TWI496227B - 用於測試電晶體陣列的改良方法及系統 - Google Patents

Description

用於測試電晶體陣列的改良方法及系統

本發明關於一種用於測試電晶體陣列的改良方法及系統。

通常根據非常嚴格標準來生產應用於像液晶顯示器的主動式矩陣陣列。所製成的顯示器可以藉由人眼或攝影機來偵測顯著缺陷，但是至今在施加顯示介質前或在完全製造該陣列前判定缺陷係困難及/或無法實現的。因此，因為缺陷陣列可能被封裝或進入市場，所以此困難度將增加製程之成本。

儘管實施困難或使用不切實際，己使用大面積電子測試器來測試主動式矩陣陣列。在移除短路棒(shorting bar)前或構成液晶(LC)晶元前，可以在顯示屏上偵測像素缺陷、線缺陷及面積(雲紋：Mura)缺陷。目前使用數種型態之這些測試器。

例如，已知一具有多個接頭之11,520引腳測試器。引腳測試允許電晶體陣列之完全曲線描跡(curve tracing)。然而，由於引腳或探針之使用會使該顯示器有刮痕之風險，此種型態之測試器在生產中不是常見的。

已知另一測試器，係根據在該顯示器上方放置一電光片及使用測試向量及一攝影機。該片係由塗佈有一布拉格反射鏡之聚合物分散液晶(PDLC)所製成。實質上，此暫時片仿效一液晶顯示器。然後，獲得該經啟用之片之影像。因為可輕易看到所有型態之可視缺陷，所以此方法比用於測試顯示屏之引腳測試器更常被使用。然而，電晶體特性係不可直接測量的。因此，因為需要施加該PDLC片至該陣列而可能導致損毀，所以此方法通常不使用於生產中。

還有另一已知方法，其使用二次發射電子束。此方法可藉由使用一能量分析器來判定已知導體之靜電位，藉以探測具有暴露金屬之陣列。可以直接觀測像素之充電及放電；然而，這是非常複雜且昂貴的程序。

目前所述實施例在至少一形式中包括一組驅動電子電路、偵測器電子電路及用以在沒有對該陣列實施一個像素對一個像素的接觸下，測量主動式矩陣陣列之性能的計算法。在時序及/或電壓可變下，使用電荷或電流感應行放大器及列驅動器電路，藉以產生遍及該陣列之待測對象之映像。待測對象包括電晶體導通電流、電晶體關閉電流及電晶體臨界電壓。

依據該等目前所述實施例，在至少一形式中，放置至少兩組電子電路與該陣列接觸。包含驅動器之第一組用以選通在該陣列中之每一列。因為一些像素設計包括與一條以上之列線連接，所以該等列驅動器之波形可以由一個或多個信號所組成，每一波形具有可變時序及振幅。

在該等目前所述實施例中，在至少一形式中，第二組電子電路包含連接至該等陣列行之電荷或電流放大器。此組電子電路用以測量藉由改變驅動信號及板極所產生之像素響應。

在該等目前所述實施例中，在至少一形式中，一接地或共用電極可以是該陣列設計之部分，以及此共用元件可以用以藉由一板極驅動器(plate driver)將信號引入該整個陣列。如果該陣列設計缺少一共用電極，可以藉由在該陣列之本體上塗佈一電容膜，來作為共用電極。此膜將提供一電容共用元件至該陣列之所有像素，以及亦可以藉由一板極驅動器驅動它。再者，將描述一計算法，其中板極驅動器係不需要的，且亦不需依附至一陣列共用元件或電容共用元件。

在該等目前所述實施例中，一包含類比或數位驅動器之可選擇的第三組電子電路連接至陣列資料線。這些驅動器可以用以在讀取前驅動像素至一任意狀態。

在至少一形式中該等目前所述實施例係用以測量主動式矩陣陣列之像素電路性能。這樣的陣列可以使用於液晶顯示器、焦平面影像感測器、發光顯示器或其它需要像素之主動式矩陣的應用中。該等目前所述實施例之範圍並非侷限於所列出之這些主動式矩陣應用。

