TWI484305B - 定位系統、微影裝置及位置控制方法 - Google Patents

定位系統、微影裝置及位置控制方法 Download PDF

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TWI484305B TW100140192A TW100140192A TWI484305B TW I484305 B TWI484305 B TW I484305B TW 100140192 A TW100140192 A TW 100140192A TW 100140192 A TW100140192 A TW 100140192A TW I484305 B TWI484305 B TW I484305B
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Description

定位系統、微影裝置及位置控制方法
本發明係關於一種定位系統、一種微影裝置、一種用於控制微影裝置之上位組件與下位組件之間的相對位置的方法，及一種用於控制微影裝置的經建構以支撐圖案化器件之支撐結構與經建構以固持基板之基板台之間的相對位置的方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為合適的，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有較短波長，所以此情形之要點係實現較小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為合適的其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
用此裝置來製造IC及其他器件通常涉及以格外高之位置準確度來複製極精細之次微米圖案。出於此原因，必需(例如)適當地使裝置之各種關鍵零件(諸如，基板台及支撐結構(亦即，光罩台))與偽運動、振動、機械衝擊等等隔離。一般而言，此隔離係使用諸如以下各者之措施而達成：經仔細設計之度量衡框架、氣墊式避震器、運動平衡器及阻尼器，其用來使裝置之關鍵零件與大部分非想要機械影響隔離。然而，此等措施不完全地有效於消除諸如以下各者之許多非想要影響：
1.基板台中歸因於曝光期間之調平動作的振動；
2.由光罩遮蔽葉片之運動造成的振動；
3.由空氣簇射之存在造成的共振效應；
4.由投影系統與基板之間的水流造成的浸沒力；
5.基板台中由支撐結構之運動造成的振動，及支撐結構中由基板台之運動造成的振動；及
6.空氣簇射流對基板台之影響。儘管此等效應相對小，但其隨著對產生愈來愈高之器件解析度的需要增加而變得日益重要，且其現形成對具有大約0.15微米或更小之臨界尺寸之大面積IC之可行實現的實質障礙。
因而，在EP-0 967 525-A中已提議提供一種用於微影裝置之基板台及支撐結構之控制系統，其中基板台之位置之誤差係藉由將該等誤差包括作為支撐結構控制環路中之前饋控制予以補償。具體而言，對基板台誤差進行低通濾波，接著將濾波器之輸出加至支撐結構設定點，且亦進行兩次微分、乘以支撐結構質量並將合力施加至支撐結構。此提議係基於如下認識：支撐結構及基板台之絕對位置相比於支撐結構及基板台之相對位置較不重要，且允許超出支撐結構頻寬的基板台誤差之校正。然而，此控制系統具有部分地由在處理基板台誤差時不可避免之時間延遲造成的效能極限。
在EP-1 265 104-A中已提議提供一種用於光罩台(圖案化構件)及基板台之控制系統，控制系統預測瞬時基板台位置誤差且將瞬時基板台位置誤差饋入至光罩台控制環路中，從而將瞬時基板台位置誤差加至光罩台設定點且作為力加至光罩台。
歸因於對臨界尺寸及疊對之要求增加，支撐結構及基板台之定位準確性要求正變得更嚴格。歸因於饋通基板台位置誤差而作用於支撐結構上之力可具有對圖案化器件(例如，光罩)之定位誤差的有害效應。舉例而言，該等力可造成條紋及疊對問題(特別是在饋通力相對大的情況下)。
舉例而言，需要提供一種用於微影裝置之下位組件及上位組件(例如，用於圖案化構件之支撐結構，及基板台)的改良型定位系統。
根據本發明之一態樣，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的定位系統，其中每一組件之一位置係藉由一正交座標集合界定，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一量測座標中之一設定點位置的一誤差；及一控制器，其經組態以基於該經判定誤差來控制在一控制座標中另一組件之移動；其中該量測座標不同於該控制座標。
根據本發明之一態樣，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的定位系統，該定位系統包含：一補償性量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一經補償誤差，其中該經補償誤差自實際誤差排除歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之至少一頻率分量的一誤差分量；及一非補償性量測器件，其經組態以判定該等組件中之該一者之該瞬時位置相對於該設定點位置的一未經補償誤差，其中該未經補償誤差包括歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之該至少一頻率分量的該誤差分量。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件；一基板台，其經建構以固持一基板；及一定位系統，其用於控制該支撐結構與該基板台之間的一相對位置，其中該支撐結構及該基板台界定實質上平行x-y平面，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該基板台之瞬時位置相對於z方向上之一設定點位置的一誤差；及一控制器，其經組態以基於該經判定誤差來控制該支撐結構之移動。
根據本發明之一態樣，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，其中每一組件之一位置係藉由一正交座標集合界定，該方法包含以下步驟：判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一量測座標中之一設定點位置的一誤差；及基於該經判定誤差來控制在一控制座標中另一組件之移動；其中該量測座標不同於該控制座標。
根據本發明之一態樣，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，該方法包含以下步驟：判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一經補償誤差，其中該經補償誤差自實際誤差排除歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之至少一頻率分量的一誤差分量；及判定該等組件中之該一者之該瞬時位置相對於該設定點位置的一未經補償誤差，其中該未經補償誤差包括歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之該至少一頻率分量的該誤差分量。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈的調整器AM。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之零件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體零件，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之零件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之零件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在許多微影裝置中，在投影系統之最終元件之間提供流體(尤其是液體)以實現較小特徵之成像及/或增加裝置之有效NA。下文參考此浸沒裝置進一步描述本發明，但可以非浸沒裝置同等地體現本發明。可將用於在投影系統之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成至少兩種通用種類。此等種類為浴類型配置及所謂局域化浸沒系統。在浴類型配置中，基板之實質上全部及(視情況)基板台之部分被浸漬於液體浴中。所謂局域化浸沒系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。在後一種類中，藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且經填充有液體之區域相對於投影系統保持實質上靜止，而基板在該區域下方移動。本發明之一實施例所針對之另外配置為全濕潤解決方案，其中液體係未受限制的。在此配置中，基板之實質上整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度小。液體可為在基板上之液體膜(諸如，液體薄膜)。圖2至圖5之液體供應器件中任一者可用於此系統中；然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。
所提議配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(理想地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在已傳遞於投影系統下方之後藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側供應液體且在-X側吸取液體。
圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在元件之另一側藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在基板W上方之箭頭說明液體流動方向，且在基板W下方之箭頭說明基板台之移動方向。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終元件所定位之入口及出口的各種定向及數目係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件依規則圖案提供在任一側的入口與出口之四個集合。在液體供應器件及液體回收器件中之箭頭指示液體流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上的兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口及出口，且將投影光束投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制部件之液體供應系統，液體限制部件沿著在投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。液體限制部件在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件形成於液體限制部與基板之表面之間。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構與基板之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。
圖5示意性地描繪具有流體處置結構12之局域化液體供應系統。流體處置結構沿著在投影系統之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台之表面)。流體處置結構12在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於障壁部件與基板W之表面之間，且可為諸如流體密封件(理想地，氣體密封件)之無接觸密封件。
流體處置結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統之影像場形成對基板W之無接觸密封件16，使得將液體限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間內。藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的流體處置結構12至少部分地形成空間。液體係藉由液體入口13被帶入至在投影系統下方及在流體處置結構12內之空間中。可藉由液體出口13移除液體。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，流體處置結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此狀況。
在一實施例中，藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於流體處置結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，係藉由氮氣或另一惰性氣體形成。氣體密封件中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至在流體處置結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及該間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對在流體處置結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣流16對於使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。
圖5之實例為所謂局域化區域配置，其中液體在任一時間僅提供至基板W之頂部表面的局域化區域。其他配置係可能的，包括使用如(例如)美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之單相抽取器或二相抽取器的流體處置系統。
可能存在之另一配置為基於氣體拖曳原理而工作之配置。已(例如)在2008年5月8日申請之美國專利申請公開案第US 2008-0212046號及美國專利申請案第US 61/071,621號中描述所謂氣體拖曳原理。在該系統中，以理想地具有隅角之形狀配置抽取孔。隅角可與步進或掃描方向對準。對於在步進或掃描方向上之給定速率，相比於流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於掃描方向的情況，隅角可與步進或掃描方向對準的情況會縮減對在流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面之力。
US 2008-0212046中亦揭示徑向地定位於主液體擷取特徵外部之氣刀(gas knife)。氣刀截留通過主液體擷取特徵之任何液體。此氣刀可存在於所謂氣體拖曳原理配置(如US 2008-0212046中所揭示)中、存在於單相或二相抽取器配置(諸如US-2009-0262318-A1中所揭示)中，或存在於任何其他配置中。
許多其他類型之液體供應系統係可能的。本發明既不限於任何特定類型之液體供應系統，又不限於浸沒微影。本發明可同等地應用於任何微影中。
控制系統500控制微影裝置之總操作且尤其執行下文進一步所描述之最佳化程序。控制系統500可體現為經合適地程式化之一般用途電腦，其包含中央處理單元、揮發性及非揮發性儲存構件、諸如鍵盤及螢幕之輸入及輸出器件、至網路之連接件，及至微影裝置之各種零件之介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置之間的一對一關係不係必要的。在本發明之一實施例中，一個電腦可控制多個微影裝置。在本發明之另一實施例中，多個網路連接式電腦可用以控制一個微影裝置。控制系統500可經組態以亦控制微影製造單元(lithocell)或叢集(cluster)(微影裝置形成其零件)中之關聯程序器件及基板處置器件。控制系統500亦可經組態以服從微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或工場之總控制系統。
圖6描繪根據本發明之一實施例的控制方案的控制理論圖。控制方案係藉由根據本發明之一實施例的定位系統執行。在一實施例中，控制系統500根據控制方案來控制定位系統。定位系統係用於控制微影裝置之上位組件與下位組件之間的相對位置。每一組件之位置可藉由一正交座標集合界定。
定位系統包含量測器件61，量測器件61經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置xWS 相對於量測座標中之設定點位置r的誤差eWT 。定位系統進一步包含控制器62，控制器62經組態以基於經判定誤差eWT 來控制在控制座標中另一組件之移動。量測座標不同於控制座標。
此情形之目的在於：在特定方向或旋轉方向上另一組件之移動可考量在不同方向或旋轉方向上該等組件中之一者之位置誤差。此情形藉由當控制在該等組件之各種座標中該等組件之移動時考量更多資料片段來改良該等組件相對於彼此之移動之控制的準確性。
微影裝置之下位組件及上位組件可為微影裝置中相對位置需要被控制之任何兩個組件。在本發明之一實施例中，下位組件為基板台WT，且上位組件為支撐結構MT。出於便利起見，下文將依據基板台WT及支撐結構MT來描述本發明之實施例。然而，應理解，除非有明確敍述，否則本發明不限於基板台WT及支撐結構MT。
在一實施例中，該等組件界定實質上平行x-y平面。量測座標及控制座標為x、y及z方向中之一者。
根據已知系統，基於基板台WT之位置之經判定誤差的支撐結構MT上之饋通力係針對x、y及z方向被獨立地實施。舉例而言，使用在x方向上基板台WT之位置誤差以判定在x方向上作用於支撐結構MT上之饋通力。
本發明涉及在一方向或旋轉方向上基板台WT之位置誤差與在不同方向或旋轉方向上支撐結構MT之移動之間的交叉項。
在一實施例中，供藉由量測器件61判定誤差之量測方向為z方向。當考量在z方向上基板台WT之位置之誤差時，作用於支撐結構MT上之饋通力之效應變得更關鍵。舉例而言，回應於z方向饋通而在支撐結構MT上出現某一寄生扭矩。此情形造成在x及y方向上支撐結構MT之位置誤差。本發明藉由包括基於在z方向上基板台WT之位置誤差而在x及y方向上作用於支撐結構MT上之饋通力分量來處理此問題。
在一實施例中，量測座標及/或控制座標為指示基板台WT圍繞x、y及z軸中之一者之傾角的座標。基板台WT之總位置及定向不僅可依據x、y及z方向予以描述，而且可藉由基板台WT圍繞此等軸中每一者之傾角予以描述。基板台WT之傾角可影響支撐結構MT之位置誤差。根據本發明，可藉由在x、y及z方向上及在取決於基板台WT之傾角之傾角旋轉方向上作用於支撐結構MT上之饋通力分量來考量此等效應。
量測器件61可經組態以判定正交座標集合之每一座標中之誤差。控制器62可經組態以在每一座標中基於其他座標中至少一者中之經判定誤差eWT 來控制支撐結構MT之移動。在考量所有三個笛卡爾(Cartesian)座標及所有三個傾角方向之狀況下，可藉由控制器62在此等六個座標中每一者中控制支撐結構MT之移動及定向。控制器62可基於基板台WT之六個經判定誤差(針對每一座標有一個經判定誤差)來控制在每一座標中支撐結構MT之移動。
圖6描繪指示在x、y及z方向中每一者上作用於支撐結構MT上之饋通力係數的3×3矩陣63，其中每一力分量係基於在x、y及z方向中每一者上基板台WT之經判定位置誤差eWT 。若亦考量傾角方向，則可將此矩陣63擴展至6×6矩陣。因此，座標可包含六維座標系統，六維座標系統包含三維笛卡爾座標系統，及指示基板台WT及支撐結構MT圍繞笛卡爾軸中每一者之傾角的三個座標。
定位系統可包含多輸入多輸出(MIMO)系統，MIMO系統經組態以在量測器件61與控制器62之間傳達每一座標中之經判定誤差eWT 。信號線可攜載關於多個方向或旋轉方向而非僅一個方向之資訊。矩陣63使如藉由誤差補償器65計算之力與對支撐結構MT之實際力相關。
在一實施例中，定位系統包含多輸入多輸出系統，多輸入多輸出系統經組態以在量測器件與控制器之間傳達每一座標中之經判定誤差。
圖6之圖解之頂部環路表示支撐結構MT之控制。微影裝置可包含支撐結構控制器CMT 及機械轉移HMT 。機械轉移HMT 表示經施加以將支撐結構MT移動至其位置xMT 之力的轉移函數。基於基板台WT之位置誤差eWT 的饋通力係藉由誤差補償器65計算，且與藉由子控制器CMT 基於支撐結構MT之位置誤差eMT 之回饋而判定的力進行組合。支撐結構MT之位置誤差eMT 係藉由支撐結構MT之瞬時位置xMT 與等於4×r之支撐結構設定點位置之間的差計算，從而指示：歸因於投影光學器件之放大因數，支撐結構MT移動得比基板台WT多四倍。
圖6之圖解所示之底部環路為基板台WT之控制。基板台控制環路可包含基板台控制器CWT 及機械轉移HWT 。
支撐結構接收設定點4r，其為基板台WT之設定點r的四倍，而其輸出僅計數相關相對誤差ewr 中之。此情形反映如下事實：圖案影像係藉由投影系統PS以M=1/4之放大因數予以投影，且支撐結構MT以為基板台WT之速率的四倍進行掃描。
應注意，在此描述中，將放大因數取為4，其為當前工業標準。然而，本發明決不取決於放大因數。因此，在使用數目4之圖式中的情況下，此數目可藉由取決於微影裝置之放大因數的任何其他數目取代。
定位系統可包含設定點產生器(圖中未繪示)，設定點產生器經組態以產生針對基板台WT之基板台設定點位置r且產生針對支撐結構MT之支撐結構設定點位置4r。基板台設定點位置r與支撐結構設定點位置4r相差放大因數，使得基板台WT之移動與支撐結構MT之移動相差放大因數。定位系統可包含用於產生針對支撐結構MT及針對基板台WT之設定點的分離設定點產生器。在此狀況下，分離設定點產生器經組態以產生設定點，使得基板台WT與支撐結構MT之間的位置關係匹配在曝光程序期間投影系統之放大比率。
在一實施例中，設定點產生器經組態以產生針對該等組件中之一者之依序設定點位置，其中控制器經組態以基於經判定誤差及後續設定點位置來控制該等組件中之另一者之移動。
部分地由自基板台WT至支撐結構MT之高饋通力造成的支撐結構MT之高加速度可導致針對密集或隔離式成像結構之條紋問題及疊對。此等饋通力可為(例如)高達15牛頓，且可由基板台WT或其至編碼器頭之連接件中之共振(例如，在高於3千赫茲之頻率下)造成。此等高饋通力可在微影裝置之其他組件(諸如，支撐結構MT上之光罩MA之連接件)中造成共振，從而導致上文所提及之問題。
饋通力可激發支撐結構MT之固有頻率。此情形可引起成像誤差。此外，在加速期間之大峰值力可造成圖案化器件MA之滑動。
為了縮減條紋及疊對問題，可將濾波器應用於來自基板台WT之誤差信號及/或應用於自經判定誤差eWT 所計算之補償性控制信號。舉例而言，圖6描繪應用於自基板台WT所饋通之誤差信號的濾波器HFC 。圖6亦描繪應用於補償性控制信號之另一濾波器HFF ，補償性控制信號被加至用於支撐結構MT之回饋環路。
圖7描繪根據本發明之一實施例的控制方案的控制理論圖。控制方案係藉由根據本發明之一實施例的定位系統執行。在一實施例中，控制系統500(圖1所描繪)根據控制方案來控制定位系統。定位系統係用於控制微影裝置之支撐結構MT與基板台WT之間的相對位置。
定位系統包含設定點產生器，設定點產生器經組態以產生針對基板台WT之依序設定點位置r(k)。定位系統進一步包含量測器件61，量測器件61經組態以判定基板台WT之瞬時位置相對於瞬時設定點位置r(k)的誤差eWT 。定位系統進一步包含控制器62，控制器62經組態以基於經判定誤差eWT 及後續設定點位置r(k+1)來控制支撐結構MT之移動。
此情形之目的在於：可較早地將由基板台WT之設定點r引起的基板台WT之位置誤差饋通至控制器62。此情形允許補償支撐結構MT對基板台WT之位置誤差eWT 之反應的時滯。
所使用之後續設定點位置可為緊接後續設定點位置r(k+1)。或者，時滯可對應於高數目個設定點樣本，使得可使用設定點位置之另外後續值，諸如，r(k+2)或r(k+3)，其中k表示設定點系列中之樣本號碼。
支撐結構MT對基板台WT之位置誤差eWT 之反應的時滯係部分地歸因於基於自基板台WT所饋通之誤差信號來計算待施加至支撐結構MT之力所需要的時間。出於此原因，在圖6所描繪之控制系統中包含設定點補償器64。藉由使用設定點補償器64，可提供基板台WT之較早設定點位置以調整支撐結構MT之設定點位置。舉例而言，可基於基板台之誤差信號來調整針對支撐結構MT之設定點位置，其比供計算用於調整施加至該支撐結構之力之補償性控制信號的樣本晚兩個設定點樣本。較佳地，自設定點補償器64之輸入至其輸出的時滯匹配藉由誤差補償器65引入之時滯、HMT 對此時滯之回應，及系統中之可能其他延遲。此時滯可為(例如)兩個樣本。
可將基板台WT之位置誤差視為包含兩個分量，即，藉由設定點r產生之一個分量，及不藉由設定點r產生之一個分量。藉由設定點r產生之分量對於在z方向上基板台WT之位置誤差尤其重要。在曝光程序期間，基板台在z方向上移動以使非平坦基板W保持於投影光學器件之焦平面中。饋入至基板台WT之設定點r係藉由基板W之位階規定，基板W之位階不係恆定的。
因為設定點位置r與隨後誤差之間的關係在很大程度上為吾人所知，所以可預測歸因於對基板台WT所執行之調平操作的基板台WT之位置誤差eWT 的回應。因此，藉由知曉將饋入至基板台WT之設定點樣本(其通常被知曉提前數個樣本)，可提前幾個樣本來預測基板台WT之位置誤差。
如圖7所描繪之本發明優於已知系統之改良之處在於：由設定點r引起的位置誤差eWT 之分量可提前一或多個樣本被饋入至控制器62，藉此縮減支撐結構MT對基板台WT之位置誤差eWT 之反應的時滯。
定位系統可進一步包含誤差預測器71，誤差預測器71經組態以預測基板台WT之後續位置相對於後續設定點位置r(k+1)的後續誤差。控制器62經組態以基於經判定誤差eWT 及經預測後續誤差來移動支撐結構MT。藉由誤差預測器71輸出經預測後續誤差。
定位系統可包括前饋誤差計算器72，前饋誤差計算器72經組態以藉由組合經預測後續誤差與經判定誤差eWT 來計算前饋誤差eFT 。控制器62經組態以基於前饋誤差eFT 來控制支撐結構MT之移動。前饋誤差eFT 接著代替饋入至圖6中之濾波器HFC 的誤差信號。
可自以下表達式計算藉由設定點r產生之誤差：eWT =Her r。Her 在很大程度上為吾人所知且可實施於軟體中以預測作為設定點r之函數的基板台誤差eWT 。
真實出現誤差可饋入至基板台WT，但排除已經預測的藉由設定點r產生之誤差之分量。可如下計算饋通誤差eFT ：eFT (k)=eWT (k)+(1-z-1 )Her r(k+1)。
根據圖7所描繪之實施例，支撐結構MT可藉由控制器62控制以更快地回應於基板台WT之位置誤差。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的定位系統，該定位系統包含：一設定點產生器，其經組態以產生針對該等組件中之一者之依序設定點位置；一量測器件，其經組態以判定該等組件中之該一者之瞬時位置相對於瞬時設定點位置的一誤差；及一控制器，其經組態以基於該經判定誤差及一後續設定點位置來控制該等組件中之另一者之移動。
在該定位系統之一實施例中，該等組件界定實質上平行x-y平面，且該量測器件經組態以判定在z方向上之該誤差。
在一實施例中，該定位系統包含一誤差預測器，該誤差預測器經組態以預測該等組件中之該一者之後續位置相對於該後續設定點位置的一後續誤差，其中該控制器經組態以基於該經判定誤差及該經預測後續誤差來移動該等組件中之該另一者。
在一實施例中，該定位系統進一步包含一前饋誤差計算器，該前饋誤差計算器經組態以藉由組合該經預測後續誤差與該經判定誤差來計算一前饋誤差，其中該控制器經組態以基於該前饋誤差來控制該另一組件之移動。
在一實施例中，該定位系統之該量測器件為一補償性量測器件，該補償性量測器件經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一經補償誤差，其中該經補償誤差自實際誤差排除歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之至少一頻率分量的一誤差分量，且其中該定位系統進一步包含一非補償性量測器件，該非補償性量測器件經組態以判定該等組件中之該一者之該瞬時位置相對於該設定點位置的一未經補償誤差，其中該未經補償誤差包括歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之該至少一頻率分量的該誤差分量。
圖8為根據本發明之一實施例的控制方案的控制理論圖。控制方案係藉由根據本發明之一實施例的定位系統執行。在一實施例中，控制系統500(圖1所描繪)根據控制方案來控制定位系統。定位系統係用於控制微影裝置之支撐結構MT與基板台WT之間的相對位置。定位系統包含補償性量測器件，補償性量測器件經組態以判定基板台WT之瞬時位置相對於設定點位置r的經補償誤差eWT 。量測器件81量測基板台WT之經補償瞬時位置。比較經量測之經補償瞬時位置與設定點位置r以判定經補償誤差eWT 。經補償誤差eWT 自實際誤差排除歸因於基板台WT之移動之至少一頻率分量的誤差分量。
定位系統進一步包含非補償性量測器件，非補償性量測器件經組態以判定基板台WT之瞬時位置相對於設定點位置r的未經補償誤差。量測器件82經組態以量測基板台WT之未經補償瞬時位置。比較基板台WT之未經補償瞬時位置與藉由量測器件81量測的基板台WT之經補償瞬時位置。比較之結果表示歸因於基板台WT之移動之至少一頻率分量的位置分量。將此分量加至經補償誤差eWT 以判定未經補償誤差。未經補償誤差包括歸因於基板台WT之移動之至少一頻率分量的誤差分量。
至少一頻率分量可對應於基板台WT之扭轉模式。經補償誤差(例如，扭轉模式補償)之判定自在至少z方向上基板台WT之經量測位置很大程度地移除扭轉模式。
舉例而言，量測器件81可經組態以藉由在為扭轉模式(或對應於至少一頻率分量之任何移動模式)之節點的基板台WT之零件處量測經補償位置來量測基板台WT之經補償位置。或者，量測器件81將基板台WT之位置量測變換至在扭轉模式之節點處的點。當然，本發明不限於扭轉模式之補償。亦可補償其他模式。
量測器件81可在基板W之中心處(而非自在投影系統PS之最終元件正下方之位置)判定在扭轉模式頻率下在z方向上基板台WT之位置。此情形之目的係自量測消除扭轉模式。因為基板台WT之中心為扭轉模式之節點，所以此情形係有效的。
消除扭轉模式之目的在於：若考量扭轉模式，則可存在針對基板台WT之位置控制的伺服穩定性問題。極難以控制在高頻率下基板台WT之移動以考量其歸因於扭轉模式之移動。基板台WT具有引起在特定頻率下之共振的動態屬性。若共振之頻率過高(與扭轉模式之狀況一樣)，則此共振不能藉由基板台控制器CWT 補償。
與此對比，支撐結構MT之移動係至少部分地受到藉由控制器62提供之饋通信號驅動，且不完全地依賴於支撐結構控制器CMT 。因此，不能藉由基板台控制器CWT 補償之高頻率(諸如，在(例如)650赫茲至800赫茲下之扭轉模式)可至少部分地藉由控制器62補償。
出於此原因，需要亦計算在投影系統PS之最終元件正下方的基板台WT之實際位置。此計算係藉由非補償性量測器件82而進行。因而，有可能另外計算在透鏡下方之z位置(隨著基板W經歷該透鏡)，且將與如藉由基板台控制器CWT 使用之z位置的差饋入至支撐結構MT。以此方式，避免基板台控制器CWT 之伺服穩定性問題，同時支撐結構MT可追蹤實際位置與經補償誤差之間的差，藉此補償扭轉模式。圖8中描繪此情形。在一實施例中，直接自量測器件82傳輸未經補償誤差以用作饋通誤差eFT 。此係因為eFT 表示設定點位置r與量測器件82之輸出之間的差。因此，eFT 等於基板台WT之未經補償位置誤差。
基板台WT之編碼器頭可執行基板台WT之z位置之量測。相比於非補償性量測器件82，補償性量測器件81使用不同變換。量測器件82可經組態以在不為扭轉模式(或對應於至少一頻率分量之其他移動模式)之節點的基板台之零件處量測基板台WT之未經補償位置。
在該定位系統之一實施例中，該補償性量測器件經組態以藉由在為對應於該至少一頻率分量之一移動模式之一節點的該等組件中之該一者之一零件處量測該經補償誤差來判定該經補償誤差。
在一實施例中，該定位系統包含一非補償性量測器件，該非補償性量測器件經組態以藉由在不為對應於該至少一頻率分量之一移動模式之一節點的該等組件中之該一者之一零件處量測該未經補償誤差來判定該未經補償誤差。
在一實施例中，該定位系統進一步包含：一量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一瞬時設定點位置的一瞬時誤差；一相對誤差量測器件，其經組態以判定該等組件中之該一者之一瞬時位置與該等組件中之另一者之一瞬時位置之間的一相對誤差；一可變增益控制器，其經組態以基於該經判定相對誤差來增益控制該瞬時誤差；及一控制器，其經組態以基於該經增益控制瞬時誤差來控制該等組件中之該另一者之移動。
圖9為根據本發明之一實施例的控制方案的控制理論圖。控制方案係藉由根據本發明之一實施例的定位系統執行。在一實施例中，控制系統500(圖1所描繪)根據控制方案來控制定位系統。定位系統包含相對誤差量測器件91，相對誤差量測器件91經組態以判定基板台WT之瞬時位置與支撐結構MT之瞬時位置之間的相對誤差eWR 。控制器62經組態以基於經判定相對誤差eWR 來控制支撐結構MT之移動。
此情形之目的在於：支撐結構MT與基板台WT之位置之間的相對誤差比此等物中任一者之位置相對於設定點r或4r之絕對誤差更重要。
定位系統可進一步包含量測器件61，量測器件61經組態以判定基板台WT之瞬時位置相對於瞬時設定點位置r的瞬時誤差。此量測器件61係如上文關於圖6、圖7及圖8所描述。控制器62經組態以基於經判定相對誤差eWR 及經判定瞬時誤差eWT 來控制支撐結構MT之移動。
較佳地，定位系統包含可變增益控制器92，可變增益控制器92經組態以基於經判定相對誤差eWR 來判定誤差增益X，且基於經判定誤差增益X來調整經判定瞬時誤差eWT 。因此，當基板台WT與支撐結構MT之位置之間的相對誤差eWR 大時，可增加饋通增益。此情形將相對誤差eWR 更快地驅動為零。較佳地，提供濾波器HVGC ，以便在相對誤差eWR 與經判定瞬時誤差eWT 之間產生正確的相行為(phase behaviour)。
如圖9所描繪，可變增益控制可涉及判定經濾波相對誤差eWR 之絕對值。接著，可使經濾波相對誤差之絕對值乘以因數K，以便考量相對誤差為大約奈米且因此不會給出增益值之適當指示的事實。一旦乘以因數K，所得值隨即可增加達1，以便確保增益為至少1，使得可變增益控制器92用以增加饋通誤差，而非減小饋通誤差。量測器件91可經組態以量測支撐結構MT與基板台WT之位置誤差之間的差，而非該等位置誤差之絕對值。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的定位系統，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一瞬時設定點位置的一瞬時誤差；一相對誤差量測器件，其經組態以判定該等組件中之該一者之一瞬時位置與該等組件中之另一者之一瞬時位置之間的一相對誤差；一可變增益控制器，其經組態以基於該經判定相對誤差來增益控制該瞬時誤差；及一控制器，其經組態以基於該經增益控制瞬時誤差來控制該等組件中之該另一者之移動。
在該定位系統之一實施例中，該可變增益控制器經組態以濾波該經判定相對誤差，且計算該經濾波相對誤差之一絕對值。
在該定位系統之一實施例中，該可變增益控制器經組態以將1加至該經濾波相對誤差之該絕對值，且使所得值乘以一放大因數，藉此以計算用於該瞬時誤差之增益控制之一誤差增益值。
在一實施例中，該定位系統包含一量測器件，該量測器件經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一誤差，其中該控制器經組態以基於該經判定誤差之一第三階或較高階導數來控制該等組件中之另一者之移動。
圖10為根據本發明之一實施例的控制方案的控制理論圖。控制方案係藉由根據本發明之一實施例的定位系統執行。在一實施例中，控制系統500根據控制方案來控制定位系統。定位系統係用於控制微影裝置之支撐結構MT與基板台WT之間的相對位置。定位系統包含量測器件61，量測器件61經組態以判定基板台WT之瞬時位置相對於設定點位置r的誤差。定位系統進一步包含控制器62，控制器62經組態以基於經判定誤差之第三階或較高階導數來控制支撐結構MT之移動。較佳地，控制器62經組態以基於經判定誤差之第四階或較高階導數來控制支撐結構MT之移動。
誤差補償器65可藉由計算經判定誤差之第二階導數且乘以支撐結構MT之質量來近似支撐結構轉移函數HMT 之逆函數。舉例而言，圖6中展示此情形，在圖6中，誤差補償器65經展示為計算4ms2 。根據本發明之一實施例，「快動(snap)」項ds4 亦包括於藉由誤差補償器65執行之計算中，其中s表示經判定誤差之導數階。
結果，饋通力針對較高頻率可更有效，在較高頻率下支撐結構MT之動態屬性變得更重要。亦可使用經判定誤差之其他導數階。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的定位系統，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一誤差；及一控制器，其經組態以基於該經判定誤差之一第三階或較高階導數來控制該等組件中之另一者之移動。
在該定位系統之一實施例中，該控制器經組態以基於該經判定誤差之一第四階或較高階導數來控制該等組件中之另一者之移動。
在一實施例中，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一誤差；一誤差補償器，其經組態以基於該經判定誤差來產生用於控制該等組件中之另一者之移動的一補償性控制信號；及一限制器，其經組態以限制該補償性控制信號，其中該控制器經組態以基於該受限制補償性控制信號來控制該等組件中之另一者之移動。
圖11為根據本發明之一實施例的控制方案的控制理論圖。控制方案係藉由根據本發明之一實施例的定位系統執行。在一實施例中，控制系統500根據控制方案來控制定位系統。定位系統係用於控制微影裝置之支撐結構MT與基板台WT之間的相對位置。定位系統包含：量測器件61，其經組態以判定基板台WT之瞬時位置相對於設定點位置r的誤差；及誤差補償器65，其經組態以基於經判定誤差eWT 來產生用於控制支撐結構MT之移動的補償性控制信號。藉由量測基板台WT之位置且比較經量測位置與設定點位置r來判定基板台WT之瞬時位置之誤差。定位系統進一步包含：限制器111，其經組態以限制補償性控制信號；及控制器62，其經組態以基於受限制補償性控制信號來控制支撐結構MT之移動。
藉由使用限制器111，可限制饋通誤差及力之峰值。較佳地，在補償性控制信號已藉由誤差補償器65計算且藉由濾波器HFF 濾波之後執行此限制。以此方式，限制動作自身將不在此等濾波器中造成任何動態瞬變效應。
濾波器內部狀態可僅逐漸地改變，以便防止「振鈴(ringing)」，此將在下文關於圖13予以進一步詳細地描述。
較佳地，提供兩個限制器，針對至支撐結構MT之饋通路徑之每一叉路有一個限制器。限制器111中之一者可定位於設定點補償器64之輸出之後，其中另一限制器提供於濾波誤差補償器65之輸出的濾波器HFF 之輸出之後。較佳地，兩個限制器實質上相同。限制器111可彼此通信，以便確保設定點調整匹配饋通力調整。
在一實施例中，提供僅一個限制器111。在此狀況下，限制器111可直接提供於濾波器HFC 之前或直接提供於濾波器HFC 之後。然而，此情形可造成饋通濾波器之「振鈴」。舉例而言，限制器可經組態以藉由限幅或藉由飽和來限制補償性控制信號。
限制器111可經組態以基於基板台及/或支撐結構MT之移動來限制補償性控制信號。詳言之，限制器可經組態以基於支撐結構及/或基板台WT之掃描狀態進行限制。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的定位系統，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一誤差；一誤差補償器，其經組態以基於該經判定誤差來產生用於控制該等組件中之另一者之移動的一補償性控制信號；一限制器，其經組態以限制該補償性控制信號；及一控制器，其經組態以基於該受限制補償性控制信號來控制該等組件中之另一者之移動。
在該定位系統之一實施例中，該限制器經組態以基於該下位組件及/或該上位組件之一移動來限制該補償性控制信號。
在該定位系統之一實施例中，該誤差補償器經組態以藉由計算該經判定誤差之一第二階或較高階導數來產生該補償性控制信號。
在該定位系統之實施例中，該限制器經組態以藉由限幅來限制該補償性控制信號。
在該定位系統之一實施例中，該上位組件為經建構以支撐一圖案化器件之一支撐結構，該下位組件為經建構以固持一基板之一基板台，且該限制器經組態以基於該支撐結構及/或該基板台之一掃描狀態來限制該補償性控制信號。
在該定位系統之一實施例中，該限制器經組態以藉由在一掃描操作外部將該補償性控制信號限制為零來限制該信號。
在該定位系統之一實施例中，該限制器經組態以藉由緊接地在一掃描操作之前自零逐漸地增加該補償性控制信號來限制該信號。
在該定位系統之一實施例中，該限制器經組態以藉由緊接地在一掃描操作之後將該補償性控制信號逐漸地減小至零來限制該信號。
在該定位系統之一實施例中，該限制器經組態以基於該下位組件及/或該上位組件之一加速狀態來限制該補償性控制信號。
在一實施例中，該定位系統進一步包含一設定點產生器，該設定點產生器經組態以產生針對該下位組件之一下位組件設定點位置且產生針對該上位組件之一上位組件設定點位置，其中該下位組件設定點位置與該上位組件設定點位置相差一放大因數，使得該下位組件之移動與該上位組件之移動相差該放大因數。
在一實施例中，該定位系統包含：一誤差補償器，其經組態以基於該經判定誤差來產生用於控制該等組件中之另一者之移動的一補償性控制信號；及一設定點補償器，其經組態以基於該經判定誤差來產生用於調整該上位組件設定點位置之一補償性設定點信號。
在該定位系統之一實施例中，該上位組件為經建構以支撐一圖案化器件之一支撐結構，且該下位組件為經建構以將一基板固持於該支撐結構下方之一基板台。
圖12描繪根據本發明之一實施例的饋通力及所得誤差。如圖12所描繪，饋通力僅在掃描操作期間接通且因此有效。因此，限制器111經組態以藉由在掃描操作外部將補償性控制信號限制為零來限制該信號。限制器111可連接至微影裝置之同步匯流排控制器，其提供掃描操作是否在進行中之資訊。
在圖12至圖14中，實圖線表示歸因於饋通力之位置誤差，規則虛線表示饋通力之加權(亦即，在規則虛線處於零之情況下，饋通力斷開)，且點劃線表示基板台WT及支撐結構MT之加速度量變曲線。
如圖12所描繪，在掃描週期外部(即，在週期T1及T3期間)，誤差饋通力為零。在掃描週期(即，T2)期間，歸因於饋通力之誤差為非零。
藉由控制饋通力系統以使得其僅在掃描週期期間處於作用中，饋通誤差峰值會縮減。峰值饋通力亦會縮減。此方法尤其產生由在掃描運動之加速階段期間之誤差造成的饋通力之分量之大縮減。
然而，在圖12中可看出，在自T1至T2及自T2至T3之過渡週期中存在饋通力誤差之銳利截止。此情形可造成支撐結構MT之位置誤差之「振鈴」。「振鈴」係歸因於輸入信號之突然改變且造成組件之控制之誤差。
圖13描繪根據本發明之一實施例的饋通力及所得誤差。圖13對應於圖11所描繪之實施例，其中限制器111經組態以藉由緊接地在掃描操作之前自零逐漸地增加補償性控制信號來限制該信號。圖13中藉由在T1'與T2'之間的過渡時間週期中縮減但非零之誤差之存在且藉由傾斜規則虛線來展示此情形。
理想地，限制器111經組態以藉由緊接地在掃描操作之後將補償性控制信號逐漸地減小至零來限制該信號。藉由在T2'與T3'之間的過渡週期中縮減但非零之誤差且藉由傾斜規則虛線來展示此情形。
如同圖12所描繪之限制方法，圖13所描繪之方法引起在掃描操作期間饋通峰值誤差之大縮減(但不如同圖12所描繪之方法的情況一樣相當如此大之縮減)。在掃描週期T2'外部存在位置誤差之平滑化。在此方法的情況下，存在饋通峰值力之大縮減。在掃描週期T2'之前及之後的誤差之平滑化會縮減不良「振鈴」效應。
圖14描繪根據本發明之一實施例的饋通力及所得誤差。在此實施例中，限制器111經組態以基於基板台WT及/或支撐結構MT之加速狀態來限制補償性控制信號。詳言之，可取決於基板台WT及/或支撐結構MT之加速度來加權饋通力之位準。當加速度為零時，將饋通力設定至100%。當加速度為最大值時，饋通力為零。取決於此等兩個極值之間的加速度位準來加權饋通力。
圖14所描繪之方法具有縮減在加速期間之饋通峰值誤差的效應。峰值饋通力亦會縮減，但不如同圖12及圖13所描繪之方法的情況一樣多。
較佳地，定位系統包含：誤差補償器65，其經組態以基於經判定誤差來產生用於控制支撐結構MT之移動的補償性控制信號；及設定點補償器64，其經組態以基於經判定誤差來產生用於調整支撐結構設定點位置之補償性設定點信號。
在本發明之一實施例中，微影裝置包含支撐結構MT、基板台WT，及包含上述量測器件61及上述控制器62之定位系統，上述控制器62經組態以基於經判定誤差eWT 來控制支撐結構MT之移動。支撐結構MT及基板台WT界定實質上平行x-y平面。量測器件61經組態以判定基板台WT之瞬時位置相對於z方向上之設定點位置r的誤差eWT 。在已知系統中，可在x及y方向上施加饋通力。本發明提供來自用於藉由亦使用z方向來校正支撐結構MT與基板台WT之相對位置之饋通力的良好結果。
較佳地，控制器62經組態以基於經判定誤差來控制在z方向上支撐結構之移動。此情形係用以補償支撐結構MT與基板台WT之相對z位置。當然，如上文所描述，亦可使用用於控制取決於基板台WT之z方向誤差的支撐結構MT之x及y方向移動的交叉項。對於不同方向，放大因數可不同。詳言之，相比於x及y方向，在z方向上，放大因數可不同。舉例而言，取決於投影光學器件之類型，在z方向上之放大因數可二次地變大(例如，16)。
根據一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件；一基板台，其經建構以固持一基板；及一定位系統，其用於控制該支撐結構與該基板台之間的一相對位置，其中該支撐結構及該基板台界定實質上平行x-y平面，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該基板台之瞬時位置相對於z方向上之一設定點位置的一誤差；及一控制器，其經組態以基於該經判定誤差來控制該支撐結構之移動。
在該微影裝置之一實施例中，該控制器經組態以基於該經判定誤差來控制在z方向上該支撐結構之移動。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，該方法包含以下步驟：產生針對該等組件中之一者之依序設定點位置；判定該等組件中之該一者之瞬時位置相對於瞬時設定點位置的一誤差；及基於該經判定誤差及一後續設定點位置來控制該等組件中之另一者之移動。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，該方法包含以下步驟：判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一瞬時設定點位置的一瞬時誤差；判定該等組件中之該一者之瞬時位置與該等組件中之另一者之一瞬時位置之間的一相對誤差；基於該經判定相對誤差來增益控制該瞬時誤差；及基於該經增益控制瞬時誤差來控制該等組件中之該另一者之移動。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，該方法包含以下步驟：判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一誤差；及基於該經判定誤差之一第三階或較高階導數來控制該等組件中之另一者之移動。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，該方法包含以下步驟：判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一誤差；基於該經判定誤差來產生用於控制該等組件中之另一者之移動的一補償性控制信號；限制該補償性控制信號；及基於該受限制補償性控制信號來控制該等組件中之另一者之移動。
根據一實施例，提供一種用於控制一微影裝置的經建構以支撐一圖案化器件之一支撐結構與經建構以固持一基板之一基板台之間的一相對位置的方法，其中該支撐結構及該基板台界定實質上平行x-y平面，該方法包含以下步驟：判定該基板台之瞬時位置相對於z方向上之一設定點位置的一誤差；及基於該經判定誤差來控制該支撐結構之移動。
應瞭解，上文所描述之特徵中任一者皆可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所涵蓋的明確地所描述之該等組合。舉例而言，如圖11所示之限制器111可應用於上文所描述且圖6至圖10所描繪之所有其他控制方案中。在另一實施例中，下位組件可(例如)係關於耦接至透鏡系統PS且(較佳地)在六個自由度上受到控制之作用中透鏡或鏡面子系統。在此實施例中，上位組件之誤差可作為位置設定點及/或加速度設定點被給予透鏡或鏡面子系統。此情形可為有益的，此係因為透鏡或鏡面子系統相比於上位組件相對輕量且緻密，從而引起較高內部頻率且因此引起較高控制伺服頻寬。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
上文所描述之控制器可具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器亦可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是在基板及/或基板台上未受限制的。在一未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒液體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵的一或多個元件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11．．．空間
12．．．流體處置結構
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口
15．．．氣體入口
16．．．無接觸密封件/氣體密封件/高速氣流
61．．．量測器件
62．．．控制器
63．．．3×3矩陣
64．．．設定點補償器
65．．．誤差補償器
71．．．誤差預測器
72．．．前饋誤差計算器
81．．．補償性量測器件
82．．．非補償性量測器件
91．．．相對誤差量測器件
92．．．可變增益控制器
111．．．限制器
500．．．控制系統
BD．．．光束遞送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統/透鏡系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；
圖4描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；
圖5以橫截面描繪可在本發明之一實施例中用作浸沒液體供應系統之障壁部件；
圖6為根據本發明之一實施例的控制理論電路；
圖7為根據本發明之一實施例的控制理論電路；
圖8為根據本發明之一實施例的控制理論電路；
圖9為根據本發明之一實施例的控制理論電路；
圖10為根據本發明之一實施例的控制理論電路；
圖11為根據本發明之一實施例的控制理論電路；
圖12描繪根據本發明之一實施例的饋通力及所得誤差；
圖13描繪根據本發明之一實施例的饋通力及所得誤差；
圖14描繪根據本發明之一實施例的饋通力及所得誤差。
61．．．量測器件
62．．．控制器
63．．．3×3矩陣
64．．．設定點補償器
65．．．誤差補償器

Claims (15)

  1. 一種用於控制一微影裝置之一上位組件(superior component)與一下位組件(inferior component)之間的一相對位置的定位系統，其中每一組件之一位置係藉由一正交座標集合界定，該定位系統包含：一量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一量測座標中之一設定點位置的一誤差；及一控制器，其經組態以基於該經判定誤差來控制在一控制座標中另一組件之移動；其中該量測座標不同於該控制座標。
  2. 如請求項1之定位系統，其中：該等組件界定實質上平行x-y平面；且該量測座標及該控制座標中每一者為x、y及z方向中之一者。
  3. 如請求項1之定位系統，其中該等組件界定實質上平行x-y平面，且量測方向為該z方向。
  4. 如請求項1之定位系統，其中：該等組件界定實質上平行x-y平面；且該量測座標及/或該控制座標為指示該組件圍繞x、y及z軸中之一者之傾角的一座標。
  5. 如請求項1至4中任一項之定位系統，其中：該量測器件經組態以判定該正交座標集合之每一座標中之該誤差；且該控制器經組態以在每一座標中基於其他座標中至少 一者中之該經判定誤差來控制該另一組件之該移動。
  6. 如請求項1至4中任一項之定位系統，其中該等座標包含一個六維座標系統，該六維座標系統包含一個三維笛卡爾座標系統，其中該等組件界定實質上平行x-y平面，及指示該等組件圍繞笛卡爾軸中每一者之傾角的三個座標。
  7. 一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的定位系統，該定位系統包含：一補償性量測器件，其經組態以判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於在一量測座標中之一設定點位置的一經補償誤差，其中該經補償誤差自實際誤差排除歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之至少一頻率分量的一誤差分量；及一非補償性量測器件，其經組態以判定該等組件中之該一者之該瞬時位置相對於在一量測座標中之該設定點位置的一未經補償誤差，其中該未經補償誤差包括歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之該至少一頻率分量的該誤差分量。
  8. 如請求項7之定位系統，其進一步包含：一下位組件控制器，其經組態以基於該經補償誤差及該未經補償誤差中至少一者來控制在一控制座標中之該下位組件之移動；及一上位組件控制器，其經組態以基於該經補償誤差及該未經補償誤差中之另一者來控制在一控制座標中之該 上位組件之移動。
  9. 如請求項7或8之定位系統，其中：該下位組件控制器經組態以基於該經補償誤差來控制該下位組件之移動；且該上位組件控制器經組態以基於該未經補償誤差來控制該上位組件之移動。
  10. 如請求項7或8之定位系統，其中該至少一頻率分量對應於該等組件中之該一者之一扭轉模式。
  11. 如請求項7或8之定位系統，其中：該等組件界定實質上平行x-y平面；且該等量測器件經組態以判定z方向上之該等誤差。
  12. 一種微影裝置，其包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件；一基板台，其經建構以固持一基板；及如請求項1至11中任一項之定位系統；其中該上位組件為該支撐結構，且該下位組件為該基板台。
  13. 如請求項12之微影裝置，其中該定位系統包含一量測器件，該量測器件經組態以判定該基板台之該瞬時位置相對於該z方向上之一設定點位置的一誤差。
  14. 一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，其中每一組件之一位置係藉由一正交座標集合界定，該方法包含以下步驟：判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一量測座標 中之一設定點位置的一誤差；及基於該經判定誤差來控制在一控制座標中另一組件之移動；其中該量測座標不同於該控制座標。
  15. 一種用於控制一微影裝置之一上位組件與一下位組件之間的一相對位置的方法，該方法包含以下步驟：判定該等組件中之一者之瞬時位置相對於一設定點位置的一經補償誤差，其中該經補償誤差自實際誤差排除歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之至少一頻率分量的一誤差分量；及判定該等組件中之該一者之該瞬時位置相對於該設定點位置的一未經補償誤差，其中該未經補償誤差包括歸因於該下位組件及該上位組件中之該一者之移動之該至少一頻率分量的該誤差分量。
TW100140192A 2010-11-22 2011-11-03 定位系統、微影裝置及位置控制方法 TWI484305B (zh)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI614587B (zh) * 2015-09-15 2018-02-11 Huang Tian Xing 對準方法、對位系統，及黃光微影製程

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5406861B2 (ja) * 2011-01-01 2014-02-05 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN105934724B (zh) * 2014-01-23 2018-12-21 三菱电机株式会社 电动机控制装置
SG10201709153VA (en) * 2016-12-12 2018-07-30 Canon Kk Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
US11223303B2 (en) * 2017-06-19 2022-01-11 Nikon Research Corporation Of America Motor with force constant modeling and identification for flexible mode control
KR102029976B1 (ko) 2019-03-15 2019-11-26 (주)서인지엔티 절전 및 피크감축 수요반응 대응형 자동운전시스템을 이용하는 하폐수 처리시설의 절전 및 피크감축 수요반응 대응형 자동운전제어방법
GB201908127D0 (en) * 2019-06-07 2019-07-24 Renishaw Plc Manufacturing method and apparatus
CN110632826B (zh) * 2019-08-30 2021-12-03 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 一种无掩模激光直写光刻设备在生产片对卷时的对准方法
US20220179410A1 (en) * 2020-12-04 2022-06-09 Ford Global Technologies, Llc Systems And Methods For Eliminating Vehicle Motion Interference During A Remote-Control Vehicle Maneuvering Operation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW394862B (en) * 1998-06-23 2000-06-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus
TW200846840A (en) * 2007-03-01 2008-12-01 Asml Netherlands Bv Stage system and lithographic apparatus comprising such stage system

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0618252A (ja) * 1992-06-29 1994-01-25 Hitachi Ltd 外観構成部品の検査方法
US6791098B2 (en) * 1994-01-27 2004-09-14 Cymer, Inc. Multi-input, multi-output motion control for lithography system
JP3352286B2 (ja) * 1995-07-13 2002-12-03 キヤノン株式会社 位置制御方法及び装置並びにそれを使用した半導体製造装置
JPH09148230A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Casio Comput Co Ltd 位置調整装置
EP0967525B1 (en) 1998-06-23 2005-11-16 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
EP1265104A1 (en) 2001-06-06 2002-12-11 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1321822A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2003197509A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Nikon Corp 異常検出方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060042744A (ko) * 2004-11-10 2006-05-15 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 노광장치
US7307262B2 (en) * 2004-12-23 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006344685A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Canon Inc 露光装置
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804579B2 (en) 2007-06-21 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product
US8194232B2 (en) * 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
NL1036715A1 (nl) 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW394862B (en) * 1998-06-23 2000-06-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus
TW200846840A (en) * 2007-03-01 2008-12-01 Asml Netherlands Bv Stage system and lithographic apparatus comprising such stage system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI614587B (zh) * 2015-09-15 2018-02-11 Huang Tian Xing 對準方法、對位系統，及黃光微影製程

Also Published As

Publication number Publication date
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