TWI500164B - 液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種平面顯示裝置，並且更特別地，本發明關於一種具有一觸控功能的液晶顯示(LCD)裝置，此觸控功能有益於提高顯示及觸控感測性能，以及此種液晶顯示裝置之製造方法。
作為對習知技術的一輸入裝置，例如一滑鼠及一鍵盤的替代，廣泛地使用一觸控式螢幕，其中此觸控式螢幕通過使用手指或筆促進在一螢幕上直接輸入資訊。因此，由於容易作業的一優點，觸控式螢幕的一應用逐漸增加。
當觸控式螢幕應用於一液晶顯示(LCD)裝置時，觸控式螢幕提供於一液晶面板的一薄膜電晶體(TFT)陣列基板(底基板)之內部以便獲得細長型。為了減少裝置的一厚度，此觸控式螢幕與液晶面板製造為一體。
舉例而言，開發出一種內嵌觸控型液晶顯示(LCD)裝置，其中薄膜電晶體(TFT)陣列基板上的一共同電極功能上作為一觸控電極，並且另外形成用於連接此共同電極(觸控電極)的一感測線(RX線及TX線)。
「第1圖」係為習知技術之一液晶顯示(LCD)裝置之示意圖。
請參閱「第1圖」，用於顯示影像的一活性區10形成於薄膜電晶體(TFT)陣列基板上，並且活性區10提供有形成為一矩陣 結構的複數個畫素。
此外，一非顯示區形成於活性區10的外圍。在非顯示區的一個側面，在驅動電路中具有一GIP(gate in panel)型閘極驅動器20。在非顯示區的另一側面具有一墊30，用於將活性區10與驅動電路相連接。
「第2圖」表示出習知技術之液晶顯示(LCD)裝置之問題。
請參閱「第2圖」，畫素透過一閘極線40與一資料線50相交叉定義。相鄰於閘極線40與資料線50的一交叉部份，形成一薄膜電晶體(TFT)。
為了使得一共同電極功能上作為一觸控電極，一感測線形成於薄膜電晶體(TFT)陣列基板上，用以由此在X軸方向及Y軸方向上連接這些共同電極。
舉例而言，感測線可包含供給有一觸控驅動訊號的一驅動線(TX線)60，以及用於根據此觸控驅動訊號檢測一電容的一接收線(RX線)70。
對於一顯示週期，一共同電壓(Vcom)供給至共同電極，用以由此顯示影像。對於一非顯示週期，共同電極作為觸控電極驅動，用以由此根據一觸控感測電容的變化。
為了提高基於低溫多晶矽(low temperature poly silicon,LTPS)的薄膜電晶體(TFT)之可靠性及薄膜電晶體(TFT)關閉狀態的漏電路特性，透過使用摻雜劑在薄膜電晶體(TFT)的源及汲極區輕摻雜，形成一輕摻雜汲極(LDD)區。此種情況下，薄膜電晶體(TFT)的驅動可靠性及電流-電壓(I-V)特性主要透過一輕摻 雜汲極(LDD)的長度影響。
根據薄膜電晶體(TFT)的可靠性及薄膜電晶體(TFT)關閉狀態特性，習知技術之液晶顯示(LCD)裝置設計為在活性區的薄膜電晶體(TFT)及GIP緩衝器22的薄膜電晶體(TFT)兩者中具有相同的輕摻雜汲極(LDD)長度。因此，由於薄膜電晶體(TFT)Ron特性之劣化在顯示驅動與觸控驅動之間出現一干擾。
內嵌觸控型液晶面板的GIP緩衝器22中的薄膜電晶體(TFT)之輕摻雜汲極(LDD)形成為提高可靠性及薄膜電晶體(TFT)關閉狀態特性。然而，輕摻雜汲極(LDD)佔據薄膜電晶體(TFT)的全部電阻的70~80%，這產生源極與汲極之間的串接電阻的增加。因此，雖然薄膜電晶體(TFT)之可靠性及薄膜電晶體(TFT)關閉狀態特性透過輕摻雜汲極(LDD)提高，但是由於劣化的Ron特性，觸控特性劣降。
在內嵌觸控型液晶面板的情況下，用於觸控驅動的結構提供於液晶面板內部，由此干擾出現於顯示特性與觸控驅動特性之間。為了減少顯示驅動與觸控驅動之間的此干擾，需要改善薄膜電晶體(TFT)的Ron特性。
用於觸控驅動的觸控驅動訊號在面板內部洩漏為一寄生電容(CDTX 、CGD 、CDRX 、CGRX 、CMu )，由此產生噪聲。為了去除此噪聲，必需改善薄膜電晶體(TFT)的Ron特性。
為了改善薄膜電晶體(TFT)的Ron特性，需要減少輕摻雜汲極(LDD)長度。然而，由於輕摻雜汲極(LDD)之長度對薄膜電晶體(TFT)的可靠性及薄膜電晶體(TFT)關閉特性有影響， 因此難以減少此輕摻雜汲極(LDD)之長度。
為了改善此觸控特性，輕摻雜汲極(LDD)長度之設計必需考慮活性區10中漏電流的減少以及寄生電容的均勻性。然而，沒有克服這些問題的詳細方法。
因此，鑒於上述問題，本發明之目的在於提供一種有助於改善一內嵌型觸控面板的顯示及驅動特性的液晶顯示(LCD)裝置及其製造方法，藉由克服由於習知技術的限制及缺點所帶來的一個或多個問題。
本發明之一方面在於提供一種有助於減少一內嵌型觸控面板的顯示驅動與觸控驅動之間一干涉的液晶顯示(LCD)裝置及其製造方法。
本發明的另一方面在於提供一種有助於改善薄膜電晶體(TFT)的Ron特性的液晶顯示(LCD)裝置及其製造方法。
本發明的再一方面在於提供一種有助於減少一觸控驅動模式上的一液晶面板內部噪聲的液晶顯示(LCD)裝置及其製造方法。
本發明的又一方面在於提供一種液晶顯示(LCD)裝置及其製造方法，其中一輕摻雜汲極(LDD)長度的設計考慮GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的可靠性。
本發明的又一方面在於提供一種液晶顯示(LCD)裝置，其中一輕摻雜汲極(LDD)長度的設計考慮薄膜電晶體(TFT)的關閉狀態之漏電流特性以及此面板內部的寄生電容(閘極對源/汲極的電容)的均勻性。
本發明的進一步方面在於提供一種液晶顯示(LCD)裝置，其中與一GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)相連接的一尾端薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度的設計考慮薄膜電晶體(TFT)的Ron特性。
本發明其他的優點及特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點及特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明目的之這些及其他優點，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種具有觸控功能之液晶顯示裝置包含：位於一顯示區中的一畫素薄膜電晶體(TFT)；以及位於一非顯示區中的一閘極驅動器之緩衝器薄膜電晶體(TFT)，其中畫素薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度與緩衝器薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度不相同。
在本發明之另一方面中，一種具有觸控功能之液晶顯示裝置之製造方法，包含以下步驟：形成具有一第一長度的輕摻雜汲極(LDD)的一畫素薄膜電晶體(TFT)於一顯示區中；形成具有一第二長度的輕摻雜汲極(LDD)的一閘極驅動器的一緩衝器薄膜電晶體(TFT)於一非顯示區中；以及使得在畫素薄膜電晶體(TFT)與緩衝器薄膜電晶體(TFT)中的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的 本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
以下，將結合圖式部份對本發明的較佳實施方式作詳細說明。其中在這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
下文中，將結合圖式部份詳細描述本發明的一液晶顯示(LCD)裝置及其製造方法。
在關於本發明之實施例的說明中，如果提到一第一結構位於一第二結構「上或上方」或「下或下方」，可以理解的是，第一及第二結構直接相接觸，或者一第三結構位於第一結構與第二結構之間。
在結合附圖詳細說明之前，將簡要展示不同類型的液晶顯示(LCD)裝置。根據用於控制液晶層的配向的一方法，液晶顯示(LCD)裝置可分類為扭轉向列(TN)型、垂直配向(VA)型、平面切換(IPS)型、邊緣電場切換(FFS)型等。
在以上模式中的平面切換(IPS)型及邊緣電場切換(FFS)型的情況下，畫素電極及共同電極形成於一底基板上，並且液晶層的配向透過畫素電極與共同電極之間形成的一電場控制。
在平面切換(IPS)型的情況下，畫素電極與共同電極相交替平行排列，以使得與基板相平行的一平面內電場出現於畫素電極與共同電極之間，用以由此控制液晶層的配向。在平面切換(IPS)型的情況下，液晶層的配向在共同電極與畫素電極的頂部中不受 控制，以使得一光線透射率在共同電極與畫素電極的頂部中降低。
邊緣電場切換(FFS)型設計為以克服平面切換(IPS)型的缺點。在邊緣電場切換(FFS)型的情況下，畫素電極與共同電極透過其間插入的一絕緣層形成有一預定間隔。此種情況下，畫素電極與共同電極之一個形成為一面板形狀或圖案，並且另一個形成為一指狀。因此，液晶層的配向透過畫素電極與共同電極之間出現的一邊緣電場控制。
根據本發明之實施例的具有一觸控螢幕的一液晶顯示(LCD)裝置具有邊緣電場切換(FFS)型的一結構。而且，一薄膜電晶體(TFT)陣列基板(底基板)可由低溫多晶矽(LTPS)形成。
根據本發明之實施例的具有一觸控螢幕的液晶顯示(LCD)裝置包含：一內嵌觸控式液晶面板，具有用於檢測一使用者的觸控位置的觸控螢幕；用於將光線供給至液晶面板的一背光單元；以及一驅動電路。
該驅動電路包含一定時控制器(T-con)、一資料驅動器(D-IC)、一閘極驅動器(G-IC)、一觸控感測驅動器、一背光驅動器、以及一電源。
此種情況下，該驅動電路可全部或部份地透過玻璃覆晶基板(Chip On Glass,COG)或薄膜覆晶(Chip On Flexible Printed Circuit,Chip On Film,COF)技術形成於液晶面板的薄膜電晶體(TFT)陣列基板(底基板)。
「第3圖」及「第4圖」係為本發明之實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之示意圖。在本發明之液晶顯示(LCD)裝置的情 況下，一內嵌觸控式的觸控螢幕提供於一薄膜電晶體(TFT)陣列基板(底基板)中。
在本發明之實施例之液晶顯示(LCD)裝置的結構中，「第3圖」表示除一驅動電路外，一彩色濾光陣列基板(頂基板)、一液晶層以及一GIP 200。
請參閱「第3圖」及「第4圖」，用於顯示影像的一活性區100形成於薄膜電晶體(TFT)陣列基板上，其中活性區100提供有排列為一矩陣結構的複數個畫素。這裡，活性區100係為用於顯示影像的一顯示區域。
此外，一非顯示區形成於活性區100的外圍。在驅動電路中，一GIP(gate in panel)方法的一閘極驅動器形成於在非顯示區的一個側面。同時，該閘極驅動器可在一非晶矽閘(amorphous-silicon-gate,ASG)方法中形成。在非顯示區的另一側面，具有一墊300用於將活性區100與驅動電路相連接。
「第3圖」表示GIP 200形成於液晶面板的左側面。替代這種結構，GIP 200可形成於液晶面板之外圍的右、頂或底側面。此外，「第3圖」表示墊300形成於液晶面板之外圍的頂側。可替代地，墊300可形成於液晶面板之外圍的左、右或底側。
如「第4圖」所示，複數個畫素透過相交叉的閘極線140與資料線150定義。此種情況下，一薄膜電晶體(TFT)形成於透過閘極線140與資料線150定義的每一畫素。而且，共同電極(Vcom電極)與畫素電極形成於該等畫素之中。
在GIP 200中，具有其數目與閘極線140的數目相符合的複數 個通道。GIP 200的每一通道通過一GIP緩衝器210將一掃描脈波供給至該閘極線140，用以由此打開該畫素薄膜電晶體(TFT)。 「第4圖」表示每一通道的GIP緩衝器210包含成雙的薄膜電晶體(TFT)。然而，組成GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)之數目沒有限制。
為了共同電極功能上作為一觸控電極之目的，一感測線形成於薄膜電晶體(TFT)陣列基板上，用以由此在X軸方向及Y軸方向連接該等共同電極。
舉例而言，感測線可包含供給有一觸控驅動訊號的一驅動線(TX線)160，以及用於根據此觸控驅動訊號檢測一電容的一接收線(RX線)170。
「第5圖」係為本發明之實施例之液晶顯示(LCD)裝置的顯示及觸控驅動方法之示意圖。
關於「第5圖」，一個圖框週期(1圖框週期)包含一顯示週期，以及對應於一觸控週期的一非顯示週期。
對於1圖框的顯示週期，該掃描訊號通過GIP 200的所有GIP緩衝器210順次供給至閘極線140，用以由此打開該畫素薄膜電晶體(TFT)。這裡，在當該畫素薄膜電晶體(TFT)打開的時間，一資料電壓供給至資料線150，以及一共同電壓(Vcom)供給至共同電極，用以由此顯示影像。
對於觸控週期的該非顯示週期，該畫素薄膜電晶體(TFT)關閉以使得共同電極作為觸控電極驅動，用以由此根據一使用者的觸控感測電容變化。
此種情況下，觸控驅動訊號供給至驅動線(TX線)160，並且接收線(RX線)170根據該使用者的觸控感測電容的變化。
「第6圖」係為本發明之實施例之液晶顯示(LCD)裝置中的畫素薄膜電晶體(TFT)之平面圖。「第7圖」係為本發明之實施例之液晶顯示(LCD)裝置中的GIP緩衝器的薄膜電晶體(TFT)之平面圖。
請參閱「第6圖」及「第7圖」，活性區100的畫素薄膜電晶體(TFT)與GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)分別包含：與閘極線140相連接的一閘極G；一活性塊A；與資料線150相連接的一源極S；以及與畫素電極相連接的一汲極D。在閘極G與活性塊A之間，具有一閘極絕緣層GI。
活性區100的畫素薄膜電晶體(TFT)與GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)包含一輕摻雜汲極(LDD)，以便改善顯示及觸控驅動特性且以改善可靠性及薄膜電晶體(TFT)關閉狀態特性。此種情況下，該畫素薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度與GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度不相同。
將詳細描述該薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)。該輕摻雜汲極(LDD)透過首先形成非晶矽(a-Si：H)或低溫多晶矽(P-Si)的一薄膜電晶體(TFT)半導體層；以及然後在該半導體層上形成該閘極絕緣層(GI)形成。
在閘極G用作一光罩的條件下，該半導體層可使用N型或P型摻雜劑輕摻雜。此種情況下，通過使用閘極G沒有使用摻雜劑 摻雜的一區域可功能上作為該薄膜電晶體(TFT)的活性塊A。
一光阻抗蝕劑(PR)形成為覆蓋閘極G以及一些輕摻雜活性塊A。然後，在光阻抗蝕劑(PR)用作一光罩的條件下，該半導體層使用N型或P型摻雜劑重摻雜，用以由此形成該薄膜電晶體(TFT)的源極及汲極。此種情況下，通過使用光阻抗蝕劑(PR)沒有使用該摻雜劑重摻雜的一區域變為該輕摻雜汲極(LDD)。
在該製造過程的該閘極G的一濕蝕刻過程中，輕摻雜汲極(LDD)長度可透過控制一臨限尺寸(CD)調整。而且，對於製造過程當該半導體層使用該摻雜劑(例如N+ 或P+ 摻雜)重摻雜時，該輕摻雜汲極(LDD)可透過用作該光罩的光阻抗蝕劑(PR)的臨限尺寸(CD)調整。此種情況下，該畫素薄膜電晶體(TFT)對該緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度比可調整為1：0.7~1：0.9。
舉例而言，對於於顯示區的該活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)中的輕摻雜汲極(LDD)的一個側面的長度係為大約1.0~2.0 μm±0.1 μm，並且該畫素薄膜電晶體(TFT)的全部輕摻雜汲極(LDD)長度可為大約2.0~4.0 μm±0.2 μm。
同時，非顯示區的GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)中的輕摻雜汲極(LDD)的一個側面的一長度係為大約0.7~1.7 μm±0.1 μm。並且，該緩衝器的薄膜電晶體(TFT)的全部輕摻雜汲極(LDD)長度可為大約1.4~3.4 μm±0.2 μm。
如上所示，畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD) 長度不相同。也就是說，GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度可相比較於畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度為短。因此，可能透過減少薄膜電晶體(TFT)的源極與汲極之間的串接電阻改善Ron特性，用以由此改善顯示及觸控驅動特性。
「第8圖」係為具有一底閘結構的該薄膜電晶體(TFT)之一橫截面圖。「第9圖」係為具有一頂閘結構的該薄膜電晶體(TFT)之一橫截面圖。
如「第8圖」所示，活性區100的畫素薄膜電晶體(TFT)與GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)之兩者可提供於透過在一活性層114下形成一閘極112形成的一底閘結構中。
在「第8圖」中，一緩衝層111形成於一玻璃基板上，其中緩衝層111功能上作為用於保護活性層114的一阻擋層。閘極112形成於緩衝層111上。然後，一閘極絕緣層(GI)113形成於該玻璃基板的全部表面上，用以由此覆蓋閘極112。活性層114形成於閘極絕緣層113上。
而且，一源極115形成於活性層114的一個側面。並且一汲極116形成於活性層114的另一側面。在活性層114與源/汲極115/116之間具有一重摻雜層(N+ a-Si：H)117。
如「第9圖」所示，活性區100的畫素薄膜電晶體(TFT)與GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)之兩者可提供於透過在一活性層114上方形成一閘極112形成的一頂閘結構中。
在「第9圖」中，一蔽光層119形成於一玻璃基板上，然後， 一緩衝層111形成為覆蓋蔽光層119，其中緩衝層111功能上作為用於保護活性層114的一阻擋層。
在緩衝層111上，具有活性層114、輕摻雜汲極(LDD)118、源極115、以及汲極116。活性層114、輕摻雜汲極(LDD)118、源極115以及汲極116在製造過程期間透過將雜質離子植入於用於形成活性層114的該半導體層中形成，由此活性層114、輕摻雜汲極(LDD)118、源極115以及汲極形成於該同一層中。
一閘極絕緣層113形成為覆蓋活性層114、輕摻雜汲極(LDD)118、源極115以及汲極116。閘極112形成於閘極絕緣層113的上方，並且特別地，閘極112形成於閘極絕緣層113上方與活性層114相重疊的一預定區域中。
一鈍化層(PAS)形成於該玻璃基板的全部表面上，用以由此覆蓋閘極112。而且，一接觸層(CNT)形成於透過部份地蝕刻閘極絕緣層113及鈍化層(PAS)形成的一預定區域中，以便暴露源極115及汲極116之頂表面。通過該接觸層(CNT)，源極115與資料線相連接，並且汲極116與畫素電極相連接。
在薄膜電晶體(TFT)應用低溫多晶矽(LTPS)的情況下，頂閘方法的溫度性能，並且在用於形成輕摻雜汲極(LDD)的過程期間使用該閘極的一自光罩具有優勢。前述的底閘方法及頂閘方法的薄膜電晶體(TFT)具有特定的優勢及劣勢。這裡，以下將描述應用頂閘方法的薄膜電晶體(TFT)的一個實例。
該薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度具有I-V(電流-電壓)特性及驅動可靠性的良好效果。根據本發明之一個實施 例，在活性區中GIP的緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同。用以由此改善薄膜電晶體(TFT)的可靠性及薄膜電晶體(TFT)關閉狀態特性，並且同時用以改善該薄膜電晶體(TFT)的Ron特性。此外，可能減少該薄膜電晶體(TFT)的源/汲極的串聯電阻，並且用以使得該面板內部的寄生電容(CDTX 、CGD 、CDRX 、CGRX 、CMu )均勻。
「第10圖」及「第11圖」係為本發明之實施例的液晶顯示(LCD)裝置中的薄膜電晶體(TFT)之輕摻雜汲極(LDD)的形成過程之示意圖。
以下，將結合「第10圖」及「第11圖」描述薄膜電晶體(TFT)之輕摻雜汲極(LDD)的形成方法。其後，將詳細描述活性區及非顯示區中的薄膜電晶體(TFT)之不同輕摻雜汲極(LDD)長度。
如「第10A圖」所示，蔽光層119形成於該玻璃基板的薄膜電晶體(TFT)區域上，其中蔽光層119防止自背光單元發射出的光線入射於該活性層上。然後，緩衝層111形成於該玻璃基板的全部表面上，用以由此覆蓋蔽光層119。
此種情況下，蔽光層119可由能夠阻擋光線的不透明金屬，例如，鉬(Mo)或鋁(Al)形成，其中蔽光層119可形成為500埃(Å)之一厚度。
緩衝層111可由一無機材料，例如SiO2 或SiNx形成，其中緩衝層111可形成為2000~3000埃(Å)之一厚度。
薄膜電晶體(TFT)的活性層114形成於緩衝層111上，並且 特別地，形成於與蔽光層119相重疊的一預定區域中，其中活性層114由一半導體材料形成。
此種情況下，活性層114可由非晶矽(a-Si：H)或低溫多晶矽(P-Si)形成，其中活性層114可形成為500埃(Å)之一厚度。
然後，如「第10B圖」所示，閘極絕緣層(GI)113形成於該玻璃基板的全部表面上，用以由此覆蓋活性層114及緩衝層111。
此種情況下，閘極絕緣層113可由SiO2 或SiNx形成，其中閘極絕緣層113可形成為1300埃(Å)之一厚度。
閘極絕緣層113可透過通過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)沉積矽酸四乙酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate,TEOS)或中溫氧化物(Middle Temperature Oxide,MTO)形成。
一閘極金屬透過在閘極絕緣層113上沉積導電金屬材料，例如鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、以及銅(Cu)，或者透過在閘極絕緣層113上沉積以上的導電金屬材料的一合金形成。
其後，執行使用光阻抗蝕劑(PR)的該濕蝕刻過程以形成該閘極金屬的圖案。
然後，對保留於閘極金屬上的第一光阻抗蝕劑(PR)執行剝離及乾蝕刻，由此薄膜電晶體(TFT)的閘極112形成於閘極絕緣層113上方與活性層114相重疊的該預定區域中。此種情況下，閘極112可形成為3000埃(Å)之一厚度。
如「第10C圖」所示，在閘極112用作一光罩的條件下，該半導體層的外圍區域使用N型或P型摻雜劑(例如，N- 摻雜或P- 摻雜)輕摻雜。此種情況下，通過使用閘極112沒有使用摻雜劑輕摻雜的區域可功能上作為薄膜電晶體(TFT)的活性層114，並且輕摻雜汲極(LDD)形成於使用N型或P型摻雜劑輕摻雜的該區域中。
如「第10D圖」所示，一第二光阻抗蝕劑形成為覆蓋閘極112以及使用該摻雜劑輕摻雜的活性層114的一些部份。在該第二光阻抗蝕劑用作一光罩的條件下，該活性層的外圍區域使用該N型或P型摻雜劑(例如，N+ 摻雜或P+ 摻雜)重摻雜。
此種情況下，使用該摻雜劑重摻雜的該區域變為源極115及汲極116。然後，通過使用第二光阻抗蝕劑沒有使用該摻雜劑重摻雜的該區域變為輕摻雜汲極(LDD)118。
因此，該薄膜電晶體包含連同活性層114的閘極112、輕摻雜汲極(LDD)118、源極115及汲極116，其中閘極絕緣層113位於閘極112與活性層114、輕摻雜汲極(LDD)118、源極115及汲極116之間。
通過上述製造過程，具有一第一長度輕摻雜汲極(LDD)的該畫素薄膜電晶體(TFT)可形成於顯示區域中，並且具有一第二長度輕摻雜汲極(LDD)的該緩衝器薄膜電晶體(TFT)及尾端薄膜電晶體(TFT)可形成於非顯示區域中。
雖然圖未示，一層間絕緣層(ILD)與鈍化層(PAS)通過以下的製造過程可形成於閘極112上。而且，一接觸層(CNT)形成於源極115與資料線之間，以及一接觸層(CNT)形成於汲極116與畫素電極之間。
此種情況下，層間絕緣層(ILD)可由例如SiO2 或SiNx形成，其中層間絕緣層(ILD)可形成為6000埃(Å)之一厚度。根據另一實例，層間絕緣層(ILD)可形成為SiO2 (3000Å)/SiNx(3000Å)的一沉積結構。
鈍化層(PAS)鈍化層(PAS)可由光丙烯(PAC)形成，其中2.0 μm~3.0 μm的該鈍化層(PAS)可平坦化該玻璃基板的整個表面。
接觸層(CNT)可由一導電金屬材料，例如，鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、以及銅(Cu)形成，其中接觸層(CNT)可形成為6000埃(Å)之一厚度。
根據另一實例，該接觸層(CNT)可形成為鉬(Mo)/鋁(Al)/鉬(Mo)的一沉積結構。
然後，共同電極(Vcom電極)形成於鈍化層上。此種情況下，共同電極可由一透明導電材料，例如，氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)或銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide ITZO)形成。其中該共同電極可形成為500埃(Å)之一厚度。
其後，一絕緣層形成為覆蓋共同電極，並且畫素電極形成於該絕緣層之上。此種情況下，畫素電極可由一透明導電材料，例如，氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)或銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide ITZO)形成。其中該畫素電極可形成為500埃(Å)之一厚度。
同時，該感測線可與該共同電極相連接，由此共同電極對於非顯示週期作為觸控電極驅動。
根據本發明，活性區中的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區中的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同是重要的。因此，將省去用於驅動在非顯示週期作為觸控電極的共同電極之觸控感測線之結構及其接觸方法的詳細說明。
上述的說明表示出畫素電極形成於共同電極上的頂結構上畫素電極(頂結構上PXL)的實例，但是其僅為本發明的一個實例。根據本發明之另一實例，可具有共同電極形成於畫素電極上的頂結構上共同電極(頂結構上Vcom)。
在本發明實施例的具有上述結構的液晶顯示(LCD)裝置中，液晶層的配向可透過在共同電極與畫素電極之間出現的一邊緣電場控制，用以由此顯示影像。
對於非顯示週期，通過觸控感測線連接的畫素之共同電極可作為觸控感測電極驅動，用以由此感測使用者的觸控。
根據該使用者的觸控，一觸控電容形成於彩色濾光陣列基板(頂基板)與薄膜電晶體陣列基板(底基板)之間。因此，使用者的觸控位置可透過感測根據該觸控的電容變化檢測。
請參閱「第11圖」，當形成閘極112時，該輕摻雜汲極(LDD)長度透過濕蝕刻過程的臨限尺寸(CD)與重摻雜該摻雜劑(例如，N+ 摻雜)的過程用作光罩的光阻抗蝕劑(PR)的臨限尺寸(CD)之間的差別確定。
根據本發明，活性區中的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區GIP緩衝器的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度可透過控制閘極112的臨限尺寸(CD)與光阻抗蝕劑(PR)的臨限尺寸(CD)的至少一個調節。也就是說，活性區中的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區GIP緩衝器的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度可不相同。
「第12圖」係為本發明之實施例的活性區中的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區GIP緩衝器的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同之示意圖。
請參閱「第12圖」，活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)中的輕摻雜汲極(LDD)的一個側面的一長度(A1、A2)係為大約1.0~2.0 μm±0.1 μm，並且畫素薄膜電晶體(TFT)的全部輕摻雜汲極(LDD)的長度可為大約2.0~4.0 μm±0.2 μm。
同時，非顯示區的GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)中的輕摻雜汲極(LDD)長度之一個側面的一長度(B1、B2)係為0.7~1.7 μm±0.1 μm，並且緩衝器薄膜電晶體(TFT)的全部輕摻雜汲極(LDD)長度可為大約1.4~3.4 μm±0.2 μm。
如「第12圖」所示，畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(A)相比較於緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(B)為長(也就是說，A>B)。此種情況下，畫素薄膜電晶體(TFT)對緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度比可調節為1：0.7~1：0.9。
緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度之設計考慮GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的可靠性。相比較於習知技術，緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度變的更短，以使得可能透過減少該薄膜電晶體(TFT)的源極與汲極之間的串聯電阻以改善Ron特性。
畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度之設計考慮漏電流特性以及當該畫素薄膜電晶體(TFT)關閉時該面板內部的寄生電容(閘極至源極/汲極電容)。
「第13圖」係為根據本發明之實施例的液晶顯示(LCD)裝置，在活性區之畫素薄膜電晶體(TFT)與非顯示區GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)中的不同輕摻雜汲極(LDD)長度之形成方法之示意圖。
對於該製造過程，請參閱「第13圖」，一第一光罩(M1)應用於活性區，以及一第二光罩(M2)另外應用於非顯示區，用以由此控制閘極112的臨限尺寸(CD)。
同時，畫素薄膜電晶體(TFT)與非顯示區GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)之兩者的閘極可通過使用一個光罩形成。此種情況下，活性區與非顯示區的光罩圖案可彼此不相同，由此畫素薄膜電晶體(TFT)的閘極中的臨限尺寸(CD)與非顯示區GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的閘極中的臨限尺寸(CD)不相同。
可能控制閘極112的臨限尺寸(CD)與重摻雜摻雜劑的過程用作光罩的光阻抗蝕劑(PR)的臨限尺寸(CD)的至少一個，用以由此調節該畫素薄膜電晶體(TFT)對GIP緩衝器薄膜電晶體 (TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度比例，並且獲得該畫素薄膜電晶體(TFT)與GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的不同的輕摻雜汲極(LDD)長度。
「第14圖」係為本發明之另一實施例的一液晶顯示(LCD)裝置之示意圖。「第15圖」本發明之另一實施例的液晶顯示(LCD)裝置中的GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)及尾端薄膜電晶體(TFT)之一平面圖。
請參閱「第14圖」及「第15圖」，在應用一GIP型閘極驅動器的一內嵌型液晶面板的情況下，不僅顯示影像而且驅動特性為重要的。
為了減少顯示驅動與觸控驅動之間的一干涉，形成一尾端薄膜電晶體(TFT)220。尾端薄膜電晶體(TFT)220形成於一GIP緩衝器210與一畫素薄膜電晶體(TFT)之間。
如「第15圖」所示，尾端薄膜電晶體(TFT)220可與GIP緩衝器210的結構相同。
尾端薄膜電晶體(TFT)220抹除自GIP緩衝器210輸出至閘極線140的該掃描訊號，由此變為一VGL電平。對於非顯示週期，也就是說，觸控週期，該掃描訊號抹除成為該VGL電平。
因此，可能減少顯示驅動與觸控驅動之間的干涉，並且防止透過觸控驅動訊號洩漏至液晶面板內部的寄生電容產生的噪聲增加。
在本發明另一實施例之液晶顯示(LCD)裝置中，畫素薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度與尾端薄膜電晶體 (TFT)220的一輕摻雜汲極(LDD)長度不相同。
為了減少顯示驅動與觸控驅動之間的干涉，需要提高尾端薄膜電晶體(TFT)220的Ron特性。為此，本發明另一實施例之液晶顯示(LCD)裝置按照薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度相比較於畫素薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度更短的方式提供。
此種情況下，畫素薄膜電晶體(TFT)對GIP緩衝器210薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度比例可調整為1：0.7~1：0.9。而且，畫素薄膜電晶體(TFT)對尾端薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度比例可調整為1：0.7~1：0.9。
同時，畫素薄膜電晶體(TFT)對GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度比例可調整為1：0.7~1：0.9。而且，畫素薄膜電晶體(TFT)對尾端薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度比例可調整為1：0.5~1：0.7。
「第16圖」及「第17圖」係為本發明另一實施例的液晶顯示(LCD)裝置中活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)、GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)、以及尾端薄膜電晶體(TFT)具有不同的輕摻雜汲極(LDD)長度之示意圖。
請參閱「第16圖」及「第17圖」，該活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)中輕摻雜汲極(LDD)的一個側面之長度(A1、A2)係為大約1.0~2.0 μm±0.1 μm，並且該畫素薄膜電晶體(TFT)的全部輕摻雜汲極(LDD)長度係為大約2.0~4.0 μm±0.2 μm。
同時，GIP緩衝器210的畫素薄膜電晶體(TFT)中輕摻雜汲 極(LDD)的一個側面之長度(B1、B2)係為大約0.7~1.7 μm±0.1 μm，並且GIP緩衝器210的薄膜電晶體(TFT)的全部輕摻雜汲極(LDD)長度可為大約1.4~3.4 μm±0.2 μm。
而且，非顯示區域的尾端薄膜電晶體(TFT)220中的輕摻雜汲極(LDD)之一個側面的一長度(C1、C2)係為0.5~1.5 μm±0.1 μm。並且該尾端薄膜電晶體(TFT)220的全部輕摻雜汲極(LDD)長度可為大約1.0~3.0 μm±0.2 μm。
如「第16圖」及「第17圖」所示，該畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(A)相比較於緩衝器薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度為長(也就是說，A>B)。
而且，緩衝器薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度(B)相比較於尾端薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度(C)為長，(也就是說，B>C)。
因此，畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(A)、緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(B)、以及尾端薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度(C)可按照A>B>C的次序提供。
此種情況下，尾端薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度設計為減少顯示驅動與觸控驅動之間的干涉，並且以改善該薄膜電晶體(TFT)Ron特性。相比較於習知技術，緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與尾端薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度分別相比較於畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度為短，以使得可能透過減少該 薄膜電晶體(TFT)的源極與汲極之間的串聯電阻改善Ron特性。
對於該製造過程，尾端薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度可透過除用於形成畫素薄膜電晶體(TFT)及緩衝器薄膜電晶體(TFT)的光罩之外，通過使用一第三光罩控制閘極112的臨限尺寸(CD)與光阻抗蝕劑(PR)的臨限尺寸(CD)的至少一個調節。
因此，可確定畫素薄膜電晶體(TFT)、緩衝器薄膜電晶體(TFT)以及尾端薄膜電晶體(TFT)220的輕摻雜汲極(LDD)長度比例，其中畫素薄膜電晶體(TFT)、緩衝器薄膜電晶體(TFT)以及尾端薄膜電晶體(TFT)220可具有彼此不相同的輕摻雜汲極(LDD)長度。
「第18圖」及「第19圖」係為本發明另一實施例的液晶顯示(LCD)裝置中活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)以及非顯示區中的薄膜電晶體(TFT)具有不同的輕摻雜汲極(LDD)長度之示意圖。
請參閱「第18圖」及「第19圖」，在本發明另一實施例的液晶顯示(LCD)裝置的情況下，緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與尾端薄膜電晶體的輕摻雜汲極(LDD)長度分別相比較於畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度為短。此種情況下，緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與尾端薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度相同。
更詳細而言，活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極 (LDD)之一個側面的一長度(A1、A2)係為大約1.0~2.0 μm±0.1 μm，並且畫素薄膜電晶體(TFT)的全部輕摻雜汲極(LDD)長度可為大約2.0~4.0 μm±0.2 μm。
同時，GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)與尾端薄膜電晶體(TFT)每一個的輕摻雜汲極(LDD)之一個側面的一長度(B1、B2、C1、C2)係為0.7~1.7 μm±0.1 μm，並且其輕摻雜汲極(LDD)的全部長度可為大約1.4~3.4 μm±0.2 μm。
然而，並不限制於以上。舉例而言，GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)與尾端薄膜電晶體(TFT)每一個的輕摻雜汲極(LDD)之一個側面的一長度(B1、B2、C1、C2)係為0.5~1.5 μm±0.1 μm，並且其輕摻雜汲極(LDD)的全部長度可為大約1.0~3.0 μm±0.2 μm。
如「第18圖」及「第19圖」，所示，畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(A)可相比較於緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(B)及尾端薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(C)的沒每一個為長。因此，畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(A)、緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(B)、以及尾端薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度(C)可按照A>B=C的順序提供。
對於該製造過程，閘極112的臨限尺寸(CD)與光阻抗蝕劑(PR)的臨限尺寸(CD)的至少一個，可除用於形成畫素薄膜電晶體(TFT)的一光罩之外，通過使用一另外提供的光罩而控制， 用以由此確定畫素薄膜電晶體(TFT)、緩衝器薄膜電晶體(TFT)、以及尾端薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度比例。
在本發明之上述實施例之液晶顯示(LCD)裝置中，活性區的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度可與非顯示區中的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同。
在本發明之上述實施例之液晶顯示(LCD)裝置透過形成活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)中與非顯示區中的薄膜電晶體(TFT)中的輕摻雜汲極(LDD)長度，能夠改善內嵌型觸控面板的顯示及觸控特性。
「第20圖」係為本發明之實施例的具有改善觸控特性的液晶顯示(LCD)裝置與習知技術的液晶顯示(LCD)裝置相對比之示意圖。
請參閱「第20圖」，測量習知技術的液晶顯示(LCD)裝置的一觸控噪聲，以及測量本發明之實施例的液晶顯示(LCD)裝置的一觸控噪聲。
如「第20圖」所示，如果將本發明1的觸控噪聲與習知技術的觸控噪聲相比較，習知技術的液晶顯示(LCD)裝置的觸控噪聲設置為100%，則本發明實施例(表示為本發明1)的具有尾端薄膜電晶體(TFT)的液晶顯示(LCD)裝置的觸控噪聲相對比於習知技術係為33.6%。也就是說，本發明實施例之液晶顯示(ICD)裝置中的觸控噪聲很大程度地減少。
然後，如果將本發明2的觸控噪聲與習知技術的觸控噪聲相比較，本發明(表示為本發明2)的具有不相同的活性區的薄膜電 晶體(TFT)畫素與非顯示區的緩衝器薄膜電晶體(TFT)及尾端薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度的液晶顯示(LCD)裝置的觸控噪聲相對比於習知技術係為大約22.4%。也就是說，本發明實施例之液晶顯示(LCD)裝置中的觸控噪聲很大程度地減少。
本發明實施例之液晶顯示(LCD)裝置能夠透過減少觸控噪聲改善觸控特性。
在本發明實施例之液晶顯示(LCD)裝置中，活性區中的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同，用以由此減少內嵌型觸控面板的顯示驅動與觸控驅動之間的干涉。
而且，還可能改善該薄膜電晶體(TFT)的Ron特性，並且用以減少觸控驅動上液晶面板內部的噪聲。
此外，GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度調節為提高GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的可靠性，並且用以改善該關閉狀態畫素薄膜電晶體(TFT)中的漏電流特性，以及該面板內部的寄生電容的均勻性。
根據本發明，活性區中的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同，用以由此改善內嵌型觸控面板的顯示及觸控特性。
根據活性區中的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度 不相同，可能減少內嵌型觸控面板的顯示驅動與觸控驅動之間的干涉。
此外，可能改善該Ron特性。
在本發明上述實施例之液晶顯示(LCD)裝置能夠減少在觸控驅動時該液晶面板內部的觸控噪聲。
而且，根據本發明實施例的液晶顯示(LCD)裝置透過調節GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度能夠提高GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)的可靠性。
此外，本發明實施例的液晶顯示(LCD)裝置透過調節該畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度，能夠改善該面板內部的該關閉狀態畫素薄膜電晶體(TFT)的漏電流特性及寄生電容的均勻性。
而且，本發明實施例的液晶顯示(LCD)裝置透過與該GIP緩衝器相連接的該尾端薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度，能夠改善薄膜電晶體(TFT)的Ron特性。
本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。
10‧‧‧活性區
20‧‧‧閘極驅動器
22‧‧‧GIP緩衝器
30‧‧‧墊
40‧‧‧閘極線
50‧‧‧資料線
60、TX‧‧‧驅動線
70、RX‧‧‧接收線
100‧‧‧活性區
111‧‧‧緩衝層
112‧‧‧閘極
113‧‧‧閘極絕緣層
114‧‧‧活性層
115‧‧‧源極
116‧‧‧汲極
117‧‧‧重摻雜層
118、LDD‧‧‧輕摻雜汲極
119‧‧‧蔽光層
140‧‧‧閘極線
150‧‧‧資料線
160‧‧‧驅動線
170‧‧‧接收線
200‧‧‧GIP
210‧‧‧GIP緩衝器
220‧‧‧尾端薄膜電晶體
300‧‧‧墊
CDTX 、CGD 、CDRX 、CGRX 、CMu ‧‧‧寄生電容
A1、A2、A‧‧‧長度
B1、B2、B‧‧‧長度
C1、C2、C‧‧‧長度
TFT‧‧‧薄膜電晶體
G‧‧‧閘極
A‧‧‧活性塊
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
PR‧‧‧光阻抗蝕劑
PAS‧‧‧鈍化層
CNT‧‧‧接觸層
VGL‧‧‧電平
M1‧‧‧第一光罩
M2‧‧‧第二光罩
第1圖係為習知技術之一液晶顯示(LCD)裝置之示意圖；第2圖係為習知技術之液晶顯示(LCD)裝置之問題之示意圖； 第3圖及第4圖係為本發明之實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之示意圖；第5圖係為本發明之實施例之液晶顯示(LCD)裝置的顯示及觸控驅動方法之示意圖；第6圖係為本發明之實施例之液晶顯示(LCD)裝置中的畫素薄膜電晶體(TFT)之平面圖；第7圖係為本發明之實施例之液晶顯示(LCD)裝置中的GIP緩衝器的薄膜電晶體(TFT)之平面圖；第8圖係為具有一底閘結構的該薄膜電晶體(TFT)之一橫截面圖；第9圖係為具有一頂閘結構的該薄膜電晶體(TFT)之一橫截面圖；第10圖及第11圖係為本發明之實施例的液晶顯示(LCD)裝置中的薄膜電晶體(TFT)之輕摻雜汲極(LDD)的形成過程之示意圖；第12圖係為本發明之實施例的活性區中的畫素薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度與非顯示區GIP緩衝器的薄膜電晶體(TFT)的輕摻雜汲極(LDD)長度不相同之示意圖；第13圖係為根據本發明之實施例的液晶顯示(LCD)裝置，在活性區之畫素薄膜電晶體(TFT)與非顯示區GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)中的不同輕摻雜汲極(LDD)長度之形成方法之示 意圖；第14圖係為本發明之另一實施例的一液晶顯示(LCD)裝置之示意圖；第15圖本發明之另一實施例的液晶顯示(LCD)裝置中的GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)及尾端薄膜電晶體(TFT)之一平面圖；第16圖及第17圖係為本發明另一實施例的液晶顯示(LCD)裝置中活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)、GIP緩衝器薄膜電晶體(TFT)、以及尾端薄膜電晶體(TFT)具有不同的輕摻雜汲極(LDD)長度之示意圖；第18圖及第19圖係為本發明另一實施例的液晶顯示(LCD)裝置中活性區的畫素薄膜電晶體(TFT)以及非顯示區中的薄膜電晶體(TFT)具有不同的輕摻雜汲極(LDD)長度之示意圖；以及第20圖係為本發明之實施例的具有改善觸控特性的液晶顯示(LCD)裝置與習知技術的液晶顯示(LCD)裝置相對比之示意圖。
140‧‧‧閘極線
150‧‧‧資料線
160‧‧‧驅動線
170‧‧‧接收線
210‧‧‧GIP緩衝器
TFT‧‧‧薄膜電晶體
TX‧‧‧驅動線
RX‧‧‧接收線

Claims (13)

  1. 一種具有觸控功能之液晶顯示裝置，係包含：一第一薄膜電晶體(TFT)，係位於一顯示區中；一閘極驅動器之一第二薄膜電晶體(TFT)，係位於一非顯示區中；以及一第三薄膜電晶體，係連接於該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體間，其中該第二薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度相比較於該第一薄膜電晶體(TFT)的一輕摻雜汲極(LDD)長度為短，其中該第三薄膜電晶體的一輕摻雜汲極長度相比較於該第一薄膜電晶體的該輕摻雜汲極長度為短。
  2. 如請求項第1項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置，其中該第一薄膜電晶體(TFT)對該第二薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度比例係為1：0.7~1：0.9。
  3. 如請求項第1項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置，其中該第二薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度與該第三薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度相同。
  4. 如請求項第1項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置，其中該第三薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度相比較於該第二薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度為 短。
  5. 如請求項第1項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置，其中該第一薄膜電晶體(TFT)對該第二薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度比例係為1：0.7~1：0.9，以及其中該第一薄膜電晶體(TFT)對該第三薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度比例係為1：0.5~1：0.9。
  6. 如請求項第1項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置，其中透過在各個該第一薄膜電晶體(TFT)、該第二薄膜電晶體(TFT)以及該第三薄膜電晶體(TFT)中形成不同的該等輕摻雜汲極(LDD)長度，一液晶面板內部的一寄生電容均勻化且薄膜電晶體(TFT)的Ron特性得到控制。
  7. 如請求項第1項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置，其中該閘極驅動器在一GIP(gate in panel)方法中形成於一薄膜電晶體(TFT)陣列基板上，以及用於檢測一使用者觸控的一觸控感測器在一內嵌式觸控面板方法中形成於該薄膜電晶體(TFT)陣列基板上。
  8. 一種具有觸控功能之液晶顯示裝置之製造方法，係包含以下步驟：形成具有一第一長度的一輕摻雜汲極(LDD)的一第一薄膜電晶體(TFT)於一顯示區中；形成具有一第二長度的輕摻雜汲極(LDD)的一閘極驅動 器的一第二薄膜電晶體(TFT)於一非顯示區中，其中該第二長度相比較於該第一長度為短；以及形成具有一第三長度的輕摻雜汲極的一第三薄膜電晶體(TFT)於該非顯示區中，其中該第三長度比該第一長度短，以及該第三薄膜電晶體係連接於該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之間。
  9. 如請求項第8項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置之製造方法，其中該第二薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度與該第三薄膜電晶體(TFT)的該輕摻雜汲極(LDD)長度相同。
  10. 如請求項第9項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置之製造方法，更包含：形成一緩衝層於一玻璃基板上，以及形成一半導體材料的一活性層於該緩衝層的一預定部份上；形成一閘極金屬於該閘極絕緣層上；形成一第一光阻抗蝕劑圖案於該閘極金屬上，以及透過通過一蝕刻過程形成該閘極金屬的圖案形成一閘極於和該活性層相重疊的一預定部份中；以及在該閘極用作一光罩的條件下，使用N型或P型摻雜劑輕摻雜該活性層的一外圍區域，其中該第一長度的該輕摻雜汲極(LDD)形成於該顯示區 的該第一薄膜電晶體(TFT)中，以及該第二長度的該輕摻雜汲極(LDD)形成於該非顯示區的該第二薄膜電晶體(TFT)中。
  11. 如請求項第10項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置之製造方法，更包含：形成一第二光阻抗蝕光罩以覆蓋該閘極及該輕摻雜區的一預定部份；以及透過使用N型或P型摻雜劑重摻雜該輕摻雜區的該外圍區域，形成源極及汲極於該輕摻雜汲極(LDD)的該外圍區域中。
  12. 如請求項第10項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置之製造方法，其中該第一薄膜電晶體(TFT)、該第二薄膜電晶體(TFT)以及該第三薄膜電晶體(TFT)的該等輕摻雜汲極(LDD)長度透過當形成該閘極時控制該閘極的一臨限尺寸而調節。
  13. 如請求項第11項所述之具有觸控功能之液晶顯示裝置之製造方法，其中該第一薄膜電晶體(TFT)、該第二薄膜電晶體(TFT)以及該第三薄膜電晶體(TFT)的該等輕摻雜汲極(LDD)長度透過控制該第二光阻抗蝕光罩的一臨限尺寸以防止當形成該源極及該汲極時重摻雜劑摻雜而調節。
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