TWI485765B - 切割晶粒黏合薄膜及於其上形成切割的方法 - Google Patents

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Description

切割晶粒黏合薄膜及於其上形成切割的方法
本發明係有關一可防止一黏劑層自一環框架分離以增強可加工性之切割晶粒黏合薄膜。更特別來說，本發明係有關一非UV型切割晶粒黏合薄膜，其具有在將被附接至一環框架之一黏劑層的一部分內側所形成之切割，使得一半導體製造製程中所供應的切割水及/或空氣可經由切割被移除，藉此防止薄膜與環框架之間黏著的惡化及黏劑層自環框架的分離。
一半導體製造製程中所使用的切割晶粒黏合薄膜係分類成一需要UV曝光的UV型薄膜以及一不需要UV曝光的非UV型薄膜。
UV型薄膜在UV固化前展現良好的黏著，藉此提供良好的切割可加工性。然而，UV型薄膜需要UV曝光以供對其輻射UV光以在切割後進行一揀取製程，藉此造成製程不便。在揀取製程之前所進行的UV曝光係需要半導體封裝中的一段長時間，並對於半導體封裝生產力具有大幅影響，因此妨礙生產力提升。若是一UV輻射器未在UV曝光期間適當地運作，UV光會被不均勻地供應至一批量(lot)上 所對準的一晶圓，故藉由鋸切被個體化的部分半導體晶片並未在揀取製程中自一切割薄膜層、亦即一黏劑層分離。
為了解決如是問題，日益需要一能夠在揀取製程前省略UV曝光之非UV型薄膜。
然而，非UV型薄膜具有一種由於低黏著而容易自一環框架分離之問題。一般展現低黏著的非UV型薄膜係可能被鋸切製程中供應的切割水所侵蝕，且因此會蒙受對於環框架的黏著之惡化，因此在一揀取前製程、諸如一擴張製程及/或揀取製程中造成黏劑層自環框架分離。結果，揀取可加工性及生產效率係惡化。
為了解決如是問題，具有一用於附接一對於將被附接至環框架之非UV型薄膜的一部分展現高黏著之分離薄膜之方法。然而，此方法導致一麻煩且複雜的半導體製造製程。
非UV型薄膜的另一範例係揭露於韓國專利案No.10-1019756。根據韓國專利案No.10-1019756，一UV可固化黏劑層的一部分先行受到UV曝光，以適當地調整鋸切時的固持力、相對於環框架的附接力、及揀取製程中的剝離力，藉此便利於揀取製程。然而，在此實例中，雖然UV可固化黏劑層部份地固化，UV光係供應至將被附接至環框架之UV可固化黏劑層的一部分，藉此造成黏劑強度的惡化。結果，此揭示的非UV型薄膜亦具有該技藝中其他預固化型非UV型薄膜之問題。
為了解決該技藝中的如是問題，本發明人係發展出一非UV型切割晶粒黏合薄膜，其具有在將被附接至一環框架之一黏劑層的一部分內側所形成之切割，故使切割水可經由其被移除以防止切割晶粒黏合薄膜受到水所損害，藉此防止切割晶粒黏合薄膜自環框架被分離。
本發明旨在提供一切割晶粒黏合薄膜，其具有將被附接至一環框架之一黏劑層的一部分內側所形成之切割，故切割水可經由其被移除以防止切割晶粒黏合薄膜受到水所損害，藉此防止切割晶粒黏合薄膜在一半導體製造製程中自環框架被分離。
本發明的一形態係提供一切割晶粒黏合薄膜，其包括：一基底薄膜；一堆疊在基底薄膜上之黏劑層；及一堆疊在黏劑層上之黏合層，其中黏劑層係包括一於其上堆疊黏合層之第一區及一未於其上堆疊有黏合層之第二區，且第二區包括一相鄰於第一區之第三區，及一於其中形成有切割且相鄰於第三區之第四區。在部分實施例中，一環框架附接至第四區。
在部分實施例中，切割的最高點係位在第三區與第四區之間的邊界上。
在部分實施例中，藉由沿著一條連接一第一點、一第二點及一第三點之線並以第一點-第三點-第二點的順序或以第二點-第三點-第一點的順序來切割切割晶粒黏合薄膜，藉以形成切割。此處，第一、第二及第三點係位在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側之不同區位，且第 一點、第二點及黏劑層的中點未在同時共線地位於一直線上；且從黏劑層中點分別到第一點、第二點及第三點之距離(a)、(b)及(c)係滿足下列關係：c<a且c<b。
在其他實施例中，距離(a)及(b)滿足一關係：a=b。
在部分實施例中，第一點與第二點之間的距離介於從1mm至15mm。
在其他實施例中，從第一點與第二點之間的一直線到第三點之一垂直距離係介於從1mm至10mm。
在部分實施例中，切割之間的距離介於從1mm至15mm。
在其他實施例中，切割具有選自下列各者所組成的群組之至少一形狀：及。
本發明的另一形態提供一切割晶粒黏合薄膜，其包括：一基底薄膜；一堆疊在基底薄膜上之黏劑層；一堆疊在黏劑層的一中央部分上之黏合層；及一堆疊在黏合層上或黏劑層上之釋放層，其中黏劑層係包括一於其上堆疊黏合層之第一區及一未於其上堆疊有黏合層之第二區，以及，一或多個切割係形成為穿過基底薄膜及第二區。
在部分實施例中，切割未穿過釋放膜。
在部分實施例中，切割之間的距離介於從1mm至15mm。
在其他實施例中，切割形成於將被附接至一環框架之黏劑層的一部分內側。
在部分實施例中，藉由沿著一條連接一第一點、 一第二點及一第三點之線並以第一點-第三點-第二點的順序或以第二點-第三點-第一點的順序來切割晶粒黏合薄膜，藉以形成切割。此處，第一、第二及第三點係位在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側之不同區位，且第一點、第二點及黏劑層的中點未在同時共線地位於一直線上；且從黏劑層中點分別到第一點、第二點及第三點之距離(a)、(b)及(c)係滿足下列關係：c<a且c<b。
在其他實施例中，距離(a)及(b)滿足一關係：a=b。
在部分實施例中，第一點與第二點之間的距離介於從1mm至15mm。
在其他實施例中，從第一點與第二點之間的一直線到第三點之一垂直距離係介於從1mm至10mm。
本發明的另一形態提供一用於在切割晶粒黏合薄膜上形成切割之方法，該切割晶粒黏合薄膜包含：一基底薄膜；一堆疊在基底薄膜上之黏劑層；一堆疊在黏劑層的一中央部分上之黏合層；及一堆疊在黏合層上或黏劑層上之釋放層，其中藉由將一刀刃插入切割晶粒黏合薄膜內到達對應於釋放膜的一深度藉以穿過基底薄膜及未於其上堆疊有黏合層之黏劑層的一部分、而不穿過釋放膜，藉以形成切割。
本發明提供一非UV型切割晶粒黏合薄膜，其可防止在一半導體製造製程中自一環框架分離。
確切來說，本發明提供一切割晶粒黏合薄膜，其具有形成於將被附接至一環框架之一黏劑層的一部分內側 之切割，故使切割水可經由切割被移除以防止黏劑層與環框架之間的一附接介面之損害藉以防止黏劑層與環框架之間的黏著之惡化。
此外，根據本發明的切割晶粒黏合薄膜係容許鋸切後用於乾燥的所供應空氣經由切割被移除，藉此防止空氣流入黏劑層與環框架之間的附接介面內。
並且，根據本發明的切割晶粒黏合薄膜係在一半導體製造製程期間防止從環框架之分離，藉此增強揀取可加工性。
A‧‧‧點
110、120‧‧‧黏劑層
130‧‧‧黏合層
300‧‧‧切割
圖1根據本發明顯示位在一切口段的兩端之第一及第二點以及切口段上的一第三點；圖2示意地顯示在一切割晶粒黏合薄膜上之圖1的三點之間的位置關係；圖3a及3b是根據本發明實施例之具有切割的切割晶粒黏合薄膜之示意圖；圖4是比較範例2的一切割晶粒黏合薄膜之示意圖；圖5a、5b及5c是一用於在一切割晶粒黏合薄膜中形成切割之方法的示意圖。
現在將詳細描述本發明的實施例。應瞭解：下列實施例僅供示範用而絕未以任何方式限制本發明的範圍。
