JP3352286B2 - 位置制御方法及び装置並びにそれを使用した半導体製造装置 - Google Patents
位置制御方法及び装置並びにそれを使用した半導体製造装置Info
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Description
装置並びにそれを使用した半導体製造装置に関し、特に
半導体製造工程でレチクルやマスクのパターンを半導体
ウエハ等の基板に露光転写する露光装置等の半導体製造
装置に適用される位置制御方法及び装置に関するもので
ある。
ンドスキャンタイプの半導体製造用露光装置のウエハス
テージ15、レチクルステージ25の位置制御は図6に
示す様な位置制御装置により制御されていた。
ジ位置制御部、15はX及び/またはY方向に移動する
ウエハステージで、その上部にはウエハ50を保持する
ウエハチャック51が載置されている。ウエハステージ
位置制御部10はウエハステージ15を移動させるため
のモータ14と、ウエハステージ15の上部に固定され
たミラー53を用いてウエハステージ15の現在位置を
計測し、ウエハステージ15の現在位置信号Pwを出力
するレーザー測長器等の位置計測器16を有している。
ステージ15の現在位置信号Pwと一定周期で発生する
目標位置指令信号Xwが入力され、位置偏差信号Ewを出
力する減算器11と、位置偏差信号Ewを入力しフィル
タ演算やPID演算や各種のゲイン補償及び位相補償演
算を行い電流指令信号Cwを出力する位置アンプ12
と、電流指令信号Cwを入力し電流増幅を行いモータ1
4にモータ電流Iwを出力するドライバアンプ13を有
している。
ジ位置制御部、25はX及び/またはY方向に移動する
レチクルステージで、その上部にはレチクル48が保持
される。レチクルステージ位置制御部20はレチクルス
テージ25を移動させるためのモータ24と、レチクル
ステージ25に固定されたミラー52を用いてレチクル
ステージ25の現在位置を測りレチクルステージ25の
現在位置信号Prを出力するレーザー測長器等の位置計
測器26を有している。
クルステージ25の現在位置信号Prと一定周期で発生
する目標位置指令信号Xrが入力され、位置偏差信号Er
を出力する減算器21と、位置偏差信号Erを入力しフ
ィルタ演算やPID演算や各種のゲイン補償及び位相補
償演算を行い電流指令信号Crを出力する位置アンプ2
2と、電流指令信号Crを入力し電流増幅を行いモータ
24にモータ電流Irを出力するドライバアンプ23を
有している。
のパターンをウエハ50に露光転写するための露光光を
発生する露光光源、42はモータ43によって回動され
て露光の開始と終了を制御するシャッター、44は光学
エレメント、45は露光光反射用のミラー、46は露光
光の強度監視用のフォトセンサー、47はレチクル48
の所定領域に露光光を照射するためのコンデンサーレン
ズである。
のコンピューターからウエハステージ15とレチクルス
テージ25の時系列目標位置指令信号Xw〔i〕(i=
1,2,3,…,n)とXr〔i〕(i=1,2,3,
…,n)が設定され、位置指令出力部2はクロック発生
器1が発生する一定周期のクロック信号Δtに従ってウ
エハステージ15の目標位置指令信号Xw〔i〕とレチ
クルステージ25の目標位置指令信号Xr〔i〕をステ
ージ位置制御部10とレチクルステージ位置制御部20
にそれぞれ出力する。
Xr〔i〕はレチクル48の露光領域をX方向にスキャ
ンする座標であり、ウエハステージ15の目標位置指令
信号Xw〔i〕は1つの露光ショットの露光領域をレチ
クルステージ25と同期してX方向にスキャンする座標
が設定されている。
りレチクルステージ25とウエハステージ15は半導体
露光装置の縮小投影レンズ49の縮小倍率である4対1
の倍率で同期して移動することになる。
レチクルステージ25の相対位置誤差を最小とするた
め、ウエハステージ15の位置偏差信号Ewを倍率補正
演算部3でK1倍の倍率変換を行った位置偏差信号Erw
としてレチクルステージ位置制御部20内の加算器4に
入力している。
であり「マスター/スレーブ制御」と呼ばれていて、上
記の位置偏差信号は単純な加減則演算式で、以下のよう
に表せられる。
る倍率で、縮小露光レンズ49の縮小比の逆数である。
にウエハステージ15とレチクルステージ25はウエハ
