KR20100073924A

KR20100073924A - 평판 디스플레이용 전극 구조체

Info

Publication number: KR20100073924A
Application number: KR1020080132716A
Authority: KR
Inventors: 권영진
Original assignee: 제일모직주식회사
Priority date: 2008-12-23
Filing date: 2008-12-23
Publication date: 2010-07-01

Abstract

본 발명은 평판 디스플레이용 전극 구조체에 관한 것으로, 이방 전도성 필름(Anisotropic conductive film ; 이하 ACF)을 사이에 두고 서로 접속되는 전극의 표면을 요철형태로 형성함으로써, 이방 전도성 필름에 포함되는 금속 도전입자의 압착 시 열팽창 차이에 의해 발생할 수 있는 PCB(Printed Circuit Board) 회로 전극과 COF(Chip on film) 회로 전극간의 미스얼라인(mis-align)을 최소화 하고 또한 상하 회로간 접합 간격을 최소화하여 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.

평판 디스플레이 패널, 회로 전극, 미스얼라인, 이방전도성필름

Description

평판 디스플레이용 전극 구조체{FLAT PANEL DISPLAY ELECTRODE STRUCTURE}

본 발명은 평판 디스플레이용 전극 구조체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정 또는 플라즈마 디스플레이 패널의 PCB 회로 전극과 COF 회로 전극간의 미스얼라인을 최소화 하고 또한 상하 회로간 접합 간격을 최소화할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.

최근 들어 이동통신 단말기, 디지털카메라, 노트북, TV 등 여러 가지 전자기기에는 영상을 표시하기 위한 영상표시장치가 구비된다. 상기 영상표시장치로는 다양한 종류가 사용될 수 있다. 상기 전자기기의 특성상 평판 형상을 갖는 표시 장치(평판 디스플레이)가 주로 사용되며, 이 중에서도 특히 액정 표시 장치가 널리 사용되고 있다.

상기 액정표시 장치는 일반적으로 어레이 기판과 컬러필터 기판간에 형성된 액정층을 갖는 액정 패널에 구동 IC film 인 COF(Chip on film)을 실장함으로써 형성된다. 현재 가장 많이 적용되고 평판 디스플레이의 실장 방식은 액정 패널부에는 패널 회로 전극부에 이방 전도성 필름(Anisotropic conductive film ; 이하 ACF)을 위치시키고 회로 패턴 전극을 갖는 COF의 한쪽을 정렬 한 후 열과 압력을 가해 압착하고 맞은편 다른 한쪽은 인쇄 회로기판(Printed Circuit Board; 이하 PCB)에 열과 압력을 가해 압착하는 형태이다.

도 1은 종래 기술에 따른 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도이다.

도 1을 참조하면, COF 기재 필름(10) 상의 회로 전극(20)과 PCB 기판(30) 상의 회로 전극(40)이 각각 평면형태로 이루어지며 이것이 전기적, 기계적으로 연결되는 것이다.

도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 이방전도성 필름(ACF)을 포함하는 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도들이다.

도 2a는 압착 전의 모습이고, 도 2b는 압착 후의 모습이며, 기존 ACF(50)의 경우 도전입자(60) 입자경(Size)은 일반적으로 평균 입자경이 3 ~ 6㎛ 사이의 Ni(니켈)입자를 적용되었다. 압착 후에는 압착된 도전입자(65)에 의해 양쪽 회로 전극 패턴이 연결되는 방식으로 이루어 진다.

한편, 기존의 경우 회로 전극 패턴의 간격(하나의 회로전극과 다른 회로전극 사이의 스페이스 부, Pitch)이 330㎛ 이상이었으나 최근의 고화질 영상으로 인해 접속 회로 전극 패턴의 간격(pitch)이 점점 미세화 되고 있다.

상술한 바와 같이 전극 패턴의 미세화 경향으로 인하여 PCB와 COF의 회로 전극은 최소 200㎛까지 미세화 되고 있으며 최근 이와 같은 미세 전극 접속에 관심이 증대되고 있다.

미세화 전의 회로 패턴 모양은 PCB 자재의 열팽창 시 상하 회로간의 미스얼라인(Mis-align)이 발생되기 쉬운 구조이며 압착 후 본딩 갭(Gap)이 일반적으로 3㎛ 이상 유지되어 신뢰성 시험 진행 시 열 및 습도로 인한 상하 회로 전극 사이 그리고 ACF와 기판사이의 크랙(Crack) 및 들뜸이 발생되어 저항을 상승시키는 문제가 발생한다.

이에 따라 회로 접속부의 패턴간 간격이 미세화 되고 회로간 접속을 어떻게 잘 하느냐가 중요한 이슈가 되고 많이 연구되고 있으나, 아직까지 신뢰할 수 있을 만한 성과를 내지 못하고 있는 실정이다.

본 발명은 이방 전도성 필름(Anisotropic conductive film ; 이하 ACF)을 사이에 두고 서로 접속되는 전극의 표면을 요철형태로 형성함으로써, 이방 전도성 필름에 포함되는 금속 도전입자의 압착 시 열팽창 차이에 의해 발생할 수 있는 PCB(Printed Circuit Board) 회로 전극과 COF(Chip on film) 회로 전극간의 미스얼라인(mis-align)을 최소화 하고, 상하 회로간 접합 간격을 최소화하여 접속 신뢰성을 향상 시킬 수 있도록 하는 평판 디스플레이용 전극 구조체를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

본 발명에 따른 평판 디스플레이 전극 구조체는 이방 전도성 필름을 사이에 두고, COF 기판 필름의 회로 전극 및 PCB 기판의 회로 전극이 서로 압착 접속되는 평판 디스플레이용 전극 구조체에 있어서, 상기 이방 전도성 필름은 3㎛ 이하의 금속 도전 입자를 포함하고, 상기 COF 기판 필름 상의 제 1 전극 및 상기 PCB 기판 상의 제 2 전극 중 적어도 하나 이상의 전극 표면이 요철 타입으로 구비되는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 이방 전도성 필름에 포함되는 금속 도전 입자의 입경은 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하고, 상기 요철 타입은 라인/스페이스 타입의 또는 다이아몬드 그리드(Diamond Grind) 타입인 것을 특징으로 하고, 상기 요철의 높이는 1 ~ 2 ㎛이고, 요철 간격은 5 ~ 20㎛ 범위로 구비되는 것을 특징으로 하고, 상기 압착 접속되는 방식은 핫 프레스 툴(Hot-press Tool)에 의한 열압착 방식 또는 초음파(Ultrasonic vibration)를 이용한 압착 방식인 것을 특징으로 한다.

아울러, 본 발명에 따른 액정 또는 플라즈마 디스플레이 패널은 상술한 전극 구조체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 평판 디스플레이용 전극 구조체는 전극의 표면을 요철형태로 형성함으로써, 이방 전도성 필름에 포함되는 금속 도전입자들을 전극의 표면에 트랩(Trap)시킬 수 있다. 따라서, 압착 시 열팽창 차이에 의해 발생할 수 있는 PCB(Printed Circuit Board) 회로 전극과 COF(Chip on film) 회로 전극간의 미스얼라인(mis-align)을 최소화하고, 상하 회로간 접합 간격을 최소화할 수 있고, 요철부분에 의해 전극간의 접촉면적이 최대가 될 수 있도록 하여, 접속 신뢰성을 향상 시킬 수 있는 효과를 제공한다.

이하에서는 본 발명에 따른 일 실시예를 들어 평판 디스플레이용 전극 구조체에 관하여 더 상세히 설명하는 것으로 한다.

여기서, 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하 에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

도 3은 본 발명에 따른 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도이다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 COF 기판 필름(100) 상의 제 1 전극(120) 및 PCB 기판(130) 상의 제 2 전극(140) 중 적어도 하나 이상의 전극 표면에 울퉁불퉁한 요철이 형성된다.

여기서는 편의상 제 1 전극(120) 및 제 2 전극(140) 표면에 모두 요철(125, 145)이 형성된 것으로 도시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

COF 기판 필름(100)의 제 1 전극(120)에 형성된 제 1 요철(125)과 PCB 기판(130)의 제 2 전극(140)에 형성된 제 2 요철(145)이 열과 압력에 의해서 서로 압착 (본딩)되면서 소켓(Socket) 형태처럼 끼워지도록 함으로써, 접속 신뢰성을 더욱 더 향상시킬 수 있다.

여기서, 베이스 필름(Base film)인 COF 기판 필름(100)은 폴리이미드(PI, Polyimide)로 구비되며, 제 1 전극(120)은 진공증착된 동박(38㎛)층을 패터닝하여 형성한다. 다음에는, 제 1 전극(120)의 표면에 패턴화 되어 있는 제 1 요철(125)을 형성하고, 완성된 전극의 표면에는 주석(Sn)을 약 0.48㎛ 정도 도금한다. 이때, 패 턴화 되어있는 제 1 요철(125)은 라인/스페이스(Line/Space) 또는 다이아몬드 그리드(Diamond Grind) 형태로 처리 하는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제 1 요철(125)의 음각 또는 양각의 형태의 높이는 전극의 표면으로부터 1 ~ 2㎛가 되도록 하고, 폭은 5 ~ 20㎛ 범위를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.

다음으로, PCB 기판(130)의 제 2 전극(140)은 동박(35㎛) 및 그 상부에 형성된 니켈(2㎛)을 패터닝하여 형성하며, 최종적으로 금(Au)을 0.03㎛ 두께로 도금한다. 이때, 제 2 전극(140)의 표면에도 제 2 요철(145)을 형성하며 제조 방법이나 그 크기는 상기 제 1 요철(125)의 것을 그대로 따른다. 다만, 라인/스페이스(Line/Space) 또는 다이아몬드 그리드(Diamond Grind)와 같은 타입으로 구비되는 경우 상기 제 1 요철(125)과 소켓처럼 맞물릴 수 있는 형태로 구비되는 것이 바람직하다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 이방전도성 필름(ACF)을 포함하는 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도들이다.

도 4a를 참조하면, 상기 도 3에서 설명한 요철형 표면을 갖는 제 1 전극(120) 및 제 2 전극(140)을 각각 포함하는 COF 기판 필름(100) 및 PCB 기판(130)이 구비되고, COF 기판 필름(100) 및 PCB 기판(130) 사이에 이방 전도성필름(150)이 구비된다. 이때, 이방 전도성 필름(150)은 1㎛ 이하의 도전입자(160)를 갖는 것을 적용하는 것이 바람직하다.

도 4b는 압착 후 제 1 전극(120) 및 제 2 전극(140)이 정확하게 맞물리는 것 을 나타낸 것이다. 각 전극이 맞물리는 부분에 형성된 요철에 의하여 COF 기판 필름(100) 및 PCB 기판(130) 압착시(본딩) PCB 자재의 열팽창에 의한 회로간의 미스 얼라인(Mis-align)이 발생하지 않고, 상하 회로 전극간 본딩 갭이 최소화될 수 있다. 이때, 전극 사이에 압착된 도전입자(165)들이 채워지므로 신뢰성 시험 시 접속저항 특성이 향상되게 된다.

도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 회로 전극을 나타낸 평면도들로, 도 5는 상술한 회로 전극 중 라인/스페이스 타입의 요철(225)을 포함하는 전극(220)을 도시한 것이고, 도 6은 다이아몬드 그리드(Diamond Grind) 타입의 요철(325)을 포함하는 전극(320)을 도시한 것이다.

상술한 바와 같이, 표면에 요철을 포함하는 회로 전극형태로 구성이 되면 COF 기판 필름 및 PCB 기판의 압착방식도 다양화 될 수 있다. 현재는 핫 프레스 툴(Hot-press Tool)에 의한 열압착 방식이 대부분이었지만 본 발명과 같은 회로 전극이 구성되면 초음파(Ultrasonic vibration) 압착에도 적용이 될 수 있다.

초음파를 이용한 압착 방식은 초음파(Ultrasonic)를 발생시키는 트랜스듀서(transducer)를 장착한 툴(tool)을 이용하여 압착하는 것으로 우선 툴의 압력으로 상부 및 하부 전극을 접촉시킨 후 그 다음 초음파를 인가하여 압착하는 방식이다. 초음파 인가시 수직 수평 진동방식을 이용하여 전극간을 접합하게 되는데, 이때 진동으로 인한 회로 전극간의 미스얼라인(mis-align)이 발생할 수 있었다. 그러나 본 발명에서는 요철에 의해 진동으로 인한 미스얼라인을 방지할 수 있어서 보다 용이하게 접착할 수 있게 되는 것이다. 따라서, 열압착 방식 뿐만 아니라 초음파 압착방식에도 확대 적용이 가능해 압착 방식을 다양화 할 수 있는 것이다.

한편 액정표시 장치가 고화질화됨에 따라서 전극 패턴 간의 간격인 피치가 더욱 미세해진다. 이에 회로 전극 간격이 좁아지고 전극 면적이 작아지게 되는데, 에 대응 가능한 이방전도성 필름을 적용하는 것이 중요하다.

종래의 경우 금속 도전입자는 압착상태에서 갭이 최소 2㎛ 이상 발생시키는 크기로 구비되어 압착 상태에서 신뢰성 시험(고온고습, 85℃85%RH)을 진행하게 되면 외부로부터 열과 습기를 받는 면적이 넓어서 이방 전도성 접착 수지의 유동이 발생하고, 상하 전극간의 들뜸 유발을 발생시킬 가능성이 높았다.

따라서, 본 발명에서는 속경화용 이방 전도성 접착 수지에 도전입자 입자경이 1㎛ 이하인 니켈(Ni) 입자를 사용한다. 니켈 입자의 함량은 전체 함량의 5 ~ 10% 수준으로 함량을 조절 하였다. 도전입자 입자경을 1㎛ 이하의 것을 적용한 것은 회로 전극간 접합 시 본딩 갭을 최대한 감소시키려고 하였으며 또한 미세 피치에 회로 전극의 면적도 작아지므로 전극상에 올라가는 입자 개수를 증대시키기 위함이다. 회로 전극상의 도전입자 개수가 많아질수록 전극과의 접촉면적이 넓어져 접속저항을 최대한 낮게 할 수 있으며 신뢰성 시험시 자재의 열 변형으로 인한 미세한 들뜸(1㎛ 내외)에서 도전입자들이 전극사이의 들뜸을 보상해 줄 수 있다.

이하에서는 상술한 본 발명에 따른 요철형 전극 및 이방 전도성 필름을 적용한 실시예들의 특성에 대해 상세히 설명하는 것으로 한다.

<실시예 1>

상기 도 6에 나타낸 PCB 기판 및 COF 기판 필름 상의 회로 전극의 상부 표면을 다이아몬드 그리드(Diamond Grind) 타입으로 만든 시료를 사용하였으며, 이방 전도성 필름에 포함되는 도전입자경이 1㎛ 이하가 적용된 ACF(A)를 이용하여 접속저항 및 접착력에 대한 신뢰성을 측정하여 그 결과를 하기 [표 3]에 나타내었다.

<비교예 1>

상기 실시예 1과 동일한 시료를 사용하였으며, 4㎛ 도전입자가 적용된 ACF (B)를 이용하여 접속저항 및 접착력에 대한 신뢰성을 측정하여, 그 결과는 하기 [표 4]에 나타내었다.

여기서, 상기 실시예 1 및 비교예 1에 적용된 시료의 자재 사양은 아래의 [표 1]과 같이 정리할 수 있다.

[표 1] 실시예 1 및 비교예 1에 적용된 자재 사양

<비교예 2>

상기 실시예 1에서 진행한 것과 회로 전극의 표면에 요철이 형성되지 않은 시료를 사용한 것 외에 동일한 조건인, 도전입자경이 1㎛ 이하가 적용된 ACF(A)를 이용하여 접속저항 및 접착력에 대한 신뢰성을 측정하여 그 결과를 하기 [표 5]에 나타내었다.

<비교예 3>

상기 비교예 2와 동일한 시료를 사용하였으며, 4㎛ 도전입자가 적용된 ACF (B)를 이용하여 접속저항 및 접착력에 대한 신뢰성을 측정하여, 그 결과는 하기 [표 6]에 나타내었다.

여기서, 상기 비교예 2 및 비교예 3에 적용된 시료의 자재 사양은 아래의 [표 2]와 같이 정리할 수 있다.

[표 2] 비교예 2 및 비교예 3에 적용된 자재 사양

상기 [표 1] 및 [표 2] 각각에 적용된 자재 사양은 보면 본 발명에 따른 실시예 1의 자재가 비교예 2 및 비교예 3에 비해 PCB 전체 두께가 0.2mm 높은데, 이것은 FR-4의 두께 증가로 인함이며 회로 전극의 두께는 동일하며 본 발명의 회로 전극은 다이아몬드 그리드(Diamond Grind) 타입으로 만든 것이며, 요철의 두께는 약 2㎛ 정도가 되도록 한다.

그리고 시편 전체 크기는 30mm(가로)×50mm(세로)이며 ACF 규격은 2.0mm(폭)×23mm(길이)를 적용하였다.

압착 시편 제작의 경우 실시예 1 및 비교예 1은 본 발명의 PCB, COF 를 이용 하였으며 압착 방식은 핫 프레스 본더(Hot-press bonder)를 이용하였다.

ACF를 이용한 압착은 ACF를 미리 PCB 전극위에 부착하는 가압착 공정과 COF 회로 전극을 정렬(Align) 하여 열 압착하는 본 압착 공정으로 이루어 진다. 여기서 가압착 공정 조건은 실측기준 70℃, 1초, 1MPa 이며 본압착 조건은 실측기준 160℃, 5초, 3MPa 이다. 가압착 및 본압착시 완충 쉬트(sheet)는 테프론 재질의 0.15t 를 적용하여 압착하였다.

결과에 대한 측정은 각 조건당 5매의 시료를 평균하였으며 그 결과를 하기 [표 3] ~ [표 6]에 나타내었다.

본 발명의 효과의 측정은 이방 전도성 필름의 가장 중요한 물성인 접착력과 접속저항을 측정하여 비교 하였다.

각 실시예 1 및 비교예 2 내지 비교예 3의 경우 초기와 신뢰성 250 및 500hr 진행 후 물성을 측정하였다.

신뢰성 시험은 가압 및 본 압착을 거친 압착 시편을 고온고습 시험기(85℃85%RH의 조건)에 250, 500hr 방치한 후 시료를 꺼내어 30분간 상온에서 방치 후 물성을 측정하였다.

접착력은 UTM(Universal Test Machine)으로 90도 필 테스트(Peel test)로 측정하였으며 중요한 물성인 접속저항은 Digital multi-meter(Hioki mΩ Hitester 3540)를 사용하여 소수점 2째 자리까지 측정하여 비교 하였다.

[표 3] 도전입자 크기가 1㎛ 이하인 경우(실시예 1)

[표 4] 도전입자 크기가 4㎛ 경우(비교예 1)

[표 5] 도전입자 크기가 1㎛ 이하인 경우(비교예 2)

[표 6] 도전입자 크기가 4㎛ 경우(비교예 3)

상기 [표 3] ~ [표 6]을 참조하면, 본 발명의 PCB와 COF 상에 요철형 회로 전극을 사용하고, 도전입자경이 1㎛ 인 것을 적용한 ACF(A) 실시예 1의 경우가 가장 우수한 접속저항 및 접착력을 나타냄을 알 수 있다.

도 7은 실시예 1 및 비교예 1의 접속저항을 비교하여 나타낸 그래프이고, 도 8은 비교예 2 및 비교예 3의 접속저항을 비교하여 나타낸 그래프이다.

도 7 및 도 8의 결과를 보면 초기 접속저항에서는 실시예 1의 경우와 비교예 2의 경우 모두 유사(0.3±0.02Ω)하지만 신뢰성 저항에서는 실시예 1의 경우가 접속저항이 보다 낮게(0.5Ω 이하) 유지됨을 알 수 있다. 따라서 접속저항 측면에서는 도전입자경의 선택이 중요한 인자라고 볼 수 있다. 그리고 전극 회로 패턴간의 간격(피치)이 작아 질수록(300㎛ 이하) 접속저항은 높아지나 본 발명의 회로전극을 사용한 경우 미세 회로 패턴 간격에서도 저항이 안정하게 낮게(0.5Ω 이하) 유지됨을 볼 수 있다. 동일한 회로전극 모양에 도전입자경이 커진 비교예 1의 경우 신뢰 접속저항이 상대적으로 높게(0.5Ω 이상) 나타남을 볼 수 있는데 이것은 COF와 PCB 전극간 본딩 갭이 상대적으로 커서 신뢰성 측정시 외부의 열과 습도에 의한 변형이 높아져 저항이 높아진 것으로 판단된다.

한편, 도전 입자경에 무관하게 이방 전도성 접착 수지 특성이 접착력을 좌우하므로 접착력은 모든 경우에서 유사하게 나타남을 알 수 있으며 미세 피치에도 기존 속경화형 이방 전도성 접착 수지를 사용해도 무방하다.

비교예 2 및 비교예 3의 경우는 기존 PCB와 COF 회로전극을 갖는 자재를 이용하여 접속신뢰성을 확인 하였으며 도전입자경이 1㎛ 이하인 경우가 4㎛ 경우 보다 접속저항이 안정하게 낮게 나오지만 본 발명의 회로 전극을 사용한 경우 보다는 신뢰성 500hr 지난 경우 0.2Ω 정도 높게 나타난다.

따라서 본 발명은 미세 피치화(300㎛ 이하)에 대한 대응이 가능하고 신뢰 접속성능이 안정한 물성을 갖는 회로전극 형태와 이방전도성 필름을 제공하는 것이다.

즉, 평판 디스플레이에 적용되는 회로 전극의 표면에 요철을 형성하여 회로간 접속을 용이하게 할 수 있으며, 압착시 열에 의한 기판의 열팽창시 회로간 미스얼라인(mis-align) 되는 것을 방지하여 미세 피치에 대응 가능토록 하였다. 또한 접속 신뢰성 향상을 위해 1㎛ 이하 도전입자를 갖는 ACF를 적용하여 상하 회로간 접합 간격을 최소화할 수 있고, 요철부분에 의해 전극간의 접촉면적이 최대가 될 수 있도록 한다.

상술한 본 발명의 평판 디스플레이를 이용하면 액정 또는 플라즈마 디스플레이 패널을 용이하게 형성할 수 있으며, 이동통신 단말기, 디지털카메라, 노트북, TV 등 여러 가지 전자기기에는 영상을 표시하기 위한 영상표시장치들의 고화질화 요구에 보다 신뢰성 있고 용이하게 적용할 수 있다.

이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범상에 의해 판단되어야 할 것이다.

도 1은 종래 기술에 따른 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도.

도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 이방전도성 필름(ACF)을 포함하는 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도들.

도 3은 본 발명에 따른 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도.

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 이방전도성 필름(ACF)을 포함하는 평판 디스플레이용 전극 구조체를 도시한 단면도들.

도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 회로 전극을 나타낸 평면도들.

도 7은 실시예 1 및 비교예 1의 접속저항을 비교하여 나타낸 그래프.

도 8은 비교예 2 및 비교예 3의 접속저항을 비교하여 나타낸 그래프.

Claims

이방 전도성 필름을 사이에 두고, COF 기판 필름의 회로 전극 및 PCB 기판의 회로 전극이 서로 압착 접속되는 평판 디스플레이용 전극 구조체에 있어서,

상기 이방 전도성 필름은 3㎛ 이하의 금속 도전 입자를 포함하고, 상기 COF 기판 필름 상의 제 1 전극 및 상기 PCB 기판 상의 제 2 전극 중 적어도 하나 이상의 전극 표면이 요철 타입으로 구비되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이용 전극 구조체.
제 1 항에 있어서,

상기 이방 전도성 필름에 포함되는 금속 도전 입자의 입경은 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이용 전극 구조체.
제 1 항에 있어서,

상기 요철 타입은 라인/스페이스 타입의 또는 다이아몬드 그리드(Diamond Grind) 타입인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이용 전극 구조체.
제 1 항에 있어서,

상기 요철의 높이는 1 ~ 2㎛이고, 요철 간격은 5 ~ 20㎛ 범위로 구비되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이용 전극 구조체.
제 1 항에 있어서,

상기 압착 접속되는 방식은 핫 프레스 툴(Hot-press Tool)에 의한 열압착 방식 또는 초음파(Ultrasonic vibration)를 이용한 압착 방식인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이용 전극 구조체.
제 1 항에 구비되는 전극 구조체를 포함하는 액정 디스플레이 패널.
제 1 항에 구비되는 전극 구조체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.