TW201439836A - 觸控面板及其製法 - Google Patents
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Abstract
一種觸控面板及其製法,係先準備一基材,該基材包含有依序堆疊的一基板、一緩衝層與一透明導電層,接著蝕刻該透明導電層而形成複數第一電極串、複數第二電極與一無效電極,並於無效電極的表面形成遮光層,再依序形成絕緣層、架橋導線、信號線路與保護層而完成觸控面板;由於基材已包含有緩衝層與透明導電層,因此本創作不需進行形成緩衝層與透明導電層之步驟以簡化製程,而能提高觸控面板的產能,又第一電極串與第二電極製程在遮光層製程之後進行,因此防止遮光層在形成第一電極串與第二電極時發生碳化的現象。
Description
本創作是關於一種觸控面板,特別是指可簡化製程並避免遮光層碳化的觸控面板及其製法。
請參考圖5A所示,現有觸控面板的製法首先準備一基板20,該基板20一般為透明玻璃基板。
請參考圖5B所示,於基板20表面形成一透明緩衝層21,該透明緩衝層21定義有一作動區與一非作動區,該非作動區位於該作動區的外圍。
請參考圖5C所示,於形成透明緩衝層21後,係在透明緩衝層21的非作動區表面形成一遮光層(Black Matrix)22。
請參考圖5D與圖6所示,在形成遮光層22後,係在該透明緩衝層21的作動區與遮光層22的表面形成一透明導電層,接著蝕刻該透明導電層以在作動區中形成複數第一電極串23與複數第二電極24,以及在遮光層22的表面形成信號線路25。各第一電極串23包含有複數個第一電極231,且相鄰的第一電極231間由一導線232連接,該些信號線路25分別連接第一電極231與第二電極24,其中第一電極231與第二電極24分別為氧化銦錫(ITO)電極。
請參考圖5E所示,於形成第一電極串23與第二電極24後,係在各導線232上形成一絕緣層26。
請參考圖5F與圖7所示,於形成絕緣層26後,係在各絕緣層26的表面形成一架橋導線27,及同時在各信號線路25的表面形成一金屬線路28,其中該架橋導線27電連接兩相鄰的第二電極24。
請參考圖5G所示,於形成金屬線路28與架橋導線27後,係在該接金屬線路28與架橋導線27上形成保護層29,保護層29覆蓋金屬線路28與架橋導線27以將金屬線路28與架橋導線27與外界隔絕,避免金屬線路28與架橋導線27遭到氧化。當形成保護層29後,即完成一觸控面板。
然而,在形成第一電極串23與第二電極24的步驟之前,需要在基板20上先形成透明緩衝層21,再於透明緩衝層21表面形成透明導電層,接著蝕刻該透明導電層才能形成第一電極串23與第二電極24,如此步驟繁複,降低觸控面板的產能。此外,由於第一電極串23與第二電極24之製程在遮光層22製程之後,第一電極串23與第二電極24的製程溫度將導致該遮光層22產生碳化而剝落,使氧化銦錫(ITO)之鍍膜腔體受到汙染,另外碳化的遮光層22將具有導電效果,導致信號線路25之間形成短路,從而影響觸控面板成品的品質。
本創作的主要目的是提供一種觸控面板及其製法,除了簡化觸控面板的製程以提高觸控面板的產能,
還具有防止遮光層在觸控面板的製程中發生碳化的缺點。
該觸控面板包含有:一基板;一緩衝層,形成在該基板的表面且定義有一作動區與一非作動區,該非作動區位在該作動區的外圍;一無效電極,形成在該緩衝層的非作動區;一遮光層,形成在該無效電極的表面;複數第一電極串,並列地形成在該緩衝層的作動區且分別包含有複數第一電極,相鄰的第一電極由一導線連接,且該些第一電極串與該無效電極維持絕緣;複數第二電極,形成在該緩衝層的作動區且與該無效電極和第一電極串維持絕緣;複數絕緣層,分別覆蓋該些導線;複數架橋導線,分別形成在該些絕緣層的表面以電連接兩相鄰的第二電極;複數信號線路,形成在該遮光層的表面並電連接該些第一電極與第二電極;以及保護層,分別覆蓋架橋導線與信號線路。
該觸控面板製法包含有以下步驟:準備一基材,該基材包含有依序堆疊的一基板、一緩衝層與一透明導電層,該透明導電層定義有一作動區與一非作動區,該非作動區位在該作動區的外圍;蝕刻該透明導電層而形成複數第一電極串、複數第二電極與一無效電極,該複數第一電極串與複數第二電極位於作動區,各第一電極串包含有複數第一電極,相鄰的第一
電極由一導線連接,該無效電極位於該非作動區,該無效電極、複數第一電極串與複數第二電極彼此電性隔離;形成一遮光層於該無效電極的表面;形成一絕緣層在各導線上;形成複數信號線路於遮光層的表面,及形成架橋導線於各絕緣層上,該些信號線路分別連接第一與第二電極,該架橋導線電連接相鄰的第二電極;以及形成保護層以覆蓋信號線路與架橋導線。
是以,在準備基材的步驟中,相較於先前技術,因該基材已包含有緩衝層與透明導電層,因此本創作不需進行形成緩衝層與透明導電層之步驟,整體而言,本創作能簡化觸控面板的製程,藉此提高觸控面板的產能;再者,由於第一電極串與第二電極之製程在遮光層製程之前,因此遮光層不會因第一電極串與第二電極之製程而發生碳化,藉此提升觸控面板成品的品質。
11‧‧‧基板
12‧‧‧緩衝層
13‧‧‧透明導電層
130‧‧‧無效電極
131‧‧‧第一電極串
132‧‧‧第二電極
133‧‧‧第一電極
134‧‧‧導線
14‧‧‧遮光層
15‧‧‧絕緣層
16‧‧‧信號線路
17‧‧‧架橋導線
18‧‧‧保護層
20‧‧‧基板
21‧‧‧透明緩衝層
22‧‧‧遮光層
23‧‧‧第一電極串
231‧‧‧第一電極
232‧‧‧導線
24‧‧‧第二電極
25‧‧‧信號線路
26‧‧‧絕緣層
27‧‧‧架橋導線
28‧‧‧金屬線路
29‧‧‧保護層
圖1A~1F:本創作製法的流程示意圖。
圖2:本創作製法中形成無效電極、第一電極串與第二電極的平面示意圖。
圖3:本創作製法中形成架橋導線與信號線路的平面示意圖。
圖4:本創作製法中形成保護層的平面示意圖。
圖5A~5G:現有觸控面板製法的流程示意圖。
圖6:現有觸控面板製法中形成第一電極串、第二電極
與信號線路的平面示意圖。
圖7:現有觸控面板製法中形成架橋導線與金屬線路的平面示意圖。
請參考圖1A所示,本創作首先準備一基材10,該基材10包含有依序堆疊的一基板11、一緩衝層12與一透明導電層13,該透明導電層13定義有一作動區與一非作動區,該非作動區位在該作動區的外圍。
請參考圖1B與圖2所示,接著蝕刻該透明導電層13,使該透明導電層13形成一無效電極130、複數第一電極串131與複數第二電極132。該無效電極130位於該非作動區,複數第一電極串131與複數第二電極132位於作動區。各第一電極串131包含有複數第一電極133,相鄰的第一電極133間由一導線134連接,無效電極130、第一電極串131與複數第二電極132彼此電性隔離。本較佳實施例中,第一電極133與第二電極132分別為氧化銦錫(ITO)電極。
請參考圖1C所示,於蝕刻製程完成後,在該無效電極130的表面形成一遮光層14,其中該遮光層14的寬度略大於無效電極130的寬度。
請參考圖1D所示,於形成遮光層14後,係在各導線134上形成一絕緣層15。
請參考圖1E與圖3所示,於形成絕緣層15後,係在遮光層14的表面形成複數信號線路16,同時在各絕緣層15上形成架橋導線17,該架橋導線17電連接相鄰的
第二電極132,成串的第二電極132與架橋導線17構成第二電極串,第一電極串131與第二電極串絕緣交錯。本較佳實施例中,該些信號線路16分別從遮光層14的表面延伸到第一與第二電極133、132的表面而分別與第一與第二電極133、132電連接。
請參考圖1F與圖4所示,於形成信號線路16與架橋導線17後,形成保護層18以覆蓋遮光層14、信號線路16與架橋導線17,以將遮光層14、信號線路16與架橋導線17隔絕於外界,藉此完成一觸控控面板。
請參考圖1F與圖4所示,經由上述步驟完成的觸控面板包含有一基板11、一緩衝層12、一無效電極130、一遮光層14、複數第一電極串131、複數第二電極132、複數絕緣層15、複數架橋導線17、複數信號線路16與保護層18。
該基板11可為透明玻璃基板。
該緩衝層12形成在該基板11的表面,該緩衝層12的表面定義有一作動區與一非作動區,該非作動區位在該作動區的外圍。
該無效電極130形成在該緩衝層12的非作動區。
該遮光層14形成在該無效電極130的表面,該遮光層14的寬度略大於無效電極130的寬度。
該些第一電極串131並列地形成在該緩衝層12的作動區且包含有複數第一電極133,相鄰的第一電極133由一導線134連接。該些第一電極串131與該無效電
極130維持絕緣。
該些第二電極132形成在該緩衝層12的作動區且與該無效電極130和第一電極串131維持絕緣。本較佳實施例中,該無效電極130、第一電極133與第二電極132分別為氧化銦錫(ITO)電極。
該些絕緣層15分別形成在該些導線134的表面以覆蓋導線134。
該些架橋導線17分別形成在該些絕緣層15的表面以電連接兩相鄰的第二電極132。其中架橋導線17為透明導線,例如氧化銦錫(ITO)導線、銀奈米導線、銅奈米導線或氧化鋅(ZnO)導線等透明導線。
該些信號線路16形成在該遮光層14的表面並電連接該些第一電極133與第二電極132,該些信號線路16分別從遮光層14的表面延伸到第一與第二電極133、132的表面而分別電連接第一與第二電極133、132。其中信號線路16為透明導電線路,例如氧化銦錫(ITO)線路、銀奈米線路、銅奈米線路、氧化鋅(ZnO)線路等透明導電線路。
保護層18係分別覆蓋架橋導線17與信號線路16。
綜上所述,本創作製法在準備基材10的步驟中,該基材10係已包含有依序堆疊的基板11、緩衝層12與透明導電層13,因此本創作不用進行形成緩衝層12與透明導電層13的步驟,故本創作相較於先前技術能簡化製程並提高觸控面板的產能。此外,由於本創作形成第一電極串131與第二電極132的步驟是在形成遮光層14的步驟
之前,相較於先前技術,遮光層14不會因形成第一電極串131與第二電極132的製程溫度而產生碳化,確保觸控面板成品的品質。
11‧‧‧基板
12‧‧‧緩衝層
130‧‧‧無效電極
132‧‧‧第二電極
134‧‧‧導線
14‧‧‧遮光層
15‧‧‧絕緣層
16‧‧‧信號線路
17‧‧‧架橋導線
18‧‧‧保護層
Claims (10)
- 一種觸控面板,包含有:一基板;一緩衝層,形成在該基板的表面且定義有一作動區與一非作動區,該非作動區位在該作動區的外圍;一無效電極,形成在該緩衝層的非作動區;一遮光層,形成在該無效電極的表面;複數第一電極串,並列地形成在該緩衝層的作動區且分別包含有複數第一電極,相鄰的第一電極由一導線連接,且該些第一電極串與該無效電極維持絕緣;複數第二電極,形成在該緩衝層的作動區且與該無效電極和第一電極串維持絕緣;複數絕緣層,分別覆蓋該些導線;複數架橋導線,分別形成在該些絕緣層的表面以電連接兩相鄰的第二電極;複數信號線路,形成在該遮光層的表面並電連接該些第一電極與第二電極;以及保護層,分別覆蓋架橋導線與信號線路。
- 如請求項1所述的觸控面板,其中該些信號線路分別從遮光層的表面延伸到第一與第二電極的表面而分別電連接第一與第二電極。
- 如請求項1或2所述的觸控面板,該無效電極、第一電極與第二電極分別為氧化銦錫(ITO)電極。
- 如請求項3所述的觸控面板,該遮光層的寬度大於無效電極的寬度。
- 如請求項1或2所述的觸控面板,其中架橋導線為透明導線,且信號線路為透明線路。
- 如請求項5所述的觸控面板,其中架橋導線為氧化銦錫(ITO)導線、銀奈米導線、銅奈米導線或氧化鋅(ZnO)導線,且信號線路為氧化銦錫(ITO)線路、銀奈米線路、銅奈米線路、氧化鋅(ZnO)線路。
- 一種觸控面板製法,包含有以下步驟:準備一基材,該基材包含有依序堆疊的一基板、一緩衝層與一透明導電層,該透明導電層定義有一作動區與一非作動區,該非作動區位在該作動區的外圍;蝕刻該透明導電層而形成複數第一電極串、複數第二電極與一無效電極,該複數第一電極串與複數第二電極位於作動區,各第一電極串包含有複數第一電極,相鄰的第一電極由一導線連接,該無效電極位於該非作動區,該無效電極、複數第一電極串與複數第二電極彼此電性隔離;形成一遮光層於該無效電極的表面;形成一絕緣層在各導線上;形成複數信號線路於遮光層的表面,及形成架橋導線於各絕緣層上,該些信號線路分別連接第一與第二電極,該架橋導線電連接相鄰的第二電極;以及形成保護層以覆蓋信號線路與架橋導線。
- 如請求項7所述的觸控面板製法,在形成信號線路的步驟中,該些信號線路分別從遮光層的表面延伸到第一與第二電極的表面而分別連接第一與第二電極。
- 如請求項8所述的觸控面板製法,其中第一電極與第 二電極分別為氧化銦錫(ITO)電極。
- 如請求項9所述的觸控面板製法,其中架橋導線為透明導線,且信號線路為透明線路。
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