CN108630556A - 指纹识别封装结构及其制造方法 - Google Patents
指纹识别封装结构及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108630556A CN108630556A CN201710532412.3A CN201710532412A CN108630556A CN 108630556 A CN108630556 A CN 108630556A CN 201710532412 A CN201710532412 A CN 201710532412A CN 108630556 A CN108630556 A CN 108630556A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- packing colloid
- fingerprint recognition
- substrate
- connection pad
- conduction column
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
本发明提供一种指纹识别封装结构的制造方法，包括：提供基板。配置多个导通柱至基板。配置指纹识别芯片至基板，其中指纹识别芯片包括多个接垫。形成封装胶体在基板上并包封指纹识别芯片及这些导通柱的周围，这些导通柱及这些接垫外露于封装胶体，封装胶体包括多个凹沟，这些凹沟至少位于对应于这些导通柱与这些接垫之间的部位。形成导电层至封装胶体上，其中导电层填入这些凹沟并连接这些导通柱与这些接垫。移除导电层在这些凹沟以外的部分，以形成埋设于封装胶体的多条走线。配置保护层至封装胶体上。本发明还提供一种指纹识别封装结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构及其制造方法，尤其涉及一种指纹识别封装结构及其制造方法。
背景技术
指纹识别芯片封装结构能够装设于各类的电子产品，例如智能手机、移动电话、平板电脑、笔记本电脑以及个人数字助理(PDA)等，用以辨认使用者的指纹，而要如何能够制造出高灵敏度的指纹识别封装结构是本领域亟欲探讨的课题。
发明内容
本发明提供一种指纹识别封装结构的制造方法，其可制造出高灵敏度的指纹识别封装结构。
本发明提供一种指纹识别封装结构，其具有高灵敏度。
本发明的一种指纹识别封装结构的制造方法，包括：提供基板；配置多个导通柱至基板；配置指纹识别芯片至基板，其中指纹识别芯片包括远离基板的主动面及位于主动面的多个接垫；形成封装胶体在基板上并包封指纹识别芯片及这些导通柱的周围，其中这些导通柱及这些接垫外露于封装胶体，封装胶体包括多个凹沟，这些凹沟至少位于对应于这些导通柱与这些接垫之间的部位；形成导电层至封装胶体上，其中导电层填入这些凹沟并连接这些导通柱与这些接垫；移除导电层在这些凹沟以外的部分，以形成埋设在封装胶体的多条走线；以及配置保护层至封装胶体上。
在本发明的一实施例中，在形成封装胶体于基板上的步骤中，还包括：提供模具，其中模具包括压模表面及凸出于压模表面的多个凸出部；以及在基板与模具之间形成封装胶体，封装胶体的这些凹沟对应在模具的这些凸出部，这些导通柱与这些接垫外露在这些凹沟的底面，且各凹沟从其中一个导通柱延伸至对应的接垫。
在本发明的一实施例中，各凹沟在对应于导通柱与接垫的部位的深度大于在对应于导通柱与接垫之间的部位的深度。
在本发明的一实施例中，在形成封装胶体于基板上的步骤中，还包括：提供模具；在基板与模具之间形成封装胶体，其中封装胶体包封指纹识别芯片及这些导通柱；磨除部分的封装胶体，以使这些导通柱及这些接垫外露；以及将封装胶体在位于这些导通柱与这些接垫之间的部分移除，以形成这些凹沟。
在本发明的一实施例中，在形成封装胶体在基板上的步骤中，还包括：提供模具；在基板与模具之间形成封装胶体，其中封装胶体包封指纹识别芯片及这些导通柱的周围，且这些导通柱与这些接垫外露于封装胶体；将封装胶体在位于这些导通柱与这些接垫之间的部分移除，以形成这些凹沟。
在本发明的一实施例中，在形成这些凹沟的步骤中，还包括：封装胶体上以激光切割的方式形成这些凹沟。
在本发明的一实施例中，上述的导电层以电镀、溅镀或涂布的方式配置于封装胶体。
在本发明的一实施例中，在移除部分的导电层的步骤中，以磨除或蚀刻的方式以将导电层在位于这些凹沟之外的部分移除。
本发明的一种指纹识别封装结构，包括基板、多个导通柱、指纹识别芯片、封装胶体、多条走线及保护层。这些导通柱配置于基板。指纹识别芯片配置于基板且包括远离基板的主动面及位于主动面的多个接垫。封装胶体配置于基板上并包封指纹识别芯片及这些导通柱。这些走线分别连接这些导通柱与这些接垫，且埋设封装胶体。保护层设置在封装胶体上。
在本发明的一实施例中，上述的封装胶体包括多个凹沟，这些凹沟分别从对应于这些导通柱处延伸至对应于这些接垫处，且这些走线位于这些凹沟内。
基于上述，本发明的指纹识别封装结构的制造方法通过在封装胶体上对应于这些导通柱与这些接垫之间的部位设有多个凹沟，并在封装胶体的凹沟内形成埋设于封装胶体且连接于导通柱与接垫的多条走线，再将保护层配置至封装胶体上。上述制造方法可使得指纹识别封装结构的指纹识别芯片与保护层之间只有接垫及单层走线，指纹识别芯片的主动面与保护层之间的距离可以相当接近，而有助于提高指纹识别封装结构的感测灵敏度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1至图7是依照本发明的一实施例的一种指纹识别封装结构的制造方法的流程示意图。
图8至图14是依照本发明的另一实施例的一种指纹识别封装结构的制造方法的流程示意图。
附图标记说明
10、20：模具
11：压模表面
12、14：凸出部
100、100a：指纹识别封装结构
110：基板
120：导通柱
130：指纹识别芯片
132：主动面
134：接垫
140：封装胶体
142、144：凹沟
150：导电层
152、154：走线
160：保护层
具体实施方式
本发明的指纹识别封装结构的制造方法可制造出指纹识别芯片的主动面相当接近保护层的指纹识别封装结构，而能具有高灵敏度，下面将对此进行说明。
图1至图7是依照本发明的一实施例的一种指纹识别封装结构的制造方法的流程示意图。本实施例的指纹识别封装结构100的制造方法包括下列步骤。首先，请参阅图1，提供基板110。在本实施例中，基板110可为电路板，例如是硬式电路板或可挠性电路板。接着，配置多个导通柱120至基板110。导通柱120的材料例如是铜或其合金，但不以此为限制。
请参阅图2，配置指纹识别芯片130至基板110上，其中指纹识别芯片130包括远离基板110的主动面132及位于主动面132的多个接垫134。在本实施例中，每个接垫134具有对应的导通柱120，也就是说，接垫134的数量与导通柱120的数量相同，且接垫134的顶面与导通柱120的顶面位于同一平面。当然，在其他实施例中，接垫134的数量与导通柱120的数量也可以不同，且接垫134的顶面与导通柱120的顶面也可以位于不同平面。此外，在本实施例中，指纹识别芯片130可通过粘晶(die attach)制程固定在基板110上，在进行粘晶制程时，需先形成胶层(未示出)在指纹识别芯片130的背面，再黏附至基板110上。胶层可为环氧树脂、银胶、粘晶胶膜(DAF)、两阶段热固性树脂或其他适当的材料。
再来，形成封装胶体140在基板110上并包封指纹识别芯片130及这些导通柱120的周围。在本实施例中，在形成封装胶体140在基板110上的步骤中，还包括：提供模具10。请参阅图3A与图3B，图3B是图3A中模具10的俯视图。在本实施例中，模具10包括压模表面11及凸出于压模表面11的多个凸出部12、14。如图3A所示，这些凸出部12、14有两种高度，较高的这些凸出部12的位置对应于这些导通柱120及这些接垫134的位置，较低的这些凸出部14的位置对应于这些导通柱120及这些接垫134之间的位置。
接着，请参阅图4，在基板110与模具10之间形成封装胶体140，封装胶体140具有多个凹沟142，这些凹沟142对应于模具10的这些凸出部12、14。在本实施例中，各凹沟142在对应于导通柱120与接垫134的部位的深度大于在对应于导通柱120与接垫134之间的部位的深度。也就是说，封装胶体140的凹沟142会有两个深度，在导通柱120及接垫134处的凹沟142深度较深，在导通柱120及接垫134之间的部位的深度较浅。由图4可看到，这些导通柱120与这些接垫134外露于这些凹沟142的底面，且各凹沟142从其中一个导通柱120延伸至对应的接垫134。
再来，请参阅图5，形成导电层150至封装胶体140上，其中导电层150填入这些凹沟142并连接这些导通柱120与这些接垫134。在本实施例中，导电层150可以电镀、溅镀或涂布的方式配置在封装胶体140上。
接着，请参阅图6A与图6B，图6B是图6A的仰视图。移除导电层150在这些凹沟142以外的部分，仅留下凹沟142内之导电层150，以形成埋设在封装胶体140的多条走线152。在本实施例中，可通过磨除、激光烧蚀或蚀刻的方式以将导电层150在位于这些凹沟142之外的部分移除。
最后，请参阅图7，配置保护层160至封装胶体140上，而形成本实施例的指纹识别封装结构100。在本实施例中，保护层160可为高介电常数材料所构成，例如：蓝宝石、玻璃、陶瓷、石英、压克力或塑胶等。另一方面，保护层160的硬度较高，故具有防刮的特性。保护层160配置到封装胶体140上的方式可以通过使用粘胶层(未示出)来固定。粘胶层例如是B阶胶材或FOW(Film-over-wire)材质，其粘滞系数较低，且固化时所需的温度较低，且不易变形。当然，保护层160配置到封装胶体140上的方式及并粘胶层的种类不以此为限制。
如图7所示，本实施例的指纹识别封装结构100包括基板110、多个导通柱120、指纹识别芯片130、封装胶体140、多条走线152及保护层160。这些导通柱120配置于基板110。指纹识别芯片130配置于基板110且包括远离基板110的主动面132及位于主动面132的多个接垫134。封装胶体140配置于基板110上并包封指纹识别芯片130及这些导通柱120。在本实施例中，封装胶体140包括多个凹沟142，这些凹沟142分别从对应于这些导通柱120处延伸至对应于这些接垫134处。这些走线152位于这些凹沟142内而埋设封装胶体140，且分别连接这些导通柱120与这些接垫134。保护层160设置在封装胶体140上。
当使用者的手指触摸保护层160的表面时，手指指纹的凹凸与指纹识别芯片130的主动面132之间的距离差异会造成电容值变化，其中感测所得的电容值变化便可转换成指纹信息以供识别。本实施例的指纹识别封装结构100的指纹识别芯片130与保护层160之间只有接垫134及单层走线152，这使得指纹识别芯片130的主动面132与保护层160之间的距离可以相当接近，而有助于提高指纹识别封装结构100的感测灵敏度。
