TWI457457B - 真空處理裝置、基板和對位遮罩之移動方法、及對位方法、以及成膜方法 - Google Patents

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Description

真空處理裝置、基板和對位遮罩之移動方法、及對位方法、以及成膜方法
本發明,係有關於真空處理裝置、基板和對位遮罩之移動方法、及對位方法、以及成膜方法。
有機EL元件,由於發光效率高,且能夠組裝出薄的發光裝置,因此,近年來,係在大面積化之顯示裝置或照明機器的用途中備受矚目。
在有機EL元件之製造過程中,係週知有:在基板上形成下部電極、有機發光層、上部電極,接著在此基板上形成氮化矽或是氮氧化矽等之保護膜。
由於有機發光層係容易受到熱的損傷,因此,在保護膜之形成方法中,係使用有能夠相較於熱CVD法而以更低溫來進行成膜之電漿CVD(PE-CVD)法。
由於係有必要以使配線用之連接部成為露出狀態的方式來成膜保護膜,因此,在基板上,係配置有對位遮罩。將SiH4等之原料氣體、和N2、NH3、O2等之反應氣體,導入至真空槽內,並使電漿產生。原料氣體和反應氣體,係到達在對位遮罩之開口部處而露出之基板上,在基板上,係被形成有依循於開口部之平面形狀的平面形狀之薄膜。
現今,如同上述一般的對位遮罩,係在將真空槽內開放於大氣中後,藉由人的手來配置在真空槽內。故而,係有著難以進行真空槽內之粒子管理的問題。又,裝置之工 時(tact time)亦會變長,且亦會需要人力。
進而,對位遮罩,由於當在相同之裝置中的每次之所生產的基板之種類變更時,均必須要作變更,因此,亦會有一天之中而在現場進行好幾次的將真空槽開放於大氣中並交換對位遮罩之作業的情況,要將作業時間縮短一事,係為困難。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-31528號公報
[專利文獻2]日本特開2007-308763號公報
[專利文獻3]日本特開2010-86809號公報
[專利文獻4]日本特開2009-64608號公報
本發明,係為了解決上述先前技術之問題而創作者,其目的,係在於提供一種就算不將真空槽暴露在大氣中亦能夠將對位遮罩作交換之真空處理裝置。
為了解決上述課題,本發明,係為一種真空處理裝置,其特徵為,具備有:真空槽;和平板,係被設置有基板;和遮罩升降銷,係被插入至被形成在前述平板處之遮罩 升降用貫通孔中,並構成為能夠在上端配置對位遮罩;和基板升降銷,係被插入至被形成在前述平板處之基板升降用貫通孔中,並構成為能夠在上端配置基板;和銷支持構件,係被配置在前述平板之下方位置處,並能夠對於前述平板而上下地相對移動,前述遮罩升降銷,係在上下方向上而被形成為較前述基板升降銷更長,若是將前述平板之朝向下方的面和於前述平板處而被吊下之前述基板升降銷的下端間之距離設為第1距離,並將前述平板之朝向下方的面和於前述平板處而被吊下之前述遮罩升降銷的下端間之距離設為第2距離,則當前述平板之朝向下方的面和前述銷支持構件之朝向上方的面間之距離為較前述第1距離更小時,前述遮罩升降銷和前述基板升降銷係被前述銷支持構件所支持,當前述平板之朝向下方的面和前述銷支持構件之朝向上方的面間之距離為較前述第1距離更大,並較前述第2距離更小時,前述遮罩升降銷係被前述銷支持構件所支持,前述基板升降銷係在前述平板處而被吊下,當前述平板之朝向下方的面和前述銷支持構件之朝向上方的面間之距離為較前述第2距離更大時,前述遮罩升降銷和前述基板升降銷係在前述平板處而被吊下。
本發明,係為一種真空處理裝置,其中,係構成為;當前述遮罩升降銷和前述基板升降銷被承載於前述銷支持構件上,在前述遮罩升降銷上被配置有前述對位遮罩,在前述基板升降銷上被配置有前述基板的狀態下,在前述對位遮罩和前述基板之間,能夠插入基板搬送機器人之手。
本發明,係為一種真空處理裝置,其中,係具備有:對位裝置,係藉由使前述基板升降銷之上端在橫方向移動,而將前述對位遮罩與前述基板作對位;和配置部,係被配置在前述真空槽內之前述平板的上方;和框體,係被配置在前述配置部上,並使被配置在前述遮罩升降銷上之前述對位遮罩的周圍從下方朝向上方移動並作抵接,來將前述對位遮罩相對於前述真空槽而作暫時固定,前述對位,係在使前述對位遮罩與前述框體作了抵接的狀態下而進行。
本發明,係為一種真空處理裝置,其中,係構成為:藉由被配置有前述對位遮罩之前述遮罩升降銷的上升,前述框體係被承載於前述對位遮罩之上,並能夠與前述對位遮罩一同地從前述配置部分離而上升。
本發明,係為一種使用有前述真空處理裝置的基板和對位遮罩之移動方法,其特徵為,係具備有:對位遮罩搬入工程,係於在前述真空槽內並未配置有基板和對位遮罩的狀態下,使前述平板和前述銷支持構件和前述遮罩升降銷之上端以及前述基板升降銷之上端,位置在較將第1手插入之位置更下方處,並將對位遮罩載置在前述第1手上而搬入至前述真空槽內,並使前述銷支持構件上升而使前述遮罩升降銷上升,以使前述遮罩升降銷之上端與前述對位遮罩之背面抵接,而將前述對位遮罩從前述第1手上來移載至前述遮罩升降銷上,再將前述第1手從前述真空槽內而拔去;和基板搬入工程,係使前述遮罩升降銷上之前 述對位遮罩位置在較插入第2手之位置更上方處,並且使前述基板升降銷之上端位置在較插入前述第2手之位置更下方處,而將基板載置在前述第2手上並搬入至前述真空槽內,並插入至前述對位遮罩和前述基板升降銷的上端之間,再使前述銷支持構件上升而使前述基板升降銷上升,以使前述基板升降銷之上端與前述基板之背面抵接,而將前述基板從前述第2手上來移載至前述基板升降銷上,再將前述第2手從前述真空槽內而拔去。
