JP2008051846A

JP2008051846A - Ｆｆｓモードの液晶表示パネル

Info

Publication number: JP2008051846A
Application number: JP2006225001A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Horiguchi; 正寛堀口
Original assignee: Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2006-08-22
Filing date: 2006-08-22
Publication date: 2008-03-06

Abstract

【課題】高精細化されておりながら画素容量が大きくてクロストークやフリッカが少なく
、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】平行に設けられた複数の走査線１２及びコモン配線１３と、走査線１２と直
交する方向に設けられた複数の信号線１７と、走査線１２及び信号線１７の交差部近傍に
設けられたＴＦＴと、複数の走査線１２及び信号線１７で区画された領域に形成された共
通電極１４と、共通電極１４上に設けられた絶縁膜を介して形成された画素電極２１と、
画素電極２１に設けられた複数のスリット２０と、を有するＦＦＳモードの液晶表示パネ
ルにおいて、前記絶縁膜は複層構造を有し、ＴＦＴのドレイン電極Ｄの画素容量形成領域
Ｄ１が複層構造の絶縁膜間を共通電極１４の周縁に沿って形成され、画素電極２１はドレ
イン電極Ｄとコンタクトホール１９を経て電気的に接続されていることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、フリンジ・フィールド・スィッチング（Fringe Field Switching：以下、「
ＦＦＳ」という。）モードの液晶表示パネルに関し、特に高精細化されておりながら画素
容量が大きくてクロストークやフリッカが少なく、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶
表示パネルに関する。

近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示パネルが多く利用さ
れている。従来から多く用いられている液晶表示パネルは、表面に電極等が形成された一
対のガラス等からなる基板と、この一対の基板間に形成された液晶層と、からなり、両基
板上の電極に電圧が印加されることにより、液晶を再配列させて光の透過率を変えること
により種々の映像を表示する、言わば縦方向電界モードともいうべきものである。このよ
うな縦方向電界モードの液晶表示パネルは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Ver
tical Alignment）モードのものが存在するが、視野角が狭いという問題点が存在するた
め、ＭＶＡ（Multidomain Vertical Alignment）モード等種々の改良された縦方向電界モ
ードの液晶表示パネルが開発されている。

一方、上述の縦方向電界モードの液晶表示パネルとは異なり、一方の基板にのみ電極を
備えた横方向電界モードと言うべき液晶表示パネルも、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モ
ードの液晶表示パネルとして知られている（下記特許文献１及び２参照）。ここでこのＩ
ＰＳモードの液晶表示パネルの動作原理を図６及び図７を用いて説明する。なお、図６は
ＩＰＳモードの液晶表示パネルの１画素分の模式平面図であり、図７は図６のＣ−Ｃ線に
沿った断面図である。

このＩＰＳモードの液晶表示パネル５０は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦ
とを備えている。アレイ基板ＡＲは、第１の透明基板５１の表面にそれぞれ平行に複数の
走査線５２及びコモン配線５３が設けられ、これら走査線５２及びコモン配線５３に直交
する方向に複数の信号線５４が設けられている。そして、各画素の中央部にコモン配線５
３から帯状に、図６においては例えば櫛歯状の対向電極５５が設けられ、この対向電極５
５の周囲を挟むように同じく櫛歯状の画素電極５６が設けられており、この画素電極５６
の表面は例えば窒化硅素からなる保護絶縁膜５７及びポリイミド等からなる配向膜５８に
よって被覆されている。

そして、走査線５２と信号線５４との交差点近傍にはスイッチング素子としてのＴＦＴ
（Thin Film Transistor：薄膜電界効果トランジスタ）が形成されている。このＴＦＴは
、走査線５２と信号線５４との間に半導体層５９が配置され、半導体層５９上の信号線部
分がＴＦＴのソース電極Ｓを構成し、半導体層５９の下部の走査線部分がゲート電極Ｇを
構成し、また、半導体層５９の一部分と重なる画素電極５６の部分がドレイン電極Ｄを構
成している。

また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第二の透明基板６０の表面にカラーフィルタ層６１
、オーバーコート層６２及び配向膜６３が設けられた構成を有している。そして、アレイ
基板ＡＲの画素電極５６及び対向電極５５とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層
６１側とが互いに対向するようにアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させ
、その間に液晶ＬＣを封入するとともに、両基板のそれぞれ外側に偏光板６４及び６５を
偏光方向が互いに直交する方向となるように配置することにより、ＩＰＳモードの液晶表
示パネル５０が形成される。

