TWI478453B - 發光設備，光學掃描設備，及影像形成設備 - Google Patents

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TWI478453B
TWI478453B TW098117466A TW98117466A TWI478453B TW I478453 B TWI478453 B TW I478453B TW 098117466 A TW098117466 A TW 098117466A TW 98117466 A TW98117466 A TW 98117466A TW I478453 B TWI478453 B TW I478453B
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Takayuki Yamaguchi
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Ricoh Co Ltd
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Description

發光設備，光學掃描設備，及影像形成設備
本發明係相關於發光設備、光學掃描設備，及影像形成設備。尤其是，本發明係相關於具有改良的散熱特性之發光設備、光學掃描設備、及影像形成設備。
垂直空腔面射型雷射(VCSEL：下面簡稱面射型雷射)在垂直於半導體基板的方向中發出雷射光。與在平行於半導體基板的方向中發出雷射之邊緣發射型半導體雷射比較，面射型雷射成本低，耗電少，執行力佳，並且尺寸較小。如此，近年來面射型雷射當作例如光學通訊或印表機的寫入之光源已日益引起注意。
尤其是，面射型雷射能夠使用半導體雷射元件的二維陣列結構，邊緣發射半導體雷射不可能使用此結構。半導體雷射元件的二維陣列結構能夠高密度整合光源，如此能夠振盪高輸出雷射光。
當面射型雷射元件被二維列陣時，從小區域產生大量的熱，如此需要足夠的散熱。若面射型雷射中的散熱不足，則各個面射型雷射元件的溫度增加。結果，變得難以在個別面射型雷射元件中發生載具的感應發射，導致發射效能減少。振盪波長也會波動，或元件本身的使用壽命也會變短。
如此，為了防止面射型雷射元件中的溫度增加，不僅面射型雷射本身的特性重要，而且面射型雷射的封裝也應具有高耐久性以及絕佳的散熱特性。
以此觀點，陶瓷封裝提供較諸如樹脂等有機材料所製成的有機封裝為佳的耐久性、散熱特性、以及耐熱和防腐。如此，陶瓷封裝適於安裝面射型雷射元件。
日本先行公開專利申請案號碼2004-228549揭示用於安裝諸如習知面射型雷射元件等發光元件的陶瓷封裝。陶瓷封裝包括空腔(下面稱作“開口部”)，其在發光元件所在之封裝的上表面上之中央部位。在開口部的底面之大體中央部位中，藉由金屬化形成導體層，以提供接合發光元件之安裝部。當作安裝部之導體層四周的區域被金屬化(在金屬導線形成步驟中)，以形成用於導線接合的導體層。
此種陶瓷封裝係可藉由陶瓷生胚片疊層法來製造，可包含以下步驟。首先，將具有打孔輸出部的生胚片疊層，如此能夠形成開口部，藉以獲得疊層本體。疊層本體之開口部中的底面被塗佈有導電漿糊，以例如藉由絲網印刷法形成金屬化層(金屬配線層)。然後以高溫鍛燒如此塗佈有導電漿糊的生胚片，獲得具有金屬化層的陶瓷燒結本體。
當發光設備係藉由在上述陶瓷封裝中安裝面射型雷射所構成時，具有下面問題。也就是說，當將面射型雷射安裝在上述陶瓷封裝的安裝部中時，散熱僅依賴具有比使用樹脂的有機封裝優良之散熱特性的陶瓷材料，以及依據安裝部中的共用電極。並沒有對積極改良散熱特性的其他對策，導致散熱不足。
上述共同電極是組合配置複數面射型雷射元件之面射型雷射的下電極之單一電極。當將面射型雷射安裝在陶瓷封裝中時，共同電極典型上位在底側上，且藉由焊接或使用導電黏著劑，以電和熱的方式連接到陶瓷封裝的接地終端。如此，在此例中，面射型雷射的共同電極透過陶瓷封裝的接地終端和接地配線電連接到地面。然而，接地終端和接地配線具有限制能夠透過接地終端和接地配線散逸之面射型雷射所產生的熱量之有限的橫截面積。
此外，當將具有面射型雷射的陶瓷封裝安裝在印刷板上時，隨著對應於光發射的開啟和關閉之重複地溫度上升和下降，由於陶瓷封裝和印刷板之間的熱膨脹係數之差異產生反覆的應力。此應力集中在被焊接的印刷板和陶瓷封裝之間的熱電極四周，導致焊接部的破壞。
而且，當使用面射型雷射當作光學通訊或印表機的寫入之光源時，發光方向會改變，當與光學組件組合時不得不個別調整，如此降低生產力。
在藉由上述生胚片疊層法所形成之陶瓷封裝中，背表面、安裝表面、和上表面係藉由生胚片表面所形成，其中能夠確保平行性。面射型雷射具有在垂直於半導體基板表面的方向中發出光之特性。如此，當將面射型雷射安裝在設置於陶瓷封裝的開口部中之底面上的安裝部時，發出的光大體上垂直於陶瓷封裝的底面或上表面。
然而，當貫穿電極被形成當作從開口部中的底面到其背面貫穿陶瓷封裝之散熱電極時，藉由在生胚片中形成通孔之處理來提高貫穿電極四周的區域，如此產生表面不規則。若將面射型雷射安裝在此種凸出部位上，則面射型雷射傾斜，使得光的發射方向也相對於陶瓷封裝的上表面之法線而傾斜。
本發明的一般目的係設置發光設備、光學掃描設備、及影像形成設備，以去除一或多個上述的問題。
本發明的特定目的係設置具有絕佳散熱特性的發光設備、光學掃描設備、及影像形成設備，以藉由熱膨脹係數之差異來防止焊接部的破壞，及不產生發光方向的傾斜。
根據本發明，發光設備包括面射型雷射，具有配置在其上表面上之複數個別電極，和配置在其下表面上之共用電極；及陶瓷封裝，具有開口部，和配置在開口部的底面上之金屬安裝部，以安裝面射型雷射。
面射型雷射的共用電極與安裝部電連接。陶瓷封裝包括第一背面電極，配置在陶瓷封裝的背面上的邊緣；和背面散熱電極，配置在陶瓷封裝的背面之中央部位。電連接到共用電極的安裝部透過共用電極引線電連接到配置在陶瓷封裝的背面上之邊緣的第二背面電極。第二背面電極連接到地面。
安裝部透過貫穿電極又熱連接到背面散熱電極，貫穿電極在開口部的底面和陶瓷封裝的背面之間貫穿陶瓷封裝。
根據本發明的另一觀點，利用光來掃描受掃描表面之光學掃描設備包括：上述發光設備；偏轉器，被組配成偏轉發光設備所發出的光；及掃描光學系統，被組配成將偏轉器所偏轉的光集中在受掃描表面上。
根據本發明的另一觀點，影像形成設備包括：上述光學掃描設備；及影像載具，具有受掃描表面。光學掃描設備以具有有關影像的資訊之光來掃描影像載具的受掃描表面，以在影像載具的受掃描表面上形成影像。
參考圖式說明本發明的實施例，其中相同的參考號碼表示幾個圖式中完全相同或對應的部分。
(第一實施例)
參考圖1至4，說明根據本發明的第一實施例之發光設備50。圖1為發光設備50的概要平面圖。圖2為發光設備50的背面圖。圖3為沿著圖1的線A-A所取之橫剖面圖。圖4為發光設備50的平面圖，圖示圖1中之虛線所圈起的區域S之放大圖。
參考圖1至3，發光設備50包括面射型雷射陣列10，和用於安裝面射型雷射陣列10的陶瓷封裝20。面射型雷射陣列10包括複數面射型雷射元件11、對應於複數面射型雷射元件11之複數個別電極12、和共同電極13。陶瓷封裝20包括封裝基板21；安裝部31；背面電極32；背面散熱電極33；個別電極引線34；共同電極引線35；和貫穿電極36。面射型雷射陣列10安裝於安裝部31，且透過導電黏著劑或藉由焊接以電和熱的方式連接到安裝部31。
如圖4所示，面射型雷射元件11被二維配置在整體半導體基板上。如稍後參考第二實施例將說明一般，發光設備50可充作光學掃描設備900中的光源單元110。
根據本實施例，如圖4所示，以4列x10行的陣列配置面射型雷射元件11。當面射型雷射陣列10結合在根據第二實施例的光學掃描設備900時，列方向和行方向分別對應於受掃描表面上的主要掃描方向和子掃描方向。以階梯式方式將面射型雷射元件11交錯在子掃描方向。面射型雷射陣列10可具有1.2mm平方的晶片尺寸。各個面射型雷射元件11可具有25μm平方的元件尺寸。
參考圖3，封裝基板21包括基板底部24，及整合式形成在基板底部24的上周圍表面上之基板凸出部25。由基板凸出部25所包圍之基板底部24上方的空間設置封裝基板21的開口部22。將步進部形成在基板凸出部25中，讓封裝蓋23能夠以鎖上的方式擱著，如此關閉開口部22。
由基板凸出部25所包圍並且定義開口部22之基板底部24的上表面被稱作開口部22的底面26。
封裝基板21係由具有較有機材料為高的導熱性之材料所製成，諸如礬土燒結本體或氮化鋁燒結本體等。
封裝蓋23保護面射型雷射陣列10，以及提供窗口，以讓雷射光從面射型雷射陣列10能夠朝上發射到陶瓷封裝20外面。封裝蓋23僅必須對面射型雷射陣列10所發出的雷射光是透明的，所以並不特別侷限。封裝蓋23可包含透明無機材料的基板，諸如光學玻璃、矽土玻璃、或礬土單晶(所謂的“藍寶石玻璃”)。
安裝部31係藉由金屬化底面26的中央部位所形成。安裝部31充作與面射型雷射陣列10的背面上之共同電極13電連接的電極，以及提供用於面射型雷射陣列10的基座。安裝部31在平面圖中具有其能夠覆蓋面射型雷射陣列10的整個背面之尺寸。平面圖中之安裝部31的尺寸可以是2.4mm平方。
參考圖2，可以預定間距配置將複數背面電極32配置在陶瓷封裝20的背面上之周圍邊緣。背面電極32可被用於安裝發光設備50在外部基板上，或用於連接到外部連接導線。並不特別限制背面電極32的數目。例如，在方形封裝基板21的每一側，以預定間距設置十二個背面電極32。在12個中，內十個可被用於與對應的個別電極12連接。在此例中，在側邊的整個四周將總共四十個個別電極12連接到背面電極32。
在此例中，被標為32a的方形之各側邊的任一端點之背面電極的其中兩個，或總共八個背面電極32a，被連接到共同電極13，以取代面射型雷射元件11的個別電極12。
如圖2所示，背面散熱電極33延伸大體上在陶瓷封裝20的背面各處。如稍後將說明一般，背面散熱電極33透過貫穿電極36熱連接到安裝部31，以將發光設備50所產生的熱散逸。當整個背面散熱電極33連接到熱電極，以將來自印刷板的熱散逸時，背面散熱電極33又用於防止陶瓷封裝20的背面電極32和印刷板的熱電極之間的焊接被破壞或剝離。焊接部的此種破壞或剝離係由於隨著對應於光發射的開啟和關閉之溫度上升和下降的陶瓷封裝20和印刷板之間的熱膨脹係數之差異所導致。
在陶瓷封裝20的背面之邊緣，背面散熱電極33以預定距離與背面電極32隔開。如此，背面散熱電極33與陶瓷封裝20的形狀類似。
如圖1及3所示，將個別電極引線34配置在基板底部24的上表面上，及與安裝部31隔開。尤其是，個別電極引線34的每一個從距安裝部31之外周圍一預定距離的點朝陶瓷封裝20的邊緣延伸，而未彼此交叉。個別電極引線34另外延伸直到它們到達封裝基板21的側邊，然後圍繞在封裝基板21的下邊緣，最後到達封裝基板21的背面上之邊緣中的背面電極32。
個別電極引線34以一對一的關係將複數面射型雷射元件11的個別電極12連接到封裝基板21的背面上之邊緣中的複數背面電極32。透過導線37將個別電極12的每一個導線接合到對應的電極引線34。並不特別限制平面圖中之個別電極引線34的圖案形狀。圖1至4所示之輻射圖案只是個例子，其中個別電極引線34輻射狀從封裝基板的中央朝邊緣延伸，以降低配線距離。
如圖1所示，將共同電極引線35配置在基板底部24上，及電連接到安裝部31。尤其是，共同電極引線35從大體上方形的安裝部31之四角的每一個之頂點四周拉出。共同電極引線35另外自此延伸，而未與個別電極引線34的任一個交叉，直到它們被拉出到封裝基板21的側邊上。然後將共同電極引線35圍繞在封裝基板21的側邊之下邊緣，及最後連接到封裝基板21的背面上之邊緣中的背面電極32。
共同電極引線35將形成在面射型雷射陣列10的背面上之面射型雷射元件11的共同電極13連接到封裝基板21的背面之每一側邊的端點之總共八個背面電極32a。並不特別限制平面圖中之共同電極引線35的圖案形狀。圖1至4所示的輻射圖案僅是個例子，其中共同電極引線35從封裝基板的中央朝邊緣輻射狀延伸，以減少配線距離。
貫穿電極36貫穿開口部的底面26和陶瓷封裝20的背面之間的基板底部24。貫穿電極36將安裝部31熱連接到背面散熱電極33。將貫穿電極36配置在未安裝面射型雷射陣列10之安裝部31的區域下方。尤其是，如圖1所示，將貫穿電極36配置成，在平面圖中，它們圍繞安裝在安裝部31的中央之面射型雷射陣列10。根據本實施例，可如圖1所示一般形成總共八個貫穿電極36。
如上述，面射型雷射陣列10的共同電極13最初用電和熱連接到安裝部31。安裝部31透過貫穿電極36用電和熱連接到背面散熱電極33。如此，透過安裝部31和貫穿電極36將面射型雷射陣列10所產生的熱傳送到背面散熱電極33。
沒有貫穿電極36和背面散熱電極33，透過安裝部31和共同電極引線35將面射型雷射陣列10所產生的熱傳送到連接到地面之背面電極32a。在此例中，熱傳送路徑具有較小的橫剖面圖，及無法有效將熱散逸。
如此，貫穿電極36和背面散熱電極33使面射型雷射陣列10所產生的熱能夠透過安裝部31和貫穿電極36有效地傳送。結果，能夠控制面射型雷射陣列10的溫度增加，以及防止面射型雷射陣列10的退化，如此延長面射型雷射陣列10的使用壽命。
下面，將說明包括封裝基板21的金屬化之陶瓷封裝的製造方法。
並不特別限制封裝基板21，可包含已知的陶瓷封裝。用於封裝基板的材料之例子包括HTCC(高溫共燒陶瓷)，其包含礬土當作主要成分；LTCC(低溫共燒陶瓷)，其為玻璃和礬土的合成物；及AlN封裝，其包含氮化鋁當作主要成分。
在HTCC封裝的例子中，可藉由將幾wt.%(重量百分比)的氧化錳、矽土、氧化鎂、及氧化鈣之粉末的每一個當作助燒結劑與礬土粉末混合來製成材料粉末。在LTCC封裝的例子中，可使用分散形式之含有玻璃和陶瓷粉末的混合物粉末。在AlN封裝的例子中，可藉由將幾wt.%的Y2 O3 和CaO之粉末的每一個當作助燒結劑與AlN粉末混合來製成材料粉末。
將技術中已知的有機接合劑和溶劑添加到材料粉末且揉捏，以備製泥漿。之後，藉由已知的刮刀法從泥漿製造生胚片。另一選擇是，可將有機接合劑添加到混合物粉末，及藉由也是技術中已知的按壓形成或滾軋來製造生胚片。
為了在封裝基板中形成貫穿電極，在製造生胚片之後，使用微鑽孔或藉由使用塑模的打孔來形成具有直徑50至250μm之通孔。在本實施例中，可形成具有直徑200μm的通孔。
然後將如此設置在生胚片中的通孔填滿導電漿糊，及例如藉由絲網印刷或照相凹板印刷來塗敷導電漿糊，使得能夠形成想要的配線圖案。
導電漿糊可包括鎢或鉬當作導電成分。為了在礬土燒結本體和導體層之間達成較佳的黏附，可添加10wt.%的礬土粉末到導電漿糊。在LTCC封裝的例子中，可使用銀或銅。
之後，在適當定位的同時，疊層且壓力接合印刷有導電漿糊的生胚片，藉以獲得疊層本體。然後鍛燒疊層本體以使生胚片成為陶瓷形式，如此獲得封裝基板。在HTCC封裝的例子中，可以溫度約1600℃來實施鍛燒。在LTCC封裝的例子中，鍛燒溫度可約為850℃。在AlN封裝的例子中，鍛燒溫度可約為1800℃。
在例子中，然後將形成在封裝基板上之導體層的表面鎳電鍍，及進一步金電鍍表面以金屬化。然後將如此備製的封裝基板21之安裝部31塗佈有導電漿糊，及將面射型雷射陣列10安裝在安裝部31上。然後執行熟化(在溫度100℃至200℃中使用烤箱幾十分鐘)，藉以將面射型雷射陣列10裝附於安裝部31。之後，透過導線37藉由導線接合將開口部22的底面上之個別電極引線34電連接到面射型雷射陣列10的個別電極12。
最後，利用可由透明基板製成之封裝蓋13關閉開口部22。然後可利用樹脂密封封裝蓋23。如此，獲得在陶瓷封裝20中安裝面射型雷射陣列10之發光設備。
參考圖1、5、及6，說明用以對準欲平行於與陶瓷封裝的開口部中之底面垂直的方向之根據本實施例之發光設備的機構。
圖5為根據本實施例之發光設備的概要橫剖面圖。圖6為接近發光設備中之貫穿電極的高度之描繪圖。
如圖6所示，在貫穿電極36的每一個之100至150μm內具有高度約5μm的凸出部R。在製造生胚片之後於藉由微鑽孔或使用塑模的打孔來形成通孔時，或當將通孔填滿導電漿糊且藉由印刷塗敷導電漿糊時，產生這些凸出部R。
若面射型雷射陣列10被安裝成面射型雷射陣列10的背面部分位在貫穿電極36四周的凸出部R上，則面射型雷射陣列10的背面將相對於開口部的底面26傾斜。結果，從面射型雷射陣列10所發出的光將相對於與陶瓷封裝20的上表面或背面垂直之方向傾斜。因此，需將面射型雷射陣列10裝設成沒有面射型雷射陣列10的部分背面位在貫穿電極36四周的凸出部R上。如此，根據本實施例，將貫穿電極36設置在其上未安裝面射型雷射陣列10的安裝部31之此種區域中。
另外，為了完全消除貫穿電極36四周的凸出部R之影響，只保證沒有面射型雷射陣列10的部分背面位在貫穿電極36四周的凸出部R上是不足的。如圖6所示，當貫穿電極36具有直徑0.2mm時，在貫穿電極36四周的100至150μm之區域中具有高度約5μm的凸出部R。因此，在平面圖中，以距離L隔開貫穿電極36和面射型雷射陣列10，如圖5所示。尤其是，距離L可以是0.2mm或更大。
在此例中，可如圖1所示一般配置貫穿電極36，其中在平面圖中，將矩形面射型雷射陣列10安裝在安裝部31的中央，由總共八個貫穿電極36所包圍。八個貫穿電極36的其中四個位在面射型雷射陣列10的四個角，而剩下的四個位在角中的電極之毗連電極的中間點。
當面射型雷射陣列10的尺寸為1.2平方時，及若在面射型雷射陣列10之側邊的其中之一的端點之間產生5μm的高度差，則產生tan-1 (5/1200)=0.24°的傾斜，當發射角的變化必須降至±0.5°內時，其為造成故障的主要原因。另一方面，當在平面圖中，以0.2mm或更大來隔開面射型雷射陣列10和貫穿電極36時，如圖6所示，面射型雷射陣列10之側邊的端點之間的高度差可被降至1μm內，使得傾斜可包含在tan-1 (1/1200)=0.05°內。
參考圖7，說明安裝在印刷板40上之根據本實施例的發光設備50之組裝。亦說明防止由於熱歷史導致安裝在印刷板上之後焊接部的剝離之效果。
如圖7中的概要橫剖面所示，印刷板40包括印刷板(“PB”)基板41。在PB基板41的上表面上，形成有PB上表面電極42和PB上表面散熱電極43，其分別對應於發光設備50的背面電極32和背面散熱電極33。在PB基板41的下表面上，形成有背面散熱電極44。另外，貫穿電極45被形成通過PB基板41，以熱連接PB上表面散熱電極43和PB背面散熱電極44。
