CN110581100B - 一种传感器的划切方法 - Google Patents
一种传感器的划切方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110581100B CN110581100B CN201910935117.1A CN201910935117A CN110581100B CN 110581100 B CN110581100 B CN 110581100B CN 201910935117 A CN201910935117 A CN 201910935117A CN 110581100 B CN110581100 B CN 110581100B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- adhesive tape
- sensor
- tape layer
- dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
- H01L21/786—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种传感器的划切方法，包括基板和设置在基板上呈矩阵排列的多个传感器；所述划切方法包括：将所述基板贴装在衬底上；将保护膜粘接在所述多个传感器的顶部；所述保护膜包括胶带层和贴装在胶带层第一表面上的保护层，所述胶带层的第二表面上通过模切的方式形成有多个功能区，每个功能区的两侧具有切口，相邻的两个功能区之间为间隔区，所述多个功能区分别对应的粘接在所述多个传感器的顶部；将所述保护层从所述胶带层上剥离；将所述胶带层上的多个功能区分离；对所述基板进行划切；将所述传感器顶部粘接的功能区去除。
Description
技术领域
本发明涉及传感器制造技术领域，更具体地，本发明涉及一种传感器的划切方法。
背景技术
防水气压计典型的封装结构如图1所示，其包括基板2和设置在基板 2上的外壳1，基板2与外壳1围合成容纳腔，传感器芯片6收容在容纳腔内且设置在基板2上，传感器芯片6还通过金线8与基板2电连接。并且，在容纳腔内灌封有防水胶7，防水胶7覆盖在传感器芯片6上，用于对传感器芯片6进行保护，能有效防止外界的水、油等异物进入到容纳腔内对传感器芯片6造成损伤。
实际上，防水气压计等传感器的整体尺寸是比较小，在封装过程中通常是将多个传感器共同集成在一个尺寸较大的PCB上。当完成传感器的封装后，再将各个传感器通过切割的方式进行分离，以得到单个的传感器。目前，在传感器制作过程中较为常用的切割方式为PCB背切工艺。PCB背切工艺是指将多个传感器设置在一个PCB板上，并在多个传感器的顶部共同粘接一整张UV膜，之后再进行切割分离。为了使UV膜能牢固的贴合在多个传感器的顶部，通常采用的是高粘度的UV膜。在进行切割过程中，UV膜也会被切割。由于采用了高粘度UV膜，在划破UV膜的过程中容易产生大量的碎屑，而产生的碎屑会吸附在传感器的外壳上，从而影响到传感器的外观品质。
因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种传感器的划切方法的新技术方案。
根据本发明的第一方面，提供了一种传感器的划切方法，包括基板和设置在基板上呈矩阵排列的多个传感器；所述划切方法包括：
将所述基板贴装在衬底上；
将保护膜粘接在所述多个传感器的顶部；所述保护膜包括胶带层和贴装在胶带层第一表面上的保护层，所述胶带层的第二表面上通过模切的方式形成有多个功能区，每个功能区的两侧具有切口，相邻的两个功能区之间为间隔区，所述多个功能区分别对应的粘接在所述多个传感器的顶部；
将所述保护层从所述胶带层上剥离；
将所述胶带层上的多个功能区分离；
对所述基板进行划切；
将所述传感器顶部粘接的功能区去除。
可选地，所述切口深度为所述胶带层厚度的1/2～3/4。
可选地，所述保护膜还包括离形层，所述离形层贴装在所述胶带层的第二表面上；
所述离形层的两个表面均不具有粘性；
当将所述保护膜贴装到所述多个传感器的顶部时，要预先将所述离形层从所述胶带层上剥离下来。
可选地，所述胶带层的第一表面不具有粘性，所述胶带层的第二表面具有粘性。
可选地，所述保护层与所述胶带层贴装的表面具有粘性，所述保护层的远离所述胶带层的表面不具有粘性。
可选地，所述胶带层与所述传感器顶部之间的粘接力大于所述胶带层与所述保护层之间的粘接力。
可选地，在将所述传感器顶部粘接的功能区去除的步骤中：采用胶粘层将所述传感器顶部的功能区剥离去除；其中，所述胶粘层与所述功能区之间的粘接力大于所述功能区与所述传感器顶部之间的粘接力。
可选地，所述胶粘层为UV膜或者胶带。
可选地，所述衬底为UV膜。
可选地，所述功能区呈圆形或者方形。
本发明实施例提供的一种传感器的划切方法，在划切过程中采用了保护膜，并在保护膜上预先形成了与传感器顶部粘接的功能区，功能区通过模切的方式形成，在功能区的两侧具有预定深度的切口，这使得在划切过程中分割各个功能区变得非常容易。在划切过程中不易产生碎屑，避免出现碎屑吸附在传感器外壳上的情况，保证了传感器的外观品质。本发明所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本发明是一种新的技术方案。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有的防水气压计的结构示意图。
图2-图7是根据本公开的一个实施例的传感器的划切方法的流程图。
图8是根据本公开的一个实施例的保护膜的结构示意图。