このＩＰＳモードの液晶表示パネル５０は、図７に示したように、画素電極５６と対向
電極５５との間に電界を形成すると、水平方向に配向していた液晶が水平方向に旋回する
ことによりバックライトからの入射光の透過量を制御することができるようになる。この
ＩＰＳモードの液晶表示パネル５０は、広視野角で、高コントラストであるという長所が
あるが、対向電極５５がコモン配線５３ないし走査線５２と同じ金属材料で形成されるた
めに開口率及び透過率が低く、又、視角による色変化があるという問題点が存在する。

このようなＩＰＳモードの液晶表示パネルの低開口率及び低透過率という問題点を解決
するために、いわゆる斜め電界方式ともいうべきＦＦＳモードの液晶表示パネルが開発さ
れている（下記特許文献３〜５参照）。このＦＦＳモードの液晶表示パネルの動作原理を
図８及び図９を用いて説明する。なお、図８はＦＦＳモードの液晶表示パネルの１画素分
の模式平面図であり、図９は図８のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。

このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａは、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板Ｃ
Ｆとを備えている。アレイ基板ＡＲは、第１の透明基板７１の表面にそれぞれ平行に複数
の走査線７２及びコモン配線７３が設けられ、これら走査線７２及びコモン配線７３に直
交する方向に複数の信号線７４が設けられている。そして、走査線７２及び信号線７４で
区画された領域のそれぞれを覆うようにコモン配線７３に接続されたＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等からなる透明材料で形成された共通電極（「対向電極」ともいわれる）７５が
設けられ、この共通電極７５の表面にゲート絶縁膜７６を介してストライプ状に複数のス
リット７７Ａが形成されたＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極７８Ａが設けられている
。そして、この画素電極７８Ａ及び複数のスリット７７Ａの表面は配向膜８０により被覆
されている。

そして、走査線７２と信号線７４との交差位置の近傍にはスイッチング素子としてのＴ
ＦＴが形成されている。このＴＦＴは、走査線７２の表面に半導体層７９が配置され、半
導体層７９の表面の一部を覆うように信号線７４の一部が延在されてＴＦＴのソース電極
Ｓを構成し、半導体層７９の下部の走査線部分がゲート電極Ｇを構成し、また、半導体層
７９の一部分と重なる画素電極７８Ａの部分がドレイン電極Ｄを構成している。

また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第二の透明基板８２の表面にカラーフィルタ層８３
、オーバーコート層８４及び配向膜８５が設けられた構成を有している。そして、アレイ
基板ＡＲの画素電極７８Ａ及び共通電極７５とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ
層８３とが互いに対向するようにアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させ
、その間に液晶ＬＣを封入するとともに、両基板のそれぞれ外側に偏光板８６及び８７を
偏光方向が互いに直交する方向となるように配置することにより、ＦＦＳモードの液晶表
示パネル７０Ａが形成される。

このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａは、画素電極７８Ａと共通電極７５の間に電
界を形成すると、図９に示したように、この電界は画素電極７８Ａの両側で共通電極７５
に向かうため、スリット７７Ａに存在する液晶だけでなく画素電極７８Ａ上に存在する液
晶も動くことができる。そのため、ＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａは、ＩＰＳモー
ドの液晶表示パネル５０よりも広視野角かつ高コントラストであり、更に高透過率である
ため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示
パネル７０Ａは、ＩＰＳモードの液晶表示パネル５０よりも平面視で画素電極７８Ａと共
通電極７５との重複面積が大きいためにより大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容
量線を設ける必要がなくなるという長所も存在する。

なお、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、下記特許文献１に開示されているＩ
ＰＳモードの液晶表示パネルの場合と同様に、表示特性上、ラビング方向は信号線と直交
するのがよく、また画素電極とラビング方向とは微小角度の傾きを設けた方がよいことか
ら、図１０に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｂのように画素電極７８Ｂに設け
るストライプ状のスリット７７Ｂを走査線７２ないしコモン配線７３に対して傾いた構造
とすることが行われており、同じく、視角によって色変化が認められなくなるようにする
ため、図１１に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｃのように、画素電極７８Ｃに
設けるストライプ状のスリット７７Ｃを「く」字状となるように配置してデュアルドメイ
ン化することも、更には、図１２に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｄのように
、信号線７２に対向する部分に設けられるカラーフィルタ基板のブラックマトリクスが直
線状とならないようにし、ブラックマトリクスが目立たない画像表示に適したものとする
ために、信号線７２を走査線７４と直交する方向にクランク状に設けて複数の共通電極及
び画素電極７８Ｄをデルタ配置とすることも行われている。

なお、図１０及び図１１に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｂ及び７０Ｃは、
図８に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａとは画素電極７８Ｂないし７８Ｃに設
けるスリット７７Ｂないし７７Ｃの傾きが相違するのみであり、更に、図１２に示したＦ
ＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｄは、図８に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０
Ａとは画素電極７８Ｄに設けるスリット７７Ｄの傾き及び複数の共通電極及び画素電極７
８Ｄをデルタ配置とした点が相違するのみであるので、図８に示したＦＦＳモードの液晶
表示パネル７０Ａと同一の構成部分については同一の参照符号を付与してその詳細な説明
は省略する。

また、図８〜図１２に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａ〜７０Ｄにおいては
、画素電極に設ける複数のスリットをいずれも走査線に対して横方向に互いに平行に設け
た例を示したが、走査線に対して縦方向に互いに平行に設けることも行われている（図示
せず）。
特開平１０−３１９３７１号公報（段落［０００５］、［００５３］、［００６５］〜［００７７］、図２、図５、図６）特開２００２−１３１７６７号公報（特許請求の範囲、段落［０００６］〜［０００９］、［００１８］〜［００７７］、図１、図３）特開２００２− １４３６３号公報（特許請求の範囲、段落［０００２］〜［００１０］、［００１９］〜［００２６］、図１、図２）特開２００２−２４４１５８号公報（特許請求の範囲、段落［０００２］〜［００１３］、［００２３］〜［００３２］、図１〜図４）特開２００３−１９５３５２号公報（請求項１〜１０、段落［００１３］、［０１５３］〜［０１６４］、図１〜図３）

上述のように、ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルより
も広視野角かつ高コントラストであるとともに、高透過率であるため明るい表示が可能と
なり、更に低電圧駆動ができるとともにより大きな保持容量が副次的に生じるために別途
補助容量線を設けなくても表示画質が良好となるという特徴を備えている。

しかしながら、近年の液晶表示パネルの高精細化に伴って各画素のサイズが非常に小さ
くなってきているが、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては別途補助容量線を設けて
補助容量を形成しないために画素容量を増やすことができない。そのため、ＦＦＳモード
の液晶表示パネルは高精細化が進むにつれてクロストークやフリッカなどの表示不良が目
立つようになってきた。

本発明者等は、このようなＦＦＳモードの液晶表示パネルのクロストークやフリッカな
どの表示不良の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、ＦＦＳモードの液晶表示パネ
ルは画素電極に設けられたスリットとこのスリットの両側に位置する画素電極部分とが有
効な表示領域として機能し、共通電極の周辺領域は有効な表示領域として機能しないこと
から、この共通電極の周辺領域に新たに画素容量を形成することによりクロストークやフ
リッカなどの表示不良を大きく減少させることができることを見出し、本発明を完成する
に至ったのである。

すなわち、本発明は、高精細化されておりながら画素容量が大きくてクロストークやフ
リッカが少なく、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供することを目的
とする。

上記目的を達成するため、本発明のＦＦＳモードの液晶表示パネルは、平行に設けられ
た複数の走査線及びコモン配線と、前記走査線と直交する方向に設けられた複数の信号線
と、前記走査線及び信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、複数の前記走
査線及び信号線で区画された領域に形成されているとともに前記コモン配線に接続された
共通電極と、前記共通電極上に設けられた絶縁膜を介して形成された画素電極と、前記画
素電極に互いに平行に設けられた複数のスリットと、を有するフリンジ・フィールド・ス
ィッチングモードの液晶表示パネルにおいて、前記絶縁膜は複層構造を有し、前記薄膜ト
ランジスタのドレイン電極から延在された画素容量形成領域が前記複層構造の絶縁膜間を
前記共通電極の周縁に沿って形成され、前記画素電極は前記絶縁膜に形成されたコンタク
トホールを経て前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする。

また、本発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、前記スリットは両端が
閉じており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は環状に形成されていることを特徴と
する。

また、本発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、前記スリットは両端が
閉じており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は前記コモン配線側を除いてＵ字状に
形成されていることを特徴とする。

また、本発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、前記スリットは一方端
側が開いており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は前記スリットの開いた側を除い
てコ字状に形成されていることを特徴とする。

また、本発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、前記スリットは一方端
側が開いており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は前記スリットの開いた側及び前
記コモン配線側を除いてＬ字状に形成されていることを特徴とする。

また、本発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、前記ドレイン電極の画
素容量形成領域は前記画素電極のスリットと平面視において重ならないことを特徴とする
。

また、本発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、前記信号線は、前記走
査線と直交する方向にクランク状に設けられており、前記複数の共通電極及び画素電極は
デルタ配置されていることを特徴とする。

本発明は、上記のような構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏
する。すなわち、本発明のＦＦＳモードの液晶表示パネルによれば、薄膜トランジスタの
ドレイン電極の画素容量形成領域が複層構造の絶縁膜間を共通電極の周縁に沿って形成さ
れているため、このドレイン電極の画素容量形成領域と共通電極との間に画素容量が形成
され、しかも、ドレイン電極の画素容量形成領域と共通電極との間の距離は画素電極と共
通電極との間の距離よりも短いため、ドレイン電極の画素容量形成領域と共通電極との間
に大きな画素容量が形成される。したがって、高精細化されることによって各画素のサイ
ズが小さくなっても、効率よく画素容量を大きくでき、クロストークやフリッカが少なく
、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。また、ドレイン電極の画
素容量形成領域を共通電極の周縁に沿って形成したため、ドレイン電極が遮光性材料から
なるものであっても実質的に透過率を落とすことなく画素容量を大きくできるようになる
。

また、本発明のＦＦＳモードの液晶表示パネルによれば、スリットの両端が画素電極に
よって閉じられた形状をしていれば、共通電極の周辺領域全周を有効な画素容量形成領域
として利用できるため、最も大きな画素容量を形成でき、よりクロストークやフリッカが
少なく、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。

また、共通電極の一部はコモン配線と接続されているため、共通電極の周辺領域の全周
に亘ってドレイン電極の画素容量形成領域を形成すると、平面視でコモン配線とドレイン
電極の画素容量形成領域とが重なるため、画素電極の表面に大きな段差が生じ、この箇所
でディスクリネーションが生じる可能性がある。しかしながら、本発明のＦＦＳモードの
液晶表示パネルによれば、ドレイン電極の画素容量形成領域を共通電極の周辺領域のうち
コモン配線側を除いてＵ字状に延在するように形成したため、前述のように画素電極に大
きな段差が生じることがなくなり、ディスクリネーションが発生し難い良好な表示画質の
ＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。

また、本発明のＦＦＳモードの液晶表示パネルによれば、スリットの一方端側が開いた
形状をしていれば、このスリットが開いた側を除いたコ字状の共通電極の周辺領域を有効
な画素容量形成領域として利用して大きな画素容量を形成できるため、クロストークやフ
リッカが少なく、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。

また、本発明のＦＦＳモードの液晶表示パネルによれば、スリットの一方端側が開いた
形状であっても、ドレイン電極の画素容量形成領域を共通電極の周辺領域のうちコモン配
線側を除いてＬ字状に形成したため、ディスクリネーションが発生し難く、しかもクロス
トークやフリッカが少なく、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる
。

また、本発明のＦＦＳモードの液晶表示パネルによれば、延在された画素容量形成領域
は画素電極のスリットと平面視において重ならないようになされているため、各画素の透
過率を減少させずに画素容量を増加させることができるようになる。

また、本発明のＦＦＳモードの液晶表示パネルによれば、信号線を走査線と直交する方
向にクランク状に設けて複数の共通電極及び画素電極をデルタ配置（トライアングル配置
ということもある）としたため、信号線に対向する部分に設けられるブラックマトリクス
が直線状とならないために目立たず、前記の本発明の効果を奏しながらも画像表示に適し
たＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。

