘层的树脂等的有机物质的残渣通过紫外线及臭氧的作用而分解，被除去。然而，有起因于构成绝缘层中含有的填料的陶瓷或构成导电层的金属等的无机物质的残渣不通过紫外线或臭氧的作用而分解、而是残留在配线基板材料中的问题。
专利文献1：日本特开2012-217536号公报
专利文献2：日本特开平8-180757号公报
发明内容
本发明是基于以上那样的情况而做出的，其目的是提供一种不论是起因于无机物质及有机物质的哪种的残渣都能够可靠地除去、不需要使用需要废液处理的药品的除渣处理方法及除渣处理装置。
本发明的除渣处理方法是层叠有由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层的配线基板材料的除渣处理方法，其特征在于，具有：紫外线照射处理工序，对上述配线基板材料照射波长220nm以下的紫外线；以及物理性振动处理工序，对经过了该紫外线照射处理工序的配线基板材料施加物理性振动。
在本发明的除渣处理方法中，优选的是，上述紫外线照射处理工序在含氧的气体环境下进行。
此外，优选的是，上述配线基板材料形成有将上述绝缘层贯通的贯通孔；此外，更优选的是，将上述绝缘层贯通的上述贯通孔通过激光加工而形成。
此外，优选的是，交替地重复上述紫外线照射处理工序和上述物理性振动处理工序。
此外，优选的是，上述物理性振动处理工序通过超声波振动处理而进行。
在本发明的除渣处理方法中，优选的是，对于上述配线基板材料的被处理部分，在该被处理部分湿润的状态下进行上述紫外线照射处理工序。
此外，优选的是，作为上述紫外线照射处理工序的前处理工序而具有湿润处理工序：
将上述配线基板材料浸渍到水中，通过在该状态下使该水发生超声波振动，将该配线基板材料的被处理部分湿润。
此外，优选的是，作为上述紫外线照射处理工序的前处理工序而具有：
浸润性改善处理工序，在上述配线基板材料的被处理部分不湿润的状态下，改善该被处理部分的浸润性；以及湿润处理工序，将经过了该浸润性改善处理工序的配线基板材料的被处理部分湿润。
此外，优选的是，通过对上述配线基板材料的被处理部分在该被处理部分不湿润的状态下照射紫外线的干式紫外线照射处理，进行上述浸润性改善处理工序。
此外，优选的是，在进行上述物理性振动处理工序前，交替地重复上述湿润处理工序和上述紫外线照射处理工序。
此外，优选的是，交替地重复上述紫外线照射处理工序和上述物理性振动处理工序。
本发明的除渣处理装置是层叠有由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层的配线基板材料的除渣处理装置，其特征在于，具有：
紫外线照射处理部，对上述配线基板材料照射波长220nm以下的紫外线；以及物理性振动处理部，对利用该紫外线照射处理部进行紫外线照射处理后的配线基板材料施加物理性振动。
在本发明的除渣处理装置中，优选的是，上述物理性振动处理部通过超声波振动处理对配线基板材料施加物理性振动。
此外，优选的是，上述紫外线照射处理部具有配置上述配线基板材料的处理室和向该处理室供给含氧的处理用气体的气体供给口。
此外，优选的是，上述除渣处理装置具有在向上述紫外线照射处理部供给上述配线基板材料之前将该配线基板材料的被处理部分湿润的湿润处理部。
此外，优选的是，上述湿润处理部将上述配线基板材料浸渍到水中，通过在该状态下使该水发生超声波振动，将该配线基板材料的被处理部分湿润。
此外，优选的是，具有在向湿润处理部供给上述配线基板材料之前对该配线基板材料的被处理部分照射紫外线的干式紫外线照射处理部。
在本发明的除渣处理方法中，在含氧的气体环境下进行紫外线照射处理工序的情况下，通过向气体环境气体照射波长220nm以下的紫外线，生成臭氧或活性氧。并且，起因于有机物质的残渣通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的臭氧或活性氧而被分解。
此外，在对于配线基板材料的被处理部分在该被处理部分湿润的状态下进行紫外线照射处理工序的情况下，通过向水照射波长220nm以下的紫外线，生成OH基等。并且，起因于有机物质的残渣通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的OH基等而被分解。OH基与臭氧或活性氧等相比氧化力较高，所以起因于有机物质的残渣在短时间内被分解。
在紫外线照射处理工序中，起因于无机物质的残渣没有被分解而是残留在配线基板材料上，但起因于该无机物质的残渣、例如氧化硅或氧化铝等的无机物质通过被照射紫外线而变脆。因此，在紫外线照射处理工序后的物理性振动处理工序中，通过对配线基板材料施加物理性振动，起因于无机物质的残渣被破坏而从该配线基板材料脱离。或者，通过起因于无机物质的残渣的收缩、或在对各残渣照射紫外线时产生的热膨胀的差等而在残渣间产生稍稍的间隙，所以起因于无机物质的残渣通过实施物理性振动处理而从该配线基板材料脱离。
因而，根据本发明的除渣处理方法，不论是起因于无机物质及有机物质的哪种的残渣都能够可靠地除去。
此外，由于只要对配线基板材料进行紫外线照射处理及物理性振动处理就可以，所以不需要使用需要废液处理的药品。
附图说明
图1是示表作为本发明的除渣处理方法的处理对象的配线基板材料的一例的主要部的结构的说明用剖视图。
图2是表示图1所示的配线基板材料的制造工序的说明用剖视图。
图3是表示作为波长220nm的紫外线的光源使用的准分子灯的一例的结构的概略的说明用剖视图，图3(a)是表示沿着放电容器的长度方向的截面的横剖视图，图3(b)是图3(a)的A-A线剖视图。
图4是表示本发明的除渣处理方法的一例的工序的说明图。
图5是表示本发明的除渣处理装置的第1例的结构的说明图。
图6是表示本发明的除渣处理装置的第2例的结构的说明图。
图7是表示本发明的除渣处理装置的第3例的结构的说明图。
图8是表示本发明的除渣处理装置的第4例的结构的说明图。
图9是表示本发明的除渣处理装置的第5例的结构的说明图。
具体实施方式
以下，对本发明的除渣处理方法的实施方式进行说明。
<除渣处理方法>
图1是表示作为本发明的除渣处理方法的处理对象的配线基板材料的一例的主要部的结构的说明用剖视图。该配线基板材料1由第1绝缘层2、层叠在该第1绝缘层2的表面上的所需的图案的导电层(配线层)3、和层叠在包括该导电层3的第1绝缘层2上的第2绝缘层4构成。在第2绝缘层4上，形成有在其厚度方向上延伸的例如导通孔等的贯通孔5，通过该贯通孔5，使导电层3的一部分分成为露出的状态。
第1绝缘层2及第2绝缘层4分别通过含有由无机物质构成的粒状的填料的树脂构成。
作为构成第1绝缘层2及第2绝缘层4的树脂，可以使用环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等。
作为构成第1绝缘层2中及第2绝缘层4中含有的填料的材料，可以使用氧化硅、氧化铝、云母、硅酸盐、硫酸钡、氢氧化镁、氧化钛等。填料的平均粒子径例如是0.1～3μm。
第1绝缘层2及第2绝缘层4的各自中的填料的比例例如是20～60质量％。
作为构成导电层3的材料，可以使用铜、镍、金等。
第1绝缘层2的厚度例如是20～800μm，第2绝缘层4的厚度例如是10～50μm。导电层3的厚度例如是10～100μm。此外，贯通孔5的直径例如是30～100μm。
这样的配线基板材料1例如如以下这样得到。