下面介绍另一种指纹识别封装结构100a的制造方法。需说明的是，在下面的实施例中，与前一实施例相同或相似的元件以相同或相似的符号表示。图8至图14是依照本发明的另一实施例的一种指纹识别封装结构100的制造方法的流程示意图。
在本实施例中，首先，可如同图1至图2所示地在基板110上设置导通柱120与指纹识别芯片130。接着，在形成封装胶体140在基板110上的步骤中，请参阅图8与图9，提供模具20，并在基板110与模具20之间形成封装胶体140，其中封装胶体140包封指纹识别芯片130及这些导通柱120。在本实施例中，模具10的压模表面是平整的。再来，请参阅图10，磨除部分的封装胶体140，以使这些导通柱120及这些接垫134外露。
值得一提的是，在其他实施例中，当形成封装胶体140时，封装胶体140也可以是只包封指纹识别芯片130及这些导通柱120的周围。也就是说，模具10可以接触这些导通柱120及这些接垫134，而使得封装胶体140在形成之后，这些导通柱120与这些接垫134会外露于封装胶体140。如此，就可以省略图10所示地磨除封装胶体140，以使这些导通柱120及这些接垫134外露的步骤。
接着，请参阅图11，将封装胶体140在位于这些导通柱120与这些接垫134之间的部分移除，以形成这些凹沟144。在本实施例中，这些凹沟144位于对应于这些导通柱120与这些接垫134之间的部位。在形成这些凹沟144的步骤中，可通过以激光切割的方式形成这些凹沟144，当然，形成这些凹沟144的方法并不以此为限制。
再来，请参阅图12，形成导电层150至封装胶体140上，其中导电层150填入这些凹沟144并连接这些导通柱120与这些接垫134。在本实施例中，导电层150以电镀、溅镀或涂布的方式配置于封装胶体140。
继续，请参阅图13，移除导电层150在这些凹沟144以外的部分，以形成埋设在封装胶体140的多条走线154。在本实施例中，在移除部分的导电层150的步骤中，以磨除或蚀刻的方式以将导电层150在位于这些凹沟144之外的部分移除。值得一提的是，若导电层150以网版的方式而在封装胶体140上直接形成走线154，则可省略图13的步骤。
最后，请参阅图14，配置保护层160至封装胶体140上，而形成本实施例的指纹识别封装结构100a。由图14可看到，在本实施例的指纹识别封装结构100a中，接垫134与走线154位于同一平面，而使得指纹识别芯片130的主动面与保护层160之间的距离更为接近，而有助于提高指纹识别封装结构100的感测灵敏度。
综上所述，本发明的指纹识别封装结构的制造方法通过在封装胶体上对应于这些导通柱与这些接垫之间的部位设有多个凹沟，并在封装胶体的凹沟内形成埋设于封装胶体且连接于导通柱与接垫的多条走线，再将保护层配置至封装胶体上。上述制造方法可使得指纹识别封装结构的指纹识别芯片与保护层之间只有接垫及单层走线，指纹识别芯片与保护层之间的距离可以相当接近，而有助于提高指纹识别封装结构的感测灵敏度。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (10)
1.一种指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供基板；
配置多个导通柱至所述基板；
配置指纹识别芯片至所述基板，其中所述指纹识别芯片包括远离所述基板的主动面及位于所述主动面的多个接垫；
形成封装胶体在所述基板上并包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱的周围，其中所述多个导通柱及所述多个接垫外露于所述封装胶体，所述封装胶体包括多个凹沟，所述多个凹沟至少位于对应于所述多个导通柱与所述多个接垫之间的部位；
形成导电层至所述封装胶体上，其中所述导电层填入所述多个凹沟并连接所述多个导通柱与所述多个接垫；
移除所述导电层在所述多个凹沟以外的部分，以形成埋设在所述封装胶体的多条走线；以及
配置保护层至所述封装胶体上。
2.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，在形成所述封装胶体在所述基板上的步骤中，还包括：
提供模具，其中所述模具包括压模表面及凸出于所述压模表面的多个凸出部；以及
在所述基板与所述模具之间形成所述封装胶体，所述封装胶体的所述多个凹沟对应于所述模具的所述多个凸出部，所述多个导通柱与所述多个接垫外露在所述多个凹沟的底面，且各所述凹沟从其中一个所述导通柱延伸至对应的所述接垫。
3.根据权利要求2所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，各所述凹沟在对应于所述导通柱与所述接垫的部位的深度大于在对应于所述导通柱与所述接垫之间的部位的深度。
4.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，在形成所述封装胶体在所述基板上的步骤中，还包括：
提供模具；
在所述基板与所述模具之间形成所述封装胶体，其中所述封装胶体包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱；
磨除部分的所述封装胶体，以使所述多个导通柱及所述多个接垫外露；以及
将所述封装胶体在位于所述多个导通柱与所述多个接垫之间的部分移除，以形成所述多个凹沟。
5.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，在形成所述封装胶体在所述基板上的步骤中，还包括：