以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するためのＦＦＳモードの液晶表示パネルを例示するもの
であって、本発明をこのＦＦＳモードの液晶表示パネルに特定することを意図するもので
はなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものであ
る。

実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａを製造工程順に図１〜図３を用いて説
明する。なお、図１は実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を
透視して表した２画素分の概略平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であ
り、また、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

この実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板
等の透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり表面がＭｏ金属からなる２
層膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によってＭｏ／Ａｌの２層
配線からなる複数の走査線１２及び複数のコモン配線１３を互いに平行になるように形成
されている。アルミニウムは抵抗値が小さいという長所を持っているが、その反面、腐食
しやすい、ＩＴＯとの接触抵抗が高いなどの欠点があるため、アルミニウムをモリブデン
で覆った多層構造にすることでそうした欠点を改善できる。なお、ここではコモン配線１
３を走査線に沿って設けた例を示したが、隣り合う走査線１２の中間に設けてもよい。

次いで、走査線１２及びコモン配線１３を形成した透明基板１１の表面全体に亘って例
えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチン
グ法によって共通電極１４を形成する。この共通電極１４はコモン配線１３とは電気的に
接続されているが、走査線１２ないしゲート電極Ｇとは接続されていない。更に、この表
面全体に窒化硅素層ないしは酸化硅素層からなるゲート絶縁膜１５を被覆し、次いで、Ｃ
ＶＤ法によりたとえばアモルファス・シリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層をゲート
絶縁膜１５の表面全体に亘って被覆した後に、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチ
ング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層からなる半導体層１６を形成する。この半
導体層１６が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する
。

次いで、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層を半導体層１６を形成した透明基板１
１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって
、信号線１７及びドレイン電極Ｄを形成する。この信号線１７のソース電極Ｓ部分及びド
レイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表面に部分的に重なっている。また、ドレ
イン電極Ｄは更に共通電極１４の表面に設けられたゲート絶縁膜１５上を平面視で共通電
極１４の周縁に沿って環状に延在され、画素容量形成領域Ｄ１が形成されている。更に、
この基板の表面全体に窒化硅素層からなる絶縁膜１８を被覆する。

次いで、ドレイン電極Ｄに対応する位置の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成し
てドレイン電極Ｄの一部を露出させる。更に、この表面全体に亘って例えばＩＴＯからな
る透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図
１に示したパターンとなるように、走査線１２及び信号線１７で囲まれた領域の絶縁膜１
８上に両端が閉じたスリット２０を有する画素電極２１を形成する。そうすると、この画
素電極２１はコンタクトホール１９を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続される。

さらに、この表面全体に亘り所定の配向膜２４を形成することによりアレイ基板ＡＲが
完成される。そして、このようにして製造されたアレイ基板ＡＲと別途製造されたカラー
フィルタ基板とを対向させ、周囲をシール材でシールして両基板間に液晶を注入すること
により実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａが得られる。なお、カラーフィ
ルタ基板の構成は上述した従来例のものと実質的に差異はないので、その詳細な説明は省
略する。

このようにして得られた実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａにおいては、
ＴＦＴのドレイン電極Ｄはゲート絶縁膜１５の表面を共通電極１４の周縁に沿って延在さ
れて画素容量形成領域Ｄ１が形成されている。そうすると、実施例１のＦＦＳモードの液
晶表示パネル１０Ａにおいては、共通電極１４はゲート絶縁膜１５と絶縁膜１８を介して
画素電極２１と対向しており、また、ゲート絶縁膜１５を介してドレイン電極Ｄの画素容
量形成領域Ｄ１と対向していることになる。したがって、実施例１のＦＦＳモードの液晶
表示パネル１０Ａにおいては、共通電極１４と画素電極２１との間に画素容量が形成され
るとともに、新たに共通電極１４とドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１との間にも画
素容量が形成されることとなる。

このドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１は平面視で画素電極２１の一部を共通電極
１４から遮蔽する形になるが、共通電極１４とドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１と
の間に形成される容量は、共通電極１４とドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１との間
の距離が画素電極２１と共通電極１４との間の距離よりも短いので、大きな容量が得られ
る。したがって、実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａは、高精細化されるこ
とによって各画素のサイズが小さくなっても、効率よく画素容量を大きくでき、クロスト
ークやフリッカが少なく、良好な表示画質が得られるようになる。