熟習該技術者將易於認識及瞭解本文中未包括的細節，且將省略其說明。
本發明的一形態係提供一切割晶粒黏合薄膜，其包括：一基底薄膜；一堆疊在基底薄膜上之黏劑層；一堆疊在黏劑層上之黏合層，其中黏劑層係包括一於其上堆疊有黏合層之第一區及一未於其上堆疊有黏合層之第二區，第二區包括一相鄰於第一區之第三區，及一於其中形成切割且相鄰於第三區之第四區。
在本發明中係可使用半導體封裝領域中所典型使用之一類型的基底薄膜、黏劑層、黏合層及釋放膜。
如同本文所使用，“切割(cut)”用語係指沿著一特定開放彎曲線所形成之一切口(cutout)。“開放彎曲線”用語係與一關閉彎曲線相反並指涉一條使其一起點未連接至其一終點之線。
藉由沿著一條連接一第一點、一第二點及一第三點之線並以第一點-第三點-第二點的順序或以第二點-第三點-第一點的順序來切割晶粒黏合薄膜，藉以形成切割。此處，第一、第二及第三點係位在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側之不同區位，且第一點、第二點及黏劑層的中點未在同時共線地位於一直線上；且從黏劑層中點分別到第一點、第二點及第三點之距離(a)、(b)及(c)係滿足下列關係：c<a且c<b。
如圖1所示，可藉由沿著一條以第二點-第三點-第一點的順序將第一點、第二點及第三點彼此連接之線來切割切割晶粒黏合薄膜，藉以形成切割。當將三點連接至彼此時，第一點未直接地連接至第二點而不穿過第三點。 這些點可以任何形狀連接至彼此，譬如一直線、彎曲線、波形線、凸凹形線、及類似物等，但不在此限。
在圖1中，第一至第三點全部位在被附接至環框架之黏劑層的部分內側。更佳地，第一至第三點全部皆只位在身為將被附接至環框架之黏劑層的部分之第四區內側，黏合層未堆疊其上(圖3a中的110)。
確切來說，切割晶粒黏合薄膜的黏劑層係概括分成一於其上堆疊有黏合層之第一區及一未於其上堆疊有黏合層之第二區。此外，第二區分成將被附接至環框架之一部分及其他部分。環框架概括被附接至切割晶粒黏合薄膜的黏劑層之最外周邊，且附接至黏合層之環框架的一部分譬如係具有約20mm的一厚度。因此，將被附接至環框架之壓敏性黏劑薄膜的部分係對應於相距切割晶粒黏合薄膜之黏劑層的最外周邊之約20mm的一距離。
若第一至第三點的一者位在將被附接至環框架之黏劑層的部分外側，切割係形成於將被附接至環框架之黏劑層的部分外側(請見圖4)，黏劑層可在半導體製造製程期間自環框架分離，因此造成製程失敗。
雖然第一點與第二點之間的距離未特別受限、只要距離設定成容許兩點留在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側即可，欲使距離位於從1mm至15mm的範圍。在此範圍內，切割以適當尺寸形成，藉此能夠經由其有效地移除切割水及/或空氣。並且，考量到與第三點的關係，第一點與第二點之間的距離係被設定成容許切割形成於將被附 接至環框架之黏劑層的部分內側。
參照圖1，點A與第三點之間的距離未特別受限，只要距離設定成容許第一、第二及第三點全部位在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側即可，欲使點A與第三點之間的距離位於從1mm至10mm的範圍。若兩點之間的距離小於1mm，切割係以實質線性形狀而非多角形形狀形成並且會不令人滿意地運作，且若距離超過10mm，第一點、第二點及第三點全部可位在將被附接至環框架之黏劑層的部分之部分外側。
參照圖2，假設從黏劑層的中點至第一點之距離為(a)，從黏劑層的中點至第二點之距離為(b)；且從黏劑層的中點至第三點之距離為(c)，距離(a)、(b)及(c)滿足下列關係：c<a且c<b。
