JP5903168B2 - 接着フィルムを、ダイシングテープ上のプレカットされた半導体ウェハの形状に製造する方法 - Google Patents

接着フィルムを、ダイシングテープ上のプレカットされた半導体ウェハの形状に製造する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5903168B2
JP5903168B2 JP2014547258A JP2014547258A JP5903168B2 JP 5903168 B2 JP5903168 B2 JP 5903168B2 JP 2014547258 A JP2014547258 A JP 2014547258A JP 2014547258 A JP2014547258 A JP 2014547258A JP 5903168 B2 JP5903168 B2 JP 5903168B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive film
release liner
cut
adhesive
support carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014547258A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015500391A (ja
Inventor
ヨンサン キム、
ヨンサン キム、
ジェフリー グレイ、
ジェフリー グレイ、
ケビン ベッカー、
ケビン ベッカー、
Original Assignee
ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング, ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Publication of JP2015500391A publication Critical patent/JP2015500391A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5903168B2 publication Critical patent/JP5903168B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/204—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive coating being discontinuous
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/27003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/271—Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/271—Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
    • H01L2224/2711—Shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

本発明は、ダイシングテープ上にダイ取付接着剤を準備する製造工程において、切り取られた接着フィルムの切れ端をキャリア支持テープから取り除く方法に関する。
集積回路は、シリコンおよびガリウムヒ素等の材料から構成される半導体ウェハの表面に作製される。そして、ソーまたはレーザを用いたウェハのダイシングによって、ウェハは個々の集積回路に分離される。ソーまたはレーザを用いるウェハのダイシングはウェハに対する圧力を生じる。この圧力に対抗するため、ダイシング操作の間、ウェハはダイシングテープと呼ばれるシートまたはテープ上に支持される。ダイシング後、個々の集積回路はウェハから個片化され、次いで、最終的な電子装置用の回路の製造に使用される基板に結合される。
集積回路の基板への結合は、接着性樹脂および最大約９０質量％までの導電性充填材を含有する、ダイ取付接着剤として知られる接着剤を用いて成し遂げられる。ダイ取付接着剤は、ダイのうち回路素子を含む側とは反対側に、または基板に直接塗布することができる。ダイシング前にウェハの裏面にダイ取付接着剤を直接塗布する方が、個片化された各集積回路または基板上の結合箇所にダイ取付接着剤を塗布するよりも効率的であるので、現在の作業工程ではダイシング前に直接塗布することが好まれている。
ウェハに塗布するためのダイ取付接着剤は、半導体ウェハの形状のフィルムとして支持キャリア上に提供される。そのような形状を得るために、支持キャリアは接着剤で被覆され、支持キャリア上に接着剤のフィルムが形成され、接着フィルムに半導体の形の切り込みが入れられ、そして、接着剤の切れ端が切り取られて支持キャリアから取り除かれる。小型化の要求に応えるため、接着フィルムは薄く、導電性充填材が多く充填されており、このため、接着フィルムはもろくなっている。切り取られた切れ端が機械的に剥がされるときに接着フィルムに対する張力が接着フィルムを破断させるため、切り取られた接着剤の切れ端の一部は支持キャリアから取り除かれない。そして、この接着フィルムの切れ端は手で取り除かれなければならず、これは製造工程の中断および製造時間ロスの原因となる。このため、１つの操作で支持キャリアから接着フィルムの切れ端を完全に取り除き、後のウェハへの積層のために半導体ウェハの形の接着フィルムのみを残す手段の必要性が生じる。
本発明は、接着フィルムの切り取られた切れ端（ｓｃｒａｐ）をキャリア支持テープから取り除く方法に関する。この方法は、（ａ）支持キャリア、接着フィルムおよび剥離ライナがこの順にある集成体を提供するステップであって、前記集成体は、剥離ライナの方向から、剥離ライナを通り、接着フィルムを通って、支持キャリア中へ部分的に、形が切り込まれている、ステップと、（ｂ）切り込まれた形状周囲の接着フィルムを露出するように、切り込まれた形状周囲の接着フィルムから剥離ライナを取り除くステップと、（ｃ）切り込まれた形状周囲の露出した接着フィルム上、および切り込まれた形状の剥離ライナ上に仮接着シートを接着するステップであって、仮接着シートは、接着フィルムが支持キャリアに対して有するよりも高い接着力を接着フィルムに対して有し、かつ、仮接着シートは、剥離ライナが接着フィルムに対して有するよりも高い接着力を剥離ライナに対して有する、ステップと、（ｄ）露出した接着フィルムおよび残された剥離ライナに接着した仮接着シートを取り外すステップであって、これによって接着フィルムが支持キャリアから取り除かれると共に、剥離ライナが切り込まれた形状の接着フィルムから取り除かれ、支持キャリア上に切り込まれた形状の接着フィルムが残されるステップと、を含む。
半導体ウェハ上に取り付ける接着フィルムを準備する工程の描写である。
半導体ウェハに塗布するためのダイ取付接着剤を準備するため、まず、ダイ取付接着剤は、キャリア支持テープまたはシート（以下「キャリア支持体」）上に被覆され、そして、存在する場合は溶媒を除去するために、または接着剤を部分的に硬化するために加熱される。これはＢステージ化（Ｂ−ｓｔａｇｉｎｇ）と呼ばれ、接着剤をフィルム形態（本明細書において「接着フィルム」）にすると共に、加熱前よりも粘着性の低い状態にする。
好適なダイ取付接着剤は、当該技術分野でよく知られており、多くの場合、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、アクリル樹脂、またはこれらの組み合わせから構成される。ダイ取付接着剤の実際の選択は、本発明にとって重要ではない。
次いで、保護テープまたはシート（本明細書において「剥離ライナ」）が、圧力および／または熱によって接着フィルムに積層され、剥離ライナは、接着フィルムがさらなる製造工程に用いられるまで接着フィルムを一時的に保護する。剥離ライナは、接着フィルムから容易にかつきれいに剥離できる性質により選択される。
支持キャリアおよび剥離ライナは、同一または異なる材料で構成することができる。１つの好適な材料は、Ｓｔ．Ｇｏｂａｉｎ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｐｌａｓｔｉｃｓから販売されている製品番号８３２２であり、これは支持キャリアおよび剥離ライナの両方に使用することができる。一般的に、Ｂステージ化工程は、接着フィルムを、剥離ライナに対するよりもキャリア支持体に対してより強固に接着させる。この剥離における違いは、接着フィルムが支持キャリアから剥がれるよりも容易に剥離ライナが接着フィルムから剥がれるように、異なる剥離性を有する剥離ライナおよびキャリア支持体を選択することによっても達成することができる。
本発明は、図１の略図Ａ〜Ｆを参照して以下説明される。略図Ｇ、ＨおよびＩは、それに続く、半導体ウェハへの塗布のための導電性ダイ取付接着フィルムの製造全体における別々の処理工程である。要素１０〜１５は、すべての略図を通じて同一であり、図面を簡潔に維持するために導入部の後に続く略図では省略されている。
半導体ウェハに貼る形式の接着フィルムを提供するため、剥離ライナ、接着フィルムおよび支持キャリアの集成体に、半導体ウェハの形の切り込みが入れられる。その形は、典型的には円形状であり、かつ、典型的には半導体ウェハの大きさよりもわずかに大きい。例えば、ウェハの直径が２００ｍｍであるとき、切り込まれる形の直径は通常２２０ｍｍである。この大きさは、必要に応じて製造者が変更することができる。以下において、「切り込まれた形状（ｉｎｃｉｓｅｄ ｆｉｇｕｒｅ）」は、半導体ウェハの形状に、またはわずかに大きく切り出された、剥離ライナもしくは接着フィルムまたはその両方を意味するものとし、「剥離ライナの切れ端」、「接着フィルムの切れ端」および「ダイシングテープの切れ端」は、「切り込まれた形状」の一部ではなく、切込み作業後に切り取られるこれらの材料（剥離ライナ、接着フィルム、ダイシングテープ）の一部分を意味するものとする。
切り込みは、剥離ライナの方向から、剥離ライナ、接着フィルムを通って、わずかに支持キャリアの中まで行われる。支持キャリア中へのわずかな切り込みによって、後の作業において、切り込まれた形状の接着フィルムを支持キャリアから半導体ウェハへ移動させ易くなる。図１を参照すると、略図Ａは、切り込み具１０、剥離ライナ１１、接着フィルム１２および支持キャリア１３を示し、略図Ｂは、切り込みを示す。
次いで、切り込まれた形状周囲の剥離ライナの切れ端が取り除かれ、その結果切り込まれた形状周囲の接着フィルムが露出するが、接着フィルム上の切り込まれた形状の剥離ライナはその場に残される。これは、図１の略図Ｃに示される。
ここで図１の略図Ｄを参照すると、仮接着シート１４が、切り込まれた形状の剥離ライナ及び接着フィルムの周囲の露出した接着フィルム上、ならびに切り込まれた形状の接着フィルム上にそのまま残された切り込まれた形状の剥離ライナ上に取り付けられる。仮接着シートは、接着フィルムが支持キャリアに対して有するよりも高い接着力を剥離ライナに対して有するように、かつ、剥離ライナが接着フィルムに対して有するよりも高い接着力を剥離ライナに対して有するように選択される。次いで、仮接着シートは、略図Ｅに示すように取り外される。仮接着シートは、その接着性によって、接着フィルムの切れ端に接着してそれを支持キャリアから取り除き、また、切り込まれた形状の接着フィルムに接着している切り込みを入れられた剥離ライナに接着してそれを切れ端として取り除く。このステップにより、略図Ｆに示すように、支持キャリア上の切り込まれた形状の接着フィルムが残される。
市販の仮接着シートまたはテープが利用可能であり、１つの好適なシートは、Ｓｅｋｉｓｕｉ ＴＡ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ｔａｐｅから販売されている、水系アクリル感圧接着剤を有するシリコーン被覆２ミルＰＥＴシートである。
続く製造工程において、略図Ｇに示すように、ダイシングテープ１５が、接着フィルム、および切り込まれた形状の接着フィルムの周囲の支持キャリア表面上に配される。市販されているダイシングテープは、Ｄｅｎｋａから販売されている製品番号ＥＲＸ−６１４０およびＥＲＸ−００４５である。切り込み具１０は、略図Ｈに示すように、ダイシングテープ、および切り込まれた形状の接着フィルムの周囲の支持キャリアを切り離すために使用される。略図Ｉに描かれるように、ダイシングテープの切れ端が取り除かれ、ダイシングテープで保護された接着フィルムが、半導体ウェハの形状で支持キャリア上に残される。

Claims (1)

  1. 接着フィルムの切り取られた切れ端をキャリア支持テープから取り除く方法であって、
    前記方法は、
    （ａ）支持キャリア、接着フィルムおよび剥離ライナがこの順にある集成体を提供するステップであって、前記集成体は、前記剥離ライナの方向から、前記剥離ライナを通り、前記接着フィルムを通って、前記支持キャリア中へ部分的に、形が切り込まれている、ステップと、
    （ｂ）前記切り込まれた形状周囲の前記接着フィルムを露出するように、前記切り込まれた形状周囲の前記接着フィルムから前記剥離ライナを取り除くステップと、
    （ｃ）前記切り込まれた形状周囲の前記露出した接着フィルム上、および前記切り込まれた形状の剥離ライナ上に仮接着シートを接着するステップであって、前記仮接着シートは、前記接着フィルムが前記支持キャリアに対して有するよりも高い接着力を前記接着フィルムに対して有し、かつ、前記仮接着シートは、前記剥離ライナが前記接着フィルムに対して有するよりも高い接着力を前記剥離ライナに対して有する、ステップと、
    （ｄ）前記露出した接着フィルムおよび前記残された剥離ライナに接着した前記仮接着シートを取り外すステップであって、これによって前記接着フィルムが前記支持キャリアから取り除かれると共に、前記剥離ライナが前記切り込まれた形状の接着フィルムから取り除かれ、前記支持キャリア上に前記切り込まれた形状の接着フィルムが残されるステップと、
    を含む方法。
JP2014547258A 2011-12-15 2012-11-20 接着フィルムを、ダイシングテープ上のプレカットされた半導体ウェハの形状に製造する方法 Active JP5903168B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161576100P 2011-12-15 2011-12-15
US61/576,100 2011-12-15
PCT/US2012/065982 WO2013089982A1 (en) 2011-12-15 2012-11-20 Method of preparing an adhesive film into a precut semiconductor wafer shape on a dicing tape

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015500391A JP2015500391A (ja) 2015-01-05
JP5903168B2 true JP5903168B2 (ja) 2016-04-13

Family

ID=48613079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014547258A Active JP5903168B2 (ja) 2011-12-15 2012-11-20 接着フィルムを、ダイシングテープ上のプレカットされた半導体ウェハの形状に製造する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140290843A1 (ja)
EP (1) EP2791967A4 (ja)
JP (1) JP5903168B2 (ja)
KR (1) KR101449909B1 (ja)
CN (1) CN103999195B (ja)
TW (1) TW201332001A (ja)
WO (1) WO2013089982A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11912910B2 (en) * 2020-03-31 2024-02-27 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Conductive film laminate and method of fabricating the same
JP7021687B2 (ja) * 2020-07-01 2022-02-17 住友ベークライト株式会社 半導体素子保護用粘着テープおよび半導体素子保護用粘着テープの製造方法
KR102602263B1 (ko) 2021-10-01 2023-11-16 거림테크 주식회사 무기재테이프 형상가공장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5372883A (en) * 1990-03-20 1994-12-13 Staystik, Inc. Die attach adhesive film, application method and devices incorporating the same
US5344680A (en) * 1991-10-09 1994-09-06 Gerber Scientific Products, Inc. Sign making web with tack killing overcoat removable by washing and related method
JPH05143001A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Sekisui Chem Co Ltd シート状物の部分剥離方法
US7169643B1 (en) * 1998-12-28 2007-01-30 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of fabricating the same, circuit board, and electronic apparatus
US20070241303A1 (en) * 1999-08-31 2007-10-18 General Electric Company Thermally conductive composition and method for preparing the same
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2005162818A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングダイボンドシート
JP4672384B2 (ja) * 2004-04-27 2011-04-20 大日本印刷株式会社 Ｉｃタグ付シートの製造方法、ｉｃタグ付シートの製造装置、ｉｃタグ付シート、ｉｃチップの固定方法、ｉｃチップの固定装置、およびｉｃタグ
US20060252234A1 (en) * 2004-07-07 2006-11-09 Lintec Corporation Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
US7541203B1 (en) * 2008-05-13 2009-06-02 International Business Machines Corporation Conductive adhesive for thinned silicon wafers with through silicon vias
KR101297315B1 (ko) 2009-05-12 2013-08-14 덴키 가가쿠 고교 가부시기가이샤 점착제, 점착 시트 및 전자부품의 제조 방법
JP2011009425A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体素子の製造方法および半導体装置の製造方法
WO2011109442A2 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Oliver Steven D Led packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same
JP5423563B2 (ja) 2010-04-23 2014-02-19 デクセリアルズ株式会社 半導体チップの製造方法
JP2012236899A (ja) * 2011-05-11 2012-12-06 Hitachi Chemical Co Ltd 接着シートの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015500391A (ja) 2015-01-05
EP2791967A1 (en) 2014-10-22
US20140290843A1 (en) 2014-10-02
CN103999195A (zh) 2014-08-20
CN103999195B (zh) 2016-03-30
EP2791967A4 (en) 2015-08-05
WO2013089982A1 (en) 2013-06-20
KR20140077987A (ko) 2014-06-24
KR101449909B1 (ko) 2014-10-13
TW201332001A (zh) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4754278B2 (ja) チップ体の製造方法
JP4791843B2 (ja) 接着フィルム付きデバイスの製造方法
CN205004316U (zh) 芯片接合切割片材
TWI384522B (zh) 半導體間隙壁結構、用於將一半導體間隙壁晶粒黏著於一支撐表面之方法及用於組合一多晶片半導體封裝之方法
JP2006203133A (ja) チップ体の製造方法、デバイスの製造方法およびチップ体固着用粘接着シート
JP6091750B2 (ja) 接着シートの製造方法
JP2008300521A (ja) 半導体ウェーハおよびその加工方法
JP5903168B2 (ja) 接着フィルムを、ダイシングテープ上のプレカットされた半導体ウェハの形状に製造する方法
KR20140107141A (ko) 반도체 칩의 제조 방법
TWI463577B (zh) 晶粒附接薄膜及其製造方法
JP6879716B2 (ja) 半導体用シートの製造方法および製造装置、並びに切り込み刃
JP6407060B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP2017139409A (ja) ダイボンドダイシングシート
JP2001156028A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5270191B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6058414B2 (ja) 半導体チップの製造方法
JP2003324112A (ja) 半導体装置の製造方法
JPWO2023127378A5 (ja)
JP2011198797A (ja) ダイボンドダイシングシート及び半導体チップの製造方法
KR20100111136A (ko) 일체형 다이싱 다이 본딩필름 및 이를 이용한 반도체 패키징 방법
JP2006229128A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2017117959A (ja) 半導体ウエハの加工方法、半導体チップの製造方法及び加工半導体ウエハ
JP2014022513A (ja) ウェハ加工用テープ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151119

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20151119

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20160208

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5903168

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250