CN114675444A - 电子装置 - Google Patents

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廖建智
许行远
陈柏仰
姚怡安
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Abstract

本申请提供一种电子装置，包含一第一基板；一第二基板，相对于该第一基板设置；一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；一传感电路，设置于该第一基板，并且具有至少一高电压导线；以及一导体，设置于该高电压导线与该液晶层之间；其中该导体上的电压值低于该高电压导线上的电压值。

Description

电子装置
技术领域
本申请涉及一种电子装置，特别是涉及一种包含指纹辨识的电子装置。
背景技术
现有指纹辨识装置广泛地应用于各种电子装置，如移动装置。当现有指纹辨识装置结合于电子装置的面板中，需在原有的面板架构中新增指纹辨识装置。当面板为液晶显示器时，指纹辨识装置内的高电压直流信号线或高电压交流信号线将产生电场并可能对面板的液晶层造成影响，进而导致面板产生显示画面异常的状况。
发明内容
本申请公开一种电子装置，包含一第一基板；一第二基板，相对于该第一基板设置；一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；一传感电路，设置于该第一基板上，且具有至少一高电压导线；以及一导体，设置于该至少一高电压导线与该液晶层之间；其中，该导体上一电压的电压值低于该高电压导线上一电压的电压值。
附图说明
图1为本申请实施例一电子装置的剖面示意图。
图2为本申请实施例电子装置的多个氧化铟锡垫与一高电压导线的俯视示意图。
图3为本申请实施例电子装置的电路架构示意图。
图4为本申请实施例电子装置的一操作流程的示意图。
图5为本申请实施例电子装置的一指纹传感流程的示意图。
图6为本申请实施例电子装置的另一电路架构示意图。
图7为本申请实施例电子装置的另一电路架构示意图。
图8为本申请另一实施例的一电子装置的剖面示意图。
图9为本申请另一实施例电子装置的一电场屏蔽元件的俯视示意图。
图10为本申请另一实施例电子装置的电路架构示意图。
附图标记列表：10-电子装置；11、81-第一基板；12、82-第二基板；13、83-液晶层；14、84-传感电路；15-导体；15’-氧化铟锡垫；16、86-绝缘层；40-操作流程；50-指纹传感流程；402、404、406、408、410、412、502、504、506、508、510、512-步骤；85-电场屏蔽元件；D-漏极端；Data、Data(B)、Data(G)、Data(R)-数据线；G-栅极端；Gate-栅极线；Gate n-1(LCD)-液晶栅极线；Gate n(PIN)、Gate n-1(PIN)-传感电路栅极线；HVL-高电压导线；M1-第一金属层；M2-第二金属层；M3-第三金属层；M4-第四金属层；N-N极端；P-P极端；P1-光传感元件；RL-读出线；S-源极端；SP_B-蓝色子像素；SP_G-绿色子像素；SP_G-红色子像素；T1、T2、T3-开关元件；Touch-触控信号线；VDD-电源供应线；VDD1-第一电源供应线；VDD2-第二电源供应线。
具体实施方式
已经参照实施例及其具体特征具体示出和描述了本揭露。以下阐述的实施例应被认为是说明性的而非限制性的。对于本领域的一般技术人员而言很明显的是，在不脱离本揭露的精神和范围的情况下，可以进行形式及细节上的各种改变与修改。
在进一步的描述各实施例之前，以下先针对全文中使用的特定用语进行说明。
用语「在…上」、「在…上方」和「在…之上」的含义应当以最宽方式被解读，以使得「在…上」不仅表示「直接在」某物上而且还包括在某物上且其间有其他居间特征或层的含义，并且「在…上方」或「在…之上」不仅表示在某物「上方」或「之上」的含义，而且还可以包括其在某物「上方」或「之上」且其间没有其他居间特征或层(即，直接在某物上)的含义。
此外，用语「底部」、「下方」、「上方」、「顶部」等用以描述图式中不同组成元件的相对位置。然而，当将图式翻转使其上下颠倒时，前述之「上方」即成为「下方」。应当理解，除了图中所示的方向之外，空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的设备的不同方向。
在下文中使用术语「形成」或「设置」来描述将材料层施加到基板或层的行为。这些术语旨在描述任何可行的层形成技术，包括但不限于热生长、溅射、蒸发、化学气相沉积、外延生长、电镀等。
说明书与请求项中所使用的序数例如「第一」、「第二」等之用词，以修饰请求项之元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
在本揭露中，厚度、长度与宽度的量测方式可以是采用光学显微镜量测而得，厚度或长度可以由电子显微镜中的剖面影像量测而得，但不以此为限。
应该理解，尽管术语第一、第二等可以在此用于描述各种元件、部件、区域、层或/及部分，这些元件、部件、区域、层或/及部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或/及部分与另一个元件、部件、区域、层或/及部分。因此，在不脱离本揭露教示内容的情况下，下面讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一部分亦可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
此外，「在第一数值和第二数值之间的范围内」或「在第一数值和第二数值之间的范围内」等短语表示该范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其他数值。
应当理解，下文列举多个实施例分别说明不同的技术特征，但此些技术特征可在彼此未互相冲突的状况下以不同方式混合使用或彼此结合。
在说明书及请求项当中使用了某些词汇指称特定的元件，然，所属本揭露技术领域中具有通常知识者应可理解，制造商可能会用不同的名词称呼同一个元件，而且，本说明书及请求项并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在整体技术上的差异作为区分的准则。
在通篇说明书及请求项当中所提及的「包括」为一开放式用语，故应解释成「包括但不限定于」。
再者，「耦接」一词在此包括任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述电路上的一第一装置耦接一第二装置，则代表第一装置可直接连接第二装置，或可通过其他装置或其他连接手段间接地连接至第二装置。
图1为本申请实施例中一电子装置10的剖面示意图。电子装置10可以是结合指纹辨识功能及/或触控功能的电子装置，例如手机、平板电脑、显示装置等。电子装置10包括一第一基板11、一第二基板12、一液晶层13、一传感电路14及一导体15。第二基板12相对于第一基板11设置，并且液晶层13设置于第一基板11与第二基板12之间，其中第一基板11及第二基板12可以分别为一透明基板。第一基板11或第二基板12的材料可以包括玻璃(glass)、石英(quartz)、蓝宝石(sapphire)或陶瓷(ceramic)，在其他实施例中，第一基板11或第二基板12的材料也可包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的材料、或前述之组合，但不以此为限。请同时参考图2，传感电路14可以是一指纹传感器，例如是屏下式指纹传感器，设置于第一基板11上，具有至少一高电压导线HVL，但不以此为限。导体15设置于高电压导线HVL与液晶层13之间，并且施加在导体15上电压的电压值低于施加在高电压导线HVL上电压的电压值。
进一步地，导体15例如可以由多个氧化铟锡垫(Indium Tin Oxide pad，ITO pad)15’组成，其中施加于导体15上的电压是一地电压(ground voltage)而作为接地线，并且导体15与传感电路14之间可包含有一绝缘层16，绝缘层16可包含有机材料，举例来说，有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、感光型聚酰亚胺(photo sensitive polyimide，PSPI)或前述之组合，绝缘层16亦可包含无机材料，举例来说，无机材料可包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或前述之组合，但不以此为限。在一些实施例中，绝缘层16可以是一层结构或多层结构，亦或可具有平坦(Planarization，PLN)功能。
图2为本申请实施例电子装置10的氧化铟锡垫15’与高电压导线HVL的俯视示意图。由图2中可知，在俯视第一基板11的角度下(即由第一基板11的法线方向，亦为Z方向)，氧化铟锡垫15’可与高电压导线HVL部分重迭。由于施加于导体15上的电压值低于高电压导线HVL上的电压值，因此，在一实施例中，在液晶层13与传感电路14的高电压导线HVL之间的氧化铟锡垫15’，可以用来屏蔽来自高电压导线HVL于作动时所产生的电场，降低其对液晶层13的影响。在一实施例中，传感电路14的高电压导线HVL为一高电压(例如电压可为12伏特)时所产生的电场便可被导体15所屏蔽，降低对液晶层13的影响。
一般而言，沿着第一基板11的法线方向(亦为Z方向)可堆迭有多层金属层，例如在图3的实施例中包含一第一金属层M1、一第二金属层M2、一第三金属层M3及一第四金属层M4，其中第一金属层M1最靠近第一基板11并可提供作为开关元件的部分架构，例如当开关元件为薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)时，第一金属层M1可作为栅极。第一金属层M1亦可形成栅极线(gate line)Gate，第二金属层M2设置于第一金属层M1上并可包含有数据线(data line)Data，第三金属层M3设置于第二金属层M2上并可包含有读出线(read-out line)RL，第四金属层M4设置于第三金属层M3上并可包含有电源供应线VDD，并且第一金属层M1、第二金属层M2、第三金属层M3及第四金属层M4之间可设置绝缘层，但不以此为限。
图3为本申请实施例电子装置10的电路架构示意图。于一实施例中，传感电路14可包含一光传感元件P1、开关元件T1、开关元件T2、开关元件T3、多条信号线。光传感元件P1可用来感测一光源并储存能量，在一实施例中，光传感元件P1可另与其他元件耦接，例如一电容，但不限于此。开关元件T1、开关元件T2、开关元件T3耦接于光传感元件P1以用来执行一指纹传感程序。传感电路14的信号线可包含有电源供应线VDD、读出线RL及参考电压线Bias，其中电源供应线VDD及/或参考电压线Bias可以耦接一直流信号源。
值得注意的是，在图3的实施例中所绘示出氧化铟锡垫15’的覆盖区可例如包含至少一像素(即包含有红色子像素SP_R、绿色子像素SP_G、蓝色子像素SP_B)并与复数条信号线至少部分重迭，例如包含红色子像素SP_R的数据线Data(R)、绿色子像素SP_G的数据线Data(G)及蓝色子像素SP_B的数据线Data(B)，利用第四金属层M4形成的电源供应线VDD及参考电压线Bias，利用第三金属层M3形成的读出线RL及触控信号线Touch等的不同层的元件。为了清楚地显示位在不同层的信号线，位于第一基板11上的数据线Data(R)、电源供应线VDD及读出线RL以一错位的方式描绘于图3。也就是说，在俯视电子装置10的情形下，数据线Data(R)、电源供应线VDD及读出线RL可至少部分重迭，但不以此为限。此外，在俯视电子装置10情形下，液晶栅极线Gate n-1(LCD)与传感电路栅极线Gate n(PIN)、Gate n-1(PIN)不重迭。当电子装置10具有触控功能时，导体15可作为触控电极，但为避免导体15作为触控电极时会干扰到传感电路14进行指纹传感，因此，导体15作为触控电极的操作时间需与传感电路14进行指纹传感的操作时间分时进行，换句话说，传感电路14在导体15作为触控电极的操作时将不作动，以避免与触控功能相互干扰而影响触控功能。
为了详细说明电子装置10的操作方式，请参考图4，图4为本申请实施例电子装置10的一操作流程40的示意图。操作流程40包含下列步骤：
步骤402：开始。
步骤404：电子装置10进行显示。
步骤406：执行电子装置10的触控功能，以确认一物体的一物体覆盖区域。
步骤408：关闭电子装置10的触控功能，并且执行指纹传感功能。
步骤410：电子装置10的一集成电路(integrated circuit，IC)接收到感测到的指纹传感信号并进行辨识。
步骤412：结束。
根据操作流程40，在步骤404中，电子装置10通过控制液晶层13以显示画面。在步骤406中，执行触控功能以确定物体触摸在电子装置10上的区域(即物体覆盖区域)。触摸在电子装置10上的物体举例来说可以是手指，但不以此为限。接着，在步骤408中，关闭电子装置10的触控功能，以执行指纹传感功能，此时用来执行触控功能的氧化铟锡垫15’将被施加地电压，以降低传感电路14的高电压导线HVL对液晶层13的影响。最后，在步骤410中，电子装置10的集成电路接收指纹传感信号并加以辨识。值得注意的是，电子装置10的集成电路在接收指纹传感信号之前，执行指纹传感功能的一时间区间大约为数个帧(frame)的显示时间。
在一实施例中，本揭露的电子装置10的指纹传感功能可进一步包含一指纹传感流程50，请参考图5，图5为本申请实施例电子装置10的指纹传感流程50的示意图。指纹传感流程50包含下列步骤：
步骤502：开始。
步骤504：在物体覆盖区域内，通过传感电路14的栅极线Gate n(PIN)开启开关元件T2并重置传感电路14中的节点电压，并且对光传感元件P1进行充电，及开启开关元件T1。
步骤506：关闭开关元件T2。
步骤508：光照到光传感元件P1，光传感元件P1将储存的电位进行泄放。
步骤510：通过传感电路14的栅极线Gate n-1(PIN)，开启开关元件T3，集成电路通过开关元件T3读取各像素的指纹传感信号并进行信号分析。
步骤512：结束。
根据指纹传感流程50，在步骤504中，在物体覆盖区域内通过传感电路14的栅极线Gate n(PIN)开启开关元件T2以重置传感电路14中的节点电压，并对光传感元件P1进行充电。光传感元件P1举例来说可以是一PIN二极体(PIN diode)，其中一边是N极端(N)，一边是P极端(P)，但不限于此。由于开关元件T2的一漏极端(Drain，D)耦接于电源供应线VDD(例如，可高达12伏特的高电压信号线)，因此，以光传感元件P1为PIN二极体为例，开关元件T2的一源极端(Source，S)电连接至PIN二极体的N极端，因此高电压的信号准位将通过开关元件T2传至PIN二极体的N极端(N)以重置传感电路14中的节点电压，维持开关元件T2的源极端(S)、开关元件T1的一栅极端(Gate，G)以及光传感元件P1的N极端(N)之间的一高电压准位并开启开关元件T1。此外，参考电压线Bias耦接至PIN二极体的P极端(P)，此时，光传感元件P1将处于逆向偏压的状态。接着，在步骤506中，开关元件T1的栅极端(G)被打开，并且开关元件T2被关闭。
在步骤508中，由于触摸在电子装置10上的物体一般较像素为大，换句话说，物体会覆盖复数个像素，即覆盖复数个像素内的各个光传感元件P1。当物体为手指时，由于手指的指纹具有波峰及波谷，波峰所产生的反射光会较强，故指纹的不同位置会产生强弱不同的反射光。又因光传感元件P1处于逆向偏压的状态，因此不同像素内的光传感元件P1会接收到不同强度的反射光，因此不同像素内的光传感元件P1会产生不同大小的漏电流，致光传感元件P1的N极端(N)的高电压准位因不同大小的漏电流而让泄放电压的速度不一致，故对应波峰的光传感元件P1受到的照光强度较强，其漏电流较大，故当指纹传感结束后，其电位泄放较大，意即对应波峰的光传感元件P1的N极端(N)有较低电压值的指纹传感信号。接着，在步骤510中，传感电路栅极线Gate n-1(PIN)开启开关元件T3，并通过与开关元件T3耦接的读取线RL将各像素的指纹传感信号传送至电子装置10的集成电路，且因各像素泄放电位后所剩余的电压值不一致，故可依各像素剩余的电压值进行分析，以呈现指纹的纹路。
如此一来，在本申请实施例的电子装置10电路布局下，通过氧化铟锡垫15’屏蔽利用第四金属层M4来形成施加高电压信号的信号线(例如图3中的电源供应线VDD)，以屏蔽第四金属层M4的高电压信号所产生的电场对液晶层13的影响。
于一实施例中，沿着第一基板11的法线方向上(亦为Z方向)，第三金属层M3与第四金属层M4之间具有一第一距离，可大于第四金属层M4与氧化铟锡垫15’之间具有的一第二距离，以降低读出线RL等效感受到的一寄生电容，进而提升传感电路14的一驱动能力。其中，第一距离为第三金属层M3与第四金属层M4之间的最短距离，第二距离为第四金属层M4与氧化铟锡垫15’之间的最短距离。
图6为本申请实施例电子装置10的另一电路架构示意图。由于图6为图3的变化实施例，因此沿用图3的元件符号。与图3的实施例不同的地方是，图6的读出线RL利用第四金属层M4形成，而电源供应线VDD利用第三金属层M3形成。在此情形下，由于第四金属层M4与第三金属层M3之间包含绝缘层(图未示)，电源供应线VDD所产生的高电压(例如高达12伏特)可被绝缘层及氧化铟锡垫15’屏蔽，以降低其电场对液晶层13所造成的影响。
图7为本申请实施例电子装置10的另一电路架构示意图。由于图7为图3的变化实施例，因此沿用图3的元件符号。与图3不同的地方在于，图7中的开关元件T1的漏极端(D)与开关元件T2的漏极端(D)分别耦接至不同的电源供应线。也就是说，开关元件T1的漏极端(D)耦接至一第一电源供应线VDD1，而开关元件T2的漏极端(D)耦接至一第二电源供应线VDD2，以增加电子装置10的一电路布局的弹性，且第一电源供应线VDD1及第二电源供应线VDD2上的电压准位可以不相同，但不以此为限。
