TWI461833B - 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法 - Google Patents

多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法 Download PDF

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5605917B2 (ja) * 2011-12-27 2014-10-15 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法
JP6139826B2 (ja) * 2012-05-02 2017-05-31 Hoya株式会社 フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法
JP6081716B2 (ja) * 2012-05-02 2017-02-15 Hoya株式会社 フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法
JP6093117B2 (ja) * 2012-06-01 2017-03-08 Hoya株式会社 フォトマスク、フォトマスクの製造方法及びパターンの転写方法
KR101282040B1 (ko) * 2012-07-26 2013-07-04 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크
JP5635577B2 (ja) * 2012-09-26 2014-12-03 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法
JP6101646B2 (ja) * 2013-02-26 2017-03-22 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP2015049282A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 Hoya株式会社 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP6266322B2 (ja) * 2013-11-22 2018-01-24 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP2015102608A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP2015106001A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP5993386B2 (ja) * 2014-01-14 2016-09-14 Hoya株式会社 フォトマスク及びフラットパネルディスプレイの製造方法
JP5668168B1 (ja) * 2014-06-17 2015-02-12 株式会社エスケーエレクトロニクス プロキシミティ露光用フォトマスク
JP6456748B2 (ja) * 2015-03-28 2019-01-23 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びフラットパネルディスプレイの製造方法
JP6726553B2 (ja) * 2015-09-26 2020-07-22 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
JP2017033004A (ja) * 2016-09-21 2017-02-09 Hoya株式会社 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
TW201823855A (zh) * 2016-09-21 2018-07-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法
JP2017072842A (ja) * 2016-11-09 2017-04-13 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法
JP2017076146A (ja) * 2016-12-26 2017-04-20 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP6259509B1 (ja) * 2016-12-28 2018-01-10 株式会社エスケーエレクトロニクス ハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法
JP6368000B1 (ja) * 2017-04-04 2018-08-01 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスク及びフォトマスクブランクス並びにフォトマスクの製造方法
WO2019003486A1 (ja) * 2017-06-28 2019-01-03 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク、ハーフトーンマスク、マスクブランクスの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法
JP6532919B2 (ja) * 2017-09-07 2019-06-19 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク、及び表示装置の製造方法
KR102585150B1 (ko) * 2018-03-06 2023-10-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d 기능성 광학 물질 적층 구조를 구축하는 방법
US10811492B2 (en) 2018-10-31 2020-10-20 Texas Instruments Incorporated Method and device for patterning thick layers
KR102367141B1 (ko) * 2019-02-27 2022-02-23 호야 가부시키가이샤 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
TW202314374A (zh) * 2020-04-28 2023-04-01 日商Ｓｋ電子股份有限公司 光罩的製造方法
JP6993530B1 (ja) 2020-12-25 2022-01-13 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスク、フォトマスクの製造方法、表示装置の製造方法
CN117133634A (zh) * 2023-10-25 2023-11-28 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件的制造方法、半导体器件及光刻掩膜版

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW324073B (en) * 1995-12-26 1998-01-01 Samsung Electronics Co Ltd Half-tone phase shift mask
US20030064300A1 (en) * 2001-10-02 2003-04-03 Kunio Watanabe Pattern transfer method using a mask and half tone mask
TW544549B (en) * 2000-12-26 2003-08-01 Hoya Corp Half-tone type phase shift mask blank, process for prodncing half-tone type phase shift mask, pattern transfer method, laminate and method of forming pattern
TW200606577A (en) * 2004-06-16 2006-02-16 Hoya Corp Semitransmitting film, photomask blank, photomask, and semitransmitting film designing method
JP2009086382A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Hoya Corp グレートーンマスクブランクとその製造方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法
TW200951621A (en) * 2008-04-15 2009-12-16 Hoya Corp Multi-tone photomask, method of manufacturing a multi-tone photomask, pattern transfer method, and method of manufacturing a thin-film transistor

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03172846A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Mitsubishi Electric Corp ホトマスク
JPH05134384A (ja) * 1991-11-08 1993-05-28 Fujitsu Ltd レチクルの作成方法
JPH06337514A (ja) * 1993-05-31 1994-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マスクおよびパタン形成方法
JP3445329B2 (ja) * 1993-11-02 2003-09-08 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク
JP2681610B2 (ja) * 1994-04-27 1997-11-26 エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド リソグラフイマスクの製造方法
JP3209257B2 (ja) * 1995-04-21 2001-09-17 凸版印刷株式会社 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH08297357A (ja) * 1995-04-25 1996-11-12 Toppan Printing Co Ltd エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法
JP3427604B2 (ja) * 1995-12-27 2003-07-22 ソニー株式会社 位相シフト露光マスクの製造方法
JP3164039B2 (ja) * 1997-11-05 2001-05-08 日本電気株式会社 フォトマスク及びその製造方法
JP3727318B2 (ja) * 2002-04-30 2005-12-14 松下電器産業株式会社 フォトマスク及びその作成方法
KR101084000B1 (ko) * 2006-01-16 2011-11-17 주식회사 에스앤에스텍 위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법
JP4816349B2 (ja) * 2006-09-08 2011-11-16 大日本印刷株式会社 階調マスク

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW324073B (en) * 1995-12-26 1998-01-01 Samsung Electronics Co Ltd Half-tone phase shift mask
TW544549B (en) * 2000-12-26 2003-08-01 Hoya Corp Half-tone type phase shift mask blank, process for prodncing half-tone type phase shift mask, pattern transfer method, laminate and method of forming pattern
US20030064300A1 (en) * 2001-10-02 2003-04-03 Kunio Watanabe Pattern transfer method using a mask and half tone mask
TW200606577A (en) * 2004-06-16 2006-02-16 Hoya Corp Semitransmitting film, photomask blank, photomask, and semitransmitting film designing method
JP2009086382A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Hoya Corp グレートーンマスクブランクとその製造方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法
TW200951621A (en) * 2008-04-15 2009-12-16 Hoya Corp Multi-tone photomask, method of manufacturing a multi-tone photomask, pattern transfer method, and method of manufacturing a thin-film transistor

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