TWI484578B - A substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method, and a computer-readable recording medium on which a substrate liquid processing program is recorded - Google Patents
A substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method, and a computer-readable recording medium on which a substrate liquid processing program is recorded Download PDFInfo
- Publication number
- TWI484578B TWI484578B TW100144212A TW100144212A TWI484578B TW I484578 B TWI484578 B TW I484578B TW 100144212 A TW100144212 A TW 100144212A TW 100144212 A TW100144212 A TW 100144212A TW I484578 B TWI484578 B TW I484578B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- liquid
- water
- substrate
- treatment liquid
- repellent treatment
- Prior art date
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 524
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 315
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 122
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 251
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 153
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 108
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 108
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 96
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 73
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 62
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 18
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 14
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 94
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- HPCIXPCAAKYXOL-UHFFFAOYSA-N CN(C)C(C(C)(C)C)CCCCCCCC Chemical compound CN(C)C(C(C)(C)C)CCCCCCCC HPCIXPCAAKYXOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- FAIWZBWGACQBPT-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetramethylundecane Chemical compound CCCCCCCCC(C)(C)C(C)(C)C FAIWZBWGACQBPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRRKAOITJFLWET-UHFFFAOYSA-N CN(C)C(C(C)(C)C)CCCCCCC Chemical compound CN(C)C(C(C)(C)C)CCCCCCC DRRKAOITJFLWET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本發明係關於以撥水處理液對基板施予撥水處理之基板液處理裝置及基板液處理方法以及記錄有基板液處理程式之電腦可讀取之記錄媒體。
自以往,於製造半導體零件或平面顯示器等之時,對半導體晶圓或液晶基板等之基板使用基板液處理裝置而以洗淨處理液或蝕刻處理液等之藥液進行洗淨處理或蝕刻處理之後,以純水等之沖洗處理液進行沖洗處理,之後施予使附著沖洗處理液之基板乾燥的乾燥處理。
近年來,隨著形成在基板表面之電路圖案或蝕刻遮罩圖案等之微細化,縱橫比增大。當將在表面形成有該高縱橫比之電路圖案或蝕刻遮罩圖案之基板施予沖洗處理之後進行乾燥處理時,由於附著於基板表面之沖洗處理液之表面張力之作用,電路圖案或蝕刻遮罩圖案有可能崩壞。
因此,於對基板施予沖洗處理之前以撥水處理液對基板施予撥水處理,之後進行沖洗處理或乾燥處理。如此一來,藉由於沖洗處理之前對基板施予撥水處理,附著於基板之沖洗處理液之接觸角度變大,表面張力下降,可以防止電路圖案或蝕刻遮罩圖案之崩壞(例如,參照專利文獻1)。
〔專利文獻1〕日本特開2010-114439號公報
但是,當為了對基板施予撥水處理,將例如二甲胺基三甲基矽烷(TMSDMA)等之矽烷化劑當作撥水處理液使用時,由於撥水處理液價格高,故基板之液處理可能需要較大的運轉費用。
雖然也考慮以乙醇或環已酮等之稀釋液稀釋撥水處理液(二甲基三甲基矽烷)而予以使用,但是當以乙醇或環已酮等稀釋二甲胺基三甲基矽烷時,產生加水分解,有可能降低撥水處理能力。
再者,也可考慮同時對基板供給撥水處理液(二甲胺基三甲基矽烷)和稀釋液(乙醇或環已酮)而一面予以稀釋一面進行撥水處理,但是撥水處理液之流量相對於稀釋液之流量非常少,故小流量之撥水處理液之流量調整困難,無法精度佳地混合撥水處理液和稀釋液,有可能無法均勻地對基板之表面全體進行撥水處理。
在此,本發明係屬於使用稀釋之撥水處理液而對基板施予撥水處理的基板處理裝置,具有:撥水處理液供給源,其係用以供給撥水處理液;第1稀釋液供給源,其係用
以供給不用加水分解上述撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液;混合槽,其係用以混合從上述撥水處理液供給源被供給之撥水處理液,和從上述第1稀釋液供給源被供給之第1稀釋液,而生成第1稀釋撥水處理液;基板處理室,其係用以對基板施予撥水處理;第1供給流路,其係用以從上述混合槽供給上述第1稀釋撥水處理液;第1供給機構,其係用以從上述混合槽通過上述第1供給流路而將上述第1稀釋撥水處理液供給至上述基板處理室;
