TWI474091B - 橫向電場式的液晶顯示面板 - Google Patents

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Description

橫向電場式的液晶顯示面板
本發明涉及IPS(In－Plane Switching)模式，或邊緣電場開關(Fringe Field Switching：在下面稱為“FFS”)模式等的橫向電場式的液晶顯示面板，本發明特別是涉及具有因施加於掃描線上的電壓造成的影像殘留防止手段的IPS模式或FFS模式的液晶顯示面板。
近年，不僅在資訊通信設備中，還在一般的電氣設備中，多採用液晶顯示面板。在過去多採用的液晶顯示面板由基板和液晶層形成，在該基板的表面上形成電極等，該基板由一對玻璃等形成，該液晶層形成於該對基板之間，通過將電壓施加於兩片基板上的電極上，再次排列液晶，改變光的透射率，由此，顯示各種影像，也就是所謂的縱向電場方式。這樣的縱向電場方式的液晶顯示面板有TN(Twisted Nematic)模式或VA(Vertical Alignment)模式的類型，但是，由於具有視角窄的問題，故人們開發了MVA(Multidomain Vertical Alignment)模式等的各種改進的縱向電場方式的液晶顯示面板。
另一方面，與上述縱向電場方式的液晶顯示面板不同，作為IPS模式的液晶顯示面板而為人們周知的還有僅僅在一片基板上具有電極的應稱為橫向電場式的液晶顯示面板(參照下述的專利文獻1和2)。在這裏，採用第10圖~第12圖，對該IPS模式的液晶顯示面板的動作原理進行說明。另外，第10圖為IPS模式的液晶顯示面板的1個像素的示意平面圖，第11圖為沿第10圖中的XI－XI線的剖面圖，另外，第12圖為沿第10圖中的XⅡ－XⅡ線的剖面圖。
該IPS模式的液晶顯示面板50A具備陣列基板AR和彩色濾光片基板CF。在陣列基板AR中，按照分別平行的方式在第1透明基板51的表面上，設置複數條掃描線52和共通配線53，沿與該等掃描線52和共通配線53相交叉的方向，設置複數條訊號線54。另外，在各像素的中間部，從共通配線53，呈帶狀設置，在第10圖中例如梳齒狀的對向電極(也稱為“共通電極”)55，按照夾持該對向電極55的周圍的方式設置同樣地梳齒狀的像素電極56，該像素電極56的表面通過例如由氮化矽形成的保護絕緣膜57和由聚醯亞胺等形成的配向膜58而被覆蓋。
另外，在掃描線52和訊號線54的交叉點附近，形成作為開關元件的TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)。在該TFT中，在掃描線52和訊號線54之間，設置半導體層59，半導體層59上的訊號線部分構成TFT的源極S，半導體層59的底部的掃描線部分構成閘極G，另外，與半導體層59的一部分重疊的像素電極56的部分構成汲極D。
還有，彩色濾光片基板CF具有下述結構，即在第2透明基板60的表面上，設置彩色濾光層61，保護層62和配向膜63。另外，按照陣列基板AR的像素電極56和對向電極55與彩色濾光片基板CF的彩色濾光層61側相互面對的方式，使陣列基板AR和彩色濾光片基板CF面對，在其之間，封入液晶LC，且在兩片基板的各自外側，按照偏光方向為相互交叉方向的方式設置偏光板64和65，由此，形成IPS模式的液晶顯示面板50A。
在IPS模式的液晶顯示面板50A中，如第11圖和第12圖所示，如果在像素電極56和對向電極55之間，形成電場，則沿水平方向配向的液晶沿水平方向旋轉，由此，可控制來自背光源的入射光的透射量。該IPS模式的液晶顯示面板50A具有寬視角，高對比度的優點，但是，由於對向電極55以與共通配線53，或掃描線52相同的金屬材料形成，故具有開口率和透射率低，另外，產生不同視角的色變化的問題。
為了解決這樣的IPS模式的液晶顯示面板的低開口率和低透射率的問題，人們開發了FFS模式的液晶顯示面板(參照下述專利文獻3和4)。採用第13圖~第15圖，對該FFS模式的液晶顯示面板的動作原理進行說明。另外，第13圖為FFS模式的液晶顯示面板的1個像素的示意性平面圖，第14圖為沿第13圖中的XIV－XIV線的剖面圖，另外，第15圖為沿第13圖的XV－XV線的剖面圖。
FFS模式的液晶顯示面板70A包括陣列基板AR和彩色濾光片基板CF。在陣列基板AR中，在第1透明基板71的表面上，分別平行地設置多個掃描線72和共通配線73，沿與這些掃描線72和共通配線73相交叉的方向，設置複數條訊號線74。另外，按照覆蓋每個通過掃描線72和訊號線74劃分的區域的方式設置與共通配線73連接的由ITO(Indium Tin Oxide)等透明材料形成的共通電極(也稱為“對向電極”)75，在該共通電極75的表面上，設置通過閘極絕緣膜76，呈條帶狀形成多個狹縫77A的，由ITO等的透明材料形成的像素電極78A。另外，該像素電極78A和多個狹縫77A的表面通過配向膜80覆蓋。
另外，在掃描線72和訊號線74的交叉位置附近，形成作為開關元件的TFT。在該TFT中，在掃描線72的表面上，設置半導體層79，按照覆蓋半導體層79的表面的一部分的方式，訊號線74的一部分延伸，構成TFT的源極S，半導體層79的底部的掃描線部分構成閘極G，另外，與半導體層79的一部分重疊的的像素電極78A的部分構成汲極D。
此外，彩色濾光片基板CF具有下述的結構，其中，在第2透明基板82的表面上，設置彩色濾光層83，保護層84和配向膜85。另外，按照陣列基板AR的像素電極78A和共通電極75與彩色濾光片基板CF的彩色濾光層83相互面對的方式使陣列基板AR和彩色濾光片基板CF對向，在其之間，封入液晶LC，並且在兩個基板的各自外側，按照偏光方向為相互垂直的方向的方式設置偏光板86和87，由此，形成FFS模式的液晶顯示面板70A。
