TWI614587B - 對準方法、對位系統，及黃光微影製程 - Google Patents

對準方法、對位系統，及黃光微影製程 Download PDF

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Description

對準方法、對位系統，及黃光微影製程
本發明是有關於一種對準方法、對位系統，及黃光微影製程，特別是指一種用於對半導體製程積層對位的對準方法、對位系統，及利用該對準方法的黃光微影製程。
半導體製程主要是在晶圓上反覆的以半導體製程技術定義而形成複雜且數量龐大的半導體元件，而在如此高度積層化的製程過程中，若其中一積層的定位偏移時，則後續各積層可能也會受到影響逐漸偏移，因此，控制每一個製程的精密度及穩定性以準確的控制層與層間的疊對(overlay)，以確保製成之半導體元件的良率與生產效能，則是半導體製程管理中相對重要的因素。
為了確保每一道製程產生之積層圖案都必須確實對位，一般會在部份積層上加入多個對位記號，以提供產生該積層之後的積層圖案時的對位參考。
因此，如何確保前述用以對位的對位記號位置的定位精度，以確保使用該等對位記號計算而得的積層對位誤差值的正確 性，而可精確的控制製程過程中不同積層的對位精度，則是於半導體製程對位須考量的重要因素之一。
因此，本發明之目的，即在提供一種用於半導體製程的對準方法。
於是，本發明的對準方法，包含以下步驟。
步驟(a)，提供至少一組形成於一半導體基材上的對位單元，該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號，於每一個對位記號與其相鄰的對位記號之間產生一定位標記，且該定位標記是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生。
步驟(b)，於該至少一組對位單元上形成一層覆蓋層，並透過該覆蓋層擷取由該等對位記號產生的定位標記。
步驟(c)，將自該步驟(b)擷取得到的相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值。
較佳地，本發明的對準方法，其中，該步驟(a)的該至少一組對位單元是經過下列次步驟而產生。
次步驟(a1)，擷取多個形成於一半導體基材且彼此間隔設置的對位記號，並將該等對位記號區隔成至少一組對位單元，且該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號；次步驟(a2)，於每一個對位記號與其相鄰的對位記號之間產生一定位標記，並儲存該等定位標記的間距值；次步驟(a3)，將相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值，將該比較值或該比較值的絕對值與一預設製程誤差容許值進行比對，當該比較值或該比較值的絕對值不大於該預設製程誤差容許值，視為正常對位，且該至少一組對位單元為該正常對位的對位單元。
較佳地，本發明的對準方法，其中，部份相鄰的定位標記為經由共用一個對位記號而產生。
此外，本發明之另一個目的，在於提供一種對位系統。
於是，本發明的對位系統，包含：一資料存取單元、一定位單元，及一比對單元。
該資料存取單元可儲存多個經一預定製程處理後，形成於一半導體基材並間隔排列的對位記號或由該等對位記號產生之定位標記的預設間距值。
該定位單元可產生並儲存該等定位標記的間距值，其中，該等定位標記是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生。
該比對單元將自該定位單元輸出的多個定位標記的間距值與一相對應的預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值，再將該比較值及該比較值的絕對值的其中任一，與一預設製程誤差容許值進行比對。
較佳地，本發明的對位系統，其中，部份相鄰的定位標記會共用一個對位記號。
再者，本發明的又一目的，在於提供一種黃光微影製程。
該黃光微影製程，包含以下步驟。
提供一黃光微影系統，該黃光微影系統包括一曝光模組及一對位模組。
將一半導體基材置入該曝光模組中，將一半導體基材置入該曝光模組中，該半導體基材具有至少一組對位單元，及一覆蓋於該至少一組對位單元的覆蓋層，其中，該至少一組對位單元具 有至少3個彼此間隔設置的對位記號，且任相鄰的兩個對位記號會產生一個定位標記。
利用該對位模組透過覆蓋層量測相鄰的兩個對位記號所產生之定位標記，且該定位標記是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生。
將相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值。
當該比較值及比較值的絕對值的其中任一，在一預設製程誤差容許範圍，則將相對應的該等定位記號的資料回饋至該曝光模組。
利用輸出至該曝光模組的該等定位記號作為定位資料，經由該曝光模組對該半導體基材進行曝光。
較加地，前述該黃光微影製程，其中，至少部份相鄰的定位標記為共用一個對位記號。
本發明之功效：藉由讓相鄰的對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生一定位標記，因此，當利用該等定位標記進行對準誤差記算時，可提升後續積層對 位誤差值的準確度，此外，在曝光前先進行該等對位記號的定位精度確認，還可確保後續經由該等對位記號進行黃光微影製程時積層的對位及誤差計算的精確度。
21‧‧‧步驟
33‧‧‧對位記號
22‧‧‧步驟
M1、M2‧‧‧預設的定位標記
23‧‧‧步驟
100‧‧‧半導體基材
24‧‧‧步驟
a‧‧‧預設間距值
3‧‧‧對位單元
b‧‧‧間距值
31‧‧‧對位記號
M12、M23‧‧‧實際的定位標記
32‧‧‧對位記號
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是本發明該實施例的文字流程圖；圖2是該實施例的邏輯示意圖；圖3是該實施例中該等對位單元於該半導體基材的分佈態樣；圖4是說明圖3中該對位單元之對位記號的排列態樣；及圖5是輔助說明該實施例。
本發明對準方法的一較佳實施例主要是用於監控各積層的對位(alignment)及提昇疊對(overlay)誤差計算的準確度。
參閱圖1、2，本發明對準方法的一實施例，包含：步驟21~步驟24。其中，該實施例的各個步驟是利用一如下所述之對位系統執行。
該對位系統包含：一資料存取單元、一定位單元、一比對單元，及一資料處理單元。
該資料儲存單元可儲存多個經半導體製程處理後，形成於一半導體基材並間隔排列的對位記號或由該些對位記號產生之定位標記的預設間距值。該資料儲存單元可為一般的硬碟、快閃記憶體、揮發性記憶體、非揮發性記憶體，或半導體定址或定位設備，例如步進機(stepper)或是掃描機(scanner)所具有的儲存元件。
該定位單元可於每一個對位記號與其相鄰的對位記號之間產生一定位標記，並可用於偵測、儲存該等定位標記於該半導體基材(例如：晶圓)的間距。要說明的是該定位單元可以是半導體定址或定位設備，例如步進機(stepper)或是掃描機(scanner)，或是一外接的量測定位元件。例如，該等定位標記可以是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生，利用掃描機直接取得該等經預定製程處理後之該些對位記號的實質位置，而可直接得到由任相鄰的兩個對位記號共同產生的定位標記的間距值；或是利用影像比對的方式而得到相鄰兩個定位標記的間距值；或是利用一外接的光學系統以光學方式，令相鄰的該等對位記號之間產生干涉峰訊號，再利用該等干涉峰訊號計算而得到該等由任相鄰的兩個對位記號產生的定位標記的間距值。由 於該光學系統的光學元件種類及排列方式為技術領域所知悉，因此不再多加贅述。
該比對單元是將自該定位單元輸出的多個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值，再將該比較值或該比較值的絕對值與一預設製程誤差容許值進行比對；或者是將經由量測而得的實際間距值做對準補值最佳化後，得到一間距模擬值或間距計算值後，再將該間距模擬值或間距計算值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到該比較值，再將該比較值或該比較值的絕對值與一預設製程誤差容許值進行比對。其中，上述對準補值最佳化的計算方法，一般是以對準殘餘值(residual)最小化做計算。
其中，該比對單元可以是該資料存取單元的內部轉換程式，或是一外接於該資料存取單元的計算機台，該預設間距值可以是儲存於該資料存取單元或該比對單元的標準資料，其資料種類可為對位記號或定位標記的預設間距值，及圖像數據系統(GDS file)預設間距的其中任一。該比較值可以是任兩相鄰的兩個定位標記的間距值與該相對應的兩個預設定位標記的預設間距值進行比值或差值的計算而得。
該資料處理單元可接收自該比對單元輸出的比對結果，並依據比對結果將該等對位記號進行資料分類。類似地，該資料處理單元也可以是該資料存取單元的內部轉換程式，或是一外接於該資料存取單元的計算機台。
接著，將本發明對準方法的該實施例的詳細步驟說明如下。
該步驟21是提供至少一組形成於一半導體基材上的對位單元，該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號，於每一個對位記號與其相鄰的對位記號之間產生一定位標記。且該定位標記可以是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生。要說明的說，而若以整體佈線(layout)面積考量，至少部份相鄰的定位標記可以是利用共用一個對位記號所產生，而可減少對位記號的整體佈線(layout)面積。
該半導體基材可以是用於液晶面板、顯示器，或是半導體晶圓等不同用途的基板，該等對位記號是由相同製程形成，位於該半導體基材的同一積層，並均勻分布於該半導體基材，而該每 一組對位單元的該等對位記號可為沿同一方向間隔排列，或是同時沿兩個不同方向間隔排列，例如成直線排列或成L型排列。
詳細的說，該步驟21是利用該資料存取單元取得並儲存多個由該等對位記號計算而得之定位標記的預設間距值，並依據該等對位記號形成於該半導體基材的位置將其區分成多組對位單元，且該每一組對位單元具有多個彼此間隔設置的對位記號。接著利用該定位單元以前述之光學方式，令該等對位記號產生干涉峰訊號，再利用該等干涉峰訊號計算而得到該等由任相鄰的兩個對位記號共同產生的定位標記的實際間距值；或是直接利用掃描機直接取得該等對位記號的實質位置、或利用影像比對方式，而可直接得到由任相鄰的兩個對位記號共同產生的定位標記的實際間距值。
接著進行該步驟22，於該至少一組對位單元上形成一層覆蓋層。
該覆蓋層的材料視後續形成之結構，可以是金屬、介電材料或是光阻的至少其中一種，並無特別限定。並利用該定位單元透過該覆蓋層擷取由該步驟21中，由該等對位記號產生的相鄰的定位標記的間距值。
然後，進行該步驟23，將自該步驟22擷取得到的任兩相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值 及比值的至少其中一種運算，得到一比較值；或者是將經由量測而得的實際間距值做對準補值最佳化，得到一間距模擬值或間距計算值後，再將該間距模擬值或間距計算值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的至少其中一種運算，得到一比較值。接著，再將該比較值及該比較值的絕對值的其中任一與一預設製程誤差容許值進行比對。其中，該預設值可選自任相鄰的兩個定位標記的預設間距值，及圖像數據系統(GDS file)預設間距的其中任一，且上述對準補值最佳化的計算方法，一般是以對準殘餘值(residual)最小化做計算。
當該比較值或該比較值的絕對值超過該預設製程誤差容許值，表示該位置的對位誤差過大，視為一異常對位區，當該比較值或該比較值的絕對值不大於該預設製程誤差容許值，表示該位置的對位正常，則視為正常對位區。
最後進行該步驟24，將經由該步驟23比對得到的比對結果進行分類處理。如此，即可將該半導體基材於不同區域或位置的對位狀況進行標示及/或分類，以利後續的對準製程參考。
詳細的說，該步驟24是依據該步驟23之比較值與該預設製程誤差容許值的比對結果而可將位於不同位置之等對位單元經由該步驟24的分類處理後於該半導體基材(例如晶圓)上形成一 對位誤差分佈圖。例如，可將經比對後，位於該正常對位區的該等對位記號的資料輸出，而用於後續不同積層之間的對位誤差計算，並對異常對位區輸出一警示訊號，或是可進一步標示該異常對位區，如此，後續可將對位異常的該對位單元進行刪除，或是排除於後續的對準製程及計算，而可預先排除定位品質不佳的對位記號，以增加後續不同積層的對位及疊對誤差計算的精確度。
配合參閱圖3、4，以本發明該實施例是以該等對位單元3均勻分佈於該半導體基材100的不同位置，其中，該每一個對位單元3具有3個對位記號31、32、33，且該等對位記號31、32、33如圖4所示，可成直線或L型排列。
再配合參閱圖5，以該3個對位記號31、32、33成直線排列，且相鄰的定位標記為共用同一個對位記號為例說明，其中，經由該步驟(b)後擷取到的該對位記號31、32的定位標記以M12表示，該對位記號32、33的定位標記以M23表示，且該兩個定位標記M12、M23會共用該對位記號32；而M2、M1為由該對位記號31、32，及對位記號32、33得到的預設的定位標記，其中，a為相鄰兩個定位標記M1、M2的預設間距值，b為透過量測後得到之定位標記M12、M23的間距值。
因此，該步驟23可以將相鄰的兩個定位標記M12、M23的間距值b，與相對應的兩個定位標記M1、M2的預設間距值a進行進行比值或差值的其中一種運算，而得到該比較值；或是可進一步將經由量測而得的間距值b做對準補值最佳化，得到一間距模擬值或間距計算值後，再將該間距模擬值或間距計算值與相對應的兩個定位標記M1、M2的預設間距值a進行進行比值或差值的其中一種運算，而得到該比較值。接著，即可將該比較值或該比較值的絕對值與一預設製程誤差容許值進行比對。經由該比對結果即可得知經過製程後，該每一個對位單元3於該半導體基材100的對位誤差，並可依據需求將其進行分類或標示。
值得一提的是，本發明該步驟21所提供用於後續對準計算的該對位單元，也可以是先經過相同的方法，將形成於該半導體基材100的該等對位記號進行定位品質檢測、刪選後，再將定位品質佳的定位單元(對位記號)提供做為後續對準製程對位計算用的對位單元。
當該步驟21提供的對位單元須先經過刪選時，則該步驟21的該至少一組對位單元是經由執行下列次步驟後所得到。
首先進行次步驟(a1)，該次步驟(a1)為擷取多個形成於一半導體基材且彼此間隔設置的對位記號，並將該等對位記號區 隔成至少一組對位單元，且該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號。
該次步驟(a2)是於每一個對位記號與其相鄰的對位記號之間產生一定位標記，其中，該定位標記可以是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生，並儲存該等定位標記的間距值。而如前所述，部份相鄰的定位標記也可以是經由共用一個對位記號所產生。
該次步驟(a3)是將該次步驟(a2)所產生，任兩相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行比值或差值的其中至少一種運算，得到一比較值，再將該比較值或該比較值的絕對值與一預設製程誤差容許值進行比對。當該比較值或該比較值的絕對值不大於該預設製程誤差容許值，視為正常對位；該步驟21提供的該至少一組對位單元，即為經過該等次步驟後，屬於該正常對位的對位單元。而當該比較值或該比較值的絕對值大於該預設製程誤差容許值，視為異常對位，則可將該等對位單元的資料刪除，或進一步標示該異常對位的區域。
由於該次步驟(a1)~(a3)的相關條件及比對方式與該步驟21、23、24相同，因此不再多加贅述。藉由預先進行對位記 號的定位品質檢測，將對位品質不佳的對位記號資料刪除，不做為後續形成積層圖案的對位及計算的基準，僅利用定位品質佳的對位記號做為後續對準製程的計算基準，而可有效提升積層對位誤差值的正確性。
此外，當利用本發明之對準方法於黃光微影製程時，還可更進一步提升該黃光微影製程的對位準確度。
茲將利用本發明該對準方法的黃光微影製程說明如下。
首先，提供一黃光微影系統，該黃光微影系統包括一曝光模組及一對位模組。
接著，將一半導體基材置入該曝光模組中。
詳細的說，該半導體基材具有至少一組對位單元，及一覆蓋於該至少一組對位單元的覆蓋層，其中，該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號，且任相鄰的兩個對位記號會產生一個定位標記。
然後，利用該對位模組透過該覆蓋層量測相鄰的兩個定位標記的間距值。
接著，將相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值。
再接著，將比較值及比較值的絕對值的其中任一，在一預設製程誤差容許範圍的該等定位記號的資料回饋至該曝光模組。
最後，則可利用輸出至該曝光模組的該等定位記號作為定位資料，經由該曝光模組對該半導體基材進行曝光。
有關該半導體基材、覆蓋層及該等對位記號、定位標記的相關材料、結構、產生，及量測等方法如前述該對準方法中所述，故不再多加說明。本發明利用於曝光前先對該等用於對位的對位記號先行篩選，將對位品質不佳的對位記號資料先行過濾移除，而不用於後續製程的對位及對位誤差記算，而可更提昇製程對位的準度。
綜上所述，本發明藉由讓相鄰的對位記號產生一定位標記，且該定位標記可以是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生。因此，當利用該等定位標記進行對準誤差記算時，可提升後續黃光微影製程的對位及對位誤差計算的準確度；此外，當進一步先將形成於該半導體基材的該等對位記號預先進行定位品質監控，透過將定位品質不佳的對位記號資料先行排除，僅利用定位品質佳的對位單元做為後續黃光 微影製程的對準及誤差計算，如此，還可進一步提升利用該等對位記號進行後續不同積層之間的對位誤差計算時的精確度，因此，確實可達到本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
21‧‧‧步驟
22‧‧‧步驟
23‧‧‧步驟
24‧‧‧步驟

Claims (21)

  1. 一種用於黃光製程的對準方法，包含：步驟(a)，提供至少一組形成於一半導體基材上的對位單元，該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號，於每一個對位記號與其相鄰的對位記號之間產生一定位標記，且該定位標記是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生；步驟(b)，於該至少一組對位單元上形成一層覆蓋層，並透過該覆蓋層擷取由該等對位記號產生的定位標記；及步驟(c)，將自該步驟(b)擷取得到的相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值。
  2. 如請求項第1項所述的對準方法，其中，部份相鄰的定位標記為經由共用一個對位記號而產生。
  3. 如請求項第1項所述的對準方法，其中，該覆蓋層至少是介電層、金屬層、光阻層的其中任一。
  4. 如請求項第1項所述的對準方法，其中，該步驟(b)的定位標記為經由光學方式產生。
  5. 請求項第1項所述的對準方法，其中，該等對位記號由相同製程形成，並位於同一積層。
  6. 如請求項第1項所述的對準方法，其中，該至少一組對位單元之對位記號的排列方式為成直線及L型排列其中任一者。
  7. 如請求項第1項所述的對準方法，其中，該步驟(c)的該預設間距值選自任相鄰的兩個定位標記的預設間距值，及圖像數據系統(GDS file)預設間距的其中任一，該間距值是經由量測而得的實際間距值，或者是將經由量測而得的實際間距值做對準補值最佳化後，而得到的間距模擬值或間距計算值。
  8. 如請求項第1項所述的對準方法，其中，該步驟(a)為提供多組對位單元，該對準方法還包含一步驟(d)，依據該步驟(c)得到的該比較值及該比較值的絕對值的其中任一與一預設製程誤差容許值進行比對。
  9. 如請求項第8項所述的對準方法，其中，該步驟(d)中，當該比較值及該比較值的絕對值的其中任一超過該預設製程誤差容許值，則輸出一警示訊號。
  10. 如請求項第8項所述的對準方法，其中，該步驟(c)中，當該比較值及該比較值的絕對值的其中任一超過該預設製程誤差容許值，則視為一異常對位區，當該比較值或比較值的絕對值不大於該預設製程誤差容許值，視為正常對位區，該步驟(d)會依據該比對結果進一步標示該正常對位區或異常對位區，或是將該正常對位區或異常對位區的該等對位記號的位置分佈輸出。
  11. 如請求項第8項所述的對準方法，其中，該步驟(c)中，當該比較值及該比較值的絕對值的其中任一超過該預設製程誤差容許值，則視為一異常對位區，該步驟(d)會進一步將位於該異常對位區的對位單元的資料於對準計算時刪除，不作為對位計算參考。
  12. 如請求項第1項所述的對準方法，其中，該步驟(a)的該至少一組對位單元是經過以下次步驟而產生；次步驟(a1)為擷取多個形成於一半導體基材且彼此間隔設置的對位記號，並將該等對位記號區隔成至少一組對位單元，且該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號；次步驟(a2)是於每一個對位記號與其相鄰的對位記號之間產生一定位標記，並儲存該等定位標記的間距值；次步驟(a3)是將相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值，將該比較值或該比較值的絕對值與一預設製程誤差容許值進行比對，當該比較值或該比較值的絕對值不大於該預設製程誤差容許值，視為正常對位，該至少一組對位單元為該正常對位的對位單元。
  13. 一種對位系統，包含：一資料存取單元，可儲存多個經一預定製程處理後，形成於一半導體基材並間隔排列的對位記號產生之定位標記的預設間距值； 一定位單元，可經由該等對位記號產生定位標記，並儲存該等定位標記的間距值，其中，該等定位標記是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生；及一比對單元，將自該定位單元輸出的多個定位標記的間距值與一相對應的預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值，再將該比較值及該比較值的絕對值的其中任一與一預設製程誤差容許值進行比對。
  14. 如請求項第13項所述的對位系統，其中，部份相鄰的定位標記會共用一個對位記號。
  15. 如請求項第13項所述的對位系統，還包含一資料處理單元，當該比較值或該比較值的絕對值超出該預設製程誤差容許值時，則視為一異常對位區，該資料處理單元可標示該異常對位區或將該異常對位區的該對位單元資料於對準計算時刪除。
  16. 如請求項第13項所述的對位系統，其中，該等對位記號產生之定位標記的預設間距值選自任相鄰的兩個定位標記的預設間距值及圖像數據系統(GDS file)預設間距的其中任一，該間距值是經由量測而得的實際間距值，或者是將經由量測而得的實際間距值做對準補值最佳化後，而得到的間距模擬值或間距計算值。
  17. 如請求項第13項所述的對位系統，其中，該等定位標記是利用光學方法產生。
  18. 一種黃光微影製程，包含：提供一黃光微影系統，該黃光微影系統包括一曝光模組及一對位模組；將一半導體基材置入該曝光模組中，該半導體基材具有至少一組對位單元，及一覆蓋於該至少一組對位單元的覆蓋層，其中，該至少一組對位單元具有至少3個彼此間隔設置的對位記號，且相鄰的兩個對位記號會產生一個定位標記，且該定位標記是由相鄰兩個對位記號的中間點、相鄰兩個對位記號之間垂直向上的一定距離，及相鄰兩個對位記號之間垂直向下的一定距離的其中至少一種方式而產生；利用該對位模組透過覆蓋層量測相鄰的兩個定位標記的間距值；將相鄰的兩個定位標記的間距值與相對應的一預設間距值進行差值及比值的其中任一種運算，得到一比較值；當該比較值及比較值的絕對值的其中任一，在一預設製程誤差容許範圍，則將相對應的該等定位記號的資料回饋至該曝光模組；及利用輸出至該曝光模組的該等定位記號作為定位資料，經由該曝光模組對該半導體基材進行曝光。
  19. 如請求項18所述之黃光微影製程，其中，部份相鄰的定位標記為共用一個對位記號。
  20. 如請求項18所述之黃光微影製程，其中，當該比較值或該比較值的絕對值超出該預設製程誤差容許值時，則視為一異常對位區，該定位模組可標示該異常對位區或將該異常對位區的該對位單元的資料於對準計算時刪除。
  21. 如請求項第18項所述的黃光微影製程，其中，該等對位記號產生之定位標記的預設間距值選自任相鄰的兩個定位標記的預設間距值及圖像數據系統(GDS file)預設間距的其中任一，該間距值是經由量測而得的實際間距值，或者是將經由量測而得的實際間距值做對準補值最佳化後，而得到的間距模擬值或間距計算值。
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