首先，如图2(a)所示，在第1绝缘层2的表面上形成所需的图案的导电层3。接着，如图2(b)所示，在包括导电层3的第1绝缘层2的表面上形成第2绝缘层4。然后，如图2(c)所示，在第2绝缘层4的所需的部位上，形成在该第2绝缘层4的厚度方向上贯通而延伸的贯通孔5。
以上，作为形成导电层3的方法，没有被特别限定，可以使用减成法、半加成法等的各种方法。
作为形成第2绝缘层4的方法，可以使用在将液态的热硬化性树脂中含有填料的绝缘层形成材料涂敷到包含导电层3的第1绝缘层2的表面上之后对该绝缘层形成材料进行硬化处理的方法、或在包含导电层3的第1绝缘层2的表面上通过热压接等贴合含有填料的绝缘薄片的方法。
作为在第2绝缘层4上形成贯通孔5的方法，可以使用通过钻削加工的方法、通过激光加工的方法。在通过激光加工形成贯通孔5的情况下，可以使用碳酸气体激光装置或YAG激光装置等。
在这样得到的配线基板材料1中，在第2绝缘层4中的贯通孔5的内壁面、第2绝缘层4的表面中的贯通孔5的周边区域、以及贯通孔5的底部即导电层3中的通过贯通孔5露出的部分等上，残留有在形成贯通孔5时产生的残渣6。
在本发明的除渣处理方法中，进行对上述配线基板材料1中的被处理部分照射紫外线的紫外线照射处理工序、对经过了该紫外线照射处理工序的配线基板材料1施加物理性振动的物理性振动处理工序。
在本发明中，能够在例如大气等的含氧的气体环境下进行紫外线照射处理工序。
在紫外线照射处理工序中，使向配线基板材料1照射的紫外线为波长220nm以下，优选的是190nm以下。在紫外线的波长超过220nm的情况下，难以将起因于树脂等的有机物质的残渣分解除去。
作为波长220nm以下的紫外线的光源，可以使用氙准分子灯(峰值波长172nm)、低压水银灯(185nm亮线)、惰性气体荧光灯等。向配线基板材料1照射的紫外线的照度例如是10～1000mW/cm2。此外，考虑紫外线的照度或残渣的残留状态等适当设定配线基板材料1的紫外线的照射时间，例如是30秒～180分。
图3是表示作为波长220nm以下的紫外线的光源使用的准分子灯的一例的结构的概略的说明用剖视图，图3(a)是表示沿着放电容器的长度方向的截面的横剖视图，图3(b)是图3(a)的A-A线剖视图。
该准分子灯10具备两端被气密地封闭并在内部形成有放电空间S的、截面矩形状的中空长尺寸状的放电容器11，在该放电容器11的内部，封入有例如氙气、混合了氩和氯的气体作为放电用气体。
放电容器11由供真空紫外光良好地透过的氧化硅玻璃、例如合成石英玻璃构成，具有作为电介体的功能。
在放电容器11中的长边面的外表面上，以在长尺寸的方向上延伸的方式对置配置有一对格状的电极、即作为高电压供给电极发挥功能的一方的电极15及作为接地电极发挥功能的另一方的电极16，由此，成为在一对电极15、16间夹着作为电介体发挥功能的放电容器11的状态。
这样的电极例如可以将由金属构成的电极材料通过糊料涂敷或通过印刷、蒸镀而形成在放电容器11上。
在该准分子灯10中，如果对一方的电极15供给点灯电力，则经由作为电介体发挥功能的放电容器11的壁在两电极15、16间生成放电，由此，形成准分子并发生从该准分子放射真空紫外光的准分子放电，但为了高效率地利用通过该准分子放电产生的真空紫外光，在放电容器11的内表面上设有由氧化硅粒子和氧化铝粒子构成的紫外线反射膜20。这里，在使用氙气作为放电用气体的情况下，释放在波长172nm处具有峰值的真空紫外线，在使用混合了氩和氯的气体作为放电用气体的情况下，释放在波长175nm处具有峰值的真空紫外线。
紫外线反射膜20例如遍及放电容器11的长边面的与作为高电压供给电极发挥功能的一方的电极15对应的内表面区域和与该区域连续的短边面的内表面区域的一部分而形成，通过在放电容器11的长边面的与作为接地电极发挥功能的另一方的电极16对应的内表面区域中不形成紫外线反射膜20而构成光射出部(开口部)18。
紫外线反射膜20的膜厚优选的是例如10～100μm。
由于氧化硅粒子及氧化铝粒子自身具有有较高的折射率的真空紫外光透过性，所以紫外线反射膜20具有到达了氧化硅粒子或氧化铝粒子的真空紫外光的一部分被粒子的表面反射并且另一部分折射而入射到粒子的内部、进而入射到粒子的内部中的光的许多透过(一部分被吸收)并在再次被射出时被折射的、这种反复发生反射、折射的“扩散反射”的功能。
此外，紫外线反射膜20由氧化硅粒子及氧化铝粒子、即陶瓷构成，从而具有不产生杂质气体、而且能够承受放电的特性。
构成紫外线反射膜20的氧化硅粒子可以使用例如使氧化硅玻璃以粉末状成为细小的粒子这样的氧化硅粒子等。
氧化硅粒子的如以下这样定义的粒子径处于例如0.01～20μm的范围内，中心粒径(算术平均粒子径的峰值)例如优选的是0.1～10μm，更优选的是0.3～3μm。
此外，具有中心粒径的氧化硅粒子的比例优选的是50％以上。
构成紫外线反射膜20的氧化铝粒子算术平均粒子径处于例如0.1～10μm的范围内，中心粒径(算术平均粒子径的峰值)优选的是例如0.1～3μm，更优选的是0.3～1μm。
此外，具有中心粒径的氧化铝粒子的比例优选的是50％以上。
此外，在本发明中，也可以在配线基板材料1的被处理部分湿润的状态下进行紫外线照射处理工序。在此情况下，作为紫外线照射处理工序的前处理工序，优选的是在配线基板材料1的被处理部分不湿润的状态下改善该被处理部分的浸润性的浸润性改善处理工序、和将经过了该浸润性改善处理工序的配线基板材料1的被处理部分湿润的湿润处理工序。
浸润性改善处理工序可以通过在该被处理部分没有湿润的状态下对配线基板材料的被处理部分照射紫外线的干式紫外线照射处理、大气压等离子处理、减压等离子处理、电晕放电处理等进行，但优选的是干式紫外线照射处理。
该干式紫外线照射处理在例如大气下等的含氧的气体环境下进行。
在干式紫外线照射处理中，向配线基板材料照射的紫外线优选的是波长220nm以下、特别是190nm以下。在紫外线的波长超过220nm的情况下，难以可靠地改善配线基板材料的被处理部分的浸润性。作为波长220nm以下的紫外线的光源，可以使用氙准分子灯(峰值波长172nm)、低压水银灯(185nm亮线)、惰性气体荧光灯等。作为被用作波长220nm以下的紫外线的光源的准分子灯的具体例，可以举出在上述紫外线照射处理中使用的图3所示的准分子灯。
向配线基板材料1照射的紫外线的照度例如是10～200mW/cm2。此外，考虑紫外线的照度或配线基板材料1的材质等而适当设定配线基板材料1的紫外线的照射时间，例如是10～60秒。
湿润处理工序例如通过使配线基板材料1浸渍到水中来进行。这里，浸渍时间例如是10～60秒。
此外，也可以在使配线基板材料浸渍在水中的状态下使该水发生超声波振动。由此，水在短时间内进入到配线基板材料的贯通孔内，所以能够缩短浸渍时间。
此外，也可以在使配线基板材料浸渍所需的时间后，例如通过空气刮刀将存在于配线基板材料的被处理部分处的剩余的水除去。
物理性振动处理工序例如可以通过超声波振动处理进行。超声波振动处理中的超声波的频率优选的是20～70kHz。在该频率超过70kHz的情况下，难以破坏起因于无机物质的残渣而使其从配线基板材料脱离。
在这样的超声波振动处理中，作为超声波的振动介质，可以使用水等的液体及空气等的气体。
如果具体地说明，则在使用水作为振动介质的情况下，可以将配线基板材料1例如浸渍到水中，通过在该状态下使该水发生超声波振动来进行超声波振动处理。在使用液体作为超声波的振动介质的情况下，超声波振动处理的处理时间例如是10～600秒。
此外，在使用空气作为振动介质的情况下，通过一边使压缩空气超声波振动一边向配线基板材料1喷吹，能够进行超声波振动处理。这里，压缩空气的压力优选的是0.2MPa以上。此外，通过压缩空气进行的超声波振动处理的处理时间例如是5～60秒。
在本发明的除渣处理方法中，可以在进行物理性振动处理工序之前交替地重复进行上述湿润处理工序及紫外线照射处理工序。
湿润处理工序及紫外线照射处理工序的重复次数考虑各湿式紫外线照射处理工序中的紫外线的照射时间等而适当设定，例如是1～5次。
根据这样的方法，由于配线基板材料的被处理部分能够确保湿润的状态，所以在各湿式紫外线照射处理工序中，将起因于有机物质的残渣以较高的效率分解。结果，能够缩短各湿式紫外线照射处理工序中的紫外线照射时间的总和。
此外，上述紫外线照射处理工序及物理性振动处理工序也可以以该顺序分别各进行1次，但也可以交替地重复进行紫外线照射处理工序及物理性振动处理工序。
紫外线照射处理工序及物理性振动处理工序的重复次数考虑各紫外线照射处理工序中的紫外线的照射时间等而适当设定，例如是1～5次。
以下，关于本发明的除渣处理方法，举分别进行两次紫外线照射处理工序及物理性振动处理工序的情况为例进行说明。
如图4(a)所示，在除渣处理前的配线基板材料1中，在配线基板材料1的被处理部分例如导电层3上残留有残渣6。该残渣6由起因于树脂等的有机物质的残渣(以下也称作“有机物残渣”)7、和起因于该有机物残渣7中含有的填料等的无机物质的残渣(以下也称作“无机物残渣”)8构成。
通过在含氧的气体环境下对这样的配线基板材料1的被处理部分照射波长220nm以下的紫外线，气体环境气体中的氧反应而生成臭氧或活性氧。并且，有机物残渣7的一部分通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的臭氧或活性氧而被分解、气化。此外，在配线基板材料1通过湿润处理工序而处于湿润的状态的情况下，通过对配线基板材料1的被处理部分照射波长220nm以下的紫外线，从而水发生反应而生成OH基等。并且，有机物残渣7的一部分通过紫外线的能量及通过对水照射紫外线产生的OH基等被分解、气化。
结果，如图4(b)所示，从配线基板材料1除去有机物残渣7的一部分。此时，无机物残渣8的一部分通过有机物残渣7的一部分被除去而露出。此外，露出的无机物残渣8、例如氧化硅或氧化铝等的无机物残渣8通过被照射紫外线而变脆。认为这是因为，无机物残渣8受到紫外线而收缩，从而在该无机物残渣8中发生应变。
接着，通过对配线基板材料1实施物理性振动处理，露出的无机物残渣8通过由振动带来的机械作用被破坏，从该配线基板材料1脱离。此外，还认为通过无机物残渣8的收缩、或当对各残渣照射紫外线时发生的热膨胀的差等而在有机物残渣7与无机物残渣8之间产生微小的间隙，无机物残渣8通过实施物理性振动处理而从该配线基板材料1脱离。
结果，如图4(c)所示，从配线基板材料1除去无机物残渣8的一部分。
然后，通过对配线基板材料1的被处理部分照射波长220nm以下的紫外线，有机物残渣7的其余部分的大部分通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的臭氧或活性氧等而被分解、气化。结果，如图4(d)所示，从配线基板材料1除去有机物残渣7的其余部分的大部分。此时，无机物残渣8的其余部分因有机物残渣7的其余部分的大部分被除去而露出。此外，露出的无机物残渣8通过被照射紫外线而变脆。
接着，通过对配线基板材料1实施物理性振动处理，露出的无机物残渣8或有机物残渣7的其余部分被由振动带来的机械性作用破坏，从该配线基板材料1脱离。此外，还可以想到，通过无机物残渣8的收缩、或当对各残渣照射紫外线时发生的热膨胀的差等而在配线基板材料1与无机物残渣8之间发生稍稍的间隙，通过实施物理性振动处理而从该配线基板材料1脱离。结果，如图4(e)所示，从配线基板材料1除去无机物残渣8的其余部分及有机物残渣7的其余部分，由此，成为例如导电层3的表面露出的状态。
这样，根据交替地重复进行紫外线照射处理工序及物理性振动处理工序的除渣处理方法，能够使各紫外线照射处理工序的紫外线照射时间的总和比通过1次的紫外线照射处理工序的除渣处理方法中的紫外线照射时间短。认为这是因为，即使有机物残渣7没有通过紫外线的照射被分解而残留，由于该有机物残渣7劣化，所以也通过物理性振动处理从配线基板材料1脱离而被除去。
此外，在配线基板材料1是湿润的状态的情况下，进行通过OH基及臭氧或活性氧的分解。OH基由于分解速度比臭氧或活性氧高，所以通过重复进行各紫外线照射处理工序，能够将发生OH基反应的时间取得较长，能够缩短紫外线照射时间的总和。
如以上那样，在本发明的除渣处理方法中，在含氧的气体环境下进行紫外线照射处理工序的情况下，通过向气体环境气体照射波长220nm以下的紫外线，生成臭氧或活性氧。并且，有机物残渣7通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的臭氧或活性氧而被分解。此外，在配线基板材料1的被处理部分湿润的状态下进行紫外线照射处理工序的情况下，通过向水照射波长220nm以下的紫外线而生成OH基等。并且，有机物残渣7通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的OH基等而被分解。由于OH基相比臭氧或活性氧等氧化力高，所以有机物残渣7在短时间内被分解。
在紫外线照射处理工序中，无机物残渣8不被分解而是残留在配线基板材料1上，但该无机物残渣8通过被照射紫外线而变脆。因此，在紫外线照射处理工序后的物理性振动处理工序中，通过对配线基板材料1施加物理性振动，无机物残渣8破坏或从无机物残渣8与有机物残渣7的微小的间隙剥离而从该配线基板材料1脱离。
因而，根据本发明的除渣处理方法，不论是无机物残渣8及有机物残渣7的哪种都能够可靠地从配线基板材料1除去。
此外，由于只要对配线基板材料1进行紫外线照射处理及物理性振动处理就可以，所以不需要使用需要废液处理的药品。
<除渣处理装置>
图5是表示本发明的除渣处理装置的第1例的结构的说明图。该除渣处理装置具有对配线基板材料1照射波长220nm以下的紫外线的紫外线照射处理部30。在该紫外线照射处理部30的下游侧，设有对被该紫外线照射处理部30紫外线照射处理后的配线基板材料1施加物理性振动的物理性振动处理部40。在该物理性振动处理部40的下游侧，设有对被该物理性振动处理部40振动处理后的配线基板材料1喷射水的漂洗处理部50。在该漂洗处理部50的下游侧，设有对被该漂洗处理部50漂洗处理后的配线基板材料1进行干燥处理的干燥处理部60。
在该第1例的除渣处理装置中，紫外线照射处理部30具有从其他处理部独立的壳体31。
此外，物理性振动处理部40、漂洗处理部50及干燥处理部60在共通的壳体65内以沿着配线基板材料1的输送方向排列的方式设置。该壳体65具有在其内部储存在物理性振动处理部40中使用的水的罐67、和储存在漂洗处理部50中使用的水的罐68。此外，在壳体65上，在干燥处理部60侧的侧面上设有排气口65H。
在紫外线照射处理部30与物理性振动处理部40之间，设有从紫外线照射处理部30向物理性振动处理部40搬运配线基板材料1的搬运机器人25。该搬运机器人25具有将配线基板材料1吸附而保持的吸附臂26。此外，在壳体65的内部，设有依次向物理性振动处理部40、漂洗处理部50及干燥处理部60输送配线基板材料1的输送机构66。
在紫外线照射处理部30中，对配线基板材料1进行上述紫外线照射处理工序。
在紫外线照射处理部30的壳体31内，设有收容有放射波长220nm以下的紫外线的多个准分子灯10的灯收容室S1。此外，在壳体31的下表面上，设有例如由合成石英玻璃构成的紫外线透过窗部件32。并且，在灯收容室S1的下方，夹着紫外线透过窗部件32设有被运入配线基板材料1的处理室S2。
在处理室S2内，设有载置配线基板材料1的台33。在该台33上，形成有向处理室S2内供给处理用气体的气体供给口34a及从处理室S2排出气体的气体排出口34b。
此外，在台33中内置有加热器。通过该加热器能够将载置在台33上的配线基板材料1加热到例如80～200℃。
在物理性振动处理部40中，通过在水中对配线基板材料1实施超声波处理，进行上述物理性振动处理工序。
物理性振动处理部40具有水槽41。在水槽41内设有振动板42。此外，在水槽41上设有排水口41H。
通过泵43将储存在罐67内的水经由过滤器44供给到水槽41。此外，从排水口41H排出的水被回收到罐67中。由此，能够使水槽41内的水经由过滤器44循环。
从振动板42的表面到水面的距离优选的是30～300mm。在该距离不到30mm的情况下，振动板42自身的寿命有时因超声波的反射而变短。另一方面，在该距离超过300mm的情况下，有时因功率密度下降，无机残渣难以被除去。
在物理性振动处理部40中，对于配线基板材料1的物理性振动处理可以一边通过输送机构66输送该配线基板材料1一边进行。配线基板材料1的输送速度考虑处理时间及水槽41的尺寸等而设定，例如是0.5m/min。
如果表示物理性振动处理部40的规格的一例，则是以下这样的。
水槽41的纵横的尺寸是700mm×800mm。
振动板42的纵横的尺寸是500mm×600mm，振动板42的驱动功率是2kW。
在漂洗处理部50中，通过对配线基板材料1喷射水，进行该配线基板材料1的漂洗处理。该漂洗处理可以一边通过输送机构66输送配线基板材料1一边进行。
漂洗处理部50具有向配线基板材料1喷射水的喷淋喷嘴56。通过泵57将储存在罐68中的水经由过滤器58供给到该喷淋喷嘴56。从喷淋喷嘴56喷射的水被回收到罐68中。由此，能够将用于漂洗处理的水经由过滤器58循环使用。
此外，从喷淋喷嘴56喷射的水的水压例如是0.1～0.5MPa。
在干燥处理部60中，通过向配线基板材料1喷射空气，进行该配线基板材料1的干燥处理。该干燥处理可以一边通过输送机构66输送配线基板材料1一边进行。
干燥处理部60具有向配线基板材料1喷射空气的狭缝喷嘴61。由鼓风机62经由过滤器63向该狭缝喷嘴61供给空气。从狭缝喷嘴61喷射的空气经由排气口65H被向壳体65的外部排出。
在上述除渣处理装置中，向紫外线照射处理部30的处理室S2中的台33上载置配线基板材料1。此外，从气体供给口34a向处理室S2内供给含氧的处理用气体。并且，通过由准分子灯10向配线基板材料1照射紫外线，进行对配线基板材料1的紫外线照射处理。
通过搬运机器人25及输送机构66向物理性振动处理部40输送被紫外线照射处理后的配线基板材料1。并且，在物理性振动处理部40的水槽41内，一边通过输送机构66输送配线基板材料1，一边进行对该配线基板材料1的物理性振动处理。
通过输送机构66向漂洗处理部50输送振动处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1一边从漂洗处理部50的喷淋喷嘴56向配线基板材料1喷射水，进行对该配线基板材料1的漂洗处理。
用输送机构66向干燥处理部60输送漂洗处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1一边从干燥处理部60的狭缝喷嘴61向配线基板材料1喷射空气，进行对该配线基板材料1的干燥处理。
图6是表示本发明的除渣处理装置的第2例的结构的说明图。该除渣处理装置具有对配线基板材料1照射波长220nm以下的紫外线的紫外线照射处理部30。在该紫外线照射处理部30的下游侧，设有对被该紫外线照射处理部30紫外线照射处理后的配线基板材料1施加物理性振动的物理性振动处理部40。在该物理性振动处理部40的下游侧，设有向由该物理性振动处理部40振动处理后的配线基板材料1喷射水的漂洗处理部50。在该漂洗处理部50的下游侧，设有对由该漂洗处理部50漂洗处理后的配线基板材料1进行干燥处理的干燥处理部60。
在该第2例的除渣处理装置中，紫外线照射处理部30具有从其他处理部独立的壳体31。
此外，物理性振动处理部40、漂洗处理部50及干燥处理部60以沿着配线基板材料1的输送方向排列的方式设在共通的壳体65内。物理性振动处理部40、漂洗处理部50、干燥处理部60及壳体65的结构与第1例的除渣处理装置是同样的。
在紫外线照射处理部30的壳体31内，设有收容有放射波长220nm以下的紫外线的多个准分子灯10的灯收容室S1。此外，在壳体31的下表面上，设有例如由合成石英玻璃构成的紫外线透过窗部件32。并且，在灯收容室S1的下方，经由紫外线透过窗部件32设有被运入配线基板材料1的处理室S2。该处理室S2由壳体31的下表面及箱型的处理室形成件35形成。具体而言，处理室形成件35在上表面上具有开口，配置有壳体31以堵塞该开口。
在处理室形成件35上，形成有向处理室S2内导入处理用气体的多个气体导入口36a及从处理室S2排出气体的多个气体排出口36b。在处理室形成件35的内部及壳体65的内部，设有依次向紫外线照射处理部30、物理性振动处理部40、漂洗处理部50及干燥处理部60输送配线基板材料1的共通的输送机构66。可以一边通过输送机构66输送该配线基板材料1一边进行针对配线基板材料1的紫外线照射处理。
在上述除渣处理装置中，用输送机构66向紫外线照射处理部30的处理室S2内输送配线基板材料1。此外，从气体导入口36a向处理室S2内供给含氧的处理用气体。并且，在处理室S2内，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1一边用准分子灯10对配线基板材料1照射紫外线，进行针对配线基板材料1的紫外线照射处理。
通过搬运机器人25及输送机构66向物理性振动处理部40输送紫外线照射处理后的配线基板材料1。并且，在物理性振动处理部40的水槽41内，一边用输送机构66输送配线基板材料1，一边进行针对该配线基板材料1的物理性振动处理。
通过输送机构66向漂洗处理部50输送振动处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1、一边从漂洗处理部50的喷淋喷嘴56向配线基板材料1喷射水，进行针对该配线基板材料1的漂洗处理。
通过输送机构66向干燥处理部60输送漂洗处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1一边从干燥处理部60的狭缝喷嘴61向配线基板材料1喷射空气，进行针对该配线基板材料1的干燥处理。