在該FFS模式的液晶顯示面板70A中，如果在像素電極78A和共通電極75之間，形成電場，由於如第14圖和第15圖所示，該電場在像素電極78A的兩側，朝向共通電極75，不僅位於狹縫77A中的液晶，而且位於像素電極78A上的液晶均可移動。由此，FFS模式的液晶顯示面板70A的特徵在於由於其視角寬於IPS模式的液晶顯示面板50A，且對比度高於IPS模式的液晶顯示面板50A，另外，透射率高於IPS模式的液晶顯示面板50A，故可進行明亮的顯示。此外，FFS模式的液晶顯示面板70A還具有下述的優點，即，與IPS模式的液晶顯示面板50A相比較，從平面看，像素電極78A和共通電極75的重複面積較大，由此附帶地產生更大的保持電容，不必另外設置輔助電容線。
另外，在FFS模式的液晶顯示板中，由於與IPS模式的液晶顯示面板的場合相同，在顯示特性方面，磨刷(rubbing)方向最好與訊號線相垂直，另外，像素電線和磨刷方向可按照微小角度的傾斜度設置，故形成下述的結構，其中，如第16圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70B，設置於像素電極78B上的條帶狀狹縫77B相對掃描線72或共通配線73而傾斜，同樣，為了實現識別不出不同視角的色變化。由此，也可如第17圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70C所示，設置於像素電極78C上的條帶狀的狹縫77C按照呈“ㄑ”狀的方式設置，形成雙域(dual domain)。另外，還可如第18圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70D，設置於與訊號線72面對的部分上的彩色濾光片基板的黑色矩陣不為直線狀，沿與掃描線74相垂直的方向呈曲柄狀設置訊號線72，多個共通電極和像素電極78D為三角形(Delta)配置，以便適合於黑色矩陣不醒目的影像顯示。
此外，在第16圖和第17圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70B和70C中，僅僅是設置於像素電極78B和78C上的狹縫77B和77C的傾斜度不同於第13圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70A，另外，在第18圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70D中，其與第13圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70A的不同點只在於設置於像素電極78D上的狹縫77D的傾斜度，及多個共通電極與像素電極78D為三角形配置，由此，對於與第13圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70A相同的構成部分，採用同一元件符號，其詳細的說明省略。
還有，同樣在第10圖所示的IPS模式的液晶顯示面板50A中，如果與上述FFS模式的液晶顯示面板70B，78C相同，如第19圖所示的IPS模式的液晶顯示面板50B，使配向膜的磨刷方向與訊號線54交叉，像素電極55B和對向電極56B與磨刷方向按照微小角度的傾斜度設置，則顯示品質提高，另外，也可如第20圖所示的IPS模式的液晶顯示面板50C，在其延伸方向的左右以不同的方向傾斜地設置像素電極55C和對向電極56C，由此，形成雙域，這樣，可實現識別不出不同視角的色變化。另外，雖然在這裏，省略圖示，但是，也可在這樣的IPS模式的液晶顯示面板50A，50B，50C中，如第18圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70D，多個像素電極55，55A，55B和對向電極56，56A，56B為三角形配置，可以形成黑色矩陣不醒目的像素顯示。另外，由於第19圖和第20圖所示的IPS模式的液晶顯示面板50B，50C與第10圖所示的IPS模式的液晶顯示面板50A的不同點僅僅在像素電極55B，55C和對向電極56B，56C的傾斜度，故與第10圖所示的IPS模式的液晶顯示面板50A相同的構成部分，採用同一元件符號，其具體的說明省略。
專利文獻1：JP特開平10－319371號公報([0005]段，[0053]段，[0065]~[0077]段，第2圖，第5圖，第6圖)專利文獻2：JP特開2002－131767號公報(申請專利範圍，[0006]~[0009]段，[0018]~[0077]，第1圖，第3圖)專利文獻3：JP特開2002－14363號公報(申請專利範圍，[0002]~[0010]段，[0019]~[0026]段，第1圖，第2圖)專利文獻4：JP特開2002－244158號公報(申請專利範圍，[0002]~[0013]段，[0023]~[0032]，第1圖~第4圖)專利文獻5：JP特開2005－148534號公報(申請專利範圍13，[0009]段，[0028]~[0056]段，第1圖)專利文獻6：JP特開2005－148602號公報(申請專利範圍13，[0009]段，[0097]~[0106]段，第8圖)
如上所述，FFS模式的液晶顯示面板的特徵在於由於其視角寬於IPS模式的液晶顯示面板，且對比度高於IPS模式的液晶顯示面板，以及透射率高於IPS模式的液晶顯示面板，故可進行明亮的顯示，另外，由於可進行低電壓驅動，並且附帶地產生更大的保持電容，故即使在未另外設置輔助電容線的情況下，顯示品質仍良好。
但是，人們知道，在液晶顯示面板中，如果長時間使用，則產生影像殘留現象，此方面在IPS模式的液晶顯示面板的場合，以及FFS模式的液晶顯示面板的場合，是相同的。但是，發現在上述那樣的過去的FFS模式的液晶顯示面板中，該影像殘留現象比過去IPS模式的液晶顯示面板嚴重。本發明人等對在該FFS模式的液晶顯示面板中，影像殘留現象比IPS模式的液晶顯示面板的場合嚴重的原因進行了各種分析，其結果是，基於施加於掃描線上的較大的電壓訊號而產生的電場對其附近的液晶的配向造成影響，但是，推測出，從像素電極朝向液晶的電力線的通路和從液晶朝向掃描線的電力線的通路，相對在IPS模式的液晶顯示面板的場合是保持對稱的情況，在FFS模式的液晶顯示面板的場合，是非對稱的，這是其中的原因之一。
