TWI494642B - 液晶顯示裝置及其修復方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置及其修復方法
本發明系關於一種液晶顯示(LCD)裝置及其修復方法,並且特別地,本發明關於一種液晶顯示(LCD)裝置及其修復方法,其中該液晶顯示(LCD)裝置中的一熱畫素修復為一死畫素。
已經提出包含一液晶顯示(LCD)裝置、一電漿顯示面板(PDP)、一場致發光顯示裝置(ELD)、一真空螢光顯示裝置(VFD)等的平面顯示裝置。在如此的平面顯示裝置中,液晶顯示(LCD)裝置由於其例如一良好的畫面質量、一輕重量、一薄外形、以及低功耗的優點受到最廣泛的使用。液晶顯示(LCD)裝置使用於不同的電子產品例如一電腦以及一電視中。
更詳細而言,液晶顯示(LCD)裝置包含彼此面對的第一及第二基板、形成於第一基板上的一切換裝置、位於第一基板與第二基板之間的一液晶層、一畫素電極、一共同電極等。此切換裝置可選擇地將來自一外部驅動電路的一電壓傳送至畫素電極以便驅動液晶層。隨著液晶層透過畫素電極與共同電極形成的一電場的驅動,能夠顯示一影像。
然而,此液晶顯示(LCD)裝置具有以下問題。也就是說,如果當形成切換裝置時此切換裝置的源及汲極不正常地形成圖案,則源及汲極可由於保持於一液晶面板的導電雜質而不正常地驅動,因此產生一熱 畫素或一死畫素。
此外,當實現一高灰色(白色狀態)時,一「死畫素」係指一區域由於漏光被看作一黑暗區域的現象。另一方面,當實現一低灰色(黑色狀態)時,一「死畫素」係指一區域由於漏光被看作一亮區域的現象。
「第1圖」係為一習知技術之液晶顯示裝置之示意圖。請參閱「第1圖」。畫素(P)包含正常畫素(N)以及一熱畫素(H)。在一黑色狀態下,正常畫素(N)實現為一黑色,而熱畫素(H)實現為一亮色。
通常,一人眼相比較於實現為一明亮狀態的一死畫素,更敏感地識別實現為一黑暗狀態的一熱畫素(H)。因此,一液晶面板是否為或壞通常基於熱畫素(H)比該死畫素的一劣等狀態確定。此種情況下,熱畫素(H)透過關於一對應畫素執行重寫過程,或透過將熱像素轉換成一死畫素修復。
然而,在此重寫過程中,切換裝置由於保留於其上的雜質可不正常地驅動。此外,如果當雜質保留於此切換裝置上時彼此附加第一及第二基板,則不能夠執行一重寫過程。
因此,主要使用一種將一熱畫素轉換為一死畫素的方法,「第2圖」係為一習知技術之液晶顯示裝置中一修復的畫素之示意圖。也就是說,「第2圖」表示一邊緣場切換(FFS)型液晶顯示裝置,其中已經在區域「a」及「b」執行一修復過程。
在區域「a」中,執行一修復過程以使得能夠切割一汲極42的一部分。由於汲極42透過一活性層30的一通道提供有來自一源極41的 一電壓,因此此電壓不提供至連接於切割的汲極42的一畫素電極15。也就是說,畫素電極15浮置。然而,浮置的畫素電極15的一電勢與一共同電極60不相同。這樣使得一對應畫素作為一熱畫素。因此,一修復過程關於此區域「b」執行。
在區域「b」中,執行一修復過程,以使得畫素電極15與 共同電極60彼此電短路。「第3圖」表示在區域「b」中,一修復畫素之一部分。請參閱「第3圖」,區域「b」中的此修復過程透過熔接共同電極60的一頂部執行,以便從共同電極60的一底部形成與畫素電極15相連接的一通道。
由於形成此通道,畫素電極15與共同電極60彼此相接觸。 隨著畫素電極15與共同電極60彼此電連接,在其間沒有電勢差。
此外,因為畫素電極15與共同電極60沒有電勢差,因此不 形成一水平電場。因此,對應於此修復畫素的液晶分子的一配向狀態不改變。也就是說,此修復的畫素在一黑色狀態下觀察為一死畫素。
如果此液晶顯示裝置在修復過程之後立即驅動,則此修復 的畫素觀察作為一死畫素。然而,在液晶顯示裝置連續驅動之後,由於將畫素電極15與共同電極60彼此連接的通道透過從此修復的畫素產生的一電壓或熱關閉,因此修復的畫素可觀察作為一熱畫素。
而且,修復過程中通過一厚膜具有困難,其中此厚膜包含 位於畫素電極15與共同電極60之間的一鈍化層與一閘極絕緣膜。難以對分別由具有300埃(Å)~400埃(Å)厚度的一薄膜形成的畫素電極15與共同電極60執行一焊接過程。
因此,本發明之一方面在於提供一種液晶顯示(LCD)裝置,此種液晶顯示(LCD)裝置透過通過一浮置電極使得一畫素電極與一共同電極彼此電接觸能夠提高一修復率。
為了獲得本發明的該目的之這些及其他優點,現對本發明 作具體化和概括性的描述,本發明的一方面提拱的一種液晶顯示裝置包含:彼此面對的一第一基板以及一第二基板;形成於第一基板上的一閘極以及一畫素電極;一第一絕緣層,覆蓋閘極且部分覆蓋畫素電極;位於第一絕緣層上的一活性層;位於活性層上的一源極;一汲極,位於活性層上且與畫素電極相連接,汲極與源極相間隔且通過一接觸孔與畫素電極電連接,其中汲極在不與閘極相重疊的一位置包含一切割部分以使得畫素電極浮置且不藉由活性層與汲極從源極接收一電壓;位於第一絕緣層的一第二絕緣層;位於第二絕緣層上的複數個共同電極;以及一焊接的部分,位於一對應共同電極與汲極相重疊的一區域。進一步地,汲極與畫素電極藉由在一接觸孔中形成的一連接圖案彼此電連接以使得焊接部分浮置畫素電極。本發明還提拱一液晶顯示(LCD)裝置之對應的修復方法。