再者,具有:第2稀釋液供給源,其係用以供給稀釋上述撥水處理液之第2稀釋液;第2供給流路,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液;第2供給機構,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液至上述第2供給流路;及混合部,其係被設置在上述第1供給流路,用以混合上述第1稀釋撥水處理液和上述第2稀釋液,而生成第2稀釋撥水處理液。
再者,上述混合部係被設置在上述第1供給流路之端部,能夠在內部混合複數流體之噴嘴,上述第1供給流路和上述第2供給流路各連接於上述噴嘴。
再者,上述第2稀釋液供給源係供給加水分解上述撥水處理液的第2稀釋液。
再者,又具有:沖洗處理液供給機構,其係用以供給進行上述基板之沖洗處理的沖洗處理液;置換促進處理液供給機構,其係用以供給用於促進上述沖洗處理液和上述第1或第2稀釋撥水處理液之置換的置換促進處理液;及
控制手段,其係用以控制上述第1供給機構和上述沖洗處理液供給機構和上述置換促進處理液供給機構,上述控制手段係於對上述基板供給上述第1或第2稀釋撥水處理液而進行撥水處理之前後,對基板供給置換促進處理液而進行置換促進處理。
再者,本發明係屬於使用稀釋之撥水處理液而對基板施予撥水處理,並且對基板供給置換促進處理液而進行置換促進處理的基板液處理裝置,具有:基板處理室,其係用以對基板施予撥水處理及置換促進處理;供給部,其係用以對基板供給稀釋之撥水處理液或置換促進處理液;撥水處理液供給源,其係用以供給撥水處理液;第1稀釋液供給源,其係用以供給不用加水分解上述撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液;混合槽,其係用以混合從上述撥水處理液供給源被供給之撥水處理液,和從上述第1稀釋液供給源被供給之第1稀釋液,而生成第1稀釋撥水處理液;第1供給流路,其係用以從上述混合槽對上述供給部供給上述第1稀釋撥水處理液;第1供給機構,其係用以從上述混合槽通過上述第1供給流路而將上述第1稀釋撥水處理液供給至上述供給部;第2稀釋液供給源,其係用以稀釋上述第1稀釋撥水理液,並且供給也具有當作置換促進處理液之作用的第2稀釋液;第2供給流路,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液;第2供給機構,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液至上述第2供給流路;及混合部,其係被設置在上述
第1供給流路,用以混合上述第1稀釋撥水處理液和上述第2稀釋液,而生成第2稀釋撥水處理液;及控制手段,其係用以控制上述第1供給機構和上述第2供給機構,上述控制手段係控制成選擇性進行以從上述第2供給流路被供給之第2稀釋液稀釋從上述混合槽被供給之第1稀釋撥水處理液而生成第2稀釋撥水處理液且供給至基板的撥水處理,和僅將從上述第2供給流路被供給之第2稀釋液供給至基板的置換促進處理。
再者,上述混合部係被設置在上述第1供給流路之端部,能夠在內部混合複數流體之噴嘴,上述第1供給流路和上述第2供給流路各連接於上述噴嘴。
再者,本發明係屬於使用稀釋之撥水處理液而對基板施予撥水處理的基板處理方法,在混合槽之內部混合不用加水分解撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液和撥水處理液而生成第1稀釋撥水處理液,之後將上述第1稀釋撥水處理液從上述混合槽供給至基板而進行撥水處理。
再者,混合從上述混合槽供給之上述第1稀釋撥水處理液和上述撥水處理液的第1稀釋液而生成第2稀釋撥水處理液,以上述第2稀釋撥水處理液對基板基板施予撥水處理。
再者,以能夠在被設置在上述第1供給流路的內部混合複數流體之噴嘴,混合上述第1稀釋撥水處理液和上述第2稀釋液而生成第2稀釋撥水處理液。
再者,作為上述第2稀釋液,使用具有加水分解上述
撥水處理液之作用的稀釋液。
再者作為上述第2稀釋液,使用具有促進沖洗液和上述第2稀釋撥水處理液置換之作用的稀釋液,而省略撥水處理和沖洗處理之間的置換處理。
再者,作為上述第1稀釋液,使用丙二醇甲醚醋酸酯、醚類、酯類中之任一者,作為上述第2稀釋液,使用乙醇、環己酮中之任一者。
再者,本發明係屬於記錄使用基板液處理裝置而以稀釋的撥水處理液對基板施予撥水處理之基板液處理程式的電腦可讀取之記錄媒體,在混合槽之內部混合不用加水分解撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液和撥水處理液而生成第1稀釋撥水處理液,之後將上述第1稀釋撥水處理液從上述混合槽供給至基板而進行撥水處理。
然後,本發明中,因為在混合槽之內部生成不用加水分解撥水處理液而以第1稀釋液稀釋而生成第1稀釋撥水處理液,以第1稀釋處理液對基板施予撥水處理,故可以不用加水分解撥水處理液而可以精度佳地與稀釋液混合,可以良好地進行基板之撥水處理。
以下,針對與本發明有關之基板液處理裝置及在該基板液處理裝置使用之基板液處理方法之具體性構成,一面
參照圖面一面予以說明。
如第1圖所示般,基板液處理裝置1在前端部形成用以將基板2(在此,半導體晶圓)匯集複數片(例如25片),而以載體3予以搬入及搬出的基板搬入搬出部4,並且在基板搬入搬出部4之後部形成用以搬運被收容於載體3之基板2的基板搬運部5,於基板搬運部5之後部形成有用以進行基板2之洗淨或乾燥等之各種處理的基板處理部6。
基板搬入搬出部4係構成在使四個載體3密接於基板搬運部5之前壁7之狀態下於左右隔著間隔而可以載置。
基板搬運部5係在內部收容基板搬運裝置8和基板收授台9,構成使用基板搬運裝置8而在載置於基板搬入搬出部4之任一個載體3和基板收授台9之間搬運基板2。
基板處理部6係在中央部收容基板搬運裝置10,並且在基板搬運裝置10之左右兩側,前後排列收容基板處理室11~22。
然後,基板處理部6係使用基板搬運裝置10而在基板搬運部5之基板收授台9和各基板處理室11~22之間一片一片搬運基板2,並且使用各基板處理室11~22而一片一片地處理基板2。
各基板處理室11~22成為相同之構成,以代表針對基板處理室11之構成予以說明。基板處理室11係如第2圖所示般,構成具有用以一面水平保持基板2一面旋轉之基板保持手段23、用以朝向以基板保持手段23保持之基
板2之上面吐出處理液(洗淨處理液或沖洗處理液或置換促進處理液)之處理液吐出手段24、朝向以基板保持手段23保持之基板2之上面吐出撥水處理液的撥水處理液吐出手段25,以控制手段26控制該些基板保持手段23和處理液吐出手段24和撥水處理液吐出手段25。並且,控制手段26係控制基板搬運裝置8、10等之基板液處理裝置1之全體。
基板保持手段23係在旋轉軸27之上端部水平地安裝圓板狀之平台28,並且在平台28之周緣部與基板2之周緣部接觸而在圓周方向隔著間隔安裝水平保持基板2之複數個之基板保持體29。在旋轉軸27連接旋轉驅動機構30,藉由旋轉驅動機構30使旋轉軸27及平台28旋轉,使以基板保持體29保持在平台28之基板2旋轉。該旋轉驅動機構30連接於控制手段26,以控制手段26執行旋轉控制。
再者,基板保持手段23係在平台28之周圍升降自如地設置開口向上之罩杯31,以杯罩31包圍載置在平台28之基板2而防止處理液或置換促進處理液之飛散,並且回收處理液或置換促進處理液。在杯罩31,連接升降機構32,藉由升降機構32使杯罩31對基板2相對性地上下收升降。該升降機構32連接於控制手段26,以控制手段26執行升降控制。並且,升降機構32若為相對性地使基板2和杯罩31升降即可,並不限定於使杯罩31升降者,即使為使平台28升降者亦可。
處理液吐出手段24係在較平台28上方能夠移動地配置處理液吐出噴嘴33。在處理液吐出噴嘴33連接移動機構34,藉由移動機構34使處理液吐出噴嘴33在基板2之外方之退避位置和基板2之中央正上方之開始位置之間移動。該移動機構34連接於控制手段26,以控制手段26執行移動控制。
再者,處理液吐出手段24在處理液吐出噴嘴33之前端部形成用以朝向基板2吐出洗淨處理液或沖洗處理液之洗淨、沖洗用吐出口35和用以朝向基板2吐出置換促進處理液之置換用吐出口36,並且在處理液吐出噴嘴33之內部形成與洗淨、沖洗用吐出口35連通之洗淨、沖洗用流路37和與置換用吐出口36連通知置換用流路38。
於洗淨、沖洗用流路37,經流路切換器41連接有用以供給洗淨處理液(藥液)之洗淨處理液供給源39和用以供給沖洗處理液(純水)之沖洗處理液供給源40。介於洗淨處理供給源39和流路切換器41之間,設置有流量調整器42,藉由流量調整器42調整從處理液吐出噴嘴33供給至基板2之洗淨處理液之流量。該流量調整器42連接於控制手段26,以控制手段26執行流量控制。再者,介於沖洗處理液供給源40和流路切換器41之間,設置有流量調整器43,藉由流量調整器43調整從處理液吐出噴嘴33供給至基板2之沖洗處理液之流量。該流量調整器43連接於控制手段26,以控制手段26執行流量控制。如此一來,處理液吐出手段24當作用以朝向基板2供給洗淨
處理液之洗淨處理液供給機構或用以朝向基板2供給沖洗處理液之沖洗處理液供給機構而發揮作用。
另外,在置換用流路38,經流量調整器45而連接用以供給置換促進處理液(異丙醇(IPA))之置換促進處理液供給源44,藉由流量調整器45而調整從處理液吐出噴嘴33供給至基板2之置換促進處理液之流量。該流量調整器45連接於控制手段26,以控制手段26執行流量控制。如此一來,處理液吐出手段24係當作用以朝向基板2供給置換促進處理液之置換促進處理液供給機構而發揮作用。
撥水處理液吐出手段25係在較平台28上方能夠移動地配置機械臂46,在機械臂46之前端部安裝撥水處理液吐出噴嘴47。在機械臂46連接移動機構48,藉由移動機構48使撥水液吐出噴嘴47在基板2之外方之退避位置和基板2之中央正上方之開始位置之間移動。該移動機構48連接於控制手段26,以控制手段26執行移動控制。
再者,撥水處理液吐出手段25係將用以供給撥水處理液(二甲胺基三甲基矽烷)之撥水處理液供給源49和不用加水分解撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液(丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA))之第1稀釋液供給源50各自經流量調整器而連接於混合槽53,在撥水處理液吐出噴嘴47以第1供給流路54連接混合槽53,介於第1供給流路54之中途部設置有泵63和流量調整器55。混合槽53具備循環流路64,介於循環流路64之間設置有泵65和過濾
器66和閥67。該些泵63、65和閥67連接於控制手段26,以控制手段26控制。
然後,撥水處理液吐出手段25係以規定之比率(例如,1:10~20)調整藉由流量調整器51、52從撥水處理液供給源49供給至混合槽53之撥水處理液之流量和從第1稀釋液供給源50供給至混合槽53之第1稀釋液之流量而對混合槽53供給撥水處理液和第1稀釋液。之後,在關閉流量調整器55之狀態下開啟閥67,並且驅動泵65,經循環流路64使撥水處理液和第1稀釋液循環而加以混合,依此在混合槽53之內部生成藉由第1稀釋液以規定之比率稀釋撥水處理液之第1稀釋撥水處理液並予以貯留。再者,撥水處理液吐出手段25係藉由驅動泵63而使第1稀釋撥水處理液從混合槽53通過第1供給流路54而供給至撥水處理液吐出噴嘴47,藉由流量調整器55調整從混合槽53供給至撥水處理液吐出噴嘴47之第1稀釋撥水處理液之流量。該流量調整器51、52、55連接於控制手段26,以控制手段26執行流量控制。如此一來,撥水處理液吐出手段25係作為用以從混合槽53朝向基板2通過第1供給流路54而供給第1稀釋撥水處理液之第1供給機構而發揮作用。並且,第1稀釋撥水處理液之供給並不限定於使用泵63之時,即使以氮氣等進行壓送亦可。再者,撥水處理液和第1稀釋液之混合若為可以均勻混合即可,並不限定於依循環之情形,即使為機械性之攪拌亦可。再者,即使介於撥水處理液供給源49或第1稀釋供給
源50和混合槽53之間設置貯留撥水處理液或第1稀釋液之槽亦可。
並且,撥水處理液吐出手段25係以第2供給流路57將用以供給稀釋撥水處理液之第2稀釋液(環己酮)之第1稀釋液供給源56連接至撥水處理液吐出噴嘴47,介於第2供給流路57之中途部設置貯留槽68和流量調整器58。在貯留槽68經閥70連接有用以供給氮氣之氮氣供給源69。該閥70連接於控制手段26,以控制手段執行開關控制。
然後,撥水處理液吐出手段25係開放閥70而從氮氣供給源69供給氮氣至貯留槽68之內部,以氮氣加壓第2稀釋液而從貯留槽68通過第2供給流路57而供給至撥水處理液吐出噴嘴47,藉由流量調整器58調整從第2稀釋液供給源56供給至撥水處理液吐出噴嘴47之第2稀釋液的流量。該流量調整器58連接於控制手段26,以控制手段26執行流量控制。如此一來,撥水處理液吐出手段25係作為第2稀釋液供給源56通過第2供給流路57而供給第2稀釋撥水處理液之第2供給機構而發揮作用。並且,第2稀釋液之供給並不限定於以氮氣執行壓送之情形,即使使用泵等亦可,再者即使不經貯留槽68而從第2稀釋液供給源56直接供給亦可。
在此,撥水處理液吐出噴嘴47係如第3圖所示般,以安裝在機械臂46之前端部的2流體噴嘴所形成,在前端部(下端部)形成吐出口59,並且在內部形成從中央連
通至吐出口59之第1連通路60和從側部連通至吐出口59之第2連通路61,在第1連通路60連接第1供給流路54,另外在第2連通路61連接第2供給流路57。如此一來,撥水處理液吐出噴嘴47構成能夠在內部混合複數(在此,2種類)之流體。
然後,撥水處理液吐出手段25係藉由流量調整器55.58以規定比率(例如1:9)調整從第1供給流路54被供給之第1稀釋撥水處理液和從第2供給流路57被供給之第2稀釋液之流量,依此在撥水處理液吐出噴嘴47之吐出口59之附近以從第2供給流路57被供給之第2稀釋液稀釋從第1供給流路54被供給之第1稀釋撥水處理液,從吐出口59朝向基板2供給第2稀釋撥水處理液。如此一來,撥水處理液吐出噴嘴47係作為在內部混合第1稀釋撥水處理液和第2稀釋液而生成第2稀釋撥水處理液之混合部而發揮作用。
基板液處理裝置1係構成如上述說明般,隨著記錄於可以控制手段26(電腦)讀取之記錄媒體62的基板液處理程式而在各基板處理室11~22處理基板2。並且,記錄媒體62若為可以記錄基板液處理程式等之各種程式的媒體即可,即使為ROM或RAM等之半導體記憶體型之記錄媒體,即使為硬碟或CD-ROM等之碟型之記錄媒體亦可。
在上述基板處理裝置1中,藉由基板液處理程式而隨著第4圖所示之工程圖如以下說明般進行基板2之處理。
首先,基板液處理程式係如第4圖所示般,實行以各
基板處理室11~22之基板保持手段23從基板搬運裝置10接取基板2的基板接取工程。
