TWI480647B - A liquid crystal alignment agent, and a liquid crystal display device using the liquid crystal display device - Google Patents

A liquid crystal alignment agent, and a liquid crystal display device using the liquid crystal display device Download PDF

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Description

液晶配向處理劑、及使用其之液晶顯示元件
本發明係關於使用於製造液晶配向膜時的液晶配向處理劑及使用其之液晶顯示元件者。
現今作為液晶顯示元件之液晶配向膜,將以聚醯胺酸等聚醯亞胺前驅體或可溶性聚醯亞胺的溶液作為主成分之液晶配向處理劑(亦稱為液晶配向劑)進行塗佈後燒成,主要使用於所謂的聚醯亞胺系的液晶配向膜。
作為液晶配向膜所要求的特性之一,將對於基板面之液晶分子的配向傾斜角保持於任意值,所謂液晶之預傾角(Pre-tilt angle)控制。已知該預傾角之尺寸可藉由選擇構成液晶配向膜的聚醯亞胺之結構而變更。
藉由聚醯亞胺之結構而控制預傾角之技術中,亦以將具有側鏈之二胺作為聚醯亞胺原料的一部分使用的方法,因可配合該二胺的使用比率而增大預傾角,故比較容易控制為目的預傾角,作為擴大預傾角之手段而言為有用。作為擴大液晶之預傾角的二胺之側鏈結構,己由提出含有類固醇骨架(例如參照專利文獻1)、苯基或環己基等環結構者(例如參照專利文獻2)。且,亦有提出側鏈上具有3個至4個如此環結構的二胺(例如參照專利文獻3)。
另一方面,於液晶配向膜製作的步驟中,將聚醯胺酸之溶液或溶劑可溶性聚醯亞胺的溶液塗佈於基板時,工業上一般進行彈性凸版印刷等,塗佈液之溶劑為,混合聚合物的溶解性優良的N-甲基-2-吡咯烷酮或γ-丁內酯等以外,亦可混合形成均勻且無缺陷的薄膜為目的之丁基溶纖劑等。然而,丁基溶纖劑等溶劑,溶解聚醯胺酸或聚醯亞胺之能力較差,故多量混合時會有析出的問題(例如參照專利文獻4)。特別溶劑可溶性聚醯亞胺之溶液中,該問題更為顯著。又,使用具有如前述之側鏈的二胺所得之聚醯亞胺,因會有溶液之塗佈均勻性降低的傾向,故必須要大量之丁基溶纖劑等塗佈性改善溶劑的混合量,如此溶劑之混合許容量亦成為聚醯亞胺之重要特性。
又,隨著液晶顯示元件之高精細化,由液晶顯示元件的對比降低抑制或殘像顯像之減低的觀點來看,於此所使用的液晶配向膜中,電壓保持率較高、或外加直流電壓時的累積電荷較少,又,藉由直流電壓所累積之殘留電荷的緩和較快之特性漸漸成為重要。
聚醯亞胺系液晶配向膜中,作為至藉由直流電壓所產生之殘像消失的時間較短者,除聚醯胺酸或含有亞胺基之聚醯胺酸,使用含有特定結構之3級胺的液晶配向劑者(例如參照專利文獻5)、或已知使用含有將具有吡啶骨架等之特定二胺使用於原料的可溶性聚醯亞胺之液晶配向劑者(例如參照專利文獻6)等。又,作為電壓保持率較高,且至藉由直流電壓所產生之殘像消失時間較短者,已知除聚醯胺酸或其亞胺化聚合物等以外,使用含有極少量的選自分子內含有1個羧酸基之化合物、分子內含有1個羧酸酐基之化合物及分子內含有1個3級胺基之化合物的化合物的液晶配向劑之液晶配向劑(例如參照專利文獻7)。
然而,近年來,大畫面且高精細的液晶電視廣泛被實用化,如此用途中之液晶顯示元件中,與以至今的文字或靜止畫面為主所顯示的顯示器用途做比較,對於殘像之要求更為嚴格,且要求耐住於嚴苛使用環境下的長期使用之特性。因此,於此所使用之液晶配向膜必須比過去更具較高信賴性,有關液晶配向膜之電特性,不僅要求期特性良好,例如要求高溫下長時間曝光後,即使進一步以背光紫外線進行長時間曝光後,亦可維持良好特性。
[專利文獻1]特開平4-281427號公報
[專利文獻2]特開平9-278724號公報
[專利文獻3]特開2004-67589號公報
[專利文獻4]徳開平2-37324號公報
[專利文獻5]特開平9-316200號公報
[專利文獻6]特開平10-104633號公報
[專利文獻7]特開平8-76128號公報
本發明之目的為,提供一種作為液晶配向膜時,具有將液晶之預傾角變大的特性,即使為較少使用比率下,可將液晶配向成垂直,又於液晶配向處理劑之塗佈液混合弱溶劑時,難產生析出之液晶配向處理劑。除此等特性以外,亦提供電壓保持率較高,且即使於高溫下長時間曝光後,藉由直流電壓所累積之殘留電荷的緩和較快,且即使於背光之紫外線下長時間曝光後,亦得到可抑制電壓保持率降低的液晶配向膜之液晶配向處理劑。且,可提供一種耐住嚴苛使用環境下的長期使用之信賴性較高的液晶顯示元件。
本發明者欲達到上述目的,進行詳細研究結果,發現達成此的新穎液晶配向處理劑。本發明係基於該見解所得者,且具有以下之要旨。
(1)將含有下述(A)成分及下述(B)成分為特徵之液晶配向處理劑。
(A)成分:將具有下述式[1]所示重複單位的結構式之聚醯胺酸進行亞胺化的聚合物,該聚合物中之分子內具有羧基之聚醯亞胺。
(B)成分:分子內具有1個1級胺基與含氮之芳香族雜環,且前述1級胺基鍵結於脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之胺化合物。
(式[1]中,R1 為4價有機基,R2 為含有下述式[2]之2價有機基。)
(式(2]中,X1 為伸苯基,X2 為環伸己基或伸苯基,X3 為環伸己基。X4 為碳數3~12的烷基、碳數3~12的烷氧基、碳數3~12的氟烷基、或碳數3~12的氟烷氧基)
(2)式[2]的X2 為環伸己基或伸苯基,X4 為碳數3~6的烷基、碳數3~6的烷氧基、碳數3~6的氟烷基、或碳數3~6的氟烷氧基之上述(1)所記載之液晶配向處理劑。
(3)式[1]中的R2 為含有下述式[3]之2價有機基的上述(1)所記載之液晶配向處理劑。
(式[3]中,n為2~11之整數,1,4-環伸己基的順-反式異構性為反式異構物。)
(4)式[1]中的R2 為含有下述式[4]之2價有機基的上述1所記載之液晶配向處理劑。
(式[4]中,n為2~11之整數,1,4-環伸己基的順-反式異構性為反式異構物。)
(5)(A)成分為將具有式[1]所示重複單位的結構式之聚醯胺酸進行亞胺化之聚合物,該聚合物所具有的羧基量對於該聚合物的重複單位而言的平均值為0.1~3個的上述(1)~(4)中任一所記載之液晶配向處理劑。
(6)(A)成分為前述式[1]所示重複單位的結構式中,將具有重複單位的一部分或全部具有下述式[5]所示單位的結構式的聚醯胺酸進行亞胺化的聚合物,該聚合物所具有的羧基量為,對於該聚合物之重複單位而言的平均值為0.1~3個之上述(1)~(5)中任一所記載之液晶配向處理劑。
(式中,R3 為4價有機基,R4 為2價有機基,R3 或R4 的至少一方具有羧基。)
(7)(B)成分為下述式[6]所示胺化合物之上述(1)~(6)中任一所記載的液晶配向處理劑。
(式[6]中,Y1 為具有脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之2價有機基,Y2 為含有氮之芳香族雜環)
(8)(B)成分為下述式[7]所示胺化合物的上述(1)~(6)中任一所記載之液晶配向處理劑。
(式[7]中,Y3 為碳數1~10之2價脂肪族烴基或非芳香族環式烴基,Y4 為單鍵、或-O-、-NH-、-S-、-SO2 -或碳數1~19之2價有機基。又,Y3 與Y4 所具有的碳原子合計為1~20。Y5 為含有氮之芳香族雜環。)
(9)(B)成分為,式[7]中的Y3 、Y4 、及Y5 各為選自下述所記載之基或環的組合所成之胺化合物的上述(8)所記載之液晶配向處理劑。
但,Y3 為選自碳數1~10的直鏈或分支伸烷基、碳數1~10的不飽和伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、及金剛烷環所成群的1種;Y4 為選自單鍵、-O-、-NH-、-S-、-SO2 -、碳數1~19之烴基、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-CF2 -、-C(CF3 )2 -、-CH(OH)-、-C(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -、-O-Si(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -O-、-O-Si(CH3 )2 -O-、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、金剛烷環、苯環、萘環、四氫萘環、薁環、茚環、芴環、蒽環、菲環、非那烯環、吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、三嗪環、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯並噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、吖啶環、噁唑環、哌嗪環、哌啶環、二噁烷環、及嗎啉環所成群之1種;Y5 為選自吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、吡唑啉環、三嗪環、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯並噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、及吖啶環所成群的1種。
(10)作為(A)成分之聚醯亞胺所具有的羧基1莫耳量而言,含有(B)成分0.01~2莫耳倍量的比率之上述(1)~(9)中任一所記載之液晶配向處理劑。
(11)將含有(A)成分的聚醯亞胺與(B)成分之胺化合物的有機溶劑於加熱下進行混合所得之上述(1)~(10)中任一所記載之液晶配向處理劑。
(12)由上述(1)~(11)中任一所記載之液晶配向處理劑所得之液晶配向膜。
(13)具有上述(12)所記載之液晶配向膜的液晶顯示元件。
本發明的液晶配向處理劑可由比較簡便之方法得到。又,本發明的液晶配向處理劑作為液晶配向膜時,具有使液晶之預傾角擴大之特性,即使於較少使用比率下,亦可使液晶配向於垂直。又,即使於液晶配向處理劑之塗佈液中混合弱溶劑時,亦難產生析出。且,即使電壓保持率較高,且高溫下經長時間曝光後,可得到藉由直流電壓所累積之殘留電荷的緩和較快之液晶配向膜。
又,具有由本發明的液晶配向處理劑所得之液晶配向膜的液晶顯示元件可成為信賴性優良者,可利用於大畫面之高精細的液晶電視等。
[實施發明之最佳形態]
本發明的液晶配向處理劑具有(A)成分與(B)成分的液晶配向處理劑,其中(A)成分為將具有前述式[1]所示重複單位的結構式之聚醯胺酸進行亞胺化的聚合物,該聚合物之分子內具有羧基之聚醯亞胺(以下有時稱為特定聚醯亞胺),(B)成分為分子內具有1個胺基之含氮之芳香族雜環,且前述胺基鍵結於脂肪族烴基或非芳香族系環式烴基的胺化合物(以下有時稱為特定胺化合物)。且,本說明書中,上述胺基(-NH2 )與1級胺基同義,以下亦稱為1級胺基。
本發明的液晶配向處理劑中之特定聚醯亞胺為,將於側鏈具有持有使預傾角變大的特性之取代基的特定二胺(以下有時稱為特定二胺)使用於原料中。因此,使用該特定二胺時,所得之液晶配向處理劑即使於較少使用比率下亦可將液晶配向於垂直方向。又,使使用比率變少時,聚合物之有機溶劑溶解性會變高,液晶配向處理劑的塗佈液中混合弱溶劑時亦難產生析出物。
本發明的液晶配向處理劑中,推測特定胺化合物中的胺基為,與特定聚醯亞胺中的羧基形成鹽、或為對於特定聚醯亞胺中的羧基或羧基酯基會引起水或醇的脫離之醯胺鍵、或為對於特定聚醯亞胺中的亞胺基產生隨著亞胺基的開環之結合反應。且,推測藉由製作液晶配向膜時的燒成步驟,形成特定聚醯亞胺中的羧基與鹽之胺基藉由水之脫離而形成醯胺鍵。其結果,本發明的液晶配向處理劑為,無關有機溶劑中進行混合之簡便手段,所得之液晶配向膜中效率良好下結合特定胺化合物與特定聚醯亞胺。
另一方面,特定胺化合物中的含氮之芳香族雜環為,藉由該共軛結構作為電子的跳躍側(hopping site)之功能,故促進所得之液晶配向膜中的電荷移動。又,作為液晶配向膜時,含氮之芳香族雜環與特定聚醯亞胺中之羧基形成鹽或以氫鍵之靜電相互作用下結合,特定聚醯亞胺中之羧基與特定胺化合物中的含氮之芳香族雜環之間引起電荷移動。且,該特定胺化合物因與特定聚醯亞胺成化學鍵,故移動於含氮之芳香族雜環部位的電荷可有效率地移動於聚醯亞胺分子內或分子間。
藉由以上,本發明的液晶配向處理劑作為液晶配向膜時,具有擴大液晶的預傾角的特性,即使以較少使用比率亦可使液晶配向於垂直方向。又,於液晶配向處理劑的塗佈液混合弱溶劑時亦難以產生析出物。且,即使於電壓保持率較高,且高溫下長時間曝光後,可得到直流電壓下所累積之殘留電荷的緩和較快的液晶配向膜。
<(A)成分/特定聚醯亞胺>
本發明中,(A)成分的特定聚醯亞胺僅為將具有式[1]所示重複單位的結構式之聚醯胺酸進行亞胺化的聚合物,且為該聚合物之分子內具有羧基的聚醯亞胺即可,其結構並無特別限定。該聚醯亞胺因將四羧酸二酐與二胺作為原料而可由比較簡便下得到,故將具有式[1]所示重複單位的結構式之聚醯胺酸進行亞胺化的聚合物為佳。
(式[1]中,R1 為4價有機基,R2 為含有下述式[2]的2價有機基。)
式[2]中,X1 為伸苯基,X2 為環伸己基或伸苯基,X3 為環伸己基。伸苯基或環伸己基中視必要可具有取代基。X4 為碳數3~12、較佳為3~6的烷基、碳數3~12,較佳為3~6的烷氧基、碳數3~12,較佳為3~6的氟烷基、或碳數3~12,較佳為3~6的氟烷氧基。烷基、氟烷基、烷氧基、及氟烷氧基可為直鏈狀或分支狀,但以直鏈狀為佳,又可具有適宜取代基。
式[2]中之主鏈的苯環中之胺基鍵結位置並無限定。作為具體例,對於下述式[8]中之Z1 ,可舉出2,3位置、2,4位置、2,5位置、2,6位置、3,4位置、3,5位置。其中,由合成聚醯胺酸時的反應性之觀點來看,以2,4位置、2,5位置、3,5位置為佳。若加強二胺合成之容易性,以2,4位置、或2,5位置為佳。
式[2]之中亦以X1 為1,4-伸苯基為佳。又,X2 以1,4-伸苯基或1,4-環伸己基為佳,較佳為1,4-伸苯基或1,4-反式-環伸己基,特別以1,4-反式-環伸己基為佳。又,X3 以1,4-環伸己基為佳,特佳為1,4-反式-環伸己基。
本發明的式[2]所示結構的較佳具體例如以下所示。且,下述式[9]~[12]中的n各獨立為2~11之整數為佳,2~6之整數為特佳。又,式中的1,4-環伸己基之順-反式異構性各為反式異構物。
含有式[2]之結構的特定聚醯亞胺為,將下述式[13]所示特定二胺使用於原料而得到。
(式[13]中,X1 、X2 、X3 及X4 與式[2]所定義者相同。)
製造式[13]所示二胺之方法並無特別限定,作為較佳方法可舉出以下方法。
(式[14]中,X1 、X2 、X3 及X4 與式[2]所定義者相同。)
合成式[14]之二硝基化合物,係由一般方法使硝基基進行還原後轉換為胺基而得到。
式[14]的二硝基化合物係由下述式[15]所示含有羥基之化合物與二硝基氯苯等之反應而得到。
(式[15]中,X1 、X2 、X3 及X4 與式[2]所定義者相同。)
含有式[3]、[4]、及[9]~[12]之結構的特定聚醯亞胺亦與上述同樣方法下得到。
式[1]中,R1 及R2 可為各1種類、或各相異的R1 及R2 ,亦可組合作為重複單位之相異複數種。
以擴大液晶之預傾角的目的,使用式[2]的結構1莫耳%以上為佳。以配向液晶於垂直方向為目的,使用10莫耳%以上為佳,較佳為15莫耳%以上。含有式[3]、[4]、及[9]~[12]之結構的特定聚醯亞胺亦相同。
特定聚醯亞胺為,可將上述聚醯胺酸進行亞胺化時的亞胺化率一般控制於未達100%下得到。
又,特定聚醯亞胺為,式[1]所示重複單位的結構式中,可將於重複單位含有下述式[5]所示結構單位的聚醯胺酸進行亞胺化而得到。
(式[5]中,R3 為4價有機基,R4 為2價有機基,R3 或R4 的至少一方具有羧基。)
此時,亞胺化率可為100%。
特定聚醯亞胺之亞胺化率,由可得到較高電壓保持率之理由來看以20%以上為佳,較佳為40%以上。
特定聚醯亞胺中之羧基量,由本發明之效果可更效率地得到之理由來看,對於作為聚醯亞胺之結構式的重複單位而言,平均值以0.1~3個為佳、較佳為0.3~2.0個,特佳為0.5~1.8個。此時的重複單位為,亦合併含有未經亞胺化的醯胺酸基之單位者。例如,將由式[1)所示重複單位所成之聚醯胺酸進行亞胺化所得之聚醯亞胺之情況,亞胺化率未達100%時,可考慮係由下述式[16a]~[16d]之結構的組合所構成,但上述算出羧基量時的重複單位含有式[16a]~[16d]之全部。
本發明中,特定聚醯亞胺中的羧基量(以下亦稱為羧基之平均值。)係以下述(i)之P、與(ii)之Q的和而求得。
(i)來自未經亞胺化的醯胺酸之羧基的對於作為聚醯亞胺之結構式的重複單位之平均值:P
(ii)含於前述式[5]之R3 、R4 的羧基之對於作為聚醯亞胺的結構式之重複單位的平均值:Q
而上述(i)之P為使用亞胺化率(z)可由下述式(1)算出。且,亞胺化率(z),例如由後述<亞胺化率之測定>而求得。
P=2×(1-z/100) (1)
一方面,上述(ii)之Q為,以含於式[5]之R3 的羧基之對於作為聚醯亞胺的結構式之重複單位的平均值:Q1 、與含於R4 之羧基的對於作為聚醯亞胺之結構式的重複單位之平均值:Q2 之和而求得。
上述R3 、R4 各為,欲得到特定聚醯亞胺所使用的原料之1部分或全部之四羧酸二酐殘基(R3 )、二胺殘基(R4 )。
因此,上述Q1 係由使用欲得到特定聚醯亞胺所使用的四羧酸二酐之合計莫耳量中的下述式[V1]所示四羧酸二酐之莫耳分率,由下述式(2)算出。
(式[V1]中,R3 為與式[5]所定義者相同。)
Q11 ×W1 /W2  (2)
於此,β1 表示含於R3 之羧基個數,W1 為式[V1]之四羧酸二酐的莫耳量,W2 表示四羧酸二酐之合計莫耳量。
又,上述Q2 係由使用欲得到特定聚醯亞胺所使用的二胺之合計莫耳量中之下述式[V2]所示二胺的莫耳分率,由下述式(3)算出。
(式[V2]中,R3 與式[5]所定義者相同。)
Q22 ×W3 /W4  (3)
於此,β2 表示含於R4 之羧基個數,W3 為式[V2]所示二胺之莫耳量,W4 表示二胺之合計莫耳量。
而羧基量係由下述式(4)求得。
特定聚醯亞胺中之羧基量=P+Q1 +Q2 =2×(1-z/1 00)+β1 ×W1 /W22 ×W3 /W4  (4)
本發明中,特定聚醯亞胺中之羧基量的調整可為
(1)藉由控制亞胺化率而調整之手段、
(2)藉由含於式[5]之R3 或R4 的羧基數、及式[1]所示重複單位之結構式中的式[5]之比率而調整之手段之任一種。且,亦可並用(1)與(2)之手段。
式[1]中之R1 及R2 的選擇自由度之觀點來看,以(1)之手段為佳。特定聚醯亞胺之亞胺化率的選擇自由度之觀點來看,以(2)之手段為佳。又,藉由製造液晶配向膜時的燒成步驟之亞胺化反應,特定胺化合物脫離或聚醯亞胺鏈被切斷之可能性減少之觀點來看,以(2)之手段為佳。
藉由上述(1)之手段調整特定聚醯亞胺中的羧基量時,式[1]中之R1 及R2 並無特別限定。又,R1 及R2 於式[1]中各可為1種類、或具有各相異的R1 及R2 之結構,組合作為重複單位之相異複數種亦可。
式[1]中之R1 的具體例可舉出如下所述。
彼等中,A-6、A-16、A-18~A-22、A-25、A-37、或A-38即使為亞胺化率較高的聚醯亞胺,對於有機溶劑之溶解性亦高而較佳。
又,R1 之10莫耳%以上為如A-1~A-25具有脂環式結構或脂肪族結構時,可提高電壓保持率而較佳。特別為,R1 為並用選自A-1、A-16、A-19之2種類者,可得到電荷之緩和較快速之液晶配向膜而較佳。
式[1]中,R2 可含有式[2]所示結構以外之有機基。其具體例可舉出如下所示。
(B-112及B-113中,Q表示-COO-,-OCO-,-CONH-,-NHCO-,-CH2 -,-O-,-CO-,-NH-之任一。)
藉由前述(2)之手段調整特定聚醯亞胺中之羧基量時,R3 或R4 之任一僅具有羧基,其結構並無特別限定。又,羧基數為,於R3 及R4 各0~2個(但,R3 或R4 之任一方至少具有1個羧基。)為佳。
聚醯亞胺之合成容易性、及原料入手性的觀點來看,於R4 具有羧基者為佳。作為具有羧基之R4 ,可舉出B-102~B-113。此時,具有羧基之R4 可為1種類或並用2種類以上皆可。又,R4 為具有羧基時,R3 之結構並無特別限定,作為具體例可舉出A-1~A-45。
<特定聚醯亞胺之製造方法>
本發明所使用的(A)成分之特定聚醯亞胺的製造方法雖無特別限定,一般為將選自四羧酸及其衍生物之1種或複數種所成之四羧酸成分、與1種或複數種之二胺化合物所成之二胺成分進行反應,合成具有式[1]所示重複單位之結構式的聚醯胺酸,將該聚醯胺酸進行亞胺化成為聚醯亞胺之方法被採用。
此時,所得之聚醯胺酸可依適宜選擇原料之四羧酸成分與二胺成分,成為單獨聚合物(均共聚物)或共聚物(共聚物)。
其中所謂的四羧酸及其衍生物為,四羧酸、四羧酸二鹵化物或四羧酸二酐。其中亦以四羧酸二酐為與二胺化合物之反應性較高故較佳。
以下舉出特定聚醯亞胺之製造方法的具體例。
例如,將含有選自式[18]所示四羧酸二酐之至少一種的四羧酸成分、與選自式[19]所示二胺化合物之至少一種的二胺成分,以N-甲基吡咯烷酮、N,N’-二甲基乙醯胺、N,N’-二甲基甲醯胺、γ-丁內酯等有機溶劑中進行聚縮合反應得到聚醯胺酸。
且,式[18]中之R1 與式[1]所定義者相同。
且,式[19]中之R2 與式[1]所定義者相同。
此時,反應溫度可選自-20℃至150℃的任意溫度,較佳為-5℃至100℃之範圍。
構成四羧酸成分之化合物的合計莫耳數、與構成二胺成分之二胺化合物的合計莫耳數之比,較佳為0.8:1~1.2:1,特佳為0.9:1~1.1:1。該莫耳比越接近1.0,所生成之聚合物的聚合度越大。
又,欲得到式[1]所示重複單位之結構式中,於重複單位之一部分或全部具有式[5]所示單位之聚醯胺酸,僅使用於R1 具有羧基之四羧酸二酐及/或於R2 具有羧基之二胺。
作為使聚醯胺酸進行亞胺化之方法,一般為藉由加熱之熱亞胺化、或使用觸媒之觸媒亞胺化,比較低溫下進行亞胺化反應之觸媒亞胺化因可得到較難引起聚醯亞胺之分子量降低故較佳。
觸媒亞胺化為,可將聚醯胺酸於有機溶劑中,藉由鹼性觸媒與酸酐之存在下進行攪拌而進行。此時的反應溫度為-20~250℃,較佳為0~180℃。反應溫度較高者亞胺化較快進行,但過高時,聚醯亞胺之分子量會有降低之情況。鹼性觸媒之量為醯胺酸基之0.5~30莫耳倍,較佳為2~20莫耳倍,酸酐之量為醯胺酸基之1~50莫耳倍,較佳為3~30莫耳倍。鹼性觸媒或酸酐之量若過少時,反應無法充分進行,又過多時,反應終了後難完全地除去。作為此時所使用的鹼性觸媒,可舉出吡啶、三乙基胺、三甲基胺、三丁基胺、三辛胺等,其中亦以吡啶於進行反應時,持有適度鹼性而較佳。又,作為酸酐可舉出乙酸酐、偏苯三酸酐、無水均苯四甲酸等,其中亦以使用乙酸酐時反應終了後之純化容易進行而較佳。作為有機溶劑,僅為可溶解聚醯胺酸者即可,並無限定,該具體例可舉出N,,’-二甲基甲醯胺、N,N’-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己內醯胺、二甲基亞碸、四甲基尿素、二甲基碸、六甲基亞碸、γ-丁內酯等。藉由觸媒亞胺化之亞胺化率可藉由調整觸媒量與反應溫度、反應時間而進行控制。
所生成之聚醯亞胺可由回收上述反應溶液投入於弱溶劑後所生成之沈澱而得到。此時,所使用的弱溶劑並無特別限定,例如可舉出甲醇、丙酮、己烷、丁基溶纖劑、庚烷、甲基乙酮、甲基異丁酮、乙醇、甲苯、苯、水等。投於弱溶劑而沈澱之聚醯亞胺於濾過後,常壓或者減壓下,可進行常溫或者加熱乾燥而使其成為粉末。將該聚醯亞胺粉末再溶解於有機溶劑,進行再沈澱之操作重複2~10次,可純化聚醯亞胺。一次沈澱回收操作無法除去雜質時,進行該純化步驟為佳。
本發明所使用的特定聚醯亞胺之分子量並無特別限定,由處理容易度、與膜形成時的特性安定性的觀點來看,以重量平均分子量2,000~200,000為佳,較佳為4,000~50,000。分子量可藉由GPC(凝膠滲透層析)求得。
<(B)成分/特定胺化合物>
本發明所使用的(B)成分之特定胺化合物為,分子內具有1個胺基與含氮之芳香族雜環,且前述胺基結合於2價脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之胺化合物。
該特定胺化合物為,分子內所含之胺基因僅為1個,故調製液晶配向處理劑時或於液晶配向劑之保管中,可避免聚合物之析出或產生凝膠化之問題產生的可能性。
特定胺化合物所含之1級胺基,由與特定聚醯亞胺之鹽形成或容易進行結合反應的觀點來看,必須結合於分子內之2價脂肪族烴基或、未含芳香族烴之非芳香族環式烴基。
作為脂肪族烴基之具體例,可舉出具有直鏈狀伸烷基、分支結構之伸烷基、具有不飽和鍵之2價烴基等。脂肪族烴基之碳數較佳為1~20,更佳為1~15,特佳為1~10。
作為2價非芳香族環式烴基之具體例,可舉出環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、金剛烷環等。較佳為碳數為3~20所成之環,較佳為碳數為3~15所成之環,更佳為碳數為3~10所成之環的非芳香族環式烴基。
特定胺化合物所含之含氮的芳香族雜環,為含有選自下述式[20a]、式[20b]及式[20c]所成群的至少1個結構的芳香族環式烴,較佳為1個~4個。
(式中,Z2 為碳數1~5之直鏈或分支烷基。)
具體為可舉出吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、吡唑啉環、三嗪環、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯並噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、吖啶環等。且,這些含氮之芳香族雜環之碳原子可具有含有雜原子之取代基。
作為較佳之特定胺化合物,為下述式[6]所示胺化合物。
(式中,Y1 為具有脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之2價有機基,Y2 為含有氮之芳香族雜環。)
式[6]中,Y1 為具有脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之2價有機基即可,並無特別限定。
式[6]中之較佳Y1 為具有選自碳數1~20之脂肪族烴基及碳數3~20之非芳香族環式烴基的1種2價有機基。作為非芳香族環式烴基,可舉出上述結構。Y1 較佳可舉出碳數1~15之脂肪族烴基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、原菠烯環、金剛烷環等。Y1 特佳可舉出碳數1~10之直鏈或分支伸烷基。
又,Y1 所含之未鄰接於胺基的任意脂肪族烴基或非芳香族環式烴基中之-CH2 -可由-O-、-NH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-S-、-S(O)2 -、-CF2 -、-C(CF3 )2 -、-C(CH3 )2 -、-si(CH3 )2 -、-O-Si(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -O-、-O-Si(CH3 )2 -O-、2價環狀烴基或雜環所取代。又,結合於任意碳原子之氫原子可由碳數1~20之直鏈或分支伸烷基、環狀烴基、碳數1~10的含氟之烷基、雜環、氟原子、羥基所取代。
作為2價環狀烴基之具體例,可舉出苯環、萘環、四氫萘環、薁環、茚環、芴環、蒽環、菲環、非那烯環、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、金剛烷環等。
又,作為2價雜環之具體例,可舉出吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、吡唑啉環、三嗪環、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯並噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、吖啶環等。
式[6]中之Y2 為含氮之芳香族雜環,與上述同樣地,其為含有選自式[20a]、式[20b]、及式[20c]所成群之至少1個結構的芳香族環式烴。作為其具體例,可舉出上述結構。彼等中,以吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹喔啉環、吖庚因環、二吖庚因環、萘錠環、吩嗪環、酞嗪環為佳。
又,含氮之芳香族雜環與特定聚醯亞胺中之羧基的鹽形成或容易產生稱為氫鍵之靜電相互作用之觀點來看,Y1 與未鄰接於含於Y2 之式[20a]、式[20b]、及式[20c]的取代基進行結合者為佳。
且,式[6]之Y2 的含氮之芳香族雜環的碳原子亦可具有鹵素原子及/或有機基之取代基,該有機基亦可含有氧原子、硫原子、氮原子等雜原子。
式[6]中之較佳Y1 及Y2 之組合為,Y1 具有選自碳數1~20之脂肪族烴基及碳數3~20之非芳香族環式烴基所成群的1種之2價有機基,Y2 為吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹喔啉環、吖庚因環、二吖庚因環、萘錠環、吩嗪環、或酞嗪環。且,Y2 的含氮之芳香族雜環的碳原子可具有鹵素原子及/或有機基之取代基,該有機基亦可含有氧原子、硫原子、氮原子等雜原子。
作為更佳特定胺化合物,可舉出下述式[7]所示胺化合物。
(式中,Y3 為碳數1~10之2價脂肪族烴基或非芳香族環式烴基,Y4 為單鍵、或-O-、-NH-、-S-、-SO2 -或碳數1~19之2價有機基。又,Y3 與Y4 所具有的碳原子之合計為1~20。Y5 為含有氮之芳香族雜環。)
式[7]中之Y3 為碳數1~10之2價脂肪族烴基或非芳香族環式烴基。其具體例可舉出碳數1~10之直鏈或分支伸烷基、碳數1~10之不飽和伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、金剛烷環等。較佳為可舉出碳數1~10之直鏈或分支伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、原菠烯環、金剛烷環。特佳為碳數1~10之直鏈或分支伸烷基。
Y3 所含之未與胺基隣接的任意脂肪族烴基或非芳香族環式烴基中之-cH2 -可由-O-、-NH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-S-、-S(O)2 -、-CF2 -、-C(CF3 )2-、-C(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -、-O-Si(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -O-、-O-Si(CH3 )2 -O-、2價環狀烴基或雜環所取代。又,結合於任意碳原子之氫原子可由碳數1~20之直鏈或分支烷基、環狀烴基、碳數1~10的氟含有烷基、雜環、氟原子、羥基所取代。於此所謂的環狀烴基及雜環為與式[6]中之Y1 所述定義為同意義。
式[7]中之Y4 為單鍵、或-O-、-NH-、-S-、-SO2 -或碳數1~19的2價有機基。該碳數1~19之2價有機基為,具有碳原子1~19個之2價有機基,可含有氧原子、氮原子、硫原子、矽原子等。如此Y4 之具體例可舉出以下。
例如可舉出單鍵、-O-、-NH-、-S-、-SO2 -、碳數1~19之烴基、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-CF2 -、-C(CF3 )2 -、-CH(OH)-、-C(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -、-O-Si(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -O-、-O-Si(CH3 )2 -O-、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、金剛烷環、苯環、萘環、四氫萘環、薁環、茚環、芴環、蒽環、菲環、非那烯環、吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、三嗪環、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯並噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、吖啶環、噁唑環、哌嗪環、哌啶環、二噁烷環、嗎啉環等。作為Y4 ,可含有這些2種以上。
作為含有該2種以上之具體例,可舉出-NH-CH2 -、-NH-C2 H4 -、-NH-C3 H6 -、-NH-C4 H8 -、-S-CH2 -、-S-C2 H4 -、-S-C3 H6 -、-S-C4 H8 -、-O-CH2 -、-O-C2 H4 -、-O-C3 H6 -、-O-C4 H8 -、-NH-CO-CH2 -、-NH-CO-C2 H4 -、-NH-CO-C3 H6 -、-NH-CO-C4 H8 -、-CO-CH2 -、-CO-C2 H4 -、-CO-C3 H6 -、-CO-C4 H8 -、-CO-NH-CH2 -、-CO-NH-C2 H4 -、-CO-NH-C3 H6 -、-CO-NH-C4 H8 -、-NH-CH2 -CH(CH3 )-、-NH-C2 H4 -CH(CH3 )-、-NH-C3 H6 -CH(CH3 )-、-NH-C4 H8 -CH(CH3 )-、-S-CH2 -CH(CH3 )-、-S-C2 H4 -CH(CH3 )-、-S-C3 H6 -CH(CH3 )-、-S-C4 H8 -CH(CH3 )-、-O-CH3 -CH(CH3 )-、-O-C2 H4 -CH(CH3 )-、-O-C3 H6 -CH(CH3 )-、-O-C4 H8 -CH(CH3 )-、-NH-CO-CH2 -CH(CH3 )-、-NH-CO-C2 H4 -CH(CH3 )-、-NH-CO-C3 H6 -CH(CH3 )-、-NH-CO-C4 H8 -CH(CH3 )-、-CH(OH)-CH2 -、-CH(OH)-C2 H4 -、-CH(OH)-C3 H6 -、-CH(OH)-C4 H8 -、-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CH(CH2 OH)-C2 H4 -、-CH(CH2 OH)-C3 H6 -、-CH(CH2 OH)-C4 H8 -、-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-NH-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-S-CH(CH2 OH)-CH2 -、-O-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CH(N(CH3 )2 )-、-C6 H4 -O-、-C6 H4 -NH-、-C6 H4 -CO-NH-、-C6 H4 -NH-CO-、-C6 H4 -CO-、-C6 H4 -CH2 -、-C6 H4 -S-等。
式[7]中之Y5 為含氮之芳香族雜環,與式[6]中之Y2 的定義相同。作為該具體例,可舉出如上述之與Y2 之相同結構者。彼等中,以吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹喔啉環、吖庚因環、二吖庚因環、萘錠環、吩嗪環、或酞嗪環為佳。
又,含氮之芳香族雜環與特定聚醯亞胺中之羧基的鹽形成或容易產生所謂氫鍵之靜電相互作用的觀點來看,Y4 與未鄰接於Y5 所含之式[20a]、式[20b]或式[20c]的碳原子進行結合為佳。
且,式[7]之Y5 的含氮之芳香族雜環的碳原子可具有鹵素原子及/或有機基之取代基,該有機基可含有氧原子、硫原子、氮原子等雜原子。
式[7]中之Y3 、Y4 及Y5 的較佳組合為,Y3 為碳數1~10之直鏈或分支伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、原菠烯環或金剛烷環,而Y4 為單鍵、碳數1~10之直鏈或分支伸烷基、-O-、-NH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-S-、-SO2 -、-CF2 -、-C(CF3 )2 -、-Si(CH3 )2 -、-O-Si(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -O-、-O-Si(CH3 )2 -O-、-CH(OH)-、-NH-CH2 -、-NH-C2 H4 -、-NH-C3 H6 -、-NH-C4 H8 -、-S-CH2 -、-S-C2 H4 -、-S-C3 H6 -、-S-C4 H8 -、-O-CH2 -、-O-C2 H4 -、-O-C3 H6 -、-O-C4 H8 -、-NH-CO-CH2 -、-NH-CO-C2 H4 -、-NH-CO-C3 H6 -、-NH-CO-C4 H8 -、-CO-CH2 -、-CO-C2 H4 -、-CO-C3 H6 -、-CO-C4 H8 -、-CO-NH-CH2 -、-CO-NH-C2 H4 -、-CO-NH-C3 H6 -、-CO-NH-C4 H8 -、-NH-CH2 -CH(CH3 )-、-NH-C2 H4 -CH(CH3 )-、-NH-C3 H6 -CH(CH3 )-、-NH-C4 H8 -CH(CH3 )-、-S-CH2 -CH(CH3 )-、-S-C2 H4 -CH(CH3 )-、-S-C3 H6 -CH(CH3 )-、-S-C4 H8 -CH(CH3 )-、-O-CH3 -CH(CH3 )-、-O-C2 H4 -CH(CH3 )-、-O-C3 H6 -CH(CH3 )-、-O-C4 H8 -CH(CH3 )-、-NH-CO-CH2 -CH(CH3 )-、-NH-CO-C2 H4 -CH(CH3 )-、-NH-CO-C3 H6 -CH(CH3 )-、-NH-CO-C4 H8 -CH(CH3 )-、-CH(OH)-CH2 -、-CH(OH)-C2 H4 -、-CH(OH)-C3 H6 -、-CH(OH)-C4 H8 -、-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CH(CH2 OH)-C2 H4 -、-CH(CH2 OH)-C3 H6 -、-CH(CH2 OH)-C4 H8 -、-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-NH-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-S-CH(CH2 OH)-CH2 -、-O-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CH(N(CH3 )2 )-、-C6 H4 -O-、-C6 H4 -NH-、-C6 H4 -CO-NH-、-C6 H4 -NH-CO-、-C6 H4 -CO-、-C6 H4 -CH2 -、-C6 H4 -S-、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、原菠烯環、金剛烷環、苯環、萘環、四氫萘環、薁環、茚環、芴環、蒽環、菲環、或非那烯環、Y5 為吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹喔啉環、吖庚因環、二吖庚因環、萘錠環、吩嗪環、或酞嗪環。且,Y5 的含氮之芳香族雜環的碳原子可具有鹵素原子及/或有機基之取代基,該有機基亦可含有氧原子、硫原子、氮原子等雜原子。
式[7]中之Y3 、Y4 及Y5 的較佳組合為,Y3 為碳數1~5之直鏈或分支伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、原菠烯環、或金剛烷環,而Y4 為單鍵、碳數1~5之直鏈或分支伸烷基、-O-、-NH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-S-、-S(O)2 -、-CH(OH)-、-NH-CH2 -、-S-CH2 -、-O-CH2 -、-O-C2 H4 -、-NH-CO-CH2 -、-CO-CH2 -、-CO-NH-CH2 -、-NH-CH2 -CH(CH3 )-、-S-CH2 -CH(CH3 )-、-O-CH3 -CH(CH3 )-、-NH-CO-CH2 -CH(CH3 )-、-CH(OH)-CH2 -、-CH(OH)-C2 H4 -、-CH(CH2 OH)-CH2 -、-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-NH-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-S-CH(CH2 OH)-CH2 -、-O-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CH(N(CH3 )2 )-、-C6 H4 -O-、-C6 H4 -NH-、-C6 H4 -CO-NH-、-C6 H4 -NH-CO-、-C6 H4 -CO-、-C6 H4 -CH2 -、-C6 H4 -S-、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、原菠烯環、金剛烷環、苯環、萘環、四氫萘環、薁環、茚環、芴環、蒽環、菲環、或非那烯環,Y5 為吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹喔啉環、吖庚因環、二吖庚因環、萘錠環、吩嗪環、或酞嗪環。且,Y5 的含氮之芳香族雜環的碳原子可具有鹵素原子及/或有機基之取代基,該有機基可含有氧原子、硫原子、氮原子等雜原子。
式(7]中之Y3 、Y4 及Y5 的較佳組合為,Y3 為碳數1~5之直鏈或分支伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、或環乙烷環,Y4 為單鍵、碳數1~5之直鏈或分支伸烷基、-O-、-NH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-CH(OH)-、-NH-CH2 -、-S-CH2 -、-O-CH2 -、-NH-CO-CH2 -、-CO-CH2 -、-CO-NH-CH2 -、-NH-CH2 -CH(CH3 )-、-S-CH2 -CH(CH3 )-、-O-CH3 -CH(CH3 )-、-NH-CO-CH2 -CH(CH3 )-、-CH(OH)-CH2 -、-CH(OH)-C2 H4 -、-CH(CH2 OH)-CH2 -、-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-NH-CH(CH2 OH)-CH2 -、-NH-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CO-CH(CH2 OH)-CH2 -、-S-CH(CH2 OH)-CH2 -、-O-CH(CH2 OH)-CH2 -、-CH(N(CH3 )2 )-、-C6 H4 -O-、-C6 H4 -NH-、-C6 H4 -CO-NH-、-C6 H4 -NH-CO-、-C6 H4 -CO-、-C6 H4 -CH2 -、-C6 H4 -S-、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、原菠烯環、金剛烷環、苯環、萘環、四氫萘環、芴環、或蒽環,Y5 為吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、或苯並咪唑(benzoimidazole)環。且,Y5 的含氮之芳香族雜環的碳原子可具有鹵素原子及/或有機基之取代基,該有機基可含有氧原子、硫原子、氮原子等雜原子。
式[7]中之Y3 、Y4 及Y5 的特佳組合為,Y3 為碳數1~5之直鏈或分支伸烷基、環丁烷環、或環乙烷環,Y4 為單鍵、-O-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH(OH)-、苯環、萘環、芴環、或蒽環,Y5 為吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、或嘧啶環。且,Y5 的含氮之芳香族雜環的碳原子,可具有鹵素原子及/或有機基之取代基,該有機基可含有氧原子、硫原子、氮原子等雜原子。
作為本發明所使用的特定胺化合物之具體例,可舉出M1~M156之化合物。
作為較佳化合物,可舉出M6~M8、M10、M16~M21、M31~M36、M40~M45、M47~M57、M59~M63、M68、M69、M72~M82、M95~M98、M100~M103、M108~M125、M128~M137、M139~M143、M149~M156。更佳為M6~M8、M16~M20、M32~M36、M40、M41、M44、M49~M54、M59~M62、M68、M69、M75~M82、M100~M103、M108~M112、M114~M116、M118~M121、M125、M134~M136、M139、M140、M143、M150、M152~M156。
<液晶配向處理劑>
本發明的液晶配向處理劑,一般為將上述(A)成分之特定聚醯亞胺、與(B)成分之特定胺化合物於有機溶劑中進行混合而得到。混合之特定聚醯亞胺及特性胺化合物各可為1種類、或並用複數種類。
作為混合方法,可使用將特定聚醯亞胺的前驅體之聚醯胺酸進行亞胺化的反應溶液(特定聚醯亞胺之溶液),但較佳為可舉出將進行純化所得之特定聚醯亞胺的粉體溶解於有機溶劑之溶液中,添加特定胺化合物之方法。此時所使用的有機溶劑僅為可溶解於特定聚醯亞胺之溶劑即可,並無特別限定。該有機溶劑之具體例如下所示。
例如可舉出N,N’-二甲基甲醯胺、N,N’-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己內醯胺、2-吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-乙烯吡咯烷酮、二甲基亞碸、四甲基尿素、吡啶、二甲基碸、六甲基亞碸、γ-丁內酯、1,3-二甲基-咪唑啶酮、二戊烯、乙基戊基酮、甲基壬酮、甲基乙酮、甲基異戊酮、甲基異丙酮、環己酮、乙烯碳酸酯、丙烯碳酸酯、二甘二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。此等溶劑可混合2種類以上後使用。
將特定聚醯亞胺溶解於有機溶劑時,以促進特定聚醯亞胺之溶解為目的下,可進行加熱。加熱溫度過高時,聚醯亞胺之分子量會有降低之情況,故溫度以30~100℃為佳。特定聚醯亞胺之溶液的濃度並無特別限定,但因可容易與特定胺化合物均勻混合,作為溶液中之特定聚醯亞胺濃度以1~20質量%為佳,較佳為3~15質量%,特佳為3~10質量%。
特定胺化合物可直接添加於上述特定聚醯亞胺的溶液中,但以適當溶劑較佳成為濃度0.1~10質量%之溶液後再添加為佳。作為該溶劑,可舉出上述特定聚醯亞胺之溶劑。
將特定聚醯亞胺與特定胺化合物以有機溶劑中進行混合後,進行加熱為佳。藉由加熱,於液晶配向處理劑之狀態下已經結合的特定胺化合物與特定聚醯亞胺之比率會增加,作為液晶配向膜時,可更有效率地進行電荷之移動。混合後進行加熱時的溫度以10~100℃為佳,較佳為20~80℃。
本發明的液晶配向處理劑中之特定胺化合物的含有量,由可有效率地得到本發明之效果,且不損害液晶配向處理劑之安定性的理由下,對於特定聚醯亞胺所含之羧基的1莫耳量而言,以0.01~2莫耳倍為佳,較佳為0.05~1莫耳倍,特佳為0.08~0.8莫耳倍。
本發明的液晶配向處理劑,除特定聚醯亞胺、特定胺化合物以外,亦可含有作為其他成分之欲提高塗佈液晶配向處理劑時的膜厚均勻性或表面平滑性的溶劑或化合物、欲提高液晶配向膜與基板之密著性的化合物等。其他成分為,混合特定聚醯亞胺與特定胺化合物之途中添加、或混合這些溶液後再添加。
作為提高膜厚均勻性或表面平滑性之溶劑的具體例,可舉出以下者。
例如可舉出異丙基醇、甲氧基甲基戊醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇-tert-丁醚、二丙二醇單甲醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單乙酸酯單甲醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單乙酸酯單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單乙酸酯單丙醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙醚、乙基異丁醚、二異丁烯、戊基乙酸酯、丁基丁酸酯、丁醚、二異丁酮、甲基環己烯、丙醚、二己醚、n-己烷、n-戊烷、n-辛烷、二乙醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、乙酸丙二醇單乙醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、1-苯氧基-2-丙醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-1-單甲醚-2-乙酸酯、丙二醇-1-單乙醚-2-乙酸酯、二丙二醇、2-(2-乙氧基丙氧基)丙醇、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸n-丙基酯、乳酸n-丁基酯、乳酸異戊基酯等具有低表面張力之溶劑等。
彼等溶劑可為1種類或混合複數種類使用。使用如上述之溶劑時,液晶配向處理劑所含之溶劑全體的5~80質量%時為佳,較佳為20~60質量%。
作為提高膜厚均勻性或表面平滑性之化合物,可舉出氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑、非離子系界面活性劑等。
更具體為,例如可舉出Eftop EF301、EF303、EF352(多凱姆撲羅達克資公司製))、Magaface F171、F173、R-30(大日本墨水公司製)、Fluorad FC430、FC431(住友3M公司製)、Asahigard AG710、surflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子公司製)等。這些界面活性劑之使用比率對於液晶配向處理劑所含有之(A)成分100質量份而言,較佳為0.01~2質量份,更佳為0.01~1質量份。
作為使液晶配向膜與基板之密著性提高的化合物之具體例,可舉出以下所示之含有官能性矽烷的化合物或含有環氧基的化合物者。
例如可舉出3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、2-胺丙基三甲氧基矽烷、2-胺丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺丙基三乙氧基矽烷、N-三乙氧基甲矽烷基丙基三乙烯三胺、N-三甲氧基甲矽烷基丙基三乙烯三胺、10-三甲氧基甲矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、10-三乙氧基甲矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、9-三甲氧基甲矽烷基-3,6-二氮雜壬基乙酸酯、9-三乙氧基甲矽烷基-3,6-二氮雜壬基乙酸酯、N-苯甲基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-苯甲基-3-胺丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺丙基三乙氧基矽烷、N-雙(氧乙烯)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-雙(氧乙烯)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、乙二醇二環氧丙醚、聚乙二醇二環氧丙醚、丙二醇二環氧丙醚、三丙二醇二環氧丙醚、聚丙二醇二環氧丙醚、新戊二醇二環氧丙醚、1,6-乙二醇二環氧丙醚、甘油二環氧丙醚、2,2-二溴新戊二醇二環氧丙醚、1,3,5,6-四環氧丙基-2,4-乙二醇、N,N,N’,N’,-四環氧丙基-m-二甲苯二胺、1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺甲基)環乙烷、N,N,N’,N’,-四環氧丙基-4、4’-二胺二苯基甲烷等。
欲提高與這些基板之密著性的化合物之使用量,對於液晶配向處理劑所含有之特定聚醯亞胺成分100質量份而言,以0.1~30質量份為佳,較佳為1~20質量份。未達0.1質量份時,無法期待密著性提高之效果,比30質量份多時,液晶之配向性會有惡化之情況。
本發明的液晶配向處理劑中,僅不損害上述其他本發明的效果之範圍即可,可添加特定聚醯亞胺以外之聚合物成分、或以變化液晶配向膜的介電率或導電性等電氣特性為目的之介電體或導電物質,進一步可添加提高作為液晶配向膜時的膜硬度或緻密度為目的之交聯性化合物。
本發明的液晶配向處理劑中之固體成分的濃度,可依據目的的液晶配向膜之膜厚做適宜變更,但以可形成無缺陷的塗膜,且可得到作為液晶配向膜之適當膜厚為理由下,以1~20質量%為佳,較佳為2~10質量%。
<液晶配向膜.液晶顯示元件>
本發明的液晶配向處理劑於基板上進行塗佈、燒成後,以摩擦處理或光照射等進行配向處理,或可於垂直配向用途等無配向處理下作為液晶配向膜使用。此時作為所使用的基板,僅為透明性高之基板即可,並無特別限定,可使用玻璃基板、壓克力基板或聚碳酸酯基板等塑質基板等。又,使用行程使用於液晶驅動之ITO電極等的基板時,由製程簡素化的觀點來看為佳。又,反射型之液晶顯示元件中,僅為使用於片側之基板,亦可使用於矽晶圓等不透明物上,此時的電極為,亦可使用反射鋁等光的材料。
液晶配向處理劑之塗佈方法並無特別限定,工業上一般為網版印刷、膠版印刷、彈性凸版印刷、噴射等下進行之方法。做為其他塗佈方法,可使用浸漬、輥塗佈、狹縫塗佈、轉動子等,可配合目的而使用彼等。
將液晶配向處理劑塗佈於基板上後的燒成,可藉由加熱板等加熱手段以50~300℃,較佳為可於80~250℃下使溶劑蒸發而形成塗膜。燒成後之塗膜厚度,過厚時,於液晶顯示元件之消費電力面上為不利,過薄時,液晶顯示元件之信賴性會有降低之情況,故較佳為5~300nm,更佳為10~100nm。將液晶進行水平配向或傾斜配向時,將燒成後的塗膜以摩擦或偏光紫外線照射等進行處理。
本發明的液晶顯示元件為藉由上述手法,由本發明之液晶配向劑得到附有液晶配向膜之基板後,以公知方法做成液晶胞,並作為液晶顯示元件者。
若要舉出液晶胞作成之一例,可舉出準備液晶配向膜所形成之1對基板,單方基板之液晶配向膜上散佈間隔物,使液晶配向膜面成為內側,貼合另一單方基板,將液晶進行減壓注入後封止之方法、或於散佈間隔物的液晶配向膜面上滴入液晶後,貼合基板並進行封止之方法等。此時的間隔物之厚度較佳為1~30μm,更佳為2~10μm。
如以上,使用本發明之液晶配向處理劑所製作的液晶顯示元件,成為信賴性優良者,可適用於大畫面下高精細之液晶電視等。
[實施例]
以下舉出實施例及比較例,更詳細說明本發明,但本發明之解釋並未限定於這些實施例。
本實施例所使用之略號說明如以下所示。
(四羧酸二酐)
cBDA:1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐
BODA:雙環[3,3,0]辛烷-2,4,6,8-四羧酸二酐
(二胺)
DBA:3,5-二胺安息香酸
m-PBCH5DABz:1,3-二胺-5-{4-[反式-4-(反式-4-n-戊基環己基)環己基]苯氧基甲基}苯
m-BPCH5DABz:1,3-二胺-5-{4-[4-(反式-4-n-戊基環己基)苯基]苯氧基甲基}苯
p-PBCH5DABz:1,4-二胺-5-{4-[反式-4-(反式-4-n-戊基環己基)環己基]苯氧基甲基}苯
PCH7DAB:1,3-二胺-4-[4-(反式-4-n-庚基環己基)苯氧基]苯
(特定胺化合物)
3-AMP:3-胺甲基吡啶
4-AMP:4-胺甲基吡啶
AEP:4-(2-胺乙基)吡啶
API:1-(3-胺丙基)咪唑
2-AMMP:2-(胺甲基)-5-甲基吡嗪
(比較化合物)
Py:吡啶
AP:3-胺吡啶
HA:己胺
(有機溶劑)
NMP:N-甲基-2-吡咯烷酮
BCS:丁基溶纖劑
<聚醯亞胺之分子量測定>
合成例中之聚醯亞胺的分子量使用senshu科學公司製 常溫凝膠浸透層析法(GPC)裝置(SSC-7200)、Shodex公司製管柱(KD-803、KD-805)如以下進行測定。
管柱溫度:50℃
溶離液:N,N’-二甲基甲醯胺(作為添加劑,溴化鋰-水和物(LiBr‧H2 O)為30mmol/L,磷酸.無水結晶(o-磷酸)為30mmol/L,四氫呋喃(THF)為10ml/L)
流速:1.0ml/分鐘
標準曲線作成用標準取樣:Tosoh公司製TSK標準聚乙烯氧化物(分子量約9000,000、150,000、100,000、30,000)、及聚合物LABORATORY公司製聚乙二醇(分子量約12,000、4,000、1,000)。
<亞胺化率之測定>
合成例中之聚醯亞胺的亞胺化率如下測定。將聚醯亞胺粉末20mg放入NMR取樣管(草野科學公司製NMR取樣試管標準Φ5)中,添加重氫化二甲基亞碸(DMSO-d6 ,0.05% TMS混合品)0.53ml,賦予超音波使其完全溶解。將該溶液於日本電子datum(股)製NMR測定器(JNW-ECA500)中測定500MHz之質子NMR。亞胺化率為,將來自亞胺化前後無變化的結構之質子作為基準質子而決定,使用該質子之高峰積算值、與來自9.5~10.0ppm附近出現的醯胺酸之NH基的質子高峰積算值以下式而求得。
亞胺化率(%)=(1-α‧x/y)×100
上述式中,x為來自醯胺酸之NH基的質子高峰積算值,y為基準質子之高峰積算值,α為對於聚醯胺酸(亞胺化率為0%)時的1個醯胺酸之NH基的基準質子之個數比率。
<羧基量之計算方法>
藉由先前所記載之方法而算出。
<合成例1>
將BODA(4.41g,17.6mmol)、DBA(2.86g,18.8mmol)、及作為側鏈二胺之m-PBCH5DABz(2.11g,4.70mmol)於NMP(23.0g)中進行混合,以80℃進行5小時反應後,加入CBDA(1.01g,5.15mmol)與NMP(18.0g),以40℃進行6小時反應後得到聚醯胺酸溶液。
於該聚醯胺酸溶液(20.0g)中加入NMP,稀釋至6質量%後,作為亞胺化觸媒添加乙酸酐(2.53g)、及吡啶(1.96g),於80℃下進行3小時反應。將該反應溶液投入於甲醇(270ml)中,過濾所得之沈澱物。將該沈澱物以甲醇洗淨,以100℃進行減壓乾燥後得到聚醯亞胺粉末(A)。該聚醯亞胺之亞胺化率為40%,數平均分子量為17,300,重量平均分子量為46,800。該聚醯亞胺中之羧基量對於重複單位而言為2.0個。
<合成例2>
將BODA(32.28g,129.2mmol)、DBA(18.32g,120.4mmol)、及作為側鏈二胺之m-PBCH5DABz(23.16g,51.6mmol)於NMP(172.1g)中進行混合,以80℃進行5小時反應後,加入CBDA(8.20g,42.0mmol)與NMP(152.0g),以40℃進行6小時反應後得到聚醯胺酸溶液。
於該聚醯胺酸溶液(150.0g)加入NMP並稀釋至6質量%後,添加作為亞胺化觸媒之乙酸酐(16.13g)、及吡啶(12.45g),於80℃下進行3小時反應。將該反應溶液投入於甲醇(1900ml)中,過濾所得之沈澱物。將該沈澱物以甲醇洗淨,以100℃進行減壓乾燥後得到聚醯亞胺粉末(B)。該聚醯亞胺之亞胺化率為80%,數平均分子量為19,700,重量平均分子量為52,200。該聚醯亞胺中之羧基量對於重複單位而言為1.1個。
<合成例3>
於合成例2所得之聚醯胺酸溶液(30.2g)中加入NMP並稀釋至6質量%後,作為亞胺化觸媒添加乙酸酐(6.41g)、及三乙基胺(2.27g),於100℃下進行4小時反應。於反應溶液中添加草酸(2.82g)並中和後,投入於甲醇(350ml)中,過濾所得之沈澱物。將該沈澱物以甲醇洗淨,以100℃進行減壓乾燥後得到聚醯亞胺粉末(C)。該聚醯亞胺之亞胺化率為98%,數平均分子量為19,200,重量平均分子量為51,200。該聚醯亞胺中之羧基量對於重複單位而言為0.74個。
<合成例4>
將BODA(3.90g,15.6mmol)、DBA(2.16g,14.2mmol)、及作為側鏈二胺之m-BPCH5DABz(2.65g,6.10mmol)於NMP(18.0g)中進行混合,以80℃進行5小時反應後,加入CBDA(0.93g,4.74mmol)與NMP(14.4g),以40℃進行6小時反應後得到聚醯胺酸溶液。
於該聚醯胺酸溶液(30.0g)中加入NMP並稀釋至6質量%後,作為亞胺化觸媒添加乙酸酐(3.23g)、及吡啶(2.49g),於80℃進行3小時反應。將該反應溶液投入於甲醇(380ml)中,過濾所得之沈澱物。將該沈澱物以甲醇洗淨,以100℃下減壓乾燥後得到聚醯亞胺粉末(D)。該聚醯亞胺之亞胺化率為82%,數平均分子量為17,100,重量平均分子量為48,400。該聚醯亞胺中之羧基量對於重複單位而言為1.06個。
<合成例5>
將BODA(3.28g,13.1mmol)、DBA(2.42g,15.9mmol)、及作為側鏈二胺之p-PBCH5DABz(2.26g,5.03mmol)於NMP(14.0g)中進行混合,以80℃進行5小時反應後,加入CBDA(0.72g,3.68mmol)與NMP(11.3g),以40℃進行6小時反應後得到聚醯胺酸溶液。
於該聚醯胺酸溶液(30.1g)中添加NMP並稀釋至6質量%後,作為亞胺化觸媒添加乙酸酐(3.22g)、及吡啶(2.51g),以80℃進行3小時反應。將該反應溶液投入於甲醇(380ml)中,過濾所得之沈澱物。將該沈澱物以甲醇洗淨,以100℃下減壓乾燥得到聚醯亞胺粉末(E)。該聚醯亞胺之亞胺化率為80%,數平均分子量為18,400,重量平均分子量為49,900。該聚醯亞胺中之羧基量對於重複單位而言為1.1個。
<合成例6>
將BODA(15.0g,60.0mmol)、DBA(9.74g,64.0mmol)、及作為側鏈二胺之PCH7DAB(6.09g,16.0mmol)於NMP(131g)中進行混合,以80℃進行5小時反應後,加入CBDA(3.88g,19.8mmol)與NMP(30g),以40℃進行3小時反應後得到聚醯胺酸溶液。
於該聚醯胺酸溶液(10.0g)添加NMP並稀釋至6質量%後,作為亞胺化觸媒添加乙酸酐(1.27g)、及吡啶(0.98g),以80℃進行3小時反應。將該反應溶液投入於甲醇(140ml)中,過濾所得之沈澱物。將該沈澱物以甲醇洗淨,以100℃下減壓乾燥後得到聚醯亞胺粉末(F)。該聚醯亞胺之亞胺化率為46%,數平均分子量為20,200,重量平均分子量為62,500。該聚醯亞胺中之羧基量對於重複單位而言為1.88個。
<合成例7>
將BODA(150.1g,600mmol)、DBA(60.9g,400mmol)、及作為側鏈二胺之PCH7DAB(152.2g,400mmol)於NMP(1290g)中進行混合,以80℃進行5小時反應後,加入CBDA(38.8g,198mmol)與NMP(320g),以40℃下進行3小時反應後得到聚醯胺酸溶液。
於該聚醯胺酸溶液(101.2g)中加入NMP並稀釋至6質量%後,作為亞胺化觸媒添加乙酸酐(21.3g)、及吡啶(16.5g),於90℃下進行3小時反應。將該反應溶液投入於甲醇(1300ml)中,過濾所得之沈澱物。將該沈澱物以甲醇洗淨,以100℃下減壓乾燥後得到聚醯亞胺粉末(G)。該聚醯亞胺之亞胺化率為81%,數平均分子量為20,400,重量平均分子量為63,000。該聚醯亞胺中之羧基量對於重複單位而言為0.88個。
<實施例1>
於合成例1所得之聚醯亞胺粉末(A)(1.65g)中加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入3-AMP之10質量% NMP溶液(0.50g)(作為3-AMP為0.050g)、NMP(3.43g)、及BCS(12.5g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[1)。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
<液晶胞之製作>
將上述所得之液晶配向處理劑[1]於附有3cm×4cmITO電極之基板的ITO面進行轉動塗佈,進行80℃下5分鐘,210℃之熱風循環式烤箱下進行1小時之燒成,製作出膜厚100nm之聚醯亞胺塗膜。
將該附有液晶配向膜之基板,以輥徑120mm、人造絲布之摩擦裝置,以轉數300rpm,輥進行速度20mm/sec,押入量0.3mm之條件下進行摩擦處理,得到附有液晶配向膜之基板。
準備2片附有該液晶配向膜之基板,該1片液晶配向膜面上散佈6μm之玻璃珠間隔物後,由該上面印刷密封劑。將另1片之基板張貼成液晶配向膜面成為內側,摩擦方向為相反方向後,製作出使密封劑硬化的空室。於該空室藉由減壓注入法,得到逆平行配向之向列液晶胞。
<預傾角之評估>
將上述所製作之液晶胞的預傾角,使用預傾角測定裝置(ELSICON公司製模型:PAS-301),測定室溫中之預傾角。結果如後述表2所示。
又,未進行摩擦處理以外,將與上述同樣地製作之液晶胞以偏光顯微鏡進行觀察後,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
<電壓保持率之評估>
於預傾角測定後的液晶胞,於80℃之溫度下外加4v電壓60μs,測定16.67ms後及1667ms後之電壓,將電壓可保持之程度,作為電壓保持率計算。結果如後述表3所示。
<殘留電荷之緩和評估>
於電壓保持率測定後之液晶胞,外加直流電壓10V,30分鐘,使其1秒短路後,將於液晶胞內所產生之電位進行1800秒測定。而測定50秒後及1000秒後之殘留電荷。且,測定使用東陽technica公司製6254型液晶物性評估裝置。結果如後述表4所示。
<高溫放置後之評估>
將殘留電荷測定後的液晶胞,於設定為100℃之高溫槽中放置7天後,進行電壓保持率及殘留電荷之測定。結果如後述表3及表4所示。
<紫外線照射後之電壓保持率的評估>
於上述所製作之液晶胞,於80℃溫度下外加4V電壓60μs,測定16.67ms後及1667ms後之電壓,將電壓可保持之程度,作為電壓保持率計算。且測定後藉由卓上型UV硬化裝置(HCT3 B28 HEX-1(senlights公司製)),將365nm中之照射量為10J/cm2 的紫外線照射於液晶胞上,以同樣條件下測定電壓保持率。結果如後述表5所示。
<實施例2>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.67g)中加入NMP(9.46g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入3-AMP之10質量% NMP溶液(0.50g)(作為3-AMP為0.050g)、NMP(3.47g)、及BCS(12.5g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[2]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[2],與實施例1同樣下製作出液晶胞,進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未實施摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞以偏光顯微鏡進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例3>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.65g)中加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入3-AMP之10質量% NMP溶液(0.83g)(作為3-AMP為0.083g)、NMP(3.14g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[3]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[3],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例4>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入3-AMP之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為3-AMP為0.116g)、NMP(2.84g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[4]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[4],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例5>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.64g)中加入NMP(9.29g)於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入3-AMP之10質量% NMP溶液(1.64g)(作為3-AMP為0.164g)、NMP(2.38g)、及BCS(12.3g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[5]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[5],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例6>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入4-AMP之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為4-AMP為0.116g)、NMP(2.84g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[6]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[6],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例7>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.66g)加入NMP(9.41g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入AEP之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為AEP為0.116g)、NMP(2.86g)、及BCS(12.5g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[7]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[7],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例8>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入API之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為API為0.116g)、NMP(2.84g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[8]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[8],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例9>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入2-AMMP之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為2-AMMP為0.116g)、NMP(2.84g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[9]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[9],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例10>
於合成例3所得之聚醯亞胺粉末(C)(1.64g)加入NMP(9.29g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入3-AMP之10質量% NMP溶液(1.64g)(作為3-AMP為0.164g)、NMP(2.38g)、及BCS(12.3g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[10]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[10],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例11>
於合成例4所得之聚醯亞胺粉末(D)(1.65g)中加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入3-AMP之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為3-AMP為0.116g)、NMP(2.85g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[11]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[11),與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<實施例12>
於合成例5所得之聚醯亞胺粉末(E)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入3-AMP之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為3-AMP為0.116g)、NMP(2.84g)、及BCS(12.5g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[12]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[12],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例1>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入NMP(3.88g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[13]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[13],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例2>
於合成例3所得之聚醯亞胺粉末(C)(1.63g)加入NMP(9.24g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入NMP(3.83g)、及BCS(12.2g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[14]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[14],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例3>
於合成例4所得之聚醯亞胺粉末(D)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入NMP(3.88g)、及BCS(12.3g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[15]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[15],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例4>
於合成例5所得之聚醯亞胺粉末(E)(1.65g)加入NMP(9.31g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入NMP(3.88g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[16]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[16],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例5>
於合成例6所得之聚醯亞胺粉末(F)(1.63g)加入NMP(9.23g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入NMP(3.83g)、及BCS(12.2g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[17]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[17],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例6>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.63g)加入NMP(9.23g)於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入Py之10質量% NMP溶液(1.14g)(作為Py為0.114g)、NMP(2.80g)、及BCS(12.3g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[18]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[18],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例7>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.65g)加入NMP(9.33g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入AP 10質量% NMP溶液(1.16g)(作為AP為0.116g)、NMP(2.83g)、及BCS(12.3g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[19]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[19],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例8>
於合成例2所得之聚醯亞胺粉末(B)(1.63g)中加入NMP(9.23g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液中加入HA的10質量% NMP溶液(1.14g)(作為HA為0.114g)、NMP(2.78g)、及BCS(12.3g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[20]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[20],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例9>
於合成例6所得之聚醯亞胺粉末(F)(1.65g)加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入3-AMP之10質量% NMP溶液(0.50g)(作為3-AMP為0.05g)、NMP(3.43g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[21]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[21],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,液晶未呈現垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
<比較例10>
於合成例6所得之聚醯亞胺粉末(G)(1.65g)中加入NMP(9.34g),於70℃下進行40小時攪拌並使其溶解。於該溶液加入3-AMP之10質量% NMP溶液(1.16g)(作為3-AMP為0.116g)、NMP(2.83g)、及BCS(12.4g),藉由進行50℃下的15小時攪拌,得到液晶配向處理劑[22]。該液晶配向處理劑中未見到混濁或析出物等異常現象,確認樹脂成分均勻地溶解。
使用所得之液晶配向處理劑[22],與實施例1同樣下製作液晶胞,並進行預傾角之評估。結果如後述表2所示。且,將未進行摩擦處理以外與實施例1同樣下所製作之液晶胞於偏光顯微鏡下進行觀察,確認液晶為均勻地呈垂直配向。
又,使用與實施例1同樣下製作的液晶胞,進行電壓保持率之評估、殘留電荷之緩和評估、高溫放置後之評估及紫外線照射後電壓保持率之評估。結果如後述表3、表4及表5所示。
[產業上可利用性]
本發明的液晶配向處理劑作為液晶配向膜時,具有液晶之預傾角變大的效果,即使為較少使用比率下亦可將液晶配向於垂直方向,又於液晶配向處理劑之塗佈液混合弱溶劑時,亦難產生析出物。且除這些特性以外,可得到具有電壓保持率高,且即使於高溫下長時間曝光後,藉由直流電壓與累積之電荷緩和較快,且於背光之紫外線進行長時間曝光後,亦可抑制電壓保持率之降低的液晶配向膜之液晶配向處理劑。且可提供對於嚴苛使用環境下長期使用可耐住之信賴性較高的液晶顯示元件。其結果於TN元件、STN元件、TFT液晶元件上為有用,進一步於垂直配向型液晶顯示元件等上為有用。
且2008年1月11日申請之日本專利申請2008-004992號之說明書、專利申請專利範圍、及摘要之全內容皆引用於此,作為本發明說明書的揭示內容而引用者。

Claims (12)

  1. 一種液晶配向處理劑,其特徵為含有下述(A)成分及下述(B)成分;其中(A)成分:將具有下述式〔1〕所示重複單位之結構式的聚醯胺酸進行亞胺化之聚合物,該聚合物中之分子內具有羧基之聚醯亞胺;(B)成分:下述式〔6〕所示胺化合物; (式〔1〕中,R1 為4價有機基,R2 為含有下述式〔2〕之2價有機基) (式〔2〕中,X1 為伸苯基,X2 為環伸己基或伸苯基,X3 為環伸己基;X4 為碳數3~12的烷基、碳數3~12的烷氧基、碳數3~12的氟烷基、或碳數3~12的氟烷氧基) (式〔6〕中,Y1 為具有脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之2價有機基,Y2 為含有氮之芳香族雜環)。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶配向處理劑,其中式〔2〕之X2 為環伸己基或伸苯基,X4 為碳數3~6的烷基、碳數3~6的烷氧基、碳數3~6的氟烷基、或碳數3~6的氟烷氧基。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶配向處理劑,其中式〔1〕中之R2 為含有下述式〔3〕之2價有機基; (式〔3〕中,n為2~11之整數,1,4-環伸己基的順-反式異構性為反式異構物)。
  4. 如申請專利範圍第1項之液晶配向處理劑,其中式〔1〕中之R2 為含有下述式〔4〕的2價有機基; (式〔4〕中,n為2~11之整數,1,4-環伸己基的順-反式異構性為反式異構物)。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶配向處理劑,其中(A)成分為將具有式〔1〕所示重複單位之結構式的聚醯胺酸進行亞胺化之聚合物,該聚合物所 具有的羧基量為,對於該聚合物之重複單位的平均值為0.1~3個。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶配向處理劑,其中(A)成分為,前述式〔1〕所示重複單位之結構式中,將具有重複單位的一部分或全部為具有下述式〔5〕所示單位之結構式的聚醯胺酸進行亞胺化之聚合物,該聚合物所具有的羧基量為,對於該聚合物之重複單位的平均值為0.1~3個, (式中,R3 為4價有機基,R4 為2價有機基,R3 或R4 的至少一方具有羧基)。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶配向處理劑,其中(B)成分為下述式〔7〕所示胺化合物; (式〔7〕中,Y3 為碳數1~10之2價脂肪族烴基或非芳香族環式烴基,Y4 為單鍵、或-O-、-NH-、-S-、-SO2 -或碳數1~19之2價有機基;又,Y3 與Y4 所具有之碳原子合計為1~20;Y5 為含有氮之芳香族雜環)。
  8. 如申請專利範圍第7項之液晶配向處理劑,其中(B)成分為式〔7〕中,Y3 、Y4 、及Y5 各為選自下述所記載之基或環的組合所成之胺化合物;但,Y3 為選自碳數1~10之直鏈或分支伸烷基、碳數1~10之不飽和伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、及金剛烷環所成群之1種;Y4 為選自單鍵、-O-、-NH-、-S-、-SO2 -、碳數1~19之烴基、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CO-、-CF2 -、-C(CF3 )2 -、-CH(OH)-、-C(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -、-O-Si(CH3 )2 -、-Si(CH3 )2 -O-、-O-Si(CH3 )2 -O-、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、原菠烯環、金剛烷環、苯環、萘環、四氫萘環、薁環、茚環、芴環、蒽環、菲環、非那烯環、吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、三嗪環 、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯並噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、吖啶環、噁唑環、哌嗪環、哌啶環、二噁烷環、及嗎啉環所成群之1種;Y5 為選自吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、吡唑啉環、三嗪環、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯並咪唑(benzimidazole)環、苯並咪唑(benzoimidazole)環、喹啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯並噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、及吖啶環所成群之1種。
  9. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶配向處理劑,其中對於(A)成分之具有聚醯亞胺的羧基1莫耳量而言,(B)成分以0.01~2莫耳倍量之比率下含有。
  10. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶配向處理劑,其係由將含有(A)成分之聚醯亞胺與(B)成分之胺化合物的有機溶劑於加熱下進行混合所得者。
  11. 一種液晶配向膜,其特徵為由如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶配向處理劑所得者。
  12. 一種液晶顯示元件,其特徵為具有如申請專利範圍第11項之液晶配向膜。
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