本發明,係為一種基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第1手和前述第2手,係為同一搬送機器人之手。
本發明,係為一種基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第1手和前述第2手,係為相異的搬送機器人之手。
本發明,係為一種使用有前述真空處理裝置的基板和對位遮罩之移動方法,其特徵為,係具備有:基板搬出工程,係於將前述遮罩升降銷和前述基板升降銷承載於前述銷支持構件上,並且在前述遮罩升降銷上被配置有對位遮罩、在前述基板升降銷上被配置有基板的狀態下,使前述基板位置在較插入第3手之位置更上方處,並且使前述平板位置在較插入前述第3手之位置更下方處,而將前述第3手插入至前述基板和前述平板之間,並使前述銷支持構件降下而使前述基板升降銷降下,來使前述基板之背面與前述第3手接觸,並將前述基板從前述基板升降銷上來移載至前述第3手上,再將前述基板載置於前述第3手上而從前述真空槽內搬出;和對位遮罩搬出工程,係使前述對位遮 罩位置在較插入第4手之位置更上方處,並且使前述平板位置在較插入前述第4手之位置更下方處,而將前述第4手插入至前述對位遮罩和前述平板之間,並使前述銷支持構件降下而使前述遮罩升降銷降下,來使前述對位遮罩之背面與前述第4手接觸,並將前述對位遮罩從前述遮罩升降銷上來移載至前述第4手上,再將前述對位遮罩載置於前述第4手上而從前述真空槽內搬出。
本發明,係為一種基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第3手和前述第4手,係為同一搬送機器人之手。
本發明,係為一種基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第3手和前述第4手,係為相異的搬送機器人之手。
本發明,係為一種使用有前述真空處理裝置的基板和對位裝置之對位方法,其特徵為:在使前述遮罩升降銷和前述基板升降銷承載於前述銷支持構件上,並且在前述遮罩升降銷上配置有對位遮罩,在前述基板升降銷上配置有基板的狀態下,使前述銷支持構件上升而使前述遮罩升降銷上升,並使前述遮罩升降銷上之前述對位遮罩與前述框體抵接,使前述基板升降銷之上端在橫方向移動,而使前述基板升降銷上之前述基板移動,並將前述對位遮罩和前述基板作對位。
本發明,係為一種成膜方法,其特徵為:一面經由前述基板和對位遮罩之對位方法來維持在將前述基板和前述對位遮罩作了對位的狀態下,一面使前述平板上升並使前述平板之表面和前述基板之背面作接觸,而使前述基板從 前述基板升降銷上移載至前述平板上,並將前述基板升降銷從前述銷支持構件而舉升並在前述平板處吊下,使前述平板上升,而使前述平板上之前述基板的表面與前述對位遮罩之背面作接觸,並將前述對位遮罩從前述遮罩升降銷來移載至前述基板上,來將前述遮罩升降銷從前述銷支持構件而舉升並在前述平板處吊下,從前述對位遮罩之上方來散佈薄膜形成用之材料氣體,而在從前述對位遮罩之開口部所露出之前述基板的表面上成膜薄膜。
在本發明之真空處理裝置中,若是將導入薄膜形成用之材料氣體的氣體導入裝置設置在前述平板之上方,則在將基板和對位遮罩層積在平板上的狀態下,若是將材料氣體從氣體導入裝置而導入至真空槽內,則係能夠在從對位遮罩之開口部所露出了的前述基板之表面上成膜薄膜。
係成為就算是不將真空槽暴露在大氣中亦能夠將對位遮罩作交換,而能夠達成作業時間之縮短、工時之提升,並使粒子管理成為容易。
在對於基板進行真空處理的期間中,由於係能夠使基板升降銷和遮罩升降銷先從銷支持構件而離開,因此,銷之間的距離,係能夠依據基板或者是平板之熱延伸而自由地變動,而不會產生銷變形。
符號1,係對於本發明之其中一例的真空處理裝置作展示。
首先,針對真空處理裝置1之構造作說明。
參考圖1,此真空處理裝置1,係具備有真空槽11,在真空槽11之內部的頂板側處,係被配置有由噴淋噴嘴所成之氣體導入裝置12,於其之正下方位置處,係被配置有處理台13。
真空槽11,係被與真空排氣系31作連接,氣體導入裝置12,係被與原料氣體導入系32作連接。使真空排氣系31動作,若是一面對於真空槽11之內部作真空排氣,一面從原料氣體導入系32而對於氣體導入裝置12供給身為薄膜形成用之材料氣體的原料氣體和反應氣體,則原料氣體和反應氣體係從氣體導入裝置12而被散佈至真空槽11內。
