CN102446475B - 平板显示装置的像素电极电压检测电路 - Google Patents

平板显示装置的像素电极电压检测电路 Download PDF

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Abstract

一种平板显示装置的像素电极电压检测电路，所述平板显示装置具有相互交叉排列的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和多条数据线限定出多个像素单元，所述每个像素单元包括像素开关元件和像素电极；所述像素电极电压检测电路包括：至少一个像素电极电压检测子电路，其中，像素电极电压检测子电路包括：与像素单元中的像素电极连接的信号放大单元，用于对像素电极的电压信号作放大处理；与信号放大单元连接的信号检测单元，用于检测经所述信号放大单元作放大处理后的像素电极电压信号，并输出所述像素电极电压信号随时间的变化状况。相比于现有技术，本发明具有检测电路简单且能获得准确的检测结果的优点。

Description

平板显示装置的像素电极电压检测电路
技术领域
本发明涉及平板显示技术，特别涉及平板显示装置的像素电极电压检测电路。
背景技术
由于液晶显示装置(Liquid crystal device，LCD)具有：轻、薄、占地小、耗电小、辐射小等优点，被广泛应用于各种数据处理设备中，例如电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等。随着电子产业的不断发展，液晶显示装置的性能也越来越高。
以常见的薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor LCD，TFT-LCD)为例，其属于有源矩阵液晶显示器中的一种。TFT-LCD的主要特点是在每个像素点中都配置一个半导体开关器件，每个像素点都是一个相互隔离的独立的晶体管，由于每个像素点都可以通过点脉冲直接控制，因而每个像素相对独立，并可连续控制，这样不仅提高了反应时间，同时在灰度控制上可以做到非常精确。
通常的液晶显示装置包括液晶显示面板和用于驱动液晶显示面板的驱动电路。
液晶显示面板一般包括彩膜基板和阵列基板，在阵列基板相对于彩膜基板的一侧布置有MxN个液晶像素单元阵列。如图1所示，以其中的任一液晶像素单元为例，包括扫描线GL、与扫描线GL交叉的数据线DL以及形成在扫描线GL和数据线DL的交叉处用于驱动液晶像素电极的薄膜晶体管(TFT)。其中，扫描线GL与薄膜晶体管TFT的栅极相连，用于导通薄膜晶体管TFT；数据线DL与薄膜晶体管TFT的源极相连，用于给液晶像素电极提供电压；液晶像素单元与薄膜晶体管的漏极相连。如果向形成在阵列基板上的像素电极施加数据电压并且向位于彩膜基板的共用电极施加共用电极电压Vcom，则通过施加到液晶层的电场改变液晶分子的排列，控制光线的透过量，显示相应的图像。在一个像素单元内，像素电极、共用电极和夹于其中的液晶分子会形成一个液晶电容Clc，在薄膜晶体管TFT打开时数据线会对其充电，并且液晶电容Clc会使像素电极在薄膜晶体管TFT关闭后保持显示电压直到下一次薄膜晶体管TFT的开启。因为液晶电容Clc漏电的影响，所以给液晶电容Clc又并联了一个存储电容Cst。另外，扫描线GL连接的薄膜晶体管TFT的栅极端和与像素电极连接的薄膜晶体管TFT的源极端之间还存在一个寄生电容Cgs。
图2显示了伴随栅极驱动脉冲Vg和数据电压Vdata变化的情况下液晶像素电极的电压信号Vpixel的电势变化图。如图2所示，向扫描线GL提供栅极驱动脉冲Vg，用于导通薄膜晶体管；当所述栅极驱动脉冲Vg保持在栅极高电压时，即，在扫描周期的过程薄膜晶体管开启，数据电压Vdata对像素电极施加信号，即对液晶电容Clc充电，并且在恒定时间内保持充电电压，该充电电压也作为对存储电容器Cst充电的电压。由图2可知，由于薄膜晶体管的寄生电容而产生的反冲电压，所述像素电极的电压信号Vpixel在栅极驱动脉冲的下降沿处会产生电压跳变(图2中圆圈标注处)，再加上薄膜晶体管开关的漏电和图像串扰，所述像素电极电压信号Vpixel会偏离设定的信号电压。当每个像素电极的信号电压Vpixel不是电子图像应该有的电压时，液晶面板的输出光学图像的对比度、图像闪烁的程度、图像的残留程度、图像的颜色饱和度、图像的灰度、GAMMA特性和逼真度就会发生畸变。
因此，对于这种非对称的电势漂移，需要通过电压补偿来修正，一般，可以通过调整共用电极电压Vcom为Vcom′来实现像素电极电压信号的对称性。但该种通过调整共用电极电压的方式仅适用于所有液晶像素电极的电势变化都相同的情况下。而在其他情况下，由于反冲电压在不同液晶像素电极的变化不相同而导致无法采用调整共用电极电压Vcom来进行补偿。
现在，业界已提出采用平衡扫描线电阻和电容来补偿非均匀性的反冲电压。专利公告号为US6,842,200的美国专利文件提供了一种“具有供平衡RC延迟效应的补偿电容的液晶面板”，其主要是通过额外提供分别连接于多条导线的多个补偿电容(具有预定的电容值)，以使所述各个对应的导线的电阻值与电容值的乘积相近，降低各条导线之间的RC延迟效应。但上述方法，存在设计约束、制作工艺复杂的问题，且在实际应用中很难获得确切的电容值。
且，在另一方面，如果像素电极电压的偏差是可知的，则可以通过在共用电极Vcom上施加相反极性的补偿部件。但是，在现有技术中，由于缺乏直接检测像素电极电压的方法，现有的TFT阵列设计及检错修正基本上仍是依靠经验和计算机仿真来间接推测像素电极电压的变化，从而对产品、或者对某一批次的产品做统一的信号电压偏移的补偿，但是这种补偿调整存在有如下缺点：操作繁杂、费时费力；由于是依靠经验和计算机仿真来间接推测像素电压的变化，不能确保获得准确的像素电极电压的变化状况，影响后续的补偿结果；在实际应用中，不便于针对每一个产品进行个别处理，以对产品在使用过程中发生的老化和漂移做即时的补偿。而利用外部感应电路(例如放大器或示波器等)来尝试感应像素电极电压，由于所述感应电路中自身的电容值会明显影响电容值本就很微小(0.1pF至1pF)的液晶像素单元，因此，同样无法准确地检测像素电压的变化。
发明内容
本发明解决的问题是提供一平板显示装置的像素电极电压检测电路，避免了现有技术中像素电极电压检测电路存在结构复杂或由于自身电子特性影响像素电极而导致像素电极电压检测准确性较低的等问题。
为解决上述问题，本发明提供一种平板显示装置的像素电极电压检测电路，所述平板显示装置具有相互交叉排列的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和多条数据线限定出多个像素单元，所述每个像素单元包括像素开关元件和像素电极；所述像素电极电压检测电路包括：至少一个像素电极电压检测子电路，其中，所述像素电极电压检测子电路包括：与所述像素单元中的像素电极连接的信号放大单元，用于对所述像素电极的电压信号作放大处理；与所述信号放大单元连接的信号检测单元，用于检测经所述信号放大单元作放大处理后的像素电极电压信号，并输出所述像素电极电压信号随时间的变化状况。
可选地，所述像素开关元件为薄膜晶体管，具体包括：栅极，电连接于所述扫描线，用于控制所述薄膜晶体管的导通和关断；源极，电连接于所述数据线，用于接收数据信号；漏极，电连接于所述像素电极。
可选地，所述平板显示装置为帧反转模式或行反转模式，所述平板显示装置的一行像素单元的各个像素电极并联到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
可选地，所述平板显示装置为点反转模式，所述平板显示装置的一行像素单元中极性变化相同的各个像素电极并联到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
可选地，所述平板显示装置的第一行和最后一行的像素单元的各个像素电极分别连接于所述两个像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
可选地，所述平板显示装置的第一行的第一个像素单元和第一行最后一个像素单元的像素电极分别连接于所述两个像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
可选地，所述连接到各个像素电极电压检测子电路的信号放大单元的像素电极为平板显示装置的空白像素电极。
可选地，所述信号放大单元为MOS晶体管，所述MOS晶体管的栅极与所述像素单元的像素电极连接。
可选地，所述像素电极电压检测子电路还包括预置单元，位于作为信号放大单元的所述MOS晶体管和与其连接的所述像素单元的像素电极之间，用于对作为信号放大单元的所述MOS晶体管的特性进行预置。
可选地，所述预置单元为MOS晶体管，所述MOS晶体管的漏极与作为信号放大单元的所述MOS管的栅极连接。
可选地，所述信号放大单元为源跟随器。
可选地，所述源跟随器包括：第一MOS晶体管和第二MOS晶体管；其中，所述第一MOS晶体管的栅极作为与所述像素电极连接的输入端，所述第一MOS晶体管的源极接地，所述第一MOS晶体管的漏极与第二MOS晶体管的漏极连接而作为输出端，所述第二MOS晶体管的栅极和源极共同与电源电压连接。
可选地，所述源跟随器还包括位于所述第一MOS晶体管的栅极处的预置端，用于对所述源跟随器的特性进行预置。
可选地，所述平板显示装置为薄膜晶体管液晶显示装置。
本发明为平板显示装置的像素电极电压检测电路，利用其中的信号放大单元可以将像素电极的电压信号进行信号放大处理，这样就可便于对所述像素电极的电压信号进行观察，进而检测出所述像素电极电压信号随时间的变化状况，相对于现有技术，本发明具有检测电路简单且能获得准确的检测结果的优点。
附图说明
图1为现有技术中液晶显示装置的示意图；
图2显示了伴随栅极驱动脉冲和数据电压变化的情况下液晶像素电极的电势变化图；
图3显示了本发明第一实施例像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图；
图4显示了图3在一个变化例中的结构示意图；
图5显示了本发明第二实施例像素电电极压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图；
图6显示了图5在一个变化例中的结构示意图；
图7显示了本发明第三实施例像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图；
图8显示了本发明第四实施例像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图；
图9显示了本发明第五实施例像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图；
图10显示了本发明第六实施例像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图。
具体实施方式
本发明的发明人发现，在现有的针对包括薄膜晶体管液晶显示装置、低温多晶硅有机发光显示装置、电子纸显示装置等平板显示装置中的像素电极电压的检测技术，由于缺乏直接检测像素电极电压的方法，一般情况下仍是依靠经验和计算机仿真来间接推测像素电极电压的变化，并根据间接推测的所述结果对产品、或者对某一批次的产品做统一的像素电极电压偏移的补偿，但是这种补偿调整存在诸如像素电极电压变化检测不准确、像素电极电压补偿不到位以及操作繁杂等问题。另外，在其他情况下若利用外部感应电路来感应像素电极电压，则由于感应电路中自身的电容值较大而会明显影响电容值本就很微小的像素单元，影响检测效果，无法准确地检测出像素单元的像素电极电压的变化，同样不利于后续像素单元的电压补偿。
