JP2018155964A - 表示装置、及び表示装置の共通電圧調整方法 - Google Patents

表示装置、及び表示装置の共通電圧調整方法 Download PDF

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Abstract

【課題】フリッカー抑制するための検査装置を用いることなく、短時間で共通電極に印加する電圧を最適化することができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、信号線が接続されるトランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方と走査線が接続されるトランジスタ素子のゲートとの間の第1容量値と、トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方とトランジスタ素子のゲートとの間の第2容量値と、画素電極と共通電極との間の第3容量値とに基づき、共通電圧を調整する共通電圧調整部を備える。
【選択図】図7

Description

本発明は、表示装置、及び表示装置の共通電圧調整方法に関する。
液晶表示装置は、画素電極と共通電極とによって電界を液晶層に印加し、液晶分子の向きを変化させることで表示を行う。例えば、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)をスイッチング素子とするTFT液晶表示装置では、薄膜トランジスタが導通状態であるときに信号線に画素信号が印加され、薄膜トランジスタが非導通状態になった後も蓄積容量によって電圧が保持される。
液晶を直流駆動すると、液晶が劣化する要因となるため、液晶の駆動方式としては、画素電極と共通電極との間に印加する電圧を一定周期で正極性と負極性とに反転させる反転駆動方式が一般的に用いられる。この反転駆動方式の手法としては、例えば、共通電極に所定電圧を印加し、共通電極に印加する電圧に対して画素電極に印加する電圧を1フレーム単位で反転させる交流駆動が行われる。このとき、共通電極に印加する電圧に対して、画素電極に印加される正極性電圧と負極性電圧とが非対称となると、表示輝度が画素電極の極性反転に伴って変化し、表示画面にフリッカーと呼ばれるちらつきが発生する。このため、液晶パネルの出荷前の製品検査において、検査装置を用いて液晶パネルの輝度を検出し、フォトダイオード(光センサー)の出力信号のAC成分の振幅(フリッカー成分)が最小となるように共通電極に印加する電圧値を調整するのが一般的であり、製造コストの上昇を招いている。特許文献1には、製造コストを増すことなくEMIノイズの発生を抑制する技術が開示されている。
特開2000−321595号公報
上述のように、共通電極に印加する電圧値を調整するために、フリッカーを検出するための検査装置を液晶パネルの生産ラインや検査ライン毎に設けることで、製造コストの増加要因となっている。また、フリッカー成分が最小となるまでパラメータを変化させて共通電極に印加する電圧を調整する必要があり、作業工数の削減や作業時間の短縮が困難となる要因となり得る。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、フリッカーを検出するための検査装置を用いることなく、より短時間で共通電極に印加する電圧を最適化することができる表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様の表示装置は、画像を表示する表示部の表示エリアに設けられ、トランジスタ素子を含む複数の画素と、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方に接続された信号線と、前記トランジスタ素子のゲートに接続された走査線と、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方に設けられた画素電極と、共通電極に共通電圧を印加する共通電極ドライバと、を備え、前記信号線を介して前記複数の画素に書き込む画素信号を所定周期で反転させる反転駆動方式によって表示動作を行う表示装置であって、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第1容量値と、画素電極と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第2容量値と、前記画素電極と前記共通電極との間の第3容量値とに基づき、前記共通電圧を調整する共通電圧調整部を備える。
本発明の一態様の表示装置の共通電圧調整方法は、画像を表示する表示部と、前記表示部の表示エリアに設けられ、トランジスタ素子を含む複数の画素と、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方に接続された信号線と、前記トランジスタ素子のゲートに接続された走査線と、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方に設けられた画素電極と、共通電極に共通電圧を印加する共通電極ドライバと、を備え、前記信号線を介して前記複数の画素に書き込む画素信号を所定周期で反転させる反転駆動方式によって表示動作を行う表示装置の共通電圧調整方法であって、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第1容量値と、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第2容量値と、前記画素電極と前記共通電極との間の第3容量値とに基づき、前記共通電圧を調整する。
図1は、実施形態に係る表示装置のシステム構成例を表すブロック図である。 図2は、実施形態に係る表示装置のDDICの機能構成例を示すブロック図である。 図3は、実施形態に係る表示装置の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。 図4は、垂直走査パルス信号波形、画素信号波形、画素電極波形及び共通電圧波形の一例を示す図である。 図5は、TFT素子が導通状態であるときの図3に示す駆動回路の等価回路を示す図である。 図6は、TFT素子が非導通状態であるときの図3に示す駆動回路の等価回路を示す図である。 図7は、共通電圧調整部の動作に係る各構成の一例を示す模式的な回路図である。 図8は、オフセット電圧テーブルの一例を示す図である。 図9は、並列容量値を検出する際の動作例の説明図である。 図10は、並列容量値を検出する際の等価回路を示す図である。 図11は、第1容量値を検出する際の動作例の説明図である。 図12は、第1容量値を検出する際の等価回路を示す図である。 図13は、直列容量値を検出する際の動作例の説明図である。 図14は、直列容量値を検出する際の等価回路を示す図である。 図15は、実施形態に係る表示装置の共通電圧調整部が実行する共通電圧調整処理の一例を示すフローチャートである。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
(実施形態)
図1は、実施形態に係る表示装置のシステム構成例を表すブロック図である。表示装置1は、例えば透過型の液晶表示装置であり、表示パネル2と、DDIC(Display Driver Integrated Circuit)3と、光源6を備えている。
表示パネル2は、画像を表示する表示部として機能する。具体的には、表示パネル2は、例えば、透光性絶縁基板、例えばガラス基板と、ガラス基板の表面にあり、液晶セルを含む画素Pixがマトリクス状(行列状)に多数配置されてなる表示エリア21を備えている。ガラス基板は、能動素子(例えば、トランジスタ)を含む多数の画素回路がマトリクス状に配置形成される第1の基板と、この第1の基板と所定の間隙をもって対向して配置される第2の基板とによって構成される。第1の基板と第2の基板との間隙は、第1の基板上の各所に配置形成されるフォトスペーサによって所定の間隙に保持される。そして、これら第1の基板及び第2の基板間に液晶が封入される。なお、図1に示す表示パネル2における表示エリア21等の各部の配置及び大きさは模式的なものであり、実際の配置等を反映したものでない。
表示エリア21は、液晶層を含む画素PixがM行×N列に配置されたマトリクス(行列状)構造を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるN個の画素Pixを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるM個の画素Pixを有する画素列をいう。そして、MとNとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。表示エリア21は、画素PixのM行N列の配列に対して行毎に走査線SCL1、SCL2、SCL3、・・・、SCLMが配線され、列毎に信号線DTL1、DTL2、DTL3、・・・、DTLNが配線されている。以後、実施形態1においては、走査線SCL1、SCL2、SCL3、・・・、SCLMを代表して走査線SCLのように表記し、信号線DTL1、DTL2、DTL3、・・・、DTLNを代表して信号線DTLのように表記することがある。
なお、画素Pixは、異なる色を表示する複数種の画素Pixを1単位とする複数の画素群を構成し、表示エリア21にカラー画像を表示する態様であっても良い。この場合、画素Pixは、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)及び白(W)の4色の画素Pixを1つの画素群として構成しても良いし、例えばR(赤)、G(緑)及びB(青)の3色の画素Pixを1つの画素群として構成しても良い。また、1つの画素群を構成する画素Pixの数や各画素Pixの色はこれに限らず、また、1つの画素群を構成する各画素Pixの配置により本発明が限定されるものではない。
DDIC3は、例えばCOG(Chip On Glass)によって表示パネル2のガラス基板上に実装された回路である。DDIC3は、図示しないフレキシブルプリント基板(FPC:Flexible Printed Circuits)を介して外部の制御回路100、外部入力電源等と接続されている。制御回路100は、表示装置1の動作に係る各種の信号をDDIC3に伝送する。外部入力電源は、DDIC3の動作に必要な電力を供給する。制御回路100は、例えば表示装置1が設けられた電子機器が有する回路である。
図2は、実施形態に係る表示装置のDDICの機能構成例を示すブロック図である。DDIC3は、表示パネル2を駆動する駆動回路である。具体的には、DDIC3は、例えば、制御部31、ゲートドライバ32、ソースドライバ33、共通電極ドライバ34、共通電圧調整部35等を有し、表示パネル2による画像の表示に係る各種の信号を出力して表示パネル2を動作させる。
より具体的には、DDIC3は、例えば制御回路100から与えられる各種の信号に応じて表示パネル2を動作させる。制御回路100は、例えば、マスタークロック、水平同期信号、垂直同期信号、表示画像信号等をDDIC3に出力する。制御部31は、これらの信号等に基づいて表示パネル2を動作させる際の同期制御を行う。
ゲートドライバ32は、垂直同期信号及び水平同期信号に同期して水平同期信号に応じた1水平期間単位でデジタルデータをラッチする。ゲートドライバ32は、ラッチされた1ライン分のデジタルデータを垂直走査パルス信号として順に出力し、表示エリア21の走査線SCL(走査線SCL1、SCL2、SCL3、・・・、SCLM)に与えることによって画素Pixを行単位で順次選択する。ゲートドライバ32は、例えば、行方向について、走査線SCL1、SCL2、SCL3、・・・、SCLMの表示エリア21の一方端側から他方端側へ順にデジタルデータを出力する。また、ゲートドライバ32は、行方向について、走査線SCL1、SCL2、SCL3、・・・、SCLMの表示エリア21の他方端側から一方端側へ順にデジタルデータを出力することもできる。
ソースドライバ33には、例えば、表示画像信号に基づいて処理されたデジタルデータが与えられる。ソースドライバ33は、ゲートドライバ32による垂直走査によって選択された行の画素Pixに対して、画素毎に、若しくは複数画素毎に、或いは全画素一斉に、信号線DTL(信号線DTL1、DTL2、DTL3、・・・、DTLN)を介して表示データを書き込む。
共通電極ドライバ34は、共通電圧調整部35により設定された共通電圧Vcomを共通電極COMに印加する。共通電圧調整部35については後述する。
なお、DDIC3の構成要素としてゲートドライバ32、ソースドライバ33、共通電極ドライバ34を設けた例を例示したが、ゲートドライバ32、ソースドライバ33、共通電極ドライバ34は、それぞれ独立した回路であっても良い。
本実施形態に係る表示装置1では、液晶表示パネルの駆動方式として、所定周期で全画素に書き込む画素信号を一度に同じ極性で反転させる反転駆動方式を採用しているものとする。ここでは、1画面に相当する1フレーム毎に、全画素に書き込む画素信号を一度に同じ極性で反転させるフレーム反転駆動方式を採用している例について説明する。
図3は、実施形態に係る表示装置の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。図3に示す例では、1画素Pixの駆動回路を示している。
表示エリア21には、画素Pixの薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)素子Trに表示データとして画素信号を供給する信号線DTL、TFT素子Trを駆動する走査線SCL、共通電極COMが形成されている。このように、信号線DTLは、上述したガラス基板の表面と平行な平面に延在し、画素Pixに画像を表示するための画素信号を供給する。画素Pixは、TFT素子Tr及び液晶素子LCを備えている。TFT素子Trは、薄膜トランジスタにより構成される。TFT素子Trのソース及びドレインのうちの一方は信号線DTLに接続され、ゲートは走査線SCLに接続され、ソース及びドレインのうちの他方は液晶素子LCの一端に接続されている。液晶素子LCは、一端がTFT素子Trのソース及びドレインのうちの他方に接続され、他端が共通電極COMに接続されている。TFT素子Trのソース及びドレインのうちの他方に接続される液晶素子LCの一端が画素電極を形成している。
本実施形態では、TFT素子Trが「トランジスタ素子」に対応する。
ゲートドライバ32は、走査線SCLを介して、画素PixのTFT素子Trのゲートに垂直走査パルス信号を印加することにより、表示エリア21にマトリクス状に形成されている画素Pixのうちの1行(1水平ライン)を表示駆動の対象として順次選択する。
ソースドライバ33は、信号線DTLを介して、ゲートドライバ32により順次選択される1水平ラインを含む画素Pixにそれぞれ画素信号を供給する。そして、これらの画素Pixでは、供給される画素信号に応じて、1水平ラインの表示が行われる。
上述したように、表示装置1は、ゲートドライバ32が走査線SCLを順次走査するように駆動することにより、1水平ラインが順次選択される。また、表示装置1は、1水平ラインに属する画素Pixに対して、ソースドライバ33が信号線DTLを介して画素信号を供給することにより、1水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、共通電極ドライバ34は、共通電極COMに対して共通電圧Vcomを印加する。
以下の説明では、信号線DTLに接続されたTFT素子Trのソース及びドレインのうちの一方を第1端子とも言う。走査線SCLに接続されたTFT素子Trのゲートを第2端子とも言う。液晶素子LCの一端に接続されたソース及びドレインのうちの他方を第3端子とも言う。
TFT素子Trの各端子間には、それぞれ寄生容量が含まれる。図3に示す例では、TFT素子Trの第1端子と第2端子との間に容量素子Cgdが含まれ、TFT素子Trの第3端子と第2端子との間に容量素子Cgsが含まれる例を示している。本実施形態では、容量素子Cgdの容量値を第1容量値C1とし、容量素子Cgsの容量値を第2容量値C2としている。
また、液晶素子LCと並列に保持容量Csが含まれる。図3に示す例では、液晶素子LCの容量値と保持容量Csの容量値との並列容量Cstの容量値を第3容量値C3としている。
図4は、垂直走査パルス信号波形、画素信号波形、画素電極波形及び共通電圧波形の一例を示す図である。図4の(a)は垂直走査パルス信号波形W1を示し、図4の(b)は画素信号波形W2を示し、図4の(c)は画素電極波形W3及び共通電圧波形W4を示している。
上述したように、本実施形態に係る表示装置1では、液晶表示パネルの駆動方式として、1画面に相当する1フレーム毎に、全画素に書き込む画素信号を一度に同じ極性で反転させるフレーム反転駆動方式を採用している。図4では、fフレーム期間(fは任意の自然数)において正極性の画素信号が画素Pixに供給され、f+1フレーム期間において負極性の画素信号が供給された例を例示している。この場合、画素電極波形W3は、共通電圧波形W4に対して、fフレーム期間において正極性電位となり、f+1フレーム期間において負極性電位となる。
また、図4に示す例において、共通電極COMに印加する共通電圧Vcomは、理論上、画素電極の電位が共通電圧Vcomに対して正極性である場合と負極性である場合とで対称となる初期値Vcomsetが印加されるものとする。
図4に示す例において、共通電極COMに共通電圧Vcomsetが印加された状態で、fフレーム期間において、走査線SCLを介して画素PixのTFT素子Trのゲート(第2端子)に波高値Vgの垂直走査パルス信号が印加されてTFT素子Trが導通状態となり、画素電極に正極性の画素信号が供給されると、画素電極の電位は、共通電圧Vcomsetに対して正極性のVcomset+Vpとなる。その後、TFT素子Trが非導通状態となり、画素電極への正極性の画素信号の供給が停止した時点で、画素電極の電位は、TFT素子Trの第3端子と第2端子との間の容量素子Cgsに起因する突き抜け電圧(フィードスルー電圧とも言う)ΔVp分だけ低下し、Vcomset+Vp−ΔVpとなる。
また、続くf+1フレーム期間において、走査線SCLを介して画素PixのTFT素子Trのゲート(第2端子)に波高値Vgの垂直走査パルス信号が印加されてTFT素子Trが導通状態となり、画素電極に負極性の画素信号が供給されると、画素電極の電位は、共通電圧Vcomsetに対して負極性のVcomset−Vpとなる。その後、TFT素子Trが非導通状態となり、画素電極への負極性の画素信号の供給が停止した時点で、画素電極の電位は、TFT素子Trの第3端子と第2端子との間の容量素子Cgsに起因する突き抜け電圧ΔVp分だけ低下し、Vcomset−Vp−ΔVpとなる。
このため、実際には、図4に示すように、TFT素子Trが導通状態から非導通状態に遷移した後では、画素電極の電位が共通電圧の初期値Vcomsetに対して正極性である場合と負極性である場合とで非対称となり、表示画面にフリッカーと呼ばれるちらつきが発生する。
TFT素子Trが導通状態から非導通状態に遷移した後、画素電極の電位が共通電圧Vcomに対して正極性である場合と負極性である場合とで対称となるように、共通電圧Vcomを調整することで、フリッカーの発生を抑制することができる。図4に示す例では、共通電圧を、共通電圧Vcomの初期値Vcomsetに対し、突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftを減じたVcomset−Voftとしている(図4の(c)に示すW4’)。これにより、TFT素子Trが導通状態から非導通状態に遷移した後の共通電圧Vcomset−Voftに対する画素電極の正極性電位と負極性電位との対称性が保たれ、フリッカーの発生が抑制される。
突き抜け電圧ΔVpは、図3に示す各容量値を用いて、下記の式(1)で表される。
ΔVp=(C2/(C2+C3))×Vg・・・(1)
上記の式(1)におけるVgは、実施形態1に係る表示装置1の表示動作を行う際、走査線SCLを介して画素PixのTFT素子Trのゲート(第2端子)に印加される垂直走査パルス信号の波高値である。従って、上記の式(1)より、容量素子Cgsの容量値である第2容量値C2と、液晶素子LCの容量値と保持容量Csの容量値との並列容量Cstの容量値である第3容量値C3とを求めることで、突き抜け電圧ΔVpを得ることができる。
次に、第2容量値C2及び第3容量値C3の算出手法について説明する。図5は、TFT素子が導通状態であるときの図3に示す駆動回路の等価回路を示す図である。図6は、TFT素子が非導通状態であるときの図3に示す駆動回路の等価回路を示す図である。
図5に示すように、TFT素子Trが導通状態であるとき、容量素子Cgdと容量素子Cgsとは、信号線DTLと走査線SCLとの間に並列に存在する。従って、容量素子Cgdと容量素子Cgsとの並列容量値C12は、下記の式(2)で表される。
C12=C1+C2・・・(2)
また、図6に示すように、TFT素子Trが非導通状態であるとき、容量素子Cgsと並列容量Cstとは、共通電極COMと走査線SCLとの間に直列に存在する。従って、容量素子Cgsと並列容量Cstとの直列容量値C23は、下記の式(3)で表される。
C23=C2×C3/(C2+C3)・・・(3)
一方、図6に示すように、TFT素子Trが非導通状態であるとき、容量素子Cgdは、信号線DTLと走査線SCLとの間に存在する。
従って、容量素子Cgsの容量値である第2容量値C2は、TFT素子Trが導通状態であるときの並列容量値C12と、TFT素子Trが非導通状態であるときの容量素子Cgdの容量値である第1容量値C1とを用いて、下記の式(4)で表すことができる。
C2=C12−C1・・・(4)
また、液晶素子LCの容量値と保持容量Csの容量値との並列容量Cstの容量値である第3容量値C3は、上記の式(4)で得られた第2容量値C2と、TFT素子Trが非導通状態であるときの直列容量値C23とを用いて、下記の式(5)で表すことができる。
C3=C2×C23/(C2−C23)・・・(5)
従って、TFT素子Trが導通状態であるときの容量素子Cgdと容量素子Cgsとの並列容量値C12、TFT素子Trが非導通状態であるときの容量素子Cgsと並列容量Cstとの直列容量値C23、TFT素子Trが非導通状態であるときの容量素子Cgdの容量値である第1容量値C1を検出することで、突き抜け電圧ΔVpを得ることができる。
図7は、共通電圧調整部の動作に係る各構成の一例を示す模式的な回路図である。図7に示す例では、1画素Pix分についての模式的な構成を記載している。図7に示すように、少なくとも1画素Pixについて上述したTFT素子Trが導通状態であるときの並列容量値C12、TFT素子Trが非導通状態であるときの直列容量値C23、及びTFT素子Trが非導通状態であるときの第1容量値C1の容量検出を行うことで、突き抜け電圧ΔVpを得ることができる。また、後述するように、走査線SCLに並列に接続される1行分の複数個の画素Pixに対して容量検出を行う構成としても良い。
本実施形態に係る表示装置1の表示動作を行う際、ゲートドライバ32から第1スイッチSW1を介して走査線SCLに波高値Vgの垂直走査パルス信号が供給され、画素PixのTFT素子Trのゲート(第2端子)に印加される。また、本実施形態に係る表示装置1の表示動作を行う際、ソースドライバ33から第2スイッチSW2を介して信号線DTLに画素信号が供給され、画素PixのTFT素子Trのソース及びドレインのうちの一方(第1端子)に印加される。また、本実施形態に係る表示装置1の表示動作を行う際、共通電極ドライバ34から第3スイッチSW3を介して共通電極COMに共通電圧が印加される。なお、本実施形態に係る表示装置1の表示動作を行う際、第5スイッチSW5はオフ制御される。
