CN112086028B - 一种像素排列结构及显示面板 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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Abstract
本申请提供一种像素排列结构及显示面板,像素排列结构包括至少两个相邻设置的像素电极,所述像素电极内设置有数据线,所述数据线朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极通过透明导电玻璃连接,所述透明导电玻璃朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极的侧边设置有门驱动线路,所述门驱动线与所述数据线平行。本申请将数据线上方正对的透明导电玻璃去除,此时存储电容已不存在正向的交叠电容,而全部变为侧向电容,电容值有大幅的降低。同时将相邻两个像素电极通过透明导电玻璃相连,使像素电极可以完整地充电,实现正常显示,该方案由于避免像素电极产生电容耦合效应,因此,避免了面板显示时产生垂直串扰。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种像素排列结构及显示面板。
背景技术
为了实现超窄边框面板的设计,就需要取消设置在左右两侧的GOA电路,而选择将相关信号线经由显示像素内部,从源极侧分布至源极对侧。现有技术中,增加了由第三层金属做成的门极晶体管线路,为此将数据线置于像素内部,但是带来的问题是数据线和像素电极产生了非常大的寄生电容,由于数据线内部传输的是变换信号,经由寄生电容,使像素电极信号产生电容耦合效应,导致面板显示时产生垂直串扰,影响显示质量。
发明内容
本申请实施例提供一种像素排列结构及显示面板,能够避免面板显示面板产生垂直串扰。
本申请实施例提供一种像素排列结构,包括至少两个相邻设置的像素电极,所述像素电极内设置有数据线,所述数据线朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极通过透明导电玻璃连接,所述透明导电玻璃朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极的侧边设置有门驱动线路,所述门驱动线与所述数据线平行。
在一些实施例中,所述像素电极的的其中一个端部设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与所述数据线连接。
在一些实施例中,所述像素电极具有四个像素区域。
在一些实施例中,所述数据线位于所述像素电极的中间位置。
在一些实施例中,所述透明导电玻璃位于所述像素电极的中间位置。
在一些实施例中,所述像素电极具有多个条形电极,所述条形电极与所述条形电极之间具有缝隙。
在一些实施例中,所述门驱动线路与静电防护线路连接。
本申请实施例中提供一种显示面板,包括像素排列结构,所述像素排列结构包括至少两个相邻设置的像素电极,所述像素电极内设置有数据线,所述数据线朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极通过透明导电玻璃连接,所述透明导电玻璃朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极的侧边设置有门极驱动线路,所述门极驱动线与所述数据线平行。
在一些实施例中,所述像素电极的的其中一个端部设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与所述数据线连接。
在一些实施例中,所述数据线位于所述像素电极的中间位置。
本申请实施例所提供的像素排列结构及显示面板,像素排列结构包括至少两个相邻设置的像素电极,所述像素电极内设置有数据线,所述数据线朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极通过透明导电玻璃连接,所述透明导电玻璃朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极的侧边设置有门驱动线路,所述门驱动线与所述数据线平行。本申请将数据线上方正对的透明导电玻璃去除,此时存储电容已不存在正向的交叠电容,而全部变为侧向电容,电容值有大幅的降低。同时将相邻两个像素电极的左右半边通过透明导电玻璃相连,使像素电极可以完整地充电,实现正常显示,该方案由于避免像素电极产生电容耦合效应,因此,避免了面板显示时产生垂直串扰,提升了显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的像素排列结构的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种像素排列结构及显示面板,以下对像素排列结构做详细介绍。
请参阅图1所示,图1为本申请实施例提供的像素排列结构的结构示意图。其中,像素排列结构10包括至少两个相邻设置的像素电极11,所述像素电极11内设置有数据线12,所述数据线12朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极11通过透明导电玻璃13连接,所述透明导电玻璃13朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极11的侧边设置有门驱动线路14,所述门驱动线与所述数据线12平行。
需要说明的是,第一方向在本申请实施例中是如图所示的竖直方向,第二方向为如图所示的竖向。可以理解的是,本申请实施例中竖直方向和竖向只是说明图示中的方向。
另外的,本申请实施例中的相邻两个像素电极11左右竖向设置。像素电极11可以包括两个、三个甚至多个。
其中,所述像素电极11的的其中一个端部设置有薄膜晶体管15,所述薄膜晶体管15与所述数据线12连接。需要说明的是,薄膜晶体管15可以设置在像素电极11的上端,每一个像素电极11对应连接一薄膜晶体管15。
需要说明的是,薄膜晶体管15是指具有至少包括栅极、漏极、以及源极这三个端子的元件,且在漏区和源区之间具有沟道区,而且电流能够通过漏区、沟道区以及源区流动。这里,因为源极和漏极由于晶体管的结构或工作条件等而改变,因此很难限定哪个是源极或漏极。因此,有时不将用作源极及漏极的区域称为源极或漏极。
其中,所述像素电极11具有四个像素区域111。当然,像素电极11可以也可以具有六个像素区域111或者八个像素区域111。
其中,所述数据线12位于所述像素电极11的中间位置。需要说明的是,数据线12位于像素电极11竖向的中间位置。
需要说明的是,数据线12也可以位于像素电极11竖向方向上的其他位置,比如,数据线12位于像素电极11竖向方向上三分之一的位置或者数据线位于所述像素电极11竖向方向上四分之一的位置。
其中,所述透明导电玻璃13位于所述像素电极11的中间位置。需要说明的是,透明导电玻璃13位于像素电极11横向的中间位置。
需要说明的是,透明导电玻璃13也可以位于像素电极11横向方向上的其他位置,比如,透明导电玻璃13位于像素电极11横向方向上三分之一的位置或者透明导电玻璃13位于所述像素电极11横向方向上四分之一的位置。因为透明导电玻璃13位于像素电极11横向的中间位置,可以使得相邻两个像素电极11在充电时,充电量均匀,同时相邻两个像素电极11的左右半边通过透明导电玻璃13相连,使像素电极11可以完整地充电,实现正常显示,该方案由于避免像素电极11产生电容耦合效应,因此,避免了面板显示时产生垂直串扰,提升了显示质量。透明导电玻璃13优选使用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,即ITO)、包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、有机铟、有机锡、氧化锌(ZnO)、氮化钛等透光(透可见光)材料形成。此外,还可以使用含有氧化锌(ZnO)的铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide,即IZO)、对氧化锌添加镓(Ga)的材料、氧化锡(SnO2)、含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物、含有氧化钛的铟锡氧化物等。透明导电玻璃13既可具有单层结构又可具有层叠结构,但是在采用层叠结构时,优选将透明导电玻璃13形成为透光率十分高的形式。另外,作为透明导电玻璃13的制造方法,优选使用溅射法,但是不一定需要局限于此。
其中,所述像素电极11具有多个条形电极112,所述条形电极112与所述条形电极112之间具有缝隙113。其中,所述门驱动线路14与静电防护线路连接。通过静电防护电路可以防止静电。
需要说明的是,本申请实施例中静电防护电路可以是相关技术中静电防护电路。因此,本申请实施例中静电防护电路的具体构成不做过多赘述。
本申请实施例所提供的像素排列结构10包括至少两个相邻设置的像素电极11,所述像素电极11内设置有数据线12,所述数据线12朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极11通过透明导电玻璃13连接,所述透明导电玻璃13朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极11的侧边设置有门驱动线路14,所述门驱动线与所述数据线12平行。本申请将数据线12上方正对的透明导电玻璃13去除,此时存储电容已不存在正向的交叠电容,而全部变为侧向电容,电容值有大幅的降低。同时将相邻两个像素电极11的左右半边通过透明导电玻璃13相连,使像素电极11可以完整地充电,实现正常显示,该方案由于避免像素电极11产生电容耦合效应,因此,避免了面板显示时产生垂直串扰,提升了显示质量。
请参阅图2,图2为本申请实施例提供的显示面板结构示意图。其中,显示面板100包括像素排列结构10,所述像素排列结构10包括至少两个相邻设置的像素电极11,所述像素电极11内设置有数据线12,所述数据线12朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极11通过透明导电玻璃13连接,所述透明导电玻璃13朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极11的侧边设置有门极驱动线路,所述门极驱动线与所述数据线12平行。
可以理解的是,由于显示面板100将数据线12上方正对的透明导电玻璃13去除,此时存储电容已不存在正向的交叠电容,而全部变为侧向电容,电容值有大幅的降低。同时将相邻两个像素电极11的左右半边通过透明导电玻璃13相连,使像素电极11可以完整地充电,实现正常显示,该方案由于避免像素电极11产生电容耦合效应,因此,避免了面板显示时产生垂直串扰,提升了显示质量。
其中,所述像素电极11的的其中一个端部设置有薄膜晶体管15,所述薄膜晶体管15与所述数据线12连接。
需要说明的是,薄膜晶体管15的与数据线12的连接出为弧形沟道连接,采用这种方式能够提高薄膜晶体管15的导电性。
其中,所述数据线12位于所述像素电极11的中间位置。
其中,所述透明导电玻璃13位于所述像素电极11的中间位置。需要说明的是,透明导电玻璃13位于像素电极11横向的中间位置。
需要说明的是,透明导电玻璃13也可以位于像素电极11横向方向上的其他位置,比如,透明导电玻璃13位于像素电极11横向方向上三分之一的位置或者透明导电玻璃13位于所述像素电极11横向方向上四分之一的位置。因为透明导电玻璃13位于像素电极11横向的中间位置,可以使得相邻两个像素电极11在充电时,充电量均匀,同时相邻两个像素电极11的左右半边通过透明导电玻璃13相连,使像素电极11可以完整地充电,实现正常显示,该方案由于避免像素电极11产生电容耦合效应,因此,避免了面板显示时产生垂直串扰,提升了显示质量。
以上对本申请实施例提供的一种像素排列结构及显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种像素排列结构,其特征在于,包括至少两个相邻设置的像素电极,所述像素电极内设置有数据线,所述数据线朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极通过透明导电玻璃连接,所述透明导电玻璃朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极的侧边设置有门驱动线路,所述门驱动线与所述数据线平行。
2.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述像素电极的其中一个端部设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与所述数据线连接。
3.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述像素电极具有四个像素区域。
4.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述数据线位于所述像素电极的中间位置。
5.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述透明导电玻璃位于所述像素电极的中间位置。
6.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述像素电极具有多个条形电极,所述条形电极与所述条形电极之间具有缝隙。
7.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述门驱动线路与静电防护线路连接。
8.一种显示面板,其特征在于,包括像素排列结构,所述像素排列结构包括至少两个相邻设置的像素电极,所述像素电极内设置有数据线,所述数据线朝向第一方向设置,相邻两个所述像素电极通过透明导电玻璃连接,所述透明导电玻璃朝向第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述像素电极的侧边设置有门极驱动线路,所述门极驱动线与所述数据线平行。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极的其中一个端部设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与所述数据线连接。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述数据线位于所述像素电极的中间位置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010982754.7A CN112086028B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 一种像素排列结构及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010982754.7A CN112086028B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 一种像素排列结构及显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112086028A CN112086028A (zh) | 2020-12-15 |
CN112086028B true CN112086028B (zh) | 2022-07-29 |
Family
ID=73737361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010982754.7A Active CN112086028B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 一种像素排列结构及显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112086028B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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