TWI492689B - 多層配線基板之製造方法 - Google Patents

Description

多層配線基板之製造方法

本發明有關於多層配線基板之製造方法。

一般的情況下，作為搭載電子部品之封裝體是使用在核心基板之兩側將樹脂絶緣層與導體層交互積層而形成增建層之多層配線基板(特許文獻1)。於多層配線基板中，核心基板係由包含例如玻璃纖維之樹脂構成，有因高剛性補強增建層之作用。然而，核心基板之厚度係形成為厚的，故成為多層配線基板之小型化的阻礙。因此，近年來係將核心基板薄化而將多層配線基板作成小型化。

另一方面，若將核心基板薄化，則有以下問題：包含核心基板之製造過程中之組件(成為多層配線基板之製造途中的基板)的強度會降低，無法水平進行核心基板或組件的搬送，搬送時核心基板或組件接觸搬送機器，核心基板或組件會損傷。此外，有以下問題：於各製造步驟中將核心基板或組件固定而在供至既定的製造步驟時，核心基板或組件會撓曲，變成難以正確進行例如鍍敷處理等之處理。結果，於包含核心基板之多層配線基板中，若將核心基板之厚度縮小，則會有其製造良率降低之問題。

根據如此之觀點，已經提出一種具有不設置核心基板而適合小型化且高頻信號之傳輸性能可提升之構造之所謂的無核心多層配線基板(特許文獻2、特許文獻3)。 如此之無核心多層配線基板係例如在將積層可剝離之兩個金屬膜而形成之剝離片設置於表面的支承基板形成增建層之後，藉由在上述剝離片之剝離界面分離而將增建層從支承體分離而獲得目的之多層配線基板者。

然而，如上述之無核心多層配線基板因為在內部不具有核心層，故有以下問題：強度弱，安裝需要注意，同時用途受限。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1特開平11-233937號

專利文獻2特開2009-289848號

專利文獻3特開2007-214427號

本發明之目的為對於具有在核心基板之兩側交互積層至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的積層構造體之多層配線基板，提供不會使其製造良率降低、核心基板薄化、可小型化之製造方法。

為了達成上述目的，本發明係有關於一種多層配線基板之製造方法，特徵在於具備：第一積層構造體形成步驟，於支承基板上，形成包含至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的第一積層構造體；核心基板形成步驟，於前述第一積層構造體上，將在上主面配設有金屬層之核心基板，作成該核心基板之下主面接觸而積 層；以及第二積層構造體形成步驟，於前述核心基板上，形成包含至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的第二積層構造體。

根據本發明，在將積層了至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的積層構造體形成於支承基板上之所謂的無核心多層配線基板之製造方法中，作成與上述之積層構造體同時亦積層核心基板，進一步於核心基板上積層同樣的構成之追加的積層構造體。在無核心多層配線基板之製造方法中，因為作成如上述般而將積層構造體形成於支承基板上之後係將該支承基板除去，故最終係成為以由至少一個之導體層及至少一個之樹脂絶緣層所構成之積層構造體夾住核心基板之構成，亦即成為具有核心基板之多層配線基板殘存。

本發明中因為是在具有厚度200μm以下之核心基板的多層配線基板之製造時，如上述般利用無核心多層配線基板之製造方法，故在其製造過程中，積層構造體或核心基板係形成於支承基板上。因此，即使是在將核心基板之厚度縮小之情況下，藉由將支承基板之厚度充分增大，製造過程之組件的強度不會降低。

因此，可水平進行製造過程之組件的搬送，可迴避搬送時組件接觸搬送機器，核心基板或組件損傷之問題。此外，可迴避以下問題：在各製造步驟中將組件固定，並供至既定的製造步驟時，組件撓曲，難以正確進行例如鍍敷處理等之處理。為此，能以高良率獲得具有薄的核心基板之多層配線基板，具有該核心基板之多層配線基板的小型化成為可能。

上述之本發明之方法不限定為：核心基板薄，在一般製造方法中含有核心基板之多層配線基板，核心基板或製造過程中之組件撓曲，製造良率降低之構造的含有核心基板之多層配線基板之製造，亦可適用於以下情況：核心基板厚，一般製造方法亦能以高良率製造含有核心基板之多層配線基板。

本發明之一例中，核心基板形成步驟可包含以下步驟：於前述第一積層構造體上積層前述核心基板之後，對於核心基板形成通孔，將該通孔藉由鍍敷而埋設。此情況下，因為埋設於通孔之鍍敷金屬作用為將形成於核心基板之兩側的積層構造體電連接之層間接続體(導孔)，故可縮短將積層構造體電連接用之配線長度，故可防止高頻信號之傳輸性能之劣化等。

另外，以往之具有核心基板之多層配線基板之製造方法中，為了將形成於核心基板之兩側的積層構造體電連接，需要於核心基板設置通孔導體。為此，將積層構造體電連接之配線長度必然增長，恐招致高頻信號之傳輸性能之劣化。

再者，本發明之一例中，核心基板形成步驟可包含以下步驟：於前述第一積層構造體上積層前述核心基板之後，對於核心基板形成通孔，於該通孔之內壁形成鍍敷層之後，使用樹脂絶緣材而形成前述樹脂絶緣層，同時將通孔以絶緣體埋設。此情況下，可省略以往之含有核心基板之多層配線基板中之對於核心基板之通孔鍍敷、藉由樹脂充填之通孔的埋設及充填樹脂之研磨步驟 等之煩雜的步驟。亦即，可將含有核心基板之多層配線基板之製造步驟簡略化。

此外，本發明之一例中，核心基板形成步驟可包含於形成核心基板之通孔的地方將形成於核心基板之上主面的金屬層局部除去之步驟。此情況下，因為應形成通孔之地方自始不存在金屬層，在將例如通孔藉由雷射光之照射而形成之情況，可減低該照射能量，可減低含有核心基板之多層配線基板之製造成本。

此外，本發明之一例中，核心基板形成步驟可包含以下步驟：對於第一積層構造體，以該第一積層構造體中之樹脂絶緣層之玻璃轉移點以上的溫度，將核心基板壓接而積層之步驟。此情況下，於第一積層構造體上形成核心基板時，可改善第一積層構造體之彎曲，可改善含有核心基板之多層配線基板內之至少核心基板下之彎曲。因此，可改善含有核心基板之多層配線基板全體之彎曲。

如以上所說明，根據本發明，可對於具有在核心基板之兩側交互積層至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的積層構造體之多層配線基板，提供不會使其製造良率降低、核心基板薄化、及可小型化之製造方法。

以下，一邊參照圖面一邊就本發明之實施形態作說明。

(第一實施形態)

(多層配線基板)

首先，就使用本發明之方法所製造之多層配線基板之一例作說明。圖1及圖2係本實施形態中之多層配線基板的平面圖，圖1係圖示從上側觀看多層配線基板之情況下的狀態，圖2係圖示從下側觀看多層配線基板之情況下的狀態。此外，圖3係將圖1及2所示之多層配線基板沿著I-I線切下之情況下的剖面之一部分放大而圖示之圖。

其中，以下所示之多層配線基板係為了使本發明之特徴明確所用的例示，只要有核心基板被包含經交互積層而作成之至少一層之導體層及至少一層之樹脂絶緣層的第一積層構造體及第二積層構造體所夾持之構成，則並非特別限定者。

圖1~3所示之多層配線基板10係交互積層了第一導體層11~第七導體層17及第一樹脂絶緣層21~第六樹脂絶緣層26。

具體而言係於第一導體層11上積層第一樹脂絶緣層21，於第一樹脂絶緣層21上係積層第二導體層12，於第二導體層12上係積層第二樹脂絶緣層22，於第二樹脂絶緣層22上係積層第三導體層13。此外，於第三導體層13上係積層第三樹脂絶緣層23，於第三樹脂絶緣層23上係積層第四導體層14，於第四導體層14上係積層第四樹脂絶緣層24，於第四樹脂導體層24上係積層第五導體層15。再者，於第五導體層15上係積層第 五樹脂絶緣層25，於第五樹脂絶緣層25上係積層第六導體層16，於第六導體層16上係積層第六樹脂絶緣層26，於第六樹脂絶緣層26上係積層第七導體層17。

另外，第一導體層11~第七導體層17係由銅等之電性良導體所構成，第一樹脂絶緣層21、第二樹脂絶緣層22及第四樹脂絶緣層24~第六樹脂絶緣層26係由依需要包含矽膠填充物等之熱固化性樹脂組成物所構成，第三樹脂絶緣層23係構成以耐熱性樹脂板(例如BT樹脂板)或纖維強化樹脂板(例如玻璃纖維強化環氧樹脂)等所構成之板狀的核心基板。

此外，於第一導體層11上係作成該第一導體層11局部露出而形成第一抗蝕層41，於第七導體層17上係作成該第七導體層17局部露出而形成第二抗蝕層42。

從第一導體層11之第一抗蝕層41露出之部分係作用為將多層配線基板10連接於主機板用之背面焊盤(LGA墊)，於多層配線基板10之背面排列為矩形狀。從第七導體層17之第二抗蝕層42露出之部分係作用為對於多層配線基板10將不圖示之半導體元件等覆晶連接用之墊(FC墊)，構成半導體元件搭載區域，於多層配線基板10之表面的略中心部配置為矩形狀。

於第一樹脂絶緣層21係形成有第一導孔導體31，藉由該第一導孔導體31而將第一導體層11及第二導體層12電連接，於第二樹脂絶緣層22係形成有第二導孔導體32，藉由該第二導孔導體32而將第二導體層12及第三導體層13電連接。同樣地，於第三樹脂絶緣層23 係形成有第三導孔導體33，藉由該第三導孔導體33而將第三導體層13及第四導體層14電連接，於第四樹脂絶緣層24係形成有第四導孔導體34，藉由該第四導孔導體34而將第四導體層14及第五導體層15電連接。此外，於第五樹脂絶緣層25係形成有第五導孔導體35，藉由該第五導孔導體35而將第五導體層15及第六導體層16電連接，於第六樹脂絶緣層26係形成有第六導孔導體36，藉由該第六導孔導體36而將第六導體層16及第七導體層17電連接。

於本實施形態中，第一導體層11~第三導體層13、第一樹脂絶緣層21及第二樹脂絶緣層22、以及第一導孔導體31及第二導孔導體32係構成第一積層構造體20A，第四導體層14~第七導體層17、第四樹脂絶緣層24~第六樹脂絶緣層26、以及第四導孔導體34~第六導孔導體36係構成第二積層構造體20B。

另外，雖未特別附加符號，但第一導體層11~第七導體層17之與第一導孔導體31~第六導孔導體36連接之部分係構成導孔焊盤(導孔墊)，第一導體層11~第七導體層17之與第一導孔導體31~第六導孔導體36未連接之部分係構成配線層。

另外，多層配線基板10之大小可形成為例如200mm×200mm×0.4mm之大小。

(多層配線基板之製造方法)

其次，就圖1~圖3所示之多層配線基板10之製造方法作說明。圖4~圖16係本實施形態中之多層配線基 板10之製造方法之處理流程圖。另外，圖4~圖16所示之處理流程圖係對應於圖3所示之多層配線基板10的剖面圖者。

此外，本發明之製造方法實際上是在支承基板之兩側形成多層配線基板10，但在本實施形態為了使本發明之製造方法之特徴明確，就僅在支承基板之其中一側形成多層配線基板10之情況作說明。

首先，如圖4所示，準備在兩面貼附銅箔51之支承基板S。支承基板S可由例如耐熱性樹脂板(例如BT樹脂板)或纖維強化樹脂板(例如玻璃纖維強化環氧樹脂板)等所構成。此外，如下詳述，為了抑制製造過程存在之組件的撓曲，支承基板S之厚度可作成例如0.4mm~1.0mm。其次，在形成於支承基板S之兩側的銅箔51上，隔著作為接著層之預浸漬物層52而藉由例如真空熱壓以壓接形成剝離片53。

剝離片53係由例如第一金屬膜53a及第二金屬膜53b所構成，於此等膜間施行鍍Cr等而構成為可因外部張力而互相剝離。另外，第一金屬膜53a及第二金屬膜53b可由銅箔構成。

其次，如圖5所示，於形成在支承基板S之兩側的剝離片53上分別積層感光性之乾膜，藉由作曝光及顯影而形成遮罩圖型54。於遮罩圖型54係形成有相當於調正標示形成部Pa及外周部劃定部Po之開口部。

其次，如圖6所示，於支承基板S上，隔著遮罩圖型54而對於剝離片53進行蝕刻處理，於剝離片53之相 當於上述開口部之位置，形成調正標示形成部Pa及外周部劃定部Po。另外，在形成調正標示形成部Pa及外周部劃定部Po之後，蝕刻除去遮罩圖型54。

此外，較佳為對於在除去遮罩圖型54之後露出之剝離片53的表面施行蝕刻處理，將其表面粗糙化。藉此，可提高剝離片53與後述之樹脂絶緣層之密著性。

其次，如圖7所示，於剝離片53上積層樹脂薄膜，藉由在真空下加壓加熱予以硬化而形成第一樹脂絶緣層21。藉此，剝離片53的表面由第一樹脂絶緣層21所披覆，同時構成調正標示形成部Pa之開口部及構成外周部劃定部Po之凹口係成為填充有第一樹脂絶緣層21之狀態。藉此，於調正標示形成部Pa之部分形成調正標示之構造。

此外，因為成為外周部劃定部Po亦由第一樹脂絶緣層21所披覆，故於隔著以下所示之剝離片53之剝離步驟中，剝離片53之端面從例如從預浸漬物52剝離而翹起，無法良好地進行剝離步驟，可排除無法製造作為目的之多層配線基板10的缺點。

其次，對於第一樹脂絶緣層21，從例如CO₂ 氣體雷射或YAG雷射照射既定強度之雷射光而形成導通孔，在對於該導通孔酌情施行除膠渣處理及outline蝕刻之後，對於包含導通孔之第一樹脂絶緣層21實施粗糙化處理。

第一樹脂絶緣層21包含填料之情況，因為實施粗糙化處理時填料會游離而殘存於第一樹脂絶緣層21上，故酌情進行水洗。

此外，於上述水洗浄之後，可進行吹氣。藉此，即使游離之填料未藉由上述之水洗浄而完全除去之情況下，亦可於吹氣中完成填料之除去。

然後，對於第一樹脂絶緣層21進行圖型鍍敷，形成第二導體層12及第一導孔導體31。第二導體層12及導孔導體31係藉由部分加成法作成如下而形成。首先，在第一樹脂絶緣層21上形成無電解鍍敷膜之後，於此無電解鍍敷膜上形成抗蝕層，於此抗蝕層之非形成部分進行電解銅鍍敷而形成。於形成第二導體層12及第一導孔導體31之後，以KOH等剝離除去抗蝕層，藉由蝕刻將因除去抗蝕層而露出之無電解鍍敷膜除去。

其次，於第二導體層12施行粗糙化處理之後，作成披覆第二導體層12，於第一樹脂絶緣層21上積層樹脂薄膜，藉由於真空下加壓加熱予以硬化而形成第二樹脂絶緣層22。然後，作成與第一樹脂絶緣層21之情況相同，於第二樹脂絶緣層22形成導通孔，然後藉由進行圖型鍍敷，形成第三導體層13及第二導孔導體32。另外，形成第三導體層13及第二導孔導體32時之詳細條件係與形成第二導體層12及第一導孔導體31之情況同樣。

以上，藉由經歷圖4~圖7所示之步驟，構成包含(之後成為第一導體層11之)第一金屬膜54a、第二導體層12及第三導體層13、第一樹脂絶緣層21及第二樹脂絶緣層22、以及第一導孔導體31及第二導孔導體32之第一積層構造體20A。

其次，如圖8所示，於第二樹脂絶緣層22上，作成披覆第三導體層13，將於上主面配設有金屬層55之預浸漬物23X作成該預浸漬物23X之下主面接觸第二樹脂絶緣層22而積層，藉由進行真空熱壓予以壓接於第二樹脂絶緣層22，同時予以硬化。預浸漬物23X因為包含玻璃纖維等之強化纖維，故將預浸漬物23X予以加熱固化所得之第三樹脂絶緣層23係構成核心基板。

另外，藉由在構成第一積層構造體20A之第一樹脂絶緣層21及第二樹脂絶緣層22之玻璃轉移點以上的溫度下進行上述真空熱壓，在將以金屬層55與第三樹脂絶緣層23所構成之核心基板形成於第一積層構造體20A上時，可改善第一積層構造體20A之彎曲，可改善最終所得之多層配線基板10內之至少第三樹脂絶緣層(核心基板)23下之彎曲。因此，可改善多層配線基板10全體之彎曲。

構成核心基板之第三樹脂絶緣層23之厚度可作成例如0.05mm~0.2mm，金屬層55之厚度可作成0.001mm~0.035mm。此外，金屬層55可由與第一導體層11~第七導體層17相同之金屬材料例如銅等之電性良導體所構成。

其次，如圖9所示，將金屬層55局部蝕刻除去而形成開口部55H之後，如圖10所示，透過開口部55H而將雷射光照射於第三樹脂絶緣層23，作成第三導體層13露出而形成通孔23H。此情況下，在圖9所示之步驟，於金屬層55，因為在第三樹脂絶緣層(核心基板)23之應 形成通孔23H的地方預先形成開口部55H，故上述雷射光不會隔著金屬層55，會直接照射於第三樹脂絶緣層23。

因此，使用雷射光而於構成核心基板之第三樹脂絶緣層23形成通孔23H時，因為可省略藉由雷射光於金屬層55形成開口部之步驟，故可減低形成通孔23H時所需之雷射光的照射能量，可減低多層配線基板10之製造成本。

其中，圖9所示之步驟亦可省略。然而，此情況下因為必須與藉由雷射光於第三樹脂絶緣層23形成通孔23H同時於金屬層55形成開口部55H，故形成通孔23H所需之雷射光之照射能量增大。為此，多層配線基板10之製造成本會增大。

其次，對於通孔23H，酌情施行除膠渣處理及outline蝕刻，然後藉由施行無電解鍍敷，於通孔23H之內壁面上形成不圖示之鍍敷基底層之後，如圖11所示，進行所謂之填充導孔鍍敷處理，藉由鍍敷而埋設通孔23H。此情況下，鍍敷金屬作用為將形成在第三樹脂絶緣層23之下面側的第一積層構造體20A與形成在第三樹脂絶緣層23之上面側的第二積層構造體20B電連接之第三導體導孔33，故將此等積層構造體電連接用之配線長縮短，可防止高頻信號之傳輸性能之劣化等。

另外，具有以往之核心基板的多層配線基板之製造方法中，為了將形成在核心基板之兩面之積層構造體電連接，需要於核心基板設置通孔導體。為此，將積層構 造體電連接之配線長度必然增長，恐導致高頻信號之傳輸性能之劣化。

另外，因為藉由進行上述之填充導孔鍍敷處理而於金屬層55上亦形成有鍍敷層56，故以符號57表示於金屬層55上積層了鍍敷層56之金屬積層體。如上所述，金屬層55因為可由銅構成，鍍敷層56亦可由銅構成，故鍍敷層56發揮與金屬層55相同之功能，金屬積層體57可做成單一之金屬層。

其次，如圖12所示，於金屬積層體(金屬層)57上形成阻抗圖型58，其次如圖13所示，隔著阻抗圖型58而蝕刻金屬積層體(金屬層)57，然後藉由除去阻抗圖型58而於第三樹脂絶緣層23上形成第四導體層14。

使用銅箔作為金屬層55的情況下，圖3所示之多層配線基板10是由金屬積層體57，亦即金屬層55及鍍敷層56兩層所構成。

其次，在對於第四導體層14施行粗糙化處理之後，如圖14所示，作成披覆第四導體層14，於第三樹脂絶緣層23上積層樹脂薄膜，藉由於真空下加壓加熱予以硬化而形成第四樹脂絶緣層24。然後，做成與第一樹脂絶緣層21之情況相同，於第四樹脂絶緣層24形成導通孔，然後藉由進行圖型鍍敷，形成第五導體層15及第四導孔導體34。另外，形成第五導體層15及第四導孔導體34時之詳細條件係與形成第二導體層12及第一導孔導體31之情況同樣。

此外，如圖14所示，作成與第四樹脂絶緣層24同樣而依序形成第五樹脂絶緣層25及第六樹脂絶緣層26，再者作成與第五導體層15及第四導孔導體34同樣而於第五樹脂絶緣層25及第六樹脂絶緣層26分別形成第六導體層16及第五導孔導體35、以及第七導體層17及第六導孔導體36。然後，作成第七導體層17局部露出而形成第二抗蝕層42。

第四導體層14~第七導體層17、第四樹脂絶緣層24~第六樹脂絶緣層26、以及第四導孔導體34~第五導孔導體35係構成第二積層構造體20B。

其次，如圖15所示，將包含經由上述步驟所得之第一積層構造體20A、第三樹脂絶緣層23及第二積層構造體20B之積層體沿著設定於比外周部劃定部Po稍內側之剖面線剖斷，除去不要之外周部。

其次，如圖16所示，在經由圖15所示之步驟所得之多層配線積層體之構成剝離片53之第一金屬膜53a及第二金屬膜53b的剝離界面剝離，從上述多層配線積層體除去支承基板S。

其次，對於在圖16所獲得之多層配線積層體之殘存於下方的剝離片53之第一金屬膜53a施行蝕刻，形成第一導體層11。然後，藉由作成第一導體層11局部露出而形成第一抗蝕層41，獲得如圖3所示之多層配線基板10。

又，根據本實施型態之製造方法，圖3所示之多層配線基板10是有其所有導孔導體(第一導孔導體31~第 六導孔導體36)朝向上方，亦即朝向同一方向擴徑之特徵。

本實施形態中形成將至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層積層於支承基板上之積層構造體之所謂的無核心多層配線基板之製造方法中，作成與上述之積層構造體同時亦積層核心基板，更於核心基板上積層同樣的構成之追加的積層構造體。無核心多層配線基板之製造方法中，作成如上述般而將積層構造體形成於支承基板上之後因為除去該支承基板，故最終成為以由至少一個之導體層及至少一個之樹脂絶緣層所構成積層構造體夾住核心基板之構成，亦即成為殘存具有核心基板之多層配線基板。

本實施形態中因為在具有核心基板(第三樹脂絶緣層23及金屬層55)之多層配線基板10之製造時利用無核心多層配線基板之製造方法，故在其製造過程中第一積層構造體20A及第二積層構造體20B或核心基板係形成於支承基板S上。因此，即使在將核心基板23之厚度作成小的情況下，藉由將支承基板S之厚度作成充分大，不會有製造過程之組件之強度降低的情況。

因此，製造過程之組件的搬送可水平進行，可迴避搬送時組件接觸搬送機器而損傷核心基板或組件之問題。此外，可迴避以下問題：各製造步驟中將組件而供至既定之製造步驟時，組件撓曲，變成難以正確進行例如鍍敷處理等之處理。為此，能夠以高良率獲得具有薄的核心基板之多層配線基板10，具有該核心基板之多層配線基板10的小型化成為可能。

本實施形態之方法不限定為以下含有核心基板之多層配線基板之製造：核心基板薄，一般之製造方法下，核心基板或製造過程中之組件撓曲，製造良率降低之構造的含有核心基板之多層配線基板，亦可適用於以下情況：核心基板厚，一般之製造方法亦能以高良率製造含有核心基板之多層配線基板。

另外，本實施形態中在形成第四導體層14時雖使用所謂減去法而形成，但亦可代替如此之減去法，使用部分加成法而形成。

(第二實施形態)

(多層配線基板)

圖17係將本實施形態中之多層配線基板之剖面的一部分放大而圖示之圖，相當於第一實施形態之圖3。另外，於本實施形態中之圖面中，就與第一實施形態中之多層配線基板10的構成要素類似或相同的構成要素係使用相同的符號。

圖17所示之多層配線基板10’係在形成於構成核心基板之第三樹脂絶緣層23的通孔23H之壁面，作成與形成在第三樹脂絶緣層23上之第四導體層14連接而形成鍍敷層23M，通孔23H藉由樹脂絶緣層23I所埋設之點與第一實施形態所示之多層配線基板10不同，其他係採用同樣的構成。另外，如此之構成上時係以下說明之製造方法所導致者。

(多層配線基板之製造方法)

圖18~圖21係本實施形態中之多層配線基板10’之製造方法中之處理流程圖。另外，圖18~圖21所示之處理流程圖係對應於圖17所示之多層配線基板10’之剖面圖者。

此外，本發明之製造方法實際上是在支承基板之兩側形成多層配線基板10’，但在本實施形態為了使本發明之製造方法之特徴明確，就僅在支承基板之其中一側形成多層配線基板10’之情況作說明。

首先，依第一實施形態中之圖4~圖7所示之步驟，形成包含(之後成為第一導體層11之)第一金屬膜54a、第二導體層12及第三導體層13、第一樹脂絶緣層21及第二樹脂絶緣層22、以及第一導孔導體31及第二導孔導體32之第一積層構造體20A。

其次，如圖8所示，作成於第二樹脂絶緣層22上披覆第三導體層13而將於上主面配設有金屬層55之預浸漬物(pre preg)23X作成該預浸漬物23X之下主面接觸第二樹脂絶緣層22而積層，藉由進行真空熱壓予以壓接於第二樹脂絶緣層22而於以硬化。預浸漬物23X因為包含玻璃纖維等之強化纖維，將預浸漬物23X予以加熱固化所得之第三樹脂絶緣層23係構成核心基板。

另外，藉由在構成第一積層構造體20A之第一樹脂絶緣層21及第二樹脂絶緣層22之玻璃轉移點以上的溫度下進行上述真空熱壓，在將第三樹脂絶緣層23形成於第一積層構造體20A上時，可改善第一積層構造體20A 之彎曲，可改善最終所得之多層配線基板10內之至少第三樹脂絶緣層23下之彎曲。因此，可改善多層配線基板10全體之彎曲。

其次，如圖9所示，將金屬層55局部蝕刻除去而形成開口部55H之後，如圖10所示，透過開口部55H而將雷射光照射於第三樹脂絶緣層23，作成第三導體層13露出而形成通孔23H。此情況下，在圖9所示之步驟，於金屬層55，因為在第三樹脂絶緣層23之應形成通孔23H的地方預先形成開口部55H，故上述雷射光不會隔著金屬層55，會直接照射於第三樹脂絶緣層23。

因此，使用雷射光而於構成核心基板之第三樹脂絶緣層23形成通孔23H時，因為可省略藉由雷射光於金屬層55形成開口部之步驟，故可減低形成通孔23H時所需之雷射光的照射能量，可減低多層配線基板10’之製造成本。

其次，如圖18所示，對於通孔23H，酌情施行除膠渣處理及outline蝕刻，然後藉由施行所謂之通孔鍍敷處理，於通孔23H之內壁面上作成與金屬層55連接而形成鍍敷層23M。

另外，藉由進行上述之通孔鍍敷處理，於金屬層55上亦形成了鍍敷層23M。如上述般，金屬層55可由銅構成，鍍敷層23M因為亦可由銅構成，鍍敷層23M可發揮與金屬層55相同之功能機能，可作成單一金屬層。

其次，如圖19所示，於金屬層55上，作成塞住通孔23H而形成阻抗圖型58，其次如圖20所示，隔著阻 抗圖型58而蝕刻金屬層55，然後藉由除去阻抗圖型58而於第三樹脂絶緣層23上形成第四導體層14。

其次，對於第四導體層14施行粗糙化處理之後，如圖21所示，作成披覆第四導體層14而於第三樹脂絶緣層23上，將樹脂薄膜(樹脂絶緣材)作成埋設通孔23H而積層，藉由於真空下加壓加熱予以硬化而形成第四樹脂絶緣層24，同時形成埋設通孔23H之樹脂絶緣體23I。

然後，進行與第一實施形態之圖14~圖16所示之步驟同樣的處理，獲得如圖17所示之多層配線基板10’。

又，根據本實施型態之製造方法，圖17所示之多層配線基板10’是有形成於核心機板23之所有導孔導體(第一導孔導體~第六導孔導體)與通孔23H之內壁面上的鍍敷層23M朝向上方，亦即朝向同一方向擴徑之特徵。又，作為金屬層55而使用銅箔的情況下，第四導體層14係由金屬層55與鍍敷層23M所構成。

於本實施形態中圖18~圖21所示之步驟中，對於核心基板23形成通孔23H，於該通孔23H之內壁形成鍍敷層23M之後，使用形成第四樹脂絶緣層24用之樹脂薄片而藉由絶緣層23I埋設通孔23H。此情況下，可省略以往之含有核心基板之多層配線基板中之對於核心基板之通孔鍍敷、藉由樹脂充填之通孔的埋設及充填樹脂之研磨步驟等煩雜的步驟。亦即，可將多層配線基板10’之製造步驟簡略化。

於本實施形態中，亦作成於支承基板上形成積層了至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的積層構造 體之所謂的無核心多層配線基板之製造方法中，作成與上述之積層構造體一起亦積層核心基板，作成進一步於核心基板上積層同樣的構成之追加的積層構造體。為此，於除去支承基板之後係殘存以由至少一個之導體層及至少一個之樹脂絶緣層構成之積層構造體夾住核心基板之構成。

於本實施形態中因為在具有核心基板(第三樹脂絶緣層23及金屬層55)之多層配線基板10’的製造時利用了無核心多層配線基板之製造方法，故於其製造過程中，第一積層構造體20A及第二積層構造體20B或核心基板23係形成於支承基板S上。因此，即使於減小核心基板23之厚度的情況下，藉由充分增加支承基板S之厚度，不會降低製造過程之組件的強度。

因此，可水平進行製造過程之組件的搬送，可迴避在搬送時組件接觸搬送機器，組件損傷之問題。此外，可迴避以下問題：在各製造步驟中將組件固定而供至既定之製造步驟時，組件撓曲，難以正確進行例如鍍敷處理等之問題。為此，能以高良率獲得具有薄核心基板之多層配線基板10’，具有該核心基板之多層配線基板10’之小型化成為可能。

本實施形態之方法不限定為以下含有核心基板之多層配線基板之製造：核心基板23薄，一般之製造方法下，核心基板或製造過程之組件撓曲，製造良率降低之構造的含有核心基板之多層配線基板，亦可適用於以下情況：核心基板厚，一般之製造方法亦能以高良率製造含有核心基板之多層配線基板。

以上，雖一邊舉具體例一邊詳細說明本發明，但本發明並不限定於上述內容，只要不超出本發明之範疇，可作各種變形或變更。

上述實施形態係在除去支承基板S之後，就形成第一抗蝕層41及第二抗蝕層42而獲得多層配線基板10、10’之多層配線基板之製造方法作說明，但亦可進一步具有以下步驟：在圖求多層化之情況下，在將支承基板S除去之後，於第一積層構造體20A及第二積層構造體20B表面進一步積層導體層及樹脂絶緣層。

上述實施形態雖就從作用為連接主機板用之背面焊盤之導體層側朝向作用為將半導體元件等覆晶連接用之墊(FC墊)的導體層側依序進行導體層與樹脂絶緣層之積層的多層配線基板之製造方法，但積層之順序不特別限定，亦可從作用為FC墊之導體層側朝向作用為背面焊盤之導體層側積層導體層與樹脂絶緣層。

10、10’‧‧‧多層配線基板

11‧‧‧第一導體層

12‧‧‧第二導體層

13‧‧‧第三導體層

14‧‧‧第四導體層

15‧‧‧第五導體層

16‧‧‧第六導體層

17‧‧‧第七導體層

21‧‧‧第一樹脂絶緣層

22‧‧‧第二樹脂絶緣層

23‧‧‧第三樹脂絶緣層

24‧‧‧第四樹脂絶緣層

25‧‧‧第五樹脂絶緣層

26‧‧‧第六樹脂絶緣層

31‧‧‧第一導孔導體

32‧‧‧第二導孔導體

33‧‧‧第三導孔導體

34‧‧‧第四導孔導體

35‧‧‧第五導孔導體

36‧‧‧第六導孔導體

41‧‧‧第一抗蝕層

42‧‧‧第二抗蝕層

圖1係第一實施形態中之多層配線基板的平面圖。

圖2係第一實施形態中之多層配線基板的平面圖。

圖3係放大將圖1及2所示之多層配線基板沿著I-I線切下之情況下的剖面之一部分而圖示之圖。

圖4係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖5係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖6係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖7係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖8係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖9係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖10係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖11係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖12係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖13係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖14係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖15係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖16係第一實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖17係放大第二實施形態中之多層配線基板之剖面的一部分而圖示之圖。

圖18係第二實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖19係第二實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖20係第二實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

圖21係第二實施形態中之多層配線基板之製造方法中之一處理流程圖。

12‧‧‧第二導體層

13‧‧‧第三導體層

21‧‧‧第一樹脂絶緣層

22‧‧‧第二樹脂絶緣層

23‧‧‧第三樹脂絶緣層

31‧‧‧第一導孔導體

32‧‧‧第二導孔導體

51‧‧‧銅箔

52‧‧‧預浸漬物層

53‧‧‧剝離片

53a‧‧‧第一金屬膜

53b‧‧‧第二金屬膜

55‧‧‧金屬層

56‧‧‧鍍敷層

57‧‧‧金屬積層體

S‧‧‧支承基板

Claims (5)

1. 一種多層配線基板之製造方法，特徵為具備：第一積層構造體形成步驟，於支承基板上，形成包含至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的第一積層構造體；核心基板形成步驟，於前述第一積層構造體上，將在上主面配設有金屬層並含有玻璃纖維之核心基板，作成該核心基板之下主面接觸而積層；以及第二積層構造體形成步驟，於前述核心基板上，形成包含至少一層之導體層與至少一層之樹脂絶緣層的第二積層構造體，前述核心基板形成步驟係包含以下步驟：對於前述第一積層構造體，以該第一積層構造體中之前述樹脂絶緣層之玻璃轉移點以上的溫度，將前述核心基板壓接而積層。
2. 如申請專利範圍第1項之多層配線基板之製造方法，其中前述核心基板形成步驟係包含以下步驟：於前述第一積層構造體上積層前述核心基板之後，對於前述核心基板形成通孔，將該通孔藉由鍍敷而埋設。
3. 如申請專利範圍第1項之多層配線基板之製造方法，其中前述核心基板形成步驟係包含以下步驟：於前述第一積層構造體上積層前述核心基板之後，對於前述核心基板形成通孔，於該通孔之內壁形成鍍敷層之後，使用樹脂絶緣材而形成前述樹脂絶緣層，同時將前述通孔以絶緣體埋設。
4. 如申請專利範圍第2項之多層配線基板之製造方法，其中前述核心基板形成步驟係包含於形成前述核心基板之前述通孔的地方將前述金屬層局部除去之步驟，並將前述通孔藉由雷射光之照射而形成。
5. 如申請專利範圍第3項之多層配線基板之製造方法，其中前述核心基板形成步驟係包含於形成前述核心基板之前述通孔的地方將前述金屬層局部除去之步驟，並將前述通孔藉由雷射光之照射而形成。