加えて、実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａにおいては、画素電極２１の
周縁部ないし共通電極１４の周縁部は動作原理上実質的に有効な画像表示には利用されて
いない領域であるから、ドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１を共通電極１４の周縁に
沿って形成したため、ドレイン電極Ｄが遮光性材料で形成されても、実質的に透過率を落
とすことなく画素容量を大きくできるようになる。

実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａにおいては、画素電極２１に設けるス
リット２０を両端が閉じたものとし、ドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１を共通電極
１４の周縁に沿って形成した例を示したが、共通電極１４の一部はコモン配線と接続され
ているため、共通電極１４の周辺領域の全周に亘ってドレイン電極Ｄの画素容量形成領域
Ｄ１を形成すると、平面視でコモン配線１３とドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１と
が重なるため、画素電極２１の表面が大きく盛り上がる箇所が生じ、この箇所でディスク
リネーションが生じる可能性がある。

そこで、画素電極の表面が大きく盛り上がる箇所が生じないようにした実施例２のＦＦ
Ｓモードの液晶表示パネル１０Ｂを図４を用いて説明する。なお、図４は実施例２のＦＦ
Ｓモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した２画素分の概略平面図
である。また、実施例２の液晶表示パネル１０Ｂにおいては図１〜図３に示した実施例１
のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分については同一の参照符号を付
与してその詳細な説明は省略する。

この実施例２のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｂが実施例１の液晶表示パネル１０
Ａと構成が相違する点は、ドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１を共通電極１４の周辺
領域のうちコモン配線１３側を除いてＵ字状に延在するように形成した点である。

この実施例２のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｂによれば、平面視でコモン配線１
３とドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１とが重なっていないため、画素電極２１の表
面が大きく盛り上がることがなくなり、ディスクリネーションが生じる可能性が減少する
。なお、信号線１７に沿ったＵ字状のドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１の延在部分
の長さは、必ずしも図４に示したようにコモン配線１３の近傍にまで延在させる必要はな
く、必要な画素容量を考慮の上で適宜の長さだけ延在させればよい。

実施例１及び実施例２のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａ及び１０Ｂにおいては、
画素電極２１に設けるスリット２０を両端が閉じたものの例を示したが、ＦＦＳモードの
液晶表示パネルとしては画素電極に設けるスリットの一方端側が開いた形状のものも知ら
れている。このような画素電極に設けるスリットとして一方端側が開いた形状のものを用
いた実施例３のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｃを図５を用いて説明する。なお、図
５は実施例３の液晶表示パネル１０Ｃのカラーフィルタ基板を透視して表した２画素分の
概略平面図であり、また図５においては図４に示した実施例２のＦＦＳモードの液晶表示
パネル１０Ｂと同一の構成部分については同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省
略する。

この実施例３のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｃが実施例２のＦＦＳモードの液晶
表示パネル１０Ｂと構成が相違する点は、ＦＦＳモードの液晶表示パネルとしては画素電
極に設けるスリットの一方端側が開いた形状のものとし、かつ、スリットの一方端側が開
いた形状をしていればこのスリットが開いた側には物理的にドレイン電極Ｄの画素容量形
成領域Ｄ１を延在させることができないので省略し、ドレイン電極Ｄの画素容量形成領域
Ｄ１を共通電極の周辺領域のうちコモン配線側を除いてＬ字状に形成した点である。

この実施例３のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｃによれば、平面視でコモン配線１
３とドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１とが重なっていないため、画素電極２１の表
面が大きく盛り上がることがなくなり、実施例２のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｂ
の場合と同様に、ディスクリネーションが生じる可能性が減少する。なお、信号線１７に
沿ったＬ字状のドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１の延在部分の長さは、必ずしも図
５に示したようにコモン配線１３の近傍にまで延在させる必要はなく、必要な画素容量を
考慮の上で適宜の長さだけ延在させればよい。また、実施例３のＦＦＳモードの液晶表示
パネル１０Ｃにおいて、より大きな画素容量の形成が必要であれば、実施例１のＦＦＳモ
ードの液晶表示パネル１０Ａの場合と同様に、ドレイン電極Ｄの画素容量形成領域Ｄ１を
コモン配線１３側の共通電極１４の周縁側にも設けて、ドレイン電極Ｄの画素容量形成領
域Ｄ１の延在部分の形状がコ字状となるようにしてもよい。

なお、実施例１〜３においては、画素電極２１に設ける複数のスリット２０をいずれも
走査線１２に対して横方向に互いに平行に傾いた例を示したが、縦方向に互いに平行に傾
くようにしてもよく、更に、従来例として図１１に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル
７０Ｃのように、画素電極に設けるスリット２０を「く」字状となるように配置してデュ
アルドメイン化するようにしてもよい。このようにスリット２０を「く」字状に配置して
デュアルドメイン化する際には、異なる方向に傾斜したスリット２０の本数を同一にする
と視角による色変化が生じないので好ましく、また、異なる方向に傾けたスリット２０の
それぞれのうち、互いに最も近接する位置にあるスリット２０の端部を結合するとともに
平面視でこの位置にコモン配線１３が配置されるようにすると、この部分に生じるディス
クリネーション部分を遮光できるので好ましい。

また、実施例１〜３においては、走査線１２及び信号線１７として互いに直線状に直交
するように設けられた例を示したが、従来例として図１２に示したＦＦＳモードの液晶表
示パネル７０Ｄのように、信号線１７に対向する部分に設けられるカラーフィルタ基板の
ブラックマトリクスが直線状とならないようにして、ブラックマトリクスが目立たない画
像表示に適したものとするために、信号線１７を走査線１２と直交する方向にクランク状
に設けて複数の共通電極１４及び画素電極２１がデルタ配置となるようにしてもよい。

実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した２画素分の概略平面図である。図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である、実施例２のＦＦＳモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した２画素分の概略平面図である。実施例３のＦＦＳモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した２画素分の概略平面図である。ＩＰＳモードの液晶表示パネルの１画素分の模式平面図である。図６のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。ＦＦＳモードの液晶表示パネルの１画素分の模式平面図である。図８のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。別の従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの模式平面図である。更に別の従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの模式平面図である。デルタ配置のＦＦＳモードの液晶表示パネルの模式平面図である。

符号の説明

１０Ａ〜１０ＣＦＦＳモードの液晶表示パネル
１１透明基板
１２走査線
１３コモン配線
１４共通電極
１５ゲート絶縁膜
１６半導体層
１７信号線
１８絶縁膜
１９コンタクトホール
２０スリット
２１画素電極
２４配向膜
Ｄ１画素容量形成領域

Claims

平行に設けられた複数の走査線及びコモン配線と、前記走査線と直交する方向に設けら
れた複数の信号線と、前記走査線及び信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタ
と、複数の前記走査線及び信号線で区画された領域に形成されていると共に前記コモン配
線に接続された共通電極と、前記共通電極上に設けられた絶縁膜を介して形成された画素
電極と、前記画素電極に互いに平行に設けられた複数のスリットと、を有するフリンジ・
フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネルにおいて、
前記絶縁膜は複層構造を有し、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極から延在された画素容量形成領域が前記複層構造
の絶縁膜間を前記共通電極の周縁に沿って形成され、
前記画素電極は前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを経て前記ドレイン電極と電
気的に接続されていることを特徴とするフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液
晶表示パネル。
前記スリットは両端が閉じており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は環状に形成
されていることを特徴とする請求項１に記載のフリンジ・フィールド・スィッチングモー
ドの液晶表示パネル。
前記スリットは両端が閉じており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は前記走査線
と反対側を除いてＵ字状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフリンジ・
フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネル。
前記スリットは一方端側が開いており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は前記ス
リットの開いた側を除いてコ字状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフ
リンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネル。
前記スリットは一方端側が開いており、前記ドレイン電極の画素容量形成領域は前記ス
リットの開いた側及び前記走査線と反対側を除いてＬ字状に形成されていることを特徴と
する請求項１に記載のフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネル。
前記ドレイン電極の画素容量形成領域は前記画素電極のスリットと平面視において重な
らないことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のフリンジ・フィールド・スィッ
チングモードの液晶表示パネル。
前記信号線は、前記走査線と直交する方向にクランク状に設けられており、前記複数の
共通電極及び画素電極はデルタ配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載のフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネル。