CN114303102B - 用于准直宽带辐射的组件 - Google Patents

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Abstract

一种用于准直宽带辐射的组件，组件包括：凸折射单透镜，该凸折射单透镜具有用于将宽带辐射耦合到透镜的第一球形表面和用于将宽带辐射耦合出透镜的第二球形表面，其中第一球形表面和第二球形表面具有共同中心；以及安装部，用于在多个接触点处保持凸折射单透镜，该多个接触点的形心与共同中心重合。

Description

用于准直宽带辐射的组件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月3日提交的EP申请19195038.5的优先权和2019年9月16日提交的EP申请19197449.2的优先权，该申请通过引用整体并且入本文。
技术领域
本发明涉及用于宽带辐射的组件、设备和方法。特别地，涉及一种用于准直宽带辐射的组件。
背景技术
光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4-20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。
低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以表示为CD＝k1×λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长，NA是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常打印的最小特征尺寸，但在这种情况下为半节距)，k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难以在衬底上复制与电路设计者为实现特定电气功能和性能而计划的形状和尺寸类似的图案。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些包括例如但不限于NA的优化、定制的照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局的各种优化(诸如设计布局中的光学邻近校正(OPC，有时也称为“光学过程校正”))、或通常定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。替代地，可以使用用于控制光刻设备的稳定性的严格控制回路来改善低k1下的图案的再现。
为了验证光刻图案化过程的质量和/或控制设置，可以测量过程的多个方面。例如，可在整个图案化过程的不同阶段，对包括光刻曝光图案的衬底进行测量。可以使用辐射(诸如电磁辐射)来实现测量。由于图案化特征的尺寸较小，用于检查图案的辐射性质可能影响辐射可观察和测量何种类型的特征。例如，量测工具可以观察到的细节量和最小尺寸特征可取决于辐射的波长。例如，可影响测量质量的其他性质包括辐射束的形状、尺寸、功率等。增加量测设备对用于测量图案的辐射性质的控制量可以提高从测量中获得的信息质量和信息量。光学组件可用于控制辐射束。对于包括较宽波长范围的辐射，辐射的光学控制可能更难以实施。在一些情况下，这可以通过向光学组件添加附加元件来解决。然而，增加光学组件的复杂性(例如增加更多光学元件)可能增加组件的损耗量，这可能增加对准挑战性并且可能增加组件成本。因此，使用具有降低复杂性的光学组件来控制辐射是有意义的。
发明内容
根据本公开的一方面，提供了一种用于准直宽带辐射的组件。该组件包括凸折射单透镜，该凸折射单透镜具有用于将宽带辐射耦合到透镜的第一球形表面和用于将经准直的宽带辐射耦合出透镜的第二球形表面。第一球形表面和第二球形表面具有共同中心。该组件进一步包括安装部，该安装部用于在多个接触点处保持凸折射单透镜，该多个接触点的形心与共同中心重合。
可选地，凸折射单透镜可具有基本上球形形状
可选地，凸折射单透镜可包括低色散材料。
可选地，低色散材料可具有大于80的的阿贝数。
可选地，低色散材料可以是N-FK58玻璃。
可选地，凸折射单透镜可包括抗反射涂层。
可选地，安装部可以是运动安装部。
可选地，运动安装部可在多个接触点处接触单透镜。
可选地，单透镜可位于安装部的内部，使得运动安装部的接触点的形心与第一球形表面透镜表面和第二球形表面透镜表面的中心重合。
可选地，安装部可在单透镜的中纬线平面内接触单透镜。
可选地，安装部可包括被推动与单透镜接触的多个弹簧片接触件。
可选地，运动安装部可在三个位置处与单透镜接触。
可选地，组件可进一步包括用于将经准直的宽带辐射耦合到光纤的耦合折射透镜。
可选地，耦合折射透镜可包括抗反射涂层。
可选地，耦合折射透镜可以是消色差双合透镜。
可选地，消色差双合透镜可具有用于将宽带辐射耦合到透镜的前透镜元件和用于将宽带辐射耦合出透镜的后透镜元件。
可选地，前透镜元件可包括N-LAK7玻璃，并且后透镜元件可包括SF6玻璃。
可选地，前透镜元件可具有双凸形状。后透镜元件可具有正弯月面形状。
可选地，消色差双合透镜的前透镜元件和后透镜元件可通过粘合剂彼此附接。
可选地，耦合到光纤的效率可>80％。
可选地，可从光纤输出接收宽带辐射。
可选地，宽带辐射可包括超连续谱辐射。
可选地，宽带辐射可包括波长在400nm至2400nm范围内的辐射。
可选地，宽带辐射可包括波长在500nm至900nm范围内的辐射。
可选地，耦合到透镜的宽带辐射可包括在50W和500W之间的峰值功率。
可选地，宽带辐射可包括脉冲辐射。
根据本公开的另一方面，提供了一种用于将宽带辐射耦合到光纤的组件。该组件包括用于准直宽带辐射的第一透镜，以及用于将经准直的宽带辐射耦合到光纤的第二消色差双合透镜。第一透镜具有在宽带辐射中引起色散的第一色散性质，并且第二透镜具有与第一透镜的色散性质耦合的第二色散性质。第二色散性质被配置为校正由第一透镜引起的色散的至少一部分。
可选地，第一透镜可以是单透镜。
可选地，单透镜可具有球形形状。
可选地，第一透镜可被设计为优化在500nm至900nm范围内的辐射的色散性质。
根据本公开的另一方面，提供了一种辐射源，该辐射源包括根据上述的组件、用于向组件提供辐射的宽带辐射源、以及用于收集和输出辐射的光纤。
根据本公开的另一方面，提供了一种准直宽带辐射的方法。该方法可包括提供凸折射单透镜，该凸折射单透镜具有用于将宽带辐射耦合到透镜的第一球形表面和用于将经准直的宽带辐射耦合出透镜的第二球形表面，其中第一球形表面和第二球形表面具有共同中心。该方法可进一步包括将凸折射单透镜安装在运动安装部中，并且将来自源的宽带辐射引导到凸折射单透镜的第一球形表面。
根据本公开的另一方面，提供了一种量测设备，该量测设备包括如上所述的组件。
根据本公开的另一方面，提供了一种检查设备，该检查设备包括如上所述的组件。
根据本公开的另一方面，提供了一种光刻设备，该光刻设备光刻设备
根据本公开的另一方面，提供了一种凸折射单透镜，该凸折射单透镜具有用于将宽带辐射耦合到透镜的第一球形表面和用于将宽带辐射耦合出透镜的第二球形表面，其中第一球形表面和第二球形表面具有共同中心，并且其中透镜包括阿贝数高于80的低色散折射材料。
附图说明
现在将参考所附的示例性附图仅通过示例的方式描述本发明的实施例，其中：
图1描绘了光刻设备的示意概述图；
图2描绘了光刻单元的示意概述图；
图3描绘了整体光刻的示意表示，以表示用于优化半导体制造的三种关键技术之间的协作；
图4描绘了散射仪的示意表示；
图5描绘了量测设备的示意表示；
图6描绘了包括用于准直宽带辐射的单透镜的组件的示意表示；
图7(a)和7(b)描绘了用于准直宽带辐射的凸折射单透镜的示意表示；
图8描述了示出作为波长函数的材料反射率的图；
图9描述了用于单透镜的运动安装部的示意表示；
图10描述了用于准直和聚焦宽带辐射的组件的示意表示。
具体实施方式
在本文档中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，波长为365、248、193、157或126nm)和EUV(极紫外线辐射，例如，波长在约5-100nm的范围内)。