图7是表示本发明的除渣处理装置的第3例的结构的说明图。该除渣处理装置具有对配线基板材料1照射波长220nm以下的紫外线的紫外线照射处理部30。在该紫外线照射处理部30的下游侧，设有对被该紫外线照射处理部30紫外线照射处理后的配线基板材料1施加物理性振动的物理性振动处理部40。在该物理性振动处理部40的下游侧，沿着配线基板材料1的输送方向设有将由该物理性振动处理部40振动处理后的配线基板材料1浸渍到水中的第1漂洗处理部50a及第2漂洗处理部50b。在第2漂洗处理部50b的下游侧，设有对被该第2漂洗处理部50b漂洗处理后的配线基板材料1进行干燥处理的干燥处理部60。
在该第3例的除渣处理装置中，紫外线照射处理部30是与第1例的除渣处理装置的紫外线照射处理部30同样的结构。
此外，物理性振动处理部40、第1漂洗处理部50a、第2漂洗处理部50b及干燥处理部60以沿着配线基板材料1的输送方向排列的方式设在共通的壳体65内。在壳体65上，在干燥处理部60侧的上表面上设有排气口65H。
在紫外线照射处理部30与物理性振动处理部40之间，设有从紫外线照射处理部30向后述的输送用轿厢69内搬运配线基板材料1的搬运机器人25。该搬运机器人25具有将配线基板材料1吸附而保持的吸附臂26。
物理性振动处理部40、第1漂洗处理部50a、第2漂洗处理部50b及干燥处理部60分别是在将多个配线基板材料1收存在输送用轿厢69内的状态下进行针对各配线基板材料1的处理的。此外，在壳体65的内部，设有依次向物理性振动处理部40、第1漂洗处理部50a、第2漂洗处理部50b及干燥处理部60输送收容有配线基板材料1的输送用轿厢69的输送用轨道66a。
在物理性振动处理部40中，通过对收存在输送用轿厢69内的配线基板材料1实施超声波处理，进行上述物理性振动处理工序。
物理性振动处理部40具有将收存有配线基板材料1的输送用轿厢69收容的水槽41。在水槽41内，分别以垂直的姿势相互对置地配置有两个振动板42。水槽41内的水利用泵43而经由过滤器44循环。
在第1漂洗处理部50a及第2漂洗处理部50b中，通过将收存在输送用轿厢69内的配线基板材料1浸渍水，进行该配线基板材料1的漂洗处理。
第1漂洗处理部50a及第2漂洗处理部50b分别具有将收存有配线基板材料1的输送用轿厢69收容的水槽51a、51b。水槽51a、51b内的水利用泵57a、57b而经由过滤器58a、58b循环。
在干燥处理部60中，相互分离对置地配置有两个加热器64。在干燥处理部60中，收存有配线基板材料1的输送用轿厢69被配置在两个加热器64之间。并且，通过用加热器64加热收存在输送用轿厢69内的配线基板材料1，进行针对该配线基板材料1的干燥处理。
在上述除渣处理装置中，在紫外线照射处理部30的处理室S2的台33上载置配线基板材料1。此外，从气体供给口34a向含氧的处理用气体的处理室S2内供给。并且，通过由准分子灯10向配线基板材料1照射紫外线，进行针对配线基板材料1的紫外线照射处理。
通过搬运机器人25将紫外线照射处理后的配线基板材料1输送到输送用轿厢69内并收存。将收存有配线基板材料1的输送用轿厢69沿着输送用轨道66a输送，收容到物理性振动处理部40的水槽41内。并且，在水槽41内进行针对配线基板材料1的物理性振动处理。
接着，将收存有配线基板材料1的输送用轿厢69沿着输送用轨道66a输送，浸渍到第1漂洗部50a的水槽51a内的水中。然后，将收存有配线基板材料1的输送用轿厢69沿着输送用轨道66a输送，浸渍到第2漂洗部50b的水槽51b内的水中。这样，进行针对配线基板材料1的漂洗处理。
接着，将收存有配线基板材料1的输送用轿厢69沿着输送用轨道66a输送，配置到干燥处理部60的两个加热器64之间。并且，通过用加热器64加热配线基板材料1，进行针对该配线基板材料1的干燥处理。
图8是表示本发明的除渣处理装置的第4例的结构的说明图。该除渣处理装置具有对配线基板材料1照射波长220nm以下的紫外线的紫外线照射处理部30。该紫外线照射处理部30是与第1例的除渣处理装置的紫外线照射处理部30同样的结构。在紫外线照射处理部30的下游侧，设有对由该紫外线照射处理部30紫外线照射处理后的配线基板材料1施加物理性振动的物理性振动处理部40。在紫外线照射处理部30与物理性振动处理部40之间，设有从紫外线照射处理部30向物理性振动处理部40搬运配线基板材料1的搬运机器人25。该搬运机器人25具有将配线基板材料1吸附而保持的吸附臂26。
该第4例的物理性振动处理部40通过一边使压缩空气超声波振动一边对配线基板材料1喷吹，进行针对该配线基板材料1的物理性振动处理。该物理性振动处理部40具有壳体45。在该壳体45上，形成有对配置在该壳体45内的配线基板材料1喷射被超声波振动的压缩空气的压缩空气喷射口46、和吸引通过物理性振动处理从配线基板材料1脱离的残渣的残渣吸引口47。此外，在壳体45的内部，设有输送配线基板材料1的输送机构48。作为供给超声波振动的压缩空气的机构，使用在实开平5-80573号公报、特开平7-60211号公报、特开平7-68226号公报等中记载的机构。
在上述除渣处理装置中，在紫外线照射处理部30的处理室S2中的台33上载置配线基板材料1。此外，从气体导入口34a向处理室S2内供给含氧的处理用气体。并且，通过由准分子灯10向配线基板材料1照射紫外线，进行针对配线基板材料1的紫外线照射处理。
通过搬运机器人25及输送机构66向物理性振动处理部40输送紫外线照射处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1，一边从压缩空气喷射口46向配线基板材料1喷射超声波振动的压缩空气，进行针对该配线基板材料1的物理性振动处理。
图9是表示本发明的除渣处理装置的第5例的结构的说明图。该除渣处理装置具有将配线基板材料1的被处理部分湿润的湿润处理部70。在该湿润处理部70的下游侧，设有对湿润处理后的配线基板材料1照射波长220nm以下的紫外线的紫外线照射处理部30。在该紫外线照射处理部30的下游侧，设有对被该紫外线照射处理部30紫外线照射处理后的配线基板材料1施加物理性振动的物理性振动处理部40。在该物理性振动处理部40的下游侧，设有向被该物理性振动处理部40振动处理后的配线基板材料1喷射水的漂洗处理部50。在该漂洗处理部50的下游侧，设有对被该漂洗处理部50漂洗处理后的配线基板材料1进行干燥处理的干燥处理部60。该第5例中的从紫外线照射处理部30到干燥处理部60的结构与第1例的除渣处理装置是同样的。此外，在湿润处理部70与紫外线照射处理部30之间，设有从湿润处理部70向紫外线照射处理部30搬运配线基板材料1的搬运机器人27。该搬运机器人27具有将配线基板材料1吸附而保持的吸附臂28。
湿润处理部70具有壳体75。在壳体75内，形成有对配线基板材料1进行湿润处理的湿润处理室S3、和从湿润处理后的配线基板材料1除去剩余的水分的水分除去处理室S4。此外，在壳体75的内部，设有从湿润处理室S3向水分除去处理室S4输送配线基板材料1的输送机构74。
在湿润处理部70中，通过将配线基板材料1浸渍到水中并在该状态下使该水发生超声波振动，进行上述湿润处理工序。
在湿润处理部70的湿润处理室S3内设有水槽71。在水槽71内设有振动板72。此外，在水槽71上设有排水口71H。此外，在水槽71的下方设有用于湿润处理的罐73。通过泵76将储存在罐73内的水经由过滤器77供给到水槽71。此外，从排水口71H排出的水被向罐73回收。由此，能够使水槽71内的水经由过滤器77循环。
在水分除去处理室S4内，设有向配线基板材料1喷射空气的狭缝喷嘴78。对于该狭缝喷嘴78，通过鼓风机79经由过滤器80供给空气。从狭缝喷嘴78喷射的空气经由形成在壳体75上的排气口75H被向壳体75的外部排出。
在上述除渣处理装置中，用输送机构74向湿润处理部70的水槽71输送配线基板材料1。并且，在水槽71内，通过一边用输送机构74输送配线基板材料1一边使该水发生超声波振动，进行针对该配线基板材料1的湿润处理。通过输送机构74向水分除去处理室S4输送湿润处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构74输送配线基板材料1一边从狭缝喷嘴78向配线基板材料1喷射空气，从该配线基板材料1除去剩余的水分。
通过搬运机器人27将这样湿润处理后的配线基板材料1载置到紫外线照射处理部30的处理室S2中的台33上。此外，从气体导入口34a向处理室S2内供给含氧的处理用气体。并且，通过由准分子灯10向配线基板材料1照射紫外线，进行针对配线基板材料1的紫外线照射处理。
通过搬运机器人25及输送机构66向物理性振动处理部40输送紫外线照射处理后的配线基板材料1。并且，在物理性振动处理部40的水槽41内，一边用输送机构66输送配线基板材料1，一边进行针对该配线基板材料1的物理性振动处理。
通过输送机构66向漂洗处理部50输送振动处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1、一边从漂洗处理部50的喷淋喷嘴56向配线基板材料1喷射水，进行针对该配线基板材料1的漂洗处理。
通过输送机构66向干燥处理部60输送漂洗处理后的配线基板材料1。并且，通过一边用输送机构66输送配线基板材料1一边从干燥处理部60的狭缝喷嘴61向配线基板材料1喷射空气，进行针对该配线基板材料1的干燥处理。
根据这些除渣处理装置，由于在紫外线照射处理部30中进行上述紫外线照射处理工序后、在物理性振动处理部40中进行上述物理性振动处理，所以不论是无机物残渣及有机物残渣的哪种都能够可靠地从配线基板材料1除去。
在本发明的除渣处理装置中，并不限定于上述实施方式，能够加以以下这样的各种各样的变更。
(1)在第1例、第3例、第4例及第5例的除渣处理装置中，在需要对配线基板材料1的两面进行除渣处理的情况下，能够利用紫外线照射处理部30对配线基板材料1的一面进行紫外线照射处理，接着，在利用搬运机器人25使配线基板材料1反转后利用紫外线照射处理部30对配线基板材料1的另一面进行紫外线照射处理。
(2)在第2例的除渣处理装置中，在需要对配线基板材料1的两面进行除渣处理的情况下，能够通过在紫外线照射处理部30中的处理室S2的上方及下方的两者的位置配置准分子灯10，对配线基板材料1的两面同时进行紫外线照射处理。
(3)在第1例、第2例及第5例的除渣处理装置中，能够在物理性振动处理部40的水槽41内的配线基板材料1的上方及下方的两者的位置配置振动板42。根据这样的结构，能够提高超声波的功率密度。因此，能够减小振动板42的长度，结果，能够减小除渣处理装置的全长。
(4)在第5例的除渣处理装置中，可以设置在向湿润处理部70供给配线基板材料1前对配线基板材料1的被处理部分照射紫外线的干式紫外线照射处理部。作为该干式紫外线照射处理部，能够使用与紫外线照射处理部30同样的结构。根据这样的结构，由于通过干式紫外线照射处理部改善配线基板材料1的被处理部分的浸润性，所以在湿润处理部70中能够可靠地湿润配线基板材料1的被处理部分。
实施例
以下，对本发明的具体的实施例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[试验用配线基板材料的制作]
准备在厚度为100μm的铜箔上形成有厚度100μm的绝缘层的层叠体。这里，绝缘层是在环氧树脂中以40质量％的比例含有平均粒子径1.0μm的氧化硅的结构。
通过用碳酸气体激光装置对该层叠体的绝缘层实施激光加工，在该绝缘层上形成直径50μm的贯通孔，由此得到试验用配线基板材料。通过扫描型电子显微镜观察该试验用配线基板材料的贯通孔的底部，确认了在贯通孔的底部残留有残渣。
<实施例1>
对于试验用配线基板材料，通过进行下述紫外线照射处理工序及下述物理性振动处理工序，进行试验用配线基板材料的除渣处理。
(1)紫外线照射处理工序
在大气中，通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行紫外线照射处理。
紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝180分钟
(2)物理性振动处理工序
在上述(1)的紫外线照射处理工序结束后，将试验用配线基板材料浸渍到纯水中。在该状态下，对于试验用配线基板材料进行3分钟通过40.0kHz的超声波的超声波振动处理。
[评价]
用扫描型电子显微镜观察除渣处理结束后的试验用配线基板材料的底部，用下述的基准评价起因于树脂的有机物残渣及起因于填料的无机物残渣的各自的残留状态。
○：看不到残渣的残留
×：看到大量残渣的残留
以上，将结果表示在下述表1中。
<实施例2>
对于试验用配线基板材料，通过交替地重复3次下述紫外线照射处理工序及下述物理性振动处理工序，进行试验用配线基板材料的除渣处理。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表1中。
(1)紫外线照射处理工序
在大气中，通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行紫外线照射处理。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表1中。
紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝30分钟
(2)物理性振动处理工序
在上述(1)的紫外线照射处理工序结束后，将试验用配线基板材料浸渍到纯水中。在该状态下，对于试验用配线基板材料进行3分钟通过40.0kHz的超声波的超声波振动处理。
<实施例3>
对于试验用配线基板材料，通过进行下述紫外线照射处理工序及下述物理性振动处理工序，进行试验用配线基板材料的除渣处理。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表1中。
(1)紫外线照射处理工序
与实施例1同样，向试验用配线基板材料的贯通孔的内部照射紫外线。
(2)物理性振动处理工序
在针对上述(1)基板材料的紫外线照射处理工序结束后，向该试验用配线基板材料的贯通孔的内部一边使0.2MPa的压缩空气以30kHz超声波振动一边喷吹10秒钟。
<比较例1>
对于试验用配线基板材料，如以下这样进行除渣处理。
在大气中，通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行紫外线照射处理。在该紫外线照射处理结束后，用高压水流清洗试验用配线基板材料。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表1中。
紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝90分钟
<比较例2>
除了将紫外线照射时间变更为120分钟以外，与比较例1同样地进行试验用配线基板材料的除渣处理，进行关于该试验用配线基板材料的评价。将结果表示在下述表1中。
<比较例3>
除了将紫外线照射时间变更为180分钟以外，与比较例1同样地进行试验用配线基板材料的除渣处理，进行关于该试验用配线基板材料的评价。将结果表示在下述表1中。
<比较例4>
将试验用配线基板材料浸渍到纯水中。在该状态下，通过对试验用配线基板材料进行10分钟通过40.0kHz的超声波的超声波振动处理，进行试验用配线基板材料的除渣处理。
并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表1中。
<比较例5>
对于试验用配线基板材料的贯通孔的内部，通过一边使0.2MPa的压缩空气以30kHz超声波振动一边喷吹10秒钟，进行试验用配线基板材料的除渣处理。
并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表1中。
[表1]
根据表1的结果可知，确认了通过有关实施例1～3的除渣处理方法将无机物残渣及有机物残渣的哪种都可靠地从配线基板材料除去。特别是，通过有关实施例2的除渣处理方法，由于交替地重复进行紫外线照射处理工序及物理性振动处理工序，所以能够使各紫外线照射工序的紫外线照射时间的总和比有关实施例1的除渣处理方法中的紫外线照射时间短。
相对于此，在比较例1～3中，由于代替物理性振动处理而进行通过高压水流的清洗处理，所以在除渣处理后的试验用配线基板材料残留有残渣，无机物残渣的残留特别显著。可以考虑这是因为高压水流没有充分进入到试验用配线基板材料的贯通孔的内部。
此外，在比较例4～5中，由于不对试验用配线基板材料进行紫外线照射处理，所以无机物残渣及有机物残渣的哪种都几乎不能除去。
<实施例4>
对于试验用配线基板材料进行了下述浸润性改善处理工序及下述湿润处理工序。
(1)浸润性改善处理工序
在大气中，通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行干式紫外线照射处理。
干式紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝60秒钟
(2)湿润处理工序
使试验用配线基板材料浸渍到纯水中3分钟。然后，通过空气刮刀除去存在于配线基板材料的被处理部分处的剩余的水。
接着，通过对试验用配线基板材料进行下述湿式紫外线照射处理工序及下述物理性振动处理工序，进行试验用配线基板材料的除渣处理。
(3)湿式紫外线照射处理工序
通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行干式紫外线照射处理。
紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝150分钟
(4)物理性振动处理工序
在上述(3)的湿式紫外线照射处理工序结束后，将试验用配线基板材料浸渍到纯水中。在该状态下，对于试验用配线基板材料进行3分钟通过40.0kHz的超声波的超声波振动处理。
[评价]
用扫描型电子显微镜观察除渣处理结束后的试验用配线基板材料的底部，用下述的基准进行评价起因于树脂的有机物残渣及起因于填料的无机物残渣的各自的残留状态。
○：看不到残渣的残留
×：看到大量残渣的残留
以上，将结果表示在下述表2中。
<实施例5>
在湿润处理工序中，除了不通过空气刮刀除去存在于配线基板材料的被处理部分处的剩余的水、以及在湿式紫外线处理工序中将紫外线照射时间变更为120分钟以外，与实施例1同样地进行试验用配线基板材料的除渣处理，进行针对该试验用配线基板材料的评价。将结果表示在下述表2中。
<实施例6>
除了如以下这样进行湿润处理工序、以及在湿式紫外线处理工序中将紫外线照射时间变更为60分钟以外，与实施例1同样地进行试验用配线基板材料的除渣处理，进行针对该试验用配线基板材料的评价。将结果表示在下述表2中。
湿润处理工序：
一边通过40kHz的超声波使试验用配线基板材料超声波振动一边使该试验用配线基板材料浸渍到纯水中3分钟。不进行存在于配线基板材料的被处理部分处的剩余的水的除去。
<实施例7>
对于试验用配线基板材料，与实施例3同样地进行浸润性改善处理工序。
接着，对于试验用配线基板材料，交替地重复4次下述湿润处理工序及下述湿式紫外线照射处理工序。然后，对于试验用配线基板材料进行下述物理性振动处理工序，由此，进行该试验用配线基板材料的除渣处理。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表2中。
(1)湿润处理工序
使试验用配线基板材料浸渍到纯水中3分钟。然后，通过空气刮刀除去存在于配线基板材料的被处理部分处的剩余的水。
(2)湿式紫外线照射处理工序
通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行紫外线照射处理。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料，进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表2中。
紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝10分钟
(3)物理性振动处理工序
将试验用配线基板材料浸渍到纯水中。在该状态下，对试验用配线基板材料进行3分钟通过40.0kHz的超声波的超声波振动处理。
<实施例8>
对于试验用配线基板材料，与实施例3同样地进行浸润性改善处理工序及湿润处理工序。
通过对试验用配线基板材料交替地重复3次下述湿式紫外线照射处理工序及下述物理性振动处理工序，进行试验用配线基板材料的除渣处理。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料，进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表2中。
(1)湿式紫外线照射处理工序
在大气中，通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行紫外线照射处理。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料，进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表2中。
紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝10分钟
(2)物理性振动处理工序
在上述(1)的湿式紫外线照射处理工序结束后，将试验用配线基板材料浸渍到纯水中。在该状态下，对试验用配线基板材料进行3分钟通过40.0kHz的超声波的超声波振动处理。
<实施例9>
除了不进行浸润性改善处理工序以外，与实施例1同样地进行试验用配线基板材料的除渣处理，进行针对该试验用配线基板材料的评价。将结果表示在下述表2中。
<比较例6>
对于试验用配线基板材料，如以下这样进行除渣处理。
在大气中，通过具备氙准分子灯的紫外线照射装置以下述的条件对试验用配线基板材料的贯通孔的内部进行紫外线照射处理。在该紫外线照射处理结束后，将试验用配线基板材料通过高压水流清洗。并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料，进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表2中。
紫外线照射处理条件：
紫外线照射装置的紫外线射出窗的外表面上的紫外线照度＝40W/cm2
紫外线照射装置的紫外线射出窗与试验用配线基板材料的分离距离＝3mm
紫外线照射时间＝180分钟
<比较例7>
将试验用配线基板材料浸渍到纯水中，在该状态下，通过对于试验用配线基板材料进行180分钟通过40.0kHz的超声波的超声波振动处理，进行试验用配线基板材料的除渣处理。
并且，对于除渣处理结束后的试验用配线基板材料进行与实施例1同样的评价。将结果表示在下述表2中。
[表2]
*比较例1是干式紫外线照射处理
根据表2的结果可知，确认了通过有关实施例4～9的除渣处理方法将无机物残渣及有机物残渣的哪种都可靠地从配线基板材料除去。
此外，通过有关实施例4～8的除渣处理方法，由于进行浸润性改善处理工序，所以虽然与有关实施例9的除渣处理方法相比紫外线照射处理工序中的紫外线照射时间较短，但也确认了残渣被可靠地除去。
此外，通过有关实施例7的除渣处理方法，由于交替地重复进行湿润处理工序及紫外线照射处理工序，所以能够使各湿式紫外线照射处理工序中的紫外线照射时间的总和比有关实施例1～3的除渣处理方法的紫外线照射处理工序中的紫外线照射时间短。
此外，通过有关实施例8的除渣处理方法，由于交替地重复进行紫外线照射处理工序及物理性振动处理工序，所以能够使各紫外线照射工序的紫外线照射时间的总和比有关实施例4～6的除渣处理方法的湿式紫外线照射处理工序中的紫外线照射时间短。
相对于此，在比较例6中，由于没有进行物理性振动处理，所以在除渣处理后的试验用配线基板材料上残留有残渣，特别是无机物残渣的残留较显著。
此外，在比较例7中，由于没有对试验用配线基板材料进行紫外线照射处理，所以无机物残渣及有机物残渣的哪种都几乎不能除去。
附图标记说明
1 配线基板材料
2 第1绝缘层
3 导电层
4 第2绝缘层
5 贯通孔
6 残渣
7 有机物残渣
8 无机物残渣
10 准分子灯
11 放电容器
15 一方的电极(高电压供给电极)
16 另一方的电极(接地电极)
18 光射出部(开口部)
20 紫外线反射膜
25 搬运机器人
26 吸附臂
27 搬运机器人
28 吸附臂
30 紫外线照射处理部
31 壳体
32 紫外线透过窗部件
33 台
34a 气体供给口
34b 气体排出口
35 处理室形成件
36a 气体导入口
36b 气体排出口
40 物理性振动处理部
41 水槽
41H 排水口
42 振动板
43 泵
44 过滤器
45 壳体
46 压缩空气喷射口
47 残渣吸引口
48 输送机构
50 漂洗处理部
50a 第1漂洗处理部
50b 第2漂洗处理部
51a、51b 水槽
56 喷淋喷嘴
57、57a、57b 泵
58、58a、58b 过滤器
60 干燥处理部
61 狭缝喷嘴
62 鼓风机
63 过滤器
64 加热器
65 壳体
65H 排气口
66 输送机构
66a 输送用轨道
67、68 罐
69 输送用轿厢
70 湿润处理部
71 水槽
71H 排水口
72 振动板
73 罐
74 输送机构
75 壳体
75H 排气口
76 泵
77 过滤器
78 狭缝喷嘴
79 鼓风机
80 过滤器
S1 灯收容室
S2 处理室
S3 湿润处理室
S4 水分除去处理室

Claims (15)

1.一种除渣处理方法，是层叠有由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层、形成有将上述绝缘层贯通的贯通孔的配线基板材料的除渣处理方法，其特征在于，具有：
紫外线照射处理工序，对上述配线基板材料，在含氧的气体环境下照射波长220nm以下的紫外线；以及
物理性振动处理工序，对经过了该紫外线照射处理工序的配线基板材料施加物理性振动。
2.如权利要求1所述的除渣处理方法，其特征在于，
将上述绝缘层贯通的上述贯通孔是通过激光加工而形成。
3.如权利要求1所述的除渣处理方法，其特征在于，
交替地重复上述紫外线照射处理工序和上述物理性振动处理工序。
4.如权利要求1所述的除渣处理方法，其特征在于，
上述物理性振动处理工序通过超声波振动处理而进行。
5.如权利要求1所述的除渣处理方法，其特征在于，
对于上述配线基板材料的被处理部分，在该被处理部分湿润的状态下进行上述紫外线照射处理工序。
6.如权利要求5所述的除渣处理方法，其特征在于，
作为上述紫外线照射处理工序的前处理工序而具有湿润处理工序：将上述配线基板材料浸渍到水中，通过在该状态下使该水发生超声波振动，将该配线基板材料的被处理部分湿润。
7.如权利要求5所述的除渣处理方法，其特征在于，
作为上述紫外线照射处理工序的前处理工序而具有：
浸润性改善处理工序，在上述配线基板材料的被处理部分不湿润的状态下，改善该被处理部分的浸润性；以及
湿润处理工序，将经过了该浸润性改善处理工序的配线基板材料的被处理部分湿润。
8.如权利要求7所述的除渣处理方法，其特征在于，
通过对上述配线基板材料的被处理部分在该被处理部分不湿润的状态下照射紫外线的干式紫外线照射处理，进行上述浸润性改善处理工序。
9.如权利要求6或7所述的除渣处理方法，其特征在于，
在进行上述物理性振动处理工序前，交替地重复上述湿润处理工序和上述紫外线照射处理工序。
10.如权利要求5所述的除渣处理方法，其特征在于，
交替地重复上述紫外线照射处理工序和上述物理性振动处理工序。
11.一种除渣处理装置，是层叠有由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层、形成有将上述绝缘层贯通的贯通孔的配线基板材料的除渣处理装置，其特征在于，具有：
紫外线照射处理部，对上述配线基板材料照射波长220nm以下的紫外线；以及
物理性振动处理部，对利用该紫外线照射处理部进行紫外线照射处理后的配线基板材料施加物理性振动，
上述紫外线照射处理部具有配置上述配线基板材料的处理室和向该处理室供给含氧的处理用气体的气体供给口。
12.如权利要求11所述的除渣处理装置，其特征在于，
上述物理性振动处理部通过超声波振动处理对配线基板材料施加物理性振动。
13.如权利要求11所述的除渣处理装置，其特征在于，
上述除渣处理装置具有在向上述紫外线照射处理部供给上述配线基板材料之前将该配线基板材料的被处理部分湿润的湿润处理部。
14.如权利要求13所述的除渣处理装置，其特征在于，
上述湿润处理部将上述配线基板材料浸渍到水中，通过在该状态下使该水发生超声波振动，将该配线基板材料的被处理部分湿润。
15.如权利要求13所述的除渣处理装置，其特征在于，
具有在向湿润处理部供给上述配线基板材料之前对该配线基板材料的被处理部分照射紫外线的干式紫外线照射处理部。
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