在該基板接取工程中,基板液處理程式係在第2圖所示之基板處理室11中,藉由控制手段26控制基板保持手段23之升降機構32而使杯罩31下降至規定位置,之後,從基板搬運裝置10接取基板2,以基板保持體29支撐基板2,之後藉由控制手段26控制基板保持手段23之升降機構32而使杯罩31上升至特定位置。
接著,基板液處理程式係如第4圖所示般,實行以洗淨處理液對以基板接取工程接取到的基板2進行洗淨處理之洗淨處理工程。
在該洗淨處理工程中,基板液處理程式係在第2圖所示之基板處理室11中,藉由控制手段26而控制旋轉驅動機構30而以規定旋轉速度使以基板保持手段23之平台28及平台28之基板保持體29所保持之基板2旋轉,並且藉由控制手段26控制移動機構34而使處理液吐出手段24之處理液吐出噴嘴33移動至基板2之中央部上方,藉由控制手段26開啟及流量控制流量調整器42而從處理液吐出噴嘴33朝向基板2之上面以一定時間吐出從洗淨處理液供給源39被供給之洗淨處理液,之後藉由控制手段26而關閉控制流量調整器42而停止來自處理液吐出噴嘴33之洗淨處理液之吐出。並且,處理液吐出噴嘴33即使在基板2之中央部上方停止之狀態下將洗淨處理液吐出至基板2之上面中央部亦可,即使一面以移動機構34在基板2
之中央部上方與基板2之外周緣上方之間移動,一面將洗淨處理液吐出至基板2之上面亦可。
接著,基板液處理程式係如第4圖所示般,實行以沖洗處理液對洗淨處理完之基板2進行沖洗處理的沖洗處理工程。
在該沖洗處理工程中,基板液處理程式係在第2圖所示之基板處理室11中,藉由控制手段26而控制旋轉驅動機構30而以規定旋轉速度使以基板保持手段23之平台28及平台28之基板保持體29所保持之基板2旋轉,並且藉由控制手段26控制移動機構34而使處理液吐出手段24之處理液吐出噴嘴33移動至基板2之中央部上方,藉由控制手段26開啟及流量控制流量調整器43而從處理液吐出噴嘴33朝向基板2之上面以一定時間吐出從沖洗處理液供給源40被供給之洗淨處理液,之後藉由控制手段26而關閉控制流量調整器43而停止來自處理液吐出噴嘴33之洗淨處理液之吐出。並且,處理液吐出噴嘴33即使在基板2之中央部上方停止之狀態下將洗淨處理液吐出至基板2之上面中央部亦可,即使一面以移動機構34在基板2之中央部上方和基板2之外周緣上方之間移動,一面將沖洗處理液吐出至基板2之上面亦可。
接著,基板液處理程式係如第4圖所示般,對沖洗處理之基板2供給置換促進處理液而促進從沖洗處理液換置至撥水處理液之置換促進處理工程。
在該置換促進處理工程中,基板液處理程式係在第2
圖所示之基板處理室11中,在藉由控制手段26而控制旋轉驅動機構30而以規定旋轉速度使以基板保持手段23之平台28及平台28之基板保持體29所保持之基板2旋轉狀態下,藉由控制手段26控制移動機構34而使處理液吐出手段24之處理液吐出噴嘴33移動至基板2之中央部上方,藉由控制手段26開啟及流量控制流量調整器45而從處理液吐出噴嘴33朝向基板2之上面以一定時間吐出從置換促進處理液供給源44被供給之置換促進處理液,之後藉由控制手段26而關閉控制流量調整器45而停止來自處理液吐出噴嘴33之置換促進處理液之吐出。並且,處理液吐出噴嘴33即使在基板2之中央部上方停止之狀態下將置換促進處理液吐出至基板2之上面中央部亦可,即使一面以移動機構34在基板2之中央部上方與基板2之外周端緣上方之間移動,一面將置換促進處理液吐出至基板2之上面亦可。
接著,基板液處理程式係如第4圖所示般,實行對置換促進處理之基板2供給撥水處理液而從置換促進處理液置換至撥水處理液而進行撥水處理之撥水處理工程。
在該撥水處理工程中,基板液處理程式係在第2圖所示之基板處理室11中,在藉由控制手段26而控制旋轉驅動機構30而以規定旋轉速度使以基板保持手段23之平台28及平台28之基板保持體29所保持之基板2旋轉之狀態下,藉由控制手段26控制移動機構48而使撥水處理液吐出手段25之撥水處理液吐出噴嘴47移動至基板2之中央
部上方,藉由控制手段26開啟及流量控制流量調整器55.58而從撥水處理液吐出噴嘴47朝向基板2之上面以一定時間吐出第2稀釋撥水處理液,之後藉由控制手段26而關閉控制流量調整器55.58而停止來自撥水處理液吐出噴嘴47之第2稀釋撥水處理液之吐出。並且,撥水處理液吐出噴嘴47即使在基板2之中央部上方停止之狀態下將第2稀釋處理液吐出至基板2之上面中央部亦可,即使一面以移動機構48在基板2之中央部上方與基板2之外周端緣上方之間移動,一面將第2稀釋撥水處理液吐出至基板2之上面亦可。
在此,基板液處理程式係如第5圖所示般,於進行撥水處理工程之實行之前,在混合槽53生成以第1稀釋液稀釋撥水處理液之第1稀釋撥水處理液,並予以貯留。即是,基板液處理程式係藉由控制手段26進行流量調整器51、52之開啟及流量控制,依此以特定比率調整撥水處理液之流量和第1稀釋液之流量,而對混合槽53供給撥水處理液和第1稀釋液。之後,在藉由控制手段26關閉流量調整器55之狀態下開啟閥67,並且控制成驅動泵65,經循環流路64使撥水處理液和第1稀釋液循環而均勻混合。依此,在混合槽53之內部生成並貯留藉由第1稀釋液以規定比率稀釋撥水處理液之第1稀釋撥水處理液。
此時,在上述基板液處理裝置1中,為了使用不用加水分解撥水處理液而可以稀釋之稀釋液當作第1稀釋液,即使在混合槽53混合亦可以防止撥水處理液被加水分解
而降低撥水處理能力。
而且,在上述基板液處理裝置1中,為了在混合槽53之內部進行撥水處理液和第1稀釋液之稀釋,可以均勻地且精度佳地進行撥水處理液和第1稀釋液之混合。
因為,在上述基板液處理裝置1中之基板液處理方法中,可以良好地進行基板2之撥水處理。並且,在上述基板液處理裝置1中,雖然使用又以2稀釋液稀釋第1稀釋撥水處理液的第2稀釋撥水處理液進行基板2之撥水處理,但是並不限定於此,即使使用第1稀釋撥水處理液而進行基板2之撥水處理亦可。
再者,基板液處理程式係在撥水處理工程中,係如第6圖所示般,藉由控制手段26驅動控制泵63,依此將第1稀釋撥水處理液從混合槽53通過第1供給流路54而供給至撥水處理液吐出噴嘴47,同時藉由開放控制閥70,從氮氣供給源69將氮氣供給至貯留槽68之內部,以氮氣加壓第2稀釋液而從貯留槽68通過第2供給流路57而供給至撥水處理液吐出噴嘴47。再者,藉由以控制手段26對流量調整器55、58進行開放及流量控制,以特定比率調整第1稀釋撥水處理液和第2稀釋液,生成以從第2供給流路57被供給之第2稀釋液稀釋流通第1供給流路54之第1稀釋撥水處理液而供給至基板2的第2稀釋撥水處理液。
如此一來,在上述基板液處理裝置1中之基板液處理方法中,因將撥水處理液分成兩階段而以第1及第2稀釋
液進行稀釋,故比起以1次稀釋將撥水處理液稀釋成期待之濃度之時,因可以縮小在各階段的稀釋比率,故可以精度佳地稀釋撥水處理液,而且因可以縮小進行第1階段之稀釋的混合槽53之容積,故可以謀求基板液處理裝置1之小型化。
尤其,於在將第2稀釋撥水處理液吐出至基板2之撥水處理液吐出噴嘴47之內部,以第2稀釋液稀釋第1稀釋撥水處理液之時,因於稀釋之後可以立即供給至基板2,故作為第2稀釋液不僅不加水分解撥水處理液(二甲胺基三甲基矽烷)之稀釋液(丙二醇甲醚醋酸酯或醚類或酯類等)亦可以使用加水分解撥水處理液之稀釋液(環己酮、乙醇等),可以提高第2稀釋液之選擇自由度,並且使用便宜之稀釋液也可以降低基板液處理裝置1之運轉費用。
接著,基板液處理程式係如第4圖所示般,對撥水處理之基板2供給置換促進處理液而促進從撥水處理液換置至撥水處理液之置換促進處理工程。並且,在該撥水處理工程之後進行之置換促進處理工程係進行與在撥水處理工程之前進行之置換促進處理工程相同之處理。
接著,基板液處理程式係如第4圖所示般,實行以沖洗處理液對置換促進處理完之基板2進行沖洗處理的沖洗處理工程。並且,在該撥水處理工程之後進行之沖洗處理工程係進行與在撥水處理工程之前進行之沖洗處理工程相同之處理。
接著,基板液處理程式係如第4圖所示般,實行對沖洗處理基板2施予乾燥處理的乾燥處理工程。
該乾燥處理工程中,基板液處理程式係在第2圖所示之基板處理室11中,藉由控制手段26控制旋轉驅動機構30而以較至此之液處理(洗淨處理、沖洗處理、置換促進處理、撥水處理)時高速之旋轉速度使基板保持手段23之平台28及以平台28之基板保持體29所保持之基板2旋轉,依此利用離心力之作用從基板2之上面甩掉沖洗液。
基板液處理程式最後如第2圖所示般,實行將基板2從各基板處理室11~22之基板保持手段23收授至基板搬運裝置10之基板收授工程。
在該基板收授工程中,基板液處理程式係在第2圖所示之基板處理室11中,藉由控制手段26控制基板保持手段23之升降機構32而使杯罩31下降至規定位置,之後,將以基板保持體29所支撐之基板2收授至基板搬運裝置10,之後藉由控制手段26控制基板保持手段23之升降機構32而使罩杯31上升至特定位置。並且,該基板收授工程也可以與先前之基板接取工程同時進行。
在上述說明之基板液處理裝置1中,使用異丙醇當作置換促進處理液,另外使用環己酮當作第2稀釋液,而在撥水處理工程之前後,進行置換促進處理工程。
但是,在本發明中,以第1稀釋液稀釋撥水處理液之後,以第2稀釋液予以稀釋,依此提高第2稀釋液之選擇
自由度,作為第2稀釋液可以使用不僅具有稀釋撥水處理液之作用,也具有作為置換促進處理液之作用的稀釋液(例如,乙醇)。
然後,於作為第2稀釋液使用具有作為置換促進處理液之作用的稀釋液之時,則如第7圖所示般,可以設成從基板處理室11去除置換促進處理液供給源44、流量調整器45、置換用流路38、置換用吐出口36之構成,可以謀求基板處理室11進而基板液處理裝置1之小型化。
於成為該構成時,在置換促進處理工程中,藉由控制手段26對流量調整器58進行開放及流量控制,依此從撥水處理液吐出噴嘴47僅供給當作置換促進處理液而發揮作用之第2稀釋液至基板2,另外,在撥水處理工程中,若藉由控制手段26對流量調整器55、58進行開放及流量控制,依此從撥水處理液吐出噴嘴47供給以第2稀釋液稀釋第1稀釋撥水處理液而生成之第2稀釋撥水處理液即可。並且,此時,撥水處理液吐出噴嘴47,不僅作為混合第1稀釋撥水處理液和第2稀釋液而生成第2稀釋撥水處理液之混合部而發揮作用,亦作為對基板2供給置換促進處理液及撥水處理液(第2稀釋撥水處理液)之供給部而發揮作用。
再者,作為第2稀釋液使用也具有作為置換促進處理液之作用的稀釋液之時,包含在撥水處理工程中被供給至基板2之第2稀釋液的稀釋撥水處理液,由於具有與在撥水處理工程之前後被供給之沖洗液混合之性質,故如第8
圖所示般,可以省略撥水處理工程之前後之置換促進處理工程,依此可以縮短基板液處理裝置1中之處理時間,可以謀求提升處理量。
在以上說明之本實施例之基板液處理裝置1中,雖然不用進行各處理液及稀釋液之溫渡調整,而進行撥水化處理,但即使加熱撥水化處理之高溫的處理液亦可。此時,如第9圖所示般,在被設置在第2供給流路57之中途部的流量調整器58和撥水處理液吐出噴嘴47之間,設置有加熱第2稀釋液的加熱器71。加熱器71係連接對發熱體供給電力的電源,和監視第2稀釋液之溫渡的溫度檢測器,和根據依溫度檢測器的測溫結果而調整從電源供給至發熱體的電力的調溫器(任一者皆省略圖示)。依此,流通第2供給流路57而至撥水處理液吐出噴嘴47之第2稀釋液被加熱至規定之溫度。此時之第2稀釋液之溫度,為了抑制依加熱的第2稀釋液之揮發,以從例如常溫(例如,無塵室內之溫度)至所使用之第2稀釋液之沸點的範圍為佳。具體而言,被加熱之第2稀釋液之溫度以在大約30℃~大約60℃之範圍為佳。
再者,為了抑制被加熱之第2稀釋液在第2供給流路57內被冷卻,故即使在第2供給流路57之加熱部71和撥水處理液吐出噴嘴47之間設置輔助加熱部亦可。輔助加熱部係由在第2供給流路57捲繞之例如加熱帶所構成。輔助加熱部係與調整加熱帶之溫度的調溫部(溫度感測器、電源、調溫器等)連接。
於構成如此之時,以從第2供給流路57供給之被加熱的第2稀釋液,稀釋流通第1供給流路54之第1稀釋撥水處理液,而可以對基板2供給高溫之第2稀釋撥水處理液。第2稀釋液因以大流量被供給至第1稀釋撥水處理液,故第2稀釋撥水處理液以與第2稀釋液之濃度幾乎相同之溫度被吐出至基板。藉由高溫之第2稀釋撥水處理液被供給至基板2,可以加快撥水化反應之速度,並可以縮短撥水化所需之時間。
再者,藉由在流量調整器58和撥水處理液吐出噴嘴47之間,設置加熱第2稀釋液的加熱部71,可以縮短第2稀釋液維持高溫的時間,並且較在貯留槽68加熱第2稀釋液之時,可以防止第2稀釋液發揮。
再者,藉由以流量多的被加熱之第2稀釋液稀釋第1稀釋撥水處理液,不用加熱撥水處理液或第1稀釋液,可以提升第2稀釋撥水處理液之溫度。並且,如第9圖所示般,即使在被設置在第1供給流路54之流量調整器55和撥水處理液吐出噴嘴47之間,設置用以加熱第1稀釋撥水處理液的加熱部72。加熱部72係被構成與上述之加熱部71相同。若將此時之第1稀釋撥水處理液之溫度設成與第2稀釋液之溫度的溫度即可。此時,在撥水處理液吐出噴嘴57被混合之第1稀釋撥水處理液和第2稀釋液之雙方被加熱,可以更確實地在加熱第2稀釋撥水處理液的狀態下吐出至基板2。
並且,也在置換用流路38設置構成與加熱部71相同
之加熱部,依此即使流經置換用流路38而至處理液吐出噴嘴33之置換促進處理液被加熱亦可。再者,因抑制被加熱之置換促進處理液在置換用流路38內被冷卻,故即使在置換用流路38之加熱部72和處理液噴嘴33之間設置輔助加熱部亦可。藉由加熱部被加熱之置換促進處理液之溫度以與第2稀釋撥水處理液之溫度相等,或些許高為佳,依此,將供給被加熱之第2稀釋撥水處理液之前被加熱的置換促進處理液供給至基板2,而可以加熱基板2。依此,於將被加熱之第2稀釋撥水處理液供給至基板2之時,可以防止第2稀釋撥水處理液之溫度下降。
並且,在對撥水處理之基板2進行之置換促進處理工程中,即使置換促進處理液不用被加熱亦可。於液處理後,因必須將基板2之温度下降至常溫,故若於撥水處理工程後接著常溫之置換促進處理液使用常溫之沖洗處理液時,為了降低基板2之溫度可以縮短所需之時間。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧基板
3‧‧‧載體
4‧‧‧基板搬入搬出部
5‧‧‧基板搬運部
6‧‧‧基板處理部
7‧‧‧前壁
8‧‧‧基板搬運裝置
9‧‧‧基板收授台
10‧‧‧基板搬運裝置
11~22‧‧‧基板處理室
23‧‧‧基板保持手段
24‧‧‧處理液吐出手段
25‧‧‧撥水處理液吐出手段
26‧‧‧控制手段
27‧‧‧旋轉軸
28‧‧‧平台
29‧‧‧基板保持體
30‧‧‧旋轉驅動機構
31‧‧‧罩杯
32‧‧‧升降機構
33‧‧‧處理液吐出噴嘴
34‧‧‧移動機構
35‧‧‧洗淨沖洗用吐出口
36‧‧‧置換用吐出口
37‧‧‧洗淨沖洗用流路
38‧‧‧置換用流路
39‧‧‧洗淨處理液供給源
40‧‧‧沖洗處理液供給源
41‧‧‧流路切換器
42‧‧‧流量調整器
43‧‧‧流量調整器
44‧‧‧置換促進處理液供給源
45‧‧‧流量調整器
46‧‧‧機械臂
47‧‧‧撥水處理液吐出噴嘴
48‧‧‧移動機構
49‧‧‧撥水處理液供給源
50‧‧‧第1稀釋液供給源
51‧‧‧流量調整器
52‧‧‧流量調整器
53‧‧‧混合槽
54‧‧‧第1供給流路
55‧‧‧流量調整器
56‧‧‧第2稀釋液供給源
57‧‧‧第2供給流路
58‧‧‧流量調整器
59‧‧‧吐出口
60‧‧‧第1連通路
61‧‧‧第2連通路
62‧‧‧記錄媒體
63‧‧‧泵
64‧‧‧循環流路
65‧‧‧泵
66‧‧‧過濾器
67‧‧‧閥
68‧‧‧貯留槽
69‧‧‧氮氣供給源
70‧‧‧閥
第1圖為表示基板液處理裝置之俯視圖。
第2圖為表示基板處理室之模式圖。
第3圖為表示撥水處理液吐出噴嘴之剖面圖。
第4圖為表示基板液處理方法之工程圖。
第5圖為基板處理室之動作說明圖。
第6圖同動作說明圖。
第7圖為表示其他基板處理室之模式圖。
第8圖為表示其他基板液處理方法之工程圖。
第9圖為表示其他基板處理室之模式圖。
2‧‧‧基板
11‧‧‧基板處理室
23‧‧‧基板保持手段
24‧‧‧處理液吐出手段
25‧‧‧撥水處理液吐出手段
26‧‧‧控制手段
27‧‧‧旋轉軸
28‧‧‧平台
29‧‧‧基板保持體
30‧‧‧旋轉驅動機構
31‧‧‧罩杯
32‧‧‧升降機構
33‧‧‧處理液吐出噴嘴
34‧‧‧移動機構
35‧‧‧洗淨沖洗用吐出口
36‧‧‧置換用吐出口
37‧‧‧洗淨沖洗用流路
38‧‧‧置換用流路
39‧‧‧洗淨處理液供給源
40‧‧‧沖洗處理液供給源
41‧‧‧流路切換器
42‧‧‧流量調整器
43‧‧‧流量調整器
44‧‧‧置換促進處理液供給源
45‧‧‧流量調整器
46‧‧‧機械臂
47‧‧‧撥水處理液吐出噴嘴
48‧‧‧移動機構
49‧‧‧撥水處理液供給源
50‧‧‧第1稀釋液供給源
51‧‧‧流量調整器
52‧‧‧流量調整器
53‧‧‧混合槽
54‧‧‧第1供給流路
55‧‧‧流量調整器
56‧‧‧第2稀釋液供給源
57‧‧‧第2供給流路
58‧‧‧流量調整器
59‧‧‧吐出口
62‧‧‧記錄媒體
64‧‧‧循環流路
65‧‧‧泵
66‧‧‧過濾器
67‧‧‧閥
68‧‧‧貯留槽
69‧‧‧氮氣供給源
70‧‧‧閥
Claims (12)
- 一種基板液處理裝置,使用稀釋之撥水處理液而對基板施予撥水處理,其特徵為具有:撥水處理液供給源,其係用以供給撥水處理液;第1稀釋液供給源,其係用以供給不用加水分解上述撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液;混合槽,其係用以混合從上述撥水處理液供給源被供給之撥水處理液,和從上述第1稀釋液供給源被供給之第1稀釋液,而生成第1稀釋撥水處理液;基板處理室,其係用以對基板施予撥水處理;第1供給流路,其係用以從上述混合槽供給上述第1稀釋撥水處理液;第1供給機構,其係用以從上述混合槽通過上述第1供給流路而將上述第1稀釋撥水處理液供給至上述基板處理室;第2稀釋液供給源,其係用以供給稀釋上述撥水處理液之第2稀釋液;第2供給流路,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液;第2供給機構,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液至上述第2供給流路;及混合部,其係被設置在上述第1供給流路,用以混合上述第1稀釋撥水處理液和上述第2稀釋液,而生成第2稀釋撥水處理液。
- 如申請專利範圍第1項所記載之基板液處理裝置,其中上述混合部係被設置在上述第1供給流路之端部,能夠在內部混合複數流體之噴嘴,上述第1供給流路和上述第2供給流路各連接於上述噴嘴。
- 如申請專利範圍第1項所記載之基板液處理裝置,其中上述第2稀釋液供給源係供給加水分解上述撥水處理液的第2稀釋液。
- 如申請專利範圍第1項所記載之基板液處理裝置,其中又具有:沖洗處理液供給機構,其係用以供給進行上述基板之沖洗處理的沖洗處理液;置換促進處理液供給機構,其係用以供給用於促進上述沖洗處理液和上述第1或第2稀釋撥水處理液之置換的置換促進處理液;及控制手段,其係用以控制上述第1供給機構和上述沖洗處理液供給機構和上述置換促進處理液供給機構,上述控制手段係於對上述基板供給上述第1或第2稀釋撥水處理液而進行撥水處理之前後,對基板供給置換促進處理液而進行置換促進處理。
- 一種基板液處理裝置,使用稀釋之撥水處理液而對基板施予撥水處理,並且對基板供給置換促進處理液而進行置換促進處理,其特徵為具有: 基板處理室,其係用以對基板施予撥水處理及置換促進處理;供給部,其係用以對基板供給稀釋之撥水處理液或置換促進處理液;撥水處理液供給源,其係用以供給撥水處理液;第1稀釋液供給源,其係用以供給不用加水分解上述撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液;混合槽,其係用以混合從上述撥水處理液供給源被供給之撥水處理液,和從上述第1稀釋液供給源被供給之第1稀釋液,而生成第1稀釋撥水處理液;第1供給流路,其係用以從上述混合槽對上述供給部供給上述第1稀釋撥水處理液;第1供給機構,其係用以從上述混合槽通過上述第1供給流路而將上述第1稀釋撥水處理液供給至上述供給部;第2稀釋液供給源,其係用以稀釋上述第1稀釋撥水理液,並且供給也具有當作置換促進處理液之作用的第2稀釋液;第2供給流路,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液;第2供給機構,其係用以從上述第2稀釋液供給源供給上述第2稀釋液至上述第2供給流路;及混合部,其係被設置在上述第1供給流路,用以混合上述第1稀釋撥水處理液和上述第2稀釋液,而生成第2 稀釋撥水處理液;及控制手段,其係用以控制上述第1供給機構和上述第2供給機構,上述控制手段係控制成選擇性進行以從上述第2供給流路被供給之第2稀釋液稀釋從上述混合槽被供給之第1稀釋撥水處理液而生成第2稀釋撥水處理液且供給至基板的撥水處理,和僅將從上述第2供給流路被供給之第2稀釋液供給至基板的置換促進處理。
- 如申請專利範圍第5項所記載之基板液處理裝置,其中上述混合部係被設置在上述第1供給流路之端部,能夠在內部混合複數流體之噴嘴,上述第1供給流路和上述第2供給流路各連接於上述噴嘴。
- 一種基板液處理方法,使用稀釋之撥水處理液而對基板施予撥水處理,其特徵為:在混合槽之內部混合不用加水分解撥水處理液而可以稀釋之第1稀釋液和撥水處理液而生成第1稀釋撥水處理液,並混合從上述混合槽供給之上述第1稀釋撥水處理液和稀釋上述撥水處理液的第2稀釋液而生成第2稀釋撥水處理液,對基板供給上述第2稀釋撥水處理液而進行撥水處理。
- 如申請專利範圍第7項所記載之基板液處理方法,其中以能夠在內部混合複數流體之噴嘴混合上述第1稀釋 撥水處理液和上述第2稀釋液而生成第2稀釋撥水處理液。
- 如申請專利範圍第7項所記載之基板液處理方法,其中作為上述第2稀釋液,使用具有加水分解上述撥水處理液之作用的稀釋液。
- 如申請專利範圍第7項所記載之基板液處理方法,其中作為上述第2稀釋液,使用具有促進沖洗液和上述第2稀釋撥水處理液置換之作用的稀釋液,而省略撥水處理和沖洗處理之間的置換處理。
- 如申請專利範圍第7項所記載之基板液處理方法,其中作為上述第1稀釋液,使用丙二醇甲醚醋酸酯、醚類、酯類中之任一者,作為上述第2稀釋液,使用乙醇、環己酮中之任一者。
- 一種記錄有基板液處理程式之電腦可讀取之記錄媒體,記錄使用基板液處理裝置而以稀釋的撥水處理液對基板施予撥水處理之基板液處理程式,其特徵為:在混合槽之內部混合不用加水分解撥水處理液可以稀釋之第1稀釋液和撥水處理液而生成第1稀釋撥水處理液,並混合從上述混合槽供給之上述第1稀釋撥水處理液和稀釋上述撥水處理液的第2稀釋液而生成第2稀釋撥水處理液,對基板供給上述第2稀釋撥水處理液而進行撥水處 理。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010290163A JP5320383B2 (ja) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201250891A TW201250891A (en) | 2012-12-16 |
TWI484578B true TWI484578B (zh) | 2015-05-11 |
Family
ID=46317474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100144212A TWI484578B (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-01 | A substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method, and a computer-readable recording medium on which a substrate liquid processing program is recorded |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120164339A1 (zh) |
JP (1) | JP5320383B2 (zh) |
KR (1) | KR101583103B1 (zh) |
TW (1) | TWI484578B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6148475B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2017-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6013289B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2016-10-25 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
JP6211458B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
KR101935645B1 (ko) * | 2014-05-12 | 2019-01-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유연한 나노구조의 건조를 향상시키는 방법 및 시스템 |
JP6392035B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
KR102030681B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2019-10-10 | 주식회사 제우스 | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 |
US10026629B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
JP6484144B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2019-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP6534263B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2019-06-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6420707B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6465744B2 (ja) * | 2015-05-15 | 2019-02-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10867814B2 (en) * | 2016-02-15 | 2020-12-15 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, substrate processing apparatus, and storage medium |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273070A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6821351B2 (en) * | 1999-03-15 | 2004-11-23 | Ecolab Inc. | Hydrofluoric acid generating composition and method of treating surfaces |
TW200845128A (en) * | 2007-03-30 | 2008-11-16 | Renesas Tech Corp | Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same |
TW200944943A (en) * | 2008-02-22 | 2009-11-01 | Renesas Tech Corp | Water repellent agent composition for substrate to be exposed, method for forming a resist pattern and electronic device produced by using the method, water repelling treatment method for substrate to be exposed, and water repellent agent set for substra |
TW201017736A (en) * | 2008-06-16 | 2010-05-01 | Toshiba Kk | Method of treating a semiconductor substrate |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4414753B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像処理方法 |
JP5404364B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
-
2010
- 2010-12-27 JP JP2010290163A patent/JP5320383B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-19 KR KR1020110106751A patent/KR101583103B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-01 TW TW100144212A patent/TWI484578B/zh active
- 2011-12-22 US US13/334,476 patent/US20120164339A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821351B2 (en) * | 1999-03-15 | 2004-11-23 | Ecolab Inc. | Hydrofluoric acid generating composition and method of treating surfaces |
JP2003273070A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
TW200845128A (en) * | 2007-03-30 | 2008-11-16 | Renesas Tech Corp | Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same |
TW200944943A (en) * | 2008-02-22 | 2009-11-01 | Renesas Tech Corp | Water repellent agent composition for substrate to be exposed, method for forming a resist pattern and electronic device produced by using the method, water repelling treatment method for substrate to be exposed, and water repellent agent set for substra |
TW201017736A (en) * | 2008-06-16 | 2010-05-01 | Toshiba Kk | Method of treating a semiconductor substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120164339A1 (en) | 2012-06-28 |
JP2012138482A (ja) | 2012-07-19 |
JP5320383B2 (ja) | 2013-10-23 |
TW201250891A (en) | 2012-12-16 |
KR101583103B1 (ko) | 2016-01-07 |
KR20120074197A (ko) | 2012-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI484578B (zh) | A substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method, and a computer-readable recording medium on which a substrate liquid processing program is recorded | |
JP7064905B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR101801987B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 유체 노즐의 이동 속도 제어 방법 | |
CN112602179B (zh) | 衬底处理方法及衬底处理装置 | |
US20150162224A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
JP5917861B2 (ja) | 基板処理方法 | |
TWI759526B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
JP2012004539A (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録した記録媒体 | |
KR101864001B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
US10290518B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
KR20120100803A (ko) | 에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체 | |
JP2019125660A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2019138694A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN105529288B (zh) | 基板液处理装置和基板液处理方法 | |
TWI697043B (zh) | 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 | |
TWI734876B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的製造方法及半導體基板 | |
JP4236109B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JPH11145099A (ja) | 基板処理装置 | |
CN107081673B (zh) | 基板保持模块、基板处理装置及基板处理方法 | |
JP2019121710A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4972607B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP7142461B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム | |
KR20220163773A (ko) | 액 처리 장치 및 약액 제어 방법 | |
JP6009858B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2009032901A (ja) | 基板処理装置 |