將發光設備50安裝在印刷板40上，及使用焊料46焊接背面電極32和PB上表面電極42。亦藉由焊接46連接背面散熱電極33和PB上表面散熱電極43。結果，透過陶瓷封裝20的個別電極引線34和陶瓷封裝20的背面上之背面電極32，而將面射型雷射陣列10的個別電極12與PB上表面電極42電連接。
透過陶瓷封裝20的安裝部31和共同電極引線35以及連接到地面之陶瓷封裝20的背面上之背面電極(未圖示)，而將面射型雷射陣列10的共同電極13電連接到連接於地面的PB上表面電極(未圖示)。
透過陶瓷封裝20的安裝部31、貫穿電極36、及背面散熱電極33，而將面射型雷射陣列10的共同電極13又熱連接到PB上表面散熱電極43。另外，透過PB貫穿電極45，而將共同電極13熱連接到PB背面散熱電極44。
藉由焊接將大體上形成在陶瓷封裝20的背面各處之背面散熱電極33熱連接到PB上表面散熱電極43。例如，將焊料漿糊塗敷至印刷板40上之焊接電極部，及將發光設備50安裝在印刷板40上，使得對準個別焊接電極位置，接著回流處理。
並不特別限制PB基板41的材料，及可使用一般玻璃環氧樹脂，諸如FR-4等。
當開啟和關閉面射型雷射陣列10的個別電極12和共同電極13之間的電壓施加時，發光開始和停止。對應地，面射型雷射陣列10開始和停止產生熱，造成溫度上升和下降的重複，如此產生熱歷史。陶瓷封裝中之礬土陶瓷的熱膨脹係數是7ppm/℃，而PB基板41中之玻璃環氧樹脂的熱膨脹係數是14至16ppm/℃。此熱膨脹係數中的大差異產生施加到焊接部46之重複應力，焊接步46為接合陶瓷封裝20的背面電極32和PB上表面電極42之處。結果，在焊接部中發生疲勞，最終將焊接部破壞。
根據發明的本實施例，不僅在背面電極32及32a和PB上表面電極42之間，而且也在背面散熱電極33和PB上表面散熱電極43之間以焊接連接陶瓷封裝20和印刷板40。在此例中，因為在陶瓷封裝20的背面各處大體上形成背面散熱電極33，所以陶瓷封裝20和印刷板40之間的接合區明顯增加。
例如，當陶瓷封裝20的背面是14mm平方時，48個背面電極32及32a的每一個是1mm平方，及背面散熱電極33是10mm平方，有背面電極32及32a的總面積是48mm2 。另一方面，48個背面電極32及32a和背面散熱電極33的面積之總面積是148mm2 ，顯示出接合面積增加約三倍。
假設每一單位面積的焊接強度不改變，則接合面積的三倍增加又轉換成接合強度的三倍增加。因為當背面散熱電極33也被焊接時，由於熱歷史所產生之應力不改變，所以背面散熱電極33和印刷板40之間的額外焊接使陶瓷封裝20和印刷板40的組裝能夠承受熱歷史中之較多的溫度上升和下降之重複。
如此，根據本實施例的發光設備展現改良的散熱特性和能夠承受由於陶瓷封裝20和印刷板40之間的熱膨脹差所導致之破壞，其中防止發光方向的傾斜。
儘管根據本實施例，在陶瓷封裝的背面各處大體上形成背面散熱電極，但是只要能夠保證足夠的散熱，亦可將背面散熱電極設置在陶瓷封裝背面的中央部位。
(第一實施例的第一變化)
下面，將參考圖8A至9說明根據本發明的第一實施例之第一變化的發光設備。
圖8A及8B為在安裝面射型雷射陣列前之根據本發明的發光設備之陶瓷封裝的結構之平面圖。圖9為沿著圖8A的線B-B所取之發光設備的橫剖面圖。
根據本變化的發光設備不同於根據第一實施例的發光設備之處在於：可將貫穿電極設置在面射型雷射下方。
參考圖8A及9，在根據本變化之發光設備50a中，可將貫穿電極36a設置在其下安裝面射型雷射陣列10之安裝部31中。例如，如所示，貫穿電極36a的總數目是9，比根據第一實施例的8個多一個。各個貫穿電極36a的直徑可和第一實施例一樣是0.2mm。
藉由緊接在面射型雷射陣列10下方設置貫穿電極36a，在安裝面射型雷射陣列10之處會產生約5μm的高度差。然而，緊接在面射型雷射陣列10下方的貫穿電極36a增加從安裝部31到背面散熱電極33之熱傳送路徑的橫截面積，能夠散熱更好。如此，能夠防止由於溫度上升所導致之面射型雷射陣列10的特性退化或使用壽命降低。
為了提高散熱特性可進一步增加貫穿電極36a的數目。例如，可如圖8B所示一般利用13個貫穿電極36a。
(第一實施例的第二變化)
下面，將參考圖10至12說明根據本發明之第一實施例的第二變化之發光設備。
圖10為根據第二變化之發光設備的背面之概要圖。圖11為根據第二變化之發光設備的概要橫剖面圖。圖12為安裝在印刷板上之根據第二變化的發光設備之組裝的概要橫剖面圖。
根據第二變化的發光設備不同於第一實施例之處在於：將背面散熱電極分成五個部分。
參考圖10及11，將五個分開的背面散熱電極33b形成在陶瓷封裝20b的背面上。透過貫穿電極36b將五個背面散熱電極33b的每一個與安裝部31熱連接。如此，雖然背面散熱電極分開，但是根據第二變化之發光設備展現出如同第一實施例一般高的散熱特性。
下面，將參考圖12說明安裝在印刷板上之陶瓷封裝20b的組裝。
如圖所示，透過焊料46藉由焊接將陶瓷封裝20b安裝在印刷板40b上，使得五個分開的背面散熱電極33b與PB(印刷板)上表面散熱電極43b熱連接。複數背面散熱電極33b和PB上表面散熱電極43b之間的間隙被填滿下填材料47。如此，透過複數背面散熱電極33b和下填材料47將發光設備50b的整個背面與印刷板40b接合。
發光設備50b的整個背面與印刷板40b之接合在發光設備50b和印刷板40b之間提供改良的熱連接。此外，接合防止由於熱膨脹差之焊接部的破壞。
儘管第二變化的背面散熱電極係由五個分開部分所組成，但是只要部分具有大體上兩摺對稱或四摺對稱的形狀，可以任何數目或形狀分開背面電極，使得能夠為整個陶瓷封裝均勻地發生散熱。
(第一實施例的第三變化)
下面將參考圖13說明根據本發明的第一實施例之第三變化的發光設備。
圖13為根據第三變化的發光設備之概要橫剖面圖，其不同於第一實施例之處在於：將散熱座連接到背面散熱電極。
如圖13所示，在發光設備50c中，散熱座48連接到背面散熱電極33，以取代如第一實施例中的印刷板40c。
如圖13所示，散熱座48包括用以促進與外部的熱交換之翼片49。如此，面射型雷射陣列10所產生且透過共同電極13、安裝部31、以及貫穿電極36傳送到散熱座48的熱能夠有效地散逸到外面。
在另一實施例中，可進一步將散熱座48設置有水冷式或氣冷式(未圖示)的冷卻機構，使得來自發光設備的熱能夠更加有效地散逸到外面。
