KR20080096728A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 150
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 89
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 19
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 claims 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Abstract
액체 공급 시스템의 일부분과 기판(W)이 그 성분들 사이에서 연장하는 메니스커스의 붕괴없이 서로에 대해 이동될 수 있는 상대 속력을 최대화하도록 침지 액체의 최상부 코트의 pH가 선택되는 침지 리소그래피 노광 장치가 개시된다.
Description
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행한 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 리소그래피 투영 장치 내의 기판을 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 침치시키는 것이 제안되었다. 이는, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 더 작은 피처들의 이미징을 가능하게 하는 것이다(또한, 액체의 효과는 시스템의 유효 NA를 증가시키는 것으로 간주될 수 있으며, 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다). 그 안에 고체 입자(예를 들어, 석영)가 부유(suspend)하고 있는 물을 포함한 다른 침지 액체들이 제안되었다.
하지만, 기판 또는 기판 및 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것(예를 들어, 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 U.S. 특허 4,509,852 참조)은, 스캐닝 노광시 대량의 액체(large body of liquid)가 가속화된다는 것을 의미한다. 이는 강력한 추가 또는 더 많은 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 예측 불가능한 영향들을 초래할 수 있다.
제시된 해결책들 중 하나는, 액체 공급 시스템이 액체 한정 시스템(liquid confinement system)을 이용하여 기판의 국부화된 영역 및 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에만 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된 WO 99/49504에 개시된다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 1 이상의 유입구(IN)에 의해 기판 상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되고, 투영 시스템 아래로 통과한 이후에 1 이상의 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 도 2는 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고, 저압 소스에 연결되어 있는 유출구(OUT)에 의해 요소의 다른 측에서 흡수되는 장치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 최종 요소 주변에 위치될 수 있으며, 어느 한 쪽에 유출구와 함께 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주변에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일 예시가 도 3에서 예시된다.
제안된 또 다른 해결책은, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재(seal member)를 액체 공급 시스템에 제공하는 것이다. 이러한 해결책은 도 4에 예시되어 있다. 시일 부재는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지 상태이다. 시일 부재와 기판의 표면 사이에 시일이 형성된다. 시일은 가스 시일과 같은 무접촉 시일인 것이 바람직하다. 가스 시일을 갖는 이러한 시스템은 도 5에 예시되며, U.S. 특허 6,952,253에 개시되어 있다.
U.S. 특허 6,952,253에서, 트윈(twin) 또는 듀얼(dual) 스테이지 침지 리소 그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2 개의 스테이지가 제공된다. 레벨링 측정들은 침지 액체가 존재하지 않는 제 1 위치에서의 스테이지를 이용하여 수행되며, 노광은 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서의 스테이지를 이용하여 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 하나의 스테이지만을 갖는다.
방사선의 이미징 빔이 침지 액체로 통과되는 침지 리소그래피 노광 장치를 이용하여 달성가능한 분해능이 증가되지만, 침지 액체 핸들링 문제(immersion liquid handling consideration)들로 인해 이러한 장치의 스루풋(through put)은 종래의 장치에 대해 감소될 수 있다.
장치에 증가된 스루풋 및/또는 더 견실한(robust) 액체 핸들링을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 침지 액체를 통해 방사선의 빔으로 기판을 노광하는 침지 리소그래피 노광 장치를 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 침지 액체의 pH는 기판의 표면 상에서 그 제타 전위(zeta potential)가 0인 침지 액체의 pH의 2 내에 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 침지 액체를 통해 기판 상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 침지 액체는 기판의 표면과 접촉하고 있으며, 침지 액체의 pH는 기판의 표면 상에서 그 제타 전위가 0인 침지 액체의 pH의 2 내에 있다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지 지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된다. 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정의 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된다. 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)은 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 및/또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패 턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어 떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정 기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하 여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정 될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2 내지 도 4는, 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이에서 기판(W)의 전체 최상면보다 평면도에서 훨씬 작은 기판(W)의 국부화된 영역 상에만 액체가 공급되는 국부화 영역 액체 공급 시스템(localized area liquid supply system)들을 예시한다. 그 후, 침지 액체로 덮이는 국부화된 영역이 바뀌도록 기판(W)이 투영 시스템(PS) 아래에서 이동된다.
이 국부화 영역 액체 공급 시스템들 모두는 액체용 컨테인먼트(containment) 를 제공할 필요가 있다. 액체용 무접촉 컨테인먼트는, 액체 공급 시스템의 물리적인 부분들과 기판(W) 사이에 물리적인 접촉이 없도록 제공된다. 이는 흔히 가스의 흐름에 의해 제공되며, 액체 공급 시스템의 방벽(barrier) 또는 시일 부재(12)의 저부면에서의 유입규(15)로부터 유출구(14)로의 가스의 흐름(16)이 방벽 부재(12)의 저부와 기판(W) 사이에 시일을 생성하는데 효과적인 이러한 시스템은 도 5에 예시되어 있다.
또 다른 액체 공급 시스템이 도 6에서 예시된다. 저부면(80) 위의 방벽 부재(12)의 다양한 유입구들 및 부분들의 작동은 당업계의 통상의 기술에 의해 쉽게 이해되어야 한다. 다음의 기재내용은 액체가 공간(11) 내에 포함되는 방식 및, 특히 액체가 시일 부재(12)의 저부면(80)과 기판(W)의 최상면 사이에서 작용하는 방식에 관한 것이다.
투영 시스템의 광학 축선으로부터 방사 방향(radially outwardly)으로 동작하여, 2004 년 8 월 19 일에 제출된 U.S. 출원 10/921,348에 개시된 것과 같은 액체 제거 디바이스(180)가 제공된다. 액체 제거 디바이스(180)의 방사 방향으로 유입구(322)를 통해 대기에 연결되고 유출구(324)를 통해 저압 소스에 연결되는 후퇴부(recess: 320)가 제공된다. 후퇴부(320)의 방사 방향으로는 가스 나이프(gas knife: 420)가 있다. 시일 부재(12)의 저부면(80) 상의 이 아이템들의 배치는 2005 년 1 월 14 일에 제출된 U.S. 출원 60/643,626에서 상세히 설명된다. 기판(W)과 방벽 부재(12)의 저부면(80) 사이에는 액체 메니스커스(liquid meniscus: 510)가 형성된다. 이는 액체로 채워진 공간(11)의 경계이다.
액체 공급 시스템의 다수의 다른 상이한 디자인들이 있으며, 다수의 국부화 영역 액체 공급 시스템들의 특징은 기판(W)과 액체 공급 시스템의 일부분 사이에서 연장되는 액체의 메니스커스의 존재이다. 이 메니스커스는 기계적 시일을 사용하지 않고 공간(11) 내에 액체를 포함하는데 사용된다. 몇몇 특징들은 기판(12)의 저부면 상의 가스 흐름들 또는 메니스커스 고정 특징(meniscus pining feature)들의 사용과 같이, 제 자리에 메니스커스를 시도하고 고정(pin)시킬 수 있다.
기판(W)이 투영 시스템(PS) 아래에서 이동할 수 있는 속력의 제한 인자(limiting factor)는, 이동하는 기판(W)에 의해 적용된 메니스커스 상의 항력(Drag force)으로 인해 메니스커스(510)가 붕괴(break down)되는 속력이다. 메니스커스가 붕괴되는 경우, 액체 공급 시스템으로부터 액체가 누출(leak)될 수 있다. 도 6의 디자인은 이를 설명하며, 가스 나이프(420)를 이용하여 여하한의 이러한 액체를 제거할 수 있지만, 이는 유해하게(deleteriously) 액체의 증발 및 이로 인한 기판(W)의 냉각을 초래할 수 있으며, 이는 자체로 이미징 오차들을 초래할 수 있다.