なお、図7に示す例では、走査線SCL、信号線DTL、共通電極COMに対し、それぞれ第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、第3スイッチSW3が設けられているが、図1に示すように、表示エリア21が液晶層を含む画素PixがM行×N列に配置されたマトリクス(行列状)構造を有している本実施形態の構成では、第1スイッチSW1は走査線SCL(走査線SCL1、SCL2、SCL3、・・・、SCLM)毎に設けられ、第2スイッチSW2は信号線DTL(信号線DTL1、DTL2、DTL3、・・・、DTLN)毎に設けられ、第3スイッチSW3は共通電極COMに対して唯一設けられている。
共通電圧調整部35は、検出制御部351と、調整用信号生成回路352と、検出回路353と、演算部354と、共通電圧設定部355と、記憶部356と、を備える。検出制御部351、調整用信号生成回路352、検出回路353、演算部354、共通電圧設定部355、及び記憶部356は、例えばDDIC3に構成された回路である。検出制御部351は、例えばDDIC3の制御部31により実行されるプログラムで実現される構成であっても良い。記憶部356は、例えばDDIC3に設けられたレジスタ等で構成されていても良い。
検出回路353は、第4スイッチSW4を介して接続される走査線SCLの電圧の過渡特性を観測して、容量素子Cgdと容量素子Cgsとの並列容量値C12、容量素子Cgsと並列容量Cstとの直列容量値C23、容量素子Cgdの容量値である第1容量値C1を検出する。
演算部354は、検出回路353によって検出された並列容量値C12、直列容量値C23、第1容量値C1に基づき、突き抜け電圧ΔVpを算出する。より具体的には、演算部354は、上記の式(2)を用いて容量素子Cgsの容量値である第2容量値C2を求める。また、演算部354は、上記の式(3)を用いて、液晶素子LCの容量値と保持容量Csの容量値との並列容量Cstの容量値である第3容量値C3を求める。そして、求めた第2容量値C2及び第3容量値C3を上記の式(1)に代入して、突き抜け電圧ΔVpを算出する。
記憶部356には、突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftが対応付けられたオフセット電圧テーブルが予め記憶されている。また、記憶部356には、垂直走査パルス信号の波高値Vg及び共通電圧Vcomの初期値Vcomsetが記憶されている。
図8は、オフセット電圧テーブルの一例を示す図である。オフセット電圧テーブルには、突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftの最適値が設定されている。換言すれば、下記の共通電圧設定部355において、共通電圧Vcomの初期値Vcomsetに対し、突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftの最適値を適用して、表示装置1の表示動作を行う際に共通電極ドライバ34から共通電極COMに印加される共通電圧を設定することで、突き抜け電圧ΔVpによって生じるフリッカーを視認限界以下に抑制することができる。
なお、図8に示す例では、突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftの最適値がオフセット電圧テーブルに設定されている例を示したが、上記の式(1)を用いて算出した突き抜け電圧ΔVpを設計段階においてオフセット電圧Voftとして予め共通電圧Vcomに適用しておいても良い。
本実施形態における共通電圧設定部355は、記憶部356を参照して、突き抜け電圧ΔVpに対応したオフセット電圧Voftを共通電圧Vcomの初期値Vcomsetから減算してVcomset−Voftを求め、このVcomset−Voftを、表示装置1の表示動作を行う際に共通電極ドライバ34から共通電極COMに印加される共通電圧として設定する。
調整用信号生成回路352は、検出回路353に供給する電圧を生成する電圧生成回路352aと、信号線DTL又は共通電極COMに印加する検出駆動パルスを生成する検出駆動パルス生成回路352bとを備える。
電圧生成回路352aは、TFT素子Trを非導通状態とする第1の電圧V1、又は、TFT素子Trを導通状態とする第2の電圧V2を生成する。なお、第1の電圧V1と第2の電圧V2とは異なる電圧であり、TFT素子Trがn型の場合にはV1<V2、TFT素子Trがp型の場合にはV1>V2とされる。
検出駆動パルス生成回路352bは、電圧生成回路352aが生成する第1の電圧V1又は第2の電圧V2に対し、波高値Vpの検出駆動パルスを生成する。
検出制御部351は、後述する共通電圧調整処理において、調整用信号生成回路352から供給される電圧、及び検出駆動パルスの制御タイミング、演算部354における演算処理タイミング、第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、第3スイッチSW3、第4スイッチSW4、第5スイッチSW5の切り替えタイミング等を制御する。
次に、共通電圧調整部35による共通電圧調整処理における容量検出動作及び共通電圧Vcomの調整動作の具体例について説明する。本実施形態における容量検出動作及び共通電圧Vcomの調整動作では、走査線SCLに並列に接続される1行分の画素Pix、すなわち、N個の画素Pixに対して容量検出を行う。すなわち、上記の式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)は、それぞれ以下の式(6)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)に置き換える。
ΔVp=(N×C2/(N×C2+N×C3))×Vg・・・(6)
N×C12=N×C1+N×C2・・・(7)
N×C23=N×C2×N×C3/(N×C2+N×C3)・・・(8)
N×C2=N×C12−N×C1・・・(9)
N×C3=N×C2×N×C23/(N×C2−N×C23)・・・(10)
ここでは、まず、1行分の画素Pixの並列容量値N×C12の検出動作について説明する。なお、以下の説明では、TFT素子Trがn型である場合の動作例について説明する。図9は、並列容量値を検出する際の動作例の説明図である。図10は、並列容量値を検出する際の等価回路を示す図である。本実施形態では、検出駆動パルスの立ち上がりにおける検出電圧Vdetの過渡特性を利用して、並列容量値N×C12を検出する。
検出制御部351は、まず、ゲートドライバ32と走査線SCLとの接続を解除するように第1スイッチSW1をオフ制御し、ソースドライバ33と信号線DTLとの接続を解除し、且つ、検出駆動パルス生成回路352bと信号線DTLとを接続して信号線DTLに検出駆動パルスが供給されるように第2スイッチSW2を制御し、共通電極ドライバ34と共通電極COMとの接続を解除し、且つ、検出駆動パルス生成回路352bと共通電極COMとの接続を解除するように第3スイッチSW3をオフ制御し、電圧生成回路352aから検出回路353の抵抗Rを介して走査線SCLに電圧が供給されるように第4スイッチSW4をオン制御し、共通電極COMと走査線SCLとの接続を解除するように第5スイッチSW5をオフ制御する。
検出制御部351は、電圧生成回路352aから第2の電圧V2が出力されるように制御する。これにより、TFT素子Trが導通状態に制御される。また、検出制御部351は、検出駆動パルス生成回路352bから第2の電圧V2に対して波高値Vpの検出駆動パルスが出力されるように制御する。
演算部354は、検出回路353によって検出される検出電圧Vdetを監視し、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T1から検出電圧Vdetが所定の第1閾値Vth1(V2<Vth1<V2+Vp)以上となっている時刻T2までの経過時間t1を検出する。このとき、並列容量値N×C12、抵抗R、検出駆動パルスの波高値Vp、及び経過時間t1は、下記の式(11)で表される。
Vth1=Vp×exp(t1/(N×C12×R))・・・(11)
演算部354は、上記の式(11)を用いて、並列容量値N×C12を算出する。