如此，根據本實施例的發光設備，裝設在背面散熱電極印刷板上之散熱座提供改良的散熱效果。
(第二實施例)
參考圖14及15，說明根據本發明的第二實施例之光學掃描設備。
根據本實施例之光學掃描設備包括根據第一實施例的任一個以及第一實施例的第一至第三變化之發光設備當作光源單元。在受掃描表面上，由偏轉器和掃描光學系統集中發光設備所發出的光。
圖14為根據第二實施例之光學掃描設備的結構之概要圖。圖15為形成在面射型雷射陣列上之個別面射型雷射元件和光學掃描設備掃描的方向之間的關係概要圖。
參考圖14，光學掃描設備900包括光源單元110，其包括面射型雷射陣列10；耦合透鏡111；隙孔112；圓筒形透鏡113；多角鏡114；fθ透鏡115；環形透鏡116；平面鏡117及118；和主要控制器(未圖示)，係用於在中心控制上述單元。
由光源單元110發出的光學射束被耦合透鏡111修正成大體平行光。由隙孔112界定已通過耦合透鏡111之光學射束的尺寸，及透過平面鏡117，藉由圓筒形透鏡113將已通過隙孔112之光學射束集中在多角鏡114的反射表面上。
多角鏡114是具有縮短的高度之六角柱，具有六個形成在側邊上的偏轉表面。以恆定的規律速度，藉由旋轉機構(未圖示)在圖14的箭頭方向旋轉多角鏡114。如此，由光源單元110發出及然後集中在多角鏡114的偏轉表面上之光學射束隨著多角鏡114旋轉而以恆定的角速度偏轉。
fθ透鏡115具有垂直於來自多角鏡114的光學射束之入射角的影像高度。如此，隨著多角鏡114以恆定的角速度偏轉光學射束時，fθ透鏡115使光學射束的影像面能夠相對於主要掃描方向以恆定速度移動。透過平面鏡118，環形透鏡116將來自fθ透鏡115的光學射束聚焦於光敏鼓901的表面。
在光學掃描設備900中，當如圖15一般配置面射型雷射陣列10時，在子掃描方向以等距(d2)配置面射型雷射元件11的中央。如此，藉由調整個別面射型雷射元件11的開啟時序，可獲得如同當在子掃描方向以等距將光源配置在光敏鼓901上方時相同的效果。
例如，當面射型雷射元件11在子掃描方向具有26.5μm的節距d1時，間距d2是2.65μm。當光學系統具有放大率2時，可在子掃描方向以5.3μm間距將寫入點形成在光敏鼓901上。此對應於4800dpi(每英吋點數)的高密度寫入。藉由增加主要掃描方向之面射型雷射元件11的數目、降低節距d1和間距d2、或降低光學系統的放大率，都能夠執行甚至更高的解析度印刷。能夠藉由控制光源的開啟時序來容易地控制主要掃描方向之寫入間距。
在此例中，因為即使當寫入點密度增加時，面射型雷射元件11仍能夠產生高的單一基本橫向模式輸出，所以可在不用降低印刷速度之下來執行印刷。換言之，當寫入點密度相同時，可進一步增加印刷速度。
根據本實施例之光學掃描設備900包括根據第一實施例的任一個以及第一實施例的第一至第三變化之發光設備。如此，面射型雷射陣列10上的個別面射型雷射元件11之溫度增加被降低，使得即使當節距d1=26.5μm及間距d2=2.65μm時，各個面射型雷射元件11仍能夠輸出高輸出的光學射束。亦能夠提高光學掃描設備900之長期的可靠性(元件壽命)。
如上述，根據本實施例之光學掃描設備900，其中光源單元110包括面射型雷射陣列10，能夠以高速在光敏鼓901的表面上形成高解析度潛像。
(第三實施例)
參考圖16，說明根據本發明的第三實施例之影像形成設備。
根據本發明的第三實施例之影像形成設備可包含圖16所示之雷射印表機500。雷射印表機500包括根據第二實施例之光學掃描設備900；及諸如光敏鼓等至少一影像載具，其具有由光學掃描設備所光學掃描之受掃描表面。
參考圖16，雷射印表機500包括光學掃描設備900；光敏鼓901；充電器902；顯影滾筒903；碳粉匣904；清潔葉片905；紙張饋送盤906；紙張饋送滾筒907；抗滾筒對908；轉印充電器911；中和單元914；熔合滾筒909；排送滾筒912；及排送紙張盤910。
在光敏鼓901的旋轉方向，以充電器902→顯影滾筒903→轉印充電器911→中和單元914→清潔葉片905的順序，將充電器902、顯影滾筒903、轉印充電器911、中和單元914、及清潔葉片905配置在光敏鼓901的表面。
在光敏鼓901的表面上形成光敏層。在圖16所示的圖解例子中，以順時針方向(如箭頭所示一般)旋轉光敏鼓901。充電器902均勻地充電光敏鼓901的表面。
然後以來自光學掃描設備900的光照射光敏鼓901的已充電表面，依據來自較高位階裝置(諸如個人電腦等)的影像資訊來調變光線。結果，對應於影像資訊的潛像形成在光敏鼓901的表面上。然後當光敏鼓901旋轉時，將潛像運送到顯影滾筒903。
碳粉匣904儲存將供應到顯影滾筒903之碳粉。顯影滾筒903使碳粉附著於光敏鼓901上的潛像，藉以將影像資訊顯影。然後當光敏鼓901旋轉時，將已顯影影像運送到轉印充電器911。
紙張饋送盤906包含記錄紙張913。藉由配置在紙張饋送盤906附近之紙張饋送滾筒907將記錄紙913從紙張饋送盤906取出，每次一張。然後，在由配置於轉印充電器911附近的抗滾筒對908持留的同時，與光敏鼓901的旋轉一致地將紙張饋送滾筒907所取出的記錄紙913發送到光敏鼓901和轉印充電器911之間的間隙。
轉印充電器911被供應有與碳粉的極性相反之電壓，使得光敏鼓901的表面上之碳粉能夠朝記錄紙913用電拉出。電壓如此使光敏鼓表面上的已顯影影像能夠轉印到記錄紙913。將其上具有被轉印影像之記錄紙913發送到熔合滾筒909。
熔合滾筒909施加熱和壓力到記錄紙913，藉以將碳粉熔合在記錄紙913上。最後透過排送滾筒912將其上具有已熔合碳粉之記錄紙913排送且堆疊在排送紙張盤910中。
藉由中和單元914將光敏鼓901的表面中和。藉由清潔葉片905將光敏鼓901的表面上之剩下碳粉(剩餘碳粉)去除。可回收再利用所去除的剩餘碳粉。然後將已去除剩餘碳粉之光敏鼓901的表面回到充電器902的位置。
根據本實施例，雷射印表機500包括根據第二實施例之光學掃描設備900。光學掃描設備900的光源單元110包括根據第一實施例之發光設備50。如此，光源單元110能夠以高速在光敏鼓901的表面上形成高解析度潛像。
較佳的是，光源單元110可包括根據第一實施例之第一至第三變化的任一個之發光設備。在此例中，同樣可以高速將高解析度潛像形成在光敏鼓901的表面上。
上述實施例利用單一光敏鼓901，使得影像形成設備只能夠例如使用黑色碳粉形成黑白影像。然而，根據另一實施例之影像形成設備可被組配成形成彩色影像。例如，影像形成設備可包含彙接彩色雷射印表機，其包括適用於彩色影像的光學掃描設備，其中設置有用於黑(K)、青綠色(M)、及黃(Y)的彩色之複數光敏鼓。
雖然已參考特定實施例詳細說明本發明，但是變化和修正存在於下面申請專利範圍所說明和定義之本發明的精神和範疇內。
R．．．凸出部
L．．．距離
S．．．區域
d1．．．節距
d2．．．間距
10．．．面射型雷射陣列
11．．．面射型雷射元件
12．．．個別電極
13．．．共同電極
20．．．陶瓷封裝
20a．．．陶瓷封裝
20b．．．陶瓷封裝
21．．．封裝基板
22．．．開口部
23．．．封裝蓋
24．．．基板底部
25．．．基板凸出部
26．．．底面
31．．．安裝部
32．．．背面電極
32a．．．背面電極
33．．．背面散熱電極
33b．．．背面散熱電極
34．．．個別電極引線
35．．．共同電極引線
36．．．貫穿電極
36a．．．貫穿電極
36b．．．貫穿電極
37．．．導線
40．．．印刷板
40b．．．印刷板
40c．．．印刷板
41．．．印刷板基板
42．．．印刷板上表面電極
43．．．印刷板上表面散熱電極
43b．．．印刷板上表面散熱電極
44．．．背面散熱電極
45．．．貫穿電極
46．．．焊料
47．．．下填材料
48．．．散熱座
49．．．翼片
50．．．發光設備
50a．．．發光設備
50b．．．發光設備
50c．．．發光設備
110．．．光源單元
111．．．耦合透鏡
112．．．隙孔
113．．．圓筒形透鏡
114．．．多角鏡
115．．．fθ透鏡
116．．．環形透鏡
117．．．平面鏡
118．．．平面鏡
500．．．雷射印表機
900．．．光學掃描設備
901．．．光敏鼓
902．．．充電器
903．．．顯影滾筒
904．．．碳粉匣
905．．．清潔葉片
906．．．紙張饋送盤
907．．．紙張饋送滾筒
908．．．抗滾筒對
909．．．熔合滾筒
910．．．排送紙張盤
911．．．轉印充電器
912．．．排送滾筒
913．．．記錄紙
914．．．中和單元
當連同附圖一起閱讀時，精於本技藝之人士從下面本發明的詳細說明將明白本發明的這些和其他目的、特徵、及優點，在附圖中：
圖1為根據本發明的第一實施例之發光設備的平面圖；
圖2為根據第一實施例的發光設備之背面的概要圖；
圖3為沿著圖1的線A-A所取之根據第一實施例的發光設備之橫剖面圖；
圖4為圖1之虛線所圈起的區域S之放大平面圖；
圖5為根據第一實施例的發光設備之另一橫剖面圖；
圖6為根據第一實施例的發光設備中之貫穿電極四周的高度變化之標繪圖；
圖7為安裝於印刷板上之根據第一實施例的發光設備之組裝的橫剖面圖；
圖8A為第一實施例的第一變化之例子圖；
圖8B為第一實施例的第一變化之另一例子圖；
圖9為沿著圖8A的線B-B所取之根據第一實施例的第一變化之發光設備的橫剖面圖；
圖10為根據第一實施例的第二變化之發光設備的背面之概要圖；
圖11為根據第一實施例的第二變化之發光設備的橫剖面圖；
圖12為安裝於印刷板上之根據第一實施例的第二變化之發光設備的組裝之橫剖面圖；
圖13為根據第一實施例的第三變化之發光設備的橫剖面圖；
圖14為根據本發明的第二實施例之光學掃描設備的橫剖面圖；
圖15為配置面射型雷射元件之根據第二實施例的光學掃描設備之面射型雷射陣列圖，圖解面射型雷射元件和受掃描方向之間的關係；及
圖16為當作根據本發明的第三實施例之影像形成設備的雷射印表機之概要圖。
10．．．面射型雷射陣列
12．．．個別電極
13．．．共同電極
20．．．陶瓷封裝
21．．．封裝基板
22．．．開口部
23．．．封裝蓋
24．．．基板底部
25．．．基板凸出部
26．．．底面
31．．．安裝部
32．．．背面電極
33．．．背面散熱電極
34．．．個別電極引線
36．．．貫穿電極
37．．．導線
50．．．發光設備

Claims (8)

  1. 一種發光設備，包含：一面射型雷射，具有配置在其一上表面上之複數個別電極，和配置在其一下表面上之一共用電極；及一陶瓷封裝，具有一開口部，和配置在該開口部的一底面上之一金屬安裝部，以安裝該面射型雷射，其中該面射型雷射的該共用電極與該安裝部電連接，該陶瓷封裝包括：配置在該陶瓷封裝的一背面上的一邊緣之一第一背面電極，和配置在該陶瓷封裝的該背面之一中央部位的一背面散熱電極，其中電連接到該共用電極之該安裝部透過一共用電極引線電連接到配置在該陶瓷封裝的該背面上之該邊緣的一第二背面電極，該第二背面電極連接到地面，其中該安裝部透過一貫穿電極又熱連接到該背面散熱電極，該貫穿電極在該開口部的該底面和該陶瓷封裝的該背面之間貫穿該陶瓷封裝，其中將複數該等貫穿電極設置在未安裝該面射型雷射之該安裝部的一區下方，以及其中在平面圖中，該等貫穿電極的每一個以0.2mm或更多與該面射型雷射隔開。
  2. 根據申請專利範圍第1項之發光設備，其中該共用電極引線從該開口部的該底面拉出到該陶瓷封裝的一側上，自此該共用電極引線進一步延伸在該側的一下邊緣四周且到達該陶瓷封裝的該背面。
  3. 根據申請專利範圍第1項或第2項之發光設備，其中將該背面散熱電極實質上形成在該陶瓷封裝的該背面各處。
  4. 根據申請專利範圍第1項之發光設備，其中該背面散熱電極包括複數背面散熱電極部，其每一個透過該貫穿電極熱連接到該安裝部。
  5. 根據申請專利範圍第4項之發光設備，其中將該陶瓷封裝焊接到一印刷板，其中該複數背面散熱電極部和在該陶瓷封裝的該背面之該邊緣的該第一及第二背面電極之間的間隙被填滿一下填材料。
  6. 根據申請專利範圍第1項之發光設備，其中將一散熱座裝附於該背面散熱電極。
  7. 一種光學掃描設備，用以利用光來掃描一受掃描表面，包含：根據申請專利範圍第1項之發光設備；一偏轉器，被組配成偏轉該發光設備所發出的光；及一掃描光學系統，被組配成將該偏轉器所偏轉的該光集中在該受掃描表面上。
