TWI453546B - 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法 - Google Patents

檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI453546B
TWI453546B TW098113066A TW98113066A TWI453546B TW I453546 B TWI453546 B TW I453546B TW 098113066 A TW098113066 A TW 098113066A TW 98113066 A TW98113066 A TW 98113066A TW I453546 B TWI453546 B TW I453546B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radiation beam
substrate
diffraction
collimator
target
Prior art date
Application number
TW098113066A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200951636A (en
Inventor
De Kerkhof Marcus Adrianus Van
Der Schaar Maurits Van
Andreas Fuchs
Martyn John Coogans
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200951636A publication Critical patent/TW200951636A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI453546B publication Critical patent/TWI453546B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4788—Diffraction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法
本發明係關於可用於(例如)藉由微影技術來製造器件之檢查方法，且係關於使用微影技術來製造器件之方法。
微影裝置係將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
為了監控微影製程，需要量測經圖案化基板之參數，例如，形成於基板中或基板上之順次層之間的疊對誤差。存在用於進行微影製程中所形成之顯微結構之量測的各種技術，包括掃描電子顯微鏡及各種專門工具之使用。一專門檢查工具形式為散射計，其中將輻射光束引導至基板之表面上之目標上，且量測經散射光束或經反射光束之性質。藉由比較光束在其已由基板反射或散射之前與之後的性質，可判定基板之性質。此可(例如)藉由比較經反射光束與儲存於與已知基板性質相關聯之已知量測庫中的資料而進行。已知兩種主要類型之散射計。分光散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上，且量測經散射至特定窄角範圍中之輻射的光譜(作為波長之函數的強度)。角解析散射叶使用單色輻射光束且量測經散射輻射之作為角度之函數的強度。
如以上所提及，將圖案形成於基板之表面上，此圖案表示IC或在基板上所製造之任何產品。製造圖案之方式為：將重複抗蝕劑層放於基板上，接著進行曝光，接著進行清洗或烘焙或其他該等後曝光製程。需要使待曝光之層中之每一者與其下方之層對準，使得圖案儘可能精確地建置，從而確保在需要時之有效電連接且亦使能夠形成愈來愈小之產品，同時避免相鄰結構之間的串擾。散射計可用於判定後續層是否如其應對準之方式而對準。後續層之對準被稱作疊對。疊對誤差意謂層相對於其下方(或實際上其上方)之層而偏移。若層相對於其下方之層而偏移，則將降低此等各別層內之結構之間的電接觸之品質。在極端情況下，可能發生電接觸或短路之全部損失。在產品層相對於其下方之產品層而旋轉的情況下亦如此。可使用散射計來量測此等類型之疊對誤差。
為了量測且藉此校正(或較佳地防止)疊對誤差，將測試圖案形成於具有已知性質且使用輻射光束及散射計偵測器而測試之基板上，散射計偵測器量測已自測試圖案所反射之輻射光束之繞射光譜。為了降低由此等測試圖案所佔據之空間量，通常將測試圖案形成於基板上之晶粒與場之間的切割道中。此等切割道隨後將被鋸開，以便分離各種產品，且因此不可用於產品。測試圖案通常被稱作疊對量測目標或疊對目標。然而，切割道較小(以針對產品而留出更多空間)且出於各種目的而通常亦包裝有較大範圍之測試圖案。由於用於產品上疊對量測(亦即，對亦含有產品之基板之量測，與可純粹用於測試之測試基板相對)之疊對目標之相對較大尺寸，實務上，目標係在晶粒之間的切割道中。然而，此意謂使用模型來預測實際產品疊對，因為不直接量測實際產品疊對。
在將切割道疊對目標內插至晶粒內產品(in-die product)時所使用之模型為近似值。此等近似值可能具有某些誤差。在更少目標可用於切割道中之情況下，可使誤差更糟。通常為以下情況：少於最佳數目之數目的疊對目標為可用的，因為切割道「面積」(real estate)對微影裝置(如以上所提及)之使用者有價值。
為了最小化以上所提及之內插誤差，需要能夠量測晶粒內目標上之疊對。因為基板「面積」在晶粒內部非常珍貴，所以需要使此等疊對目標儘可能地小且較佳地為10乘10微米或更小。然而，在極小目標之情況下，存在可導致信號雜訊比問題之嚴格尺寸要求。此外，信號雜訊比及疊對目標與相鄰產品結構之間的串擾可為不良的。此係因為照明光束將限於其可聚焦至之尺寸，該尺寸可由於所要極小目標尺寸而大於目標自身。
需要提供一種用於量測疊對之技術，其可使用可用對準輻射光束而在小晶粒內疊對目標上進行。
根據本發明之一態樣，提供一種經組態以量測基板之性質的檢查裝置、散射計、微影裝置或微影單元，其包括：輻射源，輻射源經組態以輸出輻射光束，輻射光束經引導至基板之表面；準直器，準直器經組態以在一旦輻射光束自基板之表面反射的情況下便準直及聚焦輻射光束，且分離經反射輻射光束之繞射級；及偵測器，偵測器經組態以偵測經反射輻射光束之角度解析光譜，其中基板之性質係藉由在定位於輻射光束朝向準直器之影像平面會聚至輻射光束自影像平面發散之範圍內的平面中量測經反射光譜之性質而量測。
根據本發明之另一態樣，提供一種量測基板之性質的方法，其包括：藉由輻射光束來照射基板上之目標；自目標反射輻射光束；使用光學系統來準直及聚焦經反射輻射光束；發散經反射輻射光束之第一繞射級；在定位於經反射輻射光束朝向光學系統之影像平面會聚至經反射輻射光束自影像平面發散之範圍內的平面中偵測第一繞射級之強度；及自第一繞射級之強度而判定基板之目標之性質。
根據本發明之又一態樣，提供一種器件製造方法，其包括：使用微影裝置以在基板上形成圖案；及藉由以下步驟來判定與圖案之參數有關的值：藉由輻射光束來照射基板上之目標；自目標反射輻射光束；使用光學系統來準直及聚焦經反射輻射光束；發散經反射輻射光束之第一繞射級；在定位於經反射輻射光束朝向光學系統之影像平面會聚至經反射輻射光束自影像平面發散之範圍內的平面中偵測第一繞射級之強度；及自第一繞射級之強度而判定基板之目標之性質。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束係借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由圖案化器件圖案化。在橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA後，輻射光束B穿過投影系統PL，投影系統PL將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2所示，微影裝置LA形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元或叢集)之一部分，其亦包括用以對基板執行預曝光及後曝光製程之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘焙板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同製程裝置之間移動基板，且接著將基板傳送至微影裝置之裝載盤LB。通常被共同地稱作軌道之此等器件係在軌道控制單元TCU之控制下，軌道控制單元TCU自身係由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及製程效率。
為了正確且一致地曝光由微影裝置所曝光之基板，需要檢查經曝光基板以量測性質，諸如，後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其係在檢查可足夠迅速且快速地進行以使得同一分批之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可經剝離及重做-以改良良率-或廢除-藉此避免對已知為有缺陷之基板執行曝光。在基板之僅某些目標部分為有缺陷之情況下，可僅對為良好之彼等目標部分執行另外曝光。
使用檢查裝置以判定基板之性質，且特別係判定不同基板或同一基板之不同層之性質如何在層與層之間變化。檢查裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中或可為單獨器件。為了致能最快速之量測，需要使檢查裝置在曝光之後立即量測經曝光抗蝕劑層中之性質。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度-在抗蝕劑之已曝光至輻射之部分與抗蝕劑之尚未曝光至輻射之部分之間僅存在極小的折射率差-且並非所有檢查裝置均具有對進行潛影之有用量測的充分敏感性。因此，可在後曝光烘焙步驟(PEB)之後採取量測，後曝光烘焙步驟(PEB)通常為在經曝光基板上所進行之第一步驟且其增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛伏的。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除-或在圖案轉印步驟(諸如，蝕刻)之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重做有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
圖3描繪可用於本發明之一實施例中的散射計SM1。散射計SM1包括寬頻帶(白光)輻射投影儀2，其將輻射投影至基板W上。經反射輻射傳遞至分光計偵測器4，其量測鏡面經反射輻射之光譜10(作為波長(λ)之函數的強度(I))。自此資料，可藉由製程單元PU來重新建構引起經偵測光譜之結構或剖面，例如，藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與如圖3之底部處所示之模擬光譜庫比較。一般而言，對於重新建構，結構之通用形式為已知的，且根據對製造結構所採用之製程的認識而採取某些參數，從而僅留下結構之少許參數以自散射量測資料加以判定。該散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。
圖4中展示可用於本發明之一實施例的另一散射計SM2。在此器件中，由輻射源2所發射之輻射係使用透鏡系統12經由干涉濾光器13及偏振器17而聚焦、由部分反射表面16反射且經由顯微鏡接物鏡15而聚焦至基板W上，顯微鏡接物鏡15具有高數值孔徑(NA)，較佳地為至少0.9且更佳地為至少0.95。浸沒散射計可甚至具有數值孔徑超過1之透鏡。經反射輻射接著透過部分反射表面16而進入偵測器18，以便偵測散射光譜。偵測器可位於處於透鏡系統15之焦距的背部投影式光瞳平面11中，然而，光瞳平面可代替地藉由輔助光學器件(未圖示)而再成像至偵測器上。光瞳平面係輻射之徑向位置界定入射角且角位界定輻射之方位角的平面。偵測器較佳地為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜。偵測器18可為(例如)CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。
舉例而言，通常使用參考光束以量測入射輻射之強度。為了進行此過程，當輻射光束入射於光束分光器16上時，輻射光束之一部分透過光束分光器而作為朝向參考鏡面14之參考光束。參考光束接著投影至同一偵測器18之不同部分上。
干涉濾光器13之集合可用以選擇在(比如)405奈米至790奈米或甚至更低(諸如，200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。干涉濾光器可為可調諧的，而非包括不同濾光器之集合。可代替干涉濾光器而使用光柵。
偵測器18可量測經散射輻射在單一波長(或窄波長範圍)下之強度、單獨地在多個波長下之強度或在一波長範圍內所積分之強度。此外，偵測器可單獨地量測橫向磁偏振輻射及橫向電偏振輻射之強度，及/或橫向磁偏振輻射與橫向電偏振輻射之間的相位差。
使用寬頻帶輻射源或光源(亦即，具有寬光頻率或波長範圍且因此具有寬顏色範圍之輻射源或光源)為可能的，其給出較大光展量(etendue)，從而允許多個波長之混合。寬頻帶中之複數個波長較佳地各自具有為δλ之頻寬及為至少2δλ(亦即，頻寬之兩倍)之間隔。若干輻射「源」可為延伸型輻射源之已使用光纖束而分裂的不同部分。以此方式，可在多個波長下並行地量測角度解析散射光譜。可量測3-D光譜(波長及兩個不同角度)，其與2-D光譜相比含有更多資訊。此允許量測更多資訊，其增加度量衡製程穩固性。此係在EP1,628,164A中得以更詳細地描述。
基板W上之目標30可為光柵，其經印刷，使得在顯影之後，條狀物(bar)係由固體抗蝕劑線形成。條狀物可或者經蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特別係投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及該等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，將經印刷光柵之散射量測資料用以重新建構光柵。根據對印刷步驟及/或其他散射量測製程之認識，可將光柵之參數(諸如，線寬及形狀)輸入至由製程單元PU所執行之重新建構製程。
如以上所提及，圖3及圖4之散射計可用以量測後續曝光層之疊對。用於此製程之疊對目標通常係以週期性光柵之形式。藉由首先自一方向(在特定入射角及方位角下)且隨後自相反方向(例如，相同入射角，但相反方位角)照明此光柵，繞射光譜經形成且可(例如)在接物鏡12之光瞳平面中經偵測。
首先自一方向接著自另一方向照明目標會引引兩個可量測強度：一可量測強度係針對已自每一方向所反射之每一輻射光束。可接著自由第一級經繞射射線(亦產生自基板之表面上之目標)所形成之目標影像減去此等強度。自目標影像減去個別強度將引起將目標之任何不對稱性展示為強度變化的強度影像。
然而，此方法需要在曝光之間具有孔徑改變的兩個連續曝光。此降低產出率且可引入額外誤差源(例如，在用於第一方向上之照明輻射與用於第二方向上之照明輻射不精確地相同的情況下)。
因此，此處提議使用相對較大量測光點而藉由基於影像之技術來量測小晶粒內疊對目標(例如，10乘10微米)。量測光點為經聚焦照明光束之尺寸。本發明之一實施例的量測光點可顯著地大於疊對目標自身。當使用基於影像之技術時，將偵測器定位於用以準直及聚焦自疊對目標所反射之光之光學系統的影像平面中。光學系統可在下文中被廣泛地稱作準直器。影像平面為重新聚集已反射輻射之物件(亦即，在此情況下為疊對目標)之影像的平面。若將偵測器置放於此影像平面中，則將偵測到物件之清晰影像。此係與其他方法形成對比，在其他方法中，將偵測器置放於用以準直及聚焦自待檢查之物件所反射之輻射之光學系統的光瞳平面中。
由於本發明之一實施例的偵測器在準直器中之不同位置，偵測器可不同於現有散射計中所使用之其他偵測器。或者，可移動現有偵測器，或可調整光學器件，使得將光學系統之影像平面定位於偵測器表面處。
圖5展示本發明之一實施例。輻射光束係自定位於基板W上之疊對目標30而反射。目標可為光柵或易於經重新建構或可用於研究自其所繞射之輻射之不對稱性的其他形狀。疊對目標可為晶粒內的；亦即，在產品區域內，而非在切割道中，因此給出產品區域自身之疊對的更精確指示。目標可極小：小於輻射光束之量測光點。
在此實施例中，光學系統或準直器包括第一接物鏡40，第一接物鏡40可準直已自基板W之目標30所反射的發散光束。光瞳平面PP之另一側上的後續透鏡聚焦經反射輻射光束，且導致其會聚至光軸上之影像平面中之點。輻射光束無阻礙地發散且由透鏡50再次準直。
輻射光束之由光學系統或準直器所進行之此反射、準直及聚焦引起劃分成繞射級之繞射光譜，其中第零級係在輻射光束之中心且漸進更高級係徑向地向外定位。繞射光譜被稱作「角度解析」光譜。只要接物鏡40具有足夠高之數值孔徑來捕獲及準直直至經繞射輻射之至少第一繞射級，則入射輻射可在大角度範圍下入射。接物鏡40之數值孔徑可隨著在基板W與接物鏡40之間引入液體(諸如，水)而增加至超過0.9且甚至超過1。如以上所描述，此被稱作系統之「浸沒」。
可將空間濾光器60配置於光學系統或準直器之第二光瞳平面中。空間濾光器60之目的係阻止經反射輻射之第零繞射級到達偵測器CCD，第零繞射級係在繞射光譜之中心。此形成「暗場」(darkfield)條件，因此增加經偵測影像之對比度且使第一級之不對稱性更明顯。空間濾光器輔助移除除了已自待量測之物件(亦即，目標30)所散射之輻射以外的所有輻射。此使量測光點能夠大於目標30，因為可使用空間濾光器60而濾出來自環繞目標之區域的非散射輻射。
允許在第零級之徑向外部處的第一繞射級穿過空間濾光器60。較佳地，僅第一繞射級透過空間濾光器60。應亦藉由空間濾光器60來阻止更高繞射級。穿過空間濾光器之正第一繞射級及負第一繞射級中之每一者可隨後藉由各別光學楔形體70而發散。此允許兩個第一級經繞射光束彼此分離，使得其形成「雙視覺」效應100且在偵測器CCD處經單獨地偵測。此等第一級經繞射射線可隨後藉由另一透鏡80而聚焦，以便提供另一影像平面IP，其中在經分離第一繞射級中目標30之影像將為聚焦且清晰的。在此影像平面IP處，第一繞射級碰撞於偵測器CCD上。
為了防止此等兩個第一繞射級在相機上合併成單一影像，可將光學楔形體70引入至光瞳平面中(在空間濾光器60之後)且引入至正第一繞射級及負第一繞射級之路徑中。或者，可將具有相反(或至少不同)傾斜之楔形體應用於兩個繞射級。光學楔形體引起兩個影像之間自+1第一繞射級與-1第一繞射級之移位，使得兩個影像在影像平面IP上經單獨地偵測，但未(必要地)在光軸上經單獨地偵測。此被稱作「雙視覺」量測100。
導致雙視覺效應100，因為輻射未會聚於光學系統或準直器之中心光軸上以形成單一影像。更確切而言，正第一繞射級及負第一繞射級中之每一者係使用透鏡80而個別地聚焦至偵測器CCD上之單獨位置上，因此形成兩個經聚焦影像100。可接著比較兩個單獨影像。
如圖5所示，較佳地同時偵測正第一繞射級及負第一繞射級兩者。以此方式，兩個影像係自基板W而形成於目標30之偵測器處。經偵測資訊100係展示於圖5之底部處。在左邊的為+1繞射級且在右邊的為-1繞射級。應瞭解，視光學系統或準直器而定，此等繞射級可反向或以不同方式而顯示。
可比較兩個影像100之強度，且可將經量測強度之不對稱性鏈接至目標30之疊對誤差。
與首先自一方向且接著自另一方向照明疊對目標相比，諸如以上所描述之基於影像之量測的基於影像之量測具有三個主要益處。第一益處為更高產出率。因為可同時量測同一目標之不同量測，所以可更快速地進行疊對之量測且可將結果反饋至微影曝光系統，因此增加可形成正確地曝光之基板的速度。第二益處為：本發明之一實施例的系統對於連續曝光之間的變化較不敏感。此係因為僅需要疊對目標30之一曝光。第三益處為：藉由一共同入射射線(而非藉由兩個僅部分相關入射射線)來產生+1繞射級及-1繞射級。照明輻射因此為恆定的，因此引起更少量測誤差源。
作為以上所描述之方法的改進形式，可應用視覺分析以精確地找到偵測器圖像中之目標影像。換言之，可使用偵測器信號之分析以精確地判定疊對目標30相對於感測器光學器件之光軸而存在於基板W上之何處，且此可自動地進行。此降低針對偵測器及對準光束相對於基板及其目標之極精確定位的需要。相對定位之誤差可藉此自動地自疊對計算而移除。或者，可使用此技術以產生警告信號，以指示目標相對於感測器之定位不足夠良好，且需要重新定位(包括關於重新定位步驟之方向及量值的資訊)。亦可自動化此重新定位。
圖6展示本發明之一實施例。以共同參考數字來標註共同特徵。基本裝備為相同的，其中接物鏡40準直經反射輻射，且輻射隨後藉由透鏡50而聚焦及重新準直。然而，在此實施例中，不存在用於阻隔第零級輻射之空間濾光器(60)。然而，包括光學楔形體72之系統，其允許形成三個單獨目標影像102，如圖6之底部中所示。
在所示之特定實施例中，藉由偵測器CCD來偵測第零級及第一級。然而，偵測更高級經繞射射線同樣係在本發明之範疇內。光學楔形體72用以分離出第零繞射級，第零繞射級可接著自疊對之計算而移除。可以與第一實施例中相同的方式而自來自各別+1第一級及-1第一級(及/或更高級)經繞射射線之兩個目標影像來再次計算疊對。
圖7中展示本發明之一實施例。如同圖6之實施例的情況，以共同參考數字來描繪與第一實施例共同之特徵。在圖7之實施例中，使用空間濾光器60來再次阻隔第零級經繞射輻射，且以與圖5及圖6之實施例中相同的方式來進行經反射輻射之準直及聚焦。然而，不使用光學楔形體(70、72)。實情為，不將量測偵測器CCD置放於影像平面IP中，而置放於光瞳平面PP(60)與影像平面IP之間的中間平面中，其中輻射自其在光瞳平面處之平行光束會聚至在影像平面IP處之經聚焦點。或者，且同等有效地，可將偵測器CCD置放於影像平面IP之下游，其中輻射在已聚焦於影像平面IP上之後再次發散。任一方法均導致目標30之兩個空間分離的模糊影像104。
圖7所示之實施例不使用光學楔形體以形成雙視覺效應(100、102)，而更確切而言，使用透鏡82之第二集合以朝向處於光軸上之影像平面IP聚焦第一繞射級。模糊目標影像係因尚未將其一起會聚於軸線上(或已會聚於軸線上，但再次發散)之事實而分離，而非因包括光學楔形體以將焦點強制於除了光學系統或準直器之主要光軸以外的軸線上而分離。即使模糊影像不在焦點上，亦可量測模糊影像之強度。因此，此實施例之益處為：不需要光學楔形體之附加硬體，且可簡化且更便宜地製造光學系統或準直器。
然而，在此實施例中，可將光學楔形體用作一變化，且可將偵測器置放於經分離第一級為可量測之任何處，而無論經分離第一級是否在焦點上。
再次在圖7之實施例或其變化中，自此等模糊目標104之平均強度差而計算疊對。
作為圖7之實施例的改進形式，可在中間影像平面(其共軛於物件平面；亦即，在與物件30所定位之平面相同的光軸上，且因此產生具有物件30之所有繞射級的影像，其為全資料影像)中使用第二空間濾光器62，以防止源自待包括於模糊目標影像中之實際疊對目標外部的射線。此有助於防止雜訊影響偵測器CCD處之強度量測。此外，此使量測光點能夠大於基板上之目標，從而使目標能夠更小。第一空間濾光器60亦可促成此益處。
熟習此項技術者應能夠在申請專利範圍之範疇內設想裝置之其他裝備，其將使偵測器或偵測器陣列能夠處於影像平面中或附近，且能夠使用彼此分離之第一(或更高)繞射級來獲得僅含有來自第一(及/或更高)繞射級之資料的單獨信號或影像。自此等單獨信號或影像之比較，可判定疊對量測。
熟習此項技術者亦應瞭解，可使用所描述之技術來量測基板之其他性質。舉例而言，可重新建構基板上之物件之量測參數，諸如，臨界尺寸(CD)、物件高度、物件相對於基板之側壁角度，等等；或可量測基板相對於外部常數之對準。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢查工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板製程工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為約5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
2．．．寬頻帶(白光)輻射投影儀
4．．．分光計偵測器
10．．．光譜
11．．．背部投影式光瞳平面
12．．．透鏡系統
13．．．干涉濾光器
14．．．參考鏡面
15．．．透鏡系統
16．．．部分反射表面
17．．．偏振器
18．．．偵測器
30．．．目標
40．．．第一接物鏡
50．．．透鏡
60．．．空間濾光器
62．．．第二空間濾光器
70．．．光學楔形體
72．．．光學楔形體
80．．．透鏡
82．．．透鏡
100．．．雙視覺效應/經聚焦影像/經偵測資訊
102．．．目標影像/雙視覺效應
104．．．模糊影像/模糊目標
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BK．．．烘焙板
C．．．目標部分
CCD．．．偵測器
CH．．．冷卻板
CO．．．聚光器
DE．．．顯影器
I．．．強度
IF．．．位置感測器
IL．．．照明器
IN．．．積光器
IP．．．影像平面
I/O1．．．輸入/輸出埠
I/O2．．．輸入/輸出埠
LA．．．微影裝置
LACU．．．微影控制單元
LB．．．裝載盤
LC．．．微影單元
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．圖案化器件支撐件
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PP．．．光瞳平面
PU．．．製程單元
PW．．．第二定位器
RO．．．機器人
SC．．．旋塗器
SCS．．．監督控制系統
SM1．．．散射計
SM2．．．散射計
SO．．．輻射源
TCU．．．軌道控制單元
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
λ．．．波長
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪根據本發明之一實施例的微影單元或叢集；
圖3描繪根據本發明之一實施例的散射計；
圖4描繪根據本發明之一實施例的散射計；
圖5描繪根據本發明之一實施例的照明裝備；
圖6描繪根據本發明之一實施例的照明裝備；且
圖7描繪根據本發明之一實施例的照明裝備。
BK．．．烘焙板
CH．．．冷卻板
DE．．．顯影器
I/O1．．．輸入/輸出埠
I/O2．．．輸入/輸出埠
LA．．．微影裝置
LACU．．．微影控制單元
LB．．．裝載盤
LC．．．微影單元
RO．．．機器人
SC．．．旋塗器
SCS．．．監督控制系統
TCU．．．軌道控制單元

Claims (25)

  1. 一種經組態以判定一基板之一性質(property)的檢查(inspection)裝置，其包含：一輻射源，該輻射源經組態以輸出一輻射光束朝向在該基板的一表面上的一疊對目標(overlay target)；一準直器，該準直器經組態以在一旦該輻射光束自該疊對目標反射，準直及聚焦該輻射光束，且分離(separate)該經反射輻射光束之一繞射光譜的繞射級(diffraction orders)；及一偵測器，該偵測器經組態以偵測該經反射輻射光束之該經分離的繞射級之至少一子集(subset)，以判定該子集之第一及第二部分各自的第一及第二性質；及一處理器，該處理器經組態以：判定該基板之該性質，其係係藉由比較定位於一範圍內的一平面中的該等第一及第二性質而判定，其中該範圍係從該輻射光束朝向該準直器之一影像平面會聚處至該輻射光束自該影像平面發散處；判定該疊對目標相對於該準直器的一光軸(optical axis)之一位置；及根據該疊對目標之該經判定的位置，自該基板的該性質之判定移除相對定位之一誤差(error)。
  2. 如請求項1之檢查裝置，其中該平面定位於該準直器之一影像平面與一光瞳平面之間，其中，在使用中，該經反射輻射光束朝向該影像平面會聚。
  3. 如請求項1之檢查裝置，其中該平面定位於共軛於該影像平面之一平面之下游，其中，在使用中，該經反射輻射光束自該影像平面發散。
  4. 如請求項1之檢查裝置，其中該平面定位於該準直器之一影像平面上。
  5. 如請求項1之檢查裝置，其中該平面定位於該準直器之一影像平面附近。
  6. 如請求項1之檢查裝置，其進一步包含一空間濾光器，該空間濾光器係在該基板與該偵測器之間，該空間濾光器經組態以阻隔該繞射光譜之一第零繞射級。
  7. 如請求項1之檢查裝置，其進一步包含一光學器件，該光學器件經組態以在藉由該偵測器偵測該光譜之前空間地發散該繞射光譜之正(positive)第一繞射級及負(negative)第一繞射級。
  8. 如請求項1之檢查裝置，其中該偵測器經配置以實質上同時偵測該繞射光譜之正第一繞射級及負第一繞射級。
  9. 如請求項1之檢查裝置，其中待量測之該基板之該性質係一第一層相對於該基板上之一第二層的疊對。
  10. 如請求項9之檢查裝置，其中：第一經量測性質包含一正第一繞射級及第二經量測性質包含一負繞射級；及該疊對係藉由比較該正第一繞射級與該負第一繞射級之強度而量測。
  11. 如請求項1之檢查裝置，其中該基板之該性質包含該疊 對目標之一量測參數。
  12. 如請求項1之檢查裝置，其中該準直器包含一光學器件，該光學器件經組態以將該繞射光譜分離成兩個或兩個以上副光束(sub-beam)，該等副光束中之至少兩者包含該經反射光束之非零繞射級。
  13. 如請求項12之檢查裝置，其中：該至少兩個副光束分別包含一正第一繞射級及一負第一繞射級；由該偵測器所偵測的該經分離的該子集包含該至少二個副光束的該正第一繞射級及該負第一繞射級；及該處理器，該處理器經組態以自由該偵測器所偵測之該兩個第一繞射級之每一者的一強度而判定該基板上之一第一層相對於一第二層的一疊對。
  14. 如請求項1之檢查裝置，其進一步包含一空間濾光器，該空間濾光器定位於該準直器之一中間影像平面中，該空間濾光器經組態以防止雜散輻射到達該偵測器，該雜散輻射源自該基板上之一目標外部，該輻射光束係自該目標而反射。
  15. 如請求項1之檢查裝置，其中該準直器包括在該基板與一透鏡之間的一區域，該區域係填充有經組態以形成該透鏡之一更高有效數值孔徑的一流體。
  16. 如請求項1之檢查裝置，其中該偵測器經組態以實質上同時針對該輻射光束之複數個波長及複數個入射角而偵測該經繞射光譜。
  17. 如請求項1之檢查裝置，其中該偵測器經組態以量測該基板之該表面之經散焦影像，且待量測之該性質係藉由分析該等經散焦影像而判定。
  18. 如請求項1之檢查裝置，其中：該偵測器進一步經組態以輸出該經分離的繞射級之經偵測的該至少一子集作為一偵測器信號。
  19. 一種經組態以判定一基板之一性質的散射計(scatterometer)，其包含：一輻射源，該輻射源經組態以輸出一輻射光束朝向在該基板的一表面上的一疊對目標；一準直器，該準直器經組態以在一旦該輻射光束自該疊對目標反射，準直及聚焦該輻射光束，且分離該經反射輻射光束的一角解析光譜(angle-revolved spectrum)之繞射級；及一偵測器，該偵測器經組態以偵測該經反射輻射光束之該角度解析光譜，及判定該角度解析光譜的第一及第二性質，該偵測器定位於一範圍內的一平面中，該範圍係從該輻射光束朝向該準直器之一影像平面會聚處至該輻射光束自該影像平面發散處；及一處理器，其經組態以：藉由比較該角度解析光譜的該等第一及第二性質而判定該基板之該性質；判定該疊對目標相對於該準直器的一光軸之一位置；及 根據該疊對目標之該經判定的位置，自該基板的該性質之判定移除相對定位之一誤差。
  20. 一種量測一基板之一性質的方法，其包含：藉由一輻射光束來照射一基板上之一目標，該輻射光束自該目標反射成為一經反射輻射光束；使用一準直器來準直及聚焦該經反射輻射光束；發散該經反射輻射光束之第一繞射級；偵測在定位於一範圍內的一平面中該等第一繞射級之強度，該範圍係從該經反射輻射光束朝向該準直器之一影像平面會聚處至該經反射輻射光束自該影像平面發散處；比較該等第一繞射級之每一者對於其他者的強度；自該等第一繞射級之該強度之比較而判定該基板之一性質；判定該目標相對於該準直器的一光軸之一位置；及根據該目標之該位置之判定，自該基板的該性質之判定移除相對定位之一誤差。
  21. 如請求項20之方法，其進一步包含阻隔來自該經反射輻射光束的一第零繞射級。
  22. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，該照明系統經配置以照明一圖案；一投影系統，該投影系統經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及一檢查裝置，該檢查裝置經組態以判定該基板之一性 質，該檢查裝置包括：一輻射源，該輻射源經組態以輸出一輻射光束朝向在該基板的一表面上的一疊對目標；一準直器，該準直器經組態以在一旦該輻射光束自該疊對目標反射，準直及聚焦該輻射光束，且分離該經反射輻射光束之一繞射光譜的繞射級；一偵測器，該偵測器經組態以偵測該經反射輻射光束之該經分離的繞射級之至少一子集，以判定該子集之第一及第二部分各自的第一及第二性質；及，一處理器，該處理器經組態以：判定該基板之該性質，其係藉由比較定位於一範圍內的一平面中的該等第一及第二性質而判定，其中該範圍係從該輻射光束朝向該準直器之一影像平面會聚處至該輻射光束自該影像平面發散處；判定該疊對目標相對於該準直器的一光軸之一位置；及根據該疊對目標之該經判定的位置，自該性質之判定移除相對定位之一誤差。
  23. 一種微影單元，其包含：一塗覆器(coater)，該塗覆器經配置成以一輻射敏感層來塗覆一基板；一微影裝置，該微影裝置經配置以將影像曝光至由該塗覆器所塗覆之該基板之該輻射敏感層上；一顯影器(developer)，該顯影器經配置以顯影由該微 影裝置所曝光之影像；及一檢查裝置，該檢查裝置經組態以判定該基板之一性質，該檢查裝置包括：一輻射源，該輻射源經組態以輸出一輻射光束朝向在該基板的一表面上的一疊對目標；一準直器，該準直器經組態以在一旦該輻射光束自該疊對目標反射，準直及聚焦該輻射光束，且分離該經反射輻射光束之一繞射光譜的繞射級；及一偵測器，該偵測器經組態以偵測在位於一範圍內的一平面中該經反射輻射光束之該經分離的繞射級之至少一子集，該範圍係從該輻射光束朝向該準直器之一影像平面會聚處至該輻射光束自該影像平面發散；及一處理器，該處理器經組態以：判定該子集的第一及第二部分各自的第一及第二性質，及藉由比較該等第一及第二性質判定該基板的該性質；判定該疊對目標相對於該準直器的一光軸之一位置；及根據該疊對目標之該經判定的位置，自該基板的該性質之判定移除相對定位之一誤差。
  24. 一種器件製造方法，其包含：使用一微影裝置以在一基板上形成一圖案(pattern)；及 藉由以下步驟來判定與經形成之該圖案之一參數有關的一值：藉由一輻射光束來照射一基板上之一目標，該輻射光束係自該目標反射成為一經反射輻射光束；使用一準直器來準直及聚焦該經反射輻射光束；發散該經反射輻射光束之第一繞射級；偵測定位於一範圍內的一平面中該等第一繞射級之強度，該範圍係從該經反射輻射光束朝向該準直器之一影像平面會聚處至該經反射輻射光束自該影像平面發散處；比較該等第一繞射級之每一者對於其他者之強度；自該等第一繞射級之該強度之比較而判定與該圖案的該參數有關之該值；判定該目標相對於該準直器的一光軸之一位置；及根據該目標的該位置之判定，自該值之判定移除相對定位之一誤差。
  25. 如請求項24之器件製造方法，其進一步包含阻隔(blocking)來自該經反射輻射光束的一第零繞射級。
TW098113066A 2008-04-21 2009-04-20 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法 TWI453546B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7128108P 2008-04-21 2008-04-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200951636A TW200951636A (en) 2009-12-16
TWI453546B true TWI453546B (zh) 2014-09-21

Family

ID=40886076

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098113066A TWI453546B (zh) 2008-04-21 2009-04-20 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法
TW103126652A TWI551956B (zh) 2008-04-21 2009-04-20 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法
TW103126653A TWI551957B (zh) 2008-04-21 2009-04-20 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103126652A TWI551956B (zh) 2008-04-21 2009-04-20 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法
TW103126653A TWI551957B (zh) 2008-04-21 2009-04-20 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8786825B2 (zh)
IL (2) IL208570A0 (zh)
NL (1) NL1036857A1 (zh)
TW (3) TWI453546B (zh)
WO (1) WO2009129974A1 (zh)

Families Citing this family (439)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
CN102498441B (zh) * 2009-07-31 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元
NL2007127A (en) * 2010-08-06 2012-02-07 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method, lithographic apparatus and lithographic processing cell.
US20120154773A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Carl Zeiss Sms Gmbh Method and apparatus for correcting errors on a wafer processed by a photolithographic mask
CN103582848B (zh) * 2011-04-22 2018-05-08 迈普尔平版印刷Ip有限公司 在使用有部分反射位置标记的基底的光刻系统中的位置确定
JP2014513869A (ja) 2011-04-22 2014-06-05 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ウェーハのようなターゲットを処理するためのリソグラフィシステム、及びウェーハのようなターゲットを処理するためのリソグラフィシステムを動作させる方法
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
WO2013172103A1 (ja) * 2012-05-16 2013-11-21 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 検査装置
US9778025B2 (en) 2012-08-16 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9909982B2 (en) * 2013-03-08 2018-03-06 Kla-Tencor Corporation Pupil plane calibration for scatterometry overlay measurement
US9719920B2 (en) 2013-07-18 2017-08-01 Kla-Tencor Corporation Scatterometry system and method for generating non-overlapping and non-truncated diffraction images
CN104423173B (zh) * 2013-08-27 2016-09-28 上海微电子装备有限公司 套刻测量装置和方法
KR101948912B1 (ko) 2014-07-09 2019-02-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치, 검사 방법 및 디바이스 제조 방법
NL2015160A (en) 2014-07-28 2016-07-07 Asml Netherlands Bv Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method.
WO2016030205A1 (en) 2014-08-28 2016-03-03 Vrije Universiteit Amsterdam Inspection apparatus, inspection method and manufacturing method
WO2016030227A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a distance between two objects, inspection apparatus and method
CN107077079B (zh) 2014-09-01 2018-12-14 Asml荷兰有限公司 测量目标结构的属性的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法
WO2016045945A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and device manufacturing method
WO2016096524A1 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
CN105807573B (zh) * 2014-12-31 2017-12-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 用于套刻误差检测的装置和方法
JP6602388B6 (ja) * 2015-03-25 2020-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法、メトロロジ装置、及びデバイス製造装置
WO2016156360A1 (en) 2015-04-03 2016-10-06 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus for measuring properties of a target structure
US10520832B2 (en) 2015-05-19 2019-12-31 Kla-Tencor Corporation Topographic phase control for overlay measurement
NL2016864A (en) 2015-06-12 2016-12-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus, patterning device and manufacturing method
NL2016925A (en) 2015-06-18 2016-12-22 Asml Netherlands Bv Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2017016839A1 (en) 2015-07-24 2017-02-02 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus and manufacturing method
KR102098034B1 (ko) 2015-08-12 2020-04-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치, 검사 방법 및 제조 방법
DE102015221773A1 (de) * 2015-11-05 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
WO2017102406A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Stichting Vu Inspection apparatus and method
WO2017108395A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
CN108431692B (zh) 2015-12-23 2021-06-18 Asml荷兰有限公司 量测方法、量测设备和器件制造方法
WO2017108410A1 (en) 2015-12-23 2017-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for performing a measurement
WO2017140528A1 (en) 2016-02-19 2017-08-24 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein
CN108700829B (zh) 2016-02-26 2021-05-18 Asml荷兰有限公司 测量结构的方法、检查设备、光刻系统、器件制造方法
WO2017148665A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-08 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure and lithographic apparatus
WO2017153133A1 (en) 2016-03-08 2017-09-14 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, method of manufacturing devices and computer program
US11022896B2 (en) 2016-03-11 2021-06-01 Asml Netherlands B.V. Mark position determination method
WO2017178285A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Asml Netherlands B.V. Method for adjusting actuation of a lithographic apparatus
CN109313390B (zh) 2016-04-28 2021-05-25 Asml荷兰有限公司 Hhg源、检查设备和用于执行测量的方法
CN109073568B (zh) 2016-04-29 2022-01-11 Asml荷兰有限公司 用于确定结构的特性的方法和装置、器件制造方法
CN109074000B (zh) 2016-05-04 2020-12-25 Asml荷兰有限公司 用于生成照射辐射的方法和设备
WO2017211545A1 (en) 2016-06-09 2017-12-14 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus
WO2018001747A1 (en) 2016-07-01 2018-01-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system for a lithographic or inspection apparatus
WO2018007108A1 (en) 2016-07-05 2018-01-11 Asml Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
EP3276419A1 (en) 2016-07-28 2018-01-31 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
CN113552779A (zh) 2016-07-15 2021-10-26 Asml荷兰有限公司 用于量测目标场的设计的方法和设备
JP6716779B2 (ja) 2016-07-21 2020-07-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ターゲットの測定方法、基板、計測装置およびリソグラフィ装置
EP3296723A1 (en) 2016-09-14 2018-03-21 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
EP3321737A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system
EP3321739A1 (en) 2016-11-11 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
EP3333633A1 (en) 2016-12-09 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus
EP3336605A1 (en) 2016-12-15 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336607A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a property of a substrate, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3796088A1 (en) 2019-09-23 2021-03-24 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for lithographic process performance determination
EP3343294A1 (en) 2016-12-30 2018-07-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus
EP3367165A1 (en) 2017-02-23 2018-08-29 ASML Netherlands B.V. Methods of aligning a diffractive optical system and diffractive optical element
KR102599417B1 (ko) 2017-03-15 2023-11-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 가스를 전달하는 장치 및 고조파 방사선을 발생시키는 조명 소스
EP3376288A1 (en) 2017-03-15 2018-09-19 ASML Netherlands B.V. Apparatus for delivering gas
EP3385685A1 (en) 2017-04-06 2018-10-10 ASML Netherlands B.V. Radiation receiving system
EP3401733A1 (en) 2017-05-08 2018-11-14 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
JP2020519928A (ja) 2017-05-08 2020-07-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、及びデバイス製造方法
WO2018215177A1 (en) 2017-05-24 2018-11-29 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of interest, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3467589A1 (en) 2017-10-06 2019-04-10 ASML Netherlands B.V. Determining edge roughness parameters
KR102340174B1 (ko) 2017-06-20 2021-12-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 엣지 러프니스 파라미터 결정
EP3422103A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter of a process
EP3422102A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
WO2019020484A1 (en) 2017-07-25 2019-01-31 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING PARAMETERS AND ASSOCIATED APPARATUS
EP3447580A1 (en) 2017-08-21 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
CN111066096A (zh) 2017-09-01 2020-04-24 Asml荷兰有限公司 光学系统、量测装置及相关联的方法
EP3451061A1 (en) 2017-09-04 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a manufacturing process
EP3462239A1 (en) 2017-09-27 2019-04-03 ASML Netherlands B.V. Metrology in lithographic processes
IL273110B2 (en) 2017-09-11 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Patterning methods and devices and devices for measuring focus performance of a lithographic device, method of device manufacture
IL273145B2 (en) 2017-09-11 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Lithographic processes in meteorology
EP3454127A1 (en) 2017-09-11 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3457211A1 (en) 2017-09-13 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. A method of aligning a pair of complementary diffraction patterns and associated metrology method and apparatus
CN111149062B (zh) 2017-09-28 2022-11-04 Asml控股股份有限公司 量测方法和装置
EP3480554A1 (en) 2017-11-02 2019-05-08 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
JP7124071B2 (ja) 2017-10-05 2022-08-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板上の１つ又は複数の構造の特性を決定するためのメトロロジシステムおよび方法
EP3474074A1 (en) 2017-10-17 2019-04-24 ASML Netherlands B.V. Scatterometer and method of scatterometry using acoustic radiation
WO2019086221A1 (en) 2017-10-31 2019-05-09 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method
EP3480659A1 (en) 2017-11-01 2019-05-08 ASML Netherlands B.V. Estimation of data in metrology
EP3499312A1 (en) 2017-12-15 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and a method of determining a characteristic of interest
KR102408786B1 (ko) 2017-11-07 2022-06-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법
WO2019110211A1 (en) 2017-12-04 2019-06-13 Asml Netherlands B.V. Measurement method, patterning device and device manufacturing method
EP3492984A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method
EP3495888A1 (en) 2017-12-06 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3495889A1 (en) 2017-12-07 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
EP3499311A1 (en) 2017-12-14 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated aparatuses
EP3506011A1 (en) 2017-12-28 2019-07-03 ASML Netherlands B.V. Apparatus for and a method of removing contaminant particles from a component of a metrology apparatus
CN111512238B (zh) 2017-12-28 2024-01-30 Asml荷兰有限公司 从设备部件中移除污染物颗粒的设备和方法
EP3528048A1 (en) 2018-02-15 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. A metrology apparatus for and a method of determining a characteristic of interest of a structure on a substrate
CN111542783A (zh) * 2017-12-28 2020-08-14 Asml荷兰有限公司 用于确定衬底上的结构的感兴趣的特性的量测设备与方法
CN111615667A (zh) 2018-01-17 2020-09-01 Asml荷兰有限公司 测量目标的方法和量测设备
EP3514628A1 (en) 2018-01-18 2019-07-24 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a target, and metrology apparatus
EP3518040A1 (en) 2018-01-30 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid
WO2019149586A1 (en) 2018-01-30 2019-08-08 Asml Netherlands B.V. Method of patterning at least a layer of a semiconductor device
EP3528047A1 (en) 2018-02-14 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques
WO2019166190A1 (en) 2018-02-27 2019-09-06 Stichting Vu Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3531191A1 (en) 2018-02-27 2019-08-28 Stichting VU Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
WO2019185230A1 (en) 2018-03-29 2019-10-03 Asml Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
EP3547029A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
EP3547031A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
EP3547030A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
KR102527672B1 (ko) * 2018-04-06 2023-04-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비선형 광학계를 갖는 검사 장치
EP3553602A1 (en) 2018-04-09 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Model based reconstruction of semiconductor structures
EP3553603A1 (en) 2018-04-13 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
EP3570109A1 (en) * 2018-05-14 2019-11-20 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
EP3575875A1 (en) 2018-05-31 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Measurement apparatus and method of measuring a target
EP3579052A1 (en) 2018-06-08 2019-12-11 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
CN116758012A (zh) 2018-06-08 2023-09-15 Asml荷兰有限公司 确定与在衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法、掩模版、衬底
EP3614207A1 (en) 2018-08-21 2020-02-26 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
CN112262345B (zh) 2018-06-13 2024-03-12 Asml荷兰有限公司 量测设备
EP3582009A1 (en) 2018-06-15 2019-12-18 ASML Netherlands B.V. Reflector and method of manufacturing a reflector
EP3584637A1 (en) 2018-06-19 2019-12-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
KR20210013605A (ko) 2018-06-19 2021-02-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 장치 및 연계된 장치를 제어하는 방법
EP3588190A1 (en) 2018-06-25 2020-01-01 ASML Netherlands B.V. Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses
WO2020009764A1 (en) * 2018-07-03 2020-01-09 Applied Materials, Inc. Pupil viewing with image projection systems
EP3598235A1 (en) 2018-07-18 2020-01-22 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic relating to one or more structures on a substrate
NL2021852A (en) 2018-08-01 2018-11-09 Asml Netherlands Bv Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3605230A1 (en) 2018-08-01 2020-02-05 Stichting VU Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3611570A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3611569A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and photonic crystal fiber
CN112639622B (zh) 2018-09-04 2024-03-19 Asml荷兰有限公司 量测设备
EP3620857A1 (en) 2018-09-04 2020-03-11 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
EP3623868A1 (en) 2018-09-12 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3623869A1 (en) 2018-09-14 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Method for measuring a parameter of a structure formed using a lithographic process
WO2020057900A1 (en) 2018-09-19 2020-03-26 Asml Netherlands B.V. Metrology sensor for position metrology
EP3627226A1 (en) 2018-09-20 2020-03-25 ASML Netherlands B.V. Optical system, metrology apparatus and associated method
EP3629086A1 (en) 2018-09-25 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for determining a radiation beam intensity profile
US11087065B2 (en) 2018-09-26 2021-08-10 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
EP3629087A1 (en) 2018-09-26 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
EP3629088A1 (en) 2018-09-28 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Providing a trained neural network and determining a characteristic of a physical system
US10996570B2 (en) 2018-10-08 2021-05-04 Asml Netherlands B.V. Metrology method, patterning device, apparatus and computer program
EP3637186A1 (en) 2018-10-09 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating a plurality of metrology apparatuses, method of determining a parameter of interest, and metrology apparatus
EP3637187A1 (en) 2018-10-12 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus
SG11202103803QA (en) 2018-10-24 2021-05-28 Asml Netherlands Bv Optical fibers and production methods therefor
EP3647874A1 (en) 2018-11-05 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Optical fibers and production methods therefor
EP3650941A1 (en) 2018-11-12 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. Method of determining the contribution of a processing apparatus to a substrate parameter
EP3654103A1 (en) 2018-11-14 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for obtaining training data for training a model of a semicondcutor manufacturing process
WO2020099050A1 (en) 2018-11-16 2020-05-22 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring lithographic apparatus
EP3654104A1 (en) 2018-11-16 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring lithographic apparatus
EP3657256A1 (en) 2018-11-20 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3657257A1 (en) 2018-11-26 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Method for of measuring a focus parameter relating to a structure formed using a lithographic process
WO2020114684A1 (en) 2018-12-03 2020-06-11 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
CN113168119B (zh) 2018-12-04 2024-05-14 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻过程的参数的目标
CN113196177B (zh) 2018-12-20 2024-04-30 Asml荷兰有限公司 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法
EP3715951A1 (en) 2019-03-28 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
WO2020141085A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Method for overlay metrology and apparatus thereof
WO2020141050A1 (en) 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
US11733615B2 (en) 2019-01-03 2023-08-22 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3696606A1 (en) 2019-02-15 2020-08-19 ASML Netherlands B.V. A metrology apparatus with radiation source having multiple broadband outputs
EP3703114A1 (en) 2019-02-26 2020-09-02 ASML Netherlands B.V. Reflector manufacturing method and associated reflector
EP3702840A1 (en) 2019-03-01 2020-09-02 ASML Netherlands B.V. Alignment method and associated metrology device
EP3705942A1 (en) 2019-03-04 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
EP3705945A1 (en) 2019-03-08 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for estimating substrate shape
EP3764164A1 (en) 2019-07-11 2021-01-13 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
US20220146946A1 (en) 2019-03-22 2022-05-12 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3715944A1 (en) 2019-03-25 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Frequency broadening apparatus and method
JP7281553B2 (ja) 2019-03-25 2023-05-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 周波数拡大装置及び方法
EP3719551A1 (en) 2019-04-03 2020-10-07 ASML Netherlands B.V. Optical fiber
EP3948373A1 (en) 2019-04-03 2022-02-09 ASML Netherlands B.V. Optical fiber
EP3719545A1 (en) 2019-04-03 2020-10-07 ASML Netherlands B.V. Manufacturing a reflective diffraction grating
EP3734366A1 (en) 2019-05-03 2020-11-04 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
JP7288974B2 (ja) 2019-04-04 2023-06-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィプロセスのサブフィールド制御および関連する装置
EP3731018A1 (en) 2019-04-23 2020-10-28 ASML Netherlands B.V. A method for re-imaging an image and associated metrology apparatus
WO2020224882A1 (en) 2019-05-06 2020-11-12 Asml Netherlands B.V. Dark field microscope
WO2020229049A1 (en) 2019-05-13 2020-11-19 Asml Netherlands B.V. Detection apparatus for simultaneous acquisition of multiple diverse images of an object
EP3742230A1 (en) 2019-05-23 2020-11-25 ASML Netherlands B.V. Detection apparatus for simultaneous acquisition of multiple diverse images of an object
EP3739389A1 (en) 2019-05-17 2020-11-18 ASML Netherlands B.V. Metrology tools comprising aplanatic objective singlet
EP3751342A1 (en) 2019-06-13 2020-12-16 Stichting VU Metrology method and method for training a data structure for use in metrology
CN114008531A (zh) 2019-06-17 2022-02-01 Asml荷兰有限公司 用于确定复值场的量测方法和装置
EP3754427A1 (en) 2019-06-17 2020-12-23 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus for of determining a complex-valued field
KR20220008912A (ko) 2019-06-21 2022-01-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 장착된 중공 코어 섬유 배열체
EP3767347A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Mounted hollow-core fibre arrangement
EP3758168A1 (en) 2019-06-25 2020-12-30 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
WO2021001102A1 (en) 2019-07-02 2021-01-07 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP3767391A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
US20220244649A1 (en) 2019-07-04 2022-08-04 Asml Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3786712A1 (en) 2019-08-28 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications
CN114008530B (zh) 2019-07-16 2024-05-31 Asml荷兰有限公司 光源及控制方法；用于测量应用的装置和方法
EP3767375A1 (en) 2019-07-19 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. A light source and a method for use in metrology applications
EP3611567A3 (en) 2019-07-23 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. Improvements in metrology targets
KR20220024908A (ko) 2019-07-24 2022-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스
EP3796080A1 (en) 2019-09-18 2021-03-24 ASML Netherlands B.V. Radiation source
EP3779600A1 (en) 2019-08-14 2021-02-17 ASML Netherlands B.V. Method and metrology tool for determining information about a target structure, and cantilever probe
US20220283122A1 (en) 2019-08-14 2022-09-08 Asml Netherlands B.V. Method and metrology tool for determining information about a target structure, and cantilever probe
EP3783436A1 (en) 2019-08-19 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Illumination and detection apparatus for a metrology apparatus
EP3783439A1 (en) 2019-08-22 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Metrology device and detection apparatus therefor
EP3812836A1 (en) 2019-10-21 2021-04-28 ASML Netherlands B.V. End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications
KR20220039793A (ko) 2019-08-29 2022-03-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 광원에 대한 단부 패싯 보호 및 계측 응용들에서 사용하기 위한 방법
EP3786700A1 (en) 2019-08-29 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications
CN114430875A (zh) 2019-09-02 2022-05-03 Asml荷兰有限公司 基于光子晶体光纤的宽带光源的模式控制
EP3786713A1 (en) 2019-09-02 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device for determining a complex-valued field
EP3786702A1 (en) 2019-09-02 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. Mode control of photonic crystal fiber based broadband light sources
EP3792673A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Assembly for collimating broadband radiation
CN114303102B (zh) 2019-09-03 2024-06-11 Asml荷兰有限公司 用于准直宽带辐射的组件
EP3790364A1 (en) 2019-09-05 2021-03-10 ASML Netherlands B.V. An improved high harmonic generation apparatus
US20220326152A1 (en) 2019-09-05 2022-10-13 Asml Netherlands B.V. An improved high harmonic generation apparatus
EP3792693A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3805857A1 (en) 2019-10-09 2021-04-14 ASML Netherlands B.V. Improved broadband radiation generation in hollow-core fibres
CN114514465A (zh) 2019-09-18 2022-05-17 Asml荷兰有限公司 中空芯部光纤中的改进的宽带辐射生成
EP3796089A1 (en) 2019-09-18 2021-03-24 ASML Holding N.V. A method for filtering an image and associated metrology apparatus
EP3798729A1 (en) 2019-09-26 2021-03-31 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method
EP3809190A1 (en) 2019-10-14 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for coherence scrambling in metrology applications
US20240118629A1 (en) 2019-10-17 2024-04-11 Asml Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
EP3809203A1 (en) 2019-10-17 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
EP3839621A1 (en) 2019-12-16 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated metrology apparatus
CN114830026A (zh) 2019-10-17 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 照射源和相关的量测设备
WO2021078690A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 Asml Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
EP3839586A1 (en) 2019-12-18 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
EP3816721A1 (en) 2019-10-29 2021-05-05 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for efficient high harmonic generation
KR20220065872A (ko) 2019-11-01 2022-05-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 리소그래피 장치
EP3869270A1 (en) 2020-02-18 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Assemblies and methods for guiding radiation
CN114651214A (zh) 2019-11-05 2022-06-21 Asml荷兰有限公司 测量方法和测量设备
EP3819266A1 (en) 2019-11-07 2021-05-12 ASML Netherlands B.V. Method of manufacture of a capillary for a hollow-core photonic crystal fiber
CN114641459B (zh) 2019-11-07 2024-05-03 Asml荷兰有限公司 制造用于空芯光子晶体光纤的毛细管的方法
KR20220079662A (ko) 2019-11-11 2022-06-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 시스템을 위한 교정 방법
EP3828632A1 (en) 2019-11-29 2021-06-02 ASML Netherlands B.V. Method and system for predicting electric field images with a parameterized model
US20230004096A1 (en) 2019-11-29 2023-01-05 Asml Netherlands B.V. Method and system for predicting process information with a parameterized model
US11762305B2 (en) 2019-12-05 2023-09-19 Asml Netherlands B.V. Alignment method
CN114830039A (zh) 2019-12-12 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 对准方法以及相关对准和光刻设备
CN114868084A (zh) 2019-12-16 2022-08-05 Asml荷兰有限公司 量测方法和相关联的量测和光刻设备
CN114830043A (zh) 2019-12-17 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 暗场数字全息显微镜和相关联的量测方法
EP3839635A1 (en) 2019-12-17 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
WO2021121906A1 (en) 2019-12-18 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
EP3851915A1 (en) 2020-01-14 2021-07-21 ASML Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
WO2021123135A1 (en) 2019-12-19 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Scatterometer and method of scatterometry using acoustic radiation
EP3839632A1 (en) 2019-12-20 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Method for determining a measurement recipe and associated apparatuses
EP3865931A1 (en) 2020-02-12 2021-08-18 ASML Netherlands B.V. Method, assembly, and apparatus for improved control of broadband radiation generation
IL293985B1 (en) 2020-01-15 2024-06-01 Asml Netherlands Bv Method, assembly and device for improved control of broadband radiation generation
WO2021151565A1 (en) 2020-01-28 2021-08-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
KR20220122743A (ko) 2020-01-29 2022-09-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 상의 주기적 구조체를 측정하는 메트롤로지 방법 및 디바이스
EP3876037A1 (en) 2020-03-06 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate
CN115023654A (zh) 2020-02-07 2022-09-06 Asml荷兰有限公司 工作台系统、工作台系统操作方法、检查工具、光刻设备、校准方法和装置制造方法
EP3869271A1 (en) 2020-02-20 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP4104018B1 (en) 2020-02-12 2023-10-25 ASML Netherlands B.V. Computer-implemented method for controlling a manufacturing process
EP3872567A1 (en) 2020-02-25 2021-09-01 ASML Netherlands B.V. Systems and methods for process metric aware process control
CN113325665A (zh) * 2020-02-28 2021-08-31 上海微电子装备（集团）股份有限公司 套刻误差测量装置及方法
WO2021175521A1 (en) 2020-03-02 2021-09-10 Asml Netherlands B.V. Method for inferring a local uniformity metric
EP3879342A1 (en) 2020-03-10 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses
EP3882701A1 (en) 2020-03-19 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
CN115244467A (zh) 2020-03-03 2022-10-25 Asml荷兰有限公司 用于控制制造过程的方法和相关联的设备
EP3876036A1 (en) 2020-03-04 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Vibration isolation system and associated applications in lithography
EP3879343A1 (en) 2020-03-11 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Metrology measurement method and apparatus
EP3889681A1 (en) 2020-03-31 2021-10-06 ASML Netherlands B.V. An assembly including a non-linear element and a method of use thereof
CN115552221A (zh) 2020-05-07 2022-12-30 Asml荷兰有限公司 包括目标布置的衬底和相关联的至少一个图案形成装置、光刻方法和量测方法
EP3913429A1 (en) 2020-05-19 2021-11-24 ASML Netherlands B.V. A supercontinuum radiation source and associated metrology devices
US11346657B2 (en) * 2020-05-22 2022-05-31 Kla Corporation Measurement modes for overlay
WO2021239334A1 (en) 2020-05-26 2021-12-02 Asml Netherlands B.V. Method for optimizing a sampling scheme and associated apparatuses
US20230236515A1 (en) 2020-06-09 2023-07-27 Asml Netherlands B.V. A target for measuring a parameter of a lithographic process
WO2021249711A1 (en) 2020-06-10 2021-12-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method, metrology apparatus and lithographic apparatus
US20230259042A1 (en) 2020-06-24 2023-08-17 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
KR20230035034A (ko) 2020-07-06 2023-03-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 조명 장치 및 연관된 계측 및 리소그래피 장치
EP3936936A1 (en) 2020-07-08 2022-01-12 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator with extended fiber lifetime
CN115769140A (zh) 2020-07-08 2023-03-07 Asml荷兰有限公司 具有延长的光纤使用寿命的基于空芯光纤的宽带辐射产生器
WO2022008174A1 (en) 2020-07-09 2022-01-13 Asml Netherlands B.V. Method for adjusting a patterning process
EP3944020A1 (en) 2020-07-20 2022-01-26 ASML Netherlands B.V. Method for adjusting a patterning process
KR20230022237A (ko) 2020-07-09 2023-02-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 인공 신경망을 이용한 동작 제어
EP3945548A1 (en) 2020-07-30 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for classifying semiconductor wafers
CN116134972A (zh) 2020-07-21 2023-05-16 Asml荷兰有限公司 照射源和相关联的量测设备
EP3962241A1 (en) 2020-08-26 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated metrology apparatus
EP3945367A1 (en) 2020-07-31 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
WO2022017705A1 (en) 2020-07-22 2022-01-27 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
WO2022022949A1 (en) 2020-07-28 2022-02-03 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
CN116113874A (zh) 2020-08-03 2023-05-12 Asml荷兰有限公司 用于产生宽带辐射的方法以及相关联的宽带源和量测装置
EP3974899A1 (en) 2020-09-28 2022-03-30 ASML Netherlands B.V. Method for generating broadband radiation and associated broadband source and metrology device
EP4001976A1 (en) 2020-11-13 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Hollow core fiber light source and a method for manufacturing a hollow core fiber
US20230296829A1 (en) 2020-08-06 2023-09-21 Asml Netherlands B.V. Hollow core fiber light source and a method for manufacturing a hollow core fiber
WO2022033793A1 (en) 2020-08-11 2022-02-17 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab
EP3961303A1 (en) 2020-08-27 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab
EP3958052A1 (en) * 2020-08-20 2022-02-23 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an exposed pattern and associated metrology apparatus
EP3961304A1 (en) 2020-08-31 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. Mapping metrics between manufacturing systems
EP3964809A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Wavefront metrology sensor and mask therefor, method for optimizing a mask and associated apparatuses
EP3964892A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope
IL300587A (en) 2020-09-03 2023-04-01 Asml Netherlands Bv Photonic crystal radiation generator based on broadband hollow crystal fibers
EP3968090A1 (en) 2020-09-11 2022-03-16 ASML Netherlands B.V. Radiation source arrangement and metrology device
EP3988996A1 (en) 2020-10-20 2022-04-27 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
CN116209958A (zh) 2020-09-28 2023-06-02 Asml荷兰有限公司 目标结构以及相关联的方法和设备
EP3978964A1 (en) 2020-10-01 2022-04-06 ASML Netherlands B.V. Achromatic optical relay arrangement
EP4002015A1 (en) 2020-11-16 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
KR20230104889A (ko) 2020-11-17 2023-07-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 시스템 및 리소그래피 시스템
EP4006640A1 (en) 2020-11-26 2022-06-01 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure
US20240012342A1 (en) 2020-11-27 2024-01-11 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP4006641A1 (en) 2020-11-30 2022-06-01 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method
US20240004312A1 (en) 2020-11-30 2024-01-04 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method
EP4009107A1 (en) 2020-12-01 2022-06-08 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for imaging nonstationary object
JP2023551776A (ja) 2020-12-08 2023-12-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジの方法及び関連装置
JP2023553078A (ja) 2020-12-10 2023-12-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 中空コアフォトニック結晶ファイバに基づく広帯域放射生成器
EP4012492A1 (en) 2020-12-10 2022-06-15 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4016186A1 (en) 2020-12-18 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus
EP4017221A1 (en) 2020-12-21 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for controlling electron density distributions
EP4030236A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
KR20230121053A (ko) 2020-12-21 2023-08-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 공정을 모니터링하는 방법
EP4020084A1 (en) 2020-12-22 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP4030230A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for providing a broadband light source
IL303950A (en) 2020-12-23 2023-08-01 Asml Netherlands Bv Methods and devices for providing a broadband light source
EP4075340A1 (en) 2021-04-15 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4075339A1 (en) 2021-04-15 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
KR20230125793A (ko) 2020-12-30 2023-08-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 프로세스 파라미터 추정을 위한 모듈식 오토인코더모델
EP4075341A1 (en) 2021-04-18 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4030237A1 (en) 2021-01-19 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
WO2022161703A1 (en) 2021-01-27 2022-08-04 Asml Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber
EP4036619A1 (en) 2021-01-27 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber
EP4036646A1 (en) 2021-01-29 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Metrology methods and appratuses
EP4040233A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 ASML Netherlands B.V. A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and appratuses
US20240134182A1 (en) 2021-02-04 2024-04-25 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses
EP4067968A1 (en) 2021-03-29 2022-10-05 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses
EP4047400A1 (en) 2021-02-17 2022-08-24 ASML Netherlands B.V. Assembly for separating radiation in the far field
KR20230146536A (ko) 2021-02-17 2023-10-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 원거리 필드에서 방사선을 분리하기 위한 어셈블리
EP4057069A1 (en) 2021-03-11 2022-09-14 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for characterizing a semiconductor manufacturing process
IL305428A (en) 2021-03-16 2023-10-01 Asml Netherlands Bv A radiation source based on hollow-core optical fibers
EP4086698A1 (en) 2021-05-06 2022-11-09 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4060408A1 (en) 2021-03-16 2022-09-21 ASML Netherlands B.V. Method and system for predicting process information with a parameterized model
EP4060403A1 (en) 2021-03-16 2022-09-21 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based multiple wavelength light source device
EP4063971A1 (en) 2021-03-22 2022-09-28 ASML Netherlands B.V. Digital holographic microscope and associated metrology method
KR20230159438A (ko) 2021-03-22 2023-11-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디지털 홀로그래픽 현미경 및 연관된 계측 방법
EP4071553A1 (en) 2021-04-07 2022-10-12 ASML Netherlands B.V. Method of determining at least a target layout and associated metrology apparatus
EP4080284A1 (en) 2021-04-19 2022-10-26 ASML Netherlands B.V. Metrology tool calibration method and associated metrology tool
JP2024514054A (ja) 2021-04-19 2024-03-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジツール較正方法及び関連するメトロロジツール
EP4170421A1 (en) 2021-10-25 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus
EP4330768A1 (en) 2021-04-26 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus
EP4334766A1 (en) 2021-05-03 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. Optical element for generation of broadband radiation
EP4105696A1 (en) 2021-06-15 2022-12-21 ASML Netherlands B.V. Optical element for generation of broadband radiation
JP2024519281A (ja) 2021-05-04 2024-05-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 計測装置およびリソグラフィ装置
EP4089484A1 (en) 2021-05-12 2022-11-16 ASML Netherlands B.V. System and method to ensure parameter measurement matching across metrology tools
KR20240016967A (ko) 2021-05-31 2024-02-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 연관된 메트롤로지 툴
KR20240016285A (ko) 2021-05-31 2024-02-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 측정 방법 및 장치
EP4187321A1 (en) 2021-11-24 2023-05-31 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
KR20240007276A (ko) 2021-06-14 2024-01-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 조명 소스 및 연관된 방법, 장치
EP4134734A1 (en) 2021-08-11 2023-02-15 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated method apparatus
KR20240023593A (ko) 2021-06-18 2024-02-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 디바이스
EP4124909A1 (en) 2021-07-28 2023-02-01 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device
EP4112572A1 (en) 2021-06-28 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. Method of producing photonic crystal fibers
EP4113210A1 (en) 2021-07-01 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses
WO2023285322A1 (en) 2021-07-16 2023-01-19 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
EP4130880A1 (en) 2021-08-03 2023-02-08 ASML Netherlands B.V. Methods of data mapping for low dimensional data analysis
EP4374226A1 (en) 2021-07-20 2024-05-29 ASML Netherlands B.V. Methods and computer programs for data mapping for low dimensional data analysis
EP4124911A1 (en) 2021-07-29 2023-02-01 ASML Netherlands B.V. Metrology method and metrology device
WO2023001448A1 (en) 2021-07-23 2023-01-26 Asml Netherlands B.V. Metrology method and metrology device
WO2023012338A1 (en) 2021-08-06 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Metrology target, patterning device and metrology method
WO2023020856A1 (en) 2021-08-18 2023-02-23 Universiteit Van Amsterdam Metrology method and apparatus
EP4163715A1 (en) 2021-10-05 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Improved broadband radiation generation in photonic crystal or highly non-linear fibres
IL309622A (en) 2021-08-25 2024-02-01 Asml Netherlands Bv Improving broadband radiation generation in photonic crystal or nonlinear fibers
EP4194952A1 (en) 2021-12-13 2023-06-14 ASML Netherlands B.V. Method for determing a measurement recipe and associated apparatuses
IL310738A (en) 2021-08-26 2024-04-01 Asml Netherlands Bv A method for determining a measuring recipe and related devices
WO2023036526A1 (en) 2021-09-07 2023-03-16 Asml Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
EP4191337A1 (en) 2021-12-01 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
CN117999517A (zh) 2021-09-08 2024-05-07 Asml荷兰有限公司 量测方法以及相关联的量测和光刻设备
EP4184426A1 (en) 2021-11-22 2023-05-24 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device
WO2023041274A1 (en) 2021-09-14 2023-03-23 Asml Netherlands B.V. Metrology method and device
CN117980829A (zh) 2021-09-22 2024-05-03 Asml荷兰有限公司 源选择模块以及相关联的量测和光刻设备
EP4155821A1 (en) 2021-09-27 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Method for focus metrology and associated apparatuses
EP4155822A1 (en) 2021-09-28 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4160314A1 (en) 2021-10-04 2023-04-05 ASML Netherlands B.V. Method for measuring at least one target on a substrate
EP4163687A1 (en) 2021-10-06 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Fiber alignment monitoring tool and associated fiber alignment method
EP4167031A1 (en) 2021-10-18 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. Method of determining a measurement recipe in a metrology method
EP4170429A1 (en) 2021-10-19 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Out-of-band leakage correction method and metrology apparatus
EP4170430A1 (en) 2021-10-25 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure
EP4174568A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4174577A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter distribution
IL312129A (en) 2021-11-02 2024-06-01 Asml Netherlands Bv Broadband radiation generator based on photonic fibers with a photonic core
EP4174567A1 (en) 2021-11-02 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4181018A1 (en) 2021-11-12 2023-05-17 ASML Netherlands B.V. Latent space synchronization of machine learning models for in-device metrology inference
EP4184250A1 (en) 2021-11-23 2023-05-24 ASML Netherlands B.V. Obtaining a parameter characterizing a fabrication process
EP4191338A1 (en) 2021-12-03 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. Metrology calibration method
WO2023104469A1 (en) * 2021-12-07 2023-06-15 Asml Netherlands B.V. Target asymmetry measurement for substrate alignment in lithography systems
WO2023110318A1 (en) 2021-12-17 2023-06-22 Asml Netherlands B.V. Machine learning model for asymmetry-induced overlay error correction
EP4202550A1 (en) 2021-12-22 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method
WO2023126300A1 (en) 2021-12-28 2023-07-06 Asml Netherlands B.V. Element of an afm tool
US11796925B2 (en) 2022-01-03 2023-10-24 Kla Corporation Scanning overlay metrology using overlay targets having multiple spatial frequencies
EP4224254A1 (en) 2022-02-04 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4224255A1 (en) 2022-02-08 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method
WO2023151973A1 (en) 2022-02-10 2023-08-17 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for generating sem-quality metrology data from optical metrology data using machine learning
EP4231090A1 (en) 2022-02-17 2023-08-23 ASML Netherlands B.V. A supercontinuum radiation source and associated metrology devices
WO2023160924A1 (en) 2022-02-22 2023-08-31 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for reflecting pulsed radiation
EP4250010A1 (en) 2022-03-25 2023-09-27 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
WO2023165783A1 (en) 2022-03-01 2023-09-07 Asml Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4242744A1 (en) 2022-03-09 2023-09-13 ASML Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
EP4246232A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4246231A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses
WO2023174648A1 (en) 2022-03-18 2023-09-21 Stichting Vu Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4254068A1 (en) 2022-03-28 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof
EP4254266A1 (en) 2022-03-29 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Methods related to an autoencoder model or similar for manufacturing process parameter estimation
US20230314344A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 Kla Corporation System and method for isolation of specific fourier pupil frequency in overlay metrology
WO2023194036A1 (en) 2022-04-05 2023-10-12 Asml Netherlands B.V. Imaging method and metrology device
EP4296780A1 (en) 2022-06-24 2023-12-27 ASML Netherlands B.V. Imaging method and metrology device
EP4273622A1 (en) 2022-05-02 2023-11-08 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
WO2023194049A1 (en) 2022-04-08 2023-10-12 Asml Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4261618A1 (en) 2022-04-14 2023-10-18 ASML Netherlands B.V. A method of determining a correction for control of a lithography and/or metrology process, and associated devices
WO2023208487A1 (en) 2022-04-25 2023-11-02 Asml Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
EP4279993A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
EP4276537A1 (en) 2022-05-09 2023-11-15 ASML Netherlands B.V. Illumination mode selector and associated optical metrology tool
WO2023213527A1 (en) 2022-05-03 2023-11-09 Asml Netherlands B.V. Illumination mode selector and associated optical metrology tool
EP4279992A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
WO2023222310A1 (en) 2022-05-16 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
EP4279994A1 (en) 2022-05-20 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
WO2023222328A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
WO2023222342A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Measurement of fabrication parameters based on moiré interference pattern components
WO2023222349A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Single pad overlay measurement
WO2023232360A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for determining a failure event on a lithography system and associated failure detection module
WO2023232408A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. A membrane and associated method and apparatus
EP4303655A1 (en) 2022-07-04 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. A membrane and associated method and apparatus
WO2023232478A1 (en) 2022-06-02 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device
EP4296779A1 (en) 2022-06-21 2023-12-27 ASML Netherlands B.V. Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device
EP4328670A1 (en) 2022-08-23 2024-02-28 ASML Netherlands B.V. Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device
WO2023232397A1 (en) 2022-06-02 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device
EP4289798A1 (en) 2022-06-07 2023-12-13 ASML Netherlands B.V. Method of producing photonic crystal fibers
EP4300193A1 (en) 2022-06-27 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Focus measurment and control in metrology and associated wedge arrangement
EP4300183A1 (en) 2022-06-30 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Apparatus for broadband radiation generation
EP4303658A1 (en) 2022-07-05 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. Method of correction metrology signal data
WO2024012772A1 (en) 2022-07-14 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Metrology target and associated metrology method
EP4312079A1 (en) 2022-07-29 2024-01-31 ASML Netherlands B.V. Methods of mitigating crosstalk in metrology images
EP4312005A1 (en) 2022-07-29 2024-01-31 Stichting VU Method and apparatuses for fourier transform spectrometry
EP4318131A1 (en) 2022-08-01 2024-02-07 ASML Netherlands B.V. Sensor module, illuminator, metrology device and associated metrology method
WO2024033036A1 (en) 2022-08-08 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4321933A1 (en) 2022-08-09 2024-02-14 ASML Netherlands B.V. A radiation source
EP4361726A1 (en) 2022-10-24 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. Inference model training
WO2024033005A1 (en) 2022-08-09 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Inference model training
WO2024033035A1 (en) 2022-08-10 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4332678A1 (en) 2022-09-05 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. Holographic metrology apparatus and method
WO2024052057A1 (en) 2022-09-06 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring proper functioning of one or more components of a lithography system
WO2024052012A1 (en) 2022-09-07 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4336262A1 (en) 2022-09-07 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4336251A1 (en) 2022-09-12 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. A multi-pass radiation device
WO2024056296A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4354200A1 (en) 2022-10-11 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. An aberration correction optical system
EP4354224A1 (en) 2022-10-11 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. Method for operating a detection system of a metrology device and associated metrology device
WO2024078813A1 (en) 2022-10-11 2024-04-18 Asml Netherlands B.V. An aberration correction optical system
WO2024083559A1 (en) 2022-10-17 2024-04-25 Asml Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4357853A1 (en) 2022-10-17 2024-04-24 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4361703A1 (en) 2022-10-27 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. An illumination module for a metrology device
EP4372462A1 (en) 2022-11-16 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A broadband radiation source
EP4371951A1 (en) 2022-11-17 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A method of producing photonic crystal fibers
EP4371949A1 (en) 2022-11-17 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A fiber manufacturing intermediate product and method of producing photonic crystal fibers
EP4372463A1 (en) 2022-11-21 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. Method and source modul for generating broadband radiation
EP4375744A1 (en) 2022-11-24 2024-05-29 ASML Netherlands B.V. Photonic integrated circuit for generating broadband radiation
WO2024115048A1 (en) 2022-12-02 2024-06-06 Asml Netherlands B.V. Method for labeling time series data relating to one or more machines
WO2024120709A1 (en) 2022-12-07 2024-06-13 Asml Netherlands B.V. Supercontinuum radiation source

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332473A (en) * 1979-01-31 1982-06-01 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members
US20050012915A1 (en) * 2001-10-19 2005-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1628164A2 (en) * 2004-08-16 2006-02-22 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterisation

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4200395A (en) * 1977-05-03 1980-04-29 Massachusetts Institute Of Technology Alignment of diffraction gratings
US20040066517A1 (en) * 2002-09-05 2004-04-08 Hsu-Ting Huang Interferometry-based method and apparatus for overlay metrology
EP1400855A3 (en) 2002-09-20 2009-04-08 ASML Netherlands B.V. Device inspection
WO2005069082A1 (en) * 2003-12-19 2005-07-28 International Business Machines Corporation Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method
US7352439B2 (en) * 2006-08-02 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithography system, control system and device manufacturing method
NL1036245A1 (nl) * 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332473A (en) * 1979-01-31 1982-06-01 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members
US20050012915A1 (en) * 2001-10-19 2005-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1628164A2 (en) * 2004-08-16 2006-02-22 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterisation

Also Published As

Publication number Publication date
US8786825B2 (en) 2014-07-22
NL1036857A1 (nl) 2009-10-22
TW201443580A (zh) 2014-11-16
TW201443581A (zh) 2014-11-16
US9594310B2 (en) 2017-03-14
US20140327908A1 (en) 2014-11-06
WO2009129974A1 (en) 2009-10-29
US20110102753A1 (en) 2011-05-05
US9594311B2 (en) 2017-03-14
IL208570A0 (en) 2010-12-30
TWI551956B (zh) 2016-10-01
US20140333922A1 (en) 2014-11-13
IL243016A (en) 2016-12-29
TW200951636A (en) 2009-12-16
TWI551957B (zh) 2016-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI453546B (zh) 檢查方法和裝置，微影裝置，微影製程單元及器件製造方法
TWI405046B (zh) 評估模型之方法，檢查裝置及微影裝置
TWI428705B (zh) 檢驗裝置、微影裝置、微影製程單元及檢驗方法
JP5280555B2 (ja) 検査装置および方法、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、およびデバイス製造方法
JP4787232B2 (ja) 測定方法、検査装置、およびリソグラフィ装置
US8724087B2 (en) Inspection apparatus for lithography
US7724370B2 (en) Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
JP4751411B2 (ja) オーバーレイを測定する方法
TWI528115B (zh) 量測標的的方法、檢查裝置、散射儀、微影裝置及資料處理器
KR101830850B1 (ko) 검사 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 디바이스 제조 방법
KR101331107B1 (ko) 스캐터로미터 및 리소그래피 장치
WO2020126266A1 (en) Method of measuring a parameter of a patterning process, metrology apparatus, target
US20100315613A1 (en) Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method
US20110102774A1 (en) Focus Sensor, Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus and Control System