TWI471573B - 顯示裝置及其電路板模組 - Google Patents

Description

顯示裝置及其電路板模組

本發明係關於一種顯示裝置，且特別係關於一種顯示裝置及其電路板模組。

由於液晶顯示裝置具有體積小的優勢，其在現代生活中已成為主流顯示器之一。在一般的液晶顯示裝置中，製造者可利用軟膜覆晶技術(chip on film,COF)將晶片設置在軟性電路板上，並將軟性電路板跨接於薄膜電晶體與印刷電路板之間。

為了使軟性電路板能夠電性連接印刷電路板，製造者通常會利用異方性導電膜(anisotropic conductive film,ACF)來做為電性連接的橋樑。在電性連接的過程中，工作人員必須施力於軟性電路板或印刷電路板，以壓縮異方性導電膜中的導電粒子。當導電粒子被壓縮至一定程度時，即可實現電性連接的功能。因此，判斷導電粒子是否被壓縮實為判斷軟性電路板與印刷電路板是否電性連接的重要關鍵之一。

然而，目前工作人員必須先將顯微鏡調整至特定的偏光狀態下，觀察印刷電路板的線路上導電粒子的壓痕以判斷是否成功電性連接，然而此種判斷方法依賴工作人員的經驗，無量化標準而容易造成誤判。

有鑑於此，本發明之一目的係在於提供一種顯示裝置及其電路板模組，其可供工作人員在將顯微鏡調整至特定偏光狀態下，可依照量化標準精準判斷導電粒子是否達到期望的壓縮量。

為了達到上述目的，依據本發明之一實施方式，一種電路板模組可包含一第一電路板、一導電結構、一第一凸塊、一第二電路板以及一導電膜。第一電路板具有一承載面。承載面具有一法線方向。導電結構係設置於承載面上。導電結構在承載面之法線方向上具有一第一最大厚度T1。第一凸塊係設置於承載面上。第一凸塊在承載面之法線方向上具有一第二最大厚度T2。第一凸塊具有一頂面以及一第一凹槽。頂面係相對承載面。第一凹槽係凹設於頂面。第二電路板係設置於導電結構與第一凸塊上。導電膜係夾設於第二電路板與導電結構之間。導電膜具有複數導電粒子。這些導電粒子尚未壓縮時平均具有一粒子直徑D，其中0<T2-T1≦D。

依據本發明之另一實施方式，顯示裝置包含一顯示面板、一第一電路板、一第二電路板、一導電結構、一第 一凸塊以及一導電膜。第二電路板係跨接顯示面板與第一電路板。第一電路板具有一承載面。承載面具有一法線方向。導電結構係設置於承載面上。導電結構在承載面之法線方向上具有一第一最大厚度T1。第一凸塊係設置於承載面上。第一凸塊在承載面之法線方向上具有一第二最大厚度T2。第一凸塊具有一頂面以及一第一凹槽。頂面係相對承載面。第一凹槽係凹設於頂面。導電膜係夾設於第二電路板與導電結構之間。導電膜具有複數導電粒子。這些導電粒子尚未壓縮時平均具有一粒子直徑D，其中0<T2-T1≦D。

於上述實施方式中，由於第一凸塊具有第一凹槽，故當工作人員壓迫第二電路板，而使得導電粒子被壓縮時，部分第二電路板會凹陷入第一凹槽中，而抵壓第一凹槽中的表面，從而產生壓痕。因此，工作人員可藉由第一凸塊上是否出現壓痕，來判斷導電粒子是否被壓縮，而減少誤判。