본 발명은, 증가된 속력으로 액체 공급 시스템 아래에서 기판(W)을 이동시킬 수 있도록 기판과 액체 공급 시스템의 부분 사이에서 메니스커스(510)의 강도(strength)를 증가시키고, 그로 인해 메니스커스(510)의 붕괴 위험없이 스루풋을 증가시키기 위해, 침지 액체로 덮이는 기판(W) 및 침지 액체 자체의 재료의 양립가능한 선택(compatible selection)으로 지향된다.
본 발명은 앞서 설명된 정지 상태의 방벽 부재(12)를 필수적으로 갖지 않는 다른 액체 공급 시스템들이 동일하게 적용가능하다는 것을 이해하여야 한다. 특히, 본 발명과 동일하게 양립할 수 있는 메니스커스 붕괴를 지연시키도록 다른 측정들이 수행될 수 있다.
본 명세서에서는 (통상적으로, 최상부 코트(top coat) 또는 레지스트일) 기판의 최상면 상의 침지 액체 사이의 정적 접촉 각도(θ)가 메니스커스의 안정성에 대한 큰 베어링(bearing)을 갖는다는 것이 알려져 있다. (도 7에 예시된 바와 같이) 정적 접촉 각도(θ)는 기판의 최상면과 평행한 라인과 기판의 표면에서의 드롭릿(droplet)의 표면에 평행한 또 다른 라인 사이의 액체를 통한 각도로서 측정된다. 접촉 각도가 증가되는 경우, 그 안정성이 증가할 것이므로, 메니커스가 붕괴되지 않고 메니스커스가 부착되는 투영 시스템의 부분과 기판(W) 간의 보다 빠른 상대 속력을 허용할 것이다.
침지 액체의 pH를 변화시키는 것이 침지 액체와 침지 액체가 놓여있는 기판의 최상면 사이의 접촉 각도에 큰 영향을 줄 수 있다는 것이 알려져 있다. 이 효과들은 아래에서 설명되는 2 가지 모델에 의해 설명되고 부분적으로 정량화(quantify)될 수 있다.
제 1 모델은 침지 액체 드롭릿의 표면 에너지를 계산하기 위해 분리 압력(A)을 사용한다. 정적 접촉 각도(θ), 분리 압력(Π)(x,pH) 및 액체 드롭릿의 높이(x) 사이에 다음의 관계가 존재한다. 드롭릿은 순 분리 압력(net disjoining pressure)이 양(positive)이 되는 x의 값인 소정의 평형 필름 높이(equilibrium film height: x equ )를 형성할 것이다.
분리 압력은 다음과 같은 극성(쿨롱) ΠE(x,pH) 및 a-극성(반데르발스) ΠD(x) 성분을 포함한다:
도 8은 극성 성분들 및 a-극성 성분의 합계인 전체 분리 압력을 개략적으로 예시한다.
극성 성분은 pH에 매우 의존하는 반면, a-극성 성분은 그렇지 않다. 극성 성분은 침지 액체의 이온들에 대한 기판의 대전 표면(charged surface)의 전자기 인력(electrostatic pull)으로부터 발생한다. 이 극성 성분은 기판의 표면 상에서의 침지 액체의 제타 전위에 의해서뿐 아니라, 침지 액체의 pH의 절대값에 의해서도 영향을 받는다.
분리 압력의 극성 성분은 기판의 표면과 침지 액체 사이의 제타 전위의 제곱으로 스케일(scale)된다. 따라서, 가령 -40 mV로부터 -10 mV까지의(즉, 4 배만큼) 감소는 분리 압력의 극성 성분을 16 배만큼 감소시킨다. 결과로서, 분리 압력이 감소되어 접촉 각도(θ)의 증가를 유도한다.
물에 기초한 침지 액체 및 기판의 표면 상에서 사용되는 2 가지 타입의 최상부 코트(수정되지 않은(unmodified) PMMA 및 기능적인(functionalized) PMMA)에 대 한 x 축선에 따른 침지 액체의 pH 및 y 축선에 따른 제타 전위의 그래프인 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, pH의 함수에 따라 제타 전위가 심히 변화한다는 것을 알 수 있다. 액체의 pH가 제타 전위의 제로 크로싱(zero crossing) pH에 가까울수록, 분리 압력의 극성 성분이 작아지므로 극성 표면 에너지가 더 작아지고 접촉 각도(θ)는 더 커진다. 일반적으로, 제로 크로싱의 2 pH 지점들 내의 pH를 갖는 침지 액체를 이용함으로써, 제타 전위가 장점을 제공한다. 이는, 제로 제타 전위에서의 pH 이상 및 대략 2 pH 이하 지점들에서, 최대 및 최소 전위 이상 및 제로 제타 전위 크로싱 pH 이하에 일반적으로 도달하는 곡선의 형상 때문이다. 침지 액체의 pH는, 기판의 표면 상의 침지 액체의 제타 전위가 0인 pH의 2 pH 내에 있는 것이 바람직하며, 1.5, 1.2, 1.0, 0.8, 0.7, 0.6, 0.5, 0.4, 0.3, 0.2 또는 0.1 pH 내에 있는 것이 더 바람직하다.
또한, 분리 압력의 극성 성분은 pH의 절대값에 의해 영향을 받는다. pH가 pH 7로부터 멀어질수록 더 많은 이온들이 침지 액체 내에 존재한다. 이는 분리 압력이 액체 내의 이온들의 개수에 정비례하기 때문이다. 액체 내의 이온들의 개수는 10-pH + 1014-pH ·NA에 의해 주어지며, 이때 NA는 아보가드로 상수(Avogadro constant)이다. 이는, 분리 압력 곡선 아래의 전체 영역이 감소함에 의해 더 작은 순 표면 에너지 및 더 낮은 접촉 각도(θ)를 유도한다는 것을 의미하여, 극성 성분이 더 급속하게 떨어진다(drop off)(즉, 도 8의 극성 성분의 곡선이 y 축선을 향해 이동한다)는 것을 의미한다.
요약하면, 가능한 한 제로 제타 전위 pH에 가까운 pH가 바람직하며, pH는 가능한 한 pH 7에 가깝도록 선택되어야 한다. 하지만, 제타 전위의 효과는 존재하는 이온들의 개수의 효과보다 더 두드러진다.
접촉 각도에 대한 pH의 효과를 이해하는 또 다른 방식은, 침지 액체의 pH를 침지 액체가 지지되는 기판의 표면의 pH와 비교하는 것이다. 이는 제 2 모델에 기초한 해석이다.
일반적으로, 침지 액체가 지지되고 이미징될(즉, 조사될) 기판의 표면이 침지 액체의 pH의 2 내에 있는 pH를 갖는 경우, 2 개의 특정한 재료들에 대해 가까운 최대 접촉 각도가 존재할 것이다. 표면의 pH는 제로 제타 전위 크로싱 지점에서의 액체의 pH로서 간주될 수 있다. 노광되는 기판의 표면과 침지 액체의 pH가 가까울수록 이 효과가 강해진다. 노광될 기판의 표면 및 침지 액체의 pH는 서로 1.5, 1.2, 1.0, 0.8, 0.7, 0.6, 0.5, 0.4, 0.3, 0.2 또는 0.1 내에 있는 것이 바람직하다.
따라서, 기판의 표면이 염기(base)인 경우 침지 액체도 염기인 것이 바람직하며, 역으로 즉 기판의 표면이 산(acid)인 경우 침지 액체도 산으로 구성되어야 한다. 상기 표면은 제로 제타 전위 크로싱 지점이 pH 7 이하인 경우에 산으로서 정의되고, 제로 제타 전위 크로싱 지점이 pH 7 이상인 경우에 염기로서 정의된다.
주어진 액체를 갖는 표면의 정적 접촉 각도(θ)는 Van Oss-Chaudhuri-Good 이론에서 기술된 바와 같이, 반데르발스(LW), 산(포지티브) 및 염기(네거티브) 성분들 사이의 에너지 밸런스(energy balance)를 이용하여 결정될 수 있다. 이 이론 은 다음을 설명한다:
이때, 
는 표면 에너지이며, S는 고체에 대한 것이고 L은 액체에 대한 것이다.
이 수학식은 주어진 최상부 코트 및 주어진 침지 액체에 대한 고체와 액체 사이의 정적 접촉 각도와 액체의 pH 간의 관계를 도출하는데 사용될 수 있다. 정적 접촉 각도가 최대의 15, 10, 8 또는 5 도 내에 있도록 침지 액체의 pH를 선택함으로써, 이것은 보다 안정적인 메니스커스를 발생시킬 것이며, 이에 따라 액체 공급 시스템에 대한 기판(W)의 보다 빠른 상대 이동을 허용하므로 스루풋을 증가시킬 것이다.
일 예시로서, 기능적인 PMMA가 최상부 코트로서 사용되고 물이 중성인 경우에 침지 액체로서 사용되는 경우, 약 72 도의 정적 접촉 각도가 존재한다. (예를 들어, 아세트산(acetic acid), 포름산(formic acid) NaOH이지만 바람직하게 이산화황(sulphur dioxide), 이산화질소(nitrogen dioxide), 산화질소(nitrogen oxide), N2O, H2S 또는 이산화탄소(carbon dioxide) 등과 같은 가스를 추가함으로써) 침지 액체의 pH가 5로 변화되는 경우, 정적 접촉 각도는 거의 100 도까지 된다. 이 값들을 이용하여, 메니스커스 붕괴(collapse)의 이론적인 임계 속도(critical velocity)는 1 m/s부터 1.55 m/s까지 오른다. 하지만, 최상부 코트와 침지 액체 사이의 산 접착(acidic bond)은 이미 최대 상태이기 때문에 물의 pH를 더 낮추더라도 별로 영향을 주지 못한다.
달성가능한 최대 속도는 다음의 수학식에 의해 추정될 수 있다:
이때, 상수 A는 약 250이며, 
는 표면 장력(surface tension)이고, 
는 점성(viscosity)이며, 접촉 각도는 라디안(radian) 단위이다. 침지 액체는 암모니아(NH3) 또는 H2O2를 추가함으로써 더 염기성으로 구성될 수 있다.
앞선 Van Oss-Chaudhuri-Good 수학식을 이용하여, (다른 요소들을 고려하는) 접촉 각도를 최적화하기 위해, 침지 액체의 pH 또는 최상부 코드의 pH 중 하나 또는 둘 모두를 선택할 수 있다. 이 방법은 모든 극성 침지 유체들 및 극성 최상면 재료들에 대해 수행될 수 있다. 상기 방법의 일 예시는, 침지 액체의 pH가 앞선 수학식을 이용한 최대 접촉 각도를 제공하는 pH의 1 내에 있을 것을, 바람직하게는 최대 접촉 각도를 제공하는 pH의 0.5, 0.4, 0.3, 0.2 또는 0.1 내에 있을 것을 보장할 것이다.
따라서, 앞선 방식으로 최상부 코트 및 침지 액체가 선택되는 경우, 메니스커스가 붕괴되지 않고 기판(W)과 액체 공급 시스템의 그 부분 간의 상대 속력이 최대화될 것을 보장하기 위해, 메니스커스가 부착되는 액체 공급 시스템의 일부분에 대한 기판의 이동을 제어하는 제어기가 제어될 수 있다. 예를 들어, 액체 공급 시스템은 속력이 1.2 m/s, 바람직하게는 1.3, 1.4 또는 1.5 m/s 이상이거나 더 빠르 도록 제어될 수 있지만, 메니스커스가 붕괴할 정도로 빠르지는 않다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
본 발명은 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 앞서 언급된 타입들에 적용될 수 있지만 전적인 것은 아니다.
앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2 및 도 3은 종래 기술의 리소그래피 투영 장치에서 사용된 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 4는 종래 기술의 또 다른 리소그래피 투영 장치에 따른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 5는 본 발명에서 사용될 수 있는 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 6은 본 발명에서 사용될 수 있는 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 7은 침지 액체와 기판(W) 사이의 접촉 각도(θ)를 예시하는 도면;
도 8은 분리 압력(disjoining pressure)이 극성(polar)(쿨롱(coulomb)) 및 a-극성(a-polar)(반데르발스(VanderWaals)) 성분(component)을 포함하는 방식을 개략적으로 예시하는 도면; 및
도 9는 침지 액체의 변화하는 pH를 이용하여 기판의 표면과 침지 액체 사이의 제타 전위의 변동을 개략적으로 예시하는 도면이다.
Claims (26)
- 리소그래피 장치에 있어서:침지 액체를 통해 방사선의 빔으로 기판을 노광하는 침지 리소그래피 노광 장치를 포함하여 이루어지고, 상기 침지 액체의 pH는 상기 기판의 표면 상에서 그 제타 전위(zeta potential)가 0인 침지 액체의 pH의 0 내지 2 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는, 상기 기판의 표면 상에서 그 제타 전위가 0인 침지 액체의 pH의 0 내지 1.5 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는, 상기 기판의 표면 상에서 그 제타 전위가 0인 침지 액체의 pH의 0 내지 1.2 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는, 상기 기판의 표면 상에서 그 제타 전위가 0인 침지 액체의 pH의 0 내지 1.0 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는, 상기 기판의 표면 상에서 그 제타 전위가 0인 침지 액체의 pH의 0 내지 0.8 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는, 상기 기판의 표면 상에서 그 제타 전위가 0인 침지 액체의 pH의 0 내지 0.5 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 표면 및 상기 침지 액체는 염기(base)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 표면은 pH 0 보다 크고 7보다 적은 제타 전위를 가지며, 상기 침지 액체는 산(acid)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체는 다음의 수학식에 의해 계산되는 바와 같은 상기 표면 상의 침지 액체의 정적 접촉 각도(static contact angle: θ)를 발생시키는 pH를 갖고:
는 표면 에너지(surface energy)이며, LW는 반데르발스(Van der Waals) 힘, pos는 산 성분, neg는 염기 성분, S는 기판이고, L은 상기 pH를 변화시킴으로써 얻을 수 있는 최대의 20°내에 있는 침지 액체에 대한 것임을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 계산된 정적 접촉 각도는 0°보다 크고 최대의 15°내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 계산된 정적 접촉 각도는 0°보다 크고 최대의 10°내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 계산된 정적 접촉 각도는 0°보다 크고 최대의 8°내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 계산된 정적 접촉 각도는 0°보다 크고 최대의 5°내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는 다음의 수학식을 이용하여 최대 접촉 각도를 제공하는 pH의 1.0 내에 있고:
는 표면 에너지이며, LW는 반데르발스 힘, pos는 산 성분, neg는 염기 성분, S는 기판이고, L은 침지 액체에 대한 것임을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는 상기 최대 접촉 각도를 제공하는 pH의 0 내지 0.5 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는 상기 최대 접촉 각도를 제공하는 pH의 0 내지 0.4 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는 상기 최대 접촉 각도를 제공하는 pH의 0 내지 0.3사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH는 상기 최대 접촉 각도를 제공하는 pH의 0 내지 0.2 사이에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 침지 액체의 pH가, 상기 제타 전위가 0인 pH보다 pH 7에 더 가까운 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,1.2 내지 1.5 m/s의 속력으로 액체 공급 시스템의 전체 또는 일부분에 대해 상기 기판을 이동시키도록 구성된 제어기를 더 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 속력이 1.3 m/s인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 속력이 1.4 m/s인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 속력이 1.5 m/s인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 표면은 최상부 코트(top coat)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 디바이스 제조 방법에 있어서,침지 액체를 통해 기판 상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 침지 액체는 상기 기판의 표면과 접촉하고 있으며, 상기 침지 액체의 pH는 상기 기판의 표면 상에서 그 제타 전위가 0인 침지 액체의 pH의 0 내지 2 사이에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 침지 액체는 액체 공급 시스템에 의해 제공되고, 상기 기판의 표면과 상기 액체 공급 시스템의 일부분 사이에서 상기 액체의 메니스커스(meniscus)가 연장되며, 상기 기판은 1.2 내지 1.5m/s의 속력으로 상기 일부분에 대해 이동되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/402,258 US7903232B2 (en) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11/402,258 | 2006-04-12 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070035909A Division KR100879595B1 (ko) | 2006-04-12 | 2007-04-12 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080096728A true KR20080096728A (ko) | 2008-11-03 |
| KR101160950B1 KR101160950B1 (ko) | 2012-06-28 |
Family
ID=38605327
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070035909A KR100879595B1 (ko) | 2006-04-12 | 2007-04-12 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020080089675A KR101160950B1 (ko) | 2006-04-12 | 2008-09-11 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070035909A KR100879595B1 (ko) | 2006-04-12 | 2007-04-12 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7903232B2 (ko) |
| JP (1) | JP5081484B2 (ko) |
| KR (2) | KR100879595B1 (ko) |
| CN (1) | CN101055427B (ko) |
| TW (1) | TWI363252B (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1036211A1 (nl) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method. |
| US8953141B2 (en) * | 2007-12-21 | 2015-02-10 | Asml Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method with asymmetric acceleration profile of substrate table to maintain meniscus of immersion liquid |
| KR101160948B1 (ko) | 2008-04-16 | 2012-06-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
| EP2221669A3 (en) | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
| NL2005655A (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-14 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| NL2007453A (en) | 2010-10-18 | 2012-04-19 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| NL2009899A (en) | 2011-12-20 | 2013-06-24 | Asml Netherlands Bv | A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| US10216095B2 (en) | 2013-08-30 | 2019-02-26 | Asml Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus |
| NL2015915A (en) | 2014-12-19 | 2016-09-20 | Asml Netherlands Bv | A Fluid Handling Structure, A Lithographic Apparatus and a Device Manufacturing Method. |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
| WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
| ATE336390T1 (de) * | 1998-12-22 | 2006-09-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur herstellung einer lichtempfindlichen flachdruckplatte |
| US6303225B1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-10-16 | Guardian Industries Corporation | Hydrophilic coating including DLC on substrate |
| JP2002080829A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Toto Ltd | 親水性部材、その製造方法、およびその製造のためのコーティング剤 |
| JP3813887B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2006-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2004290830A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Toray Ind Inc | 浸漬膜 |
| JP4770129B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2011-09-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| EP1482372B1 (en) * | 2003-05-30 | 2014-10-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| TWI243409B (en) * | 2003-08-25 | 2005-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| JP4168880B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 液浸用溶液 |
| JP4295712B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
| US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070004182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation |
-
2006
- 2006-04-12 US US11/402,258 patent/US7903232B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-30 TW TW096111456A patent/TWI363252B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-04-05 JP JP2007099005A patent/JP5081484B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-11 CN CN2007100965495A patent/CN101055427B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-12 KR KR1020070035909A patent/KR100879595B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-11 KR KR1020080089675A patent/KR101160950B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070101793A (ko) | 2007-10-17 |
| CN101055427B (zh) | 2011-01-12 |
| US20070243697A1 (en) | 2007-10-18 |
| US7903232B2 (en) | 2011-03-08 |
| JP5081484B2 (ja) | 2012-11-28 |
| JP2007288187A (ja) | 2007-11-01 |
| KR100879595B1 (ko) | 2009-01-21 |
| TW200745777A (en) | 2007-12-16 |
| CN101055427A (zh) | 2007-10-17 |
| KR101160950B1 (ko) | 2012-06-28 |
| TWI363252B (en) | 2012-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |