CN104991385A - Tft阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种TFT阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法，属于显示技术领域。所述TFT阵列基板包括：基板；形成在基板之上的栅线、公共电极线和数据线；以及，形成于栅线和数据线交叉形成的像素单元区域中的像素电极；该TFT阵列基板还包括：与像素电极电性连接的焊接金属；焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域，该目标走线是指栅线或者公共电极线。本发明解决了现有技术直接将像素电极与栅线或公共电极线进行焊接容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败概率大的问题；将金属与ITO之间的焊接转化为金属与金属之间的焊接，有效减少ITO崩裂发生，提高了焊接成功率和维修成功率。

Description

TFT阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法。
背景技术
TFT阵列基板在生产过程中，会发生TFT开关损坏的问题，导致产生像素亮点。
采用像素暗点化的方式可以对像素亮点进行维修，提高产品良率。首先，通过切割漏极，断开漏极与像素电极之间的电性连接；然后，通过将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接，使得像素电极与栅线或者公共电极线电性连接，从而达到像素暗点化的目的。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：由于像素电极通常是由ITO(Indium-Tin Oxide，氧化铟锡)材料制成的，ITO材料质脆，在将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败的概率大。
发明内容
为了解决现有技术在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时的成功率低，维修失败的概率大的问题，本发明实施例提供了一种TFT阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种TFT阵列基板，包括：
基板；形成在所述基板之上的栅线、公共电极线和数据线；以及，形成于所述栅线和所述数据线交叉形成的像素单元区域中的像素电极；
其中，所述TFT阵列基板，还包括：与所述像素电极电性连接的焊接金属；
所述焊接金属在所述基板上的投影区域与目标走线在所述基板上的投影区域之间形成有交叠区域，所述目标走线是指所述栅线或者所述公共电极线。
可选地，所述像素电极通过过孔与所述焊接金属电性连接。
可选地，所述过孔为圆孔，且所述圆孔的直径为6～15um；
或者，所述过孔为方孔，且所述方孔的边长为6～15um。
可选地，所述像素电极与所述焊接金属直接搭接。
可选地，所述焊接金属与所述数据线位于同一层中。
可选地，所述目标走线包括：呈条状的走线本体以及与所述走线本体电性连接的焊接部；
所述焊接金属在所述基板上的投影区域与所述焊接部在所述基板上的投影区域之间形成有所述交叠区域。
可选地，所述焊接部的长度为6～18um，宽度为3～5um。
可选地，所述交叠区域全部或部分位于连接投影区域之外；
其中，所述连接投影区域是指所述像素电极与所述焊接金属形成所述电性连接的连接区域在所述基板上的投影区域。
可选地，所述交叠区域全部或部分位于所述像素电极在所述基板上的投影区域之外。
可选地，所述焊接金属的长度为6～18um，宽度为3～5um，厚度为1～3um。
可选地，所述交叠区域的宽度为2～8um，长度为3～18um。
第二方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括如第一方面所述的TFT阵列基板。
第三方面，提供了一种TFT阵列基板的制造方法，所述方法包括：
在基板上形成栅线、公共电极线、数据线、像素电极以及与所述像素电极电性连接的焊接金属；
其中，所述像素电极位于所述栅线和所述数据线交叉形成的像素单元区域中，所述焊接金属在所述基板上的投影区域与目标走线在所述基板上的投影区域之间形成有交叠区域，所述目标走线是指所述栅线或者所述公共电极线。
第四方面，提供了一种如第一方面所述的TFT阵列基板的维修方法，所述方法包括：
对所述数据线中形成的漏极进行切割，断开所述漏极与所述像素电极之间的电性连接；
对所述交叠区域进行焊接，使得所述焊接金属与所述目标走线之间形成电性连接。
可选地，所述对所述交叠区域进行焊接，包括：
对所述交叠区域中位于连接投影区域之外的区域进行焊接；
其中，所述连接投影区域是指所述像素电极与所述焊接金属形成所述电性连接的连接区域在所述基板上的投影区域。
可选地，所述对所述交叠区域进行焊接，包括：
对所述交叠区域中位于所述像素电极在所述基板上的投影区域之外的区域进行焊接。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
通过形成与像素电极电性连接的焊接金属，且该焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。这样，在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，通过对上述交叠区域进行焊接，使得焊接金属与目标走线之间形成电性连接。解决了现有技术直接将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败的概率大的问题。实现了将金属与ITO之间的焊接转化为金属与金属之间的焊接，有效减少ITO崩裂发生，提高了焊接成功率，进而提高了TFT阵列基板的维修成功率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种现有的TFT阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
图3是图2所示的TFT阵列基板沿AA方向的剖面图；
图4是本发明实施例提供的另一TFT阵列基板的结构示意图；
图5是图4所示的TFT阵列基板沿BB方向的剖面图；
图6是本发明实施例提供的再一TFT阵列基板的结构示意图；
图7是图6所示的TFT阵列基板沿CC方向的剖面图；
图8是本发明一个实施例提供的TFT阵列基板的制造方法的流程图；
图9是本发明一个实施例提供的TFT阵列基板的维修方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
在对本发明实施例进行介绍和说明之前，首先对现有的TFT阵列基板及其维修方法做简单介绍。请参考图1，其示出了一种现有的TFT阵列基板的结构示意图。图1仅是TFT阵列基板的一部分，本领域技术人员可以理解TFT阵列基板包括多个图1所示的部分，此处仅以此部分为例进行说明。
如图1所示，该TFT阵列基板包括：基板(图中未示出)；形成在基板之上的栅线11、公共电极线12和数据线13；以及，形成于栅线11和数据线13交叉形成的像素单元区域中的像素电极14。栅线11包括有栅极111，数据线13包括有源极131和漏极132。栅极111、源极131和漏极132构成薄膜晶体管。
包含有TFT阵列基板的显示面板分为常白模式和常黑模式两种不同类型。针对TFT开关损坏的问题，在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，对于常白模式的显示面板，需要将像素电极与栅线进行焊接，而对于常黑模式的显示面板，需要将像素电极与公共电极线进行焊接。如图1所示，以将像素电极与栅线进行焊接为例，可采用激光焊接方式在焊接点位10处进行焊接，栅线11的金属成分会熔化连接到像素电极14上，使得像素电极14与栅线11电性连接。由于像素电极是由ITO材料制成的，ITO材料质脆，在将金属与ITO焊接时容易产生ITO崩裂。
请参考图2，其示出了本发明实施例提供的一种TFT阵列基板的结构示意图。图2仅是TFT阵列基板的一部分，本领域技术人员可以理解TFT阵列基板包括多个图2所示的部分，此处仅以此部分为例进行说明。
如图2所示，该TFT阵列基板包括：基板(图中未示出)；形成在基板之上的栅线11、公共电极线12和数据线13；以及，形成于栅线11和数据线13交叉形成的像素单元区域中的像素电极14。栅线11包括有栅极111，数据线13包括有源极131和漏极132。栅极111、源极131和漏极132构成薄膜晶体管。
该TFT阵列基板可以是底栅结构，也可以是顶栅结构。
对于底栅结构的TFT阵列基板，基板之上形成有多条横向的栅线11。栅线11之上形成有第一绝缘层，该第一绝缘层包括栅绝缘层和有源层。第一绝缘层之上形成有多条纵向的数据线13。数据线13之上形成有第二绝缘层。第二绝缘层之上形成有透明电极层，该透明电极层中形成有像素电极14，像素电极14位于栅线11和数据线13交叉形成的像素单元区域中。另外，公共电极线12可以与栅线11位于同一层中。或者，公共电极线12也可以位于栅线11上层，且位于透明电极层下层。比如，公共电极线12可位于栅线11和数据线13之间，也可与数据线13位于同一层，还可位于数据线13和透明电极层之间。
对于顶栅结构的TFT阵列基板，基板之上形成有透明电极层，该透明电极层中形成有像素电极14。透明电极层之上形成有第二绝缘层。第二绝缘层之上形成有多条纵向的数据线13。数据线13之上形成有第一绝缘层，该第一绝缘层包括栅绝缘层和有源层。第一绝缘层之上形成有多条横向的栅线11。像素电极14位于栅线11和数据线13交叉形成的像素单元区域中。另外，公共电极线12位于数据线13上层。比如，公共电极线12可以位于数据线13和栅线11之间，也可与栅线11位于同一层，还可位于栅线11的上层。
需要说明的一点是，在图2中，仅以底栅结构的TFT阵列基板为例进行举例说明，并不用于限定本发明。
如图2所示，该TFT阵列基板还包括：与像素电极14电性连接的焊接金属15。焊接金属15在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域，该目标走线是指栅线11或者公共电极线12。在图2所示的TFT阵列基板中，以焊接金属15在第一金属层上的投影区域与栅线11之间形成有交叠区域为例。
由于像素电极14与焊接金属15之间已经形成有电性连接，因此在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，对于常白模式的显示面板，仅需保证将焊接金属15与栅线11进行焊接即可，而对于常黑模式的显示面板，仅需保证将焊接金属15与公共电极线12进行焊接即可。如图2所示，以将焊接金属15与栅线11进行焊接为例，可采用激光焊接方式在交叠区域的焊接点位10处进行焊接，焊接金属15和栅线11的金属成分会熔化连接，使得焊接金属15与栅线11电性连接。相比于现有技术将金属与ITO焊接，本实施例提供的TFT阵列基板在进行维修时将金属与金属焊接，可有效减少ITO崩裂发生。
不论是底栅结构的TFT阵列基板还是顶栅结构的TFT阵列基板。焊接金属15可位于像素电极14的上层，也可与像素电极14位于同一层，还可位于像素电极14的下层，本实施例对此不作限定。在一种可能的实施方式中，栅线11和公共电极线12位于同一层中，焊接金属15与数据线13位于同一层中，可有利于减小TFT阵列基板的厚度，同时便于焊接金属15的形成。
另外，焊接金属15不宜过小也不宜过大，焊接金属15过小会影响焊接，而焊接金属15过大又会影响TFT阵列基板的透光性。因此，在一种可能的实施方式中，焊接金属15的长度为6～18um，宽度为3～5um，厚度为1～3um。可选地，焊接金属15的长度为10um。另外，为了保证有足够的焊接位置，焊接金属15在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成的交叠区域的宽度为2～8um，长度为3～18um。
另外，像素电极14与焊接金属15之间形成电性连接的方式存在如下两种可能的情况。
在第一种可能的连接方式中，像素电极14通过过孔16与焊接金属15电性连接。可选地，结合参考图2和图3，图3是图2所示的TFT阵列基板沿AA方向的剖面图。基板17上形成有第一金属层，该第一金属层中形成有栅线11。第一金属层之上形成有第一绝缘层18。第一绝缘层18之上形成有第二金属层，该第二金属层中形成有数据线12和焊接金属15。第二金属层之上形成有第二绝缘层19，在该第二绝缘层19对应焊接金属15的位置处形成有过孔16。第二绝缘层19之上形成有透明电极层，该透明电极层中形成有像素电极14。像素电极14通过过孔16与焊接金属15电性连接。
可选地，过孔16可以是圆孔，也可以是方孔，或者是其它形状。为了确保像素电极14与焊接金属15之间的电性连接的稳定性，同时又不影响到像素电极14的性能，过孔16不宜过小也不宜过大。例如，当过孔16为圆孔时，该圆孔的直径为6～15um，可选地，该圆孔的直径为8um；再例如，当过孔16为方孔时，该方孔的边长为6～15um，可选地，该方孔的边长为8um。
在第二种可能的连接方式中，像素电极14与焊接金属15直接搭接。例如，焊接金属15可直接搭接在像素电极14的边缘上层，也可直接搭接在像素电极14的边缘下层，还可与像素电极14位于同一层且与像素电极14的边缘形成搭接。
另外，由于焊接金属15在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间需要形成交叠区域，以便于在维修时对该交叠区域进行焊接。因此，当目标走线的宽度较小，不便于形成上述交叠区域时，目标走线包括呈条状的走线本体以及与走线本体电性连接的焊接部。焊接金属15在基板上的投影区域与焊接部在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。结合参考图4和图5，图4是本发明实施例提供的另一TFT阵列基板的结构示意图，图5是图4所示的TFT阵列基板沿BB方向的剖面图。以焊接金属15在基板上的投影区域与栅线11在基板上的投影区域之间形成有交叠区域为例，栅线11包括呈条状的栅线本体11a以及与栅线本体11a电性连接的焊接部11b，焊接金属15在基板上的投影区域与焊接部11b在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。
在一种可能的实施方式中，焊接部的大小可以与焊接金属15的大小类似，焊接部的长度为6～18um，宽度为3～5um。
可选地，为了保证在维修时，对交叠区域的焊接不会影响到像素电极14与焊接金属15之间已经形成的电性连接。交叠区域全部或部分位于连接投影区域之外，该连接投影区域是指像素电极14与焊接金属15形成电性连接的连接区域在基板上的投影区域。例如，当像素电极14通过过孔16与焊接金属15电性连接时，交叠区域全部或部分位于过孔16在基板上的投影区域之外。在维修时，将焊接点位10定在交叠区域中位于连接投影区域之外的区域。如图2至图5所示，焊接点位10在过孔16旁边，而不与过孔16交叠，避免在焊接时破坏掉像素电极14与焊接金属15之间已经形成的电性连接。
进一步地，结合参考图6和图7，图6是本发明实施例提供的再一TFT阵列基板的结构示意图，图7是图6所示的TFT阵列基板沿CC方向的剖面图。焊接金属15在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域，该交叠区域全部或部分位于像素电极14在基板上的投影区域之外。如图6和图7所示，以焊接金属15在基板上的投影区域与栅线11在基板上的投影区域之间形成有交叠区域为例，该交叠区域全部位于像素电极14在基板上的投影区域之外。在维修时，将焊接点位10定在交叠区域中位于像素电极14在基板上的投影区域之外的区域。如图6和图7所示，焊接点位10在像素电极14旁边，而不与像素电极14交叠。相比于图2和图4所示的TFT阵列基板，图6所示的TFT阵列基板由于在维修焊接时不会触及到像素电极14，故可完全避免在焊接时发生ITO崩裂。
综上所述，本实施例提供的TFT阵列基板，通过形成与像素电极电性连接的焊接金属，且该焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。这样，在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，通过对上述交叠区域进行焊接，使得焊接金属与目标走线之间形成电性连接。解决了现有技术直接将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败的概率大的问题。实现了将金属与ITO之间的焊接转化为金属与金属之间的焊接，有效减少ITO崩裂发生，提高了焊接成功率，进而提高了TFT阵列基板的维修成功率。
另外，还通过将栅线和公共电极线形成于同一层中，将焊接金属与数据线形成于同一层中，有利于减小TFT阵列基板的厚度，同时便于焊接金属的形成，确保TFT阵列基板的生产效率。
另外，当交叠区域全部或部分位于连接投影区域之外时，在维修时，将焊接点位定在交叠区域中位于连接投影区域之外的区域，避免在焊接时破坏掉像素电极与焊接金属之间已经形成的电性连接，保证维修成功率。
另外，当交叠区域全部或部分位于像素电极在基板上的投影区域之外时，在维修时，将焊接点位定在交叠区域中位于像素电极在基板上的投影区域之外的区域，确保在维修焊接时不会触及到像素电极，从而完全避免在焊接时发生ITO崩裂，进一步减小维修失败风险。
本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述实施例提供的TFT阵列基板。在一种可能的实施方式中，显示面板包括：彩膜基板、TFT阵列基板以及位于彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层。其中，TFT阵列基板可以是上述实施例提供的图2、图4或图6任一所示的TFT阵列基板。
可选地，显示面板可以是常白模式的产品，或者也可以是常黑模式的产品。对于常白模式的显示面板，焊接金属在基板上的投影区域与栅线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。对于常黑模式的显示面板，焊接金属在基板上的投影区域与公共电极线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。
下述为本发明方法实施例，在方法实施例中未进行详细描述的细节具体参见上述TFT阵列基板的实施例。
本发明实施例还提供了一种TFT阵列基板的制造方法，该制造方法可以包括如下步骤：
在基板上形成栅线、公共电极线、数据线、像素电极以及与像素电极电性连接的焊接金属。
其中，像素电极位于栅线和数据线交叉形成的像素单元区域中。焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。该目标走线是指栅线或者公共电极线。
综上所述，本实施例提供的TFT阵列基板的制造方法，通过形成与像素电极电性连接的焊接金属，且该焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。这样，在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，通过对上述交叠区域进行焊接，使得焊接金属与目标走线之间形成电性连接。解决了现有技术直接将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败的概率大的问题。实现了将金属与ITO之间的焊接转化为金属与金属之间的焊接，有效减少ITO崩裂发生，提高了焊接成功率，进而提高了TFT阵列基板的维修成功率。
请参考图8，其示出了本发明一个实施例提供的TFT阵列基板的制造方法的流程图。在本实施例中，以制造底栅结构的TFT阵列基板为例。该制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤801，在基板上形成第一金属层，通过构图工艺处理得到栅线和公共电极线。
具体来讲，可使用磁控溅射方法，在基板上形成第一金属层。该第一金属层通常可采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，也可采用上述多种金属形成的薄膜组合结构。之后，在第一金属层上涂覆光刻胶，用掩膜版通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板上形成多条横向的栅线以及多条公共电极线。栅线包括有栅极。
步骤802，在第一金属层之上形成第一绝缘层。
具体来讲，第一绝缘层包括形成于第一金属层之上的栅绝缘层，以及形成于栅绝缘层之上的有源层。栅绝缘层的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。有源层的材料通常是非晶硅。可采用化学汽相沉积法在第一金属层上连续沉积形成栅绝缘层和有源层。
步骤803，在第一绝缘层之上形成第二金属层，通过构图工艺处理得到数据线和焊接金属。
在本实施例中，焊接金属形成于第二金属层中。也即，焊接金属与数据线位于同一层中。另外，焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域，该目标走线是指栅线或者公共电极线。制造数据线和焊接金属的方法与步骤801中制造栅线和公共电极线的方法相类似，此处不再赘述。数据线包括有源极和漏极。
可选地，焊接金属的长度为6～18um，宽度为3～5um，厚度为1～3um。
步骤804，在第二金属层之上形成第二绝缘层。
具体来讲，可采用化学汽相沉积法在第二金属层上沉积形成第二绝缘层，该第二绝缘层的材料通常是氮化硅或二氧化硅。
步骤805，在第二绝缘层对应焊接金属的位置处形成过孔。
可选地，过孔可以是圆孔，也可以是方孔，或者是其它形状。可选地，当过孔为圆孔时，该圆孔的直径为6～15um；当过孔为方孔时，该方孔的边长为6～15um。
另外，在第二绝缘层对应漏极的位置处还形成有第二过孔。
步骤806，在第二绝缘层之上形成透明电极层，通过构图工艺处理得到与焊接金属通过过孔电性连接的像素电极。
具体来讲，可采用化学汽相沉积法在第二绝缘层上沉积形成透明电极层，使用掩膜版，通过构图工艺处理，最终形成位于栅线和数据线交叉形成的像素单元区域中的像素电极。像素电极通常采用ITO材料制成。当然，本发明实施例对其它材料并不限定，如IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)。
像素电极通过过孔与焊接金属电性连接。另外，像素电极还通过第二过孔与漏极电性连接。
需要说明的一点是，在本实施例中，仅以栅线和公共电极线位于同一层中，且焊接金属与数据线位于同一层中进行举例说明，这样有利于减小TFT阵列基板的厚度，同时便于焊接金属的形成，确保TFT阵列基板的生产效率。在其它可能的实施例中，公共电极线也可以位于栅线上层，且位于透明电极层下层。比如，公共电极线可位于栅线和数据线之间，也可与数据线位于同一层，还可位于数据线和透明电极层之间。焊接金属可位于像素电极的上层，也可与像素电极位于同一层，还可位于像素电极的下层。另外，在本实施例中，仅以像素电极通过过孔与焊接金属电性连接进行举例说明，在其它可能的实施例中，像素电极与焊接金属也可直接搭接。
还需要说明的一点是，在本实施例中，仅对各个不同层的制造顺序进行介绍和说明。对于在制造过程中所形成的焊接金属的位置，焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成的交叠区域的位置，以及像素电极与焊接金属形成电性连接的连接区域的位置等，参见上述TFT阵列基板的实施例中的介绍和说明。
还需要说明的一点是，在本实施例中，仅以底栅结构的TFT阵列基板的制造方法为例进行举例说明，顶栅结构的TFT阵列基板的制造可采用类似相反的工艺流程，此部分内容是本领域技术人员在本实施例公开的内容的基础上易于思及的内容，本发明对此不做介绍和说明。
请参考图9，其示出了本发明一个实施例提供的TFT阵列基板的维修方法的流程图。该维修方法可用于维修如上述实施例提供的图2、图4或图6任一所示的TFT阵列基板。该维修方法可以包括如下几个步骤：
步骤901，对数据线中形成的漏极进行切割，断开漏极与像素电极之间的电性连接。
步骤902，对交叠区域进行焊接，使得焊接金属与目标走线之间形成电性连接。
针对TFT开关损坏的问题，采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修，以提高产品良率。首先，可采用激光切割技术对漏极进行切割，断开漏极与像素电极之间的电性连接。然后，由于本发明实施例提供的TFT阵列基板在制造时已使得像素电极与焊接金属之间形成有电性连接，因此仅需采用激光焊接技术对交叠区域中的焊接点位进行焊接，使得焊接金属与目标走线之间形成电性连接即可。
可选地，结合参考图2和图4所示的TFT阵列基板，当交叠区域全部或部分位于连接投影区域之外时，对交叠区域中位于连接投影区域之外的区域进行焊接，也即将焊接点位定在交叠区域中位于连接投影区域之外的区域。其中，连接投影区域是指像素电极与焊接金属形成电性连接的连接区域在基板上形成的投影区域。这样，可以避免在焊接时破坏掉像素电极与焊接金属之间已经形成的电性连接，保证维修成功率。
可选地，结合参考图6所示的TFT阵列基板，当交叠区域全部或部分位于像素电极在基板上的投影区域之外时，对交叠区域中位于像素电极在基板上的投影区域之外的区域进行焊接，也即将焊接点位定在交叠区域中位于像素电极在基板上的投影区域之外的区域。这样，可以确保在维修焊接时不会触及到像素电极，从而完全避免在焊接时发生ITO崩裂，进一步减小维修失败风险。
综上所述，本实施例提供的TFT阵列基板的维修方法，通过对焊接金属与目标走线之间形成的交叠区域进行焊接，使得焊接金属与目标走线之间形成电性连接。解决了现有技术直接将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败的概率大的问题。实现了将金属与ITO之间的焊接转化为金属与金属之间的焊接，有效减少ITO崩裂发生，提高了焊接成功率，进而提高了TFT阵列基板的维修成功率。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种TFT阵列基板，包括：
基板；形成在所述基板之上的栅线、公共电极线和数据线；以及，形成于所述栅线和所述数据线交叉形成的像素单元区域中的像素电极；
其特征在于，
所述TFT阵列基板，还包括：与所述像素电极电性连接的焊接金属；
所述焊接金属在所述基板上的投影区域与目标走线在所述基板上的投影区域之间形成有交叠区域，所述目标走线是指所述栅线或者所述公共电极线。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极通过过孔与所述焊接金属电性连接。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，
所述过孔为圆孔，且所述圆孔的直径为6～15um；
或者，
所述过孔为方孔，且所述方孔的边长为6～15um。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述焊接金属直接搭接。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述焊接金属与所述数据线位于同一层中。
6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述目标走线包括：呈条状的走线本体以及与所述走线本体电性连接的焊接部；
所述焊接金属在所述基板上的投影区域与所述焊接部在所述基板上的投影区域之间形成有所述交叠区域。
7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述焊接部的长度为6～18um，宽度为3～5um。
8.根据权利要求1至7任一所述的TFT阵列基板，其特征在于，
所述交叠区域全部或部分位于连接投影区域之外；
其中，所述连接投影区域是指所述像素电极与所述焊接金属形成所述电性连接的连接区域在所述基板上的投影区域。
9.根据权利要求1至7任一所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述交叠区域全部或部分位于所述像素电极在所述基板上的投影区域之外。
10.根据权利要求1至7任一所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述焊接金属的长度为6～18um，宽度为3～5um，厚度为1～3um。
11.根据权利要求1至7任一所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述交叠区域的宽度为2～8um，长度为3～18um。
12.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至11任一所述的TFT阵列基板。
13.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上形成栅线、公共电极线、数据线、像素电极以及与所述像素电极电性连接的焊接金属；
其中，所述像素电极位于所述栅线和所述数据线交叉形成的像素单元区域中，所述焊接金属在所述基板上的投影区域与目标走线在所述基板上的投影区域之间形成有交叠区域，所述目标走线是指所述栅线或者所述公共电极线。
14.一种如权利要求1至11任一项所述的TFT阵列基板的维修方法，其特征在于，所述方法包括：
对所述数据线中形成的漏极进行切割，断开所述漏极与所述像素电极之间的电性连接；
对所述交叠区域进行焊接，使得所述焊接金属与所述目标走线之间形成电性连接。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述对所述交叠区域进行焊接，包括：
对所述交叠区域中位于连接投影区域之外的区域进行焊接；
其中，所述连接投影区域是指所述像素电极与所述焊接金属形成所述电性连接的连接区域在所述基板上的投影区域。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述对所述交叠区域进行焊接，包括：
对所述交叠区域中位于所述像素电极在所述基板上的投影区域之外的区域进行焊接。
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