以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

10‧‧‧顯示裝置

100‧‧‧顯示面板

200‧‧‧第一電路板

210‧‧‧承載面

220‧‧‧導電圖案

300‧‧‧導電結構

400‧‧‧導電膜

410,420‧‧‧導電粒子

500‧‧‧第二電路板

510‧‧‧晶片

600‧‧‧第一凸塊

610‧‧‧頂面

620‧‧‧第一凹槽

630‧‧‧抵壓面

700‧‧‧第二凸塊

710‧‧‧頂面

720‧‧‧第二凹槽

730‧‧‧抵壓面

800‧‧‧第三凸塊

810‧‧‧頂面

820‧‧‧第三凹槽

830‧‧‧抵壓面

900‧‧‧第四凸塊

910‧‧‧頂面

920‧‧‧第四凹槽

930‧‧‧抵壓面

A-A’‧‧‧線

D‧‧‧粒子直徑

N‧‧‧法線方向

T1‧‧‧第一最大厚度

T2‧‧‧第二最大厚度

P1,P2,P3‧‧‧最大深度

R‧‧‧參考線

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依據本發明第一實施方式之顯示裝置的局 部俯視圖；第2圖繪示第1圖之顯示裝置沿著A-A’線所剖的局部剖面圖；第3圖繪示第2圖之第二電路板被壓迫後的一狀態的局部剖面圖；第4圖繪示第2圖之第二電路板被壓迫後的另一狀態的局部剖面圖；第5圖繪示依據本發明第二實施方式之第一電路板與其上方的凸塊結構之局部剖面圖；第6圖繪示依據本發明第三實施方式之第一電路板與其上方的凸塊結構之局部剖面圖；第7圖繪示依據本發明第四實施方式之第一電路板與其上方的凸塊結構之剖面圖；第8圖繪示依據本發明第五實施方式之第一電路板與其上方的凸塊結構之剖面圖；以及第9圖繪示第8圖之第一電路板沿著B-B’線所剖的局部剖面圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，熟悉本領域之技術人員應當瞭解到，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節並非必要的，因此不應用以限制本發明。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的 結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第一實施方式

第1圖繪示依據本發明第一實施方式之顯示裝置10的局部俯視圖。如第1圖所示，本實施方式之顯示裝置10可包含一顯示面板100、一第一電路板200、一第二電路板500以及一晶片510。第二電路板500跨接顯示面板100與第一電路板200。進一步來說，第二電路板500之一邊緣(例如圖中的上邊緣)上的導電圖案或走線可電性連接顯示面板100的薄膜電晶體(未示於圖中)，而第二電路板500之另一邊緣(例如圖中的下邊緣)上的導電圖案或走線可電性連接第一電路板200上的導電結構。晶片510可利用軟膜覆晶技術(chip on film,COF)設置於第二電路板500上，其可用以驅動顯示面板100作動。

第2圖繪示第1圖之顯示裝置10沿著A-A’線所剖的局部剖面圖。於本實施方式中，如第2圖所示，顯示裝置10包含一第一電路板200以及一導電膜400。第一電路板200具有一承載面210。第一電路板200包含導電結構300。導電結構300係設置於承載面210上。第一電路板200具有一導電圖案220，導電圖案220接觸導電結構300，以電性連接導電結構300與第一電路板200上的電子元件(如電阻器或電容器等等，未示於圖中)。導電膜400係夾設於第二電路板500與導電結構300之間。導電膜400可為異方性導電膜(anisotropic conductive film,ACF)，其具有複數 導電粒子410。第二電路板500可藉由壓焊製程，被工作人員朝導電結構300壓迫，從而壓縮導電粒子410。當導電粒子410被壓縮至一定程度時，其可電性連接第二電路板500與導電結構300。應瞭解到，為利於圖式的清晰，在本圖中僅繪示出單一顆導電粒子410。

為了使工作人員判斷導電粒子410是否被壓縮，本實施方式之第一電路板200還包含第一凸塊600。第一凸塊600係設置於第一電路板200之承載面210。第一凸塊600具有頂面610、第一凹槽620以及抵壓面630。頂面610係相對第一電路板200之承載面210，亦即，頂面610係第一凸塊600上最遠離承載面210的表面。第一凹槽620係凹設於頂面610。抵壓面630係位於第一凹槽620內，於此實施例中平行於頂面610。承載面210具有一法線方向N。導電結構300在承載面210之法線方向N上具有一第一最大厚度T1。第一凸塊600在承載面210之法線方向N上具有一第二最大厚度T2。也就是說，第一最大厚度T1係代表沿著法線方向N，所量到的導電結構300之最大尺寸。相似地，第二最大厚度T2係代表沿著法線方向N，所量到的第一凸塊600之最大尺寸。這些導電粒子410尚未壓縮時平均具有一粒子直徑D。換句話說，粒子直徑D為所有未壓縮的導電粒子410之直徑的平均值。第一最大厚度T1、第二最大厚度T2與粒子直徑D之間的關係滿足：0<T2-T1≦D。

換句話說，第一凸塊600之第二最大厚度T2至少 大於導電結構300之第一最大厚度T1。如此一來，當部分第二電路板500平躺於第一凸塊600之頂面610上時，導電結構300與另一部分之第二電路板500之間可存在導電粒子410。如第3圖及第4圖所示，當工作人員壓迫第二電路板500時，部分的第二電路板500會凹陷入第一凹槽620中。其中，第二電路板500於第一凹槽620上的凹陷量與導電粒子420的被壓縮量大致相同，如第3圖及第4圖的參考線R所示，第二電路板500凹陷部份的最低點與第二電路板500壓縮導電粒子420部份的高度大致相同。於壓焊過程中，未變形的導電粒子410(請參閱第2圖)會被壓縮成變形的導電粒子420(請參閱第3圖)，此時導電粒子420被壓縮的量還不足以使第二電路板500於第一凹槽620上的凹陷部份接觸到抵壓面630。當工作人員繼續壓迫時，導電粒子420可繼續被壓縮，直到其被壓縮的量足以使第二電路板500於第一凹槽620上的凹陷部份接觸到抵壓面630(請參閱第4圖)，即可產生壓痕。換句話說，上述壓痕係代表第二電路板500的壓焊深度足夠深而接觸到抵壓面630的痕跡。因此，工作人員可藉由第二電路板500對應第一凸塊600處是否出現壓痕，來判斷出導電粒子420是否已被壓縮到預期程度。

於本實施方式中，如第2圖所示，第一凸塊600之第二最大厚度T2與導電結構300之第一最大厚度T1之間的差值約等於粒子直徑D，而第一凹槽620在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P1。如此一來，當壓痕出 現時，第一凹槽620的最大深度P1即可代表變形後的導電粒子420(可參閱第3圖)的壓縮程度。舉例來說，若最大深度P1為1微米，則當壓痕出現時，變形後的導電粒子420之厚度會降低至少1微米。因此，工作人員可藉由第一凹槽620的最大深度P1判斷變形後的導電粒子420的壓縮程度是否足夠，亦即，導電粒子420之高度是否被壓縮而降低1微米以上。

應瞭解到，於本申請案全文所述之「約等於」係代表誤差範圍係小於15%，較佳係小於10%，而更佳係小於5%。

於本實施方式中，如第2及第4圖所示，當未變形的導電粒子410被壓縮成變形的導電粒子420後，導電粒子420會呈扁平的橢圓狀。變形後的導電粒子420具有一粒子高度H。此粒子高度H係代表沿著法線方向N所量到變形後的導電粒子420之尺寸。經觀察發現，當H/D>80%時，則變形後的導電粒子420尚未破裂，而不易電性連接第二電路板500與導電結構300；相反地，當H/D<20%，則變形後的導電粒子420會因為受到過度的壓力，而不易電性連接第二電路板500與導電結構300。因此，粒子高度H與未變形的導電粒子410之粒子直徑D之間的關係較佳滿足20%≦H/D≦80%，以利變形後的導電粒子420電性連接第二電路板500與導電結構300。

因此，於本實施方式中，如第2圖所示，第一凹槽620的最大深度P1較佳可滿足0.2×D≦P1≦0.8×D。如此一 來，當第一凸塊600上出現壓痕時，粒子高度H最多為未變形的導電粒子410之粒子直徑D的80%，以利變形後的導電粒子420可電性連接第二電路板500與導電結構300。故工作人員可根據壓痕的出現與否，來判斷第二電路板500與導電結構300是否電性連接。

於本實施方式中，第一凸塊600之材料可為絕緣材料，以避免對第一電路板200上的電子元件(未示於本圖中)、或是第二電路板500上的晶片510(可參閱第1圖)產生不必要的電性影響。於其他實施方式中，第一凸塊600之材料可為導電材料，但第一凸塊600不與第一電路板200之導電圖案220或其他電路走線相接觸，以避免對第一電路板200上的電子元件(未示於本圖中)、或是第二電路板500上的晶片510(可參閱第1圖)產生不必要的電性影響。

於本實施方式中，第一凸塊600上不具有導電膜400。於其他實施方式中，第一凸塊600上則可覆蓋導電膜400，也就是說，第一凸塊600與導電結構300均可被導電膜400所覆蓋，故工作人員在設置導電膜400時，可無須刻意避開第一凸塊600，而利於製程的簡化。當第二電路板500被壓迫時，第一凸塊600上的導電膜400及其導電粒子410會被壓縮至第一凹槽620中。

於本實施方式中，第二電路板500可為可撓性印刷電路板(flexible printed circuit,FPC)，但本發明並不以此為限。第一電路板200可為印刷電路板(printed circuit board,PCB)，但本發明並不以此為限。

第二實施方式

第5圖繪示依據本發明第二實施方式之第一電路板200與其上方的凸塊結構之局部剖面圖。本實施方式與第一實施方式之間的主要差異係在於：本實施方式之顯示裝置還包含一第二凸塊700，第一凸塊600與第二凸塊700兩者均設置於第一電路板200之承載面210上。第二凸塊700具有一頂面710、一第二凹槽720以及一抵壓面730。第二凹槽720係凹設於頂面710，抵壓面730係位於第二凹槽720內。第一凸塊600係如同前述實施方式所載，其第一凹槽620在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P1。第二凹槽720在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P2，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，且0<P2<0.2×D，其中D為未變形的導電粒子410的粒子直徑(可參閱第2圖)。

當第二電路板500(可參閱第3圖)受到壓迫，卻只觀察到第二凸塊700上出現壓痕，而第一凸塊600上未出現壓痕時，代表導電粒子420(可參閱第3圖)雖被壓縮，但尚未破裂，而不易電性連接導電結構300(可參閱第3圖)與第二電路板500。因此，當對第二電路板500的壓焊製程完成後，工作人員可觀察第一凸塊600及第二凸塊700上是否均出現壓痕，以判斷導電粒子420的壓縮程度是否足以使其電性連接導電結構300。另外，在壓焊的過程中，工作人員亦可觀察是否僅第二凸塊700上出現壓痕，當僅第二凸塊700上出現壓痕時，工作人員可繼續壓迫第二電路板 500，直到第一凸塊600上出現壓痕時，即可停止壓迫。

本實施方式之其他技術特徵係如同第一實施方式所述，故不重複敘述。

第三實施方式

第6圖繪示依據本發明第三實施方式之第一電路板200與其上方的凸塊結構之局部剖面圖。本實施方式與第一實施方式之間的主要差異係在於：本實施方式之顯示裝置還包含一第三凸塊800，第一凸塊600與第三凸塊800兩者均設置於第一電路板200之承載面210上。第三凸塊800具有一頂面810、一第三凹槽820以及一抵壓面830。第三凹槽820係凹設於頂面810，抵壓面830係位於第三凹槽820內。第一凸塊600係如同第一實施方式所載，其第一凹槽620在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P1。第三凹槽820在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P3，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，且P3>0.8×D，其中D為未變形的導電粒子410的粒子直徑(可參閱第2圖)。

當對第二電路板500(可參閱第3圖)的壓焊製程完成後，工作人員觀察第一凸塊600上出現壓痕，而第三凸塊800上未出現壓痕時，即可判斷導電粒子420的壓縮率在0.2~0.8之間，此時變形後的導電粒子420(可參閱第3圖)可電性連接導電結構300(可參閱第3圖)與第二電路板500。當對第二電路板500的壓焊製程完成後，工作人員觀察第一凸塊600與第三凸塊800上均出現壓痕時，即可判 斷導電粒子420的壓縮率大於0.8，此時變形後的導電粒子420所承受的壓力過大，而不易電性連接第二電路板500與導電結構300。

另外，在壓焊的過程中，當工作人員觀察到僅第一凸塊600上出現壓痕，而第三凸塊800上未出現壓痕時，可停止壓迫第二電路板500。

本實施方式之其他技術特徵係如同第一實施方式所述，故不重複敘述。

第四實施方式

第7圖繪示依據本發明第四實施方式之第一電路板200與其上方的凸塊結構之局部剖面圖。本實施方式與第一實施方式之間的主要差異係在於：本實施方式之顯示裝置還包含一第二凸塊700以及一第三凸塊800。第一凸塊600、第二凸塊700及第三凸塊800三者均設置於第一電路板200之承載面210上。

第一凸塊600係如同第一實施方式所述，其第一凹槽620在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P1。第二凸塊700係如同第二實施方式所述，其第二凹槽720在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P2。第三凸塊800係如同第三實施方式所述，其第三凹槽820在承載面210之法線方向N上具有一最大深度P3。其中0.2×D≦P1≦0.8×D，0<P2<0.2×D，且P3>0.8×D，其中D為未變形的導電粒子410的粒子直徑(可參閱第2圖)。

當對第二電路板500(可參閱第3圖)的壓焊製程完成後，工作人員觀察第二凸塊700上出現壓痕，而第一凸塊600及第三凸塊800上未出現壓痕時，可判斷變形後的導電粒子420(可參閱第3圖)雖被壓縮但尚未破裂，而不易電性連接導電結構300(可參閱第3圖)與第二電路板500。當對第二電路板500的壓焊製程完成後，工作人員觀察第一凸塊600及第二凸塊700上均出現壓痕，而第三凸塊800上未出現壓痕時，可判斷變形後的導電粒子420已破裂，而易於電性連接導電結構300與第二電路板500。當對第二電路板500的壓焊製程完成後，工作人員觀察第一凸塊600、第二凸塊700及第三凸塊800上均出現壓痕時，可判斷變形後的導電粒子420所受的壓力過大，而不易電性連接第二電路板500與導電結構300。

另外，在壓焊的過程中，當工作人員觀察到僅第二凸塊700上出現壓痕，而第一凸塊600上未出現壓痕時，可繼續壓迫第二電路板500，使第一凸塊600上出現壓痕，並在第三凸塊800上出現壓痕前，停止壓迫。

本實施方式之其他技術特徵係如同第一實施方式所述，故不重複敘述。

第五實施方式

第8圖繪示依據本發明第五實施方式之第一電路板200與其上方的導電結構300與凸塊結構之上視圖，第9圖繪示第8圖之第一電路板200沿著B-B’線所剖的局部剖 面圖。如第8及第9圖所示，本實施方式與第一實施方式之間的主要差異係在於：本實施方式之顯示裝置還包含一第四凸塊900。第一凸塊600與第四凸塊900均係設置於承載面210上，且分別位於導電結構300之相對兩側。第一凸塊600與第四凸塊900可對稱地設置，也就是說，第一凸塊600與導電結構300之間的最短距離可等於第四凸塊900與導電結構300之間的最短距離。

第四凸塊900具有一頂面910、一第四凹槽920以及一抵壓面930。第四凹槽920係凹設於頂面910，抵壓面930係位於第四凹槽920內。第一凸塊600係如同第一實施方式所述，其第一凹槽620與第四凸塊900的第四凹槽920可為等深的，如此可幫助工作人員判斷多個導電結構300的相對兩側的壓焊深度是否相等，以判斷多個導電粒子420(可參閱第3圖)的壓縮程度是否相等。

本實施方式之其他技術特徵係如同第一實施方式所述，故不重複敘述。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧顯示裝置

200‧‧‧第一電路板

210‧‧‧承載面

220‧‧‧導電圖案

300‧‧‧導電結構

400‧‧‧導電膜

410‧‧‧導電粒子

500‧‧‧第二電路板

600‧‧‧第一凸塊

610‧‧‧頂面

620‧‧‧第一凹槽

630‧‧‧抵壓面

D‧‧‧粒子直徑

N‧‧‧法線方向

T1‧‧‧第一最大厚度

T2‧‧‧第二最大厚度

P1‧‧‧最大深度

Claims (18)

1. 一種電路板模組，包含：一第一電路板，具有一承載面，該承載面具有一法線方向，該第一電路板包含：一導電結構，設置於該承載面上，該導電結構在該承載面之該法線方向上具有一第一最大厚度T1；一第一凸塊，設置於該承載面上，該第一凸塊在該承載面之該法線方向上具有一第二最大厚度T2，該第一凸塊具有一頂面以及一第一凹槽，該頂面係相對該承載面，該第一凹槽係凹設於該頂面；一第二電路板，設置於該導電結構與該第一凸塊上；以及一導電膜，夾設於該第二電路板與該導電結構之間，該導電膜具有複數導電粒子，該些導電粒子尚未壓縮時平均具有一粒子直徑D，其中0<T2-T1≦D。
2. 如請求項1所述之電路板模組，其中部分之該第二電路板係凹陷入該第一凹槽中。
3. 如請求項2所述之電路板模組，其中該第一凸塊具有一抵壓面，該抵壓面係位於該第一凹槽內，凹陷入該第一凹槽中的部分該第二電路板抵壓該抵壓面。
4. 如請求項1所述之電路板模組，其中該第一凹槽在該承載面之該法線方向上具有一最大深度P1，其中0.2×D ≦P1≦0.8×D。
5. 如請求項1所述之電路板模組，更包含：一第二凸塊，設置於該承載面上，其中該第二凸塊具有一第二凹槽，該第一凹槽與該第二凹槽在該承載面之該法線方向上分別具有一最大深度P1以及一最大深度P2，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，且0<P2<0.2×D。
6. 如請求項1所述之電路板模組，更包含：一第三凸塊，設置於該承載面上，其中該第三凸塊具有一第三凹槽，該第一凹槽與該第三凹槽在該承載面之該法線方向上分別具有一最大深度P1以及一最大深度P3，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，且P3>0.8×D。
7. 如請求項1所述之電路板模組，更包含：一第二凸塊，設置於該承載面上，其中該第二凸塊具有一第二凹槽；以及一第三凸塊，設置於該承載面上，其中該第三凸塊具有一第三凹槽，其中該第一凹槽、該第二凹槽與該第三凹槽在該承載面之該法線方向上分別具有一最大深度P1、一最大深度P2及一最大深度P3，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，0<P2<0.2×D，且P3>0.8×D。
8. 如請求項1所述之電路板模組，更包含：一第四凸塊，設置於該承載面上，該第四凸塊具有一第 四凹槽，且該第一凸塊與該第四凸塊分別位於該導電結構之相對兩側。
9. 如請求項1所述之電路板模組，其中該第二最大厚度T2與該第一最大厚度T1之間的差值約等於該粒子直徑D。
10. 一種顯示裝置，包含：一顯示面板；一第一電路板；一第二電路板，其中該第二電路板係跨接該顯示面板與該第一電路板，該第一電路板具有一承載面，該承載面具有一法線方向；一導電結構，設置於該承載面上，該導電結構在該承載面之該法線方向上具有一第一最大厚度T1；一第一凸塊，設置於該承載面上，該第一凸塊在該承載面之該法線方向上具有一第二最大厚度T2，該第一凸塊具有一頂面以及一第一凹槽，該頂面係相對該承載面，該第一凹槽係凹設於該頂面；以及一導電膜，夾設於該第二電路板與該導電結構之間，該導電膜具有複數導電粒子，該些導電粒子尚未壓縮時平均具有一粒子直徑D，其中0<T2-T1≦D。
11. 如請求項10所述之顯示裝置，其中部分之該第二電路板係凹陷入該第一凹槽中。
12. 如請求項11所述之顯示裝置，其中該第一凸塊具有一抵壓面，該抵壓面係位於該第一凹槽內，凹陷入該第一凹槽中的部分該第二電路板抵壓該抵壓面。
13. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該第一凹槽在該承載面之該法線方向上具有一最大深度P1，其中0.2×D≦P1≦0.8×D。
14. 如請求項10所述之顯示裝置，更包含：一第二凸塊，設置於該承載面上，其中該第二凸塊具有一第二凹槽，該第一凹槽與該第二凹槽在該承載面之該法線方向上分別具有一最大深度P1以及一最大深度P2，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，且0<P2<0.2×D。
15. 如請求項10所述之顯示裝置，更包含：一第三凸塊，設置於該承載面上，其中該第三凸塊具有一第三凹槽，該第一凹槽與該第三凹槽在該承載面之該法線方向上分別具有一最大深度P1以及一最大深度P3，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，且P3>0.8×D。
16. 如請求項10所述之顯示裝置，更包含：一第二凸塊，設置於該承載面上，其中該第二凸塊具有一第二凹槽；以及一第三凸塊，設置於該承載面上，其中該第三凸塊具有 一第三凹槽，其中該第一凹槽、該第二凹槽與該第三凹槽在該承載面之該法線方向上分別具有一最大深度P1、一最大深度P2及一最大深度P3，其中0.2×D≦P1≦0.8×D，0<P2<0.2×D，且P3>0.8×D。
17. 如請求項10所述之顯示裝置，更包含：一第四凸塊，設置於該承載面上，該第四凸塊具有一第四凹槽，其中該第一凸塊與該第四凸塊分別位於該導電結構之相對兩側。
18. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該第二最大厚度T2與該第一最大厚度T1之間的差值約等於該粒子直徑D。