1-外壳；2-基板；3-衬底；401-保护层；402-胶带层；4021-功能区； 4022-间隔区；403-离形层；5-金线；6-传感器芯片；7-防水胶；8-传感器。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本发明实施例提供了一种传感器的划切方法。该划切方法适用于诸如防水气压计、防水液压计等微小型传感器的制作过程中。制得的传感器具有优良的外观品质和良好的性能，可应用在智能手机、智能手表、平板电脑等多种电子产品中，具有广阔的应用前景。
本发明实施例提供的一种传感器的划切方法，用于在传感器的制作过程中对各个传感器进行划切。如图2-图7所示，多个传感器8在基板2上呈矩阵排列。也即，多个传感器8在基板2上呈多行多列排列。其中，所述基板2例如可以为PCB板等。当然，所述基板2也可以是本领域技术人员熟知的其它电路板，对此不作限制。
本发明实施例提供了一种传感器的划切方法。该划切方法包括如下步骤：
S1、如图2所示，将所述基板2贴装在衬底3上。
S2、如图3所示，将保护膜粘接在所述多个传感器8的顶部。
其中，所述保护膜包括胶带层402和贴装在胶带层402第一表面上的保护层401，所述胶带层402的第二表面上通过模切的方式形成有多个功能区4021，每个功能区4021的两侧具有切口，相邻的两个功能区4021之间为间隔区4022，所述多个功能区4021分别对应的粘接在所述多个传感器8的顶部。
S3、如图4所示，将所述保护层401从所述胶带层402上剥离下来。
S4、如图5所示，对所述胶带层402上的多个功能区4021进行分离。
S5、如图6所示，对所述基板2进行划切。
S6、如图7所示，将所述传感器8的顶部粘接的功能区4021去除。
需要说明的是，上述的步骤S1-步骤S6的顺序可以根据实际需要灵活的进行调整，并不限于上述的顺序。
本发明实施例提供的传感器的划切方法，在划切过程中采用了保护膜，并在保护膜上预先形成了与传感器8顶部粘接的功能区4021。功能区4021 通过模切的方式形成，在功能区4021的两侧具有预定深度的切口，这使得在划切过程中分割各个功能区4021变得非常容易。而由于划破胶带层402 变得容易，因此在这一过程中不易产生碎屑，避免出现碎屑吸附在传感器外壳上的情况。
在本发明中，所述衬底3例如可以为UV膜。当然，所述衬底3也可以是本领域技术人员熟知的其它衬底材料。基板2的下表面与UV膜之间采用粘接的方式连接在一起。本发明的UV膜为普通低粘度的UV膜，在划切过程中不易产生碎屑。此外，划切过程中即使产生碎屑，因为其粘度较低，在划切的过程中，也可以被划切水冲走，不会影响传感器的外观品质。
本发明中，如图3和图4所示，在胶带层402的第二表面上通过模切的方式形成有多个功能区4021。并且，在每个功能区4021的两侧均形成有切口。实际上，预先在胶带层402上设置好切口再将其贴合在多个传感器8上的设计便于后续分割各个功能区4021。与传统的一整张没有切口的 UV膜相比，本发明的设计在划切胶带层402的过程中不易产生碎屑，从而有助于提高传感器的外观品质。
在本发明的一个例子中，所述胶带层402的第二表面上通过模切的方式形成多个功能区4021，每个功能区4021的两侧均具有切口，切口的深度为胶带层402本身厚度的1/2～3/4。需要说明的是，切口的深度应当合理的控制。若切口深度过深，会造成胶带层402在切口处直接断开，无法形成一整张胶带层。若切口深度过浅，在后续的分离步骤中不同的功能区 4021之间不易被划破，就容易产生碎屑。本发明中采用的切口深度，可以使不同的功能区4021之间被模切为合适的深度，同时还能作为一个整体连接在一起。该切口深度还有助于后续步骤中分割各个功能区4021，能有效避免产生碎屑而影响到传感器的外观品质。
每个功能区4021都对应着一个传感器8。也就是说，功能区4021的设置数量与基板2上设置的传感器8的数量相匹配。此外，功能区4021的形状和尺寸也应当与传感器8的横截面形状和尺寸相匹配。例如，所述功能区4021的形状可以为圆形或者方形等。
本发明的保护膜，其为三层复合结构。在本发明的一个例子中，如图8所示，所述保护膜不仅包括胶带层402和保护层401，还包括离形层403。并且，所述离形层403被贴装在所述胶带层402的第二表面上。所述保护层401贴装在所述胶带层402的第一表面上。此时，可以由离形层403和保护层401共同对胶带层402进行保护。其中，所述离形层403具有两个表面，且这两个表面均不含胶，均不具有粘性。在进行划切过程中，使用本发明的保护膜时，需要预先将离形层403从胶带层402上剥离下来，然后将胶带层402贴合在多个传感器8的顶部。
本发明的保护膜，其中的胶带层402具有两个表面，分别为第一表面、第二表面。所述胶带层402的第一表面不含胶，也不具备粘性，而所述胶带层402的第二表面含胶，具有粘性。当将离形层403贴装在所述胶带层 402的第二表面上时，第二表面具有粘性，无需借助其它的粘接剂即可将离形层403粘接住。但由于离形层403的表面不具有粘性，二者之间的粘接力比较小，这样可以很容易的将离形层403从胶带层402上剥离下来。
本发明的保护膜，其中的保护层401与胶带层402类似，也是一个表面含胶具有粘性，而另一个表面不含胶不具有粘性。具体来说，所述保护层401与所述胶带层402贴装的表面具有粘性，而所述保护层401的远离所述胶带层402的表面不具有粘性。所述保护层401有粘性的一表面与所述胶带层402没有粘性的第一表面粘接在一起，二者之间的粘接力也较小，有利于后续步骤中将保护层401从胶带层402上剥离下来。
本发明中，所述胶带层402与所述传感器8的顶部之间的粘接力大于所述胶带层402与所述保护层401之间的粘接力。这样当将保护层401剥离下来时不会将胶带层402一同剥离下来，可以使胶带层402稳定的留在多个传感器8的顶部。
