CN101290893A - 传感器芯片的封胶方法 - Google Patents

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Abstract

一种传感器芯片的封胶方法，其包括如下步骤：在传感器芯片的主动面上形成一层保护层，该保护层至少覆盖该主动面的感测区；该传感器芯片的该主动面朝向一个暂时载体，且该保护层贴附至该暂时载体；在该暂时载体上形成一个封胶体，该封胶体覆盖该传感器芯片的背面与若干个侧面；之后，在该封胶体形成若干个电连接组件并电性连接至该传感器芯片的若干个焊垫；移除该保护层，以显露出该感测区。通过该保护层的覆盖保护，以避免该感测区在封胶时受到污染，特别可运用于晶圆级封胶，可使封胶完成后的外形整齐美观，且体积较小，并提升生产效率。

Description

传感器芯片的封胶方法
技术领域
本发明是关于传感器芯片的封胶技术，特别是关于一种局部覆盖传感器芯片的侧面与背面的封胶方法。
背景技术
在影像传感器封装构造中，传感器芯片内的感测区极为敏感，所以在封装过程中，为避免感测区遭受污染或损坏，传感器芯片在封装制程之前会在感测区上方覆盖一透光片。
如第1图所示，一种现有影像传感器的封装构造100包含有一基板110、一影像感测芯片120、一透光片130、若干个电连接组件140及一封胶体150。该基板110具有一上表面111以及若干个连接垫112。该影像感测芯片120具有一主动面121，该主动面121形成有若干个焊垫122并包含有一感测区123，运用现有的黏晶技术，将该影像感测芯片120设置于该基板110的该上表面111。该影像感测芯片120的该主动面121上预先贴附该透光片130，该透光片130是用来覆盖该影像感测芯片120的该感测区123，以防止该感测区123在封装过程中受到污染。通常，该透光片130是不覆盖至该影像感测芯片120的该些焊垫122，以便于该些电连接组件140连接该影像感测芯片120的该些焊垫122与该基板110的该些连接垫112，该些电连接组件140为打线形成的焊线。该封胶体150是点涂于该基板110的该上表面111，以密封该些电连接组件140、该些焊垫122及该些连接垫112。
由于该影像感测芯片120是黏贴于该基板110，并以该些电连接组件140电性连接该影像感测芯片120与该基板110，因此使得该影像传感器的封装构造100的体积无法缩小，同时，在该影像感测芯片120上设置该透光片130也造成制造成本的增加。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种传感器芯片的封胶方法，其封装构造外形整齐美观、体积较小，而且能够提升产品的生产效率。
根据前述目的，本发明的传感器芯片的封胶方法，首先，提供至少一传感器芯片，其具有一主动面、一对应的背面并定义有若干个在该主动面与该背面之间的侧面，该主动面形成有若干个焊垫并包含有一感测区；之后，在该传感器芯片的该主动面形成一保护层，该保护层至少覆盖该感测区；接着，贴附该传感器芯片至一暂时载体，其是以该传感器芯片的该主动面朝向该暂时载体，并以该保护层贴附至该暂时载体；然后，在该暂时载体上形成一封胶体，该封胶体覆盖该传感器芯片的该背面与该些侧面；之后，移除该暂时载体；接着，在该封胶体内形成若干个电连接组件，其电性连接至该些焊垫；以及，移除该保护层，以显露该感测区。
与现有技术相比，本发明的方法由于在制程中该传感器芯片的该感测区被该保护层覆盖，因此可保护该感测区不被污染，且使该影像传感器的封装构造外形整齐美观、体积较小且可运用于晶圆级封胶，具有提升生产效率的功效。
附图说明
图1是现有影像传感器的封装构造的截面示意图。
图2A至图2M是依据本发明的一具体实施例，一传感器芯片在一种封胶过程中的截面示意图。
具体实施方式
本发明揭示一种传感器芯片的封胶方法。首先，如图2A所示，提供至少一传感器芯片210，该传感器芯片210可一体构成于一尚未切割的晶圆，该传感器芯片210可为一CMOS影像感测芯片，其具有一主动面211、一对应的背面212并定义有若干个在该主动面211与该背面212之间的侧面213，该主动面211形成有若干个焊垫214并包含有一感测区215。较佳地，该传感器芯片210的该主动面211周边形成有倒角216，以避免进行封胶步骤时发生应力集中而使得该传感器芯片210崩裂。之后，如图2B所示，在该传感器芯片210的该主动面211形成一保护层220，该保护层220至少覆盖该主动面211的该感测区215。较佳地，该保护层220覆盖至该些焊垫214。该保护层220为一种极容易移除的物质，例如光阻材料或是热熔胶，以在封胶与电连接等制程中暂时性保护该感测区215。在本实施例中，该保护层220为一感旋光性干膜，其材质可为环氧树脂系、压克力系以及聚亚酰胺系列，该保护层220照光后能通过温和的显影溶剂洗除，所以能轻易移除而不会对该传感器芯片210的该感测区215造成污染及损伤。然在不同实施例中，当该保护层220可为透明材质时，则可不必移除，以直接保护该感测区215。
接着，如图2C所示，将传感器芯片210贴附至一暂时载体230，该传感器芯片210的该主动面211朝向该暂时载体230，并以该保护层220贴附至该暂时载体230。在本实施例中，该载时载体230为一UV胶带，其具有UV灯照射后即失去黏着性的特性，使该暂时载体230易于除去。因此，该暂时载体230并不需要直接黏着至该传感器芯片210，即具有固定该传感器芯片210与保护该感测区215不被污染的功效。此外，在本实施例中，该传感器芯片210贴附至该暂时载体230之前，该传感器芯片210是一体构成于一晶圆内，因此在该传感器芯片210贴附至该暂时载体230之后，需进行晶圆切割步骤，以单体化分离该传感器芯片210，并显露出该些侧面213。
接着，如图2D所示，可利用压模技术在该暂时载体230上形成一封胶体240，该封胶体240覆盖该传感器芯片210的该背面212与该些侧面213。较佳地，在形成该封胶体240时，可利用模具设计使该封胶体240具有若干个指状凹槽241。之后，如图2E所示，在该些指状凹槽241内可填充或电镀铜、镍金及铝等导电金属，以形成若干个第一电连接组件251。接着，如图2F所示，移除该暂时载体230。之后，如图2G所示，以雷射钻孔方式在该封胶体240内形成若干个通孔242，其连通至对应的该些第一电连接组件251。接着，如图2H所示，在该些通孔242内可填充或电镀铜、镍金及铝等导电金属，以在该封胶体240的该些通孔242内形成若干个第二电连接组件252，该些第二电连接组件252连接至该些第一电连接组件251。接着，如图2I所示，再以雷射等方法形成若干个沟槽243，该些沟槽243是形成于该封胶体240位于该传感器芯片210的该主动面211上方，该些沟槽243是由该些第二电连接组件252延伸至该传感器芯片210的该些焊垫214。之后，如图2J所示，在该些沟槽243内可填充或电镀铜、镍金或铝等导电金属，以在该些沟槽243内形成若干个第三电连接组件253，该些第三电连接组件253电性连接该些第二电连接组件252与该些焊垫214，可为线路型态或引脚型态。
接着，如图2K所示，必要时，可利用光阻清洗剂或是适当的蚀刻剂来移除该保护层220，以显露该感测区215。因此，在封胶过程中通过该保护层220覆盖该感测区215，可避免该感测区215在封胶过程中受到污染。
之后，如图2L所示，当该保护层220被移除之后，可在该传感器芯片210的该主动面211形成一透光性钝化层260，可更覆盖至该封胶体240上，以保护该感测区215及该些第三电连接组件253。再如第2L图所示，可利用一切割工具310切割该封胶体240，以单离出如图2M所示的若干个已封胶及电性连接完成的影像传感器封装构造200。
因此，本发明的传感器芯片的封胶方法可特别适用于传感器芯片的晶圆级封胶制程，通过该保护层220之制程中覆盖，避免该感测区215于封胶过程中遭受污染，可使封胶后之外形整齐美观，且体积较小，并提升生产效率。

Claims (10)

1、一种传感器芯片的封胶方法，其包含如下步骤：
提供至少一传感器芯片，其具有一主动面、一对应的背面并定义有若干个在该主动面与该背面之间的侧面，该主动面形成有若干个焊垫并包含有一感测区；
在该传感器芯片的该主动面形成一保护层，该保护层至少覆盖该感测区；
贴附该传感器芯片至一暂时载体，该传感器芯片的该主动面朝向该暂时载体，并以该保护层贴附至该暂时载体；
在该暂时载体上形成一封胶体，该封胶体覆盖该传感器芯片的该背面与该些侧面；
移除该暂时载体；以及
在该封胶体形成若干个电连接组件，其电性连接至该些焊垫。
2、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：其另包含移除该保护层，以显露出该感测区的步骤。
3、如权利要求2所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：该保护层为一感旋光性干膜。
4、如权利要求2所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：其另包含在移除该保护层之后，在该传感器芯片的该主动面形成一透光性钝化层，以保护该感测区及该些电连接组件的步骤。
5、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：该封胶体具有若干个指状凹槽，以供形成导电金属。
6、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：在形成该些电连接组件步骤中另包含如下步骤：
在该封胶体形成若干个通孔；以及
在该些通孔内形成导电金属。
7、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：在形成该些电连接组件步骤中另包含如下步骤：
在该封胶体形成若干个沟槽，该些沟槽位于该传感器芯片的该主动面上方并延伸至该传感器芯片的该些焊垫；以及
在该些沟槽内形成导电金属。
8、如权利要求5、6或7所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：上述形成导电金属的方法包括电镀。
9、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：该传感器芯片的该主动面周边系形成有倒角。
10、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：其另包含有，在该传感器芯片贴附至该暂时载体之前，该传感器芯片为一体构成于一晶圆内，对晶圆进行切割，以单离该传感器芯片的步骤。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103219297A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 矽品精密工业股份有限公司 承载板、半导体封装件及其制法
CN103295978A (zh) * 2012-03-03 2013-09-11 矽品精密工业股份有限公司 半导体封装件及其制法
CN103855067A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 硕达科技股份有限公司 影像感应芯片封装方法
CN103855066A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 硕达科技股份有限公司 可保护芯片的影像感应芯片封装方法
CN106098717A (zh) * 2016-08-05 2016-11-09 华天科技（昆山）电子有限公司 高可靠性芯片封装方法及结构
CN108630556A (zh) * 2017-03-23 2018-10-09 南茂科技股份有限公司 指纹识别封装结构及其制造方法
CN110286565A (zh) * 2019-07-02 2019-09-27 芯盟科技有限公司 Opc建模装置及其形成方法、opc建模方法
CN112864105A (zh) * 2019-11-27 2021-05-28 恒劲科技股份有限公司 感测装置的封装结构以及其制造方法
CN113644139A (zh) * 2020-04-23 2021-11-12 华为技术有限公司 一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制备方法
US11183414B2 (en) 2017-02-13 2021-11-23 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Secondary packaging method and secondary package of through silicon via chip

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI242820B (en) * 2005-03-29 2005-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor semiconductor device and method for fabricating the same
TW200641969A (en) * 2005-05-27 2006-12-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor type semiconductor device and method for fabricating thereof

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103219297A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 矽品精密工业股份有限公司 承载板、半导体封装件及其制法
CN103295978A (zh) * 2012-03-03 2013-09-11 矽品精密工业股份有限公司 半导体封装件及其制法
CN103855067A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 硕达科技股份有限公司 影像感应芯片封装方法
CN103855066A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 硕达科技股份有限公司 可保护芯片的影像感应芯片封装方法
CN106098717A (zh) * 2016-08-05 2016-11-09 华天科技（昆山）电子有限公司 高可靠性芯片封装方法及结构
US11183414B2 (en) 2017-02-13 2021-11-23 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Secondary packaging method and secondary package of through silicon via chip
CN108630556A (zh) * 2017-03-23 2018-10-09 南茂科技股份有限公司 指纹识别封装结构及其制造方法
CN110286565A (zh) * 2019-07-02 2019-09-27 芯盟科技有限公司 Opc建模装置及其形成方法、opc建模方法
CN110286565B (zh) * 2019-07-02 2022-03-15 芯盟科技有限公司 Opc建模装置及其形成方法、opc建模方法
CN112864105A (zh) * 2019-11-27 2021-05-28 恒劲科技股份有限公司 感测装置的封装结构以及其制造方法
CN112864105B (zh) * 2019-11-27 2024-04-02 恒劲科技股份有限公司 感测装置的封装结构的制造方法
CN113644139A (zh) * 2020-04-23 2021-11-12 华为技术有限公司 一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制备方法

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