JP6263972B2 - 基板搬送装置、efem及び半導体製造装置 - Google Patents
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Description
えたEFEM(Equipment Front End Module)並びにこの基板搬送装置を備えた半導体製造装置に関するものである。
第1実施形態の基板搬送装置は、図1で示すようにウェーハ搬送装置2として構成されており、基板としてのウェーハWを搬送するものとなっている。そして、これを囲む筐体51によって略閉止されたウェーハ搬送室5が構成され、その一方の壁面51aに隣接して複数(図中では4つ)のロードポート61〜61が設けられており、これらと上記ウェーハ搬送装置2によってEFEMを構成している。なお、図中ではロードポート61上にFOUP62が載置された状態を模式的に示している。各ロードポート61は扉61aを備えており、この扉61aがFOUP62に設けられた蓋部62aと連結してともに移動することで、FOUP62がウェーハ搬送室5に対して開放されるようになっている。FOUP62内には、対をなして1枚のウェーハWを支持する載置部62b,62bが上下方向に多数設けられており、これらを用いることで多数のウェーハWを格納することができる。また、FOUP62内には通常窒素ガスが充填されるとともに、ロードポート61を介してFOUP62内の雰囲気を窒素置換することも可能となっている。
図10は、第2実施形態の基板搬送装置としてのウェーハ搬送装置102を示す模式図である。この図において、第1実施形態と同じ部分には同じ符号を付し、説明を省略する。
図12は、第3実施形態のウェーハ搬送装置202を示す模式図である。この図において、第1実施形態及び第2実施形態と同じ部分には同じ符号を付し、説明を省略する。
図17は、第4実施形態おけるウェーハ搬送装置302の構造を模式的に示したものである。この図において、第1〜第3実施形態と同じ部分には同じ符号を付し、説明を省略する。
3,3A〜3G,203,303…カバー
5…ウェーハ搬送室
21…ベース
22…搬送アーム
24…ガイドレール
31,231,331…本体部
32,232,332…壁部
32a,232a,332a…開放端
33…拡散板(拡散手段)
34…ガス導入口
35…ヒータ(加熱手段)
36…加熱ランプ(加熱手段)
37…分岐配管(拡散手段)
51…筐体
51a,51b…壁面
61…ロードポート
81…ロードロック室
325…カバー受け部材
F…ウェーハ面(基板面)
G…ガス
MG…ガス供給手段
MH…カバー移動手段
MV…カバー接離手段
S…内部空間
W…ウェーハ(基板)
Claims (10)
- ベースにより支持され、基板を保持して搬送する搬送アームと、
当該搬送アームと同一のベースに設けられた支柱と、
当該支柱を介して前記搬送アームと相対し得る位置に配置され、基板を覆うことのできるカバーと、
当該カバーより周辺雰囲気とは異なる性質を有するガスを供給するガス供給手段とを備えており、
前記搬送アームにより基板を搬送させるに際し、前記ガス供給手段よりガスを供給することで基板表面の雰囲気を前記ガスによって置換し得るように構成され、
前記ベースを移動可能に支持するガイドレールを備え、前記カバーを前記ガイドレールと直交する方向に移動可能に支持するカバー移動手段を備えたことを特徴とする基板搬送装置。 - ベースにより支持され、基板を保持して搬送する搬送アームと、
当該搬送アームと同一のベースに設けられた支柱と、
当該支柱を介して前記搬送アームと相対し得る位置に配置され、基板を覆うことのできるカバーと、
当該カバーより周辺雰囲気とは異なる性質を有するガスを供給するガス供給手段とを備えており、
前記搬送アームにより基板を搬送させるに際し、前記ガス供給手段よりガスを供給することで基板表面の雰囲気を前記ガスによって置換し得るように構成され、
前記ベースを移動可能に支持するガイドレールを備え、前記搬送アームとの間で基板を受け渡す受け渡し位置が前記ガイドレールを挟む両側に設定されており、前記カバーが前記ガイドレールと直交する方向に延在するように構成されていることを特徴とする基板搬送装置。 - 前記カバーを基板面に対して近接又は離間させるカバー接離手段を備え、
前記カバーが、基板に相対し得る本体部と当該本体部の縁部に設けられた壁部とを備えており、前記カバー接離手段によって前記カバーを基板に近接させた際に前記本体部と壁部との間で形成される内部空間に基板を収容させ得るように構成し、
前記カバーを基板に近接させた際に、前記カバーの壁部の開放端が近接又は当接することで協働して前記内部空間を略閉止するカバー受け部材を前記ベースに設けたことを特徴とする請求項1又は2記載の基板搬送装置。 - 前記ガス供給手段が、外部よりガスを導入するためのガス導入口と、当該ガス導入口より前記カバーの下方にガスを拡散させる拡散手段を備えていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の基板搬送装置。
- 前記ガス供給手段が、前記ガスを加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の基板搬送装置。
- 前記基板がウェーハであり、請求項1〜5の何れかに記載の基板搬送装置と、これを覆う筐体とを備え、当該筐体の壁面に隣接して基板を受け渡すための受け渡し位置を設定したことを特徴とするEFEM。
- 基板を搬送する基板搬送装置を備える基板搬送室と、前記基板搬送室の前方側に設けられるロードポートと、前記基板搬送室の後方側に接続する処理装置とを有する半導体製造装置において、
前記基板搬送装置は、ベースにより支持される搬送アームと、前記搬送アームに設けられ前記基板を保持するエンドエフェクタと、前記搬送アームと相対し得る位置に配置され、前記基板を覆うことのできるカバーと、当該カバーより周辺雰囲気とは異なる性質を有するガスを供給するガス供給手段と、前記基板搬送室の底面に配置され前記ベースを支持して前記基板搬送装置を移動可能にするガイドレールと、が設けられ、
前記カバーは、前記ガイドレールに沿った前記搬送アームの移動に伴い前記基板搬送室内を移動するとともに、さらに前記カバーを前記基板の移動に対して追従可能に移動させるカバー移動手段を備える、ことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記カバー移動手段は、前記搬送アームの動作と連動して前記ガイドレールが延在する方向と直交する方向に前記カバーを移動させる請求項7記載の半導体製造装置。
- 周辺雰囲気とは異なる性質を有する前記ガスは窒素ガスであり、前記搬送アームにより基板を搬送させるに際して前記ガス供給手段より前記ガスを供給することで基板表面の雰囲気を前記ガスによって置換することで、前記基板表面の雰囲気を前記基板搬送室内の雰囲気に比して低酸素雰囲気にする、請求項7又は8記載の半導体製造装置。
- 前記ガス供給手段は、加熱手段を備えることで前記基板表面の水分を除去するよう加熱された前記ガスを前記基板の表面に供給する請求項7〜9の何れかに記載の半導体製造装置。
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