該等目前所述實施例可以應用至各種主動式矩陣配置。通常，在每一像素中使用單一電晶體。在一簡單主動式矩陣中此電晶體之重要參數為導通電流、關閉電流、臨界電壓及電容。使用上述之電子電路及測量並依各種計算法以測量任何這些參數。其它種類之簡單矩陣設計使用用於像素元件之雙閘電晶體。本發明可以測量每一像素具有數個或許多電晶體之複雜度增加的複合主動式矩陣設計可藉由本發明側量。

因此，在該等目前所述實施例之一觀點中，一種系統包括：引入元件，係被操作以施加驅動電壓至陣列之經選擇的電晶體；讀取電路，係具有被操作以選擇性地偵測輸出信號之放大器；控制電路，係被操作以控制該引入元件及該讀取電路。在該等目前所述實施例之另一觀點中，該引入元件係閘極驅動器。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該閘極驅動器係被操作以施加電壓至第一電晶體及該讀取電路係被操作以偵測一第二電晶體之輸出信號。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該引入元件係一板極驅動電路。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該板極驅動器係被操作以施加電壓至在該陣列上所配置之板極，及該讀取電路係被操作以偵測在該陣列中之電晶體的輸出信號。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該控制器係被操作以選擇性地起動該驅動電壓之施加。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該控制器係被操作以選擇性地處理該輸出信號。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該等電晶體係在液晶顯示器中之像素元件。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該等放大器係電荷或電流感應行放大器。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該引入元件係被操作以對該等電晶體之資料驅動器充電。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該引入元件包括該讀取電路，該電取電路係被操作以轉移一偏壓位準，進而對該電晶體充電。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，一種用以測試電晶體陣列之方法包括：在該待測陣列中選擇第一電晶體列；引入驅動電壓至可操作地被連接至該第一電晶體列之第二電晶體列的閘極端；選擇性地偵測該第一電晶體列之輸出；以及處理該輸出。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之充電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之放電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之洩漏時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，一種用以測試電晶體陣列之方法包括：從該陣列選擇一待測電晶體列；引入驅動電壓至該電晶體之板極端子；選擇性地偵測該電晶體列之輸出；以及處理該輸出。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該電晶體之充電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該電晶體之放電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該電晶體之洩漏時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該電晶體之導通電壓。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，施加該驅動電壓至該電晶體之板極端子包括施加該驅動電壓至在該陣列上所配置之板極。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，一種用以測試電晶體陣列之方法，包括：從該陣列選擇待測電晶體列；引入驅動電壓，藉以經由經選擇之資料線對該電晶體列充電；選擇性地偵測該電晶體列之輸出；以及處理該輸出。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之充電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之放電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之洩漏時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之導通電壓。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，一種用以測試電晶體陣列之方法包括：從該陣列選擇待測電晶體列；轉移該電晶體列之讀取電路的偏壓位準，藉以對該電晶體列充電；選擇性地偵測該電晶體列之輸出；以及處理該輸出。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之充電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之放電時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之洩漏時間。

在該等目前所述實施例之另一觀點中，該處理包括測量該第一電晶體之導通電壓。

在本發明之範圍內的各種不同測量係可能的。主動式矩陣係用於各種應用。本發明可適用於不同測量及應用。

該等目前所述實施例提供一種用以測量像液晶顯示器、焦平面影像感測器、發光顯示器及電子報之主動式矩陣陣列的方法及系統。依據該等目前所述實施例之技術允許在施加液晶或其它介質至該主動式矩陣前及在該系統之生產完成前，測試該主動式矩陣之每一像素或電晶體。此允許一可實施於高生產環境之先期偵測測試系統。

可使用電荷感應放大器及經選擇之電壓驅動器(及其它機構)(做為引入元件)，在時序及電壓可變下，只在數秒內確定在整個陣列上之個別像素或電晶體特性。例如，可以使用一電容彈性體層板(或板極)或經選擇之電晶體之閘極線，藉以將電荷引入像素或電晶體。在該系統中經由彈性連接器達成零件間之連接。最後，測量或偵測該電晶體或像素之輸出信號。可以藉由連接該等電晶體之資料線來對放大器充電及改變讀取時序，藉以完成用以描繪該輸出之資料的讀取及處理。因此，根據該輸出信號，可以描繪該整個陣列之電晶體的充電及洩漏時間。

現在參考第1圖，描述一簡單主動式矩陣像素之基本操作。就這一點而言，曲線圖10描述一可以被施加以允許該陣列之列的讀取之選通電壓12。描述一資料線電壓14及對應像素電壓16。亦顯示資料線電壓13及對應輸出電壓15。一主動式矩陣陣列之基本特性包括測量：1)以電壓16及15之斜率所分別顯示之充電或放電時間；2)在曲線圖10之左右邊緣上以電壓16及15間之差異的變化所顯示之洩漏；以及3)充電/放電與洩漏兩者對選通12之高低電壓的相依性。

在第1圖中，如信號12所示，藉由例如選通在該陣列中之一前電晶體的閘極，而產生輸出電壓15，以便同樣選通被分析之該電晶體。此促使該等像素根據資料電壓(例如，電壓14)之位準來充電或放電。如所述，當這樣顯示該資料電壓13時，導致該輸出電壓15。

參考第2圖，顯示依據該等目前所述實施例之系統200，其中測試陣列202。如所示，該系統200併入具有連接器205之閘極驅動器或電路204，該連接器205係被操作以連接該閘極驅動器至該陣列202。該連接器205在一形式中係可彎曲的。亦顯示具有適合連接器207之可選板極驅動器或電路206。同樣地，該連接器207在一形式中係可彎曲的。該板極驅動器206連接至板極213。

將一像電荷讀取裝置208之讀取裝置或電路配置在一位置上，藉以適當地讀取該陣列之像素的輸出電壓。該裝置或電路208提供有連接器209。為了方便起見，在一形式中，該連接器209係可彎曲的。在第2圖亦顯示控制器或控制電路210。

當不需要測量基本像素特性時，為了詳細地測量像素，可以使用資料驅動器211，藉以驅動個別像素成為連續狀態。在每一像素包含單一電晶體的簡單主動式矩陣202之情況中，使用類比資料驅動器211描繪完全電流-電壓特性。

應該察覺到根據所使用之電壓引入的期望方法(如下面所詳述)，可以與該系統結合在一起或者個別提供該閘極驅動器204及板極驅動器206(及其它期望零件)。這些驅動器可以採用各種已知形式。

在使用該板極驅動器206之情況中，在該陣列上之對應板極213在一形式中為一塗佈有一介電質之可移除金屬電極片，其中該電介質允許電壓傳送至每一電晶體。應該亦了解到經由光電偶合器(opto-couplers)或差動信號傳輸之使用，所有驅動器及讀取零件相對於彼此係浮接的。此允許使因讀取而相對於資料板208接地而保持固定之資料電壓相對於該閘極204及板極206電壓係不同的。

該板極驅動器或電路206可以用以驅動與該陣列之表面接觸的液態、彈性體或固態構件(例如，板極213)。該板極驅動器206亦可以用以驅動一陣列接地，其中該陣列接地係一通常使用於主動式矩陣陣列中之網路(net)，藉以提供共用參考或電容。

在一形式中，該閘極驅動器204能夠做為一類比驅動電路(改變電壓位準)及同時操作多條閘極線。可以以該板極電壓或藉由使用該前閘極線對一特定列之像素施加激勵。在後者情況中，該閘極驅動器電路實質上將不同於經用於電荷映射(charge mapping)者。

該控制器或控制電路210可以採用各種形式。就這一點而言，如果該控制器可適當地控制該等驅動器204、206(如果有使用)及211(如果有使用)以及該電荷讀取機構208，則可以使用各種不同硬體配置及/或軟體技術來實施該控制器。例如，該控制電路210係被操作以起動一驅動電壓之施加及/或處理該輸出信號。下面以第4及5圖詳述用於控制之實例方法。將在一形式中以第3圖更詳細描述該電荷讀取機構208。

除非規定，否則資料驅動器211將使該等電荷偵測器208短路。有數種操作該資料驅動器211之方法：211使用三態輸出、208使用高阻抗輸入或在該陣列202本身上使用致能電晶體，以在該驅動器211施加偏壓至該陣列時，允許該等電荷偵測器208之切斷，以及在該陣列上使用另一組致能電晶體，以在該等電荷偵測208正在操作時，允許該驅動器211之切斷。