  8. 一種影像形成設備，包含：根據申請專利範圍第7項之光學掃描設備；及一影像載具，具有一受掃描表面，其中該光學掃描設備以具有有關一影像的資訊之光來掃描該影像載具的該受掃描表面，以在該影像載具的該受掃描表面上形成該影像。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452257B1 (ko) * 2007-10-01 2014-10-24 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 표면 플라즈몬을 이용한 나노 패터닝 방법, 이를 이용한나노 임프린트용 마스터 및 이산 트랙 자기기록매체의제조방법
CN102388473A (zh) * 2009-03-24 2012-03-21 金江 发光二极管封装
US8580593B2 (en) * 2009-09-10 2013-11-12 Micron Technology, Inc. Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices
JP2011124541A (ja) 2009-11-12 2011-06-23 Ricoh Co Ltd 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置、並びに光デバイスの製造方法
JP5664248B2 (ja) * 2010-03-17 2015-02-04 株式会社リコー 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置
US10234545B2 (en) 2010-12-01 2019-03-19 Microsoft Technology Licensing, Llc Light source module
JP6016189B2 (ja) 2011-09-08 2016-10-26 株式会社リコー パッケージ部材及び光デバイス
US8675706B2 (en) * 2011-12-24 2014-03-18 Princeton Optronics Inc. Optical illuminator
CN103366644B (zh) * 2012-03-30 2015-09-30 清华大学 白炽光源及白炽光源显示装置的制备方法
CN103681593A (zh) * 2013-12-02 2014-03-26 江苏省宜兴电子器件总厂 一种无引线陶瓷片式载体封装结构及其制备工艺
JP6638184B2 (ja) * 2014-11-05 2020-01-29 株式会社リコー レーザモジュール
US10044171B2 (en) * 2015-01-27 2018-08-07 TeraDiode, Inc. Solder-creep management in high-power laser devices
JP6501606B2 (ja) * 2015-05-19 2019-04-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN105374759A (zh) * 2015-11-26 2016-03-02 中国电子科技集团公司第十三研究所 集成电路封装用陶瓷四边无引线扁平封装外壳
WO2017110291A1 (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 京セラ株式会社 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
US10257932B2 (en) * 2016-02-16 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc. Laser diode chip on printed circuit board
WO2017175504A1 (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 京セラ株式会社 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
CN106652809B (zh) * 2016-10-19 2020-11-06 矽照光电（厦门）有限公司 一种发光二极管集成显示器件及其制造方法
WO2019035653A1 (ko) 2017-08-18 2019-02-21 엘지이노텍 주식회사 표면발광레이저 패키지
CN107768506A (zh) * 2017-11-21 2018-03-06 苏州市悠文电子有限公司 叠板式发光二极管
JP7058122B2 (ja) * 2017-12-28 2022-04-21 株式会社日立製作所 光走査装置及び映像装置
EP3565068B1 (en) * 2018-04-30 2021-02-24 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thermally tunable laser and method for fabricating such laser
US20210098964A1 (en) * 2018-05-09 2021-04-01 Lg Innotek Co., Ltd. Surface emitting laser package
CN117214982A (zh) 2018-11-13 2023-12-12 株式会社大赛璐 光学构件、包含该光学构件的激光模块及激光设备
JP6966517B2 (ja) * 2018-11-13 2021-11-17 株式会社ダイセル 光学部材、該光学部材を含むレーザーモジュール及びレーザーデバイス
DE102018009292A1 (de) * 2018-11-26 2020-05-28 Harting Ag Elektrooptische Baugruppe mit Wärmeabführung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Baugruppe
CN111524881B (zh) * 2019-02-01 2022-07-05 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
US11217572B2 (en) * 2019-02-01 2022-01-04 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source device
US10707644B1 (en) * 2019-06-05 2020-07-07 Shanghai Orient-Chip Technology Co., Ltd. Laser diode device
CN115668669A (zh) 2020-05-29 2023-01-31 京瓷株式会社 光波导封装件以及发光装置
CN117650423A (zh) * 2022-09-05 2024-03-05 华为技术有限公司 管壳封装件、封装组件以及激光雷达发射模组

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228549A (ja) * 2002-11-25 2004-08-12 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US20070085101A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3412609B2 (ja) * 1992-10-22 2003-06-03 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
US6483862B1 (en) * 1998-12-11 2002-11-19 Agilent Technologies, Inc. System and method for the monolithic integration of a light emitting device and a photodetector using a native oxide semiconductor layer
JP4558886B2 (ja) 1999-11-16 2010-10-06 財団法人神奈川科学技術アカデミー プローブの製造方法及びプローブアレイの製造方法
JP4959071B2 (ja) * 2001-07-04 2012-06-20 ローム株式会社 面実装型半導体装置
JP4398156B2 (ja) 2002-04-10 2010-01-13 株式会社リコー 平面型プローブの形成方法
JP3808398B2 (ja) 2002-04-23 2006-08-09 株式会社リコー 平面型プローブの形成方法および平面型プローブ
JP4348048B2 (ja) 2002-05-02 2009-10-21 株式会社リコー 平面型プローブの製造方法
JP2004039041A (ja) 2002-07-01 2004-02-05 Ricoh Co Ltd 平面型プローブ、その製造方法及び光ピックアップ装置
JP4454233B2 (ja) * 2003-01-30 2010-04-21 京セラ株式会社 光パッケージ及びそれを用いた光モジュール
US20040188696A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP4411040B2 (ja) 2003-09-10 2010-02-10 株式会社リコー 面発光型半導体レーザ
JP4113578B2 (ja) 2003-09-22 2008-07-09 株式会社リコー 光モジュールの製造方法
JP2005106882A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Ricoh Co Ltd 光学装置および光導波部材およびコア形成方法および光インターコネクションシステムおよび光配線モジュール
JP2005140922A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Ricoh Co Ltd 光走査装置、画像形成装置及び位置ずれ補正方法
JP2006128511A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子用セラミック基板
JP4699042B2 (ja) * 2005-02-21 2011-06-08 京セラ株式会社 発光素子用配線基板ならびに発光装置
US7329942B2 (en) * 2005-05-18 2008-02-12 Ching-Fu Tsou Array-type modularized light-emitting diode structure and a method for packaging the structure
CN2819547Y (zh) * 2005-06-16 2006-09-20 邹庆福 激光二极管的封装结构
JP4879525B2 (ja) 2005-07-08 2012-02-22 独立行政法人産業技術総合研究所 光素子付き光伝送媒体の製造方法
JP4859404B2 (ja) 2005-07-08 2012-01-25 独立行政法人産業技術総合研究所 面発光レーザ
KR100719072B1 (ko) * 2005-10-28 2007-05-16 (주) 아모센스 엘이디 패키지의 세라믹의 경사면 형성 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228549A (ja) * 2002-11-25 2004-08-12 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US20070085101A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package

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