50とレチクル48のそれぞれのアライメントマーク位
置に移動し停止した後、不図示のアライメント検出系に
よってウエハ50とレチクル48の相対位置合わせを行
い、次にウエハステージ15とレチクルステージ25は
ウエハ50とレチクル48のそれぞれの露光領域を先程
の相対位置合わせ工程で補正された目標位置指令列Xw
〔i〕(i=1,2,3,…,n)とXr〔i〕(i=
1,2,3,…,n)で縮小投影レンズ49の縮小倍率
で同期しながら移動し露光することになる。
ー干渉計のように高速に応答する位置計測器を用いて
も、その位置検出にかかる応答時間は通常数百nsec
(ナノ秒)であり、特に半導体露光装置のウエハステー
ジ15の様に100mm/sec程度の速度で移動する
移動体では、その位置計測器の応答時間遅れによって位
置検出誤差が発生することになる。
タ)と微小であるが、近年の半導体露光パターンの微細
化にともない無視できない量となってきた。また近年の
スループット向上の要求によりステージの移動速度は益
々増加する傾向にあり、従ってこの位置検出誤差量も増
加する傾向にある。
ので、その目的は、レチクルステージとウエハステージ
の高精度な同期移動を可能にする位置制御方法及び装置
を提供することにある。
増加させることを可能とし、処理時間の短縮を可能とす
る半導体製造装置を提供することにある。
め、本発明は、レチクルを保持するレチクルステージの
移動を一定周期で発生するレチクルステージ目標位置指
令とレチクルステージ位置計測器で計測されるレチクル
ステージ現在位置に応じて制御し、ウエハを保持するウ
エハステージの移動を一定周期で発生するウエハステー
ジ目標位置指令とウエハステージ位置計測器で計測され
るウエハステージ現在位置に応じて制御し、前記レチク
ルステージと前記ウエハステージを同期して移動するこ
とにより、前記レチクルのパターンを前記ウエハ上に露
光転写する露光装置に用いられる位置制御方法におい
て、前記レチクルステージの移動速度と前記レチクルス
テージ位置計測器の検出遅れ時間に基づいて算出された
レチクルステージ位置オフセットで前記レチクルステー
ジ目標位置指令もしくは前記レチクルステージ現在位置
を補正し、補正された前記レチクルステージ目標位置指
令もしくは前記レチクルステージ現在位置を利用して前
記レチクルステージの移動を制御し、前記ウエハステー
ジの移動速度と前記ウエハステージ位置計測器の検出遅
れ時間に基づいて算出されたウエハステージ位置オフセ
ットで前記ウエハステージ目標位置指令もしくは前記ウ
エハステージ現在位置を補正し、補正された前記ウエハ
ステージ目標位置指令もしくは前記ウエハステージ現在
位置を利用して前記ウエハステージの移動を制御するこ
とを特徴としている。なお、位置検出誤差(位置オフセ
ット)により目標位置指令もしくは現在位置を補正する
際、位置検出誤差(位置オフセット)を目標位置指令に
減算することと、位置検出誤差(位置オフセット)を現
在位置に加算することは結果的に等価なことである。
現在位置を示す信号を微分してレチクルステージの移動
速度を求め、ウエハステージ現在位置を示す信号を微分
してウエハステージの移動速度を求めたり、レチクルス
テージ目標位置指令を示す信号を微分してレチクルステ
ージの移動速度を求め、ウエハステージ目標位置指令を
示す信号を微分して前記ウエハステージの移動速度を求
めても良い。
位置オフセットとウエハステージ位置オフセットが予め
算出されていたり、レチクルステージ目標位置指令が予
めレチクルステージ位置オフセットで補正され、ウエハ
ステージ目標位置指令が予めウエハステージ位置オフセ
ットで補正されていると好ましい。
するレチクルステージの移動を一定周期で発生するレチ
クルステージ目標位置指令とレチクルステージ位置計測
器で計測されるレチクルステージ現在位置に応じて制御
し、ウエハを保持するウエハステージの移動を一定周期
で発生するウエハステージ目標位置指令とウエハステー
ジ位置計測器で計測されるウエハステージ現在位置に応
じて制御し、前記レチクルステージと前記ウエハステー
ジを同期して移動することにより、前記レチクルのパタ
ーンを前記ウエハ上に露光転写する露光装置に用いられ
る位置制御装置において、前記レチクルステージの移動
速度と前記レチクルステージ位置計測器の検出遅れ時間
に基づいて算出されたレチクルステージ位置オフセット
で前記レチクルステージ目標位置指令もしくは前記レチ
クルステージ現在位置を補正する手段と、補正された前
記レチクルステージ目標位置指令もしくは前記レチクル
ステージ現在位置を利用して前記レチクルステージの移
動を制御する手段と、前記ウエハステージの移動速度と
前記ウエハステージ位置計測器の検出遅れ時間に基づい
て算出されたウエハステージ位置オフセットで前記ウエ
ハステージ目標位置指令もしくは前記ウエハステージ現
在位置を補正する手段と、補正された前記ウエハステー
ジ目標位置指令もしくは前記ウエハステージ現在位置を
利用して前記ウエハステージの移動を制御する手段を有
することを特徴としている。なお、位置検出誤差(位置
オフセット)により目標位置指令もしくは現在位置を補
正する際、位置検出誤差(位置オフセット)を目標位置
指令に減算することと、位置検出誤差(位置オフセッ
ト)を現在位置に加算することは結果的に等価なことで
ある。
現在位置を示す信号を微分してレチクルステージの移動
速度を求め、ウエハステージ現在位置を示す信号を微分
してウエハステージの移動速度を求めたり、レチクルス
テージ目標位置指令を示す信号を微分してレチクルステ
ージの移動速度を求め、ウエハステージ目標位置指令を
示す信号を微分して前記ウエハステージの移動速度を求
めても良い。
位置オフセットとウエハステージ位置オフセットが予め
算出されていたり、レチクルステージ目標位置指令が予
めレチクルステージ位置オフセットで補正され、ウエハ
ステージ目標位置指令が予めウエハステージ位置オフセ
ットで補正されていると好ましい。
ルを保持するレチクルステージの移動を一定周期で発生
するレチクルステージ目標位置指令とレチクルステージ
位置計測器で計測されるレチクルステージ現在位置に応
じて制御し、ウエハを保持するウエハステージの移動を
一定周期で発生するウエハステージ目標位置指令とウエ
ハステージ位置計測器で計測されるウエハステージ現在
位置に応じて制御し、前記レチクルステージと前記ウエ
ハステージを同期して移動することにより、前記レチク
ルのパターンを前記ウエハ上に露光転写する半導体製造
装置において、前記レチクルステージの移動速度と前記
レチクルステージ位置計測器の検出遅れ時間に基づいて
算出されたレチクルステージ位置オフセットで前記レチ
クルステージ目標位置指令もしくは前記レチクルステー
ジ現在位置を補正する手段と、補正された前記レチクル
ステージ目標位置指令もしくは前記レチクルステージ現
在位置を利用して前記レチクルステージの移動を制御す
る手段と、前記ウエハステージの移動速度と前記ウエハ
ステージ位置計測器の検出遅れ時間に基づいて算出され
たウエハステージ位置オフセットで前記ウエハステージ
目標位置指令もしくは前記ウエハステージ現在位置を補
正する手段と、補正された前記ウエハステージ目標位置
指令もしくは前記ウエハステージ現在位置を利用して前
記ウエハステージの移動を制御する手段を有することを
特徴としている。
(位置オフセット)で、レチクルステージ及びウエハス
テージのそれぞれの目標位置指令もしくは現在位置を補
正することにより、両ステージの位置合せ精度が高く、
且つ高速度な同期制御を可能にできる。
速度を求めるようにすれば、実際の移動速度が指令値か
らはずれた場合でも位置検出誤差(位置オフセット)を
正確に検出し補正することが可能である。
度を求めるようにすれば、移動速度が位置計測器の高周
波ノイズ成分によって誤検知される場合でも、位置検出
誤差(位置オフセット)を正確に検出し補正することが
可能である。
に高周波成分のノイズが多く含まれる場合は、位置検出
誤差(位置オフセット)を目標位置指令列から求めた方
が安定した制御となって好ましく、実際の移動速度が指
令値から大きくはずれる場合は、位置検出誤差(位置オ
フセット)を現在位置を示す信号から求めた方が正確な
制御になる。
出しておけば、微分器や高速で演算するオフセット演算
部を不要にでき、従来のハードウエアをそのまま使用す
ることが可能となり構成を簡単にできる。
動体の位置制御装置の構成を示すブロック図である。図
1において、図6と同一の符号を付したものは、図6の
例と同一の構成要素を示す。本実施例は、図6の構成に
対して、微分器17,27、位置オフセット演算部1
8,28、及び減算器19,29を付加したものとなっ
ている。
置指令列出力部2を通してウエハステージ位置制御部1
0とレチクルステージ位置制御部20にウエハステージ
15とレチクルステージ25のアライメントマーク位置
である位置指令XwとXrが入力される。
エハステージ15をウエハ50(図5参照)のアライメ
ントマーク位置に移動して停止する。同じくレチクルス
テージ位置制御部20はレチクルステージ25をレチク
ル48(図5参照)のアライメントマーク位置に移動し
て停止する。
2、ドライバアンプ13,23、及びモータ14,24
の動作は前述した図6の例と同じなので、ここではその
説明を省略する。
5がそれぞれのアライメントマーク位置に停止した時、
位置計測器16,26のそれぞれが出力するステージ位
置信号はPwとPrであり、微分器17,27のそれぞれ
が出力するステージ速度信号VwとVrは0であり、そし
てオフセット演算部18,28のそれぞれが出力するオ
フセット信号OwとOrは0である。
8とウエハ50のそれぞれのアライメントマークが検出
され、これによりウエハステージ15とレチクルステー
ジ25の相対位置ずれが検出され、上位のコンピュータ
により位置合わせされた露光領域の位置指令列X
w〔i〕(i=0,1,2,3,…,n)とXr〔i〕
(i=0,1,2,3,…,n)が演算される。
ジ25はウエハ50とレチクル48の露光開始位置Xw
は上位のコンピュータで演算されたウエハ50の露光領
域の目標位置指令列Xw〔i〕(i=1,2,3,…,
n)と、レチクル48のXr〔i〕(i=1,2,3,
…,n)が設定され、クロック発生器1が一定時間Δt
毎に周期的に発生するクロック信号に従って位置指令信
号Xw〔i〕とXr〔i〕をウエハ位置制御部10とレチ
クル位置制御部20にそれぞれ出力する。
15とレチクルステージ25の現在位置信号Pw〔i〕
とPr〔i〕がそれぞれ検出される。この時微分器1
7,27はウエハステージ位置信号Pw〔i〕とレチク
ルステージ位置信号Pr〔i〕から例えば以下の演算で
速度信号Vr〔i〕とVr〔i〕をそれぞれ演算し、位置
オフセット演算部18,28にそれぞれ出力する。
ージ速度信号Vw〔i〕,Vr〔i〕から例えば以下の演
算で位置オフセットOw〔i〕,Or〔i〕をそれぞれ演
算し加算器19,29にそれぞれ出力する。
検出遅れ時間であり、ステージ速度Vの関数である。も
し、位置検出遅れ時間T(V)がステージ速度Vに依存
しない一定時間Tpである位置計測器を用いた場合は上
記の式は以下の様に書き換えられる。
2とレチクルステージ側の位置アンプ22のそれぞれに
入力される位置誤差信号Ew〔i〕,Er〔i〕は、目標
位置Xw〔i〕,Xr〔i〕、現在位置Pw〔i〕,P
r〔i〕、および位置オフセットOw〔i〕,Or〔i〕
を加減算演算し、以下の式で表される。
Ew〔i〕
る倍率で、縮小露光レンズ49(図5参照)の縮小比の
逆数である。位置アンプ12,22、ドライバアンプ1
3,23、及びモータ14,24の動作は従来例と同じ
であるのでここでは説明を省略する。なお、上記の式で
明らかなように目標位置Xw〔i〕,Xr〔i〕から位置
オフセットOw〔i〕,Or〔i〕を減算することは、現
在位置Pw〔i〕,Pr〔i〕に位置オフセットO
w〔i〕,Or〔i〕を加算することと同等の意味であ
る。
位置制御装置の構成を示すブロック図である。図2にお
いて、図6と同一の符号を付したものは、図6の例と同
一の構成要素を示す。本実施例は、図6の構成に対し
て、微分器17,27、位置オフセット演算部18,2
8、及び減算器19,29を付加したものである。
タで演算された露光領域の目標位置指令列Xw〔i〕
(i=1,2,3,…,n)と、Xr〔i〕(i=1,
2,3,…,n)が設定され、クロック発生器1が一定
時間Δt毎に周期的に発生するクロック信号に従って位
置指令信号Xw〔i〕,Xr〔i〕をウエハ位置制御部1
0とレチクル位置制御部20にそれぞれ出力する。
Xr〔i〕から例えば以下の演算式でステージ速度V
w〔i〕とVr〔i〕をそれぞれ演算し、位置オフセット
演算部18,28へそれぞれ出力する。
施例と同じであるので、ここでは説明を省略する。
位置制御装置の構成を示すブロック図である。図3にお
いて、図6と同一の符号を付したものは、図6の例と同
一の構成要素を示す。本実施例では、図6の構成に対し
て、位置オフセット出力部31,32、及び減算器1
9,29を付加したものとなっている。
ーターで演算された露光領域の目標位置指令列X
w〔i〕(i=1,2,3,…,n)と、Xr〔i〕(i
=1,2,3,…,n)が設定される。
〔i〕が一定の移動速度Vw,Vrであれば、位置オフセ
ットOw,Orも一定値となるので、オフセット出力部3
1,32には上位のコンピューターで例えば以下の演算
式で演算した位置オフセットOw,Orが設定される。
ジ速度Vに依存しない一定時間Tpである位置計測器を
用いた場合は上記の式は以下の様に書き換えられる。
位置制御装置の構成を示すブロック図である。図4にお
いて、図6と同一の符号を付したものは、図6の例と同
一の構成要素を示す。本実施例では、その構成は図6の
ものと同じであるが、位置指令出力部2から出力される
目標位置指令がXw’,Xr'に補正されたものになって
いる点が図6の例と異なっている。
る露光領域の目標位置指令列をXw〔i〕(i=1,
2,3,…,n),Xr〔i〕(i=1,2,3,…,
n)とすると、移動速度Vw〔i〕,Vr〔i〕、および
位置オフセットOw〔i〕,Or〔i〕を例えば以下の演
算式で演算し、目標位置指令列Xw〔i〕,Xr〔i〕を
補正した目標位置指令列Xw'〔i〕,Xr'〔i〕に書き
換えている。
w〔i〕×T(Vw) Xr'〔i〕=Xr〔i〕−Or〔i〕=Xr〔i〕−V
r〔i〕×T(Vr)
ジ速度Vに依存しない一定時間Tpである位置計測器を
用いた場合は上記の式は以下の様に書き換えられる。
〔i〕−Vw〔i〕×Tp Xr'〔i〕=Xr〔i〕−Or〔i〕=Xr〔i〕−V
r〔i〕×Tp
走査露光タイプの露光装置において、レチクルステージ
とウエハステージの同期制御性能を向上することがで
き、露光性能の向上を計ることができる。
示すブロック図。
を示すブロック図。
構成を示すブロック図。
構成を示すブロック図。
成を表す概念図。
Claims (11)
- 【請求項1】 レチクルを保持するレチクルステージの
移動を一定周期で発生するレチクルステージ目標位置指
令とレチクルステージ位置計測器で計測されるレチクル
ステージ現在位置を用いて制御し、ウエハを保持するウ
エハステージの移動を一定周期で発生するウエハステー
ジ目標位置指令とウエハステージ位置計測器で計測され
るウエハステージ現在位置を用いて制御し、前記レチク
ルステージと前記ウエハステージを同期して移動するこ
とにより、前記レチクルのパターンを前記ウエハ上に露
光転写する露光装置に用いられる位置制御方法におい
て、前記レチクルステージの移動速度と前記レチクルス
テージ位置計測器の検出遅れ時間に基づいて算出された
レチクルステージ位置オフセットで前記レチクルステー
ジ目標位置指令もしくは前記レチクルステージ現在位置
を補正し、補正された前記レチクルステージ目標位置指
令もしくは前記レチクルステージ現在位置を利用して前
記レチクルステージの移動を制御し、前記ウエハステー
ジの移動速度と前記ウエハステージ位置計測器の検出遅
れ時間に基づいて算出されたウエハステージ位置オフセ
ットで前記ウエハステージ目標位置指令もしくは前記ウ
エハステージ現在位置を補正し、補正された前記ウエハ
ステージ目標位置指令もしくは前記ウエハステージ現在
位置を利用して前記ウエハステージの移動を制御するこ
とを特徴とする位置制御方法。 - 【請求項2】 前記レチクルステージ現在位置を示す信
号を微分して前記レチクルステージの移動速度を求め、
前記ウエハステージ現在位置を示す信号を微分して前記
ウエハステージの移動速度を求めることを特徴とする請
求項1に記載の位置制御方法。 - 【請求項3】 前記レチクルステージ目標位置指令を示
す信号を微分して前記レチクルステージの移動速度を求
め、前記ウエハステージ目標位置指令を示す信号を微分
して前記ウエハステージの移動速度を求めることを特徴
とする請求項1に記載の位置制御方法。 - 【請求項4】 前記レチクルステージ位置オフセットと
前記ウエハステージ位置オフセットは予め算出されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の位置制御方法。 - 【請求項5】 前記レチクルステージ目標位置指令は予
め前記レチクルステージ位置オフセットで補正され、前
記ウエハステージ目標位置指令は予め前記ウエハステー
ジ位置オフセットで補正されていることを特徴とする請
求項1に記載の位置制御方法。 - 【請求項6】 レチクルを保持するレチクルステージの
移動を一定周期で発生するレチクルステージ目標位置指
令とレチクルステージ位置計測器で計測されるレチクル
ステージ現在位置に応じて制御し、ウエハを保持するウ
エハステージの移動を一定周期で発生するウエハステー
ジ目標位置指令とウエハステージ位置計測器で計測され
るウエハステージ現在位置に応じて制御し、前記レチク
ルステージと前記ウエハステージを同期して移動するこ
とにより、前記レチクルのパターンを前記ウエハ上に露
光転写する露光装置に用いられる位置制御装置におい
て、前記レチクルステージの移動速度と前記レチクルス
テージ位置計測器の検出遅れ時間に基づいて算出された
レチクルステージ位置オフセットで前記レチクルステー
ジ目標位置指令もしくは前記レチクルステージ現在位置
を補正する手段と、補正された前記レチクルステージ目
標位置指令もしくは前記レチクルステージ現在位置を利
用して前記レチクルステージの移動を制御する手段と、
前記ウエハステージの移動速度と前記ウエハステージ位
置計測器の検出遅れ時間に基づいて算出されたウエハス
テージ位置オフセットで前記ウエハステージ目標位置指
令もしくは前記ウエハステージ現在位置を補正する手段
と、補正された前記ウエハステージ目標位置指令もしく
は前記ウエハステージ現在位置を利用して前記ウエハス
テージの移動を制御する手段を有することを特徴とする
位置制御装置。 - 【請求項7】 前記レチクルステージ現在位置を示す信
号を微分して前記レチクルステージの移動速度を求め、
前記ウエハステージ現在位置を示す信号を微分して前記
ウエハステージの移動速度を求めることを特徴とする請
求項6に記載の位置制御装置。 - 【請求項8】 前記レチクルステージ目標位置指令を示
す信号を微分して前記レチクルステージの移動速度を求
め、前記ウエハステージ目標位置指令を示す信号を微分
して前記ウエハステージの移動速度を求めることを特徴
とする請求項6に記載の位置制御装置。 - 【請求項9】 前記レチクルステージ位置オフセットと
前記ウエハステージ位置オフセットは予め算出されてい
ることを特徴とする請求項6に記載の位置制御装置。 - 【請求項10】 前記レチクルステージ目標位置指令は
予め前記レチクルステージ位置オフセットで補正され、
前記ウエハステージ目標位置指令は予め前記ウエハステ
ージ位置オフセットで補正されていることを特徴とする
請求項6に記載の位置制御装置。 - 【請求項11】 レチクルを保持するレチクルステージ
の移動を一定周期で発生するレチクルステージ目標位置
指令とレチクルステージ位置計測器で計測されるレチク
ルステージ現在位置に応じて制御し、ウエハを保持する
ウエハステージの移動を一定周期で発生するウエハステ
ージ目標位置指令とウエハステージ位置計測器で計測さ
れるウエハステージ現在位置に応じて制御し、前記レチ
クルステージと前記ウエハステージを同期して移動する
ことにより、前記レチクルのパターンを前記ウエハ上に
露光転写する半導体製造装置において、前記レチクルス
テージの移動速度と前記レチクルステージ位置計測器の
検出遅れ時間に基づいて算出されたレチクルステージ位
置オフセットで前記レチクルステージ目標位置指令もし
くは前記レチクルステージ現在位置を補正する手段と、
補正された前記レチクルステージ目標位置指令もしくは
前記レチクルステージ現在位置を利用して前記レチクル
ステージの移動を制御する手段と、前記ウエハステージ
の移動速度と前記ウエハステージ位置計測器の検出遅れ
時間に基づいて算出されたウエハステージ位置オフセッ
トで前記ウエハステージ目標位置指令もしくは前記ウエ
ハステージ現在位置を補正する手段と、補正された前記
ウエハステージ目標位置指令もしくは前記ウエハステー
ジ現在位置を利用して前記ウエハステージの移動を制御
する手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
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