在真空槽11內之氣體導入裝置12和處理台13之間的位置之真空槽11的壁面處,係被設置有配置部18,在配置部18上,係被承載有框體14。框體14,係構成為能夠在配置部18上作配置以及分離,但是,當承載在配置部18上時,係經由配置部18而以不會在真空槽11內移動的方式被作固定。框體14,係為框狀,於中央係被形成有開口。
於成膜時,如圖11中所示一般,在處理台13上,係依序被層積有基板10和對位遮罩15,並進而在將框體14承載於對位遮罩15之外周附近的部分之上的狀態下,而從氣體導入裝置12被供給有原料氣體和反應氣體。
對位遮罩15,係如圖20中所示一般,於具有剛性之矩 形框35處被設置有特定形狀之遮蔽部36,並以在遮蔽部36和遮蔽部36之間而使基板露出的方式,而被形成有開口部37。
參考圖11,氣體導入裝置12,係位置在對位遮罩15上。從氣體導入裝置12而被散佈至真空槽11內之原料氣體和反應氣體,由於係到達在開口部37處而露出之基板10的表面上,且並不會到達被遮蔽部36所遮蔽之基板10的表面上,因此,係被形成有依循於開口部37之平面形狀的平面形狀之薄膜。在圖20中,係對於具備有線狀之遮蔽部36的對位遮罩15作展示,但是,係並不被限定於此,亦可為使複數之開口部37以矩陣狀而作了並排的形狀等,關於遮蔽部36和開口部37之形狀,係並未特別作限定。
圖1,係對於基板10和對位遮罩15並未被配置在真空槽11之內部的狀態作展示,使用此圖1,對於真空處理裝置1之內部的構成作說明。
處理台13,係具備有筒狀之第1升降構件21、和軸狀之第2升降構件22、和平板23、以及銷支持構件24。
第1升降構件21,係氣密地被插通於真空槽11之底面,銷支持構件24,係在第1升降構件21之上端處,以並不將第1升降構件21之內部空間25閉塞的方式而被作安裝。
第2升降構件22,係被插通於第1升降構件21之內部空間25內。
於此,銷支持構件24,係為具備有貫通孔26之平板,貫通孔26,係位置在第1升降構件21之端部處,並被配置 在第1升降構件21之內部空間25上,第2升降構件22,係通過貫通孔26而被插通於第1升降構件21之內部空間25中。
第1升降構件21和第2升降構件22,係被鉛直地作配置。
第1升降構件21和第2升降構件22,係將下端安裝在升降裝置29處,若是使升降裝置29動作,則第1升降構件21和第2升降構件22,係成為能夠分別獨立地上下移動。當第1升降構件21和第2升降構件22作上下移動時,真空槽11內之真空氛圍係成為被作維持。升降裝置29,只要能夠使第1升降構件21和第2升降構件22分別獨立作上下移動,則驅動系係可個別地設置,亦可共通地設置。又,貫通孔26,係亦可設為在第1升降構件21和第2升降構件22處個別地作設置,並分別被設置有伸縮管等之密封構件。
平板23,係被安裝在第2升降構件22之上端。
平板23,其之身為朝向上方之面的表面,係被設為水平,若是使第2升降構件22上下移動,則平板23之表面係以水平之狀態而鉛直地作上下移動。
在平板23處,係分別被形成有複數個的遮罩升降用貫通孔41和基板升降用貫通孔42。
在各遮罩升降用貫通孔41處,係分別被插通有遮罩升降銷45,在各基板升降用貫通孔42處,係分別被插通有基板升降銷46。
將平板23之身為朝向下方之面的背面和如同後述一般而在平板23處被吊下之基板升降銷46的下端間之距離,稱 作第1距離,並將平板23之背面和如同後述一般而在平板23處被吊下之遮罩升降銷45的下端間之距離,稱作第2距離。
在遮罩升降銷45和基板升降銷46之正下方位置處,係存在有銷支持構件24,當平板23之背面和銷支持構件24之朝向上方的面之間之距離,係相互近接地被設為第1距離以下時,遮罩升降銷45之下端和基板升降銷46之下端,係被承載於銷支持構件24上,遮罩升降銷45之上端和基板升降銷46之上端,係成為能夠較平板23之表面而更朝向上方突出。
遮罩升降銷45之長度,係在上下方向而被設為較基板升降銷46更長,當遮罩升降銷45之下端和基板升降銷46之下端被承載於銷支持構件24上時,由於下端之高度係為相等,因此,關於上端,係以遮罩升降銷45之上端會成為在較基板升降銷46之上端更高的位置處。
若是藉由使第1升降構件21上下移動來使銷支持構件24作上下移動,則遮罩升降銷45和基板升降銷46,係以分別被插通於遮罩升降用貫通孔41內和基板升降用貫通孔42內的狀態下,而相對於平板23作上下移動。
在遮罩升降銷45之上部和基板升降銷46之上部,係被設置有與平板23之一部份作接觸的鍔狀之卡止構件47。另外,只要會被卡止在平板23之孔中,則卡止構件47之形狀,係並不被限定於圖中所示之形狀,亦可設為上部之直徑變得較大的形狀。
在各貫通孔41、42內,係被設置有突起或者是階段差。參考圖9,若是在使遮罩升降銷45和基板升降銷46以分別插通於遮罩升降用貫通孔41內和基板升降用貫通孔42內並且被承載於銷支持構件24上的狀態下,使平板23上升,並使銷支持構件24相對於平板23而相對性地降下,而使遮罩升降銷45和基板升降銷46相對於平板23來相對性地降下,則參考圖10,基板升降銷46之卡止構件47係和基板升降用貫通孔42內之身為平板23之一部份的突起或階段差作接觸,基板升降銷46之相對性的降下係停止。若是更進而使銷支持構件24相對性地降下,則參考圖11,銷支持構件24之表面係從基板升降銷46之下端而分離。若是更進而使銷支持構件24相對性地降下,則接著,遮罩升降銷45之卡止構件47係與遮罩升降用貫通孔41內之同樣的突起或階段差作接觸,遮罩升降銷45之相對性的降下係停止,參考圖12,當平板23之背面和銷支持構件24之朝向上方的面之間的距離被設為了較第1距離而更為分離之第2距離以上時,銷支持構件24係從遮罩升降銷45之下端而分離。
在此狀態下,遮罩升降銷45和基板升降銷46,係在平板23處而被吊下,該遮罩升降銷45之上端和基板升降銷46之上端,係位置在平板23之表面以下的高度處,並被設為並不在平板23之表面上突出。
平板23之背面和在平板23處被吊下之基板升降銷46的下端間之距離,係為上述之第1距離,平板23之背面和在平板23處被吊下之遮罩升降銷45的下端間之距離,係為上 述之第2距離。
接著,針對使用有真空處理裝置1之成膜工程作說明。
如圖11所示,在真空槽11之壁面處係被設置有開口39。
在開口39之外部,係被配置有經由開口39而使內部與真空槽11相通連之搬送室17,在搬送室17內,係被配置有基板搬送機器人50。
若是預先使銷支持構件24和平板23降下,則參考圖2,基板搬送機器人50之手48,係成為能夠通過開口39而從搬送室17移動至真空槽11之內部。
在真空槽11內而被成膜之基板10、和在基板10之成膜中所被使用之對位遮罩15,係雙方均為四角形,並且對位遮罩15係更擴大了至少矩形框35之量的面積(參考圖20)。
基板搬送機器人50,係構成為能夠將基板10和對位遮罩15之雙方作搬送。
搬送室17和真空槽11,係經由真空排氣而被置於真空氛圍下,於此,若是假設在基板搬送機器人50之手48上係承載有對位遮罩15,則首先,係使基板搬送機器人50動作,並如圖2中所示一般,將被承載在基板搬送機器人50之手48上的對位遮罩15與手48一同地搬入真空槽11內。圖21,係對於被搬入真空槽11內之手48的平面圖作展示。
從該狀態起而經由銷支持構件24來使遮罩升降銷45上 升,並使遮罩升降銷45通過手48的手指49之間,而如圖3中所示一般,使遮罩升降銷45之上端與對位遮罩15之背面作抵接。
從該狀態起而使遮罩升降銷45上升,並如圖4中所示一般,將對位遮罩15從手48上而移載至遮罩升降銷45上。
此時,對位遮罩15,係在遮罩升降銷45上滑動,並被設置在特定之位置處。
在將對位遮罩15從手48上而移載至遮罩升降銷45上的期間中,基板升降銷46係不會與對位遮罩15接觸,又,基板升降銷46之上端係被設為較手48之高度更低,如圖5中所示一般,將手48從真空槽11內拔去,接著,如圖6中所示一般,將承載有基板10之手48搬入至真空槽11內。
對位遮罩15和基板10,係能夠承載在同一之基板搬送機器人50的手48上而搬入至真空槽11內,亦可藉由互為相異之個別的基板搬送機器人50之手48來作搬入。
接著,經由使銷支持構件24上升來使基板升降銷46和遮罩升降銷45上升,如圖7中所示一般,使基板升降銷46通過手48的手指49之間,而使基板升降銷46之上端與基板10之背面作抵接。
框體14,係位置在對位遮罩15之矩形框35的上方,若是經由銷支持構件24而使基板升降銷46和遮罩升降銷45上升,則如圖8中所示一般,對位遮罩15,係經由遮罩升降銷45而與框體14作抵接。
此時,被設置在對位遮罩15處之嵌合部和被設置在框 體14之特定位置處的嵌合部係相互合致並在被相對性地作定位的位置處靜止。亦可將嵌合部藉由凹部和凸部來形成,並形成為作物理性滑動而進行對位。將使對位遮罩15在藉由與框體14作接觸一事而相對性地被定位之位置處靜止一事,稱作暫時固定。
基板10係經由基板升降銷46而從手48上被舉升,如圖9中所示一般,從真空槽11內而將手48拔去。
在此狀態下,基板10和平板23係相互分離,又,基板10和對位遮罩15係相互分離。
在基板升降用貫通孔42和基板升降銷46之間,係被形成有空隙,而成為能夠使基板升降銷46傾斜並使基板升降銷46之上端在橫方向上移動。
例如,在沿著基板10之四邊而作配置的基板升降銷46中,相正交之2邊的基板升降銷46(可動銷)係藉由彈簧等而被配置為朝向內側傾斜之方向,藉由使可動銷傾斜並使其之上端在橫方向上移動,而使被配置在其之上端的基板10朝向可動銷之上端所移動的方向相同之方向移動,並推壓至其他之2邊的基板升降銷46(固定銷)處,藉由此,而將基板10配置在特定之位置處(圖21之符號46a,係代表可動銷,符號46b,係代表固定銷)。藉由上述過程,而將基板10和對位遮罩15配置在特定之位置處。於此,藉由使銷支持構件24在身為水平方向之XY方向上移動,可動銷之下端係成為支點並使可動銷傾斜而使可動銷之上端在身為與銷支持構件24之移動方向相反方向的橫方向上 作移動。
另外,於上述說明中,係對於藉由銷之形狀或者是嵌合部來進行基板10、對位遮罩15以及框體14之對位的例子作了展示,但是,亦可設為將對位遮罩15和框體14遞交至在XY方向上移動之位置調整機構(未圖示),並一面藉由攝像機來對於對位記號作測定,一面進行基板10和對位遮罩15之對位。
若是對位結束,則經由銷支持構件24之靜止,而使基板10靜止,接著,如圖10中所示一般,一面維持在將對位遮罩15和基板10作了對位的狀態下,一面使平板23上升,而使平板23之表面與基板10之背面作接觸,並將基板10承載在平板23上。在此狀態下,基板10和對位遮罩15係被作了對位。
接著,若是使平板23更進而上升,則如圖11中所示一般,基板10係以被承載在平板23上的狀態而朝向上方移動,基板10之表面,係與對位遮罩15之背面作抵接,基板10和對位遮罩15係以被作了對位的狀態而相互密著。
此時,基板升降銷46,係經由平板23而被從銷支持構件24上舉升,並成為在平板23處而吊下的狀態。
接著,如圖12中所示一般,若是更進而使平板23上升,則在平板23上,係被層積有基板10和對位遮罩15,在對位遮罩15之外周上,係成為承載有框體14之狀態。藉由平板23之上升,框體14,係從配置部18而分離,並在配置部18之上方,與基板10和對位遮罩15一同上升,除了基板升 降銷46以外,遮罩升降銷45亦係成為從平板23而吊下的狀態。
在此狀態下,基板10之表面係與對位遮罩15之背面相密著,基板10之背面係與平板23之表面相密著,若是從氣體導入裝置12而放出原料氣體和反應氣體,則原料氣體和反應氣體,係通過對位遮罩15之開口部37,而到達面臨基板10之表面的開口部37之位置處,並在該部分處而成長薄膜。
在將薄膜形成至特定膜厚後,將從氣體導入裝置12而來之原料氣體和反應氣體的放出停止,並使平板23降下,而將框體14承載於配置部18上,並且在將基板10承載於基板升降銷46之上端的狀態下,使平板23降下,而使基板10從對位遮罩15之背面分離,同時,基板升降銷46亦係被承載於銷支持構件24上,如圖13中所示一般,而設為將基板10承載在基板升降銷46上的狀態。
此時,使基板10靜止在較手48更高的位置處,並將平板23配置在較手48更低的位置處,如圖14中所示一般,將手48插入至基板10和平板23之間,接著,如圖15中所示一般,使銷支持構件24降下並使基板升降銷46降下,並將基板10從基板升降銷46上而移載至手48上,如圖16中所示一般,將手48從真空槽11內拔去。
而後,將未成膜之基板承載於手48上並搬入至真空槽11內,而能夠與上述相同的在基板表面上承載對位遮罩15並進行成膜,若是反覆進行複數次,則係能夠對於複數之 基板進行成膜處理。
當對於多數枚數之基板進行成膜處理,並對於對位遮罩15作交換的情況時,係如圖17中所示一般,將手48插入至對位遮罩15和平板23之間,接著,使銷支持構件24降下並使遮罩升降銷45降下,而如圖18中所示一般,將對位遮罩15從遮罩升降銷45上而移載至手48上,之後,若是如圖19中所示一般,將手48從真空槽11內拔去,則能夠將承載有新的對位遮罩之手搬入至真空槽11內並進行對位遮罩之交換。
對位遮罩15和基板10,係能夠承載在同一之基板搬送機器人50的手48上而搬出至真空槽11外,亦可藉由互為相異之個別的基板搬送機器人50之手48來作搬出。
另外,上述實施例,雖係為成膜裝置,但是,只要是使用有對位遮罩之真空處理裝置,則亦可使用在例如蝕刻裝置等之其他種類的真空處理裝置中。
1‧‧‧真空處理裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧真空槽
12‧‧‧氣體導入裝置
14‧‧‧框體
15‧‧‧對位遮罩
18‧‧‧配置部
21‧‧‧第1升降構件
22‧‧‧第2升降構件
23‧‧‧平板
24‧‧‧銷支持構件
41‧‧‧遮罩升降用貫通孔
42‧‧‧基板升降用貫通孔
45‧‧‧遮罩升降銷
46‧‧‧基板升降銷
47‧‧‧卡止構件
48‧‧‧手
50‧‧‧基板搬送機器人
[圖1]用以對於本發明之真空處理裝置的並未將基板和對位遮罩配置在真空槽之內部的狀態作說明之內部構成圖。
[圖2]用以對於本發明之真空處理裝置的將承載在手上之對位遮罩與手一同搬入至真空槽內的狀態作說明之內部構成圖。
[圖3]用以對於本發明之真空處理裝置的使遮罩升降 銷之上端與對位遮罩之背面作了抵接的狀態作說明之內部構成圖。
[圖4]用以對於本發明之真空處理裝置的將對位遮罩從手上而移載至遮罩升降銷上後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖5]用以對於本發明之真空處理裝置的手從真空槽內而拔去後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖6]用以對於本發明之真空處理裝置的將承載有基板之手搬入至真空槽內的狀態作說明之內部構成圖。
[圖7]用以對於本發明之真空處理裝置的使基板升降銷之上端與基板之背面作了抵接的狀態作說明之內部構成圖。
[圖8]用以對於本發明之真空處理裝置的對位遮罩經由遮罩升降銷而被與框體作了抵接的狀態作說明之內部構成圖。
[圖9]用以對於本發明之真空處理裝置的從真空槽內而將手拔去後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖10]用以對於本發明之真空處理裝置的將基板和對位遮罩作了對位後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖11]用以對於本發明之真空處理裝置的將基板和對位遮罩以作了對位後的狀態來作了密著之狀態作說明之內部構成圖。
[圖12]用以對於本發明之真空處理裝置的在平板上而將基板和對位遮罩作了層積的狀態作說明之內部構成圖。
[圖13]用以對於本發明之真空處理裝置的將基板承載在基板升降銷上的狀態作說明之內部構成圖。
[圖14]用以對於本發明之真空處理裝置的將手插入了基板和平板之間的狀態作說明之內部構成圖。
[圖15]用以對於本發明之真空處理裝置的將基板從基板升降銷上而移載至手上後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖16]用以對於本發明之真空處理裝置的手從真空槽內而拔去後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖17]用以對於本發明之真空處理裝置的將手插入了對位遮罩和平板之間的狀態作說明之內部構成圖。
[圖18]用以對於本發明之真空處理裝置的將對位遮罩從遮罩升降銷上而移載至手上後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖19]用以對於本發明之真空處理裝置的手從真空槽內而拔去後的狀態作說明之內部構成圖。
[圖20]用以對於對位遮罩的構造作說明之立體圖。
[圖21]被搬入至真空槽內的手之平面圖。
1‧‧‧真空處理裝置
11‧‧‧真空槽
12‧‧‧氣體導入裝置
13‧‧‧處理台
14‧‧‧框體
17‧‧‧搬送室
18‧‧‧配置部
21‧‧‧第1升降構件
22‧‧‧第2升降構件
23‧‧‧平板
24‧‧‧銷支持構件
25‧‧‧內部空間
26‧‧‧貫通孔
29‧‧‧升降裝置
31‧‧‧真空排氣系
32‧‧‧原料氣體導入系
39‧‧‧開口
41‧‧‧遮罩升降用貫通孔
42‧‧‧基板升降用貫通孔
45‧‧‧遮罩升降銷
46‧‧‧基板升降銷
47‧‧‧卡止構件
50‧‧‧基板搬送機器人

Claims (12)

  1. 一種真空處理裝置,其特徵為,具備有:真空槽;平板,係被設置有基板;遮罩升降銷,係被插入至被形成在前述平板處之遮罩升降用貫通孔中,並構成為能夠在上端配置對位遮罩;基板升降銷,係被插入至被形成在前述平板處之基板升降用貫通孔中,並構成為能夠在上端配置基板;及銷支持構件,係被配置在前述平板之下方位置處,並能夠對於前述平板而上下地相對移動,前述遮罩升降銷,係在上下方向上而被形成為較前述基板升降銷更長,若是將前述平板之朝向下方的面和於前述平板處而被吊下之前述基板升降銷的下端間之距離設為第1距離,並將前述平板之朝向下方的面和於前述平板處而被吊下之前述遮罩升降銷的下端間之距離設為第2距離,則當前述平板之朝向下方的面和前述銷支持構件之朝向上方的面間之距離為較前述第1距離更小時,前述遮罩升降銷和前述基板升降銷係被前述銷支持構件所支持,當前述平板之朝向下方的面和前述銷支持構件之朝向上方的面間之距離為較前述第1距離更大,並較前述第2距離更小時,前述遮罩升降銷係被前述銷支持構件所支持,前述基板升降銷係在前述平板處而被吊下,當前述平板之朝向下方的面和前述銷支持構件之朝向 上方的面間之距離為較前述第2距離更大時,前述遮罩升降銷和前述基板升降銷係在前述平板處而被吊下,前述遮罩升降銷和前述基板升降銷係被前述銷支持構件所支持,前述對位遮罩係被配置於前述遮罩升降銷處,若是從將前述基板於前述基板升降銷處與前述遮罩隔開有間隔地來作了設置的狀態起,而使前述平板相對於前述銷支持構件而上升,則前述基板係被配置在前述平板上,前述基板升降銷之下端係從前述銷升降構件而分離,接著,前述對位遮罩係被配置在前述基板上,前述遮罩升降銷之下端係成為從前述銷支持構件而分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置,其中,係構成為:當前述遮罩升降銷和前述基板升降銷被承載於前述銷支持構件上,在前述遮罩升降銷上被配置有前述對位遮罩,在前述基板升降銷上被配置有前述基板的狀態下,在前述對位遮罩和前述基板之間,能夠插入基板搬送機器人之手。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之真空處理裝置,其中,係具備有:對位裝置,係藉由使前述基板升降銷之上端在橫方向移動,來使配置在前述基板昇降銷上之前述基板移動,而將前述對位遮罩與前述基板作對位;配置部,係被配置在前述真空槽內之前述平板的上方;和 框體,係被配置在前述配置部上,並使被配置在前述遮罩升降銷上之前述對位遮罩的周圍從下方朝向上方移動並作抵接,來將前述對位遮罩相對於前述真空槽而作暫時固定,前述對位,係在使前述對位遮罩與前述框體作了抵接的狀態下而進行。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之真空處理裝置,其中,係構成為:藉由被配置有前述對位遮罩之前述遮罩升降銷的上升,前述框體係被承載於前述對位遮罩之上,並能夠與前述對位遮罩一同地從前述配置部分離而上升。
  5. 一種基板和對位遮罩之移動方法,係為使用如申請專利範圍第1項或第2項所記載之真空處理裝置的基板和對位遮罩之移動方法,其特徵為,係具備有:對位遮罩搬入工程,係於在前述真空槽內並未配置有基板和對位遮罩的狀態下,使前述平板和前述銷支持構件和前述遮罩升降銷之上端以及前述基板升降銷之上端,位置在較將第1手插入之位置更下方處,並將對位遮罩載置在前述第1手上而搬入至前述真空槽內,並使前述銷支持構件上升而使前述遮罩升降銷上升,以使前述遮罩升降銷之上端與前述對位遮罩之背面抵接,而將前述對位遮罩從前述第1手上來移載至前述遮罩升降銷上,再將前述第1手從前述真空槽內而拔去;和基板搬入工程,係使前述遮罩升降銷上之前述對位遮罩位置在較插入第2手之位置更上方處,並且使前述基板 升降銷之上端位置在較插入前述第2手之位置更下方處,而將基板載置在前述第2手上並搬入至前述真空槽內,並插入至前述對位遮罩和前述基板升降銷的上端之間,再使前述銷支持構件上升而使前述基板升降銷上升,以使前述基板升降銷之上端與前述基板之背面抵接,而將前述基板從前述第2手上來移載至前述基板升降銷上,再將前述第2手從前述真空槽內而拔去。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第1手和前述第2手,係為同一搬送機器人之手。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第1手和前述第2手,係為相異的搬送機器人之手。
  8. 一種基板和對位遮罩之移動方法,係為使用如申請專利範圍第1項或第2項所記載之真空處理裝置的基板和對位遮罩之移動方法,其特徵為,係具備有:基板搬出工程,係於將前述遮罩升降銷和前述基板升降銷承載於前述銷支持構件上,並且在前述遮罩升降銷上被配置有對位遮罩、在前述基板升降銷上被配置有基板的狀態下,使前述基板位置在較插入第3手之位置更上方處,並且使前述平板位置在較插入前述第3手之位置更下方處,而將前述第3手插入至前述基板和前述平板之間,並使前述銷支持構件降下而使前述基板升降銷降下,來使前述基板之背面與前述第3手接觸,並將前述基板從前述 基板升降銷上來移載至前述第3手上,再將前述基板載置於前述第3手上而從前述真空槽內搬出;和對位遮罩搬出工程,係使前述對位遮罩位置在較插入第4手之位置更上方處,並且使前述平板位置在較插入前述第4手之位置更下方處,而將前述第4手插入至前述對位遮罩和前述平板之間,並使前述銷支持構件降下而使前述遮罩升降銷降下,來使前述對位遮罩之背面與前述第4手接觸,並將前述對位遮罩從前述遮罩升降銷上來移載至前述第4手上,再將前述對位遮罩載置於前述第4手上而從前述真空槽內搬出。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第3手和前述第4手,係為同一搬送機器人之手。
  10. 如申請專利範圍第8項所記載之基板和對位遮罩之移動方法,其中,前述第3手和前述第4手,係為相異的搬送機器人之手。
  11. 一種基板和對位遮罩之對位方法,係為使用如申請專利範圍第3項所記載之真空處理裝置的基板和對位裝置之對位方法,其特徵為:在使前述遮罩升降銷和前述基板升降銷承載於前述銷支持構件上,並且在前述遮罩升降銷上配置有對位遮罩,在前述基板升降銷上配置有基板的狀態下,使前述銷支持構件上升而使前述遮罩升降銷上升,並使前述遮罩升降銷上之前述對位遮罩與前述框體抵接, 使前述基板升降銷之上端在橫方向移動,而使前述基板升降銷上之前述基板移動,並將前述對位遮罩和前述基板作對位。
  12. 一種成膜方法,其特徵為:一面經由如申請專利範圍第11項所記載之基板和對位遮罩之對位方法來維持在將前述基板和前述對位遮罩作了對位的狀態下,一面使前述平板上升並使前述平板之表面和前述基板之背面作接觸,而使前述基板從前述基板升降銷上移載至前述平板上,並將前述基板升降銷從前述銷支持構件而舉升並在前述平板處吊下,使前述平板上升,而使前述平板上之前述基板的表面與前述對位遮罩之背面作接觸,並將前述對位遮罩從前述遮罩升降銷來移載至前述基板上,來將前述遮罩升降銷從前述銷支持構件而舉升並在前述平板處吊下,從前述對位遮罩之上方來散佈薄膜形成用之材料氣體,而在從前述對位遮罩之開口部所露出之前述基板的表面上成膜薄膜。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102021055B1 (ko) * 2012-07-06 2019-09-11 주식회사 원익아이피에스 마스크 기판 얼라이너, 이를 구비한 증착장치, 그 제어방법 및 마스크 기판 얼라인 방법
KR101898065B1 (ko) * 2012-08-10 2018-09-12 주식회사 원익아이피에스 기판이송모듈
KR102017744B1 (ko) * 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP6179908B2 (ja) * 2013-12-12 2017-08-16 株式会社アルバック インライン式成膜装置の成膜準備方法及びインライン式成膜装置並びにキャリア
JP6054470B2 (ja) * 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
DE102017105379A1 (de) * 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Substrathalteranordnung mit Maskenträger
JP6468540B2 (ja) * 2017-05-22 2019-02-13 キヤノントッキ株式会社 基板搬送機構、基板載置機構、成膜装置及びそれらの方法
JP7129888B2 (ja) * 2018-11-07 2022-09-02 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び半導体製造装置
KR102180211B1 (ko) * 2019-01-07 2020-11-18 주식회사 아바코 마스크 정렬장치용 기판 리프트 장치
JP7292948B2 (ja) * 2019-04-24 2023-06-19 キヤノン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102445850B1 (ko) * 2019-11-14 2022-09-20 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP2021097162A (ja) * 2019-12-18 2021-06-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
CN113035682B (zh) * 2019-12-25 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件及其等离子体处理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100851A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置および真空処理方法
US6676761B2 (en) * 2000-07-20 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
JP2005310989A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板及びフォトマスクの受け渡し方法、並びに基板及びフォトマスクの受け渡し装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0927538A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Sharp Corp 四隅が支持されて持ち上げられた基板のたわみ軽減方法および枚葉式基板処理装置
JP3504477B2 (ja) * 1997-11-07 2004-03-08 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
KR100843107B1 (ko) * 2007-01-31 2008-07-03 주식회사 아이피에스 진공처리장치
JP2008303427A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板処理装置
JP5173699B2 (ja) * 2008-09-25 2013-04-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 有機elデバイス製造装置
JP2010086809A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 保持装置、マスクのアライメント方法、基板処理装置、電子放出素子ディスプレイの生産方法及び有機elディスプレイの生産方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6676761B2 (en) * 2000-07-20 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
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JP2005310989A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板及びフォトマスクの受け渡し方法、並びに基板及びフォトマスクの受け渡し装置

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