在另一方面中,本發明提供的一種液晶顯示裝置包含:彼 此面對的一第一基板以及一第二基板;形成於第一基板上的一閘極線、一閘極以及一畫素電極;一第一絕緣層,覆蓋閘極且部分覆蓋畫素電極;位於第一絕緣層上的一活性層;位於活性層上的一源極;位於活性層上的一汲極,此汲極與源極相間隔且通過一接觸孔與畫素電極電連接,其中汲極在不與閘極相重疊的一位置包含一切割部分以使得畫素電極浮置且不藉由 活性層與汲極從源極接收一電壓;位於第一絕緣層上的一第二絕緣層;位於第二絕緣層上的複數個共同電極;一共同電極連接線,從一對應共同電極延伸出且與閘極線之另一區域相重疊,其中閘極線包含第一切割部分以及第二切割部分;以及一焊接的部分,位於第一連接部分與第二連接部分之間的一位置且將汲極連接至閘極線,進一步地,共同電極連接線位於第二絕緣層之頂部且在閘極線的第一切割部分與第二切割部分之間的另一位置通過第二絕緣層延伸至閘極線。本發明還提拱一液晶顯示(LCD)裝置之對應的修復方法。
本發明更多的應用範圍將由以下的詳細說明變得更加明 顯。然而,可以理解的是,用以揭示本發明較佳實施方式的詳細說明和具體示例僅僅是為了說明,因為本發明得精神及範圍內的不同和修改對於本領域之技術人員從該詳細說明種將變的明顯。
15‧‧‧畫素電極
30‧‧‧活性層
42‧‧‧汲極
60‧‧‧共同電極
100‧‧‧第一基板
110‧‧‧閘極
111‧‧‧閘極線
115‧‧‧畫素電極
117‧‧‧共同電壓線
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧活性層
140‧‧‧資料線
141‧‧‧源極
142‧‧‧汲極
142a‧‧‧第一汲極部分
142b‧‧‧第二汲極部分
142c‧‧‧第三汲極部分
150‧‧‧第二絕緣層
155‧‧‧第一接觸孔
156‧‧‧第二接觸孔
160‧‧‧共同電極
161‧‧‧連接圖案
210‧‧‧閘極
211‧‧‧閘極線
215‧‧‧畫素電極
220‧‧‧第一絕緣層
230‧‧‧活性層
242‧‧‧第二汲極
242a‧‧‧第一汲極部分
242b‧‧‧第二汲極部分
242c‧‧‧第三汲極部分
250‧‧‧第二絕緣層
255‧‧‧接觸孔
260‧‧‧共同電極
260a‧‧‧共同電極連接線
261‧‧‧連接圖案
H‧‧‧熱畫素
N‧‧‧正常畫素
P‧‧‧畫素
a、b、A1、A2、B1、B2、C2、D2、E2‧‧‧區域
d1‧‧‧寬度
d2‧‧‧水平寬度
d3‧‧‧垂直寬度
第1圖係為一習知技術之液晶顯示裝置之示意圖;第2圖係為一習知技術之液晶顯示裝置中一修復的畫素之示意圖;第3圖表示在第2圖中的一區域「b」之剖視圖;第4A圖係為根據本發明一第一實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之一單元畫素之平面圖;第4B圖係為沿第4A圖中線I-I’及II-II’之剖視圖;第5A圖及第6A圖係為根據本發明第一實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之修復過程之平面圖; 第5B圖及第6B圖係為沿第5A圖及第6A圖中之線I-I’及II-II’之剖視圖;第7A圖及第8A圖係為根據本發明第二實施例之一液晶顯示(LCD)裝置的一修復過程之平面圖;以及第7B圖及第8B圖係為沿第7A圖及第8A圖中之線I-I’及II-II’之剖視圖。
將結合附圖部分詳細描述本發明之示例性實施例。為了根據圖式簡單地描述,相同或等效元件將提供相同的參考標號,並且將不重複其描述。
以下,將結合附圖部分更詳細地描述根據本發明之實施例之一液晶顯示(LCD)裝置及其修復方法。一單數的表示可包含一複數概念,除非上下文具有其間的一顯著差異。為了方便,元件可在圖式中以一放大或縮小的方式表示。雖然「第一」、「第二」等用語用以解釋不同的元件,但是這些元件不限於這些用語。因為這些用語僅用於將一個元件與另一個元件相區別,因此這些元件不透過這些用語限制。
「第4A圖」係為根據本發明一第一實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之平面圖,以及「第4B圖」係為沿「第4A圖」中線I-I’及II-II’之剖視圖。根據本發明第一實施例之液晶顯示(LCD)裝置包含一液晶面板、一背光單元、以及一驅動電路。
該液晶面板包含一第一基板、與第一基板面對的一第二基 板以及一液晶層。僅一第一基板100表示於「第4B圖」中。下文中,將更詳細地解釋第一基板。
請參閱「第4A圖」及「第4B圖」,第一基板100包含一閘 極線111、一資料線140、一閘極墊、一資料墊、以及複數個畫素。每一單元畫素包含一切換裝置、一畫素電極115以及一共同電極160。進一步而言,資料線140與閘極線111在第一基板100上彼此相交叉,資料線140與閘極線111定義一矩陣形式的複數個畫素。資料線140可形成為具有一預定角度的一「S」形。
此外,閘極墊將從一外部電路接收的一閘極驅動電壓傳送 至閘極線111。進一步而言,資料墊將從一外部電路接收的一資料驅動電壓傳送至資料線140。用作一薄膜電晶體(TFT)的該切換裝置包含一閘極110、一活性層130、以及源/汲極141及142。
進一步而言,從閘極線111延伸出之閘極110形成於第一基 板100上。為了平穩傳送一閘極電壓且為了防止由於來自一背光單元的一入射光線之損傷,閘極10較佳形成為具有的一面積相比較於活性層130的面積更大。活性層130形成於與閘極110相重疊的一區域,並且該區域與閘極110之間具有一第一絕緣層120。
活性層130形成電荷沿其移動的一通道區域且可包含一非 晶矽或一氧化物半導體。如果活性層130由非晶矽形成,則一歐姆接觸層能夠形成於活性層130上用於活性層130與源/汲極141及142之間的平穩電接觸。另一方面,如果活性層130由一氧化物半導體形成,則一蝕刻停止件能夠形成於活性層130上以使得能夠防止由於蝕刻對活性層130的該通 道區域之損傷。
然後,源/汲極141及142形成為覆蓋活性層130。請參閱「第 4A圖」,源極141按照一「U」形從資料線140的一個區域朝向閘極線111延伸。此外,汲極142插入至「U」形的源極141中。該結構透過控制一通道寬度(W)/一通道長度(L)提高活性層130的一通道特性。然而,源/汲極141及142不限制於具有如此的形狀,並且能夠具有不同的形狀。
此外,汲極142包含一第一汲極部分142a、一第二汲極部 分142b、以及一第三汲極部分142c。第一汲極部分142a相鄰於源極141,並且與一通道區域部分地重疊以便接收來自源極141的通過資料線140傳送的一資料電壓。
第二汲極部分142b從第一汲極部分142a延伸出且通過一第 一接觸孔155與第二汲極部分142b之下形成的畫素電極115電連接。此外,第三汲極部分142c在一個方向從第二汲極部分142b延伸出,並且與共同電極160相重疊。第三汲極部分142c還可形成為具有一預定的曲率。
請參閱「第4B圖」,活性層130較佳形成為與汲極142完 全相重疊。該結果由汲極142與活性層130使用該相同的光罩形成產生。然而,本發明第一實施例並不限制於此。也就是說,活性層130可形成為部分與汲極142重疊。
請參閱「第4A圖」,畫素電極115形成為一單個圖案以便 對應於一單元畫素之一透射區。請參閱「第4B圖」,畫素電極115與第一基板100上的閘極110形成於該相同層。畫素電極115還藉由第一接觸孔155的一連接圖案161電連接至汲極142,並且從汲極142接收一資料電壓。
進一步而言,第一接觸孔155通過第一絕緣層120、活性層 130、汲極142以及一第二絕緣層150形成。連接圖案161形成於第一接觸孔155中。因此,連接圖案161在第一接觸孔155的一內部側表面上與第二汲極部分142b相接觸,並且在第一接觸孔155的一底表面上與畫素電極115相接觸。請參閱「第4A圖」,第一接觸孔155形成為與第二汲極部分142b部分相重疊。
請參閱「第4A圖」,共同電極160形成於與畫素電極115 相重疊的一區域且包含複數個狹縫,共同電極160與畫素電極115一起形成一邊緣電場。請參閱「第4B圖」,共同電極160形成於第二絕緣層150上。在根據本發明第一實施例之液晶顯示(LCD)裝置中,第一絕緣層120與第二絕緣層150包含於畫素電極115與共同電極160之間。在這樣的結構下,畫素電極115與共同電極160之間的距離最大化,這樣最小化由出現於其間的一寄生電容產生的影響。
進一步而言,共同電極160通過一第二接觸孔156電連接至 一共同電壓線117,由此接收一共同電壓。請參閱「第4A圖」,連接至一相鄰畫素之共同電極160。連同共同電極160向右及左延伸而向下延伸的一共同電極連接線連接至一相鄰畫素的共同電極160。在這樣的結構下,每一畫素的共同電極160能夠平穩地供給有一共同電壓。
此外,靠近該共同電極連接線的共同電極160的一區域形 成為與第三汲極部分142c相重疊。該原因在於當在一修復過程的熔焊時,促進共同電極160與第三汲極部分142c之間的一電接觸。
共同電極160還可透過使用與連接圖案161相同的遮罩形 成。進一步而言,共同電極160、連接圖案161以及畫素電極115的每一個可包含一透明導電材料例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
如上所述,如果雜質引入至第一基板100,或者如果該薄膜 電晶體(TFT)的源/汲極141及142具有一劣質圖案,則一對應畫素可作為一熱畫素。為了解決如此之一問題,將更詳細地解釋根據本發明第一實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之修復方法。
特別地,「第5A圖」及「第6A圖」係為根據本發明第一實 施例之一液晶顯示(LCD)裝置之修復過程之平面圖,以及「第5B圖」及「第6B圖」係為沿「第5A圖」及「第6A圖」中之線I-I’及II-II’之剖視圖。如「第5A圖」所示,形成於一熱畫素的第一汲極圖案142a被切割以便修復該熱畫素。該切割可透過不同的切割工具執行。較佳地使用一雷射。一雷射點較佳為3.5μm~4.5μm之範圍。
該切割位置係為表示第一汲極部分142a不與閘極110重疊 的一區域「A1」。當在與閘極110的一重疊區域透過一雷射切割第一汲極部分142a時,如果切割過度地從汲極142執行直至閘極110,則透過該雷射熔化的汲極142與閘極110相接觸。
這樣產生汲極142與閘極110之間的電短路。因此,區域「A1」較佳地為第一汲極部分142a不與閘極110重疊的一區域。區域「A1」的一寬度(d1)可為至少7.5μm用於防止閘極110與汲極142之間的電氣干擾。
此外,該切割方向可為垂直於第一汲極部分142a的一方向。然而,本發明不限制於此。也就是說,該切割方向可為第一汲極部分 142a從閘極110電斷開的任何方向。
如「第5B圖」所示,該切割深度可為便於僅切割第一汲極 部分142a的任何值。為了切割第一汲極部分142a,首先切割第二絕緣層150。第二絕緣層150較佳具有一5000埃(Å)~6000埃(Å)之厚度。當切割第一汲極部分142a時,第二汲極部分142b與畫素電極115分別為浮置狀態。也就是說,浮置狀態表示由於一絕緣狀態因此一電壓不提供至該電極。
這裡,因為第一汲極部分142a電連接至第二汲極部分 142b、第三汲極部分142c、以及畫素電極115,因此畫素電極115浮置。一資料電壓從源極141傳送至第二汲極部分142b、第三汲極部分142c、以及畫素電極115的一通道透過該切割過程消失。因此,畫素電極115、第二汲極部分142b以及第三汲極部分142c分別處於一浮置狀態中。
然後,如「第6A圖」及「第6B圖」所示,一焊接過程在 彼此相重疊的第三汲極部分142c與共同電極160的一區域「B1」執行。該焊接過程可透過一雷射執行,並且一雷射點較佳為3.5μm~4.5μm之範圍。此外,第三汲極部分142c與共同電極160以點的形式彼此焊接在一起。然而,第三汲極部分142c與共同電極160可以線或面的形式彼此焊接在一起。
對於點焊接第三汲極部分142c與共同電極160,該焊接能 夠在至少一個點執行。在「第6A圖」及「第6B圖」中,該焊接在兩個點上執行。此外,區域「B1」較佳具有的一面積大於該雷射點之一寬度。區域「B1」的面積能夠根據一焊接點的一面積進行不同的設計。也就是說,區域「B1」能夠考慮使用的設備例如一雷射單元、用於定位第一基板100的一加工餘量等確定。
舉例而言,請參閱「第6A圖」,該焊接以指向兩個點的形 式執行。因為該雷射點具有3.5μm~4.5μm之一寬度,因此該焊接點較佳具有3.5μm~4.5μm之一寬度。當考慮一加工餘量時,區域「B1」的水平寬度(d2)與垂直寬度(d3)之每一個還較佳設計為5μm或更多。
接下來,將解釋執行該焊接的區域「B1」之部分。共同電 極160通過第二絕緣層150電連接至第三汲極部分142c。一旦一雷射照射於第二絕緣層150上,則形成一預定寬度的一通道。進一步而言,透過還雷射熔化的共同電極160通過該通道在第三汲極部分142c上流動,由此與第三汲極部分142c相接觸。
由於第三汲極部分142c與共同電極160彼此電連接,因此 它們具有相同的電勢。此外,第三汲極部分142c通過第二汲極部分142b連接至畫素電極115,並且畫素電極115係為一浮置狀態中。因為畫素電極115與共同電極160通過浮置的第二及第三汲極部分142b及142c彼此電連接,因此畫素電極115與共同電極160具有該相同的電勢。
為了驅動一液晶層,用於改變液晶分子之排列方向的一電 場透過畫素電極115與共同電極160之間的一電勢差產生。在本發明之第一實施例中,因為在共同電極160與畫素電極115之間沒有電勢差,因此不驅動該液晶層。因此,一修復的單元畫素不允許光線在一黑色狀態下穿過。也就是說。一熱畫素轉化為一死畫素。
進一步而言,在本發明之第一實施例中,汲極142較佳具 有一2500埃(Å)~3000埃(Å)之厚度,而畫素電極115較佳具有一300埃(Å)~400埃(Å)之厚度。第一絕緣層120較佳具有一大約4000埃(Å) 之厚度,並且第二絕緣層150較佳具有一5000埃(Å)~6000埃(Å)之厚度。在習知技術中,具有一小厚度的畫素電極115與共同電極160通過具有一總厚度為大約10000埃(Å)的第一絕緣層120與第二絕緣層150彼此焊接。而且,即使成功執行該修復過程,由於習知技術之焊接過程在連續驅動該液晶顯示(LCD)裝置之後,一修復的畫素可改變為劣質畫素。
然而,在本發明中,僅通過具有5000埃(Å)~6000埃(Å) 之一厚度的第二絕緣層150而不通過第一絕緣層120關於厚的汲極142執行焊接。因此,相比較於習知技術,本發明中的一焊接過程更平穩地執行。也就是說,因為汲極142與共同電極160彼此完全電連接,因此能夠成功地執行一修復過程。而且,由於在該液晶顯示(LCD)裝置的一連續驅動之後一修復的畫素不改變為一劣質畫素,因此產品的可靠性得到提高。
下文中,將更詳細地解釋根據本發明一第二實施例一液晶 顯示(LCD)裝置的修復方法。特別地,「第7A圖」及「第8A圖」係為根據本發明第二實施例之一液晶顯示(LCD)裝置的一修復過程之平面圖,以及「第7B圖」及「第8B圖」係為沿「第7A圖」及「第8A圖」中之線I-I’及II-II’之剖視圖。
根據本發明第二實施例的液晶顯示(LCD)裝置除了一第三 汲極部分242c的形狀之外,具有與根據本發明第一實施例的液晶顯示(LCD)裝置相類似的結構。請參閱「第7A圖」及「第7B圖」,第三汲極部分242c形成為覆蓋一閘極線211。進一步而言,閘極線211延伸至垂直於一閘極線形成方向之方向,而非另一閘極線211區域。
與第一實施例不相同,第三汲極部分242c形成為不具有完 全部分,並且從第二汲極部分242b朝向與該閘極線形成方向相同的方向延伸出。請參閱「第7B圖」,第三汲極部分242c與閘極線211排列為彼此相重疊且其間具有第一絕緣層220。
在根據本發明第二實施例的液晶顯示(LCD)裝置中,一畫 素電極215與一共同電極連接線260a彼此相連接以透過閘極線211以及汲極242而具有相同的電勢。現在將解釋根據本發明第二實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之修復方法。請參閱「第7A圖」及「第7B圖」,根據本發明第二實施例之一液晶顯示(LCD)裝置之修復方法透過切割在一熱畫素形成的汲極242執行。該切割過程能夠透過一雷射執行。
進一步而言,汲極242包含一第一汲極部分242a、一第二 汲極部分242b、以及一第三汲極部分242c。當切割第一汲極部分242a時,與第一汲極部分242a相連接的第二汲極部分242b與第三汲極部分242c分別處於一浮置狀態。而且,因為第二汲極部分242b與畫素電極215相連接,因此畫素電極215也處於一浮置狀態。
一活性層230、接觸孔255以及連接圖案261也表示於本發 明之第二實施例中,此外,該切割區域係為已經形成第一汲極部分242a的一區域「A2」。區域「A2」還可為在已經形成第一汲極部分242a的區域中,不與一閘極210相重疊的一區域。
然後,閘極線211在區域「B2」及「C2」切割,由此為一 浮置狀態。請參閱「第7A圖」,閘極線211表示在第三汲極部分242c與共同電極連接線260a之間的一重疊區域形成的閘極線211的部分。請參閱「第7B圖」,第一絕緣層220位於浮置的閘極線211與第三汲極部分242c之間。 此外,第一絕緣層220與第二絕緣層250位於浮置的閘極線211與共同電極連接線260a之間。
進一步而言,在區域「B2」中,僅切割閘極線211。或者, 如「第7A圖」所示,可切割共同電極連接線260a與閘極線211之兩者。即使切割共同電極連接線260a,一共同電壓能夠通過另一區域提供至共同電極260。這在修復該液晶顯示(LCD)裝置中不產生顯著的問題。
而且,在區域「C2」中,較佳地僅切割用於形成浮置的閘 極線211的一單個閘極線211。此外,區域「A2、B2以及C2」可如在本發明之第一實施例中透過一雷射切割。在區域「A2」中,切割第二絕緣層250與汲極242,並且區域「B2」及「C2」中,切割第二絕緣層250以及閘極線211。
然後,如「第8A圖」及「第8B圖」所示,浮置的第三汲 極部分242c與浮置的閘極線211彼此焊接在一起。共同電極連接線260a與浮置的閘極線211也可彼此焊接在一起。
進一步而言,當浮置的第三汲極部分242c與浮置的閘極線 211彼此焊接在一起時,形成一單個的浮置電極。然後,共同電極連接線260a焊接至該浮置的電極。因此,該浮置的電極用作將該共同電極連接線260a與畫素電極215彼此電連接的一媒介。
請參閱「第8B圖」,「第8B圖」表示出一基板的一剖視表 面,第二汲極部分242b在I~I’的一區域電連接至畫素電極215。在II~II’的一區域,第三汲極部分242c與共同電極連接線260a通過該浮置的閘極線211彼此電連接。因為第二汲極部分242b與第三汲極部分242c彼此電連接, 因此畫素電極215與共同電極260彼此電連接。
此外,該焊接在第三汲極部分242c與浮置的閘極線211彼 此重疊的一區域「D2」,以及在彼此重疊的共同電極連接線260a與浮置的閘極線211的一區域「E2」執行。區域「E2」形成為共同電極連接線260a與該閘極線相交叉。
如上所述,該焊接能夠在點、或線、或面的形式下透過一 雷射執行。當焊接為點形式時,該焊接可在至少一個點上執行。當一雷射點具有3.5μm~4.5μm之一寬度且該焊接在至少兩個點執行時,在區域「D2」及「E2」的一水平寬度與一垂直寬度的每一個較佳為5μm或更大。
如上所述,在根據本發明第二實施例之一液晶顯示(LCD) 裝置之修復方法中,第三汲極部分242c與浮置的閘極線211實現為一浮置電極,由此用作將畫素電極215與共同電極連接線260a彼此電連接的一媒介。結果,在一熱畫素的共同電極連接線260a與畫素電極215具有相同的電勢。因此,該熱畫素轉化為一死畫素。
上述的實施例與優點僅為示例性的且不認為是對本發明的 限制。所呈現之思想能夠容易應用於其他類型之設備。本說明書規定為示例性的,並且不限制專利申請範圍之範圍。本領域之技術人員明顯可意識到許多的替換、修改、以及變化。這裡所描述的本發明之示例實施例之特性、結構、方法、以及其他特徵可以不同的方式相結合以獲得另外與/或可替換的示例性實施例。
由於所呈現的特性可體現為不脫離其特徵的幾種形式,因 此可以理解的是,除非特別指明,上述的實施例不透過前述的說明書之任 何細節限制,而是應該在所附之專利申請範圍中定義的其範圍內廣泛地考慮,並且因此落入專利申請範圍的界限或等效界限內的所有變化與修改傾向於由所附之專利申請範圍包圍。
100‧‧‧第一基板
110‧‧‧閘極
115‧‧‧畫素電極
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧活性層
141‧‧‧源極
142‧‧‧汲極
142a‧‧‧第一汲極部分
142b‧‧‧第二汲極部分
142c‧‧‧第三汲極部分
155‧‧‧第一接觸孔
160‧‧‧共同電極
161‧‧‧連接圖案

Claims (20)

  1. 一種液晶顯示裝置,係包含:一第一基板以及一第二基板,係為彼此面對;一閘極以及一畫素電極,係形成於該第一基板上;一第一絕緣層,係覆蓋該閘極且部分覆蓋該畫素電極;一活性層,係位於該第一絕緣層上;一源極,係位於該活性層上;一汲極,係位於該活性層上且與該畫素電極相連接,該汲極與該源極相間隔且通過一接觸孔與該畫素電極電連接,其中該汲極在不與該閘極相重疊的一位置包含一切割部分以使得該畫素電極浮置且不藉由該活性層與該汲極從該源極接收一電壓;一第二絕緣層,係位於該第一絕緣層上;複數個共同電極,係位於該第二絕緣層上;以及一焊接的部分,係位於一對應共同電極與該汲極相重疊的一區域,其中該汲極與該畫素電極藉由在一接觸孔中形成的一連接圖案彼此電連接,以使得該焊接的部分浮置該畫素電極,以及其中該畫素電極與該焊接的部分對應的該共同電極彼此電連接。
  2. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該焊接的部分使得該汲極與該對應共同電極短路以使得該畫素電極與該對應共同電極具有一相同的電勢。
  3. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該焊接的部分包含至少一個點焊接。
  4. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該汲極具有2500埃(Å)~3000埃(Å)之一厚度,以及形成於該汲極與該共同電極之間的該第二絕緣層具有5000埃(Å)~6000埃(Å)之一厚度。
  5. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該接觸孔穿過該第一絕緣層、該活性層、該汲極以及該第二絕緣層,以及其中該連接圖案與該共同電極包含氧化銦錫(ITO)。
  6. 根據申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置,其中該汲極與該接觸孔彼此部分地重疊。
  7. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,更包含:一蝕刻停止層,係形成於該活性層之一通道區域上以及該源極與該汲極之下。
  8. 一種液晶顯示裝置,係包含:一第一基板以及一第二基板,係為彼此面對;一閘極線、一閘極以及一畫素電極,係形成於該第一基板上;一第一絕緣層,係覆蓋該閘極且部分覆蓋該畫素電極;一活性層,係位於該第一絕緣層上;一源極,係位於該活性層上;一汲極,係位於該活性層上,該汲極與該源極相間隔且通過一接觸孔與該畫素電極電連接,其中該汲極在不與該閘 極相重疊的一位置包含一切割部分以使得該畫素電極浮置且不藉由該活性層與該汲極從該源極接收一電壓;一第二絕緣層,係位於該第一絕緣層上;複數個共同電極,係位於該第二絕緣層上;一共同電極連接線,係從一對應共同電極延伸出且與該閘極線之另一區域相重疊,其中該閘極線包含第一切割部分以及第二切割部分;以及一焊接的部分,係位於該第一連接部分與該第二連接部分之間的一位置且將該汲極連接至該閘極線,其中該共同電極連接線位於該第二絕緣層之頂部且在該閘極線的該第一切割部分與該第二切割部分之間的另一位置通過該第二絕緣層延伸至該閘極線,以及其中該畫素電極與該焊接的部分對應的該共同電極彼此電連接。
  9. 根據申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置,其中該焊接的部分包含至少一個點焊接。
  10. 根據申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置,其中該汲極具有2500埃(Å)~3000埃(Å)之一厚度,形成於該汲極與該共同電極之間的該第二絕緣層具有5000埃(Å)~6000埃(Å)之一厚度,以及該閘極線具有2000埃(Å)~4000埃(Å)之一厚度。
  11. 一種液晶顯示裝置之修復方法,係包含以下步驟:提供一薄膜陣列基板,該薄膜陣列基板包含彼此面對的一第一基板以及一第二基板;形成於該第一基板上的一閘極以及一畫素電極;覆蓋該閘極且部分覆蓋該畫素電極的一 第一絕緣層;位於該第一絕緣層上的一活性層;位於該活性層上的一源極;位於該活性層上且與該畫素電極相連接的一汲極;以及位於該第二絕緣層上的複數個共同電極,其中該汲極與該源極相間隔且通過一接觸孔與該畫素電極電連接;在不與該閘極相重疊的一位置切割一切割部分以使得該畫素電極浮置且不藉由該活性層與該汲極從該源極接收一電壓;以及在一對應共同電極與該汲極相重疊之一區域焊接一焊接的部分,其中該汲極與該畫素電極藉由在一接觸孔中形成的一連接圖案彼此電連接以使得該焊接的部分浮置該畫素電極,以及其中該畫素電極與該焊接的部分對應的該共同電極彼此電連接。
  12. 根據申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置之修復方法,其中該焊接的部分使得該汲極與該對應共同電極短路以使得該畫素電極與該對應共同電極具有一相同的電勢。
  13. 根據申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置之修復方法,其中該焊接的部分包含至少一個點焊接。
  14. 根據申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置之修復方法,其中該汲極具有2500埃(Å)~3000埃(Å)之一厚度,以及形成於該汲極與該共同電極之間的該第二絕緣層具有5000埃(Å)~6000埃(Å)之一厚度。
  15. 根據申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置之修復方法,其中該接觸孔穿過該第一絕緣層、該活性層、該汲極以及該第二絕緣層,以及其中該連接圖案與該共同電極包含氧化銦錫(ITO)。
  16. 根據申請專利範圍第15項之液晶顯示裝置之修復方法,其中該汲極與該接觸孔彼此部分地重疊。
  17. 根據申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置之修復方法,更包含:形成一蝕刻停止層於該活性層之一通道區域上以及該源極與該汲極之下。
  18. 一種液晶顯示裝置之修復方法,係包含以下步驟:提供一薄膜陣列基板,該薄膜陣列基板包含彼此面對的一第一基板以及一第二基板;形成於該第一基板上的一閘極線、一閘極以及一畫素電極;覆蓋該閘極且部分覆蓋該畫素電極的一第一絕緣層;位於該第一絕緣層上的一活性層;位於該活性層上的一源極;位於該活性層上且與該畫素電極相連接的一汲極;以及位於該第二絕緣層上的複數個共同電極,其中該汲極與該源極相間隔且通過一接觸孔與該畫素電極電連接;在不與該閘極相重疊的一位置切割一切割部分以使得該畫素電極浮置且不藉由該活性層與該汲極從該源極接收一電壓; 形成一共同電極連接線,該共同電極連接線從一對應共同電極延伸出且與該閘極線之另一區域相重疊,其中該閘極線包含第一切割部分以及第二切割部分;以及在該第一切割部分與該第二切割部分之間的一位置焊接一焊接的部分且將該汲極連接至該閘極線,其中該共同電極連接線位於該第二絕緣層之頂部且在該閘極線的該第一切割部分與該第二切割部分之間的另一位置通過該第二絕緣層延伸至該閘極線,以及其中該畫素電極與該焊接的部分對應的該共同電極彼此電連接。
  19. 根據申請專利範圍第18項之液晶顯示裝置之修復方法,其中該焊接的部分包含至少一個點焊接。
  20. 根據申請專利範圍第18項之液晶顯示裝置之修復方法,其中該汲極具有2500埃(Å)~3000埃(Å)之一厚度,形成於該汲極與該共同電極之間的該第二絕緣層具有5000埃(Å)~6000埃(Å)之一厚度,以及該閘極線具有2000埃(Å)~4000埃(Å)之一厚度。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6127425B2 (ja) * 2012-09-26 2017-05-17 凸版印刷株式会社 積層構造体、薄膜トランジスタアレイおよびそれらの製造方法
CN103178119B (zh) * 2013-03-25 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置
KR102078807B1 (ko) * 2013-07-03 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102123979B1 (ko) * 2013-12-09 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치
KR102295477B1 (ko) 2014-02-17 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR102166873B1 (ko) * 2014-02-24 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 리패어 방법
WO2015132819A1 (ja) * 2014-03-05 2015-09-11 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
CN104090435B (zh) * 2014-06-24 2016-08-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板的修复方法及显示面板
CN104216129B (zh) * 2014-09-12 2017-08-11 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
US10451941B2 (en) 2014-09-30 2019-10-22 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN104536166B (zh) * 2014-12-18 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 铜互连coa型液晶面板暗点修复方法及铜互连coa型液晶面板结构
KR101639776B1 (ko) 2015-01-16 2016-07-14 참엔지니어링(주) 피처리물을 검사하고 리페어하는 복합 장치
JP6512834B2 (ja) * 2015-01-19 2019-05-15 三菱電機株式会社 表示装置、および表示装置を製造するための表示装置用部材
KR102332520B1 (ko) 2015-03-17 2021-11-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 리페어 방법
CN104730790B (zh) * 2015-03-25 2018-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法
KR102322240B1 (ko) * 2015-04-28 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 표시 기판의 리페어 방법
CN104777637B (zh) 2015-05-08 2018-01-02 上海中航光电子有限公司 阵列基板、触控显示装置及其测试方法
CN104849883A (zh) * 2015-05-20 2015-08-19 武汉华星光电技术有限公司 液晶面板的亮点修补方法、装置及亮点修补后的液晶面板
CN104991385A (zh) * 2015-07-22 2015-10-21 合肥鑫晟光电科技有限公司 Tft阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法
CN105425433B (zh) * 2015-11-10 2018-10-30 深圳市华星光电技术有限公司 具有亮点缺陷的像素的修复方法、阵列基板及液晶面板
CN107665863B (zh) * 2016-07-29 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
KR102693166B1 (ko) * 2016-12-02 2024-08-09 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 패널 및 이를 리페어하기 위한 방법
CN110133925B (zh) * 2018-02-09 2022-02-15 深超光电(深圳)有限公司 显示面板亮点修补方法及其主动矩阵基板和显示面板
CN109324454B (zh) * 2018-09-30 2020-10-16 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
JP2020122865A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置
CN110716358B (zh) * 2019-10-09 2022-09-06 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制造方法、修复方法和显示装置
TWI752508B (zh) * 2020-05-26 2022-01-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200521598A (en) * 2003-12-30 2005-07-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Thin film transistor substrate of a horizontal electric field type and method of darkening defective pixel in the same
TW200734775A (en) * 2006-03-02 2007-09-16 Hannstar Display Corp Liquid crystal display device and defect repairing method for the same
KR20100006460A (ko) * 2008-07-09 2010-01-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 불량셀 리페어방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436181B1 (ko) * 2002-04-16 2004-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100720453B1 (ko) * 2004-06-30 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
KR20060069755A (ko) * 2004-12-18 2006-06-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 수리 방법
JP2008003290A (ja) 2006-06-22 2008-01-10 Sharp Corp 液晶表示装置
TWI349915B (en) * 2006-11-17 2011-10-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and repair method thereof
CN101702061B (zh) * 2009-11-24 2011-11-16 友达光电股份有限公司 修补显示面板像素结构的方法及其显示面板
KR101361925B1 (ko) * 2010-07-07 2014-02-21 엘지디스플레이 주식회사 저저항배선 구조를 갖는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP5134676B2 (ja) * 2010-11-24 2013-01-30 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200521598A (en) * 2003-12-30 2005-07-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Thin film transistor substrate of a horizontal electric field type and method of darkening defective pixel in the same
TW200734775A (en) * 2006-03-02 2007-09-16 Hannstar Display Corp Liquid crystal display device and defect repairing method for the same
KR20100006460A (ko) * 2008-07-09 2010-01-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 불량셀 리페어방법

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