即，在IPS模式和FFS模式的液晶顯示面板中，施加於掃描線上的電壓在規定的像素的非選擇狀態，約為－10V，在選擇狀態，約為＋15V，選擇規定像素的時間非常短，由此，約－10V的直流電壓在長時間的範圍內施加。但是，在IPS模式的液晶顯示面板的場合，根據第12圖的記載可知，從像素電極56，朝向掃描線52的電力線E1經過像素電極56，保護絕緣膜57和配向膜58，進入液晶層LC，從液晶層LC，經過配向膜58，保護絕緣膜57，到達掃描線52，這樣，從像素電極56到液晶層LC的電力線的通路與從液晶層LC到掃描線52的電力線的通路是對稱的。
相對該情況，在FFS模式的液晶顯示面板的場合，由第15圖的記載可知，從像素電極78A朝向掃描線72的電力線E2從像素電極78A，經過配向膜80，進入液晶層LC，從液晶層LC經過配向膜80和閘極絕緣膜76，到達掃描線72，故從像素電極78A到液晶層LC的電力線的通路和從液晶層LC到掃描線72的電力線的通路是非對稱的。由此，在FFS模式的液晶顯示面板中，與IPS模式的液晶顯示面板的場合相比較，像素電極，或其表面的配向膜因施加於掃描線72上的訊號引起的直流電場，容易受到不可逆的影響，可以推測出，此為影像殘留現象大於IPS模式的液晶顯示面板的原因。
為了減小這樣的FFS模式的液晶顯示面板的影像殘留的問題，本發明人等重複進行了各種分析，其結果發現，對於使從像素電極到液晶層的電力線的通路和從液晶層到掃描線的電力線的通路相對稱來說，從FFS模式的液晶顯示面板的動作原理上講是困難的，但是，通過使基於施加於掃描線上的高電壓的訊號的直流電場不施加於其附近的液晶上的方式，不僅可減少FFS模式的液晶顯示面板的影像殘留現象，而且也可減少IPS模式的液晶顯示面板中的影像殘留，這樣完成了本發明。
另外，在上述專利文獻2中，公開了下述的實例，即於IPS模式的液晶顯示面板中，以防止由於因訊號線(汲極訊號線)或掃描線(閘極訊號線)和與其鄰接而設置的電極之間產生的電場而驅動液晶，導致漏光的目的，設置局部地重疊於訊號線或掃描線中的至少一者之上的導電層，另外，還具有針對FFS模式的液晶顯示面板部分地進行啟示的記載(參照[0003]~[0004]段)，但是，完全沒有給出FFS模式的液晶顯示面板的具體實例，沒有啟示有關IPS模式的液晶顯示面板和FFS模式的液晶顯示面板中的影像殘留的問題的記載。
即，本發明的目的在於提供具有由施加於掃描線上的電壓造成的影像殘留的防止手段的橫向電場式，即，IPS模式或FFS模式的液晶顯示面板。
為了實現上述目的，本發明的橫向電場式的液晶顯示面板包括平行設置的複數條掃描線和共通配線；沿與上述掃描線交叉的方向設置的複數條訊號線；形成於以複數條掃描線和訊號線劃分的區域的共通電極和像素電極，其特徵在於：在上述掃描線上的絕緣膜的表面上，形成由導電性材料形成的遮蔽電極。
另外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述遮蔽電極與上述共通電極電性連接。
此外，本發明涉及的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於在上述像素電極的上述遮蔽電極一側的一部分上，設置缺口部，上述遮蔽電極延伸到上述缺口部的絕緣膜上，通過設置於上述缺口部上的接觸孔，與上述共通電極電性連接。
還有，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述遮蔽電極與上述訊號線電性連接。
再者，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於在上述遮蔽電極中，上述掃描線上的絕緣膜的表面延伸到上述掃描線和訊號線的交叉位置，通過設置於該交叉位置的接觸孔，與上述訊號線電性連接。
另外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於在上述像素電極中，在與上述掃描線的兩側鄰接的一側的一部分上，分別設置缺口部，上述遮蔽電極延伸到上述缺口部的絕緣膜上，通過設置於上述缺口部上的接觸孔，與位於上述掃描線的兩側的各自的共通電極電性連接。
此外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述遮蔽電極覆蓋上述掃描線的一半或以上的部分。
還有，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述遮蔽電極為以與上述像素電極相同的材料形成。
再有，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述共通電極呈梳齒狀形成於以上述掃描線和訊號線劃分的區域內，上述像素電極按照夾持呈梳齒狀的共通電極的周圍的方式同樣地形成梳齒狀。
另外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述共通電極按照覆蓋以上述掃描線和訊號線劃分的區域的方式形成，上述像素電極經由絕緣膜而形成於上述共通電極上，並且設置相互平行的複數之狹縫。
此外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述梳齒狀的共通電極和像素電極或上述多個狹縫沿相對上述掃描線或訊號線傾斜的方向設置。
另外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述梳齒狀的共通電極和像素電極在以上述掃描線和訊號線劃分的區域內的上述共通電極和像素電極的延伸方向的左右以相互不同的方向傾斜地設置。
還有，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述共通配線設置於上述複數條掃描線之間，上述多個狹縫在上述共通配線的兩側，沿相互不同的方向傾斜地設置。
此外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於設置於上述共通配線的兩側的狹縫的數量在各自的側是相同的。
再者，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於最接近上述共通配線的兩側的狹縫的端部連接於上述共通配線上。
另外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於在上述掃描線上，在與上述訊號線的交叉位置的附近，設置作為開關元件的TFT，上述遮蔽電極設置於除了TFT的表面以外的上述掃描線上。
另外，本發明的上述橫向電場式的液晶顯示面板，其特徵在於上述訊號線沿與上述掃描線相交叉的方向呈曲柄狀設置，上述多個共通電極和像素電極為三角形配置。
在本發明中，通過具備上述的構成，實現下述的優異的效果。即，按照本發明的橫向電場式的液晶顯示面板，由於在掃描線上的絕緣膜的表面上，形成由導電性材料形成的遮蔽電極，故施加於掃描線上的高電壓的訊號通過遮蔽電極遮蔽，這樣，施加於位於遮蔽電極的頂部的液晶上的來自掃描線的直流成分變小，基於施加於掃描線上的高電壓的訊號的橫向電場式的液晶顯示面板的影像殘留的現象大幅度地減少。另外，遮蔽電極既可覆蓋掃描線整體，也可覆蓋掃描線的一部分。此外，遮蔽電極也可不與任何部位進行電性連接，而處於浮動狀態。
另外，如果遮蔽電極處於浮動狀態，則具有遮蔽電極的電位不穩定的可能性，但是，按照本發明，由於遮蔽電極與共通電極電性連接，故遮蔽電極的電位穩定，這樣，基於施加於掃描線上的高電壓的訊號的橫向電場式的液晶顯示面板的影像殘留現象更大幅度地減少。
此外，按照本發明，在遮蔽電極與共通電極電性連接時，由於遮蔽電極延伸到設置於像素電極的一部分上的缺口部的絕緣膜上，通過接觸孔，與共通電極電性連接，故可以簡單的結構，將遮蔽電極和共通電極電性連接。此外，由於還在像素電極和遮蔽電極之間的間隙部分，產生電場，限制液晶分子的配向，故實質上等同於橫向電場式的液晶顯示面板的開口度提高，可獲得明亮的顯示的橫向電場式的液晶顯示面板。
還有，按照本發明，在遮蔽電極與共通電極電性連接時，由於遮蔽電極延伸到設置於像素電極的一部分上的缺口部的絕緣膜上，通過接觸孔，與位於掃描線的兩側的各自的共通電極電性連接，故可通過簡單的結構，將遮蔽電極和共通電極電性連接，同時由於與掃描線相交叉的方向的多個共通電極處於串聯的狀態，故實質上共通配線的電阻變低，所謂的配線延遲減少，故共通電極的電位穩定，每個像素的顯示畫質良好。
再者，由於還在像素電極和遮蔽電極之間的間隙部分，產生電場，限制液晶分子的配向，故實質上等同於橫向電場式的液晶顯示面板的開口度提高，可獲得明亮的顯示的橫向電場式的液晶顯示面板。
另外，按照本發明的橫向電場式的液晶顯示面板，由於通過遮蔽電極，覆蓋掃描線的一半以上的部分，故由施加於掃描線上的高電壓的訊號而造成的電場對液晶分子，進而對像素電極造成影響的情況減小，這樣，難以產生橫向電場式的液晶顯示面板的影像殘留現象。如果該遮蔽電極覆蓋掃描線的範圍不超過一半，則隨著該覆蓋範圍變窄，則影像殘留現象增加，由此，最好不採用該方式。即，如果遮蔽電極覆蓋掃描線的範圍增加，則與其成比例，越難以產生橫向電場式的液晶顯示面板的影像殘留現象。此外，在遮蔽電極中，由於寬度大，故電阻變小，這樣，所謂的配線延遲變少，每個像素的顯示畫質良好。
此外，按照本發明，由於遮蔽電極由以與像素電極相同的材料形成，故可與像素電極的形成同時形成遮蔽電極，特別是不需要為了形成遮蔽電極，增加製程數目。
此外，按照本發明，由於遮蔽電極與訊號線電性連接，故遮蔽電極的電位隨著施加於訊號線上的訊號而變化，但是，由於在施加於訊號線上的訊號中，直流成分少，另外，施加於掃描線上的高電壓的訊號通過遮蔽電極而遮蔽，故實質上沒有施加於位於遮蔽電極的頂部上的來自掃描線的直流電場，基於施加於掃描線上的高電壓的訊號的橫向電場式的液晶顯示面板的影像殘留的現象大幅度地減少。
還有，按照本發明，由於在遮蔽電極與訊號線電性連接時，遮蔽電極延伸到掃描線與訊號線的交叉位置，通過接觸孔，與訊號線電性連接，故可通過簡單結構，將遮蔽電極和訊號線電性連接。
再者，按照本發明，即使在橫向電場式的液晶顯示面板為共通電極和像素電極圍繞相互的周圍的方式呈梳齒狀的IPS模式的液晶顯示面板的情況下，仍可良好地實現上述本發明的效果。
此外，按照本發明，由於將IPS模式的液晶顯示面板中的梳齒狀的共通電極和像素電極沿相對掃描線或訊號線傾斜的方向設置，故可在像素電極和配向膜的磨刷方向之間，形成微小角度的傾斜度，這樣，在實現上述本發明的效果的同時，可獲得對比度等顯示特性良好的IPS模式的液晶顯示面板。
另外，按照本發明，由於IPS模式的液晶顯示面板中的共通電極和像素電極在以掃描線和訊號線劃分的區域的左右以不同的方向傾斜，形成雙域，故可實現識別不出不同視角的色變化，這樣，在實現上述本發明的效果的同時，亦可獲得顯示特性良好的IPS模式的液晶顯示面板。
此外，按照本發明，即使在橫向電場式的液晶顯示面板為共通電極形成於以掃描線和訊號線劃分的區域，具有多個狹縫的像素電極經由絕緣膜而形成於該共通電極上的FFS模式的液晶顯示面板的情況下，仍可良好地實現上述本發明的效果。
還有，按照本發明，由於FFS模式的液晶顯示面板的狹縫沿相對掃描線或訊號線傾斜的方向設置，故可在像素電極和配向膜的磨刷方向之間，形成微小角度的傾斜度，這樣，在實現上述本發明的效果的同時，亦可獲得對比度等顯示特性良好的FFS模式的液晶顯示面板。
再者，按照本發明，由於共通配線設置於多個掃描線之間，並且FFS模式的液晶顯示面板的多個狹縫在共通配線的兩側以相互不同的方向傾斜，形成雙域，故可實現識別不出不同視角的色變化，這樣，在實現上述本發明的效果的同時，可獲得顯示特性良好的FFS模式的液晶顯示面板。
另外，由於共通配線通常，由與掃描線相同材質的導電性材料製作，故其是非透明的，但是，按照本發明，由於最接近共通配線的兩側的狹縫的端部在共通配線上連接，故可將根據該共通配線而朝相互不同的方向傾斜的狹縫彼此於相鄰位置處產生的向錯(disclination)部分進行遮光，這樣，在實現上述本發明的效果的同時，可獲得顯示特性良好的FFS模式的液晶顯示面板。
此外，按照本發明，由於在掃描線上，在與訊號線交叉的位置的附近，設置作為開關元件的TFT，故可以只增加該部分的像素電極，另外，由於在除了TFT表面以外的掃描線上設置遮蔽電極，故TFT的動作不受到遮蔽電極的電位的影響，這樣，在實現上述本發明的效果的同時，可獲得呈現穩定的顯示特性的橫向電場式的液晶顯示面板。
還有，按照本發明，由於訊號線沿與掃描線相垂直的方向呈曲柄狀設置，多個共通電極和像素電極為德爾塔(Delta)配置(也可稱為三角形配置)，故設置於與訊號線面對的部分的黑色矩陣不呈直線狀，這樣其不醒目，在實現上述本發明的效果的同時，可獲得適合於影像顯示的橫向電場式的液晶顯示面板。
下面，參照附圖，對本發明的最佳實施形態進行說明。但是，在下面給出的實施形態為例示作為用於具體實現本發明的技術思想的橫向電場式的液晶顯示面板的FFS模式的液晶顯示面板，並不打算將本發明限定在此FFS模式的液晶顯示面板，可等同地應用於IPS模式的液晶顯示面板等的，包含於申請專利範圍中的其他的實施形態。
實施例1
按照製造製程的順序，採用第1圖和第2圖，對實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A進行說明。另外，第1圖為以透視方式表示實施例1的FFS模式的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的2個像素分的示意性平面圖，第2圖為沿第1圖的II－II線的剖面圖。
本實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A的陣列基板AR，係按照下述方式形成：在玻璃基板等的透明基板11的表面整體的範圍內，形成底部由Al金屬形成，表面由Mo金屬形成的2層膜之後，通過光刻法和蝕刻法，由Mo/Al的2層配線形成的複數條掃描線12和複數條共通配線13相互平行。鋁具有電阻值小的優點，但是，相對地，由於具有容易腐蝕，與ITO的接觸阻力高等的缺點，故通過形成以鉬覆蓋鋁的多層結構，可改善這樣的缺點。另外，在這裏，顯示沿掃描線設置共通配線13的實例，但是，也可設置於相鄰的掃描線12的中間。
接著，在形成掃描線12和共通配線13的透明基板11的表面整體的範圍內，覆蓋例如由ITO形成的透明導電層，通過相同的光刻法和蝕刻法，形成共通電極14。該共通電極14與共通配線13電性連接，但是，不與掃描線12或閘極G連接。此外，在其表面整體上，覆蓋由氮化矽層或氧化矽層形成的閘極絕緣膜15，接著，通過CVD法，在閘極絕緣膜15的表面整體範圍內，覆蓋例如非晶矽(在下面稱為“a－Si”)層，然後，同樣通過光刻法和蝕刻法，在TFT形成區域，形成由a－Si層形成的半導體層16。形成有該半導體層16的位置的掃描線12的區域形成TFT的閘極G。
然後，在形成有半導體層16的透明基板11的表面整體的範圍內，覆蓋Mo/Al/Mo的3層結構的導電層，同樣地通過光刻法和蝕刻法，形成訊號線17和汲極D。該訊號線17的源極S部分和汲極D部分均局部地與半導體層16的表面重疊。另外，在該基板的表面整體上，覆蓋由氧化矽層形成的絕緣膜18。
之後，在與汲極D相對應的位置的絕緣膜18上形成接觸孔19，使汲極D的一部分露出。另外，在該表面整體的範圍內，覆蓋例如由ITO形成的透明導電層，同樣通過光刻法和蝕刻法，按照形成第1圖所示的圖案的方式，在由掃描線12和訊號線17圍繞的區域的絕緣膜18上形成具有狹縫20的像素電極21，並且在掃描線12上的絕緣膜18的表面上局部地形成遮蔽電極22。該像素電極21通過接觸孔19，與汲極D電性連接。另外，在這裏，遮蔽電極22不與任何部分電性連接，而處於浮動狀態。另外，為了不對TFT的動作特性造成影響，故遮蔽電極22較佳為不覆蓋半導體層16的表面。此外，遮蔽電極也可代替ITO，而以鋁等的導電性金屬形成。
接著，在該表面整體的範圍內，根據需要，設置例如由氮化矽形成的鈍化膜(圖中未示出)，並且在鈍化膜的表面整體上，形成規定的配向膜24，由此，製成陣列基板AR。接著，使像這樣製造的陣列基板AR和另外製造的彩色濾光片基板面對，通過以密封材料將周圍密封，在兩個基板之間注入液晶，由此，獲得實施例的FFS模式的液晶顯示面板10A。另外，彩色濾光片基板的結構實質上與上述過去實例的結構沒有差異，省略其詳細的說明。
在像這樣獲得的實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A中，由於掃描線12的表面的至少一部分由導電性的遮蔽電極22覆蓋，故不會有因由施加於掃描線12上的高電壓的訊號而產生的直流電場導致液晶被驅動之事，所以，FFS模式的液晶顯示面板的影像殘留現象大幅度地減少。
實施例2
在實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A中，由於遮蔽電極22處於浮動狀態，故具有來自外部的電場的影響，導致遮蔽電極22的電位不穩定，發生較大變化的可能性。於是，使用第3圖和第4圖，對於通過將遮蔽電極22與共通電極14電性連接，使遮蔽電極22的電位穩定的實施例2的FFS模式的液晶顯示面板10B進行說明。另外，第3圖為以透視方式表示實施例2的FFS模式的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的2個像素的示意平面圖，第4圖為沿第3圖中的Ⅳ－Ⅳ線的剖面圖。另外，在第3圖和第4圖中，對於與第1圖和第2圖所示的實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A相同的結構部分，採用同一元件符號而省略其詳細說明。
本實施例2的FFS模式的液晶顯示面板10B的結構與實施例1的液晶顯示面板10A的結構不同之處在於：在接近遮蔽電極22一側的像素電極21的角部，設置缺口部25，使遮蔽電極22的一部分延伸至缺口部25的部分，並於與像素電極21之間形成間隙26，通過設置於該缺口部25的部分的接觸孔27，將遮蔽電極22和共通電極14電性連接。
本實施例2的FFS模式的液晶顯示面板10B的製造製程中，直到在形成訊號線17和汲極D之後的基板的表面整體上，覆蓋由氧化矽形成的絕緣膜18的製程為止，與上述實施例1的液晶顯示面板10A的製造製程相同。接著，在與汲極D和缺口部25相對應的位置的絕緣膜18中，形成接觸孔19和27，使汲極D的一部分和共通電極14的一部分露出。
此外，在該表面整體的範圍內，覆蓋例如由ITO形成的透明導電層，通過光刻法和蝕刻法，按照形成第3圖所示的圖案的方式，在由掃描線12和訊號線17圍繞的區域的絕緣膜18上，形成具有狹縫20，並且具有缺口25的像素電極21，並且按照從掃描線12的表面，跨到缺口部25，在其與像素電極21之間，形成間隙26的方式，在絕緣膜18上形成遮蔽電極22。因此，像素電極21通過接觸孔19，與汲極D電性連接，遮蔽電極22通過接觸孔27，與共通電極14電性連接。之後的製造製程與實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A的製造製程相同。
按照本實施例2的FFS模式的液晶顯示面板10B，由於遮蔽電極22通過接觸孔27，與共通電極14電性連接，故其電位穩定，因此，難以受到來自外部的電場的影響，另外，不會有因由施加於掃描線12上的高電壓的訊號而產生的直流電場導致液晶被驅動之事，因此，FFS模式的液晶顯示面板10B的影像殘留現象大幅度地減少。此外，按照實施例2的FFS模式的液晶顯示面板10B，雖然通過在像素電極21中，設置缺口部25，一部分的狹縫201 的長度縮短，但是，由於不僅在像素電極21和共通電極14之間，而且還在像素電極21和遮蔽電極22之間，產生電場，故缺口部25中的像素電極21和遮蔽電極22之間的間隙26係實質上與設置於像素電極21上的狹縫20發揮相同的作用，該間隙26的部分也構成有效的顯示區域，因此開口率提高。
實施例3
在實施例2的FFS模式的液晶顯示面板10B中，由於未受到來自外部的電場的影響，故可以通過遮蔽電極22與共通電極14電性連接，而使遮蔽電極22的電位穩定，但是，在實施例3的FFS模式的液晶顯示面板10C中，遮蔽電極22與訊號線17電性連接，使遮蔽電極22的電位穩定。採用第5圖和第6圖，對該實施例3的FFS模式的液晶顯示面板10C進行說明。另外，第5圖為以透視方式表示實施例3的FFS模式的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的2個像素的示意性平面圖，第6圖為沿第5圖的VI－VI線的剖面圖。另外，在第5圖和第6圖中，對於與第1圖和第2圖所示的實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A相同的結構部分，採用同一元件符號而省略詳細說明。
本實施例3的FFS模式的液晶顯示面板10C的結構與實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A的不同之處在於，遮蔽電極22延伸到掃描線12上的絕緣層18上的與和其附近的訊號線17的交叉點相對應的位置，通過設置於與該交叉點相對應的位置的絕緣層18上的接觸孔28，將遮蔽電極22和訊號線17電性連接。
本實施例3的FFS模式的液晶顯示面板10C的製造製程中，直到在形成訊號線17和汲極D之後的基板的表面整體上，覆蓋由氧化矽形成的絕緣膜18的製程為止，與上述實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A的製造製程相同。接著，在相對應汲極D及掃描線12和訊號線17的交叉點的位置的絕緣膜18上，形成接觸孔19和28，使汲極D的一部分和訊號線17的一部分露出。
此外，在該表面整體的範圍內，覆蓋例如由ITO形成的透明導電層，通過光刻法和蝕刻法，按照形成第5圖所示的圖案的方式，在以掃描線12和訊號線17圍繞的區域的絕緣膜18上，形成具有狹縫20的像素電極21，並且在掃描線12的表面的一部分的絕緣膜18上形成遮蔽電極22。因此，像素電極21通過接觸孔19與汲極D電性連接，遮蔽電極22通過接觸孔28與訊號線17電性連接。之後的製造製程與實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A的製造製程相同。
按照本實施例3的FFS模式的液晶顯示面板10C，由於遮蔽電極22通過接觸孔28與訊號線17電性連接，故即使遮蔽電極22的電位因施加於訊號線17上的訊號而變化，因為直流成分少，因此，因施加於此遮蔽電極22上的訊號線17的訊號而導致液晶受到的影響小，另外，難以受到來自外部的電場的影響，並且不會有因由施加於掃描線12上的高電壓的訊號而產生的電場導致液晶被驅動之事，因此，FFS模式的液晶顯示面板的影像殘留現象大幅度地減少。
實施例4
按照製造製程順序，採用第7圖~第9圖，說明實施例4的FFS模式的液晶顯示面板10D。另外，第7圖為以透視方式表示實施例4的FFS模式的液晶顯示面板的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的4個像素的示意平面圖，第8圖為沿第7圖中的VIII－VIII線的剖面圖。另外，第9圖為沿第7圖中的IX－IX線的剖面圖。另外，在第7圖~第9圖中，對於與第1圖和第2圖所示的實施例1的FFS模式的液晶顯示面板10A相同的結構部分，採用同一元件符號而說明。
本實施例4的FFS模式的液晶顯示面板的液晶顯示面板10D的陣列基板AR在玻璃基板等的透明基板11的表面整體的範圍內，形成底部由鋁金屬Al形成，表面由鉬Mo金屬形成的2層膜，然後，通過光刻法和蝕刻法，由Mo/Al的2層配線形成的複數條掃描線12和複數條共通配線(圖示省略)按照相互平行的方式形成。另外，在這裏，顯示沿掃描線12，設置共通配線的實例，但是，也可設置於相鄰的掃描線12的中間。
接著，在形成掃描線12和共通配線的透明基板11的表面整體的範圍內，覆蓋例如由ITO形成的透明導電層，通過相同的光刻法和蝕刻法，形成對向電極14。該對向電極14與共通配線電性連接，但是，不與掃描線12或閘極G連接。此外，在該表面整體上，覆蓋由氮化矽層，或氧化矽層形成的閘極絕緣膜15，接著，通過CVD法，在閘極絕緣膜15的表面整體的範圍內，覆蓋例如a－Si層，然後，通過相同的光刻法和蝕刻法，在TFT形成區域上形成由a－Si層形成的半導體層16。形成該半導體層16的位置的掃描線12的區域形成TFT的閘極G。
然後，在形成半導體層16的透明基板11的表面整體的範圍內，覆蓋Mo/Al/Mo的3層結構的導電層，通過相同的光刻法和蝕刻法，形成具有源極S部分的訊號線17和汲極D。該訊號線17的源極S部分和汲極D部分均局部地重疊於半導體層16的表面上。另外，在該基板的表面整體的範圍，覆蓋由氮化矽層形成的絕緣膜18。
接著，在與汲極D，後述的缺口部251 和252 相對應的位置的絕緣膜18上，形成接觸孔19，271 和272 ，並使汲極D的一部分和共通電極14的一部分露出。此外，在該表面整體的範圍內，覆蓋例如由ITO形成的透明導電層，通過光刻法和蝕刻法，按照形成如第7圖所示的圖案的方式，形成像素電極21，該像素電極21在以掃描線12和訊號線17圍繞的區域的絕緣膜18上具有狹縫20，並且在與掃描線12的兩側鄰接的一側的角部，分別具有缺口部251 和252 ，另外，按照從掃描線12的表面，跨到兩側的缺口部251 和252 ，在與像素電極21之間，分別產生間隙261 和262 的方式，在絕緣膜18上形成遮蔽電極22。
因此，像素電極21通過接觸孔19，與汲極D電性連接，遮蔽電極22通過接觸孔271 和272 ，與掃描線12的兩側的共通電極14電性連接。於是，掃描線12的兩側的共通電極14為跨過掃描線12，通過遮蔽電極22而相互電性連接。
另外，通過在此表面整體的範圍內形成規定的配向膜24，製成陣列基板AR。然後，使像這樣製造的陣列基板AR和另外製造的彩色濾光片基板面對，以密封材料將周圍密封，在兩片基板之間注入液晶，由此，獲得實施例4的FFS模式的液晶顯示面板的液晶顯示面板10D。此外，由於彩色濾光片基板的結構與上述過去實例的結構沒有實質上的差異，故省略其詳細的說明。
在像這樣獲得的實施例4的FFS模式的液晶顯示面板的液晶顯示面板10D中，由於掃描線12的表面的至少一部分為以導電性的遮蔽電極22覆蓋，故不會有因由施加於掃描線12上的高電壓的訊號而產生的直流電場導致液晶被驅動之事，因此，FFS模式的液晶顯示面板的影像殘留現象大幅度地減少。又，由於遮蔽電極22通過接觸孔271 和272 ，與位於掃描線12的兩側的共通電極14電性連接，故其電位穩定，難以受到來自外部的電場的影響，另外，由於不會有因由施加於掃描線12上的高電壓的訊號而產生的直流電場導致液晶被驅動之事，故FFS模式的液晶顯示面板10D的影像殘留現象大幅度地減少。
此外，按照該FFS模式的液晶顯示面板10D，在像素電極21中設置缺口部251 和252 ，由此，一部分的狹縫201 的長度縮短，但是，由於缺口部251 和252 中的像素電極21和遮蔽電極22之間的間隙261 和262 ，不僅在像素電極21和共通電極14之間，而且還在像素電極21和遮蔽電極22之間產生電場，故實質上發揮與設置於像素電極21上的狹縫20相同的作用，該間隙261 和262 的部分也形成有效的顯示區域，因此，開口度提高。
還有，按照該FFS模式的液晶顯示面板的液晶顯示面板10D，由於掃描線12的兩側的共通電極14為跨過掃描線12，通過遮蔽電極22而實現電性連接，故與掃描線12交叉的方向的共通電極14全部處於通過遮蔽電極22串聯的狀態。由此，共通配線的電阻實質上變小，所謂的配線延遲變小，因此共通電極的電位穩定，可獲得每個像素的顯示品質良好的FFS模式的液晶顯示面板。
此外，在實施例1~4中，顯示掃描線12和訊號線17按照相互呈直線狀交叉的方式設置的實例。但是，也可以如作為過去實例的第18圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70D那樣，為了使設置於與訊號線17面對的部分上的彩色濾光片基板的黑色矩陣不呈直線狀以適合黑色矩陣不醒目的影像顯示，也可呈曲柄狀沿與掃描線12交叉的方向設置訊號線17，使多個共通電極14和像素電極21呈三角形配置。另外，還可以如作為過去的實例的第17圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70C那樣，按照形成“ㄑ”形的方式設置像素電極上的條帶狀的狹縫以形成雙域。另外，在將這樣的狹縫，呈“ㄑ”形狀設置，以形成雙域時，如沿不同的方向傾斜的狹縫的條數相同，則不產生因視角而產生的色變化，因此較佳，另外，如果將這些狹縫中的，最接近共通電極的兩側的狹縫，即，在沿不同方向傾斜各個狹縫之中，將位於相互最接近的位置的狹縫的端部進行連接，則能夠對於該部分產生的向錯部分進行遮光，因此較佳。
再者，在實施例1~4中，顯示作為設置於像素電極21的狹縫採用向一個方向傾斜的類型的實例，但是，也可以如作為過去實例的第17圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70C那樣，設置於像素電極78C的條帶狀的狹縫77C按照形成“ㄑ”形的方式配置以形成雙域。在此場合，為了減少視角各向異性，較佳為設置於共通配線73的兩側的狹縫77C的數量在各自的一側為相同，另外，較佳為將最接近共通配線73的兩側的狹縫的端部連接於共通配線73上。此外，也可如第18圖所示的FFS模式的液晶顯示面板70D那樣，為了使設置於與訊號線74面對的部分的彩色濾光片基板的黑色矩陣不呈直線狀以適合黑色矩陣不醒目的影像顯示，也可沿與掃描線72交叉的方向，呈曲柄狀設置訊號線74，且多個共通電極和像素電極78D呈三角形配置。
此外，在上述實施例1~4中說明的FFS模式的液晶顯示面板的液晶顯示面板10A~10D的結構，特別是涉及遮蔽電極22的結構可簡單地應用於第10圖~第12圖所示的IPS模式的液晶顯示面板。於是，在這裏，為了避免說明的重複，省略關於將本發明的結構應用於IPS模式的液晶顯示面板的說明。另外，在將本申請發明的結構應用於IPS模式的液晶顯示面板的場合，顯然也可以有下述情況：如作為過去實例的第19圖和第20圖所示的IPS模式的液晶顯示面板50B，50C那樣，沿像素電極和對向電極與配向膜的磨刷方向，設置微小角度的傾斜度；及，在延伸方向的左右以不同的方向傾斜而配置像素電極和對向電極，以形成雙域；此外，像素電極和相對電極為三角形配置。
10A~10D．．．FFS模式的液晶顯示面板
11．．．透明基板
12．．．掃描線
13．．．共通配線
14．．．對向(共通)電極
15．．．閘極絕緣膜
16．．．半導體層
17．．．訊號線
18．．．絕緣膜
19,27,271 ,272 ,28．．．接觸孔
20．．．狹縫
21．．．像素電極
22．．．遮蔽電極
23．．．鈍化膜
24．．．配向膜