なお、上述した例では、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T1から検出電圧Vdetが所定の第1閾値Vth1以上となっている時刻T2までの経過時間t1を検出する例について説明したが、検出駆動パルスの立ち下がり時刻T3から所定の閾値以下となっている時間を検出して、並列容量値N×C12を算出しても良い。
次に、1行分の画素Pixの第1容量値N×C1の検出動作について説明する。図11は、第1容量値を検出する際の動作例の説明図である。図12は、第1容量値を検出する際の等価回路を示す図である。本実施形態では、検出駆動パルスの立ち上がりにおける検出電圧Vdetの過渡特性を利用して、第1容量値N×C1を検出する。
検出制御部351は、まず、ゲートドライバ32と走査線SCLとの接続を解除するように第1スイッチSW1をオフ制御し、検出駆動パルス生成回路352bと信号線DTLとを接続して信号線DTLに検出駆動パルスが供給されるように第2スイッチSW2を制御し、共通電極ドライバ34と共通電極COMとの接続を解除し、且つ、検出駆動パルス生成回路352bと共通電極COMとの接続を解除するように第3スイッチSW3をオフ制御し、電圧生成回路352aから検出回路353の抵抗Rを介して走査線SCLに電圧が供給されるように第4スイッチSW4をオン制御し、共通電極COMと走査線SCLとが接続されるように第5スイッチSW5をオンまたはオフ制御する。
検出制御部351は、電圧生成回路352aから第1の電圧V1が出力されるように制御する。これにより、TFT素子Trが非導通状態に制御される。また、検出制御部351は、検出駆動パルス生成回路352bから第1の電圧V1に対して波高値Vpの検出駆動パルスが出力されるように制御する。
演算部354は、検出回路353によって検出される検出電圧Vdetを監視し、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T4から検出電圧Vdetが所定の第2閾値Vth2(V1<Vth2<V1+Vp)以上となっている時刻T5までの経過時間t2を検出する。このとき、第1容量値N×C1、抵抗R、検出駆動パルスの波高値Vp、第2閾値Vth2、及び経過時間t2は、下記の式(12)で表される。
Vth2=Vp×exp(t2/(N×C1×R))・・・(12)
演算部354は、上記の式(12)を用いて、第1容量値N×C1を算出する。
なお、上述した例では、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T4から検出電圧Vdetが所定の第2閾値Vth2以上となっている時刻T5までの経過時間t2を検出する例について説明したが、検出駆動パルスの立ち下がり時刻T6から所定の閾値以下となっている時間を検出して、第1容量値N×C1を算出しても良い。
次に、1行分の画素Pixの直列容量値N×C23の検出動作について説明する。図13は、直列容量値を検出する際の動作例の説明図である。図14は、直列容量値を検出する際の等価回路を示す図である。本実施形態では、検出駆動パルスの立ち上がりにおける検出電圧Vdetの過渡特性を利用して、直列容量値N×C23を検出する。
検出制御部351は、まず、ゲートドライバ32と走査線SCLとの接続を解除するように第1スイッチSW1をオフ制御し、ソースドライバ33と信号線DTLとの接続を解除し、且つ、検出駆動パルス生成回路352bと信号線DTLとの接続を解除するように第2スイッチSW2を制御し、検出駆動パルス生成回路352bと共通電極COMとを接続して検出駆動パルスが共通電極COMに供給されるように第3スイッチSW3を制御し、電圧生成回路352aから検出回路353の抵抗Rを介して走査線SCLに電圧が供給されるように第4スイッチSW4をオン制御し、共通電極COMと走査線SCLとの接続を解除するように第5スイッチSW5をオフ制御する。
検出制御部351は、電圧生成回路352aから第1の電圧V1が出力されるように制御する。これにより、TFT素子Trが非導通状態に制御される。また、検出制御部351は、検出駆動パルス生成回路352bから第1の電圧V1に対して波高値Vpの検出駆動パルスが出力されるように制御する。
演算部354は、検出回路353によって検出される検出電圧Vdetを監視し、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T7から検出電圧Vdetが所定の第3閾値Vth3(V1<Vth3<V1+Vp)以上となっている時刻T8までの経過時間t3を検出する。このとき、直列容量値N×C23、抵抗R、検出駆動パルスの波高値Vp、第3閾値Vth3、及び経過時間t3は、下記の式(13)で表される。
Vth3=Vp×exp(t3/(N×C23×R))・・・(13)
演算部354は、上記の式(13)を用いて、直列容量値N×C23を算出する。
なお、上述した例では、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T7から検出電圧Vdetが所定の第3閾値Vth3以上となっている時刻T8までの経過時間t3を検出する例について説明したが、検出駆動パルスの立ち下がり時刻T9から所定の閾値以下となっている時間を検出して、直列容量値N×C23を算出しても良い。
並列容量値N×C12、第1容量値N×C1、及び直列容量値N×C23を算出する際の検出駆動パルスの波高値Vpは、異なる電圧値であっても良いし、同一の電圧値であっても良い。また、並列容量値N×C12を算出する際の第1閾値Vth1、第1容量値N×C1を算出する際の第2閾値Vth2、及び直列容量値N×C23を算出する際の第3閾値Vth3は、それぞれ異なる電圧値であっても良いし、同一の電圧値であっても良い。
次に、共通電圧Vcomの調整動作について説明する。
演算部354は、上述のようにして求めた並列容量値N×C12、第1容量値N×C1、直列容量値N×C23に基づき、突き抜け電圧ΔVpを算出する。
より具体的には、演算部354は、並列容量値N×C12及び第1容量値N×C1を上記の式(9)に代入し、第2容量値N×C2を求める。
続いて、演算部354は、第2容量値N×C2及び直列容量値N×C23を上記の式(10)に代入し、第3容量値N×C3を求める。
そして、演算部354は、式(9)及び式(10)で求めた第2容量値N×C2及び第3容量値N×C3を上記の式(6)に代入し、突き抜け電圧ΔVpを求める。
共通電圧設定部355は、記憶部356に予め記憶されたオフセット電圧テーブルを用いて、表示装置1の表示動作を行う際の共通電圧Vcomを求める。より具体的には、共通電圧設定部355は、記憶部356に記憶されたオフセット電圧テーブルに基づき、演算部354によって算出された突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftを選択する。
そして、共通電圧設定部355は、記憶部356に記憶された共通電圧Vcomの初期値Vcomsetから、選択したオフセット電圧Voftを減算して、表示動作を行う際の共通電圧を算出する(Vcom=Vcomset−Voft)。
本実施形態に係る表示装置1では、上述のようにして求めた共通電圧Vcom(=Vcomset−Voft)を用いて表示動作を行うことで、TFT素子Trが導通状態から非導通状態に遷移した後の共通電圧Vcomset−Voftに対する画素電極の正極性電位と負極性電位との対称性が保たれる。これにより、フリッカーの発生を抑制することができる。
次に、実施形態に係る表示装置の共通電圧調整部が実行する共通電圧調整処理について説明する。図15は、実施形態に係る表示装置の共通電圧調整部が実行する共通電圧調整処理の一例を示すフローチャートである。
共通電圧調整部35は、まず、共通電圧調整処理を開始するための初期設定を行う(ステップS101)。
具体的には、検出制御部351は、ゲートドライバ32と走査線SCLとの接続を解除するように第1スイッチSW1をオフ制御し、ソースドライバ33と信号線DTLとの接続を解除し、且つ、検出駆動パルス生成回路352bと信号線DTLとを接続して検出駆動パルスが信号線DTLに供給されるように第2スイッチSW2を制御し、共通電極ドライバ34と共通電極COMとの接続を解除し、且つ、検出駆動パルス生成回路352bと共通電極COMとの接続を解除するように第3スイッチSW3をオフ制御し、電圧生成回路352aから検出回路353の抵抗Rを介して走査線SCLに電圧が供給されるように第4スイッチSW4をオン制御し、共通電極COMと走査線SCLとの接続を解除するように第5スイッチSW5をオフ制御する。
上記初期設定の後、共通電圧調整部35は、TFT素子Trがオン制御された状態で、容量素子Cgdと容量素子Cgsとの合成容量値である並列容量値C12(ここでは、N×C12)を検出する(ステップS102)。
具体的には、検出制御部351は、電圧生成回路352aから第2の電圧V2が出力されるように制御する。これにより、TFT素子Trが導通状態に制御される。また、検出制御部351は、検出駆動パルス生成回路352bから第2の電圧V2に対して波高値Vpの検出駆動パルスが出力されるように制御する。
演算部354は、検出回路353によって検出される検出電圧Vdetを監視し、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T1から検出電圧Vdetが所定の第1閾値Vth1(V2<Vth1<V2+Vp)以上となっている時刻T2(図9参照)までの経過時間t1を検出し、上記の式(11)を用いて、並列容量値N×C12を算出する。
続いて、共通電圧調整部35は、TFT素子Trがオフ制御された状態で、容量素子Cgdの容量値である第1容量値C1(ここでは、N×C1)を検出する(ステップS103)。
具体的には、検出制御部351は、まず、共通電極COMと走査線SCLとが接続されるように第5スイッチSW5をオン制御する。
また、検出制御部351は、電圧生成回路352aから第1の電圧V1が出力されるように制御する。これにより、TFT素子Trが非導通状態に制御される。また、検出制御部351は、検出駆動パルス生成回路352bから第1の電圧V1に対して波高値Vpの検出駆動パルスが出力されるように制御する。
演算部354は、検出回路353によって検出される検出電圧Vdetを監視し、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T4から検出電圧Vdetが所定の第2閾値Vth2(V1<Vth2<V1+Vp)以上となっている時刻T5(図11参照)までの経過時間t2を検出し、上記の式(12)を用いて、第1容量値N×C1を算出する。
続いて、共通電圧調整部35は、TFT素子Trがオフ制御された状態で、容量素子Cgsと並列容量Cstとの合成容量値である直列容量値C23(ここでは、N×C23)を検出する(ステップS104)。
具体的には、検出制御部351は、まず、ソースドライバ33と信号線DTLとの接続を解除し、且つ、検出駆動パルス生成回路352bと信号線DTLとの接続を解除するように第2スイッチSW2を制御し、検出駆動パルス生成回路352bと共通電極COMとを接続して検出駆動パルスが共通電極COMに供給されるように第3スイッチSW3を制御し、共通電極COMと走査線SCLとの接続を解除するように第5スイッチSW5をオフ制御する。
また、検出制御部351は、電圧生成回路352aから第1の電圧V1が出力されるように制御する。これにより、TFT素子Trが非導通状態に制御される。また、検出制御部351は、検出駆動パルス生成回路352bから第1の電圧V1に対して波高値Vpの検出駆動パルスが出力されるように制御する。
演算部354は、検出回路353によって検出される検出電圧Vdetを監視し、検出駆動パルスの立ち上がり時刻T7から検出電圧Vdetが所定の第3閾値Vth3(V1<Vth3<V1+Vp)以上となっている時刻T8(図13参照)までの経過時間t3を検出し、上記の式(13)を用いて、直列容量値N×C23を算出する。
続いて、共通電圧調整部35は、上述したステップS102で求めた並列容量値N×C12、ステップS103で求めた第1容量値N×C1、ステップS104で求めた直列容量値N×C23に基づき、突き抜け電圧ΔVpを算出する(ステップS105)。
より具体的には、演算部354は、並列容量値N×C12及び第1容量値N×C1を上記の式(9)に代入し、第2容量値N×C2を求める。
続いて、演算部354は、第2容量値N×C2及び直列容量値N×C23を上記の式(10)に代入し、第3容量値N×C3を求める。
そして、演算部354は、式(9)及び式(10)で求めた第2容量値N×C2及び第3容量値N×C3を上記の式(6)に代入し、突き抜け電圧ΔVpを求める。
続いて、共通電圧調整部35は、記憶部356に予め記憶されたオフセット電圧テーブルを用いて、突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftを選択する(ステップS106)。
より具体的には、共通電圧設定部355は、記憶部356に記憶されたオフセット電圧テーブルに基づき、ステップS105で演算部354によって算出された突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftを選択する。
続いて、共通電圧調整部35は、表示装置1の表示動作を行う際の共通電圧Vcomを算出する(ステップS107)。
より具体的には、共通電圧設定部355は、記憶部356に記憶された共通電圧Vcomの初期値Vcomsetから、ステップS106で選択したオフセット電圧Voftを減算して、表示装置1の表示動作を行う際の共通電圧を算出し(Vcom=Vcomset−Voft)、共通電圧調整処理を終了する。
なお、上述した共通電圧調整処理は、表示エリア21における任意の1行分の画素Pixに対して実施しても良いし、任意の複数行あるいは全行の画素Pixに対して実施し、各行単位で算出した共通電圧の平均値を、表示装置1の表示動作を行う際の共通電圧としても良い。
上述した処理を実行することによって求めた共通電圧Vcom(=Vcomset−Voft)を用いて、表示装置1の表示動作を行うことで、TFT素子Trが導通状態から非導通状態に遷移した後の共通電圧Vcomset−Voftに対する画素電極の正極性電位と負極性電位との対称性が保たれる。これにより、フリッカーの発生を抑制することができる。
また、検出駆動パルスの立ち上がりの過渡特性を利用して、並列容量値C12(ここでは、N×C12)、第1容量値C1(ここでは、N×C1)、及び直列容量値C23(ここでは、N×C23)を検出し、後の処理は演算処理を行うことで表示装置1の表示動作を行う際の共通電圧を求めることができるので、共通電圧調整にかかる時間を短縮することができる。
なお、上述した例では、検出駆動パルスの立ち上がりにおける検出電圧Vdetの過渡特性を利用する例を例示したが、検出駆動パルスの立ち下がりにおける検出電圧Vdetの過渡特性を利用して、並列容量値C12(ここでは、N×C12)、第1容量値C1(ここでは、N×C1)、及び直列容量値C23(ここでは、N×C23)を検出する構成であっても良い。
上述した共通電圧調整処理を、例えば液晶パネルの出荷前の製品検査や調整工程で実施することにより、液晶パネルの生産ラインや検査ライン毎にフリッカーを検出するための検査装置を設ける必要がなくなり、製造コストの低減に寄与することができる。
また、例えば表示装置1が設けられた電子機器の制御回路100からの指令信号によって上述した共通電圧調整処理を実施する構成とすることで、液晶パネルや電子機器の出荷後における共通電圧調整が可能となる。
また、上述した共通電圧調整処理を、例えば表示装置1が設けられた電子機器の起動時に実施する構成とすることで、例えば液晶パネルが経年劣化した場合でも、突き抜け電圧ΔVpによって生じるフリッカーが常に視認限界以下となるように自動的に調整することができる。
また、ステップS102において並列容量値N×C12を検出する際に、電圧生成回路352aから出力される第2の電圧V2は、ゲートドライバ32から出力する構成であっても良い。さらに、このときの第2の電圧V2は、垂直走査パルス信号のハイ期間であっても良い。
また、ステップS103において第1容量値N×C1を検出する際、及び、ステップS104において直列容量値N×C23を検出する際に、電圧生成回路352aから出力される第1の電圧V1は、ゲートドライバ32から出力する構成であっても良い。さらに、このときの第1の電圧V1は、垂直走査パルス信号のロー期間であっても良い。
また、ステップS102において並列容量値N×C12を検出する際、及び、ステップS103において第1容量値N×C1を検出する際の検出駆動パルスは、ソースドライバ33から出力する構成であっても良い。さらに、このときの検出駆動パルスは、画素信号であっても良い。
また、ステップS104において直列容量値N×C23を検出する際の検出駆動パルスは、共通電極ドライバ34から出力する構成であっても良い。さらに、表示装置1がタッチ検出機能付き表示装置であり、共通電極が、タッチ検出動作時においてタッチ検出用駆動信号を供給する構成である場合には、共通電極ドライバ34から出力する検出駆動パルスは、タッチ検出用駆動信号であっても良い。
このように、第1の電圧V1、第2の電圧V2、及び検出駆動パルスとして、各ドライバにおける各種信号を用いることで、例えば、並列容量値N×C12を検出するステップS102、第1容量値N×C1を検出するステップS103、直列容量値N×C23を検出するステップS104をそれぞれ1フレームで実施することができる。このため、共通電圧調整に要する時間を従来よりも短縮することができる。
なお、上記実施形態では、共通電極COMが全画素Pixで共通である例を例示したが、共通電極COMは、複数行毎に分割された構成であっても良いし、複数列毎に分割された構成であっても良いし、マトリクス状に分割された構成であっても良い。
また、上記実施形態では、TFT素子Trが導通状態であるときの並列容量値C12(図15に示す例ではN×C12)を検出し、その後、TFT素子Trを非導通状態として、第1容量値C1(図15に示す例ではN×C1)及び直列容量値C23(図15に示す例ではN×C23)を検出する例を例示しているが、これに限るものではない。例えば、TFT素子Trが非導通状態であるときの直列容量値C23(N×C23)及び第1容量値C1(N×C1)を検出した後に、TFT素子Trが導通状態であるときの並列容量値C12(N×C12)を検出しても良い。また、例えば、TFT素子Trが非導通状態であるときの第1容量値C1(N×C1)を検出し、TFT素子Trが導通状態であるときの並列容量値C12(N×C12)を検出し、TFT素子Trが非導通状態であるときの直列容量値C23(N×C23)を検出しても良い。並列容量値C12(N×C12)、第1容量値C1(N×C1)、直列容量値C23(N×C23)を検出する順序により本発明が限定されるものではない。
以上説明したように、実施形態に係る表示装置1、及び表示装置1の共通電圧調整方法は、画像を表示する表示部として機能する表示パネル2の表示エリア21に設けられ、TFT素子(トランジスタ素子)Trを含む複数の画素Pixと、TFT素子(トランジスタ素子)Trのソース及びドレインのうちの一方(第1端子)に接続された信号線DTLと、TFT素子(トランジスタ素子)Trのゲート(第2端子)に接続された走査線SCLと、TFT素子(トランジスタ素子)Trのソース及びドレインのうちの他方(第3端子)に設けられた画素電極と、共通電極COMに共通電圧Vcomを印加する共通電極ドライバ34と、を備え、信号線DTLを介して複数の画素Pixに書き込む画素信号を所定周期で(例えば、1画面に相当する1フレーム毎に)反転させる反転駆動方式(フレーム反転駆動方式)によって表示動作を行う表示装置1において、TFT素子(トランジスタ素子)Trのソース及びドレインのうちの一方(第1端子)とTFT素子(トランジスタ素子)Trのゲート(第2端子)との間の第1容量値C1と、TFT素子(トランジスタ素子)Trのソース及びドレインのうちの他方(第3端子)とTFT素子(トランジスタ素子)Trのゲート(第2端子)との間の第2容量値C2と、画素電極と共通電極COMとの間に含まれる第3容量値C3とに基づき、共通電圧Vcomを調整する。
より具体的には、共通電圧調整部35は、TFT素子(トランジスタ素子)Trが導通状態であるときに第1容量値C1と第2容量値C2との並列容量値C12を算出し、TFT素子(トランジスタ素子)Trが非導通状態であるときに第1容量値C1及び第2容量値C2と第3容量値C3との直列容量値C23を算出する。
また、共通電圧調整部35は、並列容量値C12及び第1容量値C1に基づき、上記の式(4)又は式(9)を用いて第2容量値C2を算出し、算出した第2容量値C2及び直列容量値C23に基づき、上記の式(5)又は式(10)を用いて第3容量値C3を算出する。さらに、共通電圧調整部35は、第2容量値C2及び第3容量値C3に基づき、上記の式(1)又は式(6)を用いて突き抜け電圧(フィードスルー電圧)ΔVpを算出し、予め設定された共通電圧Vcomの初期値Vcomsetから突き抜け電圧(フィードスルー電圧)ΔVpに応じたオフセット電圧Voftを減じて(Vcomset−Voft)、表示装置1の表示動作の際の共通電圧Vcom(=Vcomset−Voft)を算出する。
これにより、TFT素子(トランジスタ素子)Trが導通状態から非導通状態に遷移した後の共通電圧Vcom(Vcomset−Voft)に対する画素電極の正極性電位と負極性電位との対称性が保たれ、フリッカーの発生を抑制することができる。
本実施形態により、フリッカーを検出するための検査装置を用いることなく、より短時間で共通電極に印加する電圧を最適化することができる表示装置が得られる。
上述した実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
1 表示装置
2 表示パネル
3 DDIC
6 光源
21 表示エリア
31 制御部
32 ゲートドライバ
33 ソースドライバ
34 共通電極ドライバ
35 共通電圧調整部
100 制御回路
351 検出制御部
352 調整用信号生成回路
352a 電圧生成回路
352b 検出駆動パルス生成回路
353 検出回路
354 演算部
355 共通電圧設定部
356 記憶部
COM 共通電極
DTL,DTL1,・・・DTLN 信号線
Pix 画素
SCL,SCL1,・・・SCLM 走査線
SW1 第1スイッチ
SW2 第2スイッチ
SW3 第3スイッチ
SW4 第4スイッチ
SW5 第5スイッチ
Tr TFT素子(トランジスタ素子)

Claims (15)

  1. 画像を表示する表示部の表示エリアに設けられ、トランジスタ素子を含む複数の画素と、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方に接続された信号線と、
    前記トランジスタ素子のゲートに接続された走査線と、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方に設けられた画素電極と、
    共通電極に共通電圧を印加する共通電極ドライバと、
    を備え、
    前記信号線を介して前記複数の画素に書き込む画素信号を所定周期で反転させる反転駆動方式によって表示動作を行う表示装置であって、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第1容量値と、画素電極と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第2容量値と、前記画素電極と前記共通電極との間の第3容量値とに基づき、前記共通電圧を調整する共通電圧調整部を備える
    表示装置。
  2. 前記共通電圧調整部は、
    前記トランジスタ素子が導通状態であるときに前記第1容量値と前記第2容量値との並列容量値を算出し、
    前記トランジスタ素子が非導通状態であるときに前記第1容量値及び前記第2容量値と前記第3容量値との直列容量値を算出する
    請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記共通電圧調整部は、
    前記並列容量値をC12、前記第1容量値をC1としたとき、下記式(1)を用いて前記第2容量値C2を算出する
    請求項2に記載の表示装置。
    C2=C12−C1・・・(1)
  4. 前記共通電圧調整部は、
    前記直列容量値をC23としたとき、下記式(2)を用いて前記第3容量値C3を算出する
    請求項3に記載の表示装置。
    C3=C2×C23/(C2−C23)・・・(2)
  5. 前記共通電圧調整部は、
    前記表示動作時に前記トランジスタ素子のゲートに印加される垂直走査パルス信号の波高値をVgとしたとき、下記式(3)を用いて算出した突き抜け電圧ΔVpに応じて、前記共通電圧を調整する
    請求項4に記載の表示装置。
    ΔVp=(C2/(C2+C3))×Vg・・・(3)
  6. 前記複数の画素は、前記表示エリアにM行×N列(M,Nは自然数)のマトリクス状に配置され、
    前記共通電圧調整部は、
    共通の前記走査線が前記トランジスタ素子のゲートに接続された1行分のN個の画素の前記トランジスタ素子が導通状態であるときにN個分の前記トランジスタ素子の前記第1容量値と前記第2容量値との並列容量値の合計容量値を算出し、
    共通の前記走査線が前記トランジスタ素子のゲートに接続された1行分のN個の画素の前記トランジスタ素子が非導通状態であるときにN個分の前記トランジスタ素子の前記第1容量値の合計容量値及び前記第2容量値と前記第3容量値との並列容量値の合計容量値を算出する
    請求項1に記載の表示装置。
  7. 前記共通電圧調整部は、
    前記並列容量値の合計容量値をN×C12、前記第1容量値の合計容量値をN×C1としたとき、下記式(4)を用いて前記第2容量値の合計容量値N×C2を算出する
    請求項6に記載の表示装置。
    N×C2=N×C12−N×C1・・・(4)
  8. 前記共通電圧調整部は、
    前記直列容量値の合計容量値をN×C23としたとき、下記式(5)を用いて前記第3容量値の合計容量値N×C3を算出する
    請求項7に記載の表示装置。
    N×C3=N×C2×N×C23/(N×C2−N×C23)・・・(5)
  9. 前記共通電圧調整部は、
    前記表示動作時に前記トランジスタ素子のゲートに印加される垂直走査パルス信号の波高値をVgとしたとき、下記式(6)を用いて算出した突き抜け電圧ΔVpに応じて、前記共通電圧を調整する
    請求項8に記載の表示装置。
    ΔVp=(N×C2/(N×C2+N×C3))×Vg・・・(6)
  10. 前記共通電圧調整部は、
    予め設定された前記共通電圧の初期値Vcomsetから前記突き抜け電圧ΔVpに応じたオフセット電圧Voftを減算する
    請求項5又は請求項9に記載の表示装置。
  11. 画像を表示する表示部と、
    前記表示部の表示エリアに設けられ、トランジスタ素子を含む複数の画素と、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方に接続された信号線と、
    前記トランジスタ素子のゲートに接続された走査線と、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方に設けられた画素電極と、
    共通電極に共通電圧を印加する共通電極ドライバと、
    を備え、
    前記信号線を介して前記複数の画素に書き込む画素信号を所定周期で反転させる反転駆動方式によって表示動作を行う表示装置の共通電圧調整方法であって、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第1容量値と、前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第2容量値と、前記画素電極と前記共通電極との間の第3容量値とに基づき、前記共通電圧を調整する
    表示装置の共通電圧調整方法。
  12. 前記トランジスタ素子が導通状態であるときに前記第1容量値と前記第2容量値との並列容量値を算出するステップと、
    前記トランジスタ素子が非導通状態であるときに前記第1容量値を算出するステップと、
    前記トランジスタ素子が非導通状態であるときに前記第2容量値と前記第3容量値との直列容量値を算出するステップと、
    前記並列容量値及び前記第1容量値に基づき、前記第2容量値を算出するステップと、
    前記第2容量値及び前記直列容量値に基づき、前記第3容量値を算出するステップと、
    前記第2容量値及び前記第3容量値に基づき、前記共通電圧を調整するステップと、
    を有する
    請求項11に記載の表示装置の共通電圧調整方法。
  13. 画像を表示する表示部の表示エリアに設けられ、トランジスタ素子を含む複数の画素と、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方に接続された信号線と、
    前記トランジスタ素子のゲートに接続された走査線と、
    前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの他方に接続された画素電極と、
    前記画素電極と対向した共通電極と、
    入力部に抵抗を介して前記トランジスタ素子を非導通状態にするための第1の電圧または前記トランジスタ素子を導通状態にするための第2の電圧を供給可能に構成された検出回路と、
    一方の端子が前記走査線に接続され、他方の端子がゲートドライバに接続された第1スイッチと、
    ソースドライバまたは検出駆動パルス生成回路のいずれかを前記信号線に接続可能に構成された第2スイッチと、
    共通電極ドライバまたは前記検出駆動パルス生成回路のいずれかを前記共通電極に接続可能に構成された第3スイッチと、
    一方の端子が前記走査線に接続され、他方の端子が前記検出回路の入力部に接続された第4スイッチと、
    を有し、
    前記信号線を介して前記複数の画素に書き込む画素信号を所定周期で反転させる反転駆動方式によって表示動作を行うように構成された
    表示装置。
  14. 前記トランジスタ素子のソース及びドレインのうちの一方と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第1容量値と、画素電極と前記トランジスタ素子のゲートとの間の第2容量値と、前記画素電極と前記共通電極との間の第3容量値とに基づき、前記共通電圧を設定する共通電圧調整部を備える
    請求項13に記載の表示装置。
  15. 前記検出回路の入力部は前記抵抗を介して前記第1の電圧が供給され、前記第1スイッチと前記第3スイッチは非導通状態とされ、前記第4スイッチは導通状態とされ、前記検出駆動パルス生成回路にて生成された駆動パルスが前記第2スイッチを介して前記画素電極に供給され、前記走査線の電圧を前記検出回路で測定することにより前記第1容量値を測定し、
    前記検出回路の入力部は前記抵抗を介して前記第2の電圧が供給され、前記第1スイッチと前記第3スイッチは非導通状態とされ、前記第4スイッチは導通状態とされ、前記検出駆動パルス生成回路にて生成された駆動パルスが前記第2スイッチを介して前記画素電極に供給され、前記走査線の電圧を前記検出回路で測定することにより前記第1容量値と第2容量値の並列容量を測定し、
    前記検出回路の入力部は前記抵抗を介して前記第1の電圧が供給され、前記第1スイッチと前記第2スイッチは非導通状態とされ、前記第4スイッチは導通状態とされ、前記検出駆動パルス生成回路にて生成された駆動パルスが前記第3スイッチを介して前記画素電極に供給され、前記走査線の電圧を前記検出回路で測定することにより前記第2容量値と第3容量値の直列容量を測定し、
    前記第1容量値と、前記第2容量値と、前記第3容量値とを算出するように構成された
    請求項14に記載の表示装置。
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