图8为本申请另一实施例的一电子装置80的剖面示意图。电子装置80可以是结合屏下指纹辨识功能及触控功能的电子装置，例如手机、平板电脑、显示装置等。电子装置80包括一第一基板81、一第二基板82、一液晶层83、一传感电路84及一电场屏蔽元件85。与电子装置10不同的地方在于，电子装置80中的触控功能可适用于一内嵌式触控(touch ondisplay，TOD)或一外贴式触控(Window Integrated Sensor，WIS)。第二基板82相对于第一基板81设置，并且液晶层83设置于第一基板81与第二基板82之间，其中第一基板81及第二基板82可以分别为一透明基板，材料如前所述，于此不再赘述。传感电路84设置于第一基板81上，具有一高电压导线HVL。电场屏蔽元件85设置于高电压导线HVL与液晶层83之间，并且施加在电场屏蔽元件85上一电压的电压值低于施加在高电压导线HVL上一电压的电压值，其中传感电路84可以是一指纹传感器。
进一步地，也可以利用传感电路84的一低电压信号线(大约0至5伏特)作为电场屏蔽元件85，即电场屏蔽元件85上电压的电压值低于高电压导线HVL上电压的电压值(例如最高可达12伏特)，此外电场屏蔽元件85与传感电路14之间可包含有一绝缘层86，绝缘层86的材料及功能如前所述，于此不再赘述。
图9为本申请实施例电子装置80的电场屏蔽元件85的俯视示意图。由图9中可知，在俯视的角度下，电场屏蔽元件85可以遮蔽传感电路84中的高电压导线HVL(图未示)，因此在图9中的俯视角度下看不到高电压导线HVL。也就是说，在液晶层83与传感电路84的高电压导线HVL之间的电场屏蔽元件85，可以用来屏蔽来自高电压导线HVL于做动时对液晶层13所造成的影响，以减少传感电路84的高电压导线HVL上电压为一高电压(例如12伏特)时所产生的电场对液晶层83造成的影响。
图10为本申请实施例电子装置80的电路架构示意图。由于图10为图3的变化实施例，因此沿用图3的元件符号。与图3不同的地方在于，图10的传感电路84的读出线RL利用第四金属层M4形成，而电源供应线VDD利用第三金属层M3形成。由于读出线RL上的电压值会较低，如此一来，电子装置80即可通过读出线RL屏蔽电源供应线VDD，降低电源供应线VDD的高压信号对液晶层83的影响。
综上所述，本申请提供一种用于屏下指纹辨识的电子装置，通过导体或电场屏蔽元件，屏蔽来自高电压导线所产生的电场对液晶层的影响，进而结合屏下指纹辨识与现有的触控面板。
以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化。凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本揭露的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一第一基板；
一第二基板，相对于所述第一基板设置；
一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；
一传感电路，设置于所述第一基板上，且具有至少一高电压导线；以及
一导体，设置于所述至少一高电压导线与所述液晶层之间；
其中，所述导体的电压值低于所述至少一高电压导线的电压值。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述传感电路是一指纹传感器。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述高电压导线是一电源供应线。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述高电压导线是一读出线。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述导体的电压值是一地电压。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置是一显示装置。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述传感电路包含有：
一光传感元件；以及
多个开关元件，耦接于所述光传感元件；
其中，所述高电压导线耦接于所述光传感元件。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述导体包含透明导电材料。
9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述透明导电材料包含氧化铟锡。
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