TWI454789B - 具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI454789B
TWI454789B TW100128395A TW100128395A TWI454789B TW I454789 B TWI454789 B TW I454789B TW 100128395 A TW100128395 A TW 100128395A TW 100128395 A TW100128395 A TW 100128395A TW I454789 B TWI454789 B TW I454789B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
passivation layer
liquid crystal
electrode
display device
crystal display
Prior art date
Application number
TW100128395A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201213943A (en
Inventor
Kum Mi Oh
Han Seok Lee
Won Keun Park
Original Assignee
Lg Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Display Co Ltd filed Critical Lg Display Co Ltd
Publication of TW201213943A publication Critical patent/TW201213943A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI454789B publication Critical patent/TWI454789B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法
本發明涉及一種平板顯示裝置，尤其是，一種具有內建觸控螢幕的液晶顯示裝置，其提升驅動效率並能藉由簡化的製造過程而降低製造成本，及其製造方法。
隨著諸如行動終端和筆記本電腦等各種行動電子裝置的發展，對一種合適的平板顯示裝置的要求也不斷升高。
所述平板顯示裝置可包含液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、場效發射顯示裝置(FED)、發光二極體顯示裝置(LED)等等。
在所述各種平板顯示裝置中，所述LCD裝置因其各種優點而得到廣泛使用，例如，大規模生產的技術發展、簡易的驅動方法、低功率消耗、高品質解析度、大尺寸螢幕。
現有技術使用滑鼠或鍵盤作為所述平板顯示裝置的輸入裝置。最近，一觸控螢幕作為所述平板顯示裝置的新輸入裝置，其中所述觸控螢幕可讓使用者直接使用手指或筆直接輸入資訊。
所述觸控螢幕廣泛地應用於各種領域，例如，行動終端諸如導航、工業應用終端機、筆記型電腦、自動提款機(ATM)、行動電話、MP3、PDA、PMP、PSP、行動遊戲機、DMB接收器、以及平板電腦；以及家用電器諸如電冰箱、微波爐、以及洗衣機。此外，所述觸控螢幕的易操作性使其應用領域迅速增大。
已對生產具有內建觸控螢幕的LCD的薄型平板顯示裝置進行研究與開發。尤其是，一內嵌觸控觸碰式LCD顯示裝置已被熱門地研究與開發，其中所述內嵌觸碰式LCD裝置稱為使用存在於現有技術構造中的一元件的LCD裝置，例如公共電極位於下基板上，作為觸控感測電極。
第1圖說明依據現有技術使用內建觸控螢幕的LCD裝置及其驅動方法。
參閱第1圖，依據現有技術使用內建觸控螢幕的LCD裝置，包含下基板50與上基板60，並通過插入於其間的液晶層(圖中未表示)而相互接合。
在所述上基板60上，具有黑色矩陣62；紅、綠、以及藍濾光鏡64R、64G、64B；以及保護層66。在此，黑色矩陣62定義了對應於每個像素的像素區域。並且，紅、綠、以及藍濾色鏡64R、64G、64B分別形成在由黑色矩陣62所定義的像素區域中。保護層66覆蓋紅、綠、以及藍濾色鏡64R、64G、64B以及黑色矩陣62，由此平坦化上基板60。
在下基板50上，有包含複數個像素(圖未示)的像素陣列40以驅動液晶層以及偵測被手指或筆所觸碰的觸碰點。
每個像素由互相交叉的閘極線以及資料線所界定。在閘極線以及資料線的交叉部分處，有薄膜電晶體(在下文中，簡稱為’TFT’)。每個像素含有公共電極以及像素電極。
第2圖是依據現有技術說明在具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的下基板的橫截剖面圖。第2圖顯示在邊緣場開關(FFS)模式中的下基板。
參閱第2圖，下基板50的每個像素形成在玻璃基板上。在每個像素中，具有光遮罩層71，用於防止入射光；緩衝層51，在光遮罩層71上；主動層(半導體層)72，在緩衝層51上；閘絕緣層52，在主動層72上；金屬材質的閘極電極73，在閘絕緣層52上，其中閘極電極73部分地與主動層72重疊；夾層介電質(ILD)53，用於使閘極電極73絕緣於資料電極(源極或汲極電極)74；以及資料電極74，與主動層72電性連接。
此時，資料電極74藉由在第一接觸孔中埋設金屬材料而形成，以暴露主動層72的預先決定的部分。描述了資料電極74與像素電極(像素ITO)77電性連接。
下基板50的每個像素中，具有第一鈍化層(PAS0)54、第二鈍化層(PAS1)55、公共電極75、導電線(第三金屬)76、第三鈍化層(PAS2)56、以及像素電極77，其等相繼形成在夾層介電質53上。形成第一以及第二鈍化層(PAS0、PAS1)54以及55以覆蓋閘極電極73與資料電極74。公共電極75形成在第二鈍化層55上，其中公共電極75由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導電材料所形成。導電線76形成在公共電極75的預定部分上。形成第三鈍化層56以覆蓋公共電極75與導電線76。像素電極77與第三鈍化層56的上端部分和資料電極74電性連接，其中像素電極77由一透明導電材料所形成。
藉由部分蝕刻第一、第二、以及第三鈍化膜(PAS0、PAS1、以及PAS2)54、55、以及56形成第二接觸孔。通過第二接觸孔，暴露資料電極74的上端部分。
此時，形成在鈍化層(PAS0)54的第二鈍化層(PAS1)55上的預定部分首先被蝕刻，然後第一以及第三鈍化層(PAS0、PAS2)54以及56的預定部分也同時被蝕刻，因而暴露資料電極74的上端部分。
像素電極77藉由蝕刻第一、第二、以及第三鈍化膜(PAS0、PAS1、以及PAS2)54、55、以及56形成在接觸孔內。因此，像素電極77與資料電極74電性連接。
在現有技術構造中，依據第二鈍化層(PAS1)55的蝕刻，為像素電極77與資料電極74間的電性連接決定第二接觸孔的開放區域。因此，減少資料電極74的暴露區域，如此導致像素電極77與資料電極74之間的接觸區域也減少，從而降低接觸效率。
在第二鈍化層55之後，用於蝕刻第三鈍化層56的光刻期間，可能由異物造成校正失敗和接觸失敗。
在依據具有上述結構之現有技術之含有內建觸控螢幕的LCD裝置中，在一畫面的顯示週期中，藉由控制穿過每個像素的液晶層的光線透光率，顯示依據視頻信號的影像。在一畫面的無顯示週期中，公共電極75作為一觸碰觸控感測電極而驅動，由此基於使用者觸碰感測電容(Ctc)，以及通過該感測電容而偵測觸碰點(TS)。
依據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的形成方式為公共電極75安置在每個獨立像素上，以及相鄰的公共電極75通過使用導電線76而電性連接。
因此，形成公共電極75的過程與形成導電線76的過程分別進行，於是由於複雜的製造過程，製造成本增加以及良率降低。
非晶矽(a-Si)TFT具有低驅動速度的缺點，以及細線寬度設計上的限制。為了克服所述缺點，下基板50的元件(例如TFT)可由低溫多晶矽(LTPS)形成。
如第3圖所示，若下基板50的元件(例如TFT)由低溫多晶矽(LTPS)形成，所述方法必然使用10個遮罩。並且，藉以使用10個遮罩來實現複數個具體過程(例如，155步驟)。
用於形成公共電極75和導電線76的各自過程使用額外遮罩(“遮罩7”用於公共電極的形成，以及“遮罩8”用於導電線的形成)，由此，實現複數個複雜的過程。
如上所述，與非晶矽(a-Si)相比，所述低溫非晶矽(LTPS)促進高解析度，並且促進良好的TFT運行性能。然而，與使用所述非晶矽(a-Si)的情況相比，遮罩處理所增加的層數導致複雜的製造過程，因而降低競爭價格和效率。
因此，本發明係針對具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法，實質上是排除現有技術的一個或以上的限制以及缺點的問題。
本發明的一方面，藉由使用低溫多晶矽(LTPS)的下基板提高驅動效率，從而提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置，及其製造方法。
本發明的另一方面，藉由減少形成下基板的過程的遮罩層數而降低製造成本，從而提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置，及其製造方法。