現在參考第3圖，描述第2圖所示之配置的一部分300。更特別地，該部分300顯示在該陣列202上所包含之像素302及像素312。如所述，這些像素對應於電晶體，其中該等電晶體在至少一形式中為薄膜電晶體(TFT)裝置。讀取機構320在一形式中係包含於第2圖之電荷讀取機構208中。

更特別地參考第3圖，該像素302具有閘極端304、至板極端子308之接線306及資料線310。亦顯示該像素312，其中該像素312包括閘極端314、至該板極端子308之接線316及至該資料線310之接線318。

該讀取機構320包括具有至少電容器324及重置開關326之並聯接線的放大器322(例如，電流或電荷感應行放大器)。在該讀取機構中亦顯示與至少一電容器330串聯之開關328。此外，在該電路中顯示開關332及至少一電容器334。該確切電荷讀取電路320可以採用許多形式，但是通常包括電荷或電流偵測器、一個或多個取樣及保持開關及一移位暫存器或多工器，藉以使串聯讀取成為可能。

應該了解到該等電容器之數值可能是不同的。在一形式中，該等數值對應於在該陣列上之電容器的數值(例如，0.1pF至2.0pF)。

在操作中，第2及3圖之系統可以使用數種信號引入之方法。從下面敘述可知，可以提供各種引入元件來做。

在第一方法中，選通該電晶體302之閘極電極304，藉以引入或施加像素電荷至該像素312。該選通電壓具有不同於標準閘極脈衝之大小、極性及時序及可能需要類似顯示器資料驅動器之特定閘極驅動器。

在引入信號之第二方法中，在該陣列202上放置一由導體及可選電介質所形成之薄板或極板(例如，板極213)，以便耦接至像素墊。雖然該板極電容可能顯著高於或低於該顯示介質，但是此「板極」電極取代該介質電容。因為不需要一次啟動一個以上之閘極驅動器，所以該等閘極驅動器類似標準顯示器之閘極驅動器。

在引入信號之第三方法中，該等接線306及316連接至該陣列接地。可以藉由該板極驅動器206驅動此接地。

在引入信號之第四方法中，可以在偏壓狀況下針對一訊框操作該陣列202，以及在不同偏壓狀況下實施第二次。偏壓狀況之變動的實施例包括改變該資料電壓、該選通高或低電壓、該板極或接地電壓或來自板211之驅動電壓。

在某些陣列中，像在上述第一方法中，使用一組「共用」電極於該等像素電容器，而不是等前閘極線。這是一種允許使用較簡單閘極控制器之的混合情況。

將以第4(a)、4(b)及5圖描述該整個系統之操作的實例方法。至少在一形式中，依據該等目前所述實施例之這樣的方法包括選擇一待測電晶體列、以例如上述方法引入一驅動電壓或電荷、選擇性地偵測該等電晶體或該電晶體列之一輸出及處理該輸出。該輸出之處理可以包括測量或描繪充電時間、放電時間、洩漏時間或導通電壓。

現在參考第4(a)及4(b)圖，描述一種方法400。如以上所述，可以藉由第2圖之控制器210實施此方法，以致於可以以一有用方式描述特定像素或電晶體之輸出。可以使用各種硬體配置及/或軟體技術，實施此方法。此外，可以在該控制器210中儲存或在該系統之元件中分配用以實施該方法之常式。

在方法400中顯示該基本陣列讀取。在該裝置中安裝該陣列202，以及實施連接205、209、212及/或207。接著，使該陣列偏壓至適合於該陣列之位準。然後，讀取該陣列，其中依序選擇每一列(在步驟402中)、在步驟403中以某些手段(第4(b)圖所述)激勵每一列及接著取樣每一列兩次(一次是在選通405前之步驟404中，一次是在選通405後之步驟406中)。然後，為了進一步處理在步驟407中取樣及轉移/數位化這些數值。該程序在步驟409中持續著，直到該整個讀取在步驟408及410中完成為止。方法400顯示該陣列之完整讀取，但是如希望的話，可以讀取子集(sub-sets)。

應該察覺到可以以各種方式完成該輸出之特性描述。這些將描述於第6-9圖中。然而，簡單地說，特性描述可以包含處理該輸出信號，藉以確定該電晶體之各種不同特徵(例如，充電時間、放電時間、洩漏時間及導通時間)。

第4(b)圖顯示如步驟403所需之激勵列k的一些方法。常常在主動式矩陣中，可以使用相鄰選通電極做為該像素電路之部分。可以藉由選通相鄰列452來激勵列k。如使用，可以驅動該板極或接地電極(分別是454及456)來激勵列k。可以轉移該資料電壓(具有相關系統電壓之同量轉移)來激勵列k(在步驟453中)。最後，可以轉移該選通「導通」(455)及選通「關閉」(457)來激勵列k。激勵方法458之集合輕易顯示適宜方法，但是可以針對特定像素設計發展出用以改變該整個陣列之偏壓狀況或激勵列k之其它方法。

參考第5圖，方法500顯示陣列測試(開始於步驟501)，其中設定該陣列至第一偏壓狀況502，選通每一列(在步驟503中)，藉以允許該偏壓傳導至該像素。如果沒有選通所有列(在步驟504中)，則該程序簡單地持續著(在步驟505中)。當完全選通該陣列(在步驟504中)時，設定該陣列至第二偏壓狀況506。然後，像在第4圖之方法400中，第二次選通該陣列。接著，沿著這些線讀取該陣列，以便依序選擇每一列(在步驟507中)、在步驟508中以某些手段(第4(b)圖所示)激勵每一列及接著取樣每一列兩次(一次在選通410前(在步驟509中)及一次在選通410後(在步驟511中)。然後，為了進一步處理取樣及轉移/數位化這些數值(在步驟512中)。該程序持續著(在步驟515中)，直到該整個讀取完成為止(在步驟513及514中)。方法500顯示該陣列之完整讀取，但是如希望的話，可以讀取子集(sub-sets)。

像在第6-9圖中，可以使用偏壓狀況之差異，測量臨界電壓或洩漏。

像該方法400，該方法500導致可以以各種不同方式來做特性描繪之輸出電壓。將以第6-9圖描述這些特性描述之方式。然而，簡單地說，可以使用該讀取機構之輸出來描述該電晶體之不同特徵(例如，充電時間、放電時間、洩漏時間及/或導通時間)。

關於第6-9圖，應該注意到RESET(重置)、S1、S2、GATE n-1或PLATE(板極)、DATA(資料)、Vp及GATE n係對應於第3圖中之相似者。並且，在第6-9圖中，顯示一段期間之相對電壓或輸出。

參考第6及7圖，如線602及702所表示之輸出電壓(亦即，像素電壓(Vp))所示，可以改變在該閘極導通期間之時間及測量所收集電荷之數量，藉以推斷像素充電及放電時間。以在像素電容器之另一側上的脈衝從像素引入或移除電荷。當啟動該閘極時，發生充電或放電，隨後實施測量。在該測量後，使該像素回復至它的前狀態。接著，在不同期間啟動該閘極，以重複該完整週期。可以零(沒有閘極啟動)與無限大(全充電或放電漸近線)來制定該等測量。以這些因素來調整，可以測量該充電及放電時間。

在第8圖中以線802描述洩漏電流之測量。經由該像素電容器充電與在該像素上之電荷的測量間之延遲係不同的。藉由比較非常短及長的時間，可以測量該放電時間。

如第9圖中之線902所示，亦可以測量導通電壓。此測量採用用以測量充電或放電之一般要點，但是在該閘極與資料信號間具有偏移變動。

亦可以藉由該系統來實現其它測量。可以藉由除以該像素電容，將充電/放電及洩漏時間轉換成等效電阻，其中該像素電容係以引入信號對所測量之已校正電荷的比率來測量。為閘極電壓偏移之函數的放電電阻之測量產生該等電晶體之互導的粗略概念。明確地，其它測量在此架構中係可允許的。可以藉由結合例如像素充電時間與應力程序(stressing sequence)以有限方式測量電晶體之偏壓應力。不可能實施偏壓應力之非常普遍的測量，但是如果控制閘極脈衝之大小及偏移，則導通電壓變動之測量可輕易完成。