距離(a)及(b)未特別受限且可能不同，只要其容許第一點及第二點全部位在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側即可。較佳地，距離(a)可與距離(b)相同(a=b)。
切割的形狀未特別受限，易言之，切割係為無定形形狀。譬如，假設一條穿過圖1的第一及第二點之虛擬直線為一底側，切割可具有一半圓形、U形、卵形、三角形、矩形、五角形、及其他多角形(譬如，...)，但不在此限。
較佳地，切割具有一半圓形、三角形、矩形、及五角形。
切割之間的距離未特別受限，只要距離設定成容 許切割全部形成於將被附接至環框架之黏劑層的部分內側即可。較佳地，切割之間的距離係介於從1mm至15mm。在此範圍內，可防止黏劑層由於半導體製造製程期間相鄰切割之間的整合而受損害，且可形成一適當數目的切割，藉此能夠經由切割有效率地移除切割水及/或空氣。
將被附接至環框架之黏劑層的部分內側所形成之切割的數目並未特別受限。
切割的位置未特別受限，只要切割位在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側即可。較佳地，切割係位成在將被附接至環框架之黏劑層的部分內側盡量地靠近黏劑層的中央區，藉以提供更有利條件以供經由其移除切割水或空氣。更佳地，切割的最高點係位在第三區與第四區之間的邊界上。切割的最高點係指相距黏劑層中點位在一最短距離之切割輪廓中的點。
可藉由在基底薄膜上堆疊黏合層及黏劑層、及使用一具有對應於切割形狀的頂峰形狀之刀刃以一標準化尺寸與形狀切割黏劑層及基底薄膜，藉以形成切割。
切割晶粒黏合薄膜可為一非UV型薄膜。
切割晶粒黏合薄膜可為一預固化型非UV型薄膜，其包括一黏劑層，該黏劑層係經由先前將UV光輻射至一光可固化壓敏性黏劑組成物形成的一黏劑層之一製程所形成。
切割晶粒黏合薄膜可為一非光可固化非UV型薄膜，其包括由一非光可固化壓敏性黏劑組成物所形成之一 黏劑層。
圖3a及3b顯示根據本發明實施例之切割晶粒黏合薄膜。
參照圖3a及3b，切割晶粒黏合薄膜的各者係包括一黏劑層110、120，其由一光可固化或非光可固化黏劑薄膜形成，及一形成於黏劑層上之黏合層130。將被附接至一環框架之黏劑層的一部分110係形成有呈特定形狀的切割300。
較佳地，切割並不形成在未於其上堆疊有黏合層且將不附接至環框架之黏劑層的一部分120中。否則，會具有在半導體製造製程期間損害黏劑層之可能性。
雖然切割顯示成在圖3a中具有一形狀且在圖3b中具有一形狀，切割不限於一特定形狀且可具有不同形狀，諸如....。
應注意：圖3a及3b未提供關於黏劑層及黏合層的任何數值資訊、切割的數目、尺寸與形狀、及將被附接至環框架之黏劑層的部分之一地點，而是顯示根據本發明的一形態之黏劑層的一般形狀。為此，本發明不應以任何方式詮釋成受限於圖3a及3b。
本發明的另一形態提供一切割晶粒黏合薄膜，其包括：一基底薄膜；一堆疊在基底薄膜上之黏劑層；一堆疊在黏劑層的一中央部分上之黏合層；及一堆疊在黏合層上或黏劑層上之釋放層，其中黏劑層係包括一於其上堆疊 有黏合層之第一區、及一未於其上堆疊有黏合層之第二區，一或多個切割係形成為穿過基底薄膜及第二區。
本發明中係可使用半導體封裝的領域中所典型使用之任何類型的基底薄膜、黏劑層、黏合層及釋放薄膜。
黏合層係小於黏劑層且堆疊在黏劑層的中央部分上(請見圖5a)。
本文所用的“穿過”用語係指其所描述的一特定元件”完全地穿透一對應層(或薄膜)。
切割係形成為從基底薄膜的一外表面穿過黏劑層而不完全地穿過堆疊在黏劑層上的釋放薄膜。易言之，切割係形成為從基底薄膜外表面經由黏劑層觸及黏劑層與釋放薄膜之間的一介面，或觸及釋放薄膜的一內部分(圖5a)，但未經由釋放薄膜的外表面完全地穿透釋放薄膜(圖5c)。
當切割形成為完全地穿過釋放薄膜的外表面時，黏劑層的切割之開放切口部分係在一安裝製程中於釋放薄膜剝離時與釋放薄膜一起被揚升並隨後往內彎折黏至彼此，因此造成製程失敗。
雖然切割可經由黏劑層與釋放薄膜之間的介面形成至釋放薄膜的任何深度，只要切割不穿過釋放薄膜的外表面即可，切割較佳從基底薄膜形成黏劑層與釋放薄膜之間的介面(請見圖5b)。
圖5a顯示一藉由將一刀刃從一基底薄膜插入至一切割晶粒黏合薄膜中的一釋放薄膜之一特定深度以形成 切割之製程，其具有一包括依此次序堆疊的基底薄膜、黏劑層、黏合層、及釋放薄膜之四層結構。
圖5b顯示一藉由將一刀刃從一基底薄膜插入至一切割晶粒黏合薄膜中的釋放薄膜與黏劑層之間的一介面中以形成切割之製程，其具有一包括依此次序堆疊的基底薄膜、黏劑層、黏合層、及釋放薄膜之四層結構。
切割的形狀、尺寸及數目未特別受限。
切割較佳形成於將被附接至環框架之黏劑層的部分內側。
本發明的另一形態係提供一於切割晶粒黏合薄膜上形成切割之方法，其包括：一基底薄膜；一堆疊在基底薄膜上之黏劑層；一堆疊在黏劑層的一中央部分上之黏合層；及一堆疊在黏合層上或黏劑層上之釋放層，其中藉由將一刀刃插入切割晶粒黏合薄膜內到達對應於釋放薄膜的一特定深度藉以穿過基底薄膜及未於其上堆疊有黏合層之黏劑層的一部分、而不穿過釋放薄膜，藉以形成切割。
當形成切割時，刀刃可經由基底薄膜插入晶粒黏合薄膜內到達對應於釋放薄膜的一內部分之一深度(請見圖5a)。更佳地，刀刃可經由基底薄膜插入晶粒黏合薄膜內到達對應於黏劑層與釋放薄膜之間的一介面(請見圖5b)。
接著，將參照部分範例更詳細地描述本發明。此處應瞭解：下列範例僅供示範而絕未以任何方式限制本發明。
範例1： 在將被附接至環框架之黏劑層的部分中形成切割之方法
在具有一光可固化黏劑層的一商業可取得切割晶粒黏合薄膜(得自第一毛織股份有限公司(Cheil Industries Co.,Ltd.))及具有一非光可固化黏劑層的一商業可取得切割晶粒黏合薄膜(得自第一毛織股份有限公司)的各者中，切割係以圖3a所示形狀形成於將被附接至一環框架之黏劑層的一部分內側。
藉由在基底薄膜上堆疊黏劑層及一黏劑層、及使用一具有對應於切割形狀的頂峰形狀之刀刃以一標準化尺寸及形狀切割黏劑層及基底薄膜，藉以形成切割。
在範例1，在對於適用於一8吋晶圓的一250mm內直徑環框架所使用之一切割晶粒黏合薄膜(得自第一毛織股份有限公司)中，在從壓敏性黏劑層中點至第三點的距離為128mm、第一點與第二點之間的距離為5mm、從壓敏性黏劑層中點到第一點及從壓敏性黏劑層中點到第二點之距離各者為132mm、且切割之間的距離為5mm之條件下，使切割位在將被附接至環框架之切割晶粒黏合薄膜的一部分內側。
範例2： 在將被附接至環框架之黏劑層的部分中形成切割之方法
除下列外以與範例1相同的方式形成切割：使用適用於一12吋晶圓的一350mm內直徑環框架所使用之一切割晶粒黏合薄膜(得自第一毛織股份有限公司)，從壓敏性黏劑層中點至第三點的距離為178mm、且從壓敏性黏劑層中點到第一點及從壓敏性黏劑層中點到第二點之距離各者為 182mm。
比較範例1： 黏劑層中不具有切割之切割晶粒黏合薄膜
製備一具有一非光可固化黏劑層之商業可取得切割晶粒黏合薄膜(與範例1所使用者相同且於其中不具有切割)。
比較範例2： 在將被附接至環框架之黏劑層的一部分外側形成有切割之切割晶粒黏合薄膜
除下列外以與範例1相同的方式形成具有切割的切割晶粒黏合薄膜：切割形成於黏劑層的一部分內側，其將不被附接至環框架且未於其上堆疊黏合層；從壓敏性黏劑層中點至第三點的距離為115mm、且從壓敏性黏劑層中點到第一點及從壓敏性黏劑層中點到第二點之距離各者為119mm(圖4)。
實驗範例1： 關於受到切割水的損害及鋸切製程中從環框架的分離之評估
由於比較範例1及2以及比較範例1及2之切割晶粒黏合薄膜的各者附接至一環框架，進行一鋸切製程以評估水損害及從環框架的分離。
在10mm/sec、50000rpm鋸切速度、1.6MPa液壓、及1.5L/min通量之條件下，利用DISCO DFD-6361進行鋸切製程。然後，以肉眼觀察對應於環框架之薄膜的一區之水損害及從環框架的分離。確切來說，附接至環框架之黏劑層的部分之整體區域係分成12區塊。若已在二或更多區塊 中發生水損害及從環框架的分離，則評估成“不良”；且若在區塊中皆未發生水損害及從環框架的分離，則評估成“良好”。
實驗範例2： 揀取成功率的測量
晶片揀取製程係指在一晶圓切割成個別晶片之後於一PCB上或經堆疊晶片上安裝一晶片之一製程。
在以與實驗範例1相同的方式作鋸切後，利用SDB-1000M(賽科隆有限公司(Secron Co.,Ltd.))對於經切割晶圓的一中央區中之100個晶片進行揀取測試，且測量成功率(%)。
下表1顯示實驗範例1及2的結果。
參照表1，雖然比較範例1及2中所製備的切割晶粒黏合薄膜皆對於範例1及2中所製備的切割晶粒黏合薄膜展現類似的黏劑強度與黏著，在附接至環框架之黏劑層的部分外側不具有切割之比較範例1的切割晶粒黏合薄膜及具有切割之比較範例2的切割晶粒黏合薄膜係蒙受切割水的嚴重損害，故黏劑層易從環框架分離，其中因此比較範例1及2的切割晶粒黏合薄膜係評估成不良且無法揀取該等晶片。結果，無法評估其揀取成功率。
另一方面，雖然範例1及2中的切割晶粒黏合薄膜對於比較範例1及2的切割晶粒黏合薄膜展現類似的黏劑強度與黏著，在附接至環框架之黏劑層各者的部分內側具有切割之範例1及2的切割晶粒黏合薄膜皆可經由切割被移除，因此不造成水損害及從環框架的分離。為此，範例1及2的切割晶粒黏合薄膜皆評估成良好且具有100%的一揀取成功率。
雖然上文已描述部分實施例，熟習該技術者將瞭解：這些實施例僅供示範用，且可作出不同修改、變化、更改、及均等實施例而不脫離本發明的精神與範圍。本發明的範圍應只受限於附帶的申請專利範圍及其均等物。
110、120‧‧‧黏劑層
130‧‧‧黏合層
300‧‧‧切割

Claims (19)

  1. 一種切割晶粒黏合薄膜，包含：一基底薄膜；一堆疊在該基底薄膜上之黏劑層；及一堆疊在該黏劑層上之黏合層；其中該黏劑層係包括一於其上堆疊有該黏合層之第一區，及一未於其上堆疊有該黏合層之第二區，及該第二區包括一相鄰於該第一區之第三區，及一於其中形成有切割且相鄰於該第三區之第四區。
  2. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒黏合薄膜，其中一環框架附接至該第四區。
  3. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒黏合薄膜，其中該切割的最高點係位在該第三區與該第四區之間的邊界上。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之切割晶粒黏合薄膜，其中該等切割之間的一距離介於從1mm至15mm。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之切割晶粒黏合薄膜，其中藉由沿著一條連接一第一點、一第二點及一第三點之線，並以第一點-第三點-第二點的順序或以第二點-第三點-第一點的順序來切割該黏劑層及該基底薄膜，藉以形成該等切割，其中該等第一、第二及第三點係位在待附接至該環框架之該黏劑層的部分內側之不同區位處， 其中該第一點、該第二點及該黏劑層的中點未在同時共線地位於一直線上；其中從該黏劑層的中點分別到該第一點、該第二點及該第三點之距離(a)、(b)及(c)係滿足下列關係：c<a且c<b；及其中連接有該第一點及第三點、或連接有該第二點及第三點的線分別係為一直線、一彎曲線、一波形線、或一起伏線(undulating line)。
  6. 如申請專利範圍第5項之切割晶粒黏合薄膜，其中該等距離(a)及(b)滿足一關係：a=b。
  7. 如申請專利範圍第5項之切割晶粒黏合薄膜，其中該第一點與該第二點之間的一距離介於從1mm至15mm。
  8. 如申請專利範圍第5項之切割晶粒黏合薄膜，其中從該第一點與該第二點之間的一直線到該第三點之一垂直距離係介於從1mm至10mm。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之切割晶粒黏合薄膜，其中該等切割具有選自下列各者所組成的群組之至少一形狀：
  10. 一種切割晶粒黏合薄膜，包含：一基底薄膜；一堆疊在該基底薄膜上之黏劑層；一堆疊在該黏劑層的一中央部分上之黏合層；及 一堆疊在該黏合層上或該黏劑層上之釋放層，其中該黏劑層係包括一於其上堆疊有該黏合層之第一區，及一未於其上堆疊有該黏合層之第二區，及一或多個切割係形成為穿過該基底薄膜及該第二區。
  11. 如申請專利範圍第10項之切割晶粒黏合薄膜，其中該等切割未穿過該釋放薄膜。
  12. 如申請專利範圍第10項之切割晶粒黏合薄膜，其中該環框架附接至該第二區。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之切割晶粒黏合薄膜，其中該等切割之間的一距離介於從1mm至15mm。
  14. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之切割晶粒黏合薄膜，其中藉由沿著一條連接一第一點、一第二點及一第三點之線，並以第一點-第三點-第二點的順序或以第二點-第三點-第一點的順序來切割該黏劑層及該基底薄膜，藉以形成該等切割，其中該等第一、第二及第三點係位在待附接至該環框架之該黏劑層的部分內側之不同區位處，其中該第一點、該第二點及該黏劑層的中點未在同時共線地位於一直線上；其中從該黏劑層的中點分別到該第一點、該第二點及該第三點之距離(a)、(b)及(c)係滿足下列關係：c<a且c<b；及 其中連接有該第一點及第三點、或連接有該第二點及第三點的線分別係為一直線、一彎曲線、一波形線、或一起伏線。
  15. 如申請專利範圍第14項之切割晶粒黏合薄膜，其中該等距離(a)及(b)滿足一關係：a=b。
  16. 如申請專利範圍第14項之切割晶粒黏合薄膜，其中該第一點與該第二點之間的一距離介於從1mm至15mm。
  17. 如申請專利範圍第14項之切割晶粒黏合薄膜，其中從該第一點與該第二點之間的一直線到該第三點之一垂直距離係介於從1mm至10mm。
  18. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之切割晶粒黏合薄膜，其中該等切割具有選自下列各者所組成的群組之至少一形狀：
  19. 一種於切割晶粒黏合薄膜上形成切割之方法，包含：一基底薄膜；一堆疊在該基底薄膜上之黏劑層；一堆疊在該黏劑層的一中央部分上之黏合層；及一堆疊在該黏合層上或該黏劑層上之釋放層，其中藉由將一刀刃插入該切割晶粒黏合薄膜內並到達對應於該釋放薄膜的一深度，以便穿過該基底薄膜及未於其上堆疊有該黏合層之該黏劑層的一部分、而不穿過該釋放薄膜，藉以形成切割。
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