本發明的另一方面，藉由簡化下基板的製造過程而提升製造效率，從而提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置，及其製造方法。
本發明的另一方面，藉由增加下基板上資料電極與像素電極之間的接觸而提升接觸效率，從而提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置，及其製造方法。
本發明的另外的優點與特徵將在說明書中部分地進行陳述，通過審查下文或學習實踐本發明，對於本領域普通技術人員而言是顯而易見的。本發明的目的以及其他優點，通過書面說明書與申請專利範圍還有附圖所特別指出的構造，是可實現以及得到的。
依據本發明的目的，為實現這些以及其他優點，在此將具體而概括地描述，提供一種具有內建觸控螢幕的液晶顯示裝置，包括：一基板，具有一像素區域；一薄膜電晶體，形成在所述像素區域內；一第一鈍化層，形成在所述薄膜電晶體上；，一第一接觸孔，穿過所述第一鈍化層的一部分而形成，以暴露資料電極；一公共電極，形成在其內包含在所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上，所述公共電極可操作以偵測觸碰；一導電線，形成在其內包含所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上；一第二鈍化層，形成在所述公共電極和所述導電線上；一第二接觸孔，穿過所述第二鈍化層的一部分而形成以暴露對應於所述資料電極的所述導電線；以及一像素電極，與所述導電線電性連接，所述像素電極形成在所述第二鈍化層上並在所述第二接觸孔內，其中所述第二鈍化層和所述像素電極通過使用一半色調遮罩的一遮罩處理而同時形成。
本發明的另一方面，提供一種製造具有內建觸控螢幕的液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：形成具有一像素區域的一基板；形成一薄膜電晶體於所述像素區域內；形成一第一鈍化層於所述薄膜電晶體上；形成一第一接觸孔，穿過所述第一鈍化層的一部分，以暴露資料電極；形成一公共電極於其內包含所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上，所述公共電極可操作以偵測觸碰；形成一導電線於其內包含所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上；形成一第二鈍化層於所述公共電極和所述導電線上；形成一第二接觸孔，穿過所述第二鈍化層的一部分，以暴露對應於所述資料電極的所述導電線；以及形成一與所述導電線電性連接的像素電極，所述像素電極係在於所述第二鈍化層上並在所述第二接觸孔內，其中所述第二鈍化層和所述像素電極通過使用一半色調遮罩的一遮罩處理而同時形成。
本發明的另一方面，提供一種製造具有內建觸控螢幕的液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：形成一薄膜電晶體於一基板的每個像素區域內；藉由形成一第一鈍化層於所述薄膜電晶體上以及部分地蝕刻所述第一鈍化層，形成一第一接觸孔，以暴露資料電極；形成一公共電極於所述第一鈍化層上並在所述第一接觸孔內，以及形成一與所述公共電極電性連接的導電線；藉由形成一第二鈍化層於所述公共電極和所述導電線上並部分地蝕刻所述第二鈍層，形成一第二接觸孔，以暴露對應於所述資料電極的區域中的所述導電線；以及形成一像素電極於所述第二鈍化層上並在所述第二接觸孔內，所述像素電極與所述導電線電氣性連接，其中所述第二鈍化層、所述第二接觸孔、以及所述像素電極通過使用一遮罩進行光刻、蝕刻、以及灰化處理而同時形成。
須知，對本發明的前文總述以及下文詳述都是示例性以及解釋性的，且是為了進一步說明本發明的申請專範圍。
現將引用所附圖式以詳細說明本發明的具體實施例。盡可能地，所附圖式中涉及的相同或類似的元件將採用相同的附圖標記。
在下文中，將參閱所附圖式，對依據本發明之一具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法進行詳細描述。
為了在下文中描述本發明的實施例，當第一裝置(例如，電極、線、層、接觸等等)被描述為形成在第二裝置“上”或者“下”，所述第一裝置以及第二裝置可互相接觸，或有第三裝置插入於所述第一裝置以及第二裝置其間。
依據液晶層的排列方法，LCD裝置可分類為扭轉向列(TN)模式、垂直對齊(VA)模式、平面轉換(IPS)模式、以及邊緣場開關(FFS)模式。
假設在IPS模式以及FFS模式，像素電極以及公共電極二者都形成在下基板上，由此在液晶層中的液晶分子依據像素電極與公共電極之間的電場而對準。
所述IPS模式，像素電極與公共電極相互交替地平行排列以使像素電極與公共電極之間產生平面模式電場，從而對準液晶層的液晶分子。然而，應用該IPS模式，液晶分子無法正確地對準在像素電極與公共電極之上，由此降低像素電極與公共電極之上的透光率。
為了克服IPS模式的問題，提出了FFS模式。在FFS模式中，一絕緣層插入於像素電極與公共電極之間，從而像素電極由所插入的絕緣層形成在自公共電極的一預定間隔處。
如此，像素電極與公共電極的其中任一形成為一板狀或圖案，而其他則形成為一指狀，其中一邊緣電場發生在像素電極與公共電極之間。因此，通過在像素電極與公共電極之間發生的邊緣電場來對準液晶層的液晶分子。
依據本發明實施例，具有內建觸控螢幕的LCD裝置形成在FFS模式中。
依據本發明實施例，具有內建觸控螢幕的LCD裝置包括具有內建觸控螢幕的內嵌觸控式液晶面板，用於使用者觸碰點的偵測；用於提供光線予液晶面板的背光單元；以及驅動電路。
驅動電路包含時序控制器(T-con)、資料驅動器(D-IC)、閘驅動器(G-IC)、觸碰感測驅動器、背光驅動器、以及電源供應器。
驅動電路可完全或部分地形成在玻璃覆晶基板(COG)或薄膜襯底晶片(COF，晶片在撓性印刷電路上)中。
液晶面板包含利用插入其間的液晶層而相互結合的上下基板。並且，排列在一矩陣結構的複數個像素(Clc，液晶單元)形成在液晶面板中。
液晶面板根據資料電壓而在每個像素中控制穿過液晶層的光線透光率，從而顯示依據視頻信號的影像。並且，在下基板上的公共電極可作為觸碰感測電極來驅動，以根據使用者的觸碰而感測電容變化，由此可通過由公共電極所感測的電容而偵測到使用者的觸碰。
在上基板上，具有黑色矩陣(BM)；紅、綠、和藍濾色片；以及保護層。黑色矩陣定義對應於每個像素的像素區域。並且，紅、綠、和藍濾色片各自形成在由黑色矩陣所定義的各自像素區域內。保護層覆蓋紅、綠、和藍濾色片與黑色矩陣，由此平坦化上基板。
在下基板上，具有包含複數個像素的像素陣列，以驅動液晶層以及藉由依據使用者的觸碰感測電容而檢測觸碰點。
像素陣列包含薄膜電晶體(TFT)；像素電極；公共電極；以及導電線(第三金屬)，用於連接各像素的公共電極。
下基板以及上基板藉由使用密封劑而互相結合。並且，液晶面板的顯示區域(主動區域)由密封劑防護。
TFT包含閘極電極、主動層(半導體層)、絕緣層、以及資料電極(源極/汲極電極)。
TFT可形成在閘極電極位於主動層之下的底部閘極結構中。可選擇地，TFT可形成在閘極電極位於主動層之上的頂部閘極結構中。
依據本發明的實施例，在具有內建觸控螢幕的LCD裝置中，下基板可以由低溫多晶矽(LTPS)形成。
第4圖說明在依據本發明第一實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的下基板。
參閱第4圖，複數個像素形成在下基板100上。每個像素包括薄膜電晶體(TFT)；像素電極220；公共電極190；以及導電線200，用於連接相鄰像素的公共電極190。
此時，導電線200作用為一接觸線，其使公共電極190驅動為一觸碰感測電極以偵測使用者的觸碰點。
更詳細地，下基板100的每個像素包括在玻璃基板上的光遮罩層110；在光遮罩層110上的緩衝層120；在緩衝層120上的主動層130(半導體層)；在主動層130上的閘絕緣層(GI)140；以及閘極電極150，部分地與主動層130重疊並由金屬形成在閘絕緣層140上。
具有夾層介電質(ILD)160以及資料電極170。夾層介電質160使閘極電極150絕緣於資料電極170。資料電極170與主動層130電性連接並經由一溝槽而部分地暴露。
該溝槽藉由蝕刻閘絕緣層140和夾層介電質160的預定部分而形成，由此該溝槽暴露主動層130的預定部分。資料電極170藉由在該溝槽內埋設一金屬材料而形成。資料電極170經由公共電極190與導電線200與像素電極220電性連接。
在下基板100的每個像素中，具有第一鈍化層(PAS1)180、公共電極190、以及導電線200(第三金屬)。形成第一鈍化層(PAS1)180以覆蓋閘極電極150和資料電極170。公共電極190形成在第一鈍化層180的上端部分上，並引起與資料電極170接觸，其中公共電極190由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導電材料所形成。導電線200形成在公共電極190的預定部分上，並與公共電極190電性連接。
第一接觸孔藉由部分地蝕刻第一鈍化層180而形成，以暴露資料電極170的上端部分。於是，公共電極190和導電線200相繼形成在第一接觸孔內。因此，資料電極170、公共電極190、以及導電線200在第一接觸孔內電性連接。
在下基板100的每個像素中，具有第二鈍化層210(PAS2)，以覆蓋公共電極190和導電線200；以及像素電極220，與第二鈍化層210的上端部分和資料電極170電性連接，其中像素電極220由諸如ITO的透明導電材料所形成。第二鈍化層210以及像素電極220通過使用一半色調遮罩(HTM)的一遮罩處理而形成。
第二接觸孔藉由部分地蝕刻第二鈍化層210而形成，以暴露與資料電極170連接的導電線200。然後，像素電極220形成在第二接觸孔內，並在第二鈍化層210上，由此像素電極220與導電線200電性連接。因此，像素電極220經由公共電極190以及導電線200與資料電極170電性連接。
依據本發明的第一實施例，在具有內建觸控螢幕的LCD裝置中，一畫面的顯示週期期間，藉由控制穿過每個像素的液晶層的光線透光率而顯示對應於視頻信號的影像。
在一畫面的無顯示週期期間，驅動形成在每個像素中並由導電線200連接的公共電極190以作為觸碰感測電極，從而依據使用者的觸碰偵測電容(Ctc)的變化。
為此，在一畫面的顯示週期期間，公共電極190施加公共電壓(Vcom)於像素，而在一畫面的無顯示週期期間，驅動公共電極190作為觸碰感測電極以偵測使用者的觸碰。
依據使用者的觸碰，觸碰電容(Ctc)形成在上基板以及下基板的公共電極190之間。依據使用者的觸碰，藉由比較該觸碰電容(Ctc)與參考電容來偵測觸碰點(TS)。
第二鈍化層(PAS2)210以及像素電極220通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成。像素電極220經由相繼形成在第一接觸孔內的公共電極190和導電線200與資料電極170電性連接。因此，可確保在資料電極170與像素電極220之間的一足夠的接觸範圍，以提升資料電極170與像素電極220之間的接觸效率。並且根據本發明，在具有內建觸控螢幕的LCD裝置中，可改進該驅動效率。
在本發明的實施例中省略已形成在現有技術之夾層介電質中的第一鈍化層(PAS0)。並且，第二鈍化層(PAS2)210以及像素電極220藉由使用一半色調遮罩而同時形成，藉此確保後續處理的邊緣對準。此外，在用於資料電極170與像素電極220之間接觸的製造過程期間，可減少由異物所引起的接觸失敗。
參閱第5圖至第9圖，將描述依據本發明第一實施例之製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法。
如第5圖所示，第二鈍化層(PAS2)210以及像素電極220可通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成在下基板100上。因此，與現有技術相比，減少用於製造過程的遮罩數量，因而減少附帶處理。
如第6圖(a)所示，諸如金屬材料的光遮罩材料形成在基板上。
然後，所述光遮罩材料通過使用一遮罩進行光刻以及濕法蝕刻而圖案化，由此形成光遮罩層110。光遮罩層110與主動層130對準，通過後續處理而形成。
基板可用透明玻璃或透明塑膠而形成。第6圖(a)～第6圖(c)顯示使用玻璃基板的實施例。
之後，形成緩衝層120以覆蓋光遮罩層110，並且非晶矽(a-Si)沉積在緩衝層120上，由此形成半導體層。
然後，半導體層由使用一遮罩的光刻以及乾蝕刻處理而圖案化，由此形成主動層130。主動層130以與光遮罩層110對準的方式而形成。
如第6圖(b)所示，TEOS(正矽酸乙酯)或MTO(中溫氧化物)可通過CVD(化學蒸汽沉積)而沉積在基板的整個表面上，由此形成閘絕緣層140。
接著，一金屬材料沉積在閘絕緣層140上同時與主動層130重疊。然後，閘極電極150通過使用一遮罩的光刻與蝕刻處理而形成，並且閘極電極150摻有少量N型摻雜物(N- )。
當形成閘極電極150時，執行濕蝕刻以及乾蝕刻處理。在該濕蝕刻以及乾蝕刻處理之間，主動層130摻有大量N型摻雜物(N+ )。
由於閘極電極150形成在主動層130上，不與閘極電極150重疊的主動層130的預定部分摻有大量N型摻雜物(N+ )。
如第6圖(c)所示，一絕緣材料沉積在基板上，由此閘極電極150和閘絕緣層140為該絕緣材料所覆蓋，且其形成夾層介電質160以使閘極電極150絕緣於下基板的其他元件。
然後，使用一遮罩的光刻和乾蝕刻處理施加於夾層介電質160的預定部分以及閘絕緣層140的預定部分，從而形成溝槽162暴露主動層130的上端部分。
如第7圖(a)所示，一金屬材料沉積在基板的整個表面上並在溝槽162內(其中，該金屬材料埋設在溝槽162內)。接著，資料電極170通過使用一遮罩的光刻與濕蝕刻處理而形成。
在溝槽162內，資料電極170與主動層130電性連接。
如第7圖(b)所示，形成第一鈍化層(PAS1)180以覆蓋夾層介電質160和資料電極170。然後，用於暴露資料電極170的第一接觸孔182通過使用一遮罩的光刻與蝕刻處理而形成。
如第7圖(c)所示，一透明導電材料沉積在第一鈍化層(PAS1)180上並在第一接觸孔182內。
然後，公共電極190通過使用一遮罩的光刻與蝕刻處理，形成在第一鈍化層(PAS1)180上並在第一接觸孔182內。
如第8圖(a)所示，一導電金屬材料沉積在第一鈍化層(PAS1)180和公共電極190上，由此形成導電層。
然後，使用一遮罩的光刻以及蝕刻處理施加於該導電層，從而導電線200形成在第一鈍化層(PAS1)180的預定部分上並在第一接觸孔182內。
此時，公共電極190與導電線200電性連接。在一畫面的顯示週期期間，施加公共電壓(Vcom)於形成在第一鈍化層(PAS1)180上的公共電極190。
同時，形成在第一接觸孔182內的公共電極190作為接觸電極以電性連接資料電極170與像素電極220，從而不施加公共電壓(Vcom)於形成在第一接觸孔182內的公共電極190。
如第8圖(b)所示，形成第二鈍化層(PAS2)210以覆蓋公共電極190和導電線200。之後，使用一遮罩的光刻、蝕刻、灰化處理施加於第二鈍化層(PAS2)210，由此形成藉由部分地蝕刻第二鈍化層(PAS2)210而獲得的第二接觸孔212。
如第9圖(a)至第9圖(c)所示，第二接觸孔212形成在對應於資料電極170的區域內。與資料電極170電性連接的導電線200經由第二接觸孔212而暴露。
之後，如第9圖(d)所示，像素電極220形成在第二鈍化層(PAS2)210上並在第二接觸孔212內，其中像素電極220由諸如ITO的透明導電材料所形成。換言之，第二鈍化層(PAS2)210以及像素電極220可通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成。
在第二接觸孔212內，像素電極220與導電線200電性連接，由此，資料電極170經由形成在第一接觸孔182內的公共電極190和導電線200與像素電極220電性連接。
參閱第9圖，將描述用於通過使用半色調遮罩形成第二鈍化層(PAS2)210和像素電極220的詳細方法。
如第9圖(a)所示，形成第二鈍化層(PAS2)210以覆蓋公共電極190和導電線200。
之後，光阻層250(在下文中，簡稱“PR層”)藉由塗覆光阻劑而形成，尤其是，塗覆光丙烯醯基材料至第二鈍化層(PAS2)210上。
然後，如第9圖(b)所示，通過使用半色調遮罩(HTM)260的光刻法形成具有一非平坦圖案(凹凸)的複數個光阻圖案252(在下文中，簡稱“PR圖案”)。
換言之，PR層250使用半色調遮罩260而被光線照射，由此形成該等PR圖案252，作為用於形成第二接觸孔212以及像素電極220的遮罩。
半色調遮罩260包含一不透明區域，由此，光線不得透過；一半透明區域，由此光線是部分地透過；以及一透明區域，由此，光線可透過。因此，由於PR層250通過使用半色調遮罩而圖案化，能形成具有不同寬度與厚度的該等PR圖案252。
當使用半色調遮罩260，對應於不透明區域的PR層250保持原樣；對應於半透明區域的PR層250部分地保留；以及對應於透明區域的PR層250完全地去除，由此暴露第二鈍化層(PAS2)210的預定部分。
如第9圖(c)所示，藉由使用該等PR圖案252乾蝕刻第二鈍化層(PAS2)210的暴露區域，由此形成第二接觸孔212。此時，形成在第一接觸孔182內的導電線200經由第二接觸孔212而暴露。
如第9圖(d)所示，PR圖案252僅保留在第二鈍化層(PAS2)210的預定部分上，具體地，僅保留在閘極電極上，由此方式灰化PR圖案252。
然後，一ITO(銦-錫-氧)材料沉積在第二鈍化層(PAS2)210和在灰化處理後所保留的PR圖案254上。
如第9圖(e)所示，存留在閘極電極170上的PR圖案254被剝離以完成像素電極220的形成。
根據第9圖(a)至第9圖(e)的解釋，第二鈍化層(PAS2)210以及像素電極220可通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成。
依據本發明的第一實施例，使用在上述用於製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法中的遮罩數量比使用在現有技術方法中遮罩數量少一個遮罩。與現有技術的方法相比，依據本發明的第一實施例，在製造上述具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法中，減少了12.2%(本發明的方法需要136步驟，而現有技術的方法需要155步驟)的具體處理步驟，由此，依據本發明的第一實施例，用於製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法能夠減少製造成本並提高製造效率。
並且，第二鈍化層(PAS2)210以及像素電極220通過使用一半色調遮罩而同時形成，由此，以確保用於製造過程中的邊緣對準。
在下基板上的資料電極與像素電極之間改進的接觸效率提高了驅動效率。
並且，下基板由低溫多晶矽(LTPS)形成，由此，提高該驅動效率。
在下文中，參閱第10圖，將描述依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置。
第10圖說明了依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的下基板。依據本發明的第二實施例，在解釋具有內建觸控螢幕的LCD裝置的下基板上，對於與第4圖所示第一實施例的相同部分，將略去其詳細說明。
參閱第10圖，複數個像素形成在下基板300上。
該等像素包含薄膜電晶體(TFT)、像素電極420、公共電極390、以及導電線400。
導電線400作用為接觸線，其使公共電極390驅動作為一觸碰感測電極以偵測使用者的觸碰點。
更詳細地，下基板300的每個像素包括主動層(半導體層)330、閘絕緣層(GI)340、閘極電極350、夾層介電質(ILD)360、以及資料電極370。
藉由部分地蝕刻閘絕緣層340和夾層介電質360而形成溝槽。經由該溝槽而暴露主動層330的預定部分，並且資料電極370藉由在該溝槽內埋設一金屬材料而形成。資料電極370經由公共電極390和導電線400與像素電極420電性連接。
下基板300的每個像素包括第一鈍化層(PAS1)380，以覆蓋資料電極370；公共電極390；以及導電線(第三金屬)400。
公共電極390以及導電線400通過使用一半色調遮罩(HTM)的遮罩處理而同時形成。
第一接觸孔藉由部分地蝕刻第一鈍化層380而形成。然後，公共電極390和導電線400相繼地形成在第一接觸孔內，由此，資料電極370、公共電極390、以及導電線400在該接觸孔內電性連接。
下基板300的每個像素包括第二鈍化層(PAS2)410；以及像素電極420，與第二鈍化層410的上端部分與資料電極370電性連接。
第二鈍化層410以及像素電極420通過使用一半色調遮罩(HTM)的遮罩處理而同時形成。
第二接觸孔藉由部分地蝕刻第二鈍化層410而形成。因此，與資料電極370電性連接的導電線400經由第二接觸孔而暴露。述像素電極420形成在第二接觸孔內，接著並與導電線400電性連接。
因此，像素電極420經由公共電極390和導電線400與資料電極370電性連接。
在一畫面的顯示週期期間，公共電極390施加公共電壓(Vcom)於像素。同時，在一畫面的無顯示週期期間，驅動公共電極390作為觸碰感測電極以偵測使用者的觸碰。
如上所述，依據本發明的第二實施例，在具有內建觸控螢幕的LCD裝置中，公共電極390以及導電線400通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成在第一接觸孔內。
資料電極370經由公共電極390和導電線400與像素電極420電性連接。
因此，可確保在資料電極370與像素電極420之間的一足夠的接觸區域，由此提升資料電極370與像素電極420之間的接觸效率。並且，可提升在依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的驅動效率。
並且，在本發明的第二實施例中省略形成在現有技術的夾層介電質內的光遮罩層以及鈍化層(PAS0)。另外，第二鈍化層(PAS2)410和像素電極420通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成。因此，可確保一充分的邊緣對準，並且在用於資料電極370和像素電極420之間接觸的製造過程中，減少由異物所引起的接觸失敗。
參閱第11圖至第16圖，將描述依據本發明第二實施例之用於製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法。
第11圖至第16圖說明依據本發明第二實施例之用於製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法。
如第11圖所示，在依據本發明第二實施例之用於製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法中，公共電極390以及導電線400通過使用一半色調遮罩的遮罩處理可同時形成在下基板300上。
並且，第二鈍化層(PAS2)210以及像素電極220可通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成。
因此，與現有技術相比，依據本發明的第二實施例，可減少使用用於製造方法的遮罩數量，並且可減少具體處理步驟。
並且，在本發明的第二實施例中可省略形成在現有技術之夾層介電質內的光遮罩層和鈍化層(PAS0)，由此，減少具體處理步驟。
更詳細地，如第12圖(a)所示，非晶矽(a-Si)沉積在基板上，由此形成半導體層。然後，該半導體層通過使用一遮罩的光刻以及乾蝕刻處理而圖案化，由此形成主動層330。
基板可由透明玻璃或者透明塑膠形成。第12圖(a)至第12圖(c)顯示使用玻璃基板的一經典實例。
TEOS(正矽酸乙酯)或MTO(中溫氧化物)可通過CVD(化學蒸汽沉積)而沉積在基板的整個表面上，由此形成閘絕緣層340。
然後，一金屬材料沉積在閘絕緣層340上同時與主動層330重疊。然後，閘極電極350通過使用一遮罩的光刻與蝕刻處理而形成。
然後，一絕緣材料沉積在基板上，由此閘極電極350和閘絕緣層340為該絕緣材料所覆蓋，其形成夾層介電質(ILD)360。
如第12圖所(b)示，使用一遮罩的光刻和乾蝕刻處理施加於夾層介電質360以及閘絕緣層340的預定部分，從而形成溝槽362。經由溝槽362暴露主動層330的上端部分。
如第12圖(c)所示，一金屬材料沉積在基板的整個表面上並在溝槽362內(其中，所述金屬材料埋設在溝槽362內)。而後，資料電極370通過使用一遮罩的光刻與濕蝕刻處理而形成。
在溝槽362內，資料電極370與主動層330電性連接。
如第13圖(a)所示，形成第一鈍化層(PAS1)380以覆蓋夾層介電質360與資料電極370。然後，第一接觸孔382通過使用一遮罩的光刻與蝕刻處理而形成。
然後，諸如ITO的透明導電材料與金屬材料相繼沉積在第一鈍化層(PAS1)380上並在第一接觸孔382內。
如第13圖(b)所示，公共電極390以及導電線400通過使用一半色調遮罩(HTM)的遮罩的光刻、蝕刻、灰化處理，形成在第一鈍化層(PAS1)380的預定部分上並在第一接觸孔382內。換言之，公共電極390以及導電線400通過使用一遮罩而同時形成。
參閱第14圖，將描述通過使用半色調遮罩而形成公共電極390以及導電線400的詳細方法。
如第14圖(a)所示，ITO(銦-錫-氧)以及金屬材料相繼沉積在第一鈍化層(PAS1)380上，由此形成ITO層392以及金屬層402。
然後，PR層430藉由在金屬層402上塗覆光丙烯醯基材料而形成。
複數個PR圖案432通過使用半色調遮罩440的光刻法而形成在金屬層402上。如第14圖(b)所示，PR圖案432形成為一非平坦圖案(凹凸)。
換言之，PR層430通過使用半色調遮罩440而被光線照射，由此形成該等PR圖案432，以作為形成公共電極390和導電線400的遮罩。
當使用半色調遮罩440時，對應於不透明區域的PR層430保持原樣；對應於半透明區域的PR層430部分地保留；以及對應於透明區域的PR層430完全地去除。
例如，當施加50mJ～100mJ光照量的光於PR層430時，可形成該等PR圖案432。換言之，不透明區域的PR圖案具有1.5～3.0μm的高度‘h1’；以及半透明區域的PR圖案具有0.2～1.0μm的高度‘h2’。
在該等PR圖案之中，第一PR圖案的寬度a以及第二PR圖案的寬度b設計在2～5μm範圍之內。第一PR圖案的寬度a可不同於第二PR圖案的寬度b。為獲得所述線的平直度，第一PR圖案的寬度a相對較小，以及第二PR圖案的寬度b相對較大。
如第14圖(c)所示，金屬層402藉由使用該等PR圖案432作為一遮罩而首先灰化，由此形成金屬圖案404。
PR圖案432以及金屬圖形404通過第一次蝕刻所形成的臨界尺寸‘c’可不超過0.5μm。
如第14圖(d)所示，在灰化該等PR圖案432之後，ITO層392在將金屬圖形404作為一遮罩的情況下蝕刻，由此形成ITO圖案394。此時，當蝕刻ITO層392時，一有機膜可被電漿損傷，即是，光丙烯醯基材料可被電漿損傷。因此，當驅動液晶面板時，由於受損的光丙烯醯基材料可能導致斑點。為了避免該等斑點，PR圖案432的灰化處理要先執行於ITO層392的蝕刻處理。
如第14圖(e)所示，由金屬層402的第一次蝕刻而形成的金屬圖案404，在將PR圖案432的灰化處理後剩餘的PR圖案作為一遮罩的情況下，進行第二次蝕刻。通過第二次蝕刻所形成的PR圖案432以及金屬圖形404的臨界尺寸‘c’可不超過0.5μm。
如第14圖(f)所示，ITO的公共電極390藉由灰化保留在基板上的PR圖案432而形成，而導電線400由所述金屬材料形成。
如第13圖(b)所示，公共電極390以及導電線400同時形成在第一鈍化層(PAS1)380上並在第一接觸孔382內，用於暴露資料電極370。
參閱第14圖(a)至第14圖(f)，公共電極390以及導電線400通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成。
如第15圖(a)所示，第二鈍化層(PAS2)410形成在第一鈍化層(PAS1)380上，由此覆蓋公共電極390以及導電線400。
如第15圖(b)所示，第二接觸孔412通過使用一半色調遮罩(HTM)的光刻、蝕刻、灰化處理而形成在第二鈍化層(PAS2)410的預定部分內。此時，第二接觸孔412形成在對應於與資料電極370的區域內，其中第二接觸孔412暴露了與資料電極370電性連接的導電線400。
諸如ITO的透明導電材料的像素電極420形成在第二鈍化層(PAS2)410上並且也形成在第二接觸孔412內。即，第二鈍化膜(PAS2)以及像素電極420可通過使用一半色調遮罩的遮罩處理同時形成。
在第二接觸孔412內，像素電極420與導電線400電性連接。因此，資料電極370經由形成在第一接觸孔382內的公共電極390和導電線400而與像素電極420電性連接。
參閱第16圖(a)至第16圖(e)，將描述用於通過使用半色調遮罩而形成第二鈍化層(PAS2)410與像素電極420的詳細方法。
如第16圖(a)所示，形成第二鈍化層(PAS2)410以覆蓋公共電極390和導電線400。
之後，光阻層450藉由塗覆光丙烯醯基材料至第二鈍化層(PAS2)410上而形成。
然後，如第16圖(b)所示，通過使用半色調遮罩(HTM)460的光刻以及蝕刻處理而形成具有一非平坦圖案(凹凸)的複數個光阻圖案452。
也就是說，PR層45通過使用半色調遮罩460被光線照射，由此形成該等PR圖案452，以作為用於形成第二接觸孔412與像素電極420的遮罩。
由於PR層450通過使用半色調遮罩460而圖案化，從而，能夠形成具有不同寬度與厚度的該等PR圖案452。
當使用半色調遮罩460，對應於不透明區域的PR層450將保持原樣；對應於半透明區域的PR層450將部分地保留；以及對應於透明區域的PR層450將完全地去除，由此，暴露第二鈍化層(PAS2)410的預定部分。
如第16圖(c)所示，藉由使用該等PR圖案452作為遮罩來乾蝕刻第二鈍化層(PAS2)410的暴露區域，由此形成第二接觸孔412。此時，形成在第一接觸孔362內的導電線400經由第二接觸孔412而暴露。
如第16圖(d)所示，僅保留在第二鈍化層(PAS2)410的預定部分上的PR圖案452，具體地，僅在閘極電極上，由此方式而灰化PR圖案452。
然後，一ITO(銦-錫-氧)材料沉積在第二鈍化層(PAS2)410上並在灰化處理後所保留的PR圖案454上。
如第16圖(e)所示，存留在公共電極390上的PR圖案454被剝離以完成像素電極420的形成。
根據第16圖(a)至第16圖(e)的解釋，第二鈍化層(PAS2)410以及像素電極420可通過使用一半色調遮罩的遮罩處理而同時形成。
並且，第二鈍化層(PAS2)410以及像素電極420通過使用一半色調遮罩而同時形成，由此，確保用於製造過程中的邊緣對齊。
對於上述說明，主動層摻有N型雜質，但並非必須。依據本發明的另一實施例，主動層可摻有P型雜質。
依據本發明的第一實施例，使用在上述用於製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法中的遮罩數量比使用在現有技術方法中的遮罩數量少三個。與現有技術的方法相比，依據本發明的第二實施例，在上述用於製造具有內建觸控螢幕的所述LCD裝置的方法中，減少了28%(本發明的方法需要113步驟，而現有技術的方法需155步驟)的具體處理步驟。
換言之，依據本發明第二實施例，下基板使用7個遮罩便可製造，由此，依據本發明的第二實施例，用於製造具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法可減少製造成本以及提高製造效率。
在下基板上的資料電極與像素電極之間改進的接觸效率能夠提高該驅動效率。
並且，下基板由低溫多晶矽(LTPS)形成，由此，提高該驅動效率。
以上所述僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。
本申請案主張於2010年9月20日提出之韓國專利申請第10-2010-0092385號的權益，在此全部結合引用。
40．．．像素陣列
50．．．下基板
51．．．緩衝層
52．．．閘絕緣層
53．．．夾層介電質
54．．．第一鈍化層
55．．．第二鈍化層
56．．．第三鈍化層
60．．．上基板
62．．．黑色矩陣
64R．．．紅濾光鏡
64G．．．綠濾光鏡
64B．．．藍濾光鏡
66．．．保護層
71．．．光遮罩層
72．．．主動層
73．．．閘極電極
74．．．資料電極
75．．．公共電極
76．．．導電線
77．．．像素電極
100．．．下基板
110．．．光遮罩層
120．．．緩衝層
130．．．主動層
140．．．閘絕緣層
150．．．閘極電極
160．．．夾層介電質
162．．．溝槽
170．．．資料電極
180．．．第一鈍化層
182．．．第一接觸孔
190．．．公共電極
200．．．導電線
210．．．第二鈍化層
212．．．第二接觸孔
220．．．像素電極
250．．．光阻層
252．．．光阻圖案
254．．．PR圖案
260．．．半色調遮罩
300．．．下基板
330．．．主動層
340．．．閘絕緣層
350．．．閘極電極
360．．．夾層介電質
362．．．溝槽
370．．．資料電極
380．．．第一鈍化層
382．．．第一接觸孔
390．．．公共電極
392．．．ITO層
394．．．ITO圖案
400．．．導電線
402．．．金屬層
404．．．金屬圖案
410．．．第二鈍化層
412．．．第二接觸孔
420．．．像素電極
430．．．光阻層
432．．．光阻圖案
440．．．半色調遮罩
450．．．光阻層
452．．．光阻圖案
454．．．光阻圖案
460．．．半色調遮罩
所附圖式其中提供關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成本說明書的一部份，說明本發明的實施例並且描述一同提供對於本發明實施例之原則的解釋。圖式中：
第1圖說明依據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法；
第2圖為說明在依據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的下基板的橫截剖面圖；
第3圖說明依據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的製造方法；
第4圖說明在依據本發明第一實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的下基板；
第5圖說明用於製造依據本發明第一實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第6圖(a)～第6圖(c)說明用於製造依據本發明第一實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第7圖(a)～第7圖(c)說明用於製造依據本發明第一實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第8圖(a)～第8圖(b)說明用於製造依據本發明第一實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第9圖(a)～第9圖(e)說明用於製造依據本發明第一實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第10圖說明在依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的下基板；
第11圖說明用於製造依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第12圖(a)～第12圖(c)說明用於製造依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第13圖(a)～第13圖(b)說明用於製造依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第14圖(a)～第14圖(f)說明用於製造依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第15圖(a)～第15圖(b)說明用於製造依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第16圖(a)～第16圖(e)說明用於製造依據本發明第二實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
100．．．下基板
110．．．光遮罩層
120．．．緩衝層
130．．．主動層(半導體層)
140．．．閘絕緣層
150．．．閘極電極
160．．．夾層介電質
170．．．資料電極
180．．．第一鈍化層
190．．．公共電極
200．．．導電線
210．．．第二鈍化層
220．．．像素電極

Claims (27)

  1. 一種具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，包括：一基板，具有一像素區域；一薄膜電晶體，形成在所述像素區域內；一第一鈍化層，形成在所述薄膜電晶體上；一第一接觸孔，通過所述第一鈍化層的一部分而形成，以暴露資料電極；一公共電極，形成在其內包含所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上，所述公共電極可操作以感測觸碰；一導電線，形成在其內包含所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上；一第二鈍化層，形成在所述公共電極以及所述導電線上；一第二接觸孔，通過所述第二鈍化層的一部分而形成，以暴露對應於所述資料電極的所述導電線；以及一像素電極，與所述導電線電性連接，所述像素電極形成在所述第二鈍化層上並在所述第二接觸孔內，其中所述第二鈍化層和所述像素電極通過使用一半色調遮罩的一遮罩處理而同時形成。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述公共電極和所述導電線通過使用一半色調遮罩的一遮罩處理而形成。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述資料電極和所述像素電極經由所述公共電極和所述導電線而電性連接。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述薄膜電晶體係由低溫多晶矽形成。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述導電線連接於鄰近像素區域的公共電極。
  6. 依據專利申請範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述公共電極在一無顯示週期期間感測觸碰，以及在所述液晶顯示裝置的一顯示週期期間提供一公共電壓。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述第一接觸孔藉由蝕刻所述第一鈍化層的一預定部分而形成。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述第二接觸孔藉由蝕刻所述第二鈍化層的一預定部分而形成。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述之具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中，所述導電線形成在所述第一接觸孔內的所述公共電極上。
  10. 一種製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：形成具有一像素區域的一基板；形成一薄膜電晶體於所述像素區域內；形成一第一鈍化層於所述薄膜電晶體上；形成一第一接觸孔穿過所述第一鈍化層的一部分，以暴露資料電極；形成一公共電極於其內包含所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上，所述公共電極可操作以感測觸碰；形成一導電線於其內包含所述第一接觸孔的所述第一鈍化層的至少一部分上；形成一第二鈍化層於所述公共電極和所述導電線上；形成一第二接觸孔穿過所述第二鈍化層的一部分，以暴露對應於所述資料電極的所述導電線；以及形成一與所述導電線電性連接的像素電極，所述像素電極係在所述所述第二鈍化層上並在所述第二接觸孔內，其中所述第二鈍化層和所述像素電極通過使用一半色調遮罩的一遮罩處理而同時形成。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述公共電極和所述導電線通過使用一半色調遮罩的一遮罩處理而形成。
  12. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述資料電極和所述像素電極經由所述公共電極和所述導電線而電性連接。
  13. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述薄膜電晶體係由低溫多晶矽(LTPS)形成。
  14. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述導電線連接於鄰近像素區域的公共電極。
  15. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述公共電極在一無顯示週期期間感測觸碰，以及在所述液晶顯示裝置的一顯示週期期間提供一公共電壓。
  16. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述第一接觸孔藉由蝕刻所述第一鈍化層的一預定部分而形成。
  17. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述第二接觸孔藉由蝕刻第二鈍化層的一預定部分而形成。
  18. 依據申請專利範圍第10項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中，所述導電線形成在所述第一接觸孔內的所述公共電極上。
  19. 一種製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：形成一薄膜電晶體於一基板的每個像素區域內；藉由形成一第一鈍化層於所述薄膜電晶體上以及部分地蝕刻所述第一鈍化層來形成一第一接觸孔，以暴露一資料電極；形成一公共電極於所述第一鈍化層上並在所述第一接觸孔內，以及形成一與所述公共電極電性連接的導電線；藉由形成一第二鈍化層於所述公共電極與所述導電線上並部分地蝕刻所述第二鈍層來形成一第二接觸孔，以暴露對應於所述資料電極的區域內的所述導電線；以及形成一像素電極於所述第二鈍化層上並在所述第二接觸孔內，所述像素電極與所述導電線電性連接；其中所述第二鈍化層、所述第二接觸孔、和所述像素電極通過使用一遮罩進行光刻、蝕刻、以及灰化處理而同時形成。
  20. 依據申請專利範圍第19項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，所述公共電極和所述導電線通過使用一遮罩的光刻、蝕刻、以及灰化處理而同時形成。
  21. 依據申請專利範圍第19項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，所述資料電極經由所述公共電極和所述導電線與所述像素電極電性連接。
  22. 依據申請專利範圍第19項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，所述薄膜電晶體係由低溫多晶矽(LTPS)形成。
  23. 依據申請專利範圍第19項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，所述導電線連接於鄰近像素區域的公共電極。
  24. 依據申請專利範圍第19項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，所述遮罩相當於一半色調遮罩，該半色調遮罩包括不透光的一不透明區域、部分地透光的一半透明區域、以及透光的一透明區域。
  25. 依據申請專利範圍第20項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，進一步包括以下步驟：藉由通過使用一半色調遮罩圖案化光阻層，形成具有不同寬度和厚度的複數個光阻圖案於金屬層上；以及形成所述公共電極和所述導電線，使得該等光阻圖案作為一遮罩使用。
  26. 依據申請專利範圍第25項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，在所述像素電極形成期間，該等光阻圖案的至少其中之一的至少一部分具有一大於保留部份的厚度。
  27. 依據申請專利範圍第20項所述之製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，形成所述公共電極和所述導電線的過程包含以下步驟：相繼地形成一銦錫氧化物(ITO)層和一金屬層於所述第一鈍化層上並在所述第一接觸孔內；形成一光阻層於所述金屬層上；藉由通過使用一半色調遮罩圖案化光阻層，形成具有不同寬度和厚度的複數個光阻圖案於所述金屬層上；在該等光阻圖案作為一遮罩使用的情況下，蝕刻所述ITO層和所述金屬層；以及灰化該等光阻圖案。
TW100128395A 2010-09-20 2011-08-09 具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法 TWI454789B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100092385A KR101753802B1 (ko) 2010-09-20 2010-09-20 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201213943A TW201213943A (en) 2012-04-01
TWI454789B true TWI454789B (zh) 2014-10-01

Family

ID=44650886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100128395A TWI454789B (zh) 2010-09-20 2011-08-09 具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9218082B2 (zh)
EP (1) EP2431846B1 (zh)
KR (1) KR101753802B1 (zh)
CN (1) CN102411239B (zh)
TW (1) TWI454789B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI658386B (zh) * 2016-10-31 2019-05-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 內嵌式觸控顯示裝置
TWI739056B (zh) * 2018-09-04 2021-09-11 中國商京東方科技集團股份有限公司 陣列基板及其製造方法、以及顯示面板

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101284709B1 (ko) * 2010-09-20 2013-07-16 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시장치와 이의 제조방법
KR101887235B1 (ko) * 2011-08-17 2018-08-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조방법
KR101936773B1 (ko) * 2012-07-03 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치의 제조방법
CN103577005A (zh) * 2012-08-01 2014-02-12 奕力科技股份有限公司 电容式触控面板及其模块
CN103309070B (zh) * 2012-09-24 2016-08-17 上海天马微电子有限公司 触控式液晶显示装置
TWI482223B (zh) * 2012-11-01 2015-04-21 Rtr Tech Technology Co Ltd 觸控面板之製造方法
JP2014095795A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Japan Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
KR101318448B1 (ko) 2012-12-11 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치 및 그 제조방법
CN103887234A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 北京京东方光电科技有限公司 一种tft阵列基板及其制造方法
CN103207719A (zh) * 2013-03-28 2013-07-17 北京京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
TW201439836A (zh) * 2013-04-15 2014-10-16 Emerging Display Tech Corp 觸控面板及其製法
US10642116B2 (en) * 2013-05-01 2020-05-05 Apple Inc. Display pixels with improved storage capacitance
KR102112090B1 (ko) * 2013-10-23 2020-05-18 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서 일체형 표시장치
CN103713792B (zh) * 2013-12-23 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和触摸显示装置
KR102256312B1 (ko) 2014-02-12 2021-05-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 갖는 액정 표시 패널 및 이의 제조방법
KR102182428B1 (ko) 2014-02-18 2020-11-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US10564779B2 (en) 2014-04-25 2020-02-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and touch display device
KR101577659B1 (ko) * 2014-04-29 2015-12-16 엘지디스플레이 주식회사 표시장치용 어레이 기판의 리워크 방법 및 어레이 기판
WO2015183334A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-03 Pylemta Management Llc Narrow border touch screen
KR102272045B1 (ko) * 2014-10-10 2021-07-02 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102279884B1 (ko) * 2014-12-05 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN104466020B (zh) * 2014-12-12 2017-12-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种ltps像素单元及其制造方法
CN104538400B (zh) * 2014-12-16 2017-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种ltps阵列基板
KR101661039B1 (ko) * 2014-12-30 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 인-셀 방식 터치 센서를 구비한 초고 해상도 평판 표시장치
CN104538353B (zh) * 2014-12-30 2018-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅(ltps)产品结构及制造方法
CN104465674B (zh) * 2014-12-31 2018-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅(ltps)产品结构及制造方法
KR101757675B1 (ko) * 2014-12-31 2017-07-17 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR101798433B1 (ko) * 2014-12-31 2017-11-17 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR102417266B1 (ko) * 2015-01-27 2022-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 접촉 감지 방법
CN110571227B (zh) * 2015-04-15 2021-12-07 群创光电股份有限公司 显示面板
CN106249493B (zh) * 2015-06-05 2019-10-11 群创光电股份有限公司 显示装置
KR102390430B1 (ko) * 2015-07-03 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN104965365A (zh) * 2015-07-14 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其阵列基板
US20170017327A1 (en) * 2015-07-17 2017-01-19 Innolux Corporation Touch display device
CN105448933B (zh) * 2015-11-24 2018-10-30 深圳市华星光电技术有限公司 用于液晶面板中的阵列基板及其制作方法
CN105573549B (zh) * 2015-12-08 2018-12-25 上海天马微电子有限公司 阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法
CN105786256A (zh) * 2016-03-21 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及显示装置
CN106094373A (zh) * 2016-06-02 2016-11-09 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板及其制作方法
KR101714354B1 (ko) 2016-07-18 2017-03-09 삼성정밀공업 주식회사 가구도어의 점프거리를 증대하는 가구힌지
CN106206429B (zh) * 2016-09-05 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
TWI622911B (zh) * 2017-02-14 2018-05-01 宏碁股份有限公司 觸控裝置
CN107024813B (zh) * 2017-06-06 2020-10-02 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN107256873B (zh) * 2017-07-19 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法
CN109725450B (zh) * 2017-10-30 2022-02-08 瀚宇彩晶股份有限公司 显示面板与其制造方法
JP2022180090A (ja) * 2021-05-24 2022-12-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN114137771B (zh) 2021-12-08 2023-08-01 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200725904A (en) * 2005-12-30 2007-07-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method of fabricating the same
TW200802882A (en) * 2006-06-29 2008-01-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US20100193257A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Steven Porter Hotelling Touch sensor panels with reduced static capacitance
CN101825966A (zh) * 2009-02-02 2010-09-08 苹果公司 集成触摸屏

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0208655D0 (en) * 2002-04-16 2002-05-29 Koninkl Philips Electronics Nv Electronic device with display panel and user input function
US7057208B2 (en) * 2003-03-25 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR20070082644A (ko) * 2006-02-17 2007-08-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치
KR101374887B1 (ko) * 2006-05-16 2014-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR101365012B1 (ko) * 2007-10-08 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 갖는 표시 장치 및 이의제조방법
KR101048927B1 (ko) * 2008-05-21 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
DE202009001814U1 (de) 2009-02-12 2009-04-30 Bauer Maschinen Gmbh Fräszahn für eine Schlitzwandfräse

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200725904A (en) * 2005-12-30 2007-07-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method of fabricating the same
TW200802882A (en) * 2006-06-29 2008-01-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US20100193257A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Steven Porter Hotelling Touch sensor panels with reduced static capacitance
CN101825966A (zh) * 2009-02-02 2010-09-08 苹果公司 集成触摸屏

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI658386B (zh) * 2016-10-31 2019-05-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 內嵌式觸控顯示裝置
TWI660297B (zh) * 2016-10-31 2019-05-21 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 內嵌式觸控顯示裝置
US10613660B2 (en) 2016-10-31 2020-04-07 Lg Display Co., Ltd. In-cell touch display device
US10942593B2 (en) 2016-10-31 2021-03-09 Lg Display Co., Ltd. In-cell touch display device
TWI739056B (zh) * 2018-09-04 2021-09-11 中國商京東方科技集團股份有限公司 陣列基板及其製造方法、以及顯示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN102411239B (zh) 2014-06-25
CN102411239A (zh) 2012-04-11
KR101753802B1 (ko) 2017-07-04
US20120068944A1 (en) 2012-03-22
TW201213943A (en) 2012-04-01
EP2431846A1 (en) 2012-03-21
KR20120030704A (ko) 2012-03-29
EP2431846B1 (en) 2016-12-21
US9218082B2 (en) 2015-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI454789B (zh) 具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法
TWI452384B (zh) 具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法
US10437118B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9036105B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR101936773B1 (ko) 액정 디스플레이 장치의 제조방법
US8698971B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101749146B1 (ko) 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법
KR101608637B1 (ko) 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법
TWI448776B (zh) 液晶顯示裝置及其製造方法
KR101887371B1 (ko) 액정 표시장치와 이의 제조방법
KR20150125160A (ko) 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법
KR20130033827A (ko) 액정 표시장치와 이의 제조방법
KR20130033829A (ko) 액정 표시장치와 이의 제조방법
KR101863148B1 (ko) 액정 표시장치와 이의 제조방법