提供模具；
在所述基板与所述模具之间形成所述封装胶体，其中所述封装胶体包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱的周围，且所述多个导通柱与所述多个接垫外露于所述封装胶体；
将所述封装胶体在位于所述多个导通柱与所述多个接垫之间的部分移除，以形成所述多个凹沟。
6.根据权利要求4或5所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，在形成所述多个凹沟的步骤中，还包括：
所述封装胶体上以激光切割的方式形成所述多个凹沟。
7.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，所述导电层以电镀、溅镀或涂布的方式配置于所述封装胶体。
8.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，在移除部分的所述导电层的步骤中，以磨除或蚀刻的方式以将所述导电层在位于所述多个凹沟之外的部分移除。
9.一种指纹识别封装结构，其特征在于，包括：
基板；
多个导通柱，配置在所述基板；
指纹识别芯片，配置在所述基板且包括远离所述基板的主动面及位于所述主动面的多个接垫；
封装胶体，配置在所述基板上并包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱；
多条走线，分别连接所述多个导通柱与所述多个接垫，且埋设所述封装胶体；以及
保护层，设置在所述封装胶体上。
10.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法，其特征在于，所述封装胶体包括多个凹沟，所述多个凹沟分别从对应于所述多个导通柱处延伸至对应于所述多个接垫处，且所述多个走线位于所述多个凹沟内。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106109655A TWI604538B (zh) | 2017-03-23 | 2017-03-23 | 指紋辨識封裝結構及其製造方法 |
| TW106109655 | 2017-03-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108630556A true CN108630556A (zh) | 2018-10-09 |
Family
ID=61023099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710532412.3A Pending CN108630556A (zh) | 2017-03-23 | 2017-07-03 | 指纹识别封装结构及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108630556A (zh) |
| TW (1) | TWI604538B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101290893A (zh) * | 2007-04-16 | 2008-10-22 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 传感器芯片的封胶方法 |
| CN204143462U (zh) * | 2014-10-17 | 2015-02-04 | 茂丞科技股份有限公司 | 具有防刮功能的指纹传感器 |
| CN104851853A (zh) * | 2015-05-19 | 2015-08-19 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 指纹识别芯片的封装结构及封装方法 |
| CN105161433A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-16 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 扇出型晶圆级封装方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI493187B (zh) * | 2014-02-17 | 2015-07-21 | Morevalued Technology Co Let | 藉由信號外延結構形成之具有平坦接觸面之生物感測器及其製造方法 |
| TWI606562B (zh) * | 2015-01-16 | 2017-11-21 | 恆勁科技股份有限公司 | 電子封裝結構 |
| US9898645B2 (en) * | 2015-11-17 | 2018-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fingerprint sensor device and method |
| TWM519281U (zh) * | 2015-12-28 | 2016-03-21 | Metrics Technology Co Ltd J | 指紋辨識裝置 |
-
2017
- 2017-03-23 TW TW106109655A patent/TWI604538B/zh active
- 2017-07-03 CN CN201710532412.3A patent/CN108630556A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101290893A (zh) * | 2007-04-16 | 2008-10-22 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 传感器芯片的封胶方法 |
| CN204143462U (zh) * | 2014-10-17 | 2015-02-04 | 茂丞科技股份有限公司 | 具有防刮功能的指纹传感器 |
| CN104851853A (zh) * | 2015-05-19 | 2015-08-19 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 指纹识别芯片的封装结构及封装方法 |
| CN105161433A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-16 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 扇出型晶圆级封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI604538B (zh) | 2017-11-01 |
| TW201836025A (zh) | 2018-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108229340B (zh) | 指纹感测模块及其制造方法、智能卡及其制造方法 | |
| US20180336393A1 (en) | Fingerprint sensing unit | |
| US9646905B2 (en) | Fingerprint sensor package and method for fabricating the same | |
| CN104867883A (zh) | 指纹辨识芯片封装模块及其制造方法 | |
| US9892302B2 (en) | Fingerprint sensing device and method for producing the same | |
| US20170243046A1 (en) | Fingerprint identification module and manufacturing method thereof | |
| CN105261608B (zh) | 高密度芯片到芯片连接 | |
| KR20160055100A (ko) | 수직 기둥들을 갖는 오버랩핑 적층형 다이 패키지 | |
| US9679188B2 (en) | Fingerprint sensor packaging module and manufacturing method thereof | |
| US9978673B2 (en) | Package structure and method for fabricating the same | |
| CN205427873U (zh) | 指纹感测单元及指纹感测模块 | |
| US9542598B2 (en) | Package structure and fabrication method thereof | |
| CN109891430B (zh) | 指纹传感器模块以及用于制造指纹传感器模块的方法 | |
| US20170243045A1 (en) | Fingerprint identification module and manufacturing method thereof | |
| US12091312B2 (en) | Sensor and package assembly thereof | |
| US10679917B2 (en) | Chip package structure, terminal device, and method | |
| CN108074904A (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| CN105895590A (zh) | 晶片尺寸等级的感测晶片封装模组及其制造方法 | |
| CN104303288A (zh) | 指纹传感器封装件及其制造方法 | |
| US11501553B2 (en) | Cost-efficient fingerprint sensor component and manufacturing method | |
| US10438895B1 (en) | Flexible micro-module | |
| CN108630556A (zh) | 指纹识别封装结构及其制造方法 | |
| US20170243047A1 (en) | Fingerprint identification module and manufacturing method thereof | |
| CN106158808B (zh) | 电子封装件及其制法 | |
| CN108962868B (zh) | 封装结构及其制法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20181009 |