JP6695711B2 - 表示装置及び表示装置のタッチ検出方法 - Google Patents
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Description
該センサ駆動制御部は、
前記複数の前記共通電極のうち少なくとも1つをセンシング用に選択し、他の共通電極を非センシング用に選択するスイッチ駆動回路と、
前記センシング用に選択された前記共通電極にパルス状のセンサ信号を与えるセンシング回路と、
前記非センシング用に選択された前記他の共通電極の少なくとも1つを、オフ状態に制御されて、フローティング状態にする第1スイッチを備えた選択回路と、
第1配線である前記ゲート線及び第2配線である前記データ線とは異なり、前記データ線と同じ方向に設けられて複数の前記共通電極のそれぞれが半導体スイッチング素子を介して接続され、タッチ検出期間には前記センサ信号が供給される一方の第3配線と、
前記一方の第3配線と並列に設けられて複数の前記共通電極のそれぞれが半導体スイッチング素子を介して接続され、前記タッチ検出期間を除く表示期間には共通電圧のラインに接続され、前記タッチ検出期間にはガード信号のラインに接続される他方の第3配線を備える。
該センサ駆動制御部は、前記複数の前記共通電極の少なくとも一つを選択してセンシング状態に設定したセンサ電極とし、他の選択した共通電極をフローティング状態に設定したフローティング電極とし、さらに、前記センサ駆動制御部は、前記センシング状態の前記センサ電極の隣の共通電極を選択してガード状態のガード電極に設定する。
該センサ駆動制御部は、前記複数の前記共通電極の少なくとも一つを選択してセンシング状態に設定したセンサ電極とし、当該センサ電極にセンサ信号を入力して当該センサ信号の変化を検出する自己容量方式として制御する。
該センサ駆動制御部は、タッチを検出するための少なくとも1つの検知回路と、当該検知回路と特定の共通電極とを選択的に接続する複数の選択回路とを備える。
複数の前記共通電極の少なくとも一つを選択してセンシング状態に設定してセンサ電極とし、前記センシング状態のセンサ電極の少なくとも隣の共通電極を選択してガード状態に設定してガード電極とし、他の選択した共通電極をフローティング状態に設定してフローティング電極とする。
はじめに、本発明の各実施の形態に係るタッチ検出機能付き表示装置において用いられる、自己容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。
図1は自己容量方式(「セルフ検出方式」ともいう)によるタッチ検出の概略を示している。当該タッチ検出とは、検出電極を用いて当該センサ電極への被検出物の接触又は近接を検出することをいう。
図1に示す如く、自己容量方式によるタッチ検出は、センサ電極100にセンサ信号101を供給すると共に、ヒトの指やペン等の誘電体と見做せる被検出物(以下、これらを単に被検出物と称する)Oのセンサ電極100への接触又は近接に伴う当該センサ信号の変化を読取ることにより行われる。
当該自己容量方式によるタッチ検出は、センサ電極が有する容量Cx1を利用すると共に、センサ電極100に近接する被検出物Oにより生じる容量Cx2を利用する。
以下、図面を参照しながら第1の実施形態に係るタッチ機能付き表示装置及びその駆動方法について詳細に説明する。
なお、以下では、表示面11の法線方向から該表示面11を視認する状態を平面視と称する。
また、液晶表示パネル2には、表示面11に画像を表示させる矩形状の表示領域12が設けられていると共に、平面視で当該表示領域12を包囲する非表示領域13が設けられている。
なお、本実施形態においては、表示領域12は矩形状とされているが、当該表示領域12はその他の多角形状や円形状、楕円形状等、他の形状を採用することも可能である。また、当該液晶表示パネル2も平面視で矩形状とされているが、表示面11に合わせてその他の多角形状や円形状、楕円形状等の形状を採用可能である。また、液晶表示パネル2と表示面11の形状は同じ種類の形状を呈している必要はなく、それぞれが別の形状を呈している構成も採用可能である。加えて、液晶表示パネル2を面外方向に変形させた曲面パネルとする構成も採用可能である。
なお、以下では、表示面11への被検出物の接触及び近接を含めてタッチと称する。またセンサ駆動制御部60は、図3では、駆動制御部40内にあるように示されているが、この構成に限定されるものではない。センサ駆動制御部60は、駆動制御部50を内蔵している集積回路(IC)(つまり制御部54)内にその主要を形成してもよいし、これとは独立した別の電子回路として第1基板SUB1上に主要部を形成しても構わない。或いはセンサ駆動制御部60は、フレキシブルプリント基板(FPC)上に電子回路としてその主要部を形成してもよいし、FPCを介して接続される他のIC内にその一部が設けられていても構わない。このセンサ駆動制御部60は、後でも説明するがその一部が表示領域内にも形成されているし、またスイッチ駆動回路80をも含む。
以下、表示領域12、表示駆動制御部50及びセンサ駆動制御部60について順次説明する。
ゲート線20は、第1方向Xに向けて延出し、該第1方向Xに直交する第2方向Yに間隔を空けて並べられている。
データ線21は、第2方向Yに向けて延出し、第1方向Xに間隔を空けて並べられており、これによって平面視で複数のゲート線20と交差する状態となっている。
複数の共通電極26は、表示領域12にマトリクス状に配置されている。各共通電極26に対して複数の画素電極22が対向している。
上記のように、複数のゲート線20とデータ線21とが平面視で互いに交差した状態で配置されることにより、表示領域12には、これらゲート線20とデータ線21によって区画される複数の画素領域27が形成される。複数の画素領域27は、表示領域12内で第1方向Xと第2方向Yに沿ってマトリクス状に設けられる。したがって、当該表示領域12には、m×n個の画素領域27が形成される(但し、m及びnは正の整数である)。
なお、当該第1方向Xと第2方向Yとは互いに交差していればよく、上述の如き直交状態のみならず、略直交等、直交以外の状態で交差している場合も含む。
また、上述の如く、本実施形態では画素領域27がマトリクス状に配置されている点に鑑み、以下では当該第1方向Xを行方向、第2方向Yを列方向とも称する。
また、ゲート線20やデータ線21は、本実施形態はそれぞれの方向に直線状に延出して形成されているが、画素領域27単位で波型に折れ曲がっている等、一部又は複数個所で屈曲している構成を採用することも可能である。
画素スイッチング素子28は、薄膜トランジスタ(TFT)により形成されており、該薄膜トランジスタのベースがゲート線20に接続され、ソース側がデータ線21に接続され、ドレイン側が画素電極22に接続されている。
図5に示す如く、第1基板3と第2基板4とは所定のセルギャップGを設けた状態でシール材(図示省略)を介して貼り合わされている。シール材は、非表示領域13にて表示領域12に沿って矩形状に周回して設けられている。液晶層5は、これら第1基板3、第2基板4及びシール材で囲われた空間に封入されている。また、液晶層5には、これら一対の基板3、4のセルギャップGを一定に保つ複数のスペーサ7が設けられている。
第1基板3の内面上には、さらに、ゲート線20及びゲート絶縁膜34を覆って第2絶縁層35が設けられており、該第2絶縁層35の上に複数のデータ線21が形成されている。また、当該データ線21と同層には、半導体層33と対向する位置に一対の電極部36(36a,36b)が形成されており、当該一対の電極部36が第2絶縁層35及びゲート絶縁膜34を介して半導体層33とコンタクトしている。これらゲート線20、半導体層33及び一対の電極部36によって、画素スイッチング素子28が形成される。
なお、本実施形態では、画素スイッチング素子28として、所謂トップゲート型TFTが採用されているが、半導体層33とゲート線20の上下関係を入れ替えたボトムゲート型TFTを採用することも可能である。また、画素スイッチング素子28の半導体層33は、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。
図3に示す如く、共通電極26は、表示領域12内において、複数(例えば20画素領域×20画素領域)の画素領域27に対向可能な大きさを有する四角形状に形成されており、第1方向X及び第2方向Yに向かってマトリクス状に並べられている。
本実施形態では、このように複数の共通電極26をマトリクス状に並べた配置とすることにより、当該共通電極26をタッチ検出のセンサ電極としても用いる。タッチ検出ための具体的構成については後述する。
画素電極22は、平面視でゲート線20とデータ線21とで区画される画素領域27ごとに設けられており、第4絶縁層39を介して共通電極26と対向している。また、画素電極22は、複数のライン部25の間にスリット24を形成した櫛歯状(図4の平面視を参照)に形成されており、第3絶縁層38と共通電極26の開口部を介して画素スイッチング素子28の電極部36aにコンタクトしている。
共通電極26及び画素電極22は、例えば、ITOやIZOなどの透明な導電材料によって形成されている。また、上記複数種の絶縁層32、35、38、39やゲート絶縁膜34、平坦化膜37は、いずれもポリイミド樹脂などの有機絶縁材料、窒化珪素、酸化珪素等の無機絶縁材料等で形成されている。
さらに、液晶層5を構成する液晶分子のプレチルト角を規定する第1配向膜(図示省略)が、画素電極22及び第4絶縁層39を覆って設けられている。
図6Aに示す如く、メイン制御部54は、マルチプレクサ53を介してデータ線21を駆動するためのデータ線駆動回路55を備える。またメイン制御部54は、これらデータ線駆動回路55、ゲート線駆動回路51、及びマルチプレクサ53を制御するためのタイミングコントローラ(又は制御部)57を備えている。図6Aは、本実施形態の構成を分かり易くするために、表示に寄与する構成要素を主として示している。後で説明するように、図6Bは、タッチ検出に寄与する構成要素を主として示している。実際の装置は、図6Aと図6Bに示す構成要素が一体となっている。
また、複数のデータ線21は、表示領域12の外側まで引き出され、マルチプレクサ53に接続されている。図6Aには、後で説明するようにタッチ検出のときに利用される第3配線77a、77bが示されている。この第3配線77a、77bは、第2配線であるデータ線21に対して絶縁層を介して重なる位置に形成されている。
なお、第3配線77(77a、77b)は、上記構成に限定されず、共通電極26に対して少なくとも一対の第3配線77a、77bが設けられる構成であれば、いかなる数の第3配線77が設けられていてもよい。例えば第3配線77がすべてのデータ線21と重ねて配置されることにより、各共通電極26は、データ線21と同じ数(同じペア)だけの第3配線77(77a、77b)と対向してもよい。この場合、第3配線77は、ダミー配線として利用される場合がある。
このように、当該選択スイッチング素子81(81a、81b)が設けられる画素領域27は、その分だけ表示に供する開口率が低下し、ひいては輝度が低下する。かかる観点から、当該選択スイッチング素子81(81a、81b)が設けられる画素としては、青(B)に対応した画素領域27が好ましい。
具体的には、選択スイッチング素子81aは、画素スイッチング素子28の半導体層33と同層に形成された半導体層82を備えると共に、当該画素スイッチング素子28の一対の電極部36a、36bと同層に一対の電極部83a、83bを備えている。これら一対の電極部83a、83bは、ゲート絶縁膜34を介して半導体層82にコンタクトされている。また、当該選択スイッチング素子81aの半導体層82と対向する位置にも、遮光層84が設けられている。当該遮光層84は、画素スイッチング素子28の遮光層31と同層に形成されている。
なお、本実施形態では、選択スイッチング素子81の遮光層84、半導体層82、一対の電極部83a、83bを画素スイッチング素子28の各対応する構成要素と同層に形成している。これにより、画素スイッチング素子28を形成する工程でかかる選択スイッチング素子81a、81bを形成することができ、当該選択スイッチング素子81a、81bを形成することによる工程の増加を抑制することができる。一方、当該選択スイッチング素子81a、81bの各構成を画素スイッチング素子28の各構成とは異なる層に形成する構成や別途設ける構成を採用することも可能である。
上記スイッチ線79a、79bは、ゲート線20と同層に形成されており、ゲート線20と同じく第2絶縁層35に覆われている(図4、図5ではスイッチ線79aが現れている)。
また、図3、図4、図6Bに示す如く、スイッチ線79a、79bは、ゲート線20と同じく第1方向Xに向けて延出する共に、第2方向Yに向けて所定の間隔を有して設けられている。より具体的には、スイッチ線79a、79bが、行方向に並ぶ複数の共通電極26ごとに2本ずつ設けられている。
例えば、スイッチ線79aにスイッチ信号が入力されると、選択スイッチング素子81aは当該信号を受けてオン状態となり、共通電極26と一方の第3配線77aとが接続状態となる。当該スイッチ線79aにスイッチ信号が供給されていない状態では選択スイッチング素子81aはオフ状態となり、共通電極26と一方の第3配線77aとが非接続状態となる。また、スイッチ線79bにスイッチ信号が入力されると、選択スイッチング素子81bはオン状態となり、共通電極26と一方の第3配線77bとが接続状態となる。当該スイッチ線79bにスイッチ信号が供給されていない状態では選択スイッチング素子81bはオフ状態となり、共通電極26と一方の第3配線77bとが非接続状態となる。
したがって、1つの共通電極26と、第3配線77a又は77bとの接続状態をON,非接続状態をOFFとして表すと、スイッチ線79aと79bからのスイッチ信号の有無により、以下のセンシング状態、ガード状態、及びフローティング状態を得ることができる。
<センシング状態>
スイッチ線79aからのスイッチ信号「有」・・・選択スイッチング素子81a「ON」
スイッチ線79bからのスイッチ信号「無」・・・選択スイッチング素子81b「OFF」
なお「有」は例えばハイレベル、「無」は例えばローレベルである。
このセンシング状態にある共通電極26は、センシング(又はセンサ)電極と称してもよい。
<ガード状態>
スイッチ線79aからのスイッチ信号「無」・・・選択スイッチング素子81a「OFF」
スイッチ線79bからのスイッチ信号「有」・・・選択スイッチング素子81b「ON」
このガード状態にある共通電極26は、非センシング電極又はガード電極と称してもよい。
<フローティング状態>
スイッチ線79aからのスイッチ信号「無」・・・選択スイッチング素子81a「OFF」
スイッチ線79bからのスイッチ信号「無」・・・選択スイッチング素子81b「OFF」
このフローティング状態にある共通電極26は、非センシング電極又はフローティング電極と称してもよい。
図6Bにおいて、26Lは、複数の共通電極26で形成されるX方向の各行を示している。ここで共通電極26の各行は、上記したスイッチ線79a、79bからのスイッチ信号の有無の組み合わせに応じて、上記した各種の状態を得ることができる。
図6Bは、タッチ検出が行われる期間の一例を示している。当該タッチ検出では、所定の行に属する共通電極26をセンサ電極26(SE)として選択するものであり、当該所定の行を行26ALとする。このとき、行26ALがセンシング状態となる。この行26ALに隣接する上下の行は、それぞれガード状態として制御される。即ち、センシング状態にあるセンサ電極行26ALの隣の行でガード状態となる一対の行26GLは、センサ電極26(SE)に生じる電界が当該センサ電極よりも外方に発散してしまうのを抑制すべく、ガード信号が入力されるものとなっているのである。
また、行26FLは、センサ電極26(SE)として選択された共通電極26の行から少なくとも1行離れた行であり、フローティング状態に制御されている。フローティング状態の行には、いずれの信号も入力されていない状態となるので、ガード信号が入力される場合よりも消費電力が低減される。図6Bでは、センシング状態である共通電極26(SE)の行は1行であり、その上下の行がガード状態の行であるが、当該ガード状態の行をセンシング状態の行に対し上下に複数行ずつ設ける構成も採用である。
次に図7Aにおいて、表示期間における共通電極26の動作状態と、タッチ期間における動作状態を得るための回路動作を説明する。
(a)表示期間における共通電極26・・・この期間はスイッチ線79bからのスイッチ信号により選択スイッチング素子81bがオン、スイッチ線79aからのスイッチ信号により選択スイッチング素子81aがオフされる。また、タイミングコントローラ57からのスイッチ制御信号SW1により、スイッチCSWがオンされる。この結果、表示期間の共通電極26には、共通電圧発生部74からの共通電圧が印加される。
(b)タッチ期間における共通電極26・・・この期間では、共通電極26は、タッチ走査位置に応じて、センシング状態、又はガード状態又はフローティング状態の3つの状態のいずれかを取り得る。
(b−1)センシング状態となる場合・・・この場合は、スイッチ線79bからのスイッチ信号により選択スイッチング素子81bがオフ、スイッチ線79aからのスイッチ信号により選択スイッチング素子81aがオンされる。このために、センシング回路61から所定のパルス波のセンシング信号が第3配線77aを介して共通電極26に印加されるようになる。このとき、共通電極26に対して被検出物が接触していか接触していないかの検出が、センシング回路61内で行われる。センシング回路61についてはさらに後で詳しく説明する。
(b−2)ガード状態となる場合・・・この場合は、それぞれのスイッチング信号により選択スイッチング素子81bがオン、選択スイッチング素子81aがオフされる。但し、タイミングコントローラ57からのスイッチ制御信号xSW1により、スイッチGSWがオンされる。一方スイッチCSWは、オフされる。この結果、共通電極26には、ガード信号発生部75からのガード信号が印加される。
(b−3)フローティング状態となる場合・・・この場合は、それぞれのスイッチング信号により選択スイッチング素子81bがオフ、選択スイッチング素子81aがオフされる。また、スイッチGSWと、スイッチCSWは、オフされる。この結果、共通電極26には、信号及び電圧が印加されることがなく、フローティング状態となる。
ミラー回路(カレントミラー回路)65は、上流側がセンサ信号発生部64に接続され、下流側が一方の第3配線77aに接続されると共に、検知回路66に接続されている。当該ミラー回路65がかかる接続状態にあることにより、センサ信号発生部64から一方の第3配線77aに向けてセンサ信号が供給されると、当該センサ信号と同じ信号がそのまま検知回路66にも入力される。
比較器67は、ミラー回路65を介してセンサ信号を受信し、当該ミラー回路65からの信号を受信して閾値Vefとの差分を出力する。比較器67はその前段に配置されたスイッチ70aによりセンサ電極SEとして選択される共通電極26との接続が切り替えられる。また、比較器67には、コンデンサ67とスイッチ70bとが並列に接続されている。比較器67の出力はスイッチ70bを切り替えることによりリセットされる。スイッチ70aおよびスイッチ70bの切り替えはタイミングコントローラ57により制御される。
A/D変換器68は、比較器67から出力された値をデジタル信号に変換した後に外部の処理回路(図示省略)へ出力する。処理回路にて各検出回路66からのデータに基づいて演算処理がなされ、タッチの位置が特定される。タッチ検出原理は、図1、図2で説明した通りである。
このために本表示装置によると、センシング回路(検出回路)61或いは当該センシング回路(検出回路)61を含むIC回路のためのスペースの小型化が図れ、電力節約及び製造上も有利な装置となる。
図7Bは、上記したセンサ信号電圧と、ガード信号電圧とフローティング電圧との関係の一例を示す図である。センサ信号振幅(電圧)(Vf±Vdet1)と、ガード信号振幅(電圧)(Vf±Vg)とは基準電圧Vfを中心とする±振幅が同じであってもよいが、好ましくは、センサ信号の振幅に比べてガード信号の振幅が小さい方が好ましい。例えば、フローティング電圧Vfとセンサ信号の最大電圧との中間(例えば1/2)に、ガード信号の電圧が設定される。該設定は、ガード信号発生部75の出力電圧調整、及びセンサ信号発生部64の出力電圧調整により実施される。
上記のように駆動制御部40は、センシング状態のセンサ電極に供給する交流センシング信号とガード状態のガード電極に供給する交流ガード信号との位相は同じ位相に設定する。また駆動制御部40は、交流センシング信号の振幅(電圧)より、交流ガード信号の振幅(電圧)を小さく設定する、つまりフローティング電圧に近づくように交流ガード信号の振幅(電圧)を設定する。これにより、ガード信号が与えられる行の電力消耗を抑制できる。ガード信号とセンシング信号の振幅が同じの場合に比べて、ガード信号が与えられているガード電極とセンサ信号が与えられているセンサ電極との間の電位差、及びフローティング電極とセンサ電極との間の電位差を小さくすることができる。またガード信号が与えられる行は、1行に限らず、複数行でもよいことは勿論である。
図8に示す如く、本実施形態に係るタッチ機能付き表示装置1は、駆動制御部40に制御されることにより、表示面11に画像を表示させる表示期間(Display)と表示面11のタッチを検出するセンサ期間(Touch)とが交互に設けられる。これらの制御は駆動制御部40のタイミングコントローラ57からのクロック信号に基づいて順次実行される。
また、表示期間(Display)においては、表示駆動制御部50のゲート線駆動回路51の複数のゲート用シフトレジスタ52(図6A参照)に信号が時分割で入力される。これによって、ゲート信号がゲート線20を介して各表示領域12の画素スイッチング素子28に供給され、当該画素スイッチング素子28がオン状態となる。このタイミングで、画像信号がデータ線駆動回路55及びマルチプレクサ53を介して時分割でこれらオン状態の画素電極22に供給され、当該画像信号が画素電極22に書き込まれる。
これによって、共通電極26とオン状態の画素電極22との間にフリンジ電界が発生することとなり、当該フリンジ電界により液晶層5の光学特性が変化し、当該画素領域27における画像の表示が実現される。
当該表示期間においては、上下に隣り合うゲート用シフトレジスタ52が上から順に動作することにより、マトリクス状に配置される画素領域27のうち、数十行〜数百行の画素領域27が線順次で走査され、画像が順次表示されることになる。
今、例えば第(N+1)行がセンシング状態に制御されたとする(図8に示す期間t11を参照)。このときは、スイッチ線79aからのスイッチ信号(例えばハイレベル)に基づき選択スイッチング素子81aがON,スイッチ線79bからのスイッチ信号(例えばローレベル)に基づき選択スイッチング素子81bがOFFに制御される。これにより、第(N+1)行の共通電極26(センシング行の共通電極)には、ミラー回路65を介して、パルス信号発生器64からのパルス信号が供給されると共に、ミラー回路65を介して検知回路66にも当該パルス信号と同じ信号が入力される。
ここで被検出物Oがセンサ電極SEに対向する表示面11をタッチしているとすると、当該被検出物Oの影響を受けてセンサ信号発生部64からのパルス信号が変化する。かかるパルス信号の変化は、検知回路66の比較器67に入力された後、A/D変換器68でデジタルデータに変換されて以降の処理回路に送信される。
一方、第3配線77bとスイッチ線79bとの関係は以下のように説明される。センサ期間(Touch)においてはガード信号スイッチGSWがオンされるために、第3配線77bには、ガード信号ラインGSL及びガード信号スイッチGSWを介してガード信号が供給される。しかしこのガード信号は、現在センシング状態の共通電極26に対しては、供給されない。これは、センシング行の共通電極26に接続されている選択スイッチング素子81bがスイッチ線79bからのスイッチ信号によりオフされるからである。一方、センシング行に隣接する上下の非センシング行の共通電極26に接続されている選択スイッチング素子81bは、対応するスイッチ線79bからのスイッチ信号によりオンされる。このために、該上下の非センシング行の共通電極26にはガード信号が印加される。さらに残りの他の非センシング行の共通電極26に接続されている選択スイッチング素子81bは、すべてオフされる。このために残りの他の非センシング行の共通電極26は、フローティング状態となる。即ち、センシング状態にあるセンシング行及び該上下の非センシング行を除く位置の共通電極26は、スイッチ駆動回路80に接続されているスイッチ線79aと79bのスイッチ信号がローレベルに制御されるので、フローティング状態となる。より具体的には、フローティング状態にある共通電極26に対応する選択スイッチング素子81a、81bは、オフであり、センサ期間(Touch)において、電力を消費しないことなる。即ち、フローティング状態の行は、ガード状態の行に比べて消費電力が低減される。
当該ガード信号は、センサ信号発生部64で生成されたパルス信号と同じ波形を有するパルス信号で、当該センサ信号が特定の共通電極26に書き込まれるのと同じタイミングで(同期して)センシング行に対して上下に隣り合う一対の非センシング行の共通電極26に書き込まれる。
したがって、これら一対の非センシング行の共通電極26には、センシング回路61に接続されていない状態でセンシング回路61のセンサ信号と同じ信号が供給されるものとなる。これによって、センサ電極SEと当該センサ電極SEと該一対の非センシング行の共通電極26との間での不要な容量発生を可及的抑制することができる。
自己容量方式によるタッチ検出はセンサ電極SEの容量変化に伴う電荷量の変化を検出することによりなされるが、かかる容量変化は、タッチ検出に必要な被検出物Oとセンサ電極SEの間の容量変化のみならず、タッチ検出に不要なセンサ電極SEと周囲の他の電極等の間の容量変化も含まれてしまう。そこで、上述の如くセンサ電極SE以外の共通電極26にガード信号を入力することで、かかる不要な容量変化の発生を可及的抑制し、タッチ検出の容量変化に含まれる不要な容量変化の割合を低減させることができる。これにより、検知回路66には、不要な容量変化の混入を可及的抑制された信号が入力されるものとなる。結果として検知精度がより向上するものとなる。
電気力線は互いに斥力を有しているので、これによって、センサ電極SEからの電気力線を、該上下の非センシング行の共通電極26から同じパルス波が発生されていない場合よりもより上方にまで及ぼすことができ、これによって、比較的遠い位置にある被検出物Oの検出も可能となるのである。結果として、当該液晶表示パネル2の上方にカバーガラス等を設けることでセンサ電極SEと被検出物Oとがある程度離間してしまう場合でも、十分な検知精度が維持される。或いは、かかるセンサ電極SEを表示面11に対してより奥方(バックライト側)に設ける場合でも、十分な検知精度が維持される。
そしてタッチ期間(Touch)における選択スイッチング素子81b、81aの状態と、先に説明したカード信号スイッチGSWの状態により、共通電極26の動作状態(センシング状態、非センシング状態(ガード状態、フローティング状態を含む))が設定される。選択スイッチング素子81bがOFF、選択スイッチング素子81aがONと示されている共通電極はセンシング状態である。選択スイッチング素子81bがON、選択スイッチング素子81aがOFFと示されている共通電極はガード状態である。また、選択スイッチング素子81bがOFF、選択スイッチング素子81aがOFFと示されている共通電極は、フローティング状態である。
図9は、説明を分かり易くするために、複数の共通電極の6行分を示し、この6行分を1フレームとして想定している。そして時間の経過とともに、各タッチ期間(Touch)に各行の共通電極26が、3つのセンシング状態、ガード状態、フローティング状態に変遷していく様子を示している。この変遷を得るために、スイッチswb、swaは、レジスタ801又は802からの制御信号に応じて、論理”1”のスイッチ信号若しくは論理”0”のスイッチ信号をタッチ期間毎に選択する。第1タッチ期間(Touch)にレジスタ801から第1制御信号が出力されるときに、レジスタ802には、次の第2タッチ期間(Touch)に必要な第2制御信号が準備される。次の第2タッチ期間(Touch)にはレジスタ802から第2制御信号が出力されるときに、レジスタ801には、次の第3タッチ期間(Touch)に必要な第3制御信号が準備される。これにより、センシング行は、順次変化(走査)される。
図10は、第2の実施形態を示している。図6Bと同一部分には同じ符号を付して説明する。この実施形態は、図6Bに示した実施形態に比べて第3配線77bが削除され、またスイッチ線79bが削除されている。そして、第3配線77aは共通電圧スイッチCSWを介して、共通電圧ラインCVLに接続可能である。この接続は、タイミングコントローラ57からのスイッチ制御信号SW1によりオフ又はオン制御される。さらにまた第3配線77aは駆動スイッチDSWを介して、センシング回路61と接続可能である。駆動スイッチDSWは、タイミングコントローラ57からのスイッチ制御信号xSW1によりオフ又はオン制御される。
図11には、図10に示した実施形態の動作を説明するためのタイミング図を示している。この実施形態では、表示期間(Display)に第3配線77aが共通電圧スイッチCSWを介して共通電圧ラインCVLに接続される。したがって表示期間(Display)では、センサ電極SEが共通電極26として機能し、表示に寄与する。
これに対して、タッチ期間(Touch)では、第3配線77aが、駆動スイッチDSWを介してセンシング回路61に接続される。一方、スイッチ線79aは、所定の行(図10の例では、センシング行26AL)のスイッチ線79aからのスイッチ信号のみが例えばハイレベルであり、対応するスイッチング素子81aをオンにし、行26ALのセンサ電極SEをセンシング状態にする。このときは、他の行(非センシング行)のスイッチ線79aからのスイッチ信号は、ローベルであり、対応するスイッチング素子81aをオフにし、これにより対応するセンサ電極SEは、フローティング状態となる。
そしてタッチ期間(Touch)におけるスイッチ81aの状態と、図9に説明した駆動スイッチDSWにより、共通電極26の動作状態(センシング状態、フローティング状態)が設定される。
図12は、説明を分かり易くするために、複数の共通電極の6行分を示し、この6行分を1フレームとして想定している。そして時間の経過とともに、タッチ期間(Touch)に各行の共通電極26が、センシング状態、フローティング状態に変遷していく様子を示している。この変遷を得るために、スイッチswaは、レジスタ801又は802からの制御信号に応じて、論理“1”のスイッチ信号若しくは論理“0”のスイッチ信号を選択する。第1タッチ期間(Touch)にレジスタ801から第1制御信号が出力されるときに、レジスタ802には、次の第2タッチ期間(Touch)に必要な第2制御信号が準備される。次の第2タッチ期間(Touch)にはレジスタ802から第2制御信号が出力されるときに、レジスタ801には、次の第3タッチ期間(Touch)に必要な第3制御信号が準備される。これにより、センシング行は、順次変化(走査)される。
図13は、本実施形態に係るタッチ機能付き液晶表示装置1の第3の実施形態を示すもので、その一部を概略的に示す平面図である。このタッチ検出機能付き表示装置1は、スイッチ線79a、79bと共通電極26との接続構成、及びスイッチ線駆動回路80等が第1の実施形態と異なるものの、その他の構成は第1の実施形態(図6B)と同じである。したがって、当該第1実施形態と同じ構成のものは、第1の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
図13に示す如く、本実施形態においては、第2方向Yに隣り合う一対のスイッチ線79aが互いに連結され、また第2方向Yに隣り合う一対のスイッチ線79bも互いに連結されている。より具体的には、スイッチ線駆動回路80からスイッチ線79aの一方の端部が表示領域の第1の行を介して非表示領域13まで引き出され、次に表示領域の第2の行を介してスイッチ線駆動回路80側の表示領域に戻っている。かかるスイッチ線は、夫々の共通電極に設けられたスイッチ部に接続されている。
図14は、本実施形態に係るタッチ機能付き液晶表示装置1の第4の実施形態を示すもので、その一部を概略的に示す平面図である。このタッチ検出機能付き表示装置1は、スイッチ線79aと共通電極26との接続構成、及びスイッチ線駆動回路80等が第1の実施形態と異なるものの、その他の構成は第2の実施形態(図10)と同じである。したがって、当該第1実施形態と同じ構成のものは、第2の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
図14に示す如く、本実施形態においては、第2方向Yに隣り合う一対のスイッチ線79aが互いに連結され、また第2方向Yに隣り合う一対のスイッチ線79bも互いに連結されている。より具体的には、スイッチ線駆動回路80からスイッチ線79aの一方の端部が表示領域の第1の行を介して非表示領域13まで引き出され、次に表示領域の第2の行を介してスイッチ線駆動回路80側の表示領域に戻っている。かかるスイッチ線は、夫々の共通電極に設けられたスイッチ部に接続されている。
図15は、本実施形態に係るタッチ機能付き液晶表示装置1の第5の実施形態を示すもので、その一部を概略的に示す平面図である。このタッチ検出機能付き表示装置1は、スイッチ線79a、79bと共通電極26との接続構成、及びスイッチ線駆動回路80等が第1の実施形態と異なるものの、その他の構成は第1の実施形態(図6B)と同じである。したがって、当該第1実施形態と同じ構成のものは、第2の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
本実施形態においても、センサ期間においては、互いに接続された2行の共通電極26をまとめてセンサ電極SEとして選択することができ、結果としてセンサ期間を半分にすることができる。なお、本実施形態では互いに隣り合う2本のスイッチ線79aを接続する構成を採用したが、3本以上のスイッチ線79aを接続する構成を採用することができる。
図16は、本実施形態に係るタッチ機能付き液晶表示装置1の第6の実施形態を示すもので、その一部を概略的に示す平面図である。このタッチ検出機能付き表示装置1は、スイッチ線79aと共通電極26との接続構成、及びスイッチ線駆動回路80等が第2の実施形態と異なるものの、その他の構成は第2の実施形態(図10)と同じである。したがって、当該第1実施形態と同じ構成のものは、第2の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
本実施形態においても、センサ期間においては、互いに接続された2行の共通電極26をまとめてセンサ電極SEとして選択することができ、結果としてセンサ期間を半分にすることができる。なお、本実施形態では互いに隣り合う2本のスイッチ線79aを接続する構成を採用したが、3本以上のスイッチ線79aを接続する構成を採用することができる。
また、第2基板4に設けられているブラックマトリクス8は、スイッチ線79a、ゲート線20及びデータ線21等を遮光すべく、これらと重なる位置に設けられることで格子状に形成されている。また、当該ブラックマトリクス8は、スペーサ7と対応する位置も遮蔽部9が設けられている。当該スペーサ7と対応する遮蔽部9は、当該スペーサ7の形状よりも一回り大きい形状に形成されている。
Claims (12)
- 複数のゲート線と、
該複数のゲート線に交差して設けられる複数のデータ線と、
当該複数のゲート線とデータ線とによって区画される領域に設けられる複数の画素電極と、
該複数の画素電極に対向して設けられる複数の共通電極を備えると共に、該複数の共通電極を制御してタッチを検出するセンサ駆動制御部とを備え、
該センサ駆動制御部は、
前記複数の前記共通電極のうち少なくとも1つをセンシング用に選択し、他の共通電極を非センシング用に選択するスイッチ駆動回路と、
前記センシング用に選択された前記共通電極にパルス状のセンサ信号を与えるセンシング回路と、
前記非センシング用に選択された前記他の共通電極の少なくとも1つを、オフ状態に制御されて、フローティング状態にする第1スイッチを備えた選択回路と、
第1配線である前記ゲート線及び第2配線である前記データ線とは異なり、前記データ線と同じ方向に設けられて複数の前記共通電極のそれぞれが半導体スイッチング素子を介して接続され、タッチ検出期間には前記センサ信号が供給される一方の第3配線と、
前記一方の第3配線と並列に設けられて複数の前記共通電極のそれぞれが半導体スイッチング素子を介して接続され、前記タッチ検出期間を除く表示期間には共通電圧のラインに接続され、前記タッチ検出期間にはガード信号のラインに接続される他方の第3配線を備える、
ことを特徴とする表示装置。 - 前記センサ駆動制御部は、前記第1スイッチをオフさせて、前記非センシング用に選択された前記他の共通電極のすべてをフローティング状態にすることを特徴とする、
請求項1記載の表示装置。 - 前記センサ駆動制御部は、更に、前記センシング用に選択された前記共通電極の隣に位置する前記非センシング用に選択された前記他の共通電極に対して、前記センサ信号と同位相の前記ガード信号を供給する第2スイッチGSWを備えることを特徴とする、
請求項1記載の表示装置。 - 前記センサ駆動制御部は、前記センシング回路から出力される前記センサ信号と前記ガード信号の振幅を同じ振幅に設定している、ことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記センサ駆動制御部は、前記センシング回路から出力される前記センサ信号の振幅より前記ガード信号の振幅を小さい振幅に設定している、ことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記センシング回路は、前記センシング用に選択された前記共通電極に前記センサ信号を入力して当該センサ信号の変化を検出する自己容量方式の回路である、ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記センサ駆動制御部は、
前記センシング用に選択された前記共通電極に前記センサ信号を入力するセンサ信号発生部と、
前記非センシング用に選択された前記共通電極に前記ガード信号を入力するガード信号発生部と、
前記センサ信号発生部又は前記ガード信号発生部の何れか一方を前記共通電極に接続して他方を前記共通電極に非接続した状態と、前記センサ信号発生部と前記ガード信号発生部のいずれも前記共通電極に非接続した状態とを選択的に切り替える選択回路とを備えている、ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素電極及び共通電極に対向する液晶層と、前記画素電極及び前記共通電極の間に電界を発生させて当該液晶層の光学状態を変化させる表示駆動制御部と、該表示駆動制御部及び前記センサ駆動制御部を制御するメイン制御部とを備え、
該メイン制御部は、前記表示駆動制御部を制御して前記液晶層を駆動させる表示期間と、前記センサ駆動制御部を制御して前記タッチを検出するセンサ期間とを交互に切り替え制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記複数の共通電極は、行方向及び列方向に配列され、前記センサ駆動制御部は、
各行の共通電極群を駆動して前記各行にそれぞれ前記センサ期間を割り当てることを特徴とする請求項8記載の表示装置。 - 前記複数の共通電極は、行方向及び列方向に配列され、前記センサ駆動制御部は、
連続する複数行の共通電極群を同時駆動して前記複数行にそれぞれ前記センサ期間を割り当てることを特徴とする請求項8記載の表示装置。 - 複数のゲート線と、該複数のゲート線に交差して設けられる複数のデータ線と、当該複数のゲート線とデータ線とによって区画される領域に設けられる複数の画素電極と、該複数の画素電極に対向して設けられる複数の共通電極と、該複数の共通電極を制御してタッチを検出するセンサ駆動制御部とを備える表示装置のタッチ検出方法であって、
前記複数の前記共通電極のうち少なくとも1つをセンシング用に選択し、他の共通電極を非センシング用に選択し、
前記センシング用に選択された前記共通電極にパルス状のセンサ信号を与え、
前記非センシング用に選択された前記他の共通電極の少なくとも1つを、フローティング状態にし、
第1配線である前記ゲート線及び第2配線である前記データ線とは異なり、前記データ線と同じ方向に設けられて複数の前記共通電極のそれぞれが半導体スイッチング素子を介して接続された一方の第3配線に、タッチ検出期間には前記センサ信号を供給し、
前記一方の第3配線と並列に設けられて複数の前記共通電極のそれぞれが半導体スイッチング素子を介して接続された他方の第3配線に、前記タッチ検出期間を除く表示期間には共通電圧を供給し、前記タッチ検出期間にはガード信号を供給する、
ことを特徴とする表示装置のタッチ検出方法。 - 前記タッチの検出は、前記センサ電極に前記センサ信号を供給すると共に当該センサ信号の変化を検出する自己容量方式により行うことを特徴とする請求項11に記載の表示装置のタッチ検出方法。
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