在对本发明的技术内容进行详细描述之前，需要说明的是，在以下各实施例中，所述平板显示装置是以薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD)为例进行说明的，但并不限于薄膜晶体管液晶显示装置。且为叙述方便，在这里，我们对于薄膜晶体管液晶显示装置的结构作简化处理，仅描述本案所涉及的元部件，但并不因以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种平板显示装置的像素电极电压检测电路，所述平板显示装置具有相互交叉排列的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和多条数据线限定出多个像素单元，其中的每一个像素单元具有共用电极、连接于所述扫描线和所述数据线的像素开关元件、连接于所述像素开关元件的像素电极；所述像素电极电压检测电路包括：至少一个像素电极电压检测子电路，其中，每一个所述像素电极电压检测子电路包括：与所述像素单元中的像素电极连接的信号放大单元，用于对所述像素电极的像素电流信号作放大处理；与所述信号放大单元连接的信号检测单元，用于检测经所述信号放大单元作放大处理后的像素电极电压信号，并输出所述像素电极电压信号随时间的变化状况。
图3显示了本发明第一实施例中像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的电路结构示意图。所述图3仅为示例性说明，截取的是薄膜晶体管液晶显示装置的一部分；而且，在这里，对于液晶显示装置的结构有所简化和省略，而仅显示与本案相关的组成部分，并非用以限制其保护范围。如图3所示，所述液晶显示装置包括有源矩阵区域(Active Matrix)，所述有源矩阵区域中包括：像素单元，所述像素单元包括作为开关件的薄膜晶体管(TFT)、与TFT的漏极连接的像素电极；多条扫描线G1、G2、......、Gm(m为自然数)，在水平方向上延伸，分别连接于像素单元中TFT的栅极，用于向像素单元提供用于导通TFT的扫描信号；多条数据线S1、S2、S3、S4、......、Sn-1、Sn(n为自然数)，在竖直方向上延伸，分别连接于像素单元中TFT的源极，用于向像素单元的像素电极提供数据信号；共用电极线C1、C2、......、Cm(m为自然数)，在水平方向上延伸，分别连接于像素单元中共用电极，用于向像素单元的共用电极提供公共电压信号。
在实际应用中，所述公共电压信号被施加到所有像素单元的共用电极，向所述扫描线施加扫描信号，使得所述像素单元中的TFT导通，在TFT导通的情形下，所述数据线上的数据信号被施加到所述像素电极。
由于TFT的寄生电容而产生的反冲电压，所述像素电极电压信号在栅极驱动脉冲的下降沿处会产生电压跳变，因此在显示图像上会出现闪烁和图像残留，图像的颜色饱和度、图像的灰阶、GAMMA特性和逼真度就会发生畸变。
有鉴于，在本发明中就提供了一种像素电极电压检测电路，用于准确检测出像素电极电压的变化状况，以利于后续的电压调整(例如改变共用电极的大小)来消除因为反冲电压造成的图像缺陷。
请继续参阅图3，所述液晶显示装置还包括位于所述有源矩阵区域外部的像素电极电压检测电路，所述电压检测电路包括一个电压检测子电路，包括：作为信号放大单元的MOS晶体管T和与MOS晶体管T连接的信号检测单元M。其中MOS晶体管T的栅极与所述有源矩阵区域中像素单元的像素电极连接，MOS晶体管T的源极与电源电压VDD连接；MOS晶体管T的漏极接地；MOS晶体管T具有负载电阻R，并在所述负载电阻R处引出作为MOS晶体管T的输出端，所述输出端与信号检测单元M连接。在本实施例中，是将第一行的每一个像素单元中的像素电极并联到所述MOS晶体管T的栅极，利用所述MOS晶体管T，用于对与其连接的所述像素电极的电流信号作放大处理。
在这里，之所以采用MOS晶体管T进行像素电流信号的放大处理，在于所述MOS晶体管T的栅极的电容可以非常小(所述MOS晶体管T的栅极的电容要小于所连接的像素电极的总电容的1/10)，将各个所述像素电极连接在MOS晶体管T的栅极上，对所述像素电极的电压影响甚小，总的电压基本不变。
另一方面，这种将第一行的每一个像素单元中的像素电极都与所述MOS晶体管T的栅极进行连接的方式的意义在于：1)、由于与MOS晶体管T连接的像素单元中的像素电极可设置为空白像素(dummy pixel)电极，在图像显示时，所述与MOS晶体管T连接的像素单元不显示图像内容，因此，在本实施例中，选取的是对图像显示内容影响较小的、作为空白像素电极的第一行像素单元的像素电极，这样就可确保不占用过多的像素单元也不会牺牲有用的显示内容；2)、由于MOS晶体管T栅极的寄生电容以及MOS晶体管T的输入电容会对与其连接的所述像素电极的信号造成衰减。实践证明，与MOS晶体管T并联的像素电极越多，所受到的影响就越小。因此，在本实施例中，采用的是将第一行中的所有像素单元的像素电极都与MOS晶体管T连接，以期尽可能减少对信号的衰减。当然，在其他变化例中，并不仅限于第一行的像素单元，例如也可以是将最后一行的像素单元中的所有像素电极都与MOS晶体管T连接，如图4所示，应具有相似的效果，在此不再赘述。
再有，在所述第一实施例的像素电极电压检测电路中，将第一行的每一个像素单元中的像素电极都与所述MOS晶体管T的栅极进行连接的方式可以适用于所述液晶显示装置的帧反转(Frame Inversion)模式或行反转(LineInversion)。在帧反转模式或行反转模式中，每一行的像素单元中的各个像素电极的电压差的极性相同。
当应用图3所示的像素电极电压检测电路时，第一行中所有像素单元的像素电极的像素电压作为MOS晶体管T的栅极电压，可以调制MOS晶体管T的源漏极电流。具体包括，MOS晶体管T的栅极的电压信号控制了MOS晶体管T的源漏极的电流信号，所述电流信号进而控制MOS晶体管T的负载电阻处输出端的电压信号。易知，所述MOS晶体管T的源漏极电流是正比于其栅极电压的平方。因此，MOS晶体管T栅极处在微小变量上的电压信号变化会引起MOS晶体管T源漏极在大变量上的电流信号变化，进而引起MOS晶体管T输出端在大变量上的电压信号变化。后续，信号检测单元M即可检测MOS晶体管T输出端的电压信号，根据所述输出端的电压信号变化推算出加载在MOS晶体管T栅极处的电压信号变化，输出与所述电压信号对应的像素电极电压信号随时间的变化状况。在本实施例中，所述信号检测单元M可以是示波器，可以对电压信号进行模数转换(A/D)，并将电压信号随时间的变化状况以图像化形式(例如波形曲线)予以显示。通过上述像素电极电压检测电路，可以便捷准确地检测出所述像素电极的电压的变化状况，即使是在像素电极的电压的变化非常微小的情况下。
图5显示了本发明第二实施例中像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图。
其中，在第二实施例中，与第一实施例相同或近似之元部件是以相同或近似之元部件符号表示，并省略详细地叙述，以使本发明的描述更清楚易懂。
第二实施例与第一实施例最大不同之处在于像素单元的像素电极与作为信号放大单元的MOS晶体管T的连接方式。在第二实施例中，采用的是将第一行中位于奇数列的像素单元的像素电极与MOS晶体管T的栅极连接。
在所述第二实施例的像素电极电压检测电路中，将第一行中位于奇数列的像素单元的像素电极与MOS晶体管T的栅极进行连接的方式可以适用于所述液晶显示装置的点反转(Dot Inversion)模式。在所述点反转模式中，施加到相邻像素单元中的像素电极的电压差的极性在各个方向上都是互反的，因此第一行中位于奇数列的像素单元的像素电极的电压差的极性在点反转模式中是相同的。当然，在其他变化例中，并不仅限于第一行中位于奇数列的像素单元，例如也可以采用的是将第一行中位于偶数列的像素单元的像素电极(偶数列的像素单元的像素电极的电压差的极性在点反转模式中是相同的)与MOS晶体管T的栅极进行连接，如图6所示；或者又可以采用的是将最后一行中位于奇数列的像素单元的像素电极与MOS晶体管T的栅极进行连接；或者还可以采用的是将最后一行中位于偶数列的像素单元的像素电极与MOS晶体管T的栅极进行连接。应具有相似的效果，在此不再赘述。
图7显示了本发明第三实施例中像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图。
其中，在第三实施例中，与第一实施例相同或近似之元部件是以相同或近似之元部件符号表示，并省略详细地叙述，以使本发明的描述更清楚易懂。
第三实施例与第一实施例最大不同之处在于所述像素电极电压检测子电路还包括作为预置单元的MOS晶体管T2。MOS晶体管T2位于作为信号放大单元的MOS晶体管T1和与MOS晶体管T1连接的所述像素单元的像素电极之间，并且MOS晶体管T2的漏极与MOS晶体管T1的栅极连接，用于对作为信号放大单元的所述MOS晶体管T1的特性进行预置。
所述预置具体包括：当将一参考电压(例如为15V)施加于MOS晶体管T2的栅极时，MOS晶体管T2导通，与MOS晶体管T2的源极连接的外部电路(未在图7中予以显示)就可以对MOS晶体管T1进行预置，特征化MOS晶体管T1。预置完成后，MOS晶体管T2关断，就可如第一实施例中的描述利用MOS晶体管T1对所述像素电极的电压信号作放大处理，其中关断的MOS晶体管T2电容值非常微小，不会对MOS晶体管T1造成影响。
图8显示了本发明第四实施例中的像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图。
其中，在第四实施例中，与第一实施例相同或近似之元部件是以相同或近似之元部件符号表示，并省略详细地叙述，以使本发明的描述更清楚易懂。
第四实施例与第一实施例最大不同之处在于采用源跟随器SF来替代MOS晶体管T作为信号放大单元。在第四实施例中，采用的是将第一行的每一个像素单元中的像素电极都与所述源跟随器SF进行连接。
所述源跟随器SF包括：第一MOS晶体管T1和第二MOS晶体管T2；其中，第一MOS晶体管T1的栅极作为与各个所述像素电极连接的输入端，第一MOS晶体管T1的源极接地，第一MOS晶体管T1的漏极与第二MOS晶体管T2的漏极连接而作为输出端，第二MOS晶体管T2的栅极和源极共同与电源电压VDD连接。另外，在本实施例中，所述源跟随器SF还包括位于第一MOS晶体管T1的栅极处的预置端VF，用于对源跟随器SF的特性进行预置。同样，在其他变化例中，并不仅限于第一行的像素单元，例如也可以采用的是将最后一行的像素单元中的所有像素电极都与源跟随器SF连接，应具有相似的效果，在此不再赘述。
所述对源跟随器SF的特性进行预置具体包括：当将一参考电压(例如为15V)施加于MOS晶体管T1的栅极处的预置端VF时，就可以对源跟随器SF(主要是针对源跟随器SF中的MOS晶体管T1)进行预置，特征化源跟随器SF。预置完成后，将预置端VF空置，就可利用源跟随器SF对所述像素电极的电压信号作放大处理。
当应用图8所示的像素电极电压检测电路时，第一行中所有像素单元的像素电极的电压作为源跟随器SF的输入电压，可以调制流经第一MOS晶体管T1和第二MOS晶体管T2的源漏极电流。具体包括，MOS晶体管T的栅极的电压信号，控制了流经第一MOS晶体管T1和第二MOS晶体管T2的源漏极的电流信号，所述电流信号进而控制源跟随器SF输出端的电压信号。易知，所述流经第一MOS晶体管T1和第二MOS晶体管T2的源漏极的电流是正比于源跟随器SF的输入电压的平方。因此，第一MOS晶体管T1栅极处在微小变量上的电压信号变化会引起流经第一MOS晶体管T1和第二MOS晶体管T2的源漏极在大变量上的电流信号变化，进而引起源跟随器SF输出端在大变量上的电压信号变化。后续，信号检测单元M即可检测源跟随器SF输出端的电压信号，根据所述输出端的电压信号变化推算出加载在源跟随器SF输入端的电压信号变化，输出与所述电压信号对应的像素电极电压信号随时间的变化状况。
图9显示了本发明第五实施例中的像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图。
其中，在第五实施例中，与第四实施例相同或近似之元部件是以相同或近似之元部件符号表示，并省略详细地叙述，以使本发明的描述更清楚易懂。
第五实施例与第四实施例最大不同之处在于提供了具有两个像素电极电压检测子电路的像素电极电压检测电路，其中的一个电压检测子电路适用于第一行的像素单元，另一个电压检测子电路适用于最后一行的像素单元，每一个像素电极电压检测子电路都包括作为信号放大单元的源跟随器SF和与源跟随器SF连接的信号检测单元M。具体来讲，将第一行的每一个像素单元中的像素电极都与所述第一个电压检测子电路的源跟随器SF进行连接，而将最后一行的每一个像素单元中的像素电极都与所述第二个电压检测子电路的源跟随器SF进行连接。
由于与源跟随器SF连接的像素单元中的像素电极将作为空白像素(dummy pixel)，在图像显示时，所述与源跟随器SF连接的像素单元不显示图像内容，因此，在本实施例中，选取的是对图像显示内容影响较小第一行的像素单元以及最后一行的像素单元。
相比于第四实施例，在第五实施例中，不仅能够检测出第一行像素单元的像素电极的电压变化状况，还能检测出最后一行像素单元的像素电极的电压变化状况。另外，根据第一行像素单元的像素电极的电压变化状况和最后一行像素单元的像素电极的电压变化状况，还能够大致推测出所述有源矩阵区域中由上至下每一行像素单元的像素电极的电压变化状况。例如假设第一行像素单元的像素电极的电压变化状况为V1(t)，最后一行像素单元的像素电极的电压变化状况为Vm(t)，两者相减得ΔVt(t)＝Vm(t)-V1(t)，再假设行与行之间的像素单元的像素电极的电压变化状况为线性或近似线性的，这样，相邻两行的像素单元的像素电极的电压变化状况为ΔV(t)＝ΔVt(t)/(m-1)，如此，所述有源矩阵区域中的第h行的像素单元的像素电极的电压变化状况为Vh(t)＝V1(t)+(h-1)*ΔV(t)，以此类推，从而掌握所述有源矩阵区域中所有行的像素单元的像素电极的电压变化状况，更有利于后续的电压补偿。当然，上述仅为示例性描述，并不代表各行像素单元的像素电极的电压变化状况得严格按照上述变化规律，也可以有其他的变化例，应不作为对本发明保护范围的限定。
图10显示了本发明第六实施例中的像素电极电压检测电路应用在薄膜晶体管液晶显示装置上的结构示意图。
其中，在第六实施例中，与第五实施例相同或近似之元部件是以相同或近似之元部件符号表示，并省略详细地叙述，以使本发明的描述更清楚易懂。
第六实施例与第五实施例最大不同之处在于提供的具有两个像素电极电压检测子电路的像素电极电压检测电路与像素单元的像素电极的连接方式不同。在第六实施例中，其中的一个电压检测子电路适用于第一行第一个像素单元，另一个电压检测子电路适用于第一行最后一个像素单元。具体来讲，将第一行第一个像素单元的像素电极与所述第一个电压检测子电路的源跟随器SF进行连接，而将第一行最后一个像素单元中的像素电极与所述第二个电压检测子电路的源跟随器SF进行连接。
相比于第五实施例，在第六实施例中，所提供的像素电极电压检测电路不仅能够检测出第一行第一个像素单元的像素电极的电压变化状况，还能检测出第一行最后一个像素单元的像素电极的电压变化状况。另外，根据第一行第一个像素单元的像素电极的电压变化状况和第一行最后一个像素单元的像素电极的电压变化状况，还能够大致推测出所述有源矩阵区域中由左至右每一列像素单元的像素电极的电压变化状况，例如假设第一个像素单元的像素电极的电压变化状况为V1(t)，最后一个像素单元的像素电极的电压变化状况为Vn(t)，两者相减得ΔVt(t)＝Vn(t)-V1(t)，再假设列与列之间的像素单元的像素电极的电压变化状况为线性或近似线性的，这样，相邻两列的像素单元的像素电极的电压变化状况为ΔV(t)＝ΔVt(t)/(n-1)，如此，所述有源矩阵区域中的第i列的像素单元的像素电极的电压变化状况为Vi(t)＝V1(t)+(i-1)*ΔV(t)，以此类推，从而掌握所述有源矩阵区域中所有列的像素单元的像素电极的电压变化状况，更有利于后续的电压补偿。当然，上述仅为示例性描述，并不代表各列像素单元的像素电极的电压变化状况得严格按照上述变化规律，也可以有其他的变化例，应不作为对本发明保护范围的限定。
虽然本发明己以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (17)

1.一种平板显示装置的像素电极电压检测电路，所述平板显示装置具有相互交叉排列的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和多条数据线限定出多个像素单元，每个所述像素单元包括像素开关元件和像素电极；其特征在于，所述像素电极电压检测电路包括：
至少一个像素电极电压检测子电路，其中，所述像素电极电压检测子电路包括：
与所述像素单元中的像素电极连接的信号放大单元，用于对所述像素电极的电压信号作放大处理；
与所述信号放大单元连接的信号检测单元，用于检测经所述信号放大单元作放大处理后的像素电极电压信号，并输出所述像素电极电压信号随时间的变化状况；
所述信号检测单元是示波器，用于对所述电压信号进行模数转换，并将所述像素电极电压信号随时间的变化状况以图像化形式予以显示；
所述信号放大单元为MOS晶体管，所述MOS晶体管的栅极与所述像素单元的像素电极连接；
所述像素电极电压检测子电路还包括预置单元，位于作为信号放大单元的所述MOS晶体管和与其连接的所述像素单元的像素电极之间，用于对作为信号放大单元的所述MOS晶体管的特性进行预置。
2.根据权利要求1所述的平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述像素开关元件为薄膜晶体管，具体包括：栅极，电连接于所述扫描线，用于控制所述薄膜晶体管的导通和关断；源极，电连接于所述数据线，用于接收数据信号；漏极，电连接于所述像素电极。
3.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置为帧反转模式或行反转模式，所述平板显示装置的一行像素单元的各个像素电极并联到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
4.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置为点反转模式，所述平板显示装置的一行像素单元中极性变化相同的各个像素电极并联到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
5.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置的第一行和最后一行的像素单元的各个像素电极分别连接于一个所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
6.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置的第一行的第一个像素单元和第一行最后一个像素单元的像素电极分别连接于一个所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
7.根据权利要求3至6任一所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述连接到各个像素电极电压检测子电路的信号放大单元的像素电极为平板显示装置的空白像素电极。
8.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述预置单元为MOS晶体管，所述MOS晶体管的漏极与作为信号放大单元的所述MOS晶体管的栅极连接。
9.一种平板显示装置的像素电极电压检测电路，所述平板显示装置具有相互交叉排列的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和多条数据线限定出多个像素单元，每个所述像素单元包括像素开关元件和像素电极；其特征在于，所述像素电极电压检测电路包括：
至少一个像素电极电压检测子电路，其中，所述像素电极电压检测子电路包括：
与所述像素单元中的像素电极连接的信号放大单元，用于对所述像素电极的电压信号作放大处理；
与所述信号放大单元连接的信号检测单元，用于检测经所述信号放大单元作放大处理后的像素电极电压信号，并输出所述像素电极电压信号随时间的变化状况；
所述信号检测单元是示波器，用于对所述电压信号进行模数转换，并将所述像素电极电压信号随时间的变化状况以图像化形式予以显示；
所述信号放大单元为源跟随器；所述源跟随器包括：第一MOS晶体管和第二MOS晶体管；其中，所述第一MOS晶体管的栅极作为与所述像素电极连接的输入端，所述第一MOS晶体管的源极接地，所述第一MOS晶体管的漏极与第二MOS晶体管的漏极连接而作为输出端，所述第二MOS晶体管的栅极和源极共同与电源电压连接；所述源跟随器还包括位于所述第一MOS晶体管的栅极处的预置端，用于对所述源跟随器的特性进行预置。
10.根据权利要求9所述的平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述像素开关元件为薄膜晶体管，具体包括：栅极，电连接于所述扫描线，用于控制所述薄膜晶体管的导通和关断；源极，电连接于所述数据线，用于接收数据信号；漏极，电连接于所述像素电极。
11.根据权利要求9所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置为帧反转模式或行反转模式，所述平板显示装置的一行像素单元的各个像素电极并联到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
12.根据权利要求9所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置为点反转模式，所述平板显示装置的一行像素单元中极性变化相同的各个像素电极并联到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
13.根据权利要求9所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置的第一行和最后一行的像素单元的各个像素电极分别连接于一个所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
14.根据权利要求9所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置的第一行的第一个像素单元和第一行最后一个像素单元的像素电极分别连接于一个所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
15.根据权利要求11至14任一所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述连接到各个像素电极电压检测子电路的信号放大单元的像素电极为平板显示装置的空白像素电极。
16.根据权利要求9所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述预置单元为MOS晶体管，所述MOS晶体管的漏极与作为信号放大单元的所述MOS晶体管的栅极连接。
17.根据权利要求1或9所述平板显示装置的像素电极电压检测电路，其特征在于，所述平板显示装置为薄膜晶体管液晶显示装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8730229B2 (en) * 2011-09-28 2014-05-20 Apple Inc. Devices and methods for zero-bias display turn-off using VCOM switch
KR101965258B1 (ko) * 2012-02-17 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CN103913913B (zh) * 2013-12-10 2016-11-02 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN105448215B (zh) * 2014-06-20 2018-10-02 上海和辉光电有限公司 Amoled的像素测试电路及像素测试电路的测量方法
CN106057110B (zh) * 2016-08-04 2019-04-05 武汉华星光电技术有限公司 阵列测试电路及阵列测试方法
JP2018155964A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の共通電圧調整方法
CN107123655B (zh) * 2017-06-28 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、检测方法和显示装置
CN108182895B (zh) * 2017-12-12 2020-06-30 武汉华星光电技术有限公司 一种用于检测显示面板中像素电位的电路及方法、显示面板
CN108682379A (zh) * 2018-06-29 2018-10-19 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法
CN108877610B (zh) * 2018-07-10 2021-09-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其检测方法和显示装置
CN109272912B (zh) * 2018-11-30 2020-05-19 惠科股份有限公司 错充检测方法及错充检测系统
CN110288956B (zh) 2019-05-06 2021-11-30 重庆惠科金渝光电科技有限公司 显示装置
CN110322850B (zh) * 2019-05-06 2020-12-08 惠科股份有限公司 显示装置
CN110738974B (zh) * 2019-10-28 2022-05-20 京东方科技集团股份有限公司 液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置
CN111025697B (zh) * 2019-12-16 2021-06-01 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板以及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462615B1 (en) * 2001-10-01 2002-10-08 International Business Machines Corporation High speed closed loop amplifier with gain adjustment
CN1908741A (zh) * 2005-08-01 2007-02-07 三星电子株式会社 液晶显示装置及其驱动方法
CN1928682A (zh) * 2005-09-07 2007-03-14 三菱电机株式会社 显示装置
CN101118730A (zh) * 2006-08-03 2008-02-06 三星电子株式会社 驱动集成电路、液晶显示器、显示系统和驱动ic的方法
CN101286306A (zh) * 2007-04-10 2008-10-15 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN101510391A (zh) * 2008-02-15 2009-08-19 卡西欧计算机株式会社 显示驱动装置及显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179345A (en) * 1989-12-13 1993-01-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for analog testing
US5377030A (en) * 1992-03-30 1994-12-27 Sony Corporation Method for testing active matrix liquid crystal by measuring voltage due to charge in a supplemental capacitor
JP3042493B2 (ja) * 1998-05-13 2000-05-15 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその駆動方法
US7102608B2 (en) * 2002-06-21 2006-09-05 Himax Technologies, Inc. Method and related apparatus for driving pixels located in a row of an LCD panel toward the same average voltage value
KR100900548B1 (ko) * 2002-12-17 2009-06-02 삼성전자주식회사 크기가 다른 공통 전압을 생성하는 액정 표시 장치
JP2004264677A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US6842200B1 (en) 2003-06-18 2005-01-11 Hannstar Display Corporation Liquid crystal panel having compensation capacitors for balancing RC delay effect
KR100970958B1 (ko) * 2003-11-04 2010-07-20 삼성전자주식회사 터치 스크린 기능을 갖는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20060018396A (ko) * 2004-08-24 2006-03-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20080034542A (ko) * 2006-10-17 2008-04-22 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 구동방법
KR100891331B1 (ko) * 2007-03-13 2009-03-31 삼성전자주식회사 킥-백 전압 보상 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치
CN101647049B (zh) * 2007-04-09 2013-08-07 夏普株式会社 显示装置
US8536892B2 (en) * 2008-02-29 2013-09-17 Palo Alto Research Center Incorporated System for testing transistor arrays in production
TWI376513B (en) * 2008-06-24 2012-11-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display device having test architecture and related test method
JP5366619B2 (ja) * 2008-08-12 2013-12-11 キヤノン株式会社 画像処理装置、撮像装置、画像処理方法、画像処理プログラム
CN101666931B (zh) * 2008-09-05 2011-12-28 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器、薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板及其制造方法
KR101009672B1 (ko) * 2008-09-12 2011-01-19 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 액정 표시 장치
WO2011104957A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 シャープ株式会社 表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462615B1 (en) * 2001-10-01 2002-10-08 International Business Machines Corporation High speed closed loop amplifier with gain adjustment
CN1908741A (zh) * 2005-08-01 2007-02-07 三星电子株式会社 液晶显示装置及其驱动方法
CN1928682A (zh) * 2005-09-07 2007-03-14 三菱电机株式会社 显示装置
CN101118730A (zh) * 2006-08-03 2008-02-06 三星电子株式会社 驱动集成电路、液晶显示器、显示系统和驱动ic的方法
CN101286306A (zh) * 2007-04-10 2008-10-15 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN101510391A (zh) * 2008-02-15 2009-08-19 卡西欧计算机株式会社 显示驱动装置及显示装置

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