25,251 ,252 ．．．缺口部
26,261 ,262 ．．．間隙
第1圖為以透視方式表示實施例1的FFS模式的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的2個像素的示意平面圖；第2圖為沿第1圖中的II－II線的剖面圖；第3圖為以透視方式表示實施例2的FFS模式的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的2個像素的示意平面圖；第4圖為沿第3圖中的Ⅳ－Ⅳ線的剖面圖；第5圖為以透視方式表示實施例3的FFS模式的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的2個像素的示意平面圖；第6圖為沿第5圖的VI－VI線的剖面圖；第7圖為以透視方式表示實施例4的FFS模式的液晶顯示面板的彩色濾光片基板的4個像素的示意平面圖；第8圖為沿第7圖中的VIII－VIII線的剖面圖；第9圖為沿第7圖中的IX－IX線的剖面圖；第10圖為過去實例的IPS模式的液晶顯示面板的1個像素的示意平面圖；第11圖為沿第10圖中的XI－XI線的剖面圖；第12圖為沿第10圖中的XII－XII線的剖面圖；第13圖為過去實例的FFS模式的液晶顯示面板的1個像素的示意平面圖；第14圖為沿第13圖中的XIV－XIV線的剖面圖；第15圖為沿第13圖中的XV－XV線的剖面圖；第16圖為另一過去實例的FFS模式的液晶顯示面板的示意平面圖；第17圖為過去實例的雙域化的FFS模式的液晶顯示面板的示意平面圖；第18圖為過去實例的三角形配置的FFS模式的液晶顯示面板的示意平面圖；第19圖為與第16圖相對應的IPS模式的液晶顯示面板的示意平面圖；第20圖為與第17圖相對應的IPS模式的液晶顯示面板的示意平面圖。
10A．．．模式的液晶顯示面板
12．．．掃描線
13．．．共通配線
16．．．半導體層
17．．．訊號線
19．．．接觸孔
20．．．狹縫
21．．．像素電極
22．．．遮蔽電極
S．．．源極
G．．．閘極
D．．．汲極

Claims (13)

  1. 一種橫向電場式的液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括平行設置的複數條掃描線和共通配線、沿與上述掃描線交叉的方向設置的複數條訊號線、形成於以複數條掃描線和訊號線所劃分的區域的共通電極和像素電極，其特徵在於：在上述掃描線上的絕緣膜的表面上，形成由導電性材料形成的遮蔽電極；上述遮蔽電極與上述共通電極電性連接；在上述像素電極的上述遮蔽電極側的一部分上，設置缺口部，上述遮蔽電極延伸到上述缺口部的絕緣膜上，經由設置於上述缺口部上的接觸孔，與上述共通電極電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中上述遮蔽電極由與上述像素電極相同的材料形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中上述共通電極和像素電極按照相對上述掃描線或訊號線傾斜的方向進行設置。
  4. 如申請專利範圍第3項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中上述共通電極和像素電極在以上述掃描線和訊號線所劃分的區域內的共通電極和像素電極的延伸方向的左右，以相互不同的方向傾斜地設置。
  5. 如申請專利範圍第1項之橫向電場式的液晶顯示面 板，其中上述共通電極按照覆蓋以上述掃描線和訊號線所劃分的區域的方式形成，上述像素電極經由絕緣膜而形成於上述共通電極上，並設置相互平行的複數之狹縫。
  6. 如申請專利範圍第5項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中上述複數狹縫按照相對上述掃描線或訊號線傾斜的方向進行設置。
  7. 如申請專利範圍第6項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中上述共通配線設置於上述複數條掃描線之間，上述複數之狹縫在上述共通配線的兩側以相互不同的方向傾斜地設置。
  8. 如申請專利範圍第7項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中設置於上述共通配線的兩側的狹縫的數量在各側是相同的。
  9. 如申請專利範圍第7項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中最接近上述共通配線的兩側的狹縫的端部被連接於上述共通配線上。
  10. 如申請專利範圍第1項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中在上述掃描線上，於與上述訊號線的交叉位置的附近，設置作為開關元件的薄膜電晶體，上述遮蔽電極設置於除了上述薄膜電晶體的表面以外的上述掃描線上。
  11. 如申請專利範圍第1項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中上述訊號線沿與上述掃描線相垂直的方向呈曲柄狀設置，上述複數之共通電極和像素電極為三角形(Delta)配置。
  12. 一種橫向電場式的液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括平行設置的複數條掃描線和共通配線、沿與上述掃描線交叉的方向設置的複數條訊號線、形成於以複數條掃描線和訊號線所劃分的區域的共通電極和像素電極，其特徵在於：在上述掃描線上的絕緣膜的表面上，形成由導電性材料形成的遮蔽電極；在上述像素電極中，於與上述掃描線的兩側鄰接的一側的一部分上，分別設置缺口部，上述遮蔽電極延伸到上述缺口部的絕緣膜上，經由設置於上述缺口部上的接觸孔，與位於上述掃描線兩側之各自的共通電極電性連接。
  13. 如申請專利範圍第12項之橫向電場式的液晶顯示面板，其中上述遮蔽電極覆蓋上述掃描線的一半或以上的部分。
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