TWI500197B - Organic EL panel manufacturing method and organic EL panel sealing device - Google Patents
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Description
本發明係關於一種有機EL面板之製造方法及有機EL面板之密封裝置。
有機EL元件非常不耐水分等，為了確保有機EL元件之壽命，必需使有機EL元件與環境之水分等隔離而予以保護。因此，於有機EL面板之製造中，不可缺少被稱為密封之步驟。
先前之密封步驟中，使用於內部設置有空間之金屬蓋或密封玻璃等的密封基板，由密封部進行密閉。於內部之空間內設置吸附水分之乾燥劑或乾燥片，吸去來自周邊密封部之穿透水分等。該密封方法亦被稱為中空密封，適用於小型有機EL元件。
然而，當將中空密封應用於大型有機EL元件之情形時，於中空部分內密封基板與有機EL元件接觸，故而存在有機EL元件受到損壞之問題。
又，關於照明用之有機EL元件，發光時之發熱較大，面板內部之溫度上升。因此，產生因面板面內溫度分佈所引起之亮斑，最壞時存在因熱失控導致元件損毀之問題。進而，面板之溫度上升亦會導致加速有機EL元件之亮度降低而縮短驅動壽命之問題。因此，必需進行密封內部不存在空間之全固體之固體密封。
因此，即便是大型面板，亦必需為保護有機EL元件免受環境水分之影響而確保壽命，並且不存在元件基板與密封基板接觸之情形的密封方法、以及可向元件基板與密封基板該兩面傳熱進行放熱與均熱的密封方法。為了解決上述問題，有於元件基板與密封基板之間配置填充劑之方法(參照專利文獻1)。
專利文獻1中，於元件基板之元件最外周配置密封劑，於密封劑之內側配置乾燥劑，於元件上配置填充劑。將密封基板與元件基板對向配置，於減壓下進行壓接後，使密封劑硬化。
[專利文獻1]日本專利特開2007-73459號公報(請求項1)
專利文獻1中，於元件上配置密封劑、乾燥劑及填充劑，但此會成為元件不良之主要因素。
又，專利文獻1中雖未明示，但一般而言，密封劑之硬化係藉由全面紫外線照射而實現，但該方法中，必需將壓接及硬化作為1個步驟進行連續處理，故花費時間，製程時間變長。又，若進行單純之壓接則無法確保元件基板與密封基板之平行度，故成為元件之損壞之主要因素。又，於對面板尺寸不同之基板進行密封之情形時，在紫外線硬化時必需更換紫外線截止光罩，故更換操作會花費時間，故會降低生產率。進而，若壓接時之荷重(加壓力)較大，則會成為元件損壞之主要因素。
本發明係鑒於上述情況而成者，其目的在於提供一種一方面抑制壓接時之有機EL元件之損壞，一方面縮短壓接及硬化所需之時間，且更換操作較容易的有機EL面板之製造方法及有機EL面板之密封裝置。
為了解決上述問題，本發明之有機EL面板之製造方法及有機EL面板之密封裝置係採用以下之手段。
本發明之第1態樣係提供一種有機EL面板之製造方法，其係使密封層無間隙地介於形成有機EL元件之元件基板、與平坦之密封基板之間的有機EL面板之製造方法，且其包含如下步驟：塗佈步驟，其係於水分低於特定量之惰性環境下，在與上述有機EL元件之位置相對之上述密封基板之位置上，分別獨立地塗佈填充劑、吸濕劑、以包圍上述填充劑及吸濕劑之方式配置之紫外線硬化型樹脂即密封劑、及紫外線硬化型樹脂即固定劑；位置對準步驟，其係將上述元件基板及上述密封基板搬入至貼合室，對上述元件基板與上述密封基板於隔離之位置上進行位置對準；加熱步驟，其係對塗佈有上述填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑之密封基板進行加熱；消泡步驟，其係使上述貼合室內成為真空，去除上述填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑內所含之氣體；壓接步驟，其係利用一對壓盤夾著上述元件基板及上述密封基板，藉由上述一對壓盤施加特定之荷重而壓接上述元件基板與上述密封基板，並以由上述密封劑所包圍之內部被上述填充材及吸濕劑填滿之方式控制荷重，而於上述元件基板與上述密封基板之間形成特定之厚度之密封層；氣體導入步驟，其係向上述貼合室內導入惰性氣體，使經壓接之上述元件基板及上述密封基板之周圍成為大氣壓環境；暫時固定步驟，其係藉由聚光型紫外線燈，自上述壓盤之背面側對上述固定劑照射紫外線，使上述固定劑硬化而暫時固定上述元件基板與上述密封基板；及密封硬化步驟，其係對塗佈於上述暫時固定步驟中暫時固定之基板上的上述密封劑照射紫外線，使上述密封劑硬化。
有機EL元件非常不耐水分等，故而有機EL面板之製造係於水分量低於特定量之惰性環境下進行。填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑係各自獨立地塗佈於密封基板上。塗佈於密封基板上之填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑會因對密封基板進行加熱而使黏度降低。因此，於之後之消泡步驟中容易去除氣體，並且可抑制壓接步驟中施加特定之荷重對有機EL元件之物理性損壞。又，根據上述發明，於氣體導入步驟之後，藉由聚光型紫外線燈對固定劑照射紫外線。藉由使用聚光型紫外線燈，可限定於所需之區域內照射紫外線。藉此，可一方面抑制熱輸入等對有機EL元件之不良影響，一方面增強紫外線之照射強度，因此，可縮短元件基板與密封基板之暫時固定所需之時間。於利用固定劑暫時固定元件基板與密封基板之後，有機EL元件成為被填充劑、吸濕劑、及密封劑密閉之狀態，因此，之後之密封硬化步驟可於無塵室等通常環境下實施。藉此，可提高生產效率。
上述第1態樣中，亦可包含壓力調整步驟，即，向上述貼合室內導入惰性氣體，將上述密封裝置內之壓力調整為50 Pa以上500 Pa以下，以消除上述填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑之發泡；且於上述壓力調整步驟之後進行壓接步驟。
若使貼合室內成為真空，則可去除填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑內所含之氣體。然而，就保持塗佈材料之形狀之觀點而言，於持續發泡之狀態下進行壓接步驟這一情形並不佳。又，若繼續維持真空狀態，則存在添加劑或低分子量成分等連同氣體一起蒸發之虞。根據上述第1態樣，藉由於壓接步驟之前設置壓力調整步驟，可一方面消除發泡一方面抑制填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑之材料成分之損失，故而可維持所需之材料性能。
上述第1態樣中，於上述塗佈步驟中，作為上述吸濕劑，亦可使用樹脂或者高黏度油中包含10重量%以上50重量%以下之粒徑4 μm以下之沸石或氧化鈣，且室溫下之黏度為10 Pa‧s以上100 Pa‧s以下之吸濕劑。
因吸濕劑中存在沸石或氧化鈣之乾燥劑，故可吸去來自密封劑之透濕水分。較佳為使沸石或氧化鈣以10%以上50%以下之重量比進行混合，藉此可將有機EL元件之壽命確保為所需之期間。沸石或氧化鈣係使用充分小於密封層之厚度之微粒子。可將沸石或氧化鈣之粒徑設為4 μm以下，較佳為1 μm以下。藉此，於壓接元件基板與密封基板時，可抑制乾燥劑對有機EL元件之損壞。塗佈於密封基板上之吸濕劑較佳為於塗佈步驟中塗佈形狀不發生變化。另一方面，若考慮到壓接步驟所需之時間，則吸濕劑之黏度不過高者較佳。因此，塗佈步驟中吸濕劑之黏度較佳為10 Pa‧s以上100 Pa‧s以下之範圍。
上述第1態樣中，於上述塗佈步驟中，亦可將室溫下之黏度為10 Pa‧s以上100 Pa‧s以下之填充劑呈平行地隔開間隔之斷續直線狀、或者等間隔螺旋狀進行塗佈。
藉由將填充劑呈平行地隔開間隔之斷續直線狀、或者等間隔螺旋狀進行塗佈，從而，於藉由壓接使填充劑延伸時，容易形成無空隙之填充劑之層。
上述第1態樣中，於上述塗佈步驟中，亦能夠以填充劑之塗佈徑之直徑R、與塗佈間距P之延伸比P/R為8以上32下之範圍內之方式，塗佈上述填充劑。
填充劑之塗佈量變多，故而就生產率之觀點而言，較佳為以較大之塗佈直徑R擴大間距P而寬幅地延伸。然而，於寬幅地延伸之情形時，壓接時必需施加較大之荷重，並且需要較長之壓接時間。根據上述第1態樣，藉由使塗佈徑之直徑R與塗佈間距P之延伸比P/R為8以上32以下，則可於不過分增大壓接荷重之範圍內高效地使填充劑延伸。
上述第1態樣中，於上述塗佈步驟中，亦可於壓接後之延伸寬度成為自上述密封劑之內周端至上述有機EL元件之發光外周端的間隔以內之位置上，塗佈上述吸濕劑。
藉由以此種方式，包含乾燥劑之吸濕劑未與有機EL元件之發光面直接接觸，故而乾燥劑不會損壞有機EL元件。
上述第1態樣中，於上述塗佈步驟中，亦可使用吸濕劑作為上述填充劑。
藉由使用吸濕劑而使填充劑具有吸濕性，可吸去更多來自密封劑之透濕水分。藉此，可確保有機EL元件之壽命。
上述第1態樣中，於上述塗佈步驟中，亦可將含有10 μm以上100 μm以下之間隔件且包含紫外線硬化型環氧樹脂之密封劑以包圍上述有機EL元件之發光面之外周的方式塗佈，規定上述壓接步驟中上述元件基板與上述密封基板之間隔。
環氧樹脂之水分穿透率較低，故而適宜作為密封劑。又，藉由使密封劑含有間隔件而規定元件基板與密封基板之間隔，可抑制壓接步驟中所附加之壓力對有機EL元件之損壞。
上述第1態樣中，於上述塗佈步驟中，亦可將含有10 μm以上100 μm以下之間隔件且包含紫外線硬化型樹脂之固定劑斷續地塗佈於上述有機EL元件之發光面之周圍或元件基板之周圍，規定上述壓接步驟中上述元件基板與上述密封基板之間隔。
藉由使固定劑含有間隔件而規定元件基板與密封基板之間隔，可抑制壓接步驟中所附加之壓力對有機EL元件之損壞。
上述第1態樣中，於上述加熱步驟中，亦可於40℃以上80℃以下之範圍內對上述密封基板之溫度進行加熱控制。
填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑具有黏度隨著溫度上升而下降之性質。根據上述第1態樣，藉由在40℃以上80℃以下、較佳為40℃以上60℃以下對密封基板進行加熱控制，可提高填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑之流動性。藉此，於壓接步驟中進行壓接時，能夠以較低之荷重使填充劑、吸濕劑、密封劑、及固定劑延伸。
又，本發明之第2態樣係提供一種有機EL面板之密封裝置，其係使密封層無間隙地介於形成有機EL元件之元件基板、與平坦之密封基板之間的有機EL面板之密封裝置，且其包括如下機構：塗佈機構，其對上述密封基板利用分注器塗佈構成密封層之填充劑、吸濕劑、密封劑、以及固定劑；密閉機構，其可使貼合室與外部環境隔絕；排氣機構，其對上述貼合室內進行真空排氣；氣體導入機構，其可藉由導入惰性氣體而控制上述貼合室內之壓力；位置對準機構，其對上述元件基板與上述密封基板於隔離之位置上進行位置對準；加熱機構，其對塗佈有上述填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑之上述密封基板進行加熱；壓接機構，其包含一對金屬壓盤，可於真空環境下控制荷重；暫時固定機構，其於上述金屬壓盤之背面側配置聚光型紫外線燈，藉由照射紫外線使上述固定劑硬化而暫時固定上述元件基板與上述密封基板；及密封硬化機構，其照射紫外線而使上述密封劑硬化。
根據上述第2態樣，藉由使用金屬製之壓盤，可進行較高之平坦化研磨。藉由提高壓盤之平坦度，可實現包含填充劑、吸濕劑、及密封劑之密封層之厚度的均一化，從而可製造高品質之有機EL面板。又，金屬壓盤存在厚度亦較薄、因導電性故產生非常少的靜電、且可低價製作等優點。
根據上述第2態樣，藉由使用分注器塗佈填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑，僅通過選擇繪圖程式便可進行更換操作。藉此，即便於變更有機EL元件之大小等之情形時，亦可瞬時應對。又，藉由使用分注器，可連續塗佈填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑。
根據上述第2態樣，利用排氣機構使貼合室內成為真空，藉此可去除填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑內所含之氣體。
根據上述第2態樣，利用加熱機構加熱密封基板，藉此可降低填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑之黏度。藉此，容易去除填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑內所含之氣體。又，由於利用壓接機構進行壓接時容易延伸，故而可抑制所施加之荷重對有機EL元件之物理性損壞。
根據上述第2態樣，藉由於壓盤之背面側配置聚光型紫外線燈，可對固定劑選擇性照射紫外線。藉此，可一方面抑制對有機EL元件之不良影響，一方面增強紫外線之照射強度，故而可縮短元件基板與密封基板之固定所需之時間。
有機EL元件係被填充劑及吸濕劑覆蓋，且由密封劑包圍，故而於暫時固定元件基板與密封基板之後，成為密閉之狀態。因此，密封劑之硬化可由與元件基板及密封基板之固定不同之步驟實施。藉此，可提高生產效率。
上述第2態樣中，上述加熱機構亦可設為配置於上述密封基板側之金屬壓盤背面的面狀加熱器與熱電偶，可將上述密封基板控制為所需之溫度。
若於金屬壓盤之背面配置面狀加熱器與熱電偶，則藉由密封基板與金屬壓盤接觸，使加熱器之熱傳達至密封基板，可使密封基板達到所需之溫度。
上述第2態樣中，上述密閉機構亦可於上述貼合室內具有可僅使上述金屬壓盤、上述元件基板與上述密封基板密閉的內腔室。
藉由具有內腔室，可縮小包圍金屬壓盤、元件基板與密封基板之體積。藉此，可縮短真空排氣及通風時間。
上述第2態樣中，上述壓接機構亦可包括配置於元件基板側之壓盤之基板側面的厚度為0.1 mm以上1.0 mm以下、且具有導電性之彈性片材。
藉由配置彈性片材，可吸收壓盤之平坦度之誤差。藉此，可確保厚度更均一之密封層，故而有機EL面板之品質及良率得到提高。又，由於彈性片材具有導電性，故可抑制靜電之產生。
上述第2態樣中，上述壓接機構亦可包括配置於密封基板側之壓盤上的真空吸附機構。
藉由設置有真空吸附機構，可使壓盤與密封基板更加密接，提高自壓盤至密封基板之熱傳導效率。藉此，可使填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑之黏度於短時間內降低，故而可縮短壓接時間。又，於壓接之前，可使填充劑等之黏度充分降低，故而可抑制壓接對有機EL元件之損壞。
上述第2態樣中，上述壓接機構亦可包括配置於元件基板側之壓盤上的氣體加壓機構及氣體壓力調整機構。
根據上述第2態樣，可藉由氣體對元件基板側之壓盤進行加壓，故而可對元件基板施加均等之荷重。藉此，即便於基板及壓盤之平坦度上存在誤差或變形之情形時，亦可獲得厚度更均一之密封層。
根據上述發明，藉由設置加熱步驟，可一方面抑制壓接時之有機EL元件之損壞，一方面縮短壓接及硬化所需之時間。又，藉由使暫時固定步驟與密封硬化步驟分離，可縮短壓接及硬化所需之時間，並且成為更換操作容易之有機EL面板之製造方法及有機EL面板之密封裝置。
以下，參照圖式對本發明之有機EL面板之製造方法及有機EL面板之密封裝置的一實施形態進行說明。
圖1係本實施形態之有機EL面板之製造方法之密封處理步驟。圖2係關於密封基板之塗佈例。圖3係經位置對準之元件基板及密封基板之概略剖面圖。圖4係密封後之有機EL面板之剖面圖。圖5係密封裝置之概略構成圖。
本實施形態中經密封及製造而成之有機EL面板係使密封層無間隙地介於形成有機EL元件之元件基板、與平坦之密封基板之間的構造。
元件基板6係於平坦玻璃基板上，形成有包含陽極7、有機發光層8、及陰極9之有機EL元件。陽極7係透明導電膜(ITO(indium tin oxide，氧化銦錫))等，且係藉由圖案化處理形成。有機發光層8係例如積層成膜有電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層。陰極9係鋁電極等。
有機EL元件亦可被保護膜(未圖示)覆蓋。保護膜係氧化矽(SiO2
)、氮化矽(Si3
N4
)、氮氧化矽(SiON)等。
本實施形態中，為了進行蒸鍍成膜，如圖3般有機EL元件係自元件基板之下表面進行蒸鍍。
密封基板1係使用平坦玻璃基板。又，密封基板1宜為熱膨脹係數與元件基板6相同之同質玻璃。密封基板1之平坦度係與用於液晶顯示器時相同，翹曲程度為0.2~0.4 mm。
本實施形態之密封層包含填充劑2、吸濕劑3、及密封劑4、固定劑5。
填充劑2為硬化性樹脂、非硬化性樹脂、凝膠狀樹脂、或高黏度油中之任意一種。於塗佈步驟中填充劑之塗佈形狀必需不發生變化。因此，填充劑之黏度較高者較佳，但若考慮到塗佈時間及貼合步驟中之壓接時間，則填充劑2之黏度較理想為10 Pa‧s~100 Pa‧s之範圍。
吸濕劑3係具有較高之吸濕性者。吸濕劑3係使硬化性樹脂、非硬化性樹脂、凝膠狀樹脂、或高黏度油中之任意一種媒介中含有重量比為10%以上50%以下之乾燥劑者。藉由以上述範圍內含有，可吸去來自密封劑4之透濕水分，確保有機EL元件之壽命。吸濕劑3之媒介並無限定，但由於與填充劑2直接接觸故較理想為與填充劑2相同之材質。作為乾燥劑，沸石或氧化鈣較適合。乾燥劑係充分小於密封層之厚度之微粒子。乾燥劑之粒徑宜為4 μm以下、較佳為1 μm以下。
密封劑4係水分穿透率較低之紫外線硬化型樹脂。密封劑4宜為紫外線硬化型之環氧接著劑。密封劑4較佳為包含10 μm以上100 μm以下之間隔件。間隔件之材質為玻璃或塑膠，形狀為球狀或圓柱狀，直徑為12 μm或50 μm等，且規定密封層之厚度。
固定劑5係紫外線硬化型樹脂。固定劑5較佳為接著力較強，可於短時間內硬化。例如，固定劑5為丙烯酸接著劑等。固定劑5較佳為包含10 μm以上100 μm以下之間隔件。固定劑5亦可為與密封劑4相同之材質。
本實施形態中所使用之密封裝置包括塗佈機構、密閉機構、排氣機構、氣體導入機構、位置對準機構、壓接機構、加熱機構、暫時固定機構、及密封硬化機構。
塗佈機構(未圖示)係利用分注器(dispenser)於密封基板1上塗佈填充劑2、吸濕劑3、密封劑4及固定劑5。
密閉機構成為可使貼合室10與外部環境隔絕之構造。圖5中，設置有用以將基板搬入至貼合室10且自貼合室10搬出之閘閥11。
貼合室10中，連接有排氣閥12及真空泵13作為排氣機構。排氣機構可對貼合室內進行真空排氣。又，貼合室10連接於通風氣體14、通風閥15及壓力計16作為氣體導入機構。氣體導入機構可藉由一面利用壓力計16檢測出內部之壓力一面導入惰性氣體，來控制貼合室內之壓力。通風氣體14係低於特定之水分量之惰性氣體。例如，通風氣體14係水分濃度為1 ppm以下之氮氣等。
位置對準機構無需為如顯示器般之高精度之CCD(charge-coupled device，電荷耦合式)攝像機對準，而是以±100 μm左右之玻璃基板端面為基準的機械性對準等，可將元件基板6與密封基板1於隔離之位置上進行位置對準。
壓接機構包含配置於貼合室內之一對壓盤(下壓盤17及上壓盤18)，可於真空環境下控制荷重。下壓盤17及上壓盤18係為了壓接元件基板6與密封基板1而平行配置。壓盤較佳為鋼等導電性金屬製之壓盤。將下壓盤17及上壓盤18各自與密封基板1及元件基板6接觸之面研磨為平坦面。本實施形態中，上壓盤18係與升降機構19連接，且藉由該升降機構19使上壓盤18升降來控制荷重。再者，亦可使下壓盤17為可動壓盤，而非上壓盤18。
下壓盤17中設置有貫通下壓盤17之UV(ultraviolet，紫外線)穿透孔20。UV穿透孔20係適當配置於可選擇性地對固定劑5照射紫外線之位置上。貼合室10之壁面上設置有UV穿透窗21。UV穿透窗21係配置於可使聚光型紫外線燈22自下壓盤17之背面側經由UV穿透孔20對固定劑照射紫外線的位置上。聚光型紫外線燈22係配置於貼合室外部。再者，UV穿透孔20、UV穿透窗21、及聚光型紫外線燈22之暫時固定機構亦可設置於上壓盤側。
加熱機構係設為加熱器23及熱電偶等，可將密封基板1加熱控制為所需之溫度。圖5中，面狀加熱器23及熱電偶係與下壓盤17之背面側(與基板接觸之面相反面側)接觸配置。該加熱機構係直接加熱下壓盤17，使下壓盤17與密封基板1接觸，藉此，間接加熱控制密封基板1。
密封硬化機構(未圖示)係位於貼合室10之外部，其照射紫外線而使密封劑硬化。
其次，對本實施形態之有機EL面板之製造方法進行說明。如圖1所示，本實施形態之有機EL面板之製造方法包含塗佈步驟、貼合步驟、及密封硬化步驟。
於密封基板1上依序塗佈填充劑2、吸濕劑3、密封劑4、及固定劑5。塗佈係於水分低於特定量之惰性環境下實施。水分之特定量可按照製造之有機EL面板之規格而適當設定。例如，所謂惰性環境下係指水分濃度為1 ppm以下之大氣壓之氮環境。
填充劑2、吸濕劑3、密封劑4、及固定劑5之塗佈中係使用分注器。填充劑2之塗佈中，網版印刷之生產率較高，但由於使用面板形狀及尺寸上經特殊處理之網版印刷版，故而更換操作時需要花費時間，於多品種之情形時，生產率降低。又，使用熱硬化性樹脂作為填充劑2之情形時，存在黏度隨時間經過而上升，塗佈厚度發生變化之問題。另一方面，就分注器而言，若單獨使用則生產率較低，但因更換操作僅為繪圖程式之選擇，可故瞬時變更。又，填充劑塗佈後之吸濕劑3、密封劑4、固定接著劑5之連續塗佈中，無法使用網版印刷，從而不可缺少利用分注器之塗佈。於生產率較低之情形時，可藉由設置複數台設備來進行彌補。此種情形時，較理想為同種設備且具有一貫性。為了提高生產率，可藉由塗佈速度之提高、分注器之噴嘴之複數化、噴頭之複數化、分注器之複數化等來應對。
圖2係於基板上形成有4個有機EL元件，且藉由分割而製成4塊面板之4倒角基板之例。
首先，如圖2(a)所示，將填充劑2塗佈於密封基板上之與有機EL元件相對之位置上。填充劑2宜為呈平行地隔開間隔之斷續直線狀、或等間隔螺旋狀進行塗佈。填充劑2宜為以填充劑2之塗佈徑之直徑R、與塗佈間距P之延伸比P/R為8以上32以下之範圍內的方式塗佈。
其次，如圖2(b)所示，於填充劑2之外周塗佈吸濕劑3。進而，如圖2(c)所示，以包圍填充劑2及吸濕劑3之方式塗佈密封劑4。其後，於密封基板1之周邊或者密封劑4之周邊，呈點狀或線狀地塗佈固定劑5。
吸濕劑3較理想為塗佈於壓接後之延伸寬度成為自密封劑4之內周端至有機EL元件之發光外周端的間隔以內的位置上。
貼合步驟包括位置對準步驟、加熱步驟、消泡步驟、壓力調整步驟、壓接步驟、氣體導入步驟、及暫時固定步驟。
使元件基板6及密封基板1通過閘閥11，搬入至貼合室之下壓盤17與上壓盤18之間。元件基板6及密封基板1係以形成有機EL元件之面與塗佈有填充劑2等之面相對之方式對向配置，藉由位置對準機構而於彼此隔離之位置上進行位置對準。雖未圖示，但藉由保持機構隔離且保持，藉由位置決定機構對各自之基板進行位置對準。
預先藉由加熱機構將下壓盤17加熱至40℃~80℃、較佳為40℃~60℃。藉此，使下壓盤17接觸密封基板1時，可立即開始加熱。
此處，對加熱之溫度範圍之設定根據進行說明。圖6中表示對下壓盤17進行加熱時，測定填充劑2、吸濕劑3、及密封劑4之塗佈材料之黏度與材料溫度之關係的一例。該圖中，橫軸為塗佈之材料之溫度，縱軸為黏度。作為塗佈材料，使用有具有較高之黏度之紫外線硬化型環氧系接著劑。根據圖6，若溫度上升10℃則黏度減少至約1/2。若將室溫25℃下100 Pa‧s之塗佈材料升溫至60℃，則黏度降低至1/10變成10 Pa‧s，流動性顯著提高。因此，下壓盤17之溫度適宜為40℃~80℃之範圍，較理想為40~60℃之範圍。
對元件基板6及密封基板1進行位置對準之後，關閉閘閥11，打開排氣閥12，藉由真空泵13，以使貼合室內為10 Pa以上50 Pa以下之範圍之方式進行真空排氣。藉由使貼合室內成為真空，可去除填充劑2、吸濕劑3、密封劑4、及固定劑5內所含之氣體。然而，於該壓力區域中，填充劑2、吸濕劑3、密封劑4內所含之添加物或低分子量成分持續蒸發，持續發泡，故而就材料性能與形狀保持之方面而言不佳。因此，消泡步驟可根據填充劑2、吸濕劑3、密封劑4、及固定劑5之材質實施特定時間。特定時間係例如10秒~60秒左右。
於消泡步驟之後，關閉排氣閥12，打開通風閥15，向貼合室內導入通風氣體(惰性氣體)14。此時，藉由壓力計16檢測出貼合室內之壓力，將貼合室內之壓力控制為50 Pa以上500 Pa以下、較佳為50 Pa以上200 Pa以下。當使貼合室內之壓力達到500 Pa之情形時，若恢復至大氣壓(100 kPa)，則填充劑2等內所含之氣泡之大小會縮小至5/1,000之大小。又，即便於壓接時密封內部產生稍微之空隙，填充劑2、吸附劑3、密封劑4亦為未硬化狀態，可保持較大之流動性。因此，若恢復至大氣壓，則由於在100 KPa下均等地加壓，故而空隙會縮小至無法目測之程度。
於壓力調整步驟之後，關閉通風閥15，使上壓盤18下降，於上壓盤18與下壓盤17之間，使元件基板6與密封基板1接觸並進行壓接。此時，下壓盤17已藉由加熱機構23進行加熱，藉由未圖示之溫度調節儀進行溫度控制。密封基板1係藉由與下壓盤17接觸而利用熱傳導受到加熱，使填充劑2、吸濕劑3、及密封劑4之黏度降低。藉此，使填充劑2等延伸所需之加壓力降低，故而壓接時間縮短，並且對元件之應力減少。
上壓盤18係以特定加壓將元件基板6及密封基板1壓接特定時間，使與填充劑2、吸濕劑3、及密封劑4無間隙地延伸。例如，以5 kPa~50 kPa之壓力，壓接15秒~60秒。此處，包含填充劑2、吸濕劑3、及密封劑4之密封層之厚度為10 μm~100 μm，較佳為20 μm~50 μm。
於壓接步驟之後，打開通風閥15，導入通風氣體14使貼合室內之內部恢復至大氣壓。
於氣體導入步驟之後，利用聚光型紫外線燈22照射紫外線，使固定劑5硬化。例如，若使用LED(light-emitting diode，發光二極體)UV照射裝置作為聚光型紫外線燈22，則可獲得波長365 nm、直徑5 mm且3 W/cm2
之照射能量，即便為紫外線硬化型環氧接著劑，在6 J下亦會硬化，故而固定劑5會於數秒內硬化。
於暫時固定步驟之後，暫時固定之基板係通過閘閥11而搬出至貼合室10之外部、進而是無塵室等通常環境下。根據需要而設置暫時固定於簡易的紫外線截止光罩夾上之基板，投入至通用之紫外線照射輸送器中使密封劑4硬化。再者，使密封劑4之硬化時，亦可藉由使聚光型紫外線燈22一面對密封劑4照射一面移動而實施。於藉由固定劑5暫時固定之基板上，密封劑4未完全硬化，但有機EL元件被填充劑2及吸濕劑3覆蓋而密封。因此，即便使暫時固定之基板成為於存在水分及微粒之一般環境下對有機EL元件亦完全沒有影響的狀態。
藉由將已使密封劑4硬化之基板放入至烘箱內進行後硬化，完成密封。當對填充劑2及吸濕劑3使用熱硬化樹脂之情形時，藉由投入至烘箱內而進行硬化。
最後藉由分割已貼合之基板，完成有機EL面板。
根據本實施形態，藉由設置加熱機構23，可使填充劑2、吸濕劑3、及密封劑4低黏度化，且減少壓接時對有機EL元件附加之荷重。藉此，元件損壞減少，良率提高。又，可製造密封內部中無氣泡、且高品質之面板。
先前之方法中，於壓接步驟之後不久進行密封劑之硬化，故而必需至少單側之壓盤成為具有紫外線穿透性之石英壓盤。石英壓盤具有如下特徵：(1)高價；(2)難以進行程度較高之平坦研磨；(3)與鋼等相比強度較低，故而壓接時或真空排氣時容易變形，難以均一地加工密封層；(4)貼合室內為水分量較低之乾燥環境；故而，若以石英壓接玻璃製之基板，則於解離時產生非常大之靜電即剝離帶電，經壓接之基板強力黏附於壓盤上，從而存在產生較大之不良狀況等之問題。
根據本實施形態，藉由將密封硬化步驟與暫時固定步驟分離，可使一對壓盤為金屬製之壓盤。藉由使上下壓盤為鋼等金屬製之壓盤，可以低價製作具有較高之平坦度、厚度較薄之壓盤。因壓盤之平坦度提高，故可實現密封厚度之均一化，從而製造高品質之有機EL面板。又，金屬製之壓盤具有導電性故而存在產生非常少的靜電之優點。藉此，靜電之產生銳減，因靜電所引起之不良狀況減少。
作為使密封劑硬化之機構，自先前起使用有紫外線光源即金屬鹵素燈。金屬鹵素燈之發熱較大，為了不會對有機EL(Electroluminescence，電致發光)元件產生熱影響必需與基板保持距離。又，為了於廣泛之範圍內均一地照射紫外線，必需增大密封基板與紫外線光源之距離。然而，若拉大密封基板與紫外線光源之距離，則單位面積內之UV光照度變小。紫外線硬化型環氧樹脂之硬化能量高至6,000 mJ以上，故而於先前之固體密封之步驟中，最花費時間之處理係使密封劑硬化之紫外線硬化處理。
於本實施形態之貼合步驟中，藉由於壓接後僅使固定劑於短時間內硬化而暫時固定元件基板與密封基板，可於密封劑未硬化之狀態下將基板搬出至一般環境下。可縮短貼合步驟之處理時間。又，可使需要花費時間之密封劑硬化步驟成為於一般環境下使用通用之UV硬化裝置或者加熱裝置進行硬化。藉此，亦可用便宜之設備進行批量處理。
又，金屬鹵素燈係伴有較大之發熱與臭氧產生，故而於無塵室內使用之情形時，必需利用與無塵室隔離之外氣進行大量之冷卻送風與臭氧排出，成為大型設備。
根據本實施形態，藉由將暫時固定步驟與密封硬化步驟分離，可使真空容器小型化，且由於未對基板之整個面照射紫外線，故而基板溫度不會上升。又，聚光型紫外線燈亦可使用玻璃纖維導光照射，但由於可使用LED型紫外線燈，且不會如金屬鹵素燈般因不必要之短波長導致臭氧之產生，故而亦存在可將設備製成小型之效果。
又，於密封劑之硬化步驟中，針對有機EL元件之每個形狀需要不同之紫外線硬化光罩。根據本實施形態，藉由將密封硬化步驟與暫時固定步驟分離，於乾燥或真空環境下不必使用紫外線硬化光罩，故而於乾燥或真空環境下無需進行更換操作。藉此，可縮短真空排氣或通風氣體導入之時間，從而提高生產率。
以下對塗佈材料之塗佈直徑及塗佈間距之設定根據進行說明。
圖7係以填充劑為例，表示塗佈尺寸之剖面。圖7(a)係藉由分注器，於基板1上將與噴嘴直徑相當之直徑R之填充劑2以間距P進行塗佈之後的假定剖面圖。圖7(b)係於塗佈填充劑2之後根據黏度與基板表面潤濕性之關係擴展之情形的假定剖面圖。根據實驗可確認，以直徑R塗佈之填充劑2擴展至4倍，塗佈後之擴展寬度變成4R。圖7(c)係藉由壓接而無空隙地均等擴展並延伸為密封層厚度d之假定剖面圖。
尤其，關於塗佈量較多之填充劑2之塗佈，就生產率之觀點而言，較佳為以較大之塗佈直徑R且擴大間距P。然而，為了寬幅地延伸，必需較大之荷重，進而需要較長之壓接時間，且元件上產生較大之應力。壓接時間與元件應力具有相反之特性，故而其平衡重要。
圖8係表示塗佈條件與塗佈時間之關係。該圖中，橫軸為間距P，縱軸(左)為塗佈直徑R，縱軸(右)為塗佈時間。該圖係作為填充劑之塗佈條件，將塗佈區域設為140 mm×140 mm、塗佈速度設為50 mm/s、密封厚度d設為12、25、50 μm而計算出塗佈時間之結果。可知，塗佈時間係於間距P較細之區域內急遽減少，於間距較寬之範圍內緩慢變化。
圖9係表示塗佈條件與擴展之關係。該圖中，橫軸為間距P，縱軸為延伸比(P/R)。塗佈條件與圖8相同。實際之壓接係將塗佈後之擴展寬度4R擴展至間距P之動作，該P/4R比為2以上8以下，較理想為3以上6以下最佳。若於該範圍以下則塗佈時間變長，若於該範圍以上則壓接荷重變大。因此，延伸比(P/R)之範圍為8以上32以下，較理想為12以上24以下最佳。例如，可知，密封厚度為25 μm之情形時，若將延伸比P/R設為12以上24以下之範圍，則間距P最佳為4.5 mm~18 mm之範圍，若進而由圖8求出該間距之範圍，則塗佈直徑R最佳為0.4 mm~0.8 mm。
本變形例之有機EL面板之製造方法之特徵在於：使用吸濕劑作為填充劑。關於未特別說明之構成，係與第1實施形態相同。圖10係表示本變形例之密封後之有機EL面板之概略剖面圖。
本變形例中使用之填充劑係吸濕劑3。填充劑係使硬化性樹脂、非硬化性樹脂、凝膠狀樹脂、或高黏度油中之任意一種媒介中含有重量比為10%以上50%以下之乾燥劑而成者。填充劑較理想為與吸濕劑相同之材質。作為乾燥劑，沸石或氧化鈣較適合。乾燥劑係充分小於密封層之厚度之微粒子。乾燥劑之粒徑宜為4 μm以下、較佳為1 μm以下。填充劑之黏度較理想為10 Pa‧s~100 Pa‧s之範圍。
填充劑係塗佈於密封基板上之與有機EL元件相對之位置上。如第1實施形態之記載所述，密封厚度為10 μm~100 μm。填充劑中所含之乾燥劑係相對於該密封厚度而言充分小之微粒子，故而不會因密封之壓接時或面板完成後之局部集中荷重時的密封厚度變形導致成為產生漏電流或發生短路等不良之主要因素。
本實施形態之特徵在於：除第1實施形態之密封裝置之構成之外，增加內腔室及彈性片材。關於未特別說明之構成，係與第1實施形態相同。圖11係表示本實施形態之密封裝置之概略剖面圖。
貼合室24並非由真空腔室構成，而是由與套手工作箱相同之密閉室構成。貼合室24連接於氣體循環精製機(未圖示)，可使貼合室內部為水分較少之乾燥環境。貼合室24無閘閥，於開放狀態下與搬送室連接。貼合室24中包括內腔室25作為密閉機構。內腔室25係可容納上壓盤18、元件基板6、及密封基板1，且與上壓盤18之升降機構19連接。內腔室25係與上壓盤18之升降一起降下，與下壓盤17接觸。於下壓盤17之接觸於內腔室25之部分配置有真空密封件26，能以內腔室25及下壓盤17形成密閉空間。即，內腔室25可將實際地使貼合之空間與外部環境隔絕。
內腔室25連接於排氣閥12及真空泵13作為排氣機構。排氣機構可對貼合室內進行真空排氣。又，內腔室25連接於通風氣體14、通風閥15及壓力計16作為氣體導入機構。氣體導入機構可藉由一面利用壓力計16檢測出內部之壓力一面導入惰性氣體而控制內腔室內之壓力。通風氣體14係低於特定之水分量之惰性氣體。例如，通風氣體係水分濃度為1 ppm以下之氮氣等。
下壓盤17中設置有貫通下壓盤17之UV穿透孔20。UV穿透孔20係適當配置於可選擇性地對固定劑5照射紫外線之位置上。於UV穿透孔20之下壓盤背面側之端部，設置有UV穿透窗21。聚光型紫外線燈22係位於貼合室內，且配置於可自下壓盤17之背面側經由UV穿透窗21對固定劑5照射紫外線的位置上。再者，UV穿透孔20、UV穿透窗21、及聚光型紫外線燈22之暫時固定機構亦可設置於上壓盤側。
再者，圖11中係使下壓盤17為內腔室25之底面，但亦可另外設置下內腔室。此種情形時，下內腔室係成為收納下壓盤17之構造。又，UV穿透窗21宜為設置於下內腔室之可經由UV穿透孔20向固定劑照射紫外線的位置上。
於上壓盤18之元件基板側之面上設置有彈性片材27。彈性片材27之厚度較佳為0.1 mm~1 mm。彈性片材27包含略微具有導電性之防靜電用之素材。
防靜電之導電性較理想為表面電阻為1010
Ω/□以下、或者體積電阻率為1012
Ω‧m以下之材質，為片材之情形時表面與背面之電阻為1010
Ω以下即可。本實施例中，使用厚度0.5 mm之防靜電聚乙烯多孔膜(日東電工股份有限公司製造SUNMAP)。
壓盤係藉由研磨進行平坦化加工，但就平坦度而言5μm左右為加工極限。進而大型基板用之壓盤之平坦度更加降低。當即便為小型基板亦使密封厚度變薄之情形時，壓盤之平坦度會對密封厚度之不均產生影響。本實施形態中，藉由將略微具有導電性之防靜電用之彈性片材27配置於上壓盤上，可吸收上下壓盤之平坦度之誤差。詳細而言，藉由將彈性片材27之厚度設為上述範圍，可吸收數~數十μm之平坦度。藉此，可使密封厚度均一。
又，一般而言，元件基板6係使用玻璃，但當彈性片材27為絕緣性之情形時，於剝離時會產生靜電之剝離帶電，經貼合之基板靜電吸附於上壓盤上，無法分離。
本實施形態中，形成有機EL元件之元件基板6與塗佈有填充劑2、吸濕劑3、密封劑4、及固定劑5之密封基板1係自基板搬出入口28搬入。於各基板之位置對準後，內腔室25與上壓盤18下降，於上壓盤18未與元件基板6接觸之位置上，僅內腔室25與下壓盤17接觸，並藉由真空密封件26密閉。其後係與第1實施形態相同地進行真空排氣與壓力調整，藉由升降機構19使上壓盤18下降而壓接元件基板6與密封基板1。使內腔室內恢復至大氣壓後，利用聚光型紫外線燈22使固定劑5進行UV硬化。使上壓盤18及內腔室25上升，將經貼合之基板自基板搬出入口27搬出。
根據本實施形態，貼合室24之內部為非真空之乾燥環境，故而可將升降機構19或聚光型紫外線燈22設置於貼合室內。
根據本實施形態，藉由設置內腔室25，可使真空排氣之容積僅為貼合所需之容積。藉此，可縮短真空排氣及通風所需之時間，故可提高生產率。
根據本實施形態，藉由設置彈性片材27，即便於密封厚度變薄之情形或基板為大面積之情形時，亦可確保均一之密封厚度。藉此，有機EL面板之品質、良率得到提高。
本實施形態之特徵在於：除第2實施形態之密封裝置之構成之外，增加真空吸附機構。關於未特別說明之構成，係與第2實施形態相同。圖12係表示密封裝置之概略剖面圖。該圖中，省略貼合室、密閉機構、真空排氣機構、及氣體導入機構之記載。
真空吸附裝置係包含真空吸附孔29、吸附閥30、真空吸附泵31、吸附釋放閥32、及釋放氣體33。
真空吸附孔29係設置於下壓盤17中，且具有朝向下壓盤17之密封基板側之面開口的複數個開口部。複數個開口部係分別經由吸附閥30而與真空吸附泵31連接。又，複數個開口部亦分別經由吸附釋放閥32而與釋放氣體33連接。釋放氣體33係水分濃度為1 ppm以下之氮氣等。
又，吸附面上亦可併用第2實施形態中說明之多孔彈性片材，從而更易進行真空吸附。
本實施形態中，使密封基板搬入至貼合室並於下壓盤上移動之後，打開吸附閥30，藉由真空吸附泵31使密封基板1吸附於下壓盤17上。其後，將元件基板6搬入至貼合室，進行位置對準。而且，與第2實施形態相同地實施消泡步驟以後之步驟。即，關閉吸附閥30，利用真空排氣進行消泡，進行壓力調整，壓接基板。其次，於氣體導入步驟中使基板恢復至大氣壓之同時，打開釋放閥32，將釋放氣體33導入至大氣壓，將密封基板1釋放。其後，使上壓盤18上升，搬出經貼合之基板。
根據本實施形態，下壓盤17係藉由加熱機構23而預先加熱，故而密封基板1係藉由下壓盤17較佳地密接。藉此，對密封基板1之熱傳導效率得到提高，故而可使填充劑2等於短時間內充分均熱化。藉此，有機EL面板之生產率得到提高。又，於壓接步驟之前可預先使填充劑等之黏度充分降低，故而可減少對元件之應力，從而提高品質及良率。
再者，藉由將本實施形態與第1實施形態組合亦可獲得相同之效果。
本實施形態之特徵在於：除第1實施形態之密封裝置之構成之外，增加氣體加壓機構及氣體壓力調整機構。又，本實施形態之密封裝置係與第3實施形態相同地包括真空吸附機構。關於未特別說明之構成，係與第1實施形態相同。圖13係表示本實施形態之密封裝置之概略剖面圖。該圖中，省略貼合室、密閉機構、真空排氣機構、及氣體導入機構之記載。
氣體加壓機構係包含上壓盤孔34、噴出閥35、及加壓氣體36。上壓盤孔34係設置於上壓盤18中，且具有朝向上壓盤18之元件基板側之面開口的複數個開口部。複數個開口部係分別經由噴出閥35而與加壓氣體36連接。於噴出閥35與加壓氣體36之間，設置有壓力控制器37作為氣體壓力調整機構。加壓氣體36係水分濃度為1 ppm以下之氮氣等。又，複數個開口部亦可分別經由吸附閥38而與真空吸附泵31連接。真空吸附泵亦可與下壓盤之真空吸附機構共通。
本實施形態中，將密封基板1搬入至貼合室並於下壓盤上移動之後，打開吸附閥30，藉由真空吸附泵31使密封基板1吸附於下壓盤17上。其次，將元件基板6搬入至貼合室，進行位置對準並保持。其次，關閉真空吸附閥30，進行消泡，進行壓力調整，使上壓盤18下降，壓接基板。
其次，於氣體導入步驟中使基板恢復至大氣壓。此時，維持壓接之狀態，打開35噴出閥，使藉由壓力調整器調整為特定之壓力的加壓氣體36自上壓盤孔34噴出。藉此，於上壓盤18與元件基板6之間產生氣體層。
例如，上壓盤18以10 kPa之荷重壓接基板之情形時，若藉由氣體加壓機構導入比貼合室內之壓力高10 kPa之壓力的氣體，則上壓盤18略微上浮，氣體自元件基板6之外周之間隙洩露。於元件基板6與上浮之上壓盤18之間隙內充滿了經加壓之氣體，以接近上壓盤18之荷重的荷重對元件基板6之面施加均一之壓力。第1實施形態至第3實施形態中，上壓盤18之加壓點為壓盤之中心，但根據本實施形態，可將加壓點設於上壓盤周邊。尤其是大型基板之情形時，壓盤之加壓點較理想為壓盤周邊。
進而，藉由併用第2實施形態中說明之多孔彈性片材，加壓氣體之密閉性得到提高，更均一加壓之效果得到提高。
其次，於產生氣體層之狀態下，對固定劑5照射紫外線，暫時固定經壓接之基板。其後，關閉噴出閥35，使上壓盤18上升，搬出經貼合之基板。
又，上壓盤孔34係與真空吸附機構相同，藉由將真空吸附閥38與真空吸附泵31連接，從而，於搬入元件基板6時亦可使其真空吸附於上壓盤18上。藉此，於搬入元件基板6時，亦可真空吸附於上壓盤18上。然而，該真空吸附功能係發揮至對貼合室進行真空排氣之消泡步驟為止。
根據本實施形態，藉由於元件側之壓盤上設置與真空吸附機構相同之機構，自壓盤噴出經壓力調整之氣體，可根據帕斯卡之原理對元件基板之每單位面積施加均等之荷重。藉此，可一面吸收基板或壓盤之不平整一面進行壓接，故而可獲得均一之密封厚度，且可獲得有機EL面板之高品質化及良率提高之效果。本實施形態尤其適宜用於基板為大型之情形。
1．．．密封基板
2．．．填充劑
3．．．吸濕劑
4．．．密封劑
5．．．固定劑
6．．．元件基板
7．．．陽極
8．．．有機發光層
9．．．陰極
10．．．貼合室
11．．．閘閥
12．．．排氣閥
13．．．真空泵
14．．．通風氣體
15．．．通風閥
16．．．壓力計
17．．．下壓盤
18．．．上壓盤
19．．．升降機構
20．．．UV穿透孔
21．．．UV穿透窗
22．．．聚光型紫外線燈
23．．．面狀加熱器
24．．．貼合室
25．．．內腔室
26．．．真空密封件
27．．．彈性片材
28．．．基板搬出入口
29．．．真空吸附孔
30．．．吸附閥
31．．．真空吸附泵
32．．．吸附釋放閥
33．．．釋放氣體
34．．．上壓盤孔
35．．．噴出閥
36．．．加壓氣體
37．．．壓力控制器
38．．．吸附閥
圖1係表示第1實施形態之有機EL面板之製造方法之密封處理步驟之圖。
圖2(a)~(c)係表示關於密封基板之塗佈例之圖。
圖3係經位置對準之元件基板及密封基板之概略剖面圖。
圖4係第1實施形態之密封後之有機EL面板之剖面圖。
圖5係第1實施形態之密封裝置之概略剖面圖。
圖6係表示塗佈材料之黏度與材料溫度之關係之圖。
圖7(a)~(c)係表示塗佈尺寸之剖面之圖。
圖8係表示塗佈條件與塗佈時間之關係之圖。
圖9係表示塗佈條件與塗佈材料之擴展的關係之圖。
圖10係第1實施形態之變形例中的密封後之有機EL面板之剖面圖。
圖11係第2實施形態之密封裝置之概略剖面圖。
圖12係第3實施形態之密封裝置之概略剖面圖。
圖13係第4實施形態之密封裝置之概略剖面圖。
(無元件符號說明)
Claims (16)
- 一種有機EL面板之製造方法，該有機EL面板係使密封層無間隙地介於形成有有機EL元件之元件基板與平坦之密封基板之間者，且該方法包含如下步驟：塗佈步驟，其係於水分低於特定量之惰性環境下，在與上述有機EL元件之位置相對之上述密封基板之位置上，分別獨立地塗佈填充劑、吸濕劑、以包圍上述填充劑及吸濕劑之方式配置之紫外線硬化型樹脂即密封劑、及紫外線硬化型樹脂即固定劑；位置對準步驟，其係將上述元件基板及上述密封基板搬入至貼合室，對上述元件基板與上述密封基板於隔離之位置上進行位置對準；預熱步驟，其係預先藉由加熱機構將一對壓盤中之一者預先加熱；加熱步驟，其係使用經上述預熱步驟預熱之壓盤，對塗佈有上述填充劑、上述吸濕劑、上述密封劑、及上述固定劑之密封基板進行加熱；消泡步驟，其係使上述貼合室內成為真空，去除上述填充劑、上述吸濕劑、上述密封劑、及上述固定劑內所含之氣體；壓接步驟，其係利用上述一對壓盤夾著上述元件基板及上述密封基板，藉由上述一對壓盤施加特定之荷重壓接上述元件基板與上述密封基板，並以由上述密封劑所包圍之內部被上述填充材及吸濕劑填滿之方式控制荷 重，於上述元件基板與上述密封基板之間形成特定之厚度之密封層；氣體導入步驟，其係向上述貼合室內導入惰性氣體，使經壓接之上述元件基板及上述密封基板之周圍成為大氣壓環境；暫時固定步驟，上述一對壓盤為金屬製，且上述一對壓盤中至少一者具有貫通上述壓盤之UV穿透孔，於上述氣體導入步驟之後，藉由聚光型紫外線燈，自上述壓盤之背面側經由上述UV穿透孔對上述固定劑照射紫外線，使上述固定劑硬化而暫時固定上述元件基板與上述密封基板；及密封硬化步驟，其係對塗佈於經上述暫時固定步驟暫時固定之基板上的上述密封劑照射紫外線，使上述密封劑硬化。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其包含壓力調整步驟，係向上述貼合室內導入惰性氣體，將上述密封裝置內之壓力調整為50Pa以上500Pa以下，以消除上述填充劑、上述吸濕劑、上述密封劑、及上述固定劑之發泡；且於上述壓力調整步驟之後進行壓接步驟。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其中於上述塗佈步驟中，作為上述吸濕劑，使用樹脂或者高黏度油中包含10重量%以上50重量%以下之粒徑4μm以下之沸石或氧化鈣，且室溫下之黏度為10Pa．s以上100Pa．s以下之吸濕 劑。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其中於上述塗佈步驟中，將室溫下之黏度為10Pa．s以上100Pa．s以下之填充劑呈平行地隔開間隔之斷續直線狀、或者等間隔螺旋狀進行塗佈。
- 如請求項4之有機EL面板之製造方法，其中於上述塗佈步驟中，以上述填充劑之塗佈徑之直徑R、與塗佈間距P之延伸比P/R為8以上32以下之範圍內之方式，塗佈上述填充劑。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其中於上述塗佈步驟中，於壓接後之延伸寬度成為上述密封劑之內周端至上述有機EL元件之發光外周端的間隔以內之位置上，塗佈上述吸濕劑。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其中於上述塗佈步驟中，使用吸濕劑作為上述填充劑。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其中於上述塗佈步驟中，將含有10μm以上100μm以下之間隔件且包含紫外線硬化型環氧樹脂之密封劑以包圍上述有機EL元件之發光面之外周的方式塗佈，規定上述壓接步驟中上述元件基板與上述密封基板之間隔。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其中於上述塗佈 步驟中，將含有10μm以上100μm以下之間隔件且包含紫外線硬化型樹脂之固定劑斷續地塗佈於上述有機EL元件之發光面之周圍或元件基板之周圍，規定上述壓接步驟中上述元件基板與上述密封基板之間隔。
- 如請求項1之有機EL面板之製造方法，其中於上述加熱步驟中，於40℃以上80℃以下之範圍內對上述密封基板之溫度進行加熱控制。
- 一種有機EL面板之密封裝置，該有機EL面板係使密封層無間隙地介於形成有有機EL元件之元件基板與平坦之密封基板之間者，且該裝置包括如下機構：塗佈機構，其對上述密封基板利用分注器塗佈構成密封層之填充劑、吸濕劑及密封劑、以及固定劑；密閉機構，其可使貼合室與外部環境隔絕；排氣機構，其對上述貼合室內進行真空排氣；氣體導入機構，其可藉由導入惰性氣體來控制上述貼合室內之壓力；位置對準機構，其對上述元件基板與上述密封基板於隔離之位置上進行位置對準；加熱機構，其對塗佈有上述填充劑、吸濕劑、密封劑及固定劑之上述密封基板進行加熱；壓接機構，其包含一對金屬壓盤，可於真空環境下控制荷重；暫時固定機構，上述一對金屬壓盤中至少一者具有貫通上述壓盤之UV穿透孔，於上述金屬壓盤之背面側之大 氣壓環境下配置聚光型紫外線燈，經由上述UV穿透孔照射紫外線以使上述固定劑硬化從而暫時固定上述元件基板與上述密封基板；及密封硬化機構，其照射紫外線而使上述密封劑硬化。
- 如請求項11之有機EL面板之密封裝置，其中上述加熱機構係為配置於上述密封基板側之金屬壓盤背面的面狀加熱器與熱電偶，可將上述密封基板控制為所需之溫度。
- 如請求項11之有機EL面板之密封裝置，其中上述密閉機構係於上述貼合室內具有可僅將上述金屬壓盤、上述元件基板與上述密封基板密閉的內腔室。
- 如請求項11之有機EL面板之密封裝置，其中上述壓接機構包括配置於元件基板側之壓盤之基板側面、厚度為0.1mm以上1.0mm以下、且具有導電性之彈性片材。
- 如請求項11之有機EL面板之密封裝置，其中上述壓接機構包括配置於密封基板側之壓盤上的真空吸附機構。
- 如請求項11之有機EL面板之密封裝置，其中上述壓接機構包括配置於元件基板側之壓盤上的氣體加壓機構及氣體壓力調整機構。
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