10．．．曲線圖

12．．．選通電壓

13．．．資料線電壓

14．．．資料線電壓

15．．．輸出電壓

16．．．像素電壓

200．．．系統

202．．．陣列

204．．．閘極驅動器或電路

205．．．連接器

206．．．板極驅動器或電路

207．．．連接器

208．．．電荷讀取裝置

209．．．連接器

210．．．控制器或控制電路

211．．．資料驅動器

212．．．連接器

213．．．板極

300．．．部分

302．．．像素

304．．．閘極端

306．．．接線

308．．．板極端子

310．．．資料線

312．．．像素

314．．．閘極端

316．．．接線

318．．．接線

320．．．讀取機構

322．．．放大器

324．．．電容器

326．．．重置開關

328．．．開關

330．．．電容器

332．．．開關

334．．．電容器

602．．．線

702．．．線

802．．．線

902．．．線

Vp．．．像素電壓

第1圖描述像素之充電及放電波形的「眼」視圖。為了使充電及放電的疊置清楚；

第2圖描述具有基本零件及可選零件之系統配置；

第3圖描述簡單主動式矩陣之一部分及關聯電荷讀取電子電路；

第4(a)圖係顯示用以測量簡單主動式矩陣之實例計算法的流程圖；

第4(b)圖列出陣列激勵(stimuli)之可能方法；

第5圖係顯示一實例計算法之流程圖，其中在偏壓狀況下設定該陣列及在第二偏壓狀況下讀取該陣列；

第6圖係顯示如何使用選通時序之變化來測量電晶體充電電流之時序圖；

第7圖係顯示如何使用選通時序之變化來測量電晶體放電電流之時序圖；

第8圖係顯示如何使用板極電壓之變化來測量像素洩漏電流之時序圖；以及

第9圖係顯示如何使用選通電壓之變化來測量像素傳導及電晶體臨界電壓之時序圖。

200．．．系統

202．．．陣列

204．．．閘極驅動器或電路

205．．．連接器

206．．．板極驅動器或電路

207．．．連接器

208．．．電荷讀取裝置

209．．．連接器

210．．．控制器或控制電路

211．．．資料驅動器

212．．．連接器

213．．．板極

Claims (6)

1. 一種用以測試主動式矩陣陣列之系統，該等陣列包括複數個電晶體，該系統包含：引入元件，其被操作以施加驅動電壓至陣列之經選擇的電晶體；讀取電路，其具有被操作以選擇性地偵測輸出信號之放大器；以及控制電路，其被操作以控制該引入元件及該讀取電路，其中該引入元件係板極驅動電路，及該板極驅動電路被操作以施加電壓至配置在該陣列上的板極，且該讀取電路被操作以偵測在該陣列中的電晶體的輸出訊號。
2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該等電晶體係在液晶顯示器中之像素元件。
3. 一種用以測試一電晶體陣列之方法，包括：在該待測陣列中選擇第一電晶體列；引入驅動電壓至被電性地連接至該第一電晶體列的一個端子之第二電晶體列的閘極端；選擇性地偵測該第一電晶體列之輸出；以及處理該輸出，其中該處理包括測量該第一電晶體列之充電時間、及測量該第一電晶體列之放電時間。
4. 一種用以測試一電晶體陣列之方法，包括： 從該陣列選擇待測電晶體列；引入驅動電壓至該電晶體之板極端子；選擇性地偵測該電晶體列之輸出；以及處理該輸出，其中該處理包括測量該第一電晶體列之充電時間、及測量該第一電晶體列之放電時間。
5. 一種用以測試一電晶體陣列之方法，包括：從該陣列選擇待測電晶體列；引入驅動電壓，藉以經由經選擇之資料線對該電晶體列充電；選擇性地偵測該電晶體列之輸出；以及處理該輸出，其中該處理包括測量該第一電晶體列之充電時間、及測量該第一電晶體列之放電時間。
6. 一種用以測試一電晶體陣列之方法，包括：從該陣列選擇待測電晶體列；轉移該電晶體列之讀取電路的偏壓位準，藉以充電該電晶體列；選擇性地偵測該電晶體列之輸出；以及處理該輸出，其中該處理包括測量該第一電晶體列之充電時間、及測量該第一電晶體列之放電時間。