本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为是指通用图案形成装置，该通用图案形成装置可用于向入射的辐射束赋予与将在衬底的目标部分中产生的图案相对应的图案化横截面。在该上下文中也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射或反射掩模、二元掩模、相移掩模、混合式掩模等)，其它这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括：照射系统(也称为照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，其被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM，第一定位器PM被配置为根据特定参数准确地定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，其被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，第二定位器PW被配置为根据特定参数准确地定位衬底支撑件；以及投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，其被配置为将通过图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
在操作中，照射系统IL接收来自辐射源SO的辐射束，例如经由束传输系统BD。照射系统IL可以包括用于引导、整形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电和/或其它类型的光学部件、或其任何组合。照射器IL可以用于调节辐射束B以使其在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间和角度强度轮廓。
本文中使用的术语“投影系统”PS应当被广义地解释为涵盖包括以下的各种类型的投影系统：折射、反射、折反射、变形、磁性、电磁和/或静电光学系统，或者其任何组合，该投影系统适用于所使用的曝光辐射和/或其它因素(诸如浸没液体的使用或真空的使用)。本文中对术语“投影透镜”的任何使用可被认为与更通用的术语“投影系统”PS同义。
光刻设备LA可以是如下这样的类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投影系统PS和衬底W之间的空间，这也称为浸没式光刻。关于浸没技术的更多信息在US6952253(其通过引用并入本文)中给出。
光刻设备LA也可以是具有两个(也称为“双台”)或更多个衬底支撑件WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行使用衬底支撑件WT，和/或可以在位于衬底支撑件WT中的一个上的衬底W执行对该衬底W的后续曝光准备的步骤的同时，另一衬底支撑件WT上的另一衬底W被用于在另一该衬底W上曝光图案。
除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量台。测量台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置为测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置为清洁光刻设备的一部分，例如投影系统PS的一部分或提供浸液的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投影系统PS时，测量台可以在投影系统PS的下方移动。
在操作中，辐射束B入射到被保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置MA(例如，掩模)上，并且由存在于图案形成装置MA上的图案(设计布局)图案化。在通过掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，可以准确地移动衬底支撑件WT，例如，以便在辐射束B的路径中将不同目标部分C定位在聚焦和对准位置处。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(其未在图1中明确示出)可用于相对于辐射束B的路径而准确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记P1、P2占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线对准标记。
如图2所示，光刻设备LA可以形成光刻单元LC的一部分，光刻单元LC有时也称为光刻胞或(光刻)簇，光刻单元LC通常还包括用于在衬底W上执行预曝光和后曝光过程的设备。通常，这些设备包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用于显影曝光抗蚀剂的显影剂DE、激冷板CH和烘烤板BK，例如用于调节衬底W的温度，例如用于调节抗蚀剂层中的溶剂。衬底输送装置(或机器手)RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底W，在不同处理设备之间移动衬底W，并且将衬底W输送到光刻设备LA的装载台LB。光刻单元中的装置(通常也统称为轨道)通常受轨道控制单元TCU的控制，轨道控制单元TCU本身可由管理控制系统SCS控制，管理控制系统SCS也可以控制光刻设备LA，例如经由光刻控制单元LACU。
为了正确地且一致地曝光由光刻设备LA曝光的衬底W，期望检查衬底以测量图案化结构的性质，诸如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(CD)等。为此，光刻单元LC中可以包括检查工具(未示出)。如果检测到错误，尤其是如果在曝光或处理相同批次或相同批的其它衬底W之前进行检查，则例如可以对后续衬底的曝光和/或待在衬底W上执行的其它处理步骤进行调整。
检查设备(也可以称为量测设备)用于确定衬底W的性质，特别是确定不同衬底W的性质如何变化或者与相同衬底W的不同层相关联的性质如何在层之间变化。替代地，检查设备可被构造为识别衬底W上的缺陷，并且可以例如是光刻单元LC的一部分，或者可以被集成到光刻设备LA中，或者甚至可以是独立装置。检查设备可以测量潜像(在曝光之后在抗蚀剂层中的图像)，或半潜像(在曝光后烘烤步骤PEB之后在抗蚀剂层中的图像)，或显影抗蚀剂图像(其中已经移除抗蚀剂的已曝光部分或未曝光部分)，或甚至蚀刻图像(在诸如蚀刻等图案转印步骤之后)上的性质。
通常，光刻设备LA中的图案化过程是要求在衬底W上进行结构的高精度定尺寸和放置的处理中的最关键步骤之一。为了确保这种高精度，可以将三个系统组合成所谓的“整体”控制环境，如图3所示出的。这些系统中的一个是(实际地)连接到量测工具MT(第二系统)和计算机系统CL(第三系统)的光刻设备LA。这种“整体”环境的关键是优化这三个系统之间的协作以增强整个过程窗口，并且提供严格控制回路以确保由光刻设备LA执行的图案化保持在过程窗口内。过程窗口定义了过程参数(例如，剂量、聚焦、重叠)的范围，在这些过程参数的范围内，特定制造过程会产生定义的结果(例如，功能性半导体器件)，通常允许光刻过程或图案化过程中的过程参数在这些过程参数的范围内变化。
计算机系统CL可以使用待图案化的设计布局(的一部分)来预测待使用哪种分辨率增强技术并且执行计算光刻模拟和计算，以确定哪些掩模布局和光刻设备设置实现了图案化过程的最大的总体过程窗口(在图3中由第一标度SC1中的双箭头表示)。通常，分辨率增强技术被布置为匹配光刻设备LA的图案化可能性。计算机系统CL还可用于检测光刻设备LA当前正在过程窗口内的哪个位置操作(例如，通过使用来自量测工具MT的输入)，以预测是否由于例如次最佳过程而可能存在缺陷(在图3中由第二标度SC2中的指向“0”的箭头表示)。
量测工具MT可以向计算机系统CL提供输入，以实现准确的模拟和预测，并且可以向光刻设备LA提供反馈以识别，在例如光刻设备LA的校准状态下的可能漂移(在图3中由第三标度SC3中的多个箭头表示)。
在光刻过程中，期望经常测量所产生的结构，例如以用于过程控制和验证。进行这种测量的工具通常称为量测工具MT。用于进行这种测量的不同类型的量测工具MT是已知的，包括扫描电子显微镜或各种形式的散射仪量测工具MT。散射仪是多功能仪器，其允许通过将传感器置于散射仪物镜的光瞳中或者与该光瞳的共轭平面中来测量光刻过程的参数，测量通常称为基于光瞳的测量，或者通过将传感器置于图像平面或与图像平面共轭的平面中进行测量的情况下来测量光刻过程的参数，在这种情况下测量通常称为基于图像或场的测量。这种散射仪和相关的测量技术被进一步描述在专利申请US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中，其全部内容通过引用并入本文。上述散射仪可以使用来自软X射线和可见光至近IR波长范围的光来测量光栅。
在第一实施例中，散射仪MT是角分辨散射仪。在这种散射仪中，可以对所测量的信号应用重构方法以重构或计算光栅的性质。例如，可以通过模拟经散射辐射与目标结构的数学模型的相互作用，并且将模拟结果与测量结果进行比较来得到这种重构。调整数学模型的参数，直到模拟的相互作用产生与从真实目标观察到的衍射图案相似的衍射图案。
在第二实施例中，散射仪MT是光谱散射仪MT。在这种光谱散射仪MT中，由辐射源发射的辐射被引导到目标，并且从目标反射或散射的辐射被引导到光谱检测器，该光谱检测器测量镜面反射辐射的光谱(即，强度作为波长函数的测量)。根据该数据，可例如通过严格耦合波分析和非线性回归或者通过与模拟光谱库进行比较，来重构产生检测到的光谱的目标结构或轮廓。
在第三实施例中，散射仪MT是椭圆偏振散射仪。椭圆偏振散射仪允许通过针对每个偏振状态，测量经散射的辐射来确定光刻过程的参数。这种量测设备通过例如在量测设备的照射部分中使用合适的偏振滤光器来发射偏振光(诸如，线性、圆形或椭圆形)。适用于量测设备的源也可以提供偏振辐射。现有的椭圆偏振散射仪的各种实施例被描述在美国专利申请11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110和13/891,410中，其全部内容通过引用并入本文。
已知散射仪的示例通常依赖于提供专用量测目标，诸如未填充填充目标(即在单个光栅或不同层中的重叠光栅的情况下，足够大使得测量束产生小于光栅的斑点的目标)或过填充目标(从而照射斑点部分地或完全地包括目标)。进一步地，使用量测工具(例如角分辨率散射仪，其照射诸如光栅的未填充目标)允许所谓的重构方法的使用，在这种情况下，可通过用目标结构的数学模型模拟经散射衍射的相互作用并且将模拟结果与测量结果进行比较来计算光栅的性质。可调节模型的参数，直到所模拟相互作用产生了与从实际目标观察到的衍射图案相似的衍射图案。
在散射仪MT的一个实施例中，散射仪MT适于通过测量经反射光谱和/或检测配置中的不对称性来测量两个未对准光栅或周期性结构的重叠，该不对称性与重叠程度相关。两个(通常重叠的)光栅结构可应用于两个不同层(不必须是连续层)，并且可基本上形成在晶片上的相同位置处。如在共同拥有的专利申请EP1,628,164A中描述的，散射仪可具有对称检测配置，使得能够清楚地区分任何不对称性。这提供了用于测量光栅的未对准的直接方法。鉴于通过周期性结构的不对称性测量目标，而测量在包含周期性结构的两个层之间的重叠误差的其他示例可在公开号为WO2011/012624的PCT专利申请或申请号为US20160161863的US专利申请中找到，其全部内容通过引用并入本文。
其他感兴趣参数可以是聚焦和剂量。散射仪(或可选地，扫描电子显微镜)可同时地确定聚焦和剂量，如US专利申请US2011-0249244中所描述的，其全部内容通过引用并入本文。可使用具有针对聚焦能量矩阵(FEM，也称为聚焦曝光矩阵)中的每个斑点的临界尺寸和侧壁角测量值的独特组合的单一结构。如果临界尺寸和侧壁角的这些唯一组合是可用的，则可根据这些测量值唯一地确定聚焦和剂量值。
量测目标可以是由光刻过程形成(主要在抗蚀剂中)，也可例如在蚀刻过程之后形成的复合光栅的集合。通常，光栅中结构的节距和线宽很大程度取决于测量光学器件(特别是光学器件的NA)，以能够捕获来量测目标的衍射阶。如先前所表示的，衍射信号可用于确定两个层之间的偏移(也称为“重叠”)，或可用于重构由光刻过程产生的原始光栅的至少一部分。这种重构可用于提供光刻过程质量的指导，并且可用于控制光刻过程的至少一部分。目标可具有较小的子段，该子段被配置为模仿目标中设计布局的功能部分尺寸。由于该子段，目标将表现为更类似于设计布局的功能部分，使得整体过程参数测量值更类似于设计布局的功能部分。可在未填充模式下或在过填充模式下测量目标。在未填充模式下，测量束产生小于整体目标的斑点。在过填充模式下，测量束产生大于整体目标的斑点。在这种过填充模式下，还可能同时地测量不同目标，因此同时确定不同处理参数。
使用特定目标的光刻参数的整体测量质量至少部分地由用于测量该光刻参数的测量选配方案确定。术语“衬底测量选配方案”可包括测量本身的一个或多个参数、一个或多个所测量图案的一个或多个参数、或两者。例如，如果在衬底测量选配方案中使用的测量是基于衍射的光学测量，则测量的一个或多个参数可以包括辐射的波长、辐射的偏振、辐射相对于衬底的入射角、辐射相对于衬底上图案的取向等。例如，选择测量选配方案的标准之一可以是测量参数中的一个对于过程变化的敏感性。在US专利申请US2016-0161863和公开的US专利申请US2016/0370717A中描述了更多示例，其全部内容通过引用并入本文。
图4中描绘了量测设备，诸如散射仪SM1。该量测设备包括将辐射投影到衬底6的宽带(白光)辐射投影仪2。经反射或散射的辐射被传送到散射仪检测器4，散射仪检测器4测量镜面反射辐射的光谱10(即，测量作为波长λ的函数的强度INT)。根据该数据，产生所检测光谱的结构或轮廓可由处理单元PU(例如，通过严格耦合波分析和非线性回归)重构，或者与在图4底部示出的模拟光谱库进行对比。通常，通常，对于重构，结构的通用形式是已知并且根据制备结构的过程的知识来假设一些参数，仅留下结构的很少的参数根据散射仪数据来确定。这种散射仪可被配置为正入射散射仪或斜入射散射仪。
作为光学量测方法的替代方案，也已经考虑使用软X射线或EUV辐射，例如波长范围在0.1nm和100nm之间的辐射，或可选地在1nm和50nm之间，或可选地在10nm和20nm之间。使用上述波长范围中的一个的量测工具的一个示例是透射小角X射线散射(如US2007224518A中的T-SAXS，其全部内容通过引用整体并入本文)。使用T-SAXS的轮廓(CD)测量在Lemaillet等人的“Intercomparison between optical and X-ray scatterometrymeasurements of FinFET structures(鳍式场效晶体管结构的光学和X射线散射测量测量之间的比较)”(国际光学工程学会(SPIE)学报，2013，8681)中进行了讨论。已知在掠入射时使用X射线(GI-XRS)和极紫外(EUV)辐射的反射测量技术用于测量衬底上的薄膜和叠层的性质。在反射测量的一般领域内，可以应用测角术和/或光谱技术。在测角术中，测量具有不同入射角的反射束的变化。另一方面，光谱反射测量技术(使用宽带辐射)测量在给定角度处反射的波长光谱。例如，在制造用于EUV光刻的掩模版(图案形成装置)之前，EUV反射测量技术就已经用于检查掩模底版。
应用范围可能使软X射线或EUV域中的波长的使用不充分。因此，公开的专利申请US20130304424A1和US2014019097A1(Bakeman等人/KLA)描述了混合量测技术，其中将使用X射线进行的测量和使用在120nm和2000nm的范围内的波长的光学测量被结合在一起，以获得参数(诸如CD)的测量。通过以一个或多个共同部分耦合X射线数学模型和光学数学模型来获得CD测量。所引用的US专利申请的内容通过引用其整体并入本文。
图5描绘了量测设备302的示意表示，其中可使用波长范围为0.1nm至100nm的辐射来测量衬底上的结构参数。图5中呈现的量测设备302适用于软X射线或EUV域。
仅作为示例，图5示出了量测设备302的示意物理布置，该量测设备302包括在掠入射中使用EUV和/或SXR辐射的光谱散射仪。检测设备的替代形式可以角分辨散射仪的形式被提供，该角分辨散射仪使用与以较长波长操作的传统散射仪相似的正入射或近正入射的辐射。
检查设备302包括辐射源310、照射系统312、衬底支撑件316、检测系统318、319和量测处理单元(MPU)320。
该示例中的源310包括基于高次谐波生成(HHG)技术的EUV或软X射线辐射的发生器。例如，可从美国科罗拉多州博尔德的KMLabs(http://www.kmlabs.com/)获得这种源。辐射源的主要部件是驱动激光器330和HHG气室332。气体供应装置334将合适的气体供应至气室，该气室可选地由电源336离子化。例如，驱动激光器300可以是具有光学放大器的基于光纤激光器，从而产生每脉冲可例如持续小于1ns(1纳秒)的红外辐射脉冲，并且根据需要，脉冲重复率可高达几兆赫兹。例如，红外辐射的波长可以在1μm(1微米)的范围内。激光器脉冲可作为第一辐射束340传送到HHG气室332，其中在气体中，辐射的一部分被转换为比第一辐射高的频率，成为包括具有期望波长或多个波长的相干第二辐射的束342。
第二辐射可包括多个波长。如果辐射是单色的，则可简化测量计算(例如重构)，但是使用HHG更容易产生具有多个波长的辐射。气室332内的气体体积限定了HHG空间，但是该空间不需要被完全包围，并且可使用气流而不是静态体积。例如，气体可以是稀有气体，诸如氖(Ne)或氩(Ar)。N2、O2、He、Ar、Kr、Xe气体都可以考虑。这些是设计选择事宜，并且甚至可以是相同设备内的可选择选项。例如，当成像不同材料的结构时，不同波长将提供不同水平的对比度。例如，对于检查金属结构或硅结构，可选择不同波长来用于成像(碳基)抗蚀剂的特征或用于检测这些不同材料的污染。可提供一个或多个滤光装置344。例如，滤光器(诸如铝(Al)薄膜)可用于切断基础IR辐射以防进一步进入到检查设备。可设置光栅(未示出)以从在气室中产生的那些波长之中选择一个或多个特定谐波波长。真空环境内可包括一些或全部光束路径，应当记住，当SXR辐射在空气中行进时会被吸收。辐射源310和照射光学器件312的各种部件可以是可调节的，以在相同设备内实施不同的量测“选配方案”。例如，可以选择不同的波长和/或偏振。
根据被检查的结构的材料，不同波长可提供对下面层的期望水平的穿透。为了解决最小器件特征和最小器件特征之中的缺陷，短波长很可能是优选的。例如，可选择在1-20nm范围内的，或优选在1-10nm范围内的，或者优选在10-20nm范围内的一个或多个波长。短于5nm的波长在被半导体制造中从通常感兴趣材料反射时会遭受非常低的临界角。因此，选择长于5nm的波长将在较大入射角的情况下提供较强的信号。另一方面，如果检查任务是检测特定材料的存在(例如检测污染物)，则高达50nm的波长将是有用的。
来自辐射源310的经滤光的束342进入检查室350，其中包括感兴趣结构的衬底W被衬底支撑件316保持为在测量位置处进行检查。感兴趣结构被标记为T。检查室350内的环境由真空泵352维持为接近真空，使得EUV辐射可以通过该环境而不会过度衰减。照射系统312具有将辐射聚焦成经聚焦的束356的功能，并且可包括例如二维曲面反射镜或一系列一维曲面反射镜，如上述的公开的US专利申请US2017/0184981A1(其全部内容通过引用整体并入本文)中描述的。当投影到感兴趣结构时，执行聚焦以实现直径小于10μm的圆形或椭圆形斑点S。例如，衬底支撑件316包括X-Y平移台和旋转台，通过X-Y平移台和旋转台，衬底W的任何部分可以沿期望方向被带入至束的焦点。因此，辐射斑点S被形成在感兴趣结构上。可选地或另外地，衬底支撑件316包括例如倾斜台，该倾斜台可将衬底W倾斜特定角度，以控制经聚焦的束在感兴趣结构T上的入射角。
可选地，照射系统312将参考辐射束提供至参考检测器314，参考检测器314可配置为测量经滤光的束342中的不同波长的光谱和/或强度。参考检测器314可配置为产生被提供至处理器310的信号315，并且滤波器可包括关于经滤光的束342的光谱和/或经滤光的束中的不同波长的强度的信息。
检测器318捕获反射辐射360，并且将光谱提供至处理器320以用于计算目标结构Ta的性质。因此，照射系统312和检测系统318形成检查设备。该检查设备可包括在US2016282282A1中描述的类型的软X射线和/或EUV光谱反射仪，其内容通过引用整体并入本文。
如果目标Ta具有特定周期性，则经聚焦的束356的辐射也可以部分地衍射。衍射束397相对于入射角随后相对于反射辐射360以明确定义的角度沿着另一条路径。在图5中，以示意性方式示出所示的衍射辐射397，并且衍射辐射397可遵循除了所示出路径之外的许多其他路径。检查设备302还可以包括另外检测系统398，该另外检测系统检测和/或成像衍射辐射397的至少一部分。在图5中，示出了单个另外检测系统398，但是检查设备302的实施例还可以包括多于一个另外检测系统398，它们布置在不同位置处以检测和/或成像多个衍射方向上的衍射辐射397。换言之，撞击在目标Ta上的聚焦辐射束的(更高)衍射阶由一个或多个另外检测系统398检测和/或成像。一个或多个检测系统398产生被提供至量测处理器320的信号399。信号399可以包括衍射光397的信息和/或可以包括从衍射光397获得的图像。
为了帮助斑点S与期望产品结构对准和聚焦，检查设备302还可以提供在量测处理器320的控制下使用辅助辐射的辅助光学器件。量测处理器320还可以与位置控制器372通信，位置控制器372操作平移台、旋转台和/或倾斜台。处理器320通过传感器而接收关于衬底位置和取向的高精度反馈。传感器374可以包括干涉仪，该干涉仪可例如提供皮米级的准确度。在检查设备302的操作中，检测系统318所捕获的光谱数据382被传送到量测处理单元320。
如所提及的，检查设备的替代形式使用正入射或近正入射的软X射线和/或EUV辐射，以例如执行基于衍射的不对称性测量。可以在混合量测系统中提供两种类型的检查设备。待测量的性能参数可包括重叠(OVL)、临界尺寸(CD)、相干衍射成像(CDI)和分辨率重叠(ARO)量测。软X射线和/或EUV辐射可例如具有小于100nm的波长，例如使用5-30nm范围内的辐射，可选地使用10nm至20nm范围内的辐射。辐射可具有窄带或宽带特性。辐射可在特定波长带中具有离散的峰值，或者可具有更连续的特性。
像目前生产设施中使用的光学散射仪一样，检查设备302可用于测量在光刻单元内处理的抗蚀剂材料内的结构(显影后检查或ADI)，和/或测量在已经被形成在较硬材料中之后的结构(蚀刻后检查或AEI)。例如，在衬底已经被显影设备、蚀刻设备、退火设备和/或其他设备处理之后，使用检查设备302来检查衬底。
量测工具MT(包括但不限于上述提及的散射仪)可使用来自辐射源的辐射以执行测量。量测工具MT所使用的辐射可以是电磁辐射。辐射可以是光辐射，例如电磁光谱中的红外部分、可见部分和/或紫外部分中的辐射。量测工具MT可以使用辐射来测量或检查衬底的性质和方面。例如，量测工具MT可以测量衬底上的光刻曝光图案。测量的类型和质量可取决于数个因素，这些因素包括用于测量衬底的辐射。用于查询衬底的辐射波长可能影响从测量中获得的质量和信息。例如，由于衍射极限，辐射的波长可能影响最小的可区分特征。衬底的光学响应和/或衬底的图案可以是波长相关的。例如，衬底和图案的衍射效应、透射和/或吸收性质可以是波长相关的。因此，能够使用多个波长询问衬底可能是有益的。能够控制和选择使用那个或哪些波长进行测量也可能是有益的。量测工具可通过存取宽带辐射来获得此功能。通过允许控制用于测量的辐射波长，可以为量测工具MT提供其他功能。例如，一个或多个滤光器可用于选择具有期望波长的辐射和/或处于期望波长范围内的辐射。
产生和提供高质量辐射可能存在挑战。可使用超连续谱产生来获得宽带辐射。这可提供具有连续且宽范围波长的辐射。例如，超连续谱辐射可以包括范围为400nm至2400nm的辐射。例如，超连续谱辐射可以包括400nm至2400nm范围内的基本上每个波长。由于色散原因，提供能够在该整个波长范围内一致地控制辐射的光学器件可能是困难的。因此，提供用于控制跨宽带波长范围的辐射的光学组件可能是困难的。通过添加另外光学元件可提高光学组件的宽带性能，但这可增加复杂性和成本，而这可能是不期望的。
除了宽带波长范围的性能之外，光学组件还可能在控制高功率辐射方面遇到困难。例如，高强度辐射可能以开启/停止周期入射到光学组件。这可能导致加热和冷却组件中的光学元件，这可能影响光学元件的特性和性能。例如，高功率辐射可能导致对组件中的一个或多个光学元件造成热损坏。例如，加热和冷却可能导致元件尺寸的膨胀和缩小，这可能导致元件移动。这种移动可能导致一个或多个光学元件偏离它们的预期位置，这可能对光学组件的性能产生负面影响。例如，光学元件的1μm偏移可能导致成功穿过系统的辐射损失高达10％。
宽带辐射(诸如超连续谱辐射)可在高功率条件下产生。例如，非线性过程可用于产生宽带辐射，这可能需要高功率辐射。所得宽带辐射也可以是高功率辐射。例如，高功率辐射可具有1W或更多、或5W或更多的平均功率。可以非准直形式产生宽带辐射。为了处理所产生的宽带辐射，可对该宽带辐射进行光学控制。光学控制可包括准直宽带辐射。空气间隔双合透镜是通用的用于准直辐射束的光学元件。然而，在高强度辐射操作条件下，这种空气间隔双合透镜可能出现位置和性质的不稳定性。本公开描述了用于控制宽带辐射的组件，其可适于在高强度下操作。
图6示出了提供到光学组件100的宽带辐射200。宽带辐射200可以由光纤250输出，并且可以由组件100接收。光纤250可形成源的一部分。组件100可以被配置为将所接收宽带辐射准直成准直宽带辐射。为了准直辐射，组件100可提供第一透镜110。第一透镜110可以是凸折射单透镜。第一透镜110可具有第一球形表面112，面向入射宽带辐射，以用于将宽带辐射耦合至透镜。第一透镜可进一步包括第二球形表面114，以用于将经准直的宽带辐射耦合出第一透镜110。单透镜110的第一球形表面和第二球形表面具有共同中心116。组件100可进一步包括用于保持第一透镜110的安装部120。
第一透镜可以作为准直器执行功能。以具有第一球形表面和第二球形表面的凸折射单透镜的形式提供准直器的优点在于，这提供了用于准直束的单个光学元件。由于球形表面具有共同中心，因此设置可不受透镜倾斜的影响。这可改善透镜的机械稳定性，例如相比较于空气间隔双合透镜，其中倾斜透镜将导致辐射路径的改变。除了倾斜独立性之外，由于将包括单个元件的透镜保持就位的简单性，凸折射单透镜可容易保持机械稳定。尽管是单透镜，凸折射单透镜的球形表面设计也可在宽带波长范围内表现良好。提供凸折射单透镜作为第一透镜的另外优点可包括，由于球形表面而易于制造透镜，并且透镜包括单个元件。球形表面可基本上是球形的。也就是说，在某些情况下，表面的形状可以包括与精确球形形状的小偏差。例如，表面可以是在制造容差内的球形表面。表面可近似为球形形状，其中小偏差可以是设计选择。例如，可以认为折射单透镜具有在曲率半径变化上具有1％、2％或5％容差的球形表面。与球形形状的可接受偏差量可以由组件100及其所用于的应用的要求来确定，因为偏差可能影响透镜110的倾斜独立性和/或机械稳定性。可对单透镜110的一个或两个表面施加抗反射涂层。抗反射涂层可以是施加到透镜表面的包括一种或多种材料的薄层。透镜材料的折射率与抗反射涂层的一个或多个层的折射率和厚度之间关系可以被设计为减少入射到所涂覆表面的至少一些辐射的反射。
图7(a)和7(b)描绘了凸折射单透镜110的示意表示。共同中心116可被理解为第一球形表面112和第二球形表面114的共同曲率中心。如图7(a)所示，第一球形表面112和第二球形表面114可具有相同的曲率半径。第一球形表面112和第二球形表面114可以可选地具有不同的曲率半径，如图7(b)所示，但仍具有共同中心116。在一些实施方式中，第一透镜110可具有整个球形形状，如图7(a)所示。这种形状可以具有易于制造的优点。球形对称可为组件100提供机械稳定性。示例单透镜110可具有半径为几毫米量级(例如2.809mm)的球形形状。单透镜110的有效焦距可为几毫米量级(例如4.4±0.1mm)。在其他实施方式中，第一透镜110可以包括另外表面118，该另外表面118可以是非球形的，如图7(b)所示。例如，组件100可以具有穿过组件100的光路140。光路140可以穿过共同中心116。第一球形表面112和第二球形表面114可位于光路140附近，使得入射到第一透镜110的辐射与第一球形表面112和第二球形表面114相互作用。例如，第一表面112和第二表面114可包括球形的扇区。其他表面118可远离光路140定位，使得在组件100的正常操作下，入射到第一透镜110的辐射不与这些表面相互作用。例如，不在光路附近的透镜的顶部、底部和侧部中的一个或多个可具有非球形形状。非球形表面118可以是圆柱形表面或平面表面，并且可平行于光路140。
为了能够对宽带辐射执行准直功能，第一透镜110可由低色散材料制成。低色散材料可具有值高于预定阈值的阿贝数。可基于待使用组件100的应用的要求和公差来设置阈值。低色散材料可具有值高于80的阿贝数。低色散材料可具有值高于90的阿贝数。如果使用阿贝值低于80的低色散材料，这可能导致组件100中的透镜110的性能劣化。性能损失可例如是由于增加的反射损失和/或增加的吸收损失而导致。可针对感兴趣的波长范围(例如500nm至900nm)定制材料的低色散性。低色散材料可以是玻璃材料。例如，低色散材料可包括氟冕玻璃，诸如N-FK51A(阿贝数Vd＝84.47)玻璃，或N-FK58玻璃(阿贝数Vd＝90.9)，两者均由德国肖特基团(Schott AG)销售，或钙氟化玻璃(CaF2)(阿贝数Vd＝94.99)。应当理解，可以使用其他低色散材料来形成凸单透镜110。通过选择具有低折射率的玻璃材料(诸如冕玻璃)，可相比于具有较高折射率的玻璃材料降低反射损失。
图8描绘了示出两种不同材料的模拟反射率曲线的曲线图。反射率曲线801与具有较高折射率的第一材料(例如，对于632.8nm的波长，n＝1.7561)有关。反射率曲线802与具有较低折射率的第二材料(例如，对于632.8nm的波长，折射率n＝1.45494的N-FK58玻璃)有关，并且相比于曲线801的材料具有较低色散。曲线示出了波长范围为400nm至2400nm的反射率。与曲线802相比，801的反射率在约400nm至800nm的范围内较低。然而，802材料曲线的红外辐射的反射率较低。较低的反射率可意味着与反射相关的较低损失。红外辐射范围内的较低反射率还可减少第一透镜110前面的材料上的热负荷。例如，第一透镜110前面的材料可包括光纤、金属箍、粘合剂等中的一个或多个。较低折射率材料802可进一步相比于具有较高折射率的材料801具有更低的吸收。这可减少透镜材料上的热负荷。这可使得更好地控制光学组件内的加热。使用低色散和低反射率的材料可通过提高宽带范围内的性能来提高设置效率，和/或可通过降低热损坏的可能性来提高系统的寿命。与双合透镜相比，在组件100中使用具有低色散性质和低折射率的单透镜110可导致单透镜110的温度降低几摄氏度。
使用单透镜的优点在于可容易地安装单透镜。当安装包括多个光学元件的光学系统时，可以使用粘合剂将光学元件彼此附接，这可相对于彼此来设置元件的位置。然而，粘合剂可能不适于使用高功率辐射的应用，高功率辐射可能使粘合剂燃烧和/或导致其他热损坏。使用机械元件将光学元件相对于彼此保持就位(例如，将元件放置和固定在管中)也可能导致热量积聚。机械设置还可能对由于加热和/或冷却元件和/或机械元件引起的偏移敏感。
凸折射单透镜110可以安装在运动安装部120上。运动安装部120可以是在单透镜110的定位过程中不提供自由度的安装部。因此，单透镜110可以可靠地定位在光学组件100的内部。运动安装部120可提供热中心定位，使得单透镜110可以可靠地定位在组件100中。在上下文中，热中心定位表示当安装部由于热负荷而膨胀/收缩时，安装部的中心保持基本稳定。图9描绘了保持凸折射单透镜110的运动安装部120的示意表示。运动安装部可以在多个接触点122处接触单透镜110。如图9所示，运动安装部120可例如包括与单透镜110的三个接触点。运动安装部120可用于形成接触点122的多个接触件124。接触件可以是弹簧片接触件124。弹簧片接触件124可通过多个弹簧片所施加的弹簧力而被推动与单透镜110接触。运动安装部120的形心可与单透镜110的第一球形表面112和第二球形表面114的共同中心116重合。接触点的形心可以是运动安装部120的接触件124的重心。接触点122可以在单透镜的中纬线平面中接触单透镜。也就是说，接触点122可全部位于相同平面内。当单透镜110安装在运动安装部120内部时，透镜110的第一球形表面112和第二球形表面114的共同中心116可与接触点122的平面共面。单透镜可在第一球形表面112和第二球形表面114之间包括圆柱面。接触点122可在圆柱面上接触单透镜，这可以为透镜的安装提供额外的稳定性。
除了准直辐射之外，组件100可以执行辐射200的其他操纵和控制。图10描绘了包括第二透镜130的组件100的示意表示，第二透镜130用于聚焦准直辐射。宽带辐射200被提供至组件100，以用于准直和聚焦辐射。如上文更详细描述的，第一透镜110可保持在安装部120中。由第一透镜110准直的宽带辐射200可以入射到第二透镜130上。第二透镜可以是用于聚焦准直宽带辐射的耦合折射透镜130。例如，耦合透镜130可以聚焦准直辐射200以将辐射耦合到光纤400中。光纤400可引导辐射以将辐射提供在感兴趣位置处。可选地，除了聚焦辐射以耦合到光纤400中，耦合透镜130可聚焦或控制辐射以用于其他目的。例如，耦合透镜130可将准直辐射200聚焦到目标上。耦合透镜可以是消色差双合透镜。消色差双合透镜130可包括两个透镜元件以形成双合透镜。双合透镜的第一透镜元件可称为前透镜元件132。双合透镜的第二透镜元件可称为后透镜元件134。前透镜元件132和后透镜元件134中的一个或两者可包括球形表面。在一些实施方式中，前透镜元件132和后透镜元件134中的一个或两者可具有非球形表面。宽带辐射200可耦合出后透镜元件。前透镜元件132和后透镜元件134可使用粘合剂彼此固定。可选地或另外地，前透镜元件132和后透镜元件134可通过保持环固定在一起。前透镜元件132和后透镜元件134可由不同材料制成。前透镜元件132可包括低折射率和/或低色散玻璃。例如，前透镜元件132可由冕玻璃制成(例如由德国Schott AG销售的N-LAK7玻璃)。后透镜元件134可包括高折射率和/或高色散玻璃。例如，后透镜元件134可由火石玻璃制成(例如由德国Schott AG销售的SF6玻璃)。前透镜元件132可具有双凸形状。后透镜元件134可具有正弯月面形状。耦合透镜130可安装到安装部150。安装部150可以是运动安装部。耦合透镜130可包括施加到耦合透镜130的一个或两个外表面的抗反射涂层，其中第一外表面可以是用于接收辐射的前透镜元件132的前表面，第二外表面可以是辐射可耦合到其之外的后透镜元件134的后表面。
图10的组件100可用于将宽带辐射耦合到光纤400。第一透镜110可以准直入射的宽带辐射200，第二透镜可以将准直辐射耦合到光纤400。第一透镜110可以如上所述为凸折射单透镜。第二透镜130可以如上所述为消色差双合透镜。第一透镜可具有第一色散性质，这可导致耦合出第一透镜110的宽带辐射中发生色散。色散的量和类型可取决于制成第一透镜110的材料类型。通过将第一透镜110由低色散材料制成，可限制色散量。第二透镜130可具有可导致宽带辐射200中进一步发生色散的第二色散性质。可相对于第一透镜110来设计第二透镜。具体地，两个透镜的设计可被选择为使得第二色散性质与第一色散性质耦合。第二色散性质可被配置为使得第二透镜130校正由第一透镜110引入的色散的至少一部分。例如，前透镜元件132可具有凸面形状，并且由低折射率/低色散玻璃制成。由该前透镜元件132引入的一些色散可被由后透镜元件134引入的色散抵消。后透镜元件可例如具有凹面形状，并且由高折射率/高色散玻璃制成。通过使用凸单透镜作为第一透镜和消色差双合透镜作为第二透镜，将辐射耦合到光纤400的效率可超过70％、超过75％、超过80％。可确定在感兴趣的波长范围内(例如500nm至900nm)的耦合效率。
第二色散性质可被选择为在设定波长范围下至少部分地校正由第一透镜110引入的色散。设定波长范围可包括宽带辐射波长范围的一部分。在示例性实施方案中，宽带辐射包括超连续谱辐射，并且可跨越从400nm至2400nm的波长范围。第二透镜130的材料和/或形状可被设计为优化在500nm至900nm范围内的辐射的色散性质。
本文中描述的被组件100接收的宽带辐射200可由宽带辐射源提供。可接收从光纤250输出的宽带辐射。宽带辐射200可包括在400nm至2400nm范围内的辐射。宽带辐射可包括跨500nm-900nm的感兴趣波长范围。宽带辐射200可包括超连续谱辐射。超连续谱辐射可跨越400nm至2400nm的宽带辐射范围的至少一部分。在一个示例中，超连续谱辐射名义上包括在500nm至900nm范围内的全部波长。可选地或另外地，宽带辐射200可包括宽带辐射范围内的一个或多个单个波长或窄波段。
耦合到组件100的宽带辐射200可包括在50W和500W之间的峰值功率。耦合到组件100的辐射的平均功率可以是约10W的量级。跨波长的功率分布可能是不规律的。在一个示例中，宽带辐射可包括低于500nm波长下的约0.2W平均功率、在500nm和900nm之间波长下的约2.3W平均功率、以及在高于900nm波长下的约700W平均功率。宽带辐射可以是脉冲辐射。脉冲频率可以是数十MHz的量级(例如40MHz)。脉冲的持续时间可以是数百皮秒的量级(例如500ps)。在第二透镜130处，宽带辐射的功率可能已经降低。功率的降低可例如由损耗和/或辐射滤光引起。在耦合透镜130处，平均辐射功率可以例如减少至1W或更少的量级。耦合透镜130处的峰值功率可保持为低于约50W。
用于操纵和控制辐射的滤光器和其他光学元件可以包括在组件100中。组件100可以包括一个或多个滤光器，该滤光器用于从穿过组件100的宽带辐射中减少和/或去除具有特定波长的辐射。例如，滤光器可阻挡一个或多个单个波长，和/或一个或多个波段/波长范围。滤光器可用于设置组件100输出哪些波长。例如，可提供一个或多个光学元件来清理辐射束的形状。
本文中描述的组件可用于操纵和控制高功率宽带辐射。组件100可用第一单透镜110准直宽带辐射，并且使用第二透镜将准直辐射聚焦到光纤400。这种设置可以形成辐射源，其中光纤400的输出可以是源输出的辐射。组件100可以单独或作为辐射源而提供在量测设备、检查设备、光刻设备LA和/或光刻单元LC中的一个或多个中。
在以下编号条项的列表中公开了本发明的其他实施例：
1.一种用于准直宽带辐射的组件，该组件包括：
凸折射单透镜，具有用于将宽带辐射耦合到透镜的第一球形表面和用于将经准直的宽带辐射耦合出透镜的第二球形表面，其中第一球形表面和第二球形表面具有共同中心；以及
安装部，用于保持凸折射单透镜。
2.根据条项1所述的组件，其中，凸折射单透镜具有基本上球形形状。
3.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中，凸折射单透镜包括低色散材料。
4.根据条项3所述的组件，其中，所述低色散材料具有大于80的阿贝数。
5.根据条项3或条项4所述的组件，其中，所述低色散材料是N-FK58玻璃。
6.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中，所述凸折射单透镜包括抗反射涂层。
7.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中，所述安装部是运动安装部。
8.根据条项7所述的组件，其中，所述运动安装部在多个接触点处接触所述单透镜。
9.根据条项8所述的组件，其中，所述单透镜被定位于安装部的内部，使得所述运动安装部的接触点的形心与第一球形透镜表面和第二球形透镜表面的中心重合。
10.根据条项7-9中的任一项所述的组件，其中，所述安装部在单透镜的中纬线平面内接触单透镜。
11.根据条项8所述的组件，其中，所述安装部包括被推动与所述单透镜接触的多个弹簧片接触件。
12.根据条项8至11中的任一项所述的组件，其中，所述运动安装部在三个位置处与所述单透镜接触。
13.根据前述条项中的任一项所述的组件，进一步包括用于将经准直的宽带辐射耦合到光纤的耦合折射透镜。
14.根据条项13所述的组件，其中，所述耦合折射透镜包括抗反射涂层。
15.根据条项13至14中的任一项所述的组件，其中，所述耦合折射透镜是消色差双合透镜。
16.根据条项15所述的组件，其中，所述消色差双合透镜具有用于将所述宽带辐射耦合到所述透镜的前透镜元件和用于将所述宽带辐射耦合出所述透镜的后透镜元件。
17.根据条项16所述的组件，其中，所述前透镜元件包括N-LAK7玻璃，并且其中，所述后透镜元件包括SF6玻璃。
18.根据条项16-17中的任一项所述的组件，其中，所述前透镜元件具有双凸形状，并且其中，所述后透镜元件具有正弯月面形状。
19.根据条项15-18中的任一项所述的组件，其中，所述消色差双合透镜的所述前透镜元件和所述后透镜元件通过粘合剂彼此附接。
20.根据条项13-19中的任一项所述的组件，其中，到光纤的耦合效率>80％。
21.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中，从光纤输出接收宽带辐射。
22.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中，所述宽带辐射包括超连续谱辐射。
23.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中，所述宽带辐射包括波长在400nm至2400nm范围内的辐射。
24.根据条项23所述的组件，其中，所述宽带辐射包括波长在500nm至900nm范围内的辐射。
25.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中耦合到所述透镜的所述宽带辐射包括在50W和500W之间的峰值功率。
26.根据前述条项中的任一项所述的组件，其中，所述宽带辐射包括脉冲辐射。
27.一种用于将宽带辐射耦合到光纤的组件，所述组件包括：
第一透镜，用于准直所述宽带辐射；
第二消色差双合透镜，用于将所述经准直的宽带辐射耦合到光纤；
其中，所述第一透镜具有在所述宽带辐射中引起色散的第一色散性质；并且
其中，所述第二透镜具有与所述第一透镜的色散性质耦合的第二色散性质，并且所述第二色散性质被配置为校正由第一透镜引起的色散的至少一部分。
28.根据条项27所述的组件，其中，所述第一透镜是单透镜。
29.根据条项28所述的组件，其中，所述单透镜具有球形形状。
30.根据条项27-29中的任一项所述的组件，其中，所述第一透镜被设计为优化在500nm至900nm范围内的辐射的色散性质。
31.一种辐射源，包括根据条项1-30中的任一项所述的组件、用于向所述组件提供辐射的宽带辐射源以及用于收集和输出辐射的光纤。
32.一种准直宽带辐射的方法，包括：
提供凸折射单透镜，所述凸折射单透镜具有用于将宽带辐射耦合到透镜的第一球形表面和用于将经准直的宽带辐射耦合出透镜的第二球形表面，其中第一球形表面和第二球形表面具有共同中心；
将凸折射单透镜安装在运动安装部中；并且
将来自源的宽带辐射引导到凸折射单透镜的第一球形表面。
33.一种量测设备，包括根据条项1-30中的任一项所述的组件。
34.一种检查设备，包括根据条项1-30中的任一项所述的组件。
35.一种光刻设备，包括根据条项1-30中的任一项所述的组件。
36.一种凸折射单透镜，被配置为用于根据条项中的任一项所述的组件，并且具有用于将宽带辐射耦合到透镜的第一球形表面和用于将经准直的宽带辐射耦合出透镜的第二球形表面，其中第一球形表面和第二球形表面具有共同中心，并且其中折射单透镜包括阿贝数高于80的低色散材料。
尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用。其他可能应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其他设备中使用。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)的物体的任何设备的一部分。这些设备通常可以称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
尽管上面可能已经在光学光刻的上下文中具体参考了本发明的实施例的使用，但是应当理解，本发明不限于光学光刻，并且在上下文允许的情况下，本发明可以在例如压印光刻的其他应用中使用。
尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将很清楚的是，可以在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下，对所描述的本发明进行修改。
尽管具体参考了“量测设备/工具/系统”或“检查设备/工具/系统”，但这些术语可以指相同或相似类型的工具、设备或系统。例如，包括本发明实施例的检查或量测设备可用于确定衬底或晶片上的结构性质。例如，包括本发明实施例的检查或量测设备可用于检测衬底的缺陷或者衬底或晶片上的结构缺陷。在这种实施例中，衬底上结构的感兴趣性质可与结构中的缺陷、结构特定部分的缺失、或者衬底或晶片上存在不期望结构有关。

Claims (15)

1.一种用于准直宽带辐射的组件，所述组件包括：
凸折射单透镜，具有用于将所述宽带辐射耦合到所述透镜的第一球形表面和用于将宽带辐射耦合出所述透镜的第二球形表面，其中所述第一球形表面和所述第二球形表面具有共同中心；以及
稳定的机械安装部，用于在多个接触点处保持所述凸折射单透镜，所述多个接触点的形心与所述共同中心重合。
2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述凸折射单透镜包括低色散材料。
3.根据权利要求2所述的组件，其中，所述低色散材料具有大于80的阿贝数。
4.根据权利要求1所述的组件，其中，所述稳定的机械安装部是运动安装部。
5.根据权利要求4所述的组件，其中，所述运动安装部在多个接触点处接触所述单透镜，并且其中，所述单透镜被定位于所述运动安装部的内部，使得所述运动安装部的接触点的形心与第一球形透镜表面和第二球形透镜表面的中心重合。
6.根据权利要求5所述的组件，其中，所述运动安装部在三个位置处与所述单透镜接触。
7.根据权利要求1所述的组件，其中，所述稳定机械安装部在所述单透镜的中纬线平面中接触所述单透镜。
8.根据权利要求1所述的组件，进一步包括用于将经准直的宽带辐射耦合到光纤的耦合折射透镜。
9.根据权利要求8所述的组件，其中，所述耦合折射透镜是消色差双合透镜。
10.根据权利要求9所述的组件，其中，所述消色差双合透镜具有用于将所述宽带辐射耦合到所述透镜的前透镜元件和用于将所述宽带辐射耦合出所述透镜的后透镜元件。
11.根据权利要求10所述的组件，其中，所述消色差双合透镜的前透镜元件和后透镜元件通过粘合剂彼此附接。
12.根据权利要求1所述的组件，其中，所述宽带辐射包括波长在400nm至2400nm范围内的辐射。
13.一种辐射源，包括根据权利要求1所述的组件，并且进一步包括用于向所述组件提供辐射的宽带辐射源，以及用于收集和输出宽带辐射的光纤。
14.一种凸折射单透镜，用于在根据权利要求1所述的组件中使用，所述凸折射单透镜具有用于将宽带辐射耦合到所述透镜的第一球形表面和用于将宽带辐射耦合出所述透镜的第二球形表面，其中所述第一球形表面和所述第二球形表面具有共同中心，并且其中所述透镜包括阿贝数高于80的低色散折射材料。
15.根据权利要求8所述的组件，其中，所述凸折射单透镜具有第一色散性质，并且其中，所述耦合折射透镜被配置为具有第二色散性质，所述第二色散性质至少部分地校正所述第一色散性质。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4251977A1 (en) * 2020-11-24 2023-10-04 Applied Materials, Inc. Illumination system for ar metrology tool

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1081521A2 (en) * 1999-08-31 2001-03-07 Nikon Corporation Kinematic lens mounting
CN1497280A (zh) * 2002-10-01 2004-05-19 ��˹���´﹫˾ 用在透射和反射光纤部件中的对称、双非球面透镜
JP2012103351A (ja) * 2010-11-08 2012-05-31 National Institute Of Information & Communication Technology レーザ光結像用の色消しレンズ

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1269244A2 (en) 2000-04-03 2003-01-02 Pocketscope.com LLC Lenses and uses, including microscopes
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6886404B2 (en) * 2003-02-05 2005-05-03 Fibersonde Corporation Fiber optic accelerometer
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7481579B2 (en) 2006-03-27 2009-01-27 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Overlay metrology using X-rays
JP5522520B2 (ja) * 2006-05-05 2014-06-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学レンズ系
US7791724B2 (en) 2006-06-13 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Characterization of transmission losses in an optical system
US7701577B2 (en) 2007-02-21 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
SG152187A1 (en) 2007-10-25 2009-05-29 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL1036123A1 (nl) 2007-11-13 2009-05-14 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036684A1 (nl) 2008-03-20 2009-09-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036685A1 (nl) 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036734A1 (nl) 2008-04-09 2009-10-12 Asml Netherlands Bv A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
AU2009246637B2 (en) 2008-05-12 2012-04-12 Arizona Board Of Regents On Behalf Of University Of Arizona Solar concentrator apparatus with large, multiple, co-axial dish reflectors
EP2304504B1 (en) 2008-06-26 2019-07-03 ASML Netherlands B.V. Overlay measurement apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus
BRPI0918403A2 (pt) * 2008-08-20 2015-11-24 Foro Energy Inc método e sistema para avanco de um furo de poço com o uso de um laser de alta potência
WO2010040696A1 (en) 2008-10-06 2010-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic focus and dose measurement using a 2-d target
US8564768B2 (en) * 2009-04-17 2013-10-22 Schlumberger Technology Corporation High pressure and high temperature optical spectroscopy cell using spherical surfaced lenses in direct contact with a fluid pathway
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
NL2006229A (en) 2010-03-18 2011-09-20 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and associated computer readable product.
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
US10801975B2 (en) 2012-05-08 2020-10-13 Kla-Tencor Corporation Metrology tool with combined X-ray and optical scatterometers
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
US10013518B2 (en) 2012-07-10 2018-07-03 Kla-Tencor Corporation Model building and analysis engine for combined X-ray and optical metrology
SG11201704036UA (en) 2014-11-26 2017-06-29 Asml Netherlands Bv Metrology method, computer product and system
CN107430352B (zh) 2015-03-25 2020-01-21 Asml荷兰有限公司 量测方法、量测设备和器件制造方法
IL256196B (en) 2015-06-17 2022-07-01 Asml Netherlands Bv Prescription selection based on inter-prescription composition
KR102190305B1 (ko) 2015-12-23 2020-12-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법, 메트롤로지 장치 및 디바이스 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1081521A2 (en) * 1999-08-31 2001-03-07 Nikon Corporation Kinematic lens mounting
CN1497280A (zh) * 2002-10-01 2004-05-19 ��˹���´﹫˾ 用在透射和反射光纤部件中的对称、双非球面透镜
JP2012103351A (ja) * 2010-11-08 2012-05-31 National Institute Of Information & Communication Technology レーザ光結像用の色消しレンズ

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