在本发明的划切方法中，如图7所示，在完成划切之后还要将传感器 8的顶部所粘接的功能区4021去除掉。在本发明的一个例子中，可以采用胶粘层对所述传感器8顶部的功能区4021进行剥离。其中，所述胶粘层与所述功能区4021之间的粘接力要大于所述功能区4021与所述传感器8顶部之间的粘接力。此时，胶粘层就可以顺利的将传感器8顶部的功能区4021 带走。所述胶粘层例如可以为粘性较大的UV膜或者胶带等。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (9)
1.一种传感器的划切方法，其特征在于：包括基板和设置在基板上呈矩阵排列的多个传感器；所述划切方法包括：
将所述基板贴装在衬底上；
将保护膜粘接在所述多个传感器的顶部；所述保护膜包括胶带层和贴装在胶带层第一表面上的保护层，所述胶带层的第二表面上通过模切的方式形成有多个功能区，每个功能区的两侧具有切口，所述切口深度为所述胶带层厚度的1/2～3/4，相邻的两个功能区之间为间隔区，所述多个功能区分别对应的粘接在所述多个传感器的顶部；
将所述保护层从所述胶带层上剥离；
将所述胶带层上的多个功能区分离；
对所述基板进行划切；
将所述传感器顶部粘接的功能区去除。
2.根据权利要求1所述的传感器的划切方法，其特征在于：所述保护膜还包括离形层，所述离形层贴装在所述胶带层的第二表面上；
所述离形层的两个表面均不具有粘性；
当将所述保护膜贴装到所述多个传感器的顶部时，要预先将所述离形层从所述胶带层上剥离下来。
3.根据权利要求1所述的传感器的划切方法，其特征在于：所述胶带层的第一表面不具有粘性，所述胶带层的第二表面具有粘性。
4.根据权利要求1所述的传感器的划切方法，其特征在于：所述保护层与所述胶带层贴装的表面具有粘性，所述保护层的远离所述胶带层的表面不具有粘性。
5.根据权利要求1所述的传感器的划切方法，其特征在于：所述胶带层与所述传感器顶部之间的粘接力大于所述胶带层与所述保护层之间的粘接力。
6.根据权利要求1所述的传感器的划切方法，其特征在于：在将所述传感器顶部粘接的功能区去除的步骤中：采用胶粘层将所述传感器顶部的功能区剥离去除；其中，所述胶粘层与所述功能区之间的粘接力大于所述功能区与所述传感器顶部之间的粘接力。
7.根据权利要求6所述的传感器的划切方法，其特征在于：所述胶粘层为UV膜或者胶带。
8.根据权利要求1所述的传感器的划切方法，其特征在于：所述衬底为UV膜。
9.根据权利要求1所述的传感器的划切方法，其特征在于：所述功能区呈圆形或者方形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910935117.1A CN110581100B (zh) | 2019-09-29 | 2019-09-29 | 一种传感器的划切方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910935117.1A CN110581100B (zh) | 2019-09-29 | 2019-09-29 | 一种传感器的划切方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110581100A CN110581100A (zh) | 2019-12-17 |
| CN110581100B true CN110581100B (zh) | 2021-12-31 |
Family
ID=68814066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910935117.1A Active CN110581100B (zh) | 2019-09-29 | 2019-09-29 | 一种传感器的划切方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110581100B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112911810B (zh) * | 2021-01-19 | 2023-04-25 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | Pcb的切割方法及传感器封装结构 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1515026A (zh) * | 2002-02-28 | 2004-07-21 | ������������ʽ���� | 半导体片的分割方法 |
| CN103448087A (zh) * | 2013-09-04 | 2013-12-18 | 东莞市飞新达精密机械科技有限公司 | 片材产品模切加工除废边方法及系统 |
| CN104024359A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-09-03 | 第一毛织株式会社 | 切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法 |
| CN108587498A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-09-28 | 无锡智高点技术研发有限公司 | 一种双面胶模切加工方法 |
-
2019
- 2019-09-29 CN CN201910935117.1A patent/CN110581100B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1515026A (zh) * | 2002-02-28 | 2004-07-21 | ������������ʽ���� | 半导体片的分割方法 |
| CN104024359A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-09-03 | 第一毛织株式会社 | 切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法 |
| CN103448087A (zh) * | 2013-09-04 | 2013-12-18 | 东莞市飞新达精密机械科技有限公司 | 片材产品模切加工除废边方法及系统 |
| CN108587498A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-09-28 | 无锡智高点技术研发有限公司 | 一种双面胶模切加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110581100A (zh) | 2019-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11349105B2 (en) | Film attaching method, manufacturing method of display panel and display device | |
| CN103681357B (zh) | 柔性显示器件及其制作方法、显示装置 | |
| CN102471648B (zh) | 粘接片的制造方法及粘接片 | |
| KR20070029068A (ko) | 기판의 박판화 방법 및 회로소자의 제조방법 | |
| CN110581100B (zh) | 一种传感器的划切方法 | |
| EP1215722A3 (en) | Protecting adhesive film for a semiconductor wafer | |
| CN101290893A (zh) | 传感器芯片的封胶方法 | |
| US7846776B2 (en) | Methods for releasably attaching sacrificial support members to microfeature workpieces and microfeature devices formed using such methods | |
| KR20140107141A (ko) | 반도체 칩의 제조 방법 | |
| KR101449909B1 (ko) | 캐리어 지지 테이프로부터 접착제 필름의 잘려진 스크랩을 제거하는 방법 | |
| JP7211239B2 (ja) | 電子部品の収容方法 | |
| JP2011054648A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN209374429U (zh) | 封装体 | |
| US6528354B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US9806034B1 (en) | Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof | |
| KR101456673B1 (ko) | 테입 구조물 및 이를 이용한 웨이퍼 분리 방법 및 장치 | |
| CN110534647A (zh) | 柔性衬底、显示基板和显示面板 | |
| US11189518B2 (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
| JP6613677B2 (ja) | 脆性基板の分断方法及び分断装置 | |
| KR20170022524A (ko) | 취성 기판의 분단 방법 및 분단 장치 | |
| WO2022224814A1 (ja) | シート、薄化ウエハハンドリング用シート、薄型ウエハのハンドリング方法及び薄型デバイスのハンドリング方法 | |
| JP2009099834A (ja) | 可撓性基板 | |
| KR101898479B1 (ko) | 복수 캐리어 기판을 이용한 인쇄회로기판 제조 방법 | |
| CN115821202A (zh) | 封装电子产品的磁控溅射方法、装置、设备及存储介质 | |
| KR20140028644A (ko) | 임시 접착 구조물 및 이를 이용한 웨이퍼 가공 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200603 Address after: 261061 building 10, Geer phase II Industrial Park, No. 102, Ronghua Road, Ronghua community, Xincheng street, high tech Zone, Weifang City, Shandong Province Applicant after: Weifang goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Applicant before: GOERTEK Inc. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |