CN103985826A - Oled基板的封装方法及oled结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED基板的封装方法及OLED结构。该OLED基板的封装方法包括如下步骤：步骤1、提供OLED基板(1)、及封装盖板(3)，所述OLED基板(1)上表面具有金属阴极(135)；步骤2、采用离子轰击对金属阴极(135)进行表面处理，使金属阴极(135)的表面形成一薄层金属氧化物层(5)；步骤3、对封装盖板(3)涂覆封装胶(7)并设置填充物(9)；步骤4、将封装盖板(3)与OLED基板(1)相对贴合；步骤5、使用UV光源对封装胶(7)进行照射使其固化，从而实现封装盖板(3)对OLED基板(1)的封装。

Description

OLED基板的封装方法及OLED结构
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域，尤其涉及一种OLED基板的封装方法及OLED结构。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。平面光源技术是新型的光源，其技术研发已经接近市场化量产水平。在平板显示与平面光源技术当中，对于两片平板玻璃的粘结是一项很重要的技术，其封装效果将直接影响器件的性能。
紫外光(UV)固化技术是LCD/OLED封装最早也是最常用的技术，其具有如下特点：不使用溶剂或使用少量溶剂，减少了溶剂对环境的污染；耗能少，可低温固化，适用于对热敏感的材料；固化速度快，效率高，可在高速生产线上使用，固化设备占地面积小等。但是，由于紫外光固化中所使用UV胶是有机材料，其固化后分子间隙较大，水汽与氧气比较容易透过间隙抵达内部密封区域。所以，UV封装比较适合用于对水汽、氧气不太敏感的应用领域，比如LCD。由于OLED器件对水汽、氧气非常敏感，所以采用UV封装时，器件内部通常会有干燥剂，以减小透过间隙抵达内部密封区域的水汽，从而延长OLED器件的使用寿命。
现有的UV封装方法通常如图1所示，把干燥剂300制作在封装盖板100上，并且封装盖板100需要预先挖凹槽101，也可以如图2所示，在封装盖板100’上涂覆一层干燥剂300’并烘干，再与TFT基板200对组封装在一起。但是这两种方法都不适合上发光方式(即光线无法从盖板方向出射)，因为干燥剂300吸水后透光性会变差。另外，如图1、图2所示，水汽会从UV封装胶500进入后会在密封体内到处移动，既可能被干燥剂300吸收，也可能吸附在形成于TFT基板200上表面的OLED器件400的表面，这样的话，水汽从进入密封体的第一时间就可能会对OLED器件400造成破坏。
所以，业界在UV封装的基础上提出了填充封装方法。请参阅图3，现有的填充封装方法不需要在封装盖板100上预先挖凹槽，并且省去了干燥剂300，而是在密封体内填充满了填充物600。填充物600的加入，不仅提高了OLED器件400的结构强度，而且延缓了水汽的进入速度，延长了OLED器件400的寿命。同时，填充物600中还可以添加少量的透明干燥剂，以提高延缓水汽的效果，进一步延长了OLED器件400的寿命。但是，填充物的加入也带来了一个不良后果，即填充物填充的地方会出现圆形暗斑，影响OLED的显示品质，造成出现该圆形暗斑的原因可能有：(1)填充物与OLED的金属阴极反应，使阴极变质，电阻值升高，导电性变差；(2)填充物渗透过金属阴极，进入有机材料层，使有机材料导电性变差或发光层发出的光子淬灭。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED基板的封装方法，通过该方法能够阻止填充物与金属阴极直接接触，也可以阻止填充物渗透进OLED器件的金属阴极与有机层，从而可以避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的显示品质，延长OLED的寿命。
本发明的另一目的在于提供一种OLED结构，该OLED结构能够避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的显示品质，延长OLED的寿命。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED基板的封装方法，包括如下步骤：
步骤1、提供OLED基板、及封装盖板，所述OLED基板上表面具有金属阴极；
步骤2、采用离子轰击对金属阴极进行表面处理，使金属阴极的表面形成一薄层金属氧化物层；
步骤3、对封装盖板涂覆封装胶并设置填充物；
步骤4、将封装盖板与OLED基板相对贴合；
步骤5、使用UV光源对封装胶进行照射使其固化，从而实现封装盖板对OLED基板的封装。
所述封装胶为UV胶。
所述一薄层金属氧化物层的厚度在1nm至30nm之间。
所述封装盖板为玻璃板。
所述离子轰击处理，在真空环境下或无水的含少量氧气的氮气环境中进行。
所述离子轰击处理在ppm环境的密闭腔体内进行，水含量控制在10ppm以下，氧气含量控制在100～20000ppm。
所述步骤2、3、4、5均在ppm环境下进行。
本发明还提供一种OLED结构，包括：OLED基板、密封连接于OLED基板上的封装盖板、及设于OLED基板与封装盖板之间的填充物，所述OLED基板上表面具有金属阴极，所述金属阴极表面具有一薄层金属氧化物层。
所述一薄层金属氧化物层采用离子轰击处理在金属阴极表面形成。
所述一薄层金属氧化物层的厚度在1nm～30nm之间。
所述填充物含有透明干燥剂。
本发明的有益效果：本发明的OLED基板的封装方法，通过采用离子轰击对金属阴极进行表面处理，使金属阴极的表面形成一薄层金属氧化物层，然后再进行填充封装制程。该薄层金属氧化物结构致密，可以阻止填充物与金属阴极直接接触，也可以阻止填充物渗透进金属阴极与有机层，避免因填充物造成的暗斑的形成，从而提高OLED的显示品质，延长OLED的寿命，且该方法较简便，可操作性强。本发明的OLED结构，通过在OLED金属阴极的表面设置一薄层金属氧化物层，能够避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的显示品质，延长OLED的寿命。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为一种现有的UV封装方法的示意图；
图2为另一种现有的UV封装方法的示意图；
图3为现有的填充封装方法的示意图；
图4为本发明OLED基板的封装方法的流程图；
图5为本发明OLED基板的封装方法的步骤1的立体示意图；
图6为本发明OLED基板的封装方法的步骤1的剖面示意图；
图7为本发明OLED基板的封装方法的步骤2的立体示意图；
图8为本发明OLED基板的封装方法的步骤2的剖面示意图；
图9为本发明OLED基板的封装方法的步骤3的立体示意图；
图10为本发明OLED基板的封装方法的步骤4的立体示意图；
图11为本发明OLED结构的剖面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4至图10，本发明提供一种OLED基板的封装方法，包括如下步骤：
步骤1、提供OLED基板1、及封装盖板3，所述OLED基板1上表面具有金属阴极135；
步骤2、采用离子轰击对金属阴极135进行表面处理，使金属阴极135的表面形成一薄层金属氧化物层5；
步骤3、对封装盖板3涂覆封装胶7，在涂覆封装胶区域的内部设置填充物9；
步骤4、将封装盖板3与OLED基板1相对贴合；
步骤5、使用UV光源对封装胶7进行照射使其固化，从而实现封装盖板3对OLED基板1的封装。
具体的，所述步骤1中的OLED基板1包括一TFT基板11及OLED器件13，该OLED器件13包括依次形成于TFT基板上的阳极131、有机材料层133及金属阴极135。该OLED器件13通过蒸镀制程形成于TFT基板11上，构成所述OLED基板1。所述金属阴极135的材料可为铝(Al)、银(Ag)或金(Au)。
所述所述封装盖板3可为玻璃板或金属板，优选的，所述封装盖板3为玻璃板。
所述步骤2采用离子轰击对金属阴极135进行表面处理，使金属阴极135的表面形成一薄层金属氧化物层5，可在真空环境下进行，也可在无水的含少量氧气的氮气环境中进行。需要特别说明的是，离子轰击处理需在ppm环境的封闭腔体内进行。所谓ppm环境是对环境内的各组分的含量、浓度有严格的控制，以百万分之一为单位计算。以无水的含少量氧气的氮气ppm环境为实施例，将离子轰击处理过程置于ppm环境的密闭腔体内，水含量控制在10ppm以下，氧气含量控制在100～20000ppm。
所述金属氧化物层5经离子轰击处理后，其表面形成均匀、致密的一薄层金属氧化物层5，其厚度在1nm至30nm之间。
形成所述金属氧化物层5后，进入步骤3，在所述OLED基板1的四周边缘涂覆封装胶7。所述封装胶7为UV胶，进一步的，所述封装胶7为环氧树脂。
所述步骤3为对封装盖板3涂覆封装胶7，同时设置填充物9。所述填充物9具有透明干燥剂，该填充物9所起的作用是提高OLED器件的结强度，并能延缓水汽的进入速度。
最后进行步骤4、步骤4的操作，将封装盖板3与OLED基板1相对贴合后，使用UV光源对封装胶7进行照射使其固化，从而实现封装盖板3对OLED基板1的封装。
值得一提的是，所述步骤3、4、5亦在ppm环境下进行。
请参阅图11，在上述OLED基板的封装方法的基础上，本发明还提供一种OLED结构，包括：OLED基板1、密封连接于OLED基板1上的封装盖板3、及设于OLED基板1与封装盖板3之间的填充物9、及一薄层金属氧化物层5。所述OLED基板1包括一TFT基板11及OLED器件13，该OLED器件13包括依次形成于TFT基板上的阳极131、有机材料层133及金属阴极135。所述一薄层金属氧化物层5设置于所述金属阴极135表面。
所述一薄层金属氧化物层5采用离子轰击处理在金属阴极135表面形成。
所述一薄层金属氧化物层5的厚度在1nm～30nm之间。
所述封装盖板3为玻璃板。
所述填充物9含有透明干燥剂。
综上所述，本发明的OLED基板的封装方法，通过采用离子轰击对金属阴极进行表面处理，使金属阴极的表面形成一薄层金属氧化物层，然后再进行填充封装制程。该薄层金属氧化物结构致密，可以阻止填充物与金属阴极直接接触，也可以阻止填充物渗透进金属阴极与有机层，避免因填充物造成的暗斑的形成，从而提高OLED的显示品质，延长OLED的寿命，且该方法较简便，可操作性强。本发明的OLED结构，通过在OLED金属阴极的表面设置一薄层金属氧化物层，能够避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的显示品质，延长OLED的寿命。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED基板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供OLED基板(1)、及封装盖板(3)，所述OLED基板(1)上表面具有金属阴极(135)；
步骤2、采用离子轰击对金属阴极(135)进行表面处理，使金属阴极(135)的表面形成一薄层金属氧化物层(5)；
步骤3、对封装盖板(3)涂覆封装胶(7)并设置填充物(9)；
步骤4、将封装盖板(3)与OLED基板(1)相对贴合；
步骤5、使用UV光源对封装胶(7)进行照射使其固化，从而实现封装盖板(3)对OLED基板(1)的封装。
2.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法，其特征在于，所述封装胶(7)为UV胶。
3.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法，其特征在于，所述一薄层金属氧化物层(5)的厚度在1nm至30nm之间。
4.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法，其特征在于，所述封装盖板(3)为玻璃板。
5.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法，其特征在于，所述离子轰击处理，在真空环境下或无水的含少量氧气的氮气环境中进行。
6.如权利要求5所述的OLED基板的封装方法，其特征在于，所述离子轰击处理在ppm环境的密闭腔体内进行，水含量控制在10ppm以下，氧气含量控制在100～20000ppm。
7.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法，其特征在于，所述步骤2、3、4、5均在ppm环境下进行。
8.一种OLED结构，包括：OLED基板(1)、密封连接于OLED基板(1)上的封装盖板(3)、及设于OLED基板(1)与封装盖板(3)之间的填充物(9)，所述OLED基板(1)上表面具有金属阴极(135)，其特征在于，所述金属阴极(135)表面具有一薄层金属氧化物层(5)。
9.如权利要求8所述的OLED结构，其特征在于，所述一薄层金属氧化物层(5)采用离子轰击处理在金属阴极(135)表面形成。
10.如权利要求8所述的OLED结构，其特征在于，所述一薄层金属氧化物层(5)的厚度在1nm～30nm之间，所述填充物(9)含有透明干燥剂。
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