TWI452616B - 洗淨構件、基板洗淨裝置及基板處理裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於使用於洗淨基板之洗淨構件，且詳言之，係關於適合使用具有由該洗淨構件所排放之污染物減量之洗淨構件，以避免欲洗淨之基板之反向污染及以穩定的方式提供對於基板之高度洗淨能力，並且亦係關於具備有該相同的洗淨構件之基板洗淨裝置及基板處理裝置。
由於在移除污染物之較高效能及在操作上之簡易性，一種方法已經普遍而有利地施行於實際的洗淨程序上，其中欲洗淨之基板表面與洗淨構件產生接觸同時供給洗淨液於該表面上，使得在欲洗淨之基板表面上之污染物可以藉由使用在該基板及洗淨構件間之相對運動而移除。使用於這種方法之洗淨構件時常採用形成圓筒狀或圓盤狀架構之吸水性聚合物的單一材料。再者，由於該聚合材料常為具有孔隙尺寸在數微米(μ m)至300微米之範圍內之多孔(porous)材料，該聚合材料在其成型期間極易於含有微粒。若預先提供防範，雖然充分的洗淨有助於減少包含於該聚合材料內之微粒數量，該微粒仍無法完全地移除，並且當使用較大體積的洗淨構件時，欲移除所含有的微粒當然似乎更加地困難。
當藉由聚合材料所成之此類洗淨構件而實現之洗淨構件使用於洗淨該基板時，因為該聚合材料固有的高度吸水性質，伴隨該洗淨液之污染物可能進入該洗淨構件。雖然該洗淨構件可以一次捕捉於該孔隙內之污染物的微粒，但該洗淨構件可能允許該微粒由該洗淨構件排放出來，導致引入該基板上方之反向污染。當洗淨塗覆具有銅及類似材料所組成之金屬薄膜的基板時，通常所使用之洗淨構件會被銅污染，而在執行於數片基板上之該洗淨程序結束時，達到容易由肉眼識別的程度。因此，在目前的情況下，使用該洗淨構件洗淨基板的同時，因該洗淨構件之吸水性質的特質而讓污染物無法避免地擴散開來。
〔專利文獻1〕日本專利早期公開公告第H05－317783號〔專利文獻2〕日本專利公告第2875213號
為了解決上文所描述的問題，用於該洗淨構件之自我洗淨方法亦已經提出，其中該洗淨液可以噴灑於該洗淨構件之上方或該洗淨構件可以在配備有超音波轉換器之系統中的超音波之照射下於液體浴內作洗淨，如同於上文專利文獻1所揭露，但是在實際的實施上，已經發現欲保持該洗淨構件總是位於乾淨的滿意水準是困難的，因為該污染物已經時常散佈於該洗淨構件內。在處理那些問題之其中一種方法中，該方法已經使用經由化學溶液之zeta(ζ)電位控制，諸如表面活化劑(surfactant)，及/或施加氣體溶解溶液以減少關於排放的污染物反向地黏附於欲洗淨之基板的可能性。然而，當該洗淨構件為連續地使用時，確實無法避免該污染物可能逐漸地散佈深入該洗淨構件。此外，使用於該基板內之任何特定類型的薄膜可能限制欲使用之洗淨液的類型，並且在上文所描述之如此的環境中，針對該問題的確需要基本的解決方案。
考量到上文的觀點，本發明已經能解決，並且本發明之目的在於提供洗淨構件、基板洗淨裝置及基板處理裝置，該洗淨構件、基板洗淨裝置及基板處理裝置適合與由該洗淨構件所排放之減量的污染物共同使用，以避免在欲洗淨之基板中之反向污染，以及對於該基板以穩定的方式保持高度的洗淨能力。
為達到以上目的，申請專利範圍第1項所定義之發明係提供一種基板洗淨裝置之洗淨構件，藉由使用在該基板之表面及與該基板之表面形成接觸之該洗淨構件之間的相對運動以洗淨待洗淨之該基板表面，同時供給洗淨液於該基板之表面上，該洗淨構件包括防水心部，其中該心部之表面為被覆具備多孔隙之聚合材料以定義被覆層。
申請專利範圍第2項所定義之發明提供依據申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，該多孔隙聚合材料是由聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，P VA )聚合物、丙烯酸(acrylic acid)聚合物、其它加成聚合物、丙烯醯胺(acryl amide)聚合物、聚氧伸乙基(polyoxyethylene)聚合物、聚醚(polyether)聚合物、縮合(condensation)聚合物、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone)、聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonic acid)、胺基甲酸酯樹脂(urethane resins)及聚胺基甲酸酯樹脂(polyurethane resins)所組成群組中選擇之任一種聚合材料所成。
申請專利範圍第3項所定義之發明提供依據申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，多孔隙聚合材料之被覆層之厚度是在5微米(μ m)至15毫米(mm)之範圍內。
申請專利範圍第4項所定義之發明提供依據申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，該心部由：彈性蜂窩狀塑膠發泡體(flexible cellular plastic foams)；包含氟橡膠(fluoro rubber)、矽橡膠(silicon rubber)、磷腈橡膠(PHOSPHAZENE rubber)及胺基甲酸酯橡膠(urethane rubber)之軟性橡膠；及環氧樹脂所組成群組中選擇之任一種防水材料所組成。
申請專利範圍第5項所定義之發明提供依據申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，該多孔隙聚合材料之被覆層之硬度於潮溼的條件下為等於或較低於100。應要注意的是，在此所使用之硬度計為硬度測定器(durometer)，由Teclock所製作之型號GS－743G。
申請專利範圍第6項所定義之發明提供依據申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，由防水材料所成之防水層為形成在該多孔隙聚合材料之被覆層之間或在該被覆層及該心部之間。
申請專利範圍第7項所定義之發明提供基板洗淨裝置，該基板洗淨裝置為藉由利用在該基板之表面及與該基板之表面形成接觸之洗淨構件之間的相對運動以洗淨待洗淨之該基板表面，同時供給洗淨液於該基板之表面上，該基板洗淨裝置採用依據申請專利範圍第1至6項中任一項之洗淨裝置之洗淨構件以實現該基板洗淨裝置之洗淨構件。
申請專利範圍第8項所定義之發明提供依據申請專利範圍第7項之基板洗淨裝置，包括硬度計、薄膜硬度計或用於監測該多孔隙聚合材料之被覆層是否存在於該洗淨構件內之電荷耦合元件(charge coupled device，CCD)。
申請專利範圍第9項所定義之發明提供依據申請專利範圍第8項之基板洗淨裝置，復包括用以在該洗淨構件上所監測到之孔隙分佈或硬度已由該多孔隙聚合材料之被覆層之條件轉移至該心部之條件時輸出更換訊號之手段。
申請專利範圍第10項所定義之發明提供一種基板處理裝置，包括：用以在基板上執行之預定的處理程序之基板處理部；及用於洗淨已經在該基板處理部內完成預定的處理程序之基板之基板洗淨部，該基板處理裝置係採用依據申請專利範圍第7至9項中任一項之基板洗淨裝置，以實現該基板處理裝置之基板洗淨部。
依據申請專利範圍第1及2項所定義之發明，由於該洗淨構件設置有包括該多孔隙聚合材料於該防水心部之表面上之被覆層，藉以形成高度彈性的吸水多孔隙聚合材料之被覆層於待與該基板形成直接接觸之該洗淨構件之區域，本發明可以實現適於防止任何污染物進入該內部或該洗淨構件之心部的洗淨構件，並且因此減少反向污染產生於該基板內之可能性，同時極佳的洗淨能力仍然可以維持。
依據申請專利範圍第3項所定義之發明，由於該多孔隙聚合材料之被覆層之厚度設定在5微米至15毫米之範圍內，該多孔隙聚合材料之被覆層可以製成較薄，意即，能夠累積污染物的部分之體積可以減少，該累積污染物的減少有助於減少於該基板內產生反向污染之可能性。
依據申請專利範圍第4項所定義之發明，由於該心部是由：彈性蜂窩狀塑膠發泡體；包含氟橡膠、矽橡膠、磷腈橡膠及胺基甲酸酯橡膠之軟性橡膠；及環氧樹脂所組成群組中選擇之任一種防水材料所組成，並且因此，該心部具有防水性質及彈性，該洗淨構件可以受到保護而避免可能以其他方式進入該心部內部之污染物，藉以減少污染物的累積量及因此於該基板內產生反向污染之可能性，同時儘管該多孔隙聚合材料的被覆層較薄，整體而言，彈性以及用於移除該洗淨構件之污染物之能力可以維持。
依據申請專利範圍第5項所定義之發明，由於該多孔隙聚合材料之被覆層之硬度於潮濕條件下是界定為等於或小於100(如藉由使用硬度測定器所量測，如同該硬度計由Teclock所製作之型號GS－743G)，該彈性性質可以保持於直接與該基板產生接觸之多孔隙聚合材料所成之被覆層內，以便對於該基板不會造成損傷。在這方面，在該被覆層內高於100之硬度可能造成該基板的受損。
依據申請專利範圍第6項所定義之發明，由於防水材料所成之防水層係形成在該多孔隙聚合材料之被覆層之間或在該被覆層與該心部之間，本發明容許界定在相對於該層防水材料之外側之被覆層之厚度可以製作得更薄而不需要擔憂任何含有污染物的液體或污染物可能進入(滲透)至相對於該層防水材料之內部區域，藉以減少含有污染物的液體或污染物之體積累積於該洗淨構件內，並且因此減少於該基板內產生反向污染之可能性，同時，該被覆層之總厚度可以製作得夠厚，以確保該洗淨構件整體之彈性。此外，由於不需要考量選用於形成該心部的材料之防水性質，對於選擇該材料將提供更廣泛範圍的可能性，因為也可以選擇非有益於該心部之具有優異的性質之材料。
依據申請專利範圍第7項所定義之發明，由於該基板洗淨裝置之洗淨構件採用依據申請專利範圍第1至6項中任一項之基板洗淨構件，本發明變成可以提供此類能夠減少由於該洗淨構件發生於該基板內而產生反向污染之可能性且可以長時間顯現該洗淨能力之基板洗淨裝置。
依據申請專利範圍第8項中所定義之發明，由於該基板洗淨裝置為提供具有硬度計、薄膜硬度計或用於監測該多孔隙聚合材料之被覆層是否存在於該洗淨構件內之電荷耦合元件，本發明變成可以提供此類允許在任何時候觀察該洗淨構件之被覆層的狀況之基板洗淨裝置，該狀況包含該被覆層之存在或缺乏及在該被覆層內之受損的情況，因此能夠快速地預測何時該洗淨構件應該更換。
依據申請專利範圍第9項所定義之發明，該基板洗淨裝置復提供當在該洗淨構件上所監測到之孔隙分佈及/或硬度由該多孔隙聚合材料之被覆層之孔隙分佈及/或硬度轉移至該心部之孔隙分佈及/或硬度時，用於輸出更換訊號之手段，本發明變成可以提供此類允許知道何時該洗淨構件應該更換之確切時間的基板洗淨裝置。
依據申請專利範圍第9項中所定義之發明，由於該基板處理裝置之基板洗淨部採用依據申請專利範圍第7至9項中任一項之基板洗淨裝置，本發明變得可以提供此類基板處理裝置，該基板處理裝置允許於該基板處理部內已經完成預定的處理之程序的基板在任何時間以較高潔淨度之水準而洗淨，而不需要任何擔憂產生於該基板內之反向污染。
現在參考附圖描述本發明之較佳實施例。第1及2圖分別為揭示使用依據本發明之洗淨構件之基板洗淨裝置之第一及第二實施例之不同例示性組構之示意圖，其中第1圖揭示使用筆型(pen－type)洗淨構件之基板洗淨裝置之組構及第2圖揭示使用滾軸型(roll－type)洗淨構件之基板洗淨裝置之組構。
揭示於第1圖中之該基板洗淨裝置包括適於藉由複數個(在圖中為四個)結合銷(engaging pin)11於在基板周圍保持基板W及旋轉該基板W連同該結合銷11之基板保持及旋轉機構10，其中連續旋轉同時藉由洗淨構件保持及旋轉機構12所保持之圓形盤狀(disk－shaped)洗淨構件13係與該旋轉的基板W產生接觸。在這種基板洗淨裝置中，該基板之上表面可藉助該基板W及該洗淨構件13間之相對運動而獲得洗淨，同時洗淨液係由洗淨液供給噴嘴(nozzle)14供給至該旋轉基板W之表面。應該注意的是，該洗淨構件保持及旋轉機構12為藉由擺臂(swing arm)15而可旋轉地支撐，並且該洗淨構件13同時適於旋轉於其中心軸，且以擺動方式在該基板W之上表面沿著左右方向而移動。
揭示於第2圖中之基板洗淨裝置包括基板保持及旋轉機構20，該基板保持及旋轉機構20具有複數個(在圖中為六個)旋轉軸(spindle)21適於藉由位在用以旋轉該基板W之旋轉軸21上方的旋轉滾輪22夾住基板W的圓周，其中一對圓筒狀洗淨構件23為分別與該旋轉的基板W之上面及背面形成接觸。在這種基板洗淨裝置中，該基板W之上面及背面可以借助該基板W及藉由洗淨構件旋轉驅動機構(未揭示)所旋轉之該洗淨構件23間的相對運動而獲得洗淨，同時洗淨液可以由洗淨液供給噴嘴24供給至該旋轉基板W之上面及背面(用於該背面之洗淨液供給噴嘴之說明從略)。
第3至5圖分別為上文所述之圓盤狀洗淨構件(筆型洗淨構件)13之實施例之例示性結構之說明。具有揭示於第3圖之結構之洗淨構件13包括圓盤狀(或圓筒狀)心部(core portion)13a及由多孔隙聚合材料所成之被覆層(coating layer)13b，該多孔隙聚合材料為一體形成於該心部13a之下端面。應該注意的是，第3圖(a)揭示該洗淨構件13於這種結構之外觀圖，而第3圖(b)係揭示這種結構之該洗淨構件13之剖面側視圖。具有揭示於第4圖之結構之洗淨構件13包括圓盤狀(或圓筒狀)心部13a及由多孔隙聚合材料所成之被覆層13b，該多孔隙聚合材料為一體形成於該心部l3a以定義下端面及圍繞該心部13a之周壁(circumferential wall)。應該注意的是，第4圖(a)揭示該洗淨構件13於這種結構之外觀圖，而第4圖(b)揭示該洗淨構件13於這種結構之剖面側視圖。具有揭示於第5圖之結構之洗淨構件13包括接近半球形(semi－spherical)的心部13a及由多孔隙聚合材料所成之被覆層13b，該多孔隙聚合材料為一體形成於該心部13a以定義覆蓋心部13a之外壁(exterior wall)。應該注意的是，第5圖(a)係揭示該洗淨構件13於這種結構之外觀圖，而第5圖(b)則揭示該洗淨構件13於這種結構之剖面側視圖。
第6至7圖分別為如上所述之滾筒型洗淨構件23之例示性結構之說明。具有揭示於第6圖中之結構之洗淨構件23包括圓筒狀心部23a及由多孔隙聚合材料所成之被覆層23b，該多孔隙聚合材料為一體形成於該心部23a之周面上。具有揭示於第7圖中之結構之洗淨構件23包括：圓筒型心部23a、由在該心部23a之周面上之多孔隙聚合材料所成被覆層23b－1、由在該被覆層23b－1之周面上之防水(water proof)材料所成之防水層23c及由在該防水層23c之周面上之多孔隙聚合材料所成之另一個被覆層23b－2。尤其，揭示於第7圖中之該洗淨構件已經採用包含介設在該被覆層23b－1及23b－2之間之防水材料所成的防水層23c，該被覆層23b－1及23b－2兩者由多孔隙聚合材料所成及界定在相對於該心部23a之周圍層。該防水層23c及該被覆層23b－1及23b－2可以一體形成。在第6及7圖中，元件符號27表示穿設軸桿(shaft)(旋轉軸構件)用之穿孔。
由於在該基板W及該洗淨構件13或23之間之摩擦力可能磨損該洗淨構件13或23之上表面之被覆層13b或23b，因此而降低洗淨效能，當在該上表面之被覆層13b或23b之質量已經摩損大約10微米(μ m)時，可能需要以新的洗淨構件替換該洗淨構件13或23。對於具有直徑大約300毫米(mm)之圓筒狀洗淨構件23，對應於10微米之該上層質量實質上等於該洗淨構件23之全部體積的0.2%。該洗淨構件13或23之上表面層之外的體積將無法直接有利於該污染物之去除。
另一方面，由多孔隙聚合材料所成之被覆層13b或23b之體積越大，該被覆層13b或23b以保持該污染物之能力越高。該洗淨構件13或23僅需為彈性的，但是並不一定要整個製成吸水多孔隙材料。在這種觀點下，如同上文述，藉由有利地採用具有高度彈性之吸水多孔隙聚合材料，以形成與該基板W產生直接接觸之該被覆層13b或23b，以及藉由有利地採用具有該防水性質之彈性材料以形成該心部13a或23a，故依據本發明之洗淨構件13或23，一方面意要在保存該彈性及藉由該整體洗淨構件所達成之該污染物移除能力，另一方面意要在阻止該污染物進入該洗淨構件13或23內，並且因此減少該基板內之反向污染的程度。雖然該較薄的被覆層13b或23b可以提供允許該污染物累積之較少體積，但該上層之厚度應該在10微米至15毫米之範圍內。如同由該彈性度之解法所推論而得，該彈性度可以藉由包含足量的孔隙及藉由考量施加至該基板上之壓力範圍所補足。
使用於形成該心部13a或23a之材料可以是選自於由彈性蜂窩狀發泡塑膠；包含氟橡膠、矽橡膠、磷腈橡膠及氨基甲酸酯橡膠之軟性橡膠；及環氧樹脂所組成之群組中任何其中一種。由於具有防水性及彈性等類型的材料，可以有助於阻擋污染物進入該心部13a或23a內部，並且仍然有助於保持於洗淨構件13或23之整體單元內之彈性度。
使用於形成該被覆層13b或23b之材料可以使用採用選自於由聚乙烯醇(PVA)聚合物、丙烯酸聚合物、其它添加聚合物、丙烯醯胺聚合物、聚氧乙烯聚合物、聚醚聚合物、縮合聚合物、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸、胺基甲酸乙酯樹脂及聚胺基甲酸乙酯樹脂所組成的群組中任何其中一種聚合材料。由於這些類型的材料具有彈性及吸水性質，故較不易於損傷該基板W，並且，相反地，具有較高的能力以移除污染物。
由具有防水性質以及彈性之其中一個上文列出的材料所成的心部13a或23a可以具有從該上文列出的材料所選擇之其中一種製成的被覆層13b或23b，並藉由使用熱沉積、使用黏著接合、壓力接合、熱壓縮及噴灑被覆之任何其中一個於該心部13a或23a之上方。
在採用該結構之洗淨構件23中，如第7圖所揭示，由具有防水性質之材料所成之心部23a之周面係使用具有彈性及高度吸水性之多孔隙聚合材料所成之被覆層23b－1所覆蓋，該被覆層23b－1之周面接著使用具有防水性質之材料所成之防水層23c予以覆蓋，並且，該防水層23c之周面再使用由該多孔隙聚合材料所成之被覆層23b－2所覆蓋，該防水層23c有助於避免任何含有污染物的液體及/或污染物粒子進入覆蓋該心部23a之周面的被覆層23b－1內及避免該污染物由該心部23a及該被覆層23b－1釋放出來而進入該被覆層23b－2或進入與該基板W形成直接接觸之表面區域內。由於接觸基板之部分(最外層的表面)及/或用於該洗淨構件之安裝部分(包含與固定件(fixture)形成接觸之心部的接觸區域，諸如穿過該心部之軸桿，用於固定該洗淨構件23)是由類似於先前技藝之材料的多孔隙材料所成，洗淨裝置之使用者可依據本發明輕易地更換由使用該洗淨構件之多孔隙材料所成之既存洗淨構件而不需要施加任何特殊的動作，並且依據本發明，使用該洗淨構件之洗淨液、功能及操作之相容性為實質上相同於先前技藝之洗淨構件之洗淨液、功能及操作。對於該固定件之污染可以藉由該防水層23c而阻擋，並且實際上將不會影響該基板W。
應要瞭解的是，雖然在如第7圖所示之結構中，該防水層23c為結構在該被覆層23b－1及該被覆層23b－2之間，該被覆層23b－1及該被覆層23b－2是由多孔隙聚合材料所成，並且為相對於該心部23a以圍繞狀結構，或者，如第8圖所示，該防水層23c可以結構在該心部23a及由該多孔隙聚合材料所成之被覆層23b之間，該防水層23c仍然可以提供實質上相同於藉由如第7圖所示之洗淨構件23所提供之操作效能。施加防水處理於內部配置有防水層23c之洗淨構件23之兩端，如第7及8圖所示，可以消除該心部23a應該由任何防水材料所成或該心部23a之防水性質應該列入考量之需求，藉以容許選擇特別適合該心部23a之效能的材料，並且因此給予適合製作該心部23a之材料較廣泛的選擇範圍。
第9圖概念性地圖示關於部分洗淨構件13或23之污染物粒子的進入及排放。在該圖示中，黑點(black spot)1表示污染物之進入粒子及白點(white spot)2表示污染物之初始剩餘粒子，並且元件符號3表示孔隙。對於如同先前技藝之全部由具有吸水性質及彈性之多孔隙聚合材料所成之洗淨構件，大量含有污染物的液體及/或進入的污染物1之粒子較有可能深入吸收附於由具有吸水性質及彈性之多孔隙聚合材料所成之洗淨構件13或23之內，並且對於該初始剩餘的污染物2之粒子亦較可能地由該洗淨構件之內部排放出來，如第9圖(a)所示。對於包括由覆蓋該心部13之外部表面之多孔隙聚合材料所成之被覆層13b之洗淨構件，如第3至5圖所示，可以觀察到較少量的污染物1之進入粒子，因為含有污染物的液體及/或污染物1之粒子係僅帶入該被覆層23b之內(藉由在該圖示中之23b所示之區域)，如第9圖(b)所示。此外，由於該初始剩餘污染物2之粒子數量亦較少的，待排放之粒子之數量因此較少。
對於包括由具有該吸水性質及彈性而覆蓋由防水材料所成之心部23a之周面之多孔隙聚合材料所成之覆蓋層23b之洗淨構件，如第6圖所示，可以觀察到較少量污染物1之進入粒子，因為該含有污染物的液體及/或污染物1之粒子係僅帶入該被覆層23b之內，如第9圖(b)所示。此外，由於該初始剩餘污染物2之粒子數量亦較少，故待排放之粒子數量因此較少。再者，對於包括在由具有吸水性質及彈性之多孔隙聚合材料所成之被覆層23b－1及23b－2之間所介設之防水層23c的洗淨構件，如第7圖所示，可以觀察到較少量污染物1之進入粒子，因為該含有污染物的液體及/或污染物1之粒子係僅帶入圍設在該防水層23c外層的被覆層23b－2之內，如第9圖(c)所示。此外，由於該污染物2之初始剩餘粒子之數量亦較少，待排放之粒子的數量因此較少。
第10圖揭示包括複數個突出部形成於該洗淨構件之周面之該滾筒型洗淨構件中之污染情況，其中第10圖(a)表示包含有周面之突出部23d及滾筒本體23e之洗淨構件23，該突出部23d及滾輪本體23e為全部由具有吸水性質及彈性之多孔隙聚合材料所成，並且第10圖(b)表示包含有突出部23d及滾輪本體23e之洗淨構件23，該突出部23d及該滾輪本體23e是由具有防水性質之材料所成，此外，該被覆層26分別覆蓋該突出部23d及該滾輪本體23e之外部表面，該被覆層26由具有吸水性質及該彈性之多孔隙聚合材料所成。在前述的實施例中，該複數個突出部是以在周圍間隔關係而結構於該滾輪本體之外部表面上，並且係與該滾輪本體一體成形。每一個該突出部可以沿著該滾輪本體之主軸而延伸於其整個長度或可以在該滾輪本體之長度上分隔成為複數個部。
當上文所定義之每一種類型的組構之洗淨構件23與該基板W形成接觸並且依照如同由該箭頭“a”所示方向而旋轉，同時供給洗淨液25於該基板W之上方表面時，尤其在如第10圖(a)所示之由具有吸水性質及彈性之多孔隙聚合材料所成之整個洗淨構件23中，污染的洗淨液及/或該污染物之粒子係穿過該突出部23d而被吸附進入該滾輪本體23e，如箭頭B所示，造成該污染洗淨液之大量累積及/或該污染物之粒子進入該洗淨構件23之內部。因此，由該洗淨構件23所排放之該污染液體之量及/或該污染物之粒子很大量，意即，該基板W受到反向污染之可能性較高。相反地，尤其在包括分別僅定義該突出部23d及該滾輪本體23e的外部表面且由具有吸水性質及彈性之多孔隙聚合材料所成之被覆層26之洗淨構件23中，該污染的洗淨液及/或該污染物之粒子將只有累積在該薄的被覆層26之內，但是該洗淨液及/或該污染物之粒子將不會穿透兩者皆由具有防水性質之材料所成之該突出部23d或該滾輪本體23e，造成該污染的洗淨液及/或該污染之粒子之極少量的累積，因此，由該洗淨構件23所排放之該污染的液體及/或該污染物之粒子之量將極為少量，意即，減少對於該基板W反向污染之可能性。
因此，藉由提供該架構之基板處理裝置使得待處理的基板W之表面可以透過在該基板W之表面及如第3、4、5、6、7、8及10圖(b)所揭示之組構洗淨構件之間之相對運動而加工，並且與該基板形成接觸，同時處理液體為供給至該基板W之表面上，此外，利用使該基板W與該洗淨構件13或23之多孔隙聚合材料之被覆層形成接觸以便造在該基板W與該洗淨構件13或23之多孔隙聚合材料之被覆層之間之摩擦，藉由提供具有可操作機構以移除該污染物之如此架構的基板處理裝置，本發明可以維持該洗淨構件13或23總是處於乾淨的情況而不會具有或者具有極為少量的污染物。
再者，若第1圖所示之該洗淨裝置之洗淨構件13使用設有如第3至5圖所示之組構之任何其中一種的洗淨構件並且該洗淨裝置更設置具有微型尺寸的硬度計(hardness meter)、薄膜硬度計或用於監測是否該多孔隙聚合材料之被覆層13b是存在於該洗淨構件13內之電荷耦合元件(CCD)時，對於使用者，本發明將變成可以瞭解該洗淨構件13內之被覆層13b之狀況及在適當的更換時機替換該洗淨構件13為新的構件。同樣地，揭示於第2圖之該洗淨裝置之洗淨構件23使用設有如第6、7、8及10圖(b)所示之組構之任何其中一種的洗淨構件並且該洗淨裝置更設置具有微型尺寸的硬度計、薄膜硬度計或用於監測是否該多孔隙聚合材料之被覆層23b、26是存在於該洗淨構件23內之電荷耦合元件時，對於使用者，本發明將變成可以瞭解於該洗淨構件23內之被覆層23b、26之條件及在適當的更換時機替換該洗淨構件23為新的構件。
再者，若任何一種如上所述之組構之該基板處理裝置或該基板洗淨裝置得以在偵測到該孔隙分佈或監測到該洗淨構件13、23上之硬度已經由被覆層偏移至該心部時，輸出置換訊號，本發明將變得能夠讓使用者知道用於替換該洗淨構件成為新的構件之適當時機。
第11圖為揭示負責用於偵測在該洗淨構件13中具有如同揭示於第4圖中之結構之該被覆層13b之情況之用於洗淨構件洗淨機構的例示性結構之示意圖，同時於該洗淨構件13上執行該洗淨程序。這種結構之該洗淨構件洗淨機構為結構在於該基板洗淨裝置內之該基板W之外部的預定的區域(附近的位置)內，如同在第1圖中所揭示。該洗淨構件洗淨機構30包括包含結構在該洗淨浴(cleaning bath)31內部之底部中之觀測壁面(observation wall)32的洗淨浴31。該觀測壁面32是由透明的材料(例如石英(crystal))所成及包含配置於該觀測壁面32之中央部之電荷耦合元件33，並且在操作上，來自該電荷耦合元件33之輸出訊號是藉由影像處理裝置34所接收，其中該訊號經由處理及轉換成為影像處理訊號，該訊號接著輸出至控制器35。
再者，液體性質感測器36為結構在該洗淨浴31之內而用於量測在洗淨液“Q”內之粒子的數量及/或洗淨液“Q”之組成濃度，並且來自該液體性質感測器36之輸出訊號亦搭配輸出至該控制器35。在收到來自該影像處理裝置34之影像處理訊號及來自該液體性質感測器36之輸出訊號後，該控制器35經由搭配以產生例如洗淨液置換訊號“S1”或洗淨構件置換訊號“S2”並且輸出該產生的訊號至控制面板(未揭示)。
該洗淨浴31含有已經由洗淨液供給管路37所供給之該洗淨液Q及藉由第1圖之擺盪臂而旋轉地傳送與藉由該洗淨構件保持及旋轉機構12所維持之該洗淨構件13，該洗淨構件保持及旋轉機構12由上方浸入該洗淨液Q之內並且壓向該觀測壁面32之上方表面，其中該洗淨構件13為旋轉於依據該箭頭A所指示之方向上以便洗淨。由於該被覆層13b是薄的，一旦吸附至該被覆層13b內之粒子可以於該洗淨程序中有效地排放。在該洗淨構件13之這種洗淨程序中，超音波是由超音波產生器38所釋放以激發該洗淨液Q用於增強該洗淨操作。於該洗淨液Q中之粒子數量、該洗淨液Q之組成濃度及類似的物理量為藉由液體性質感測器36所量測及觀察，以便當揭示偵測到必須更換該洗淨液Q之條件時，排放閥(drain valve)39將打開以排放於該洗淨浴31內之洗淨液，同時在該排放之後大量該洗淨液Q為透過該洗淨液供給管路37而新導入該洗淨浴31內。
該電荷耦合元件33透過該透明觀測壁面32觀察該洗淨構件13之被覆層13b之情況，並且來自該電荷耦合元件33之輸出訊號為輸出至該影像處理裝置34，如同上文之描述，其中該輸出訊號經由該影像處理運算而轉換成為該影像處理訊號，該影像處理訊號接著傳至控制器35之內。該控制器35能夠分析該影像處理訊號以便辨識於該洗淨構件13中由多孔隙聚合材料所成之該被覆層13b之情況，並且因此在適當的置換時機，該控制器35可以輸出洗淨構件置換訊號S2至該控制面板。這種方式可以幫助該使用者以適當的方式更換該洗淨構件13成為新的洗淨構件。例如，當偵測到該被覆層13b已經磨損及過薄或該心部13a之部分已經裸露時，該控制器35可以輸出表示需要立即地更換該洗淨構件13成為新的洗淨構件之該置換訊號S2。應注意的是雖然該說明是省略的，相似地在如同在第3及5圖所揭示之該洗淨構件中，該洗淨構件13之洗淨與被覆層13b之情況可以藉由使用具有如同於第11圖中所揭示之結構的洗淨構件洗淨機構而偵測。
第12圖為揭示可操作偵測具有如同於第6圖中所揭示之結構之該洗淨構件23之被覆層23b的情況，同時洗淨該洗淨構件23之洗淨構件洗淨機構之例示性的結構之示意圖。該洗淨構件洗淨機構為結構在如同於第2圖中所揭示之該基板洗淨裝置之該基板W之外部的預定的區域(附近的位置)內。洗淨構件洗淨機構40包括包含結構在該洗淨浴41內部之底部中之觀測壁面42的洗淨浴41。該觀測壁面42是由透明的材料(例如石英)所成及包含配於該觀測壁面42之中央部之電荷耦合元件43，並且在操作上，來自該電荷耦合元件43之輸出訊號是藉由影像處理裝置44所接收，其中該訊號經由處理及轉換成為影像處理訊號，該訊號接著輸出至控制器45。
再者，液體性質感測器46為結構在該洗淨浴41之內而用於量測在洗淨液“Q”內之粒子的數量及/或洗淨液“Q”之組成濃度，並且來自該液體性質感測器46之輸出訊號亦搭配輸出至該控制器45。在收到來自該影像處理裝置44之影像處理訊號及來自該液體性質感測器46之輸出訊號後，該控制器45經由搭配以產生例如洗淨液置換訊號“S1”或洗淨構件置換訊號“S2”並且輸出該產生的訊號至洗淨液供給閥門50及/或洗淨構件置換訊號產生器52。
該洗淨浴41經由搭配以藉由開啟洗淨液供給閥門50透過洗淨液供給管路51而供給具有洗淨液Q及藉由開啟排放閥門以排放出該洗淨液Q(未揭示)。再者，一對洗淨夾具(jig)48、48為結構在該洗淨浴41之內，該洗淨浴41可經由操作以在依據該箭頭A、A所指示之方向上，藉由移動放置在該觀測壁面42之上表面上之洗淨構件23，利用預定程度的壓力而夾住或釋放。該對洗淨夾具48、48為藉由洗淨夾具驅動器47所驅動以便在由該箭頭A、A所指示之方向上移動。在操作上，該洗淨構件23可以藉由在依照該箭頭B所指示之方向上旋轉而洗淨，如同在該洗淨構件23以預定程度的壓力受壓靠向該觀測壁面42之上方表面並且藉由該對洗淨夾具48、48所夾住之情況。在這種洗淨程序中，一旦已經吸附於該被覆層23b內之粒子可以有效地排放，因為該被覆層23b已經製作得較薄。在該洗淨構件23之這種洗淨程序期間，超音波是由超音波產生器49所釋放以激發該洗淨液Q用於增強該洗淨效果。在該洗淨液Q內之粒子的數量、該洗淨液Q之組成濃度及類似的物理量是藉由該液體性質感測器46所量測及觀察，以便當偵測到指示該洗淨液Q必須更換之情況時，未作說明之排放閥將開啟以排放於該洗淨浴41內之洗淨液Q，同時大量洗淨液Q在該排出後藉由開啟該洗淨液供給閥門50透過該洗淨液供給管路51而新導入至該洗淨浴41內。
該電荷耦合元件43透過該透明觀測壁面42觀察該洗淨構件23之被覆層23b之情況，並且來自該電荷耦合元件43之輸出訊號為輸出至該影像處理裝置44，如同上文之描述，其中該輸出訊號經由該影像處理運算而轉換成為該影像處理訊號，該影像處理訊號接著傳至控制器45之內。該控制器45能夠分析該影像處理訊號以便辨識於該洗淨構件23中由多孔隙聚合材料所成之該被覆層23b之情況。例如，當偵測到該被覆層23b已經磨損及過薄或該心部23a之部分已經裸露時，該控制器45可以輸出表示需要立即以新的洗淨構件置換該洗淨構件23之置換訊號S2。雖然說明已經省略，應注意的是相似地在如同在第7及10圖(b)所揭示之該洗淨構件中，該洗淨構件23之洗淨與被覆層23b之情況亦可以藉由使用具有在第12圖中所揭示之結構的洗淨構件洗淨機構而偵測。
第13圖為揭示依據本發明之基板處理裝置(電鍍裝置)之平面圖式中的例示性結構之示意圖。本發明之基板處理裝置例如包括以矩形形狀之架構結構61，該架構結構61經由搭配以可拆卸式地載入包括標準機械介面(Standard Mechanical Interface，SMIF)盒或含有複數個諸如晶圓之基板之類似容器之運載盒60。該架構結構61具有第一基板傳送機械臂(robot)62、暫時放置平台63及第二基板傳送機械臂64，其為連續地結構於在該架構結構61內部之中央區域內。
該架構結構61亦結構有一對基板洗淨及烘乾單元65、一對基板洗淨單元66、一對電鍍預先處理單元67及一對電鍍預先處理及電鍍單元68，每一個該個別對機構的單元為分別地結構在該架構結構61內部之相對端內。再者，用於供給電鍍預先處理液體至該電鍍預先處理單元67之電鍍預先處理液體供給部69及用於供給電鍍液體至該電鍍預先處理及電鍍單元68之電鍍液體供給部70為結構在相對於該運載盒60之相對的位置。該基板洗淨單元66使用具有如同揭示於第1或2圖中之結構的基板洗淨裝置。
其中一片基板W由該運載盒60所取出、藉由該第一傳送機械臂62傳送及放置在該暫時放置平台63內之乾的基板擋板(retainer)上。藉由該乾的基板擋板(未揭示)所保持之該基板W係藉由該第二基板傳送機械臂64傳送至該電鍍預先處理單元67，其中該基板W為進行該電鍍預先處理。已經進行完該電鍍預先處理之基板W係藉由該第二基板傳送機械臂64傳送至該電鍍預先處理及電鍍單元68，其中該基板W為進行該電鍍預先處理及電鍍製程，並且已經完成該電鍍製程之基板W係更藉由該第二基板傳送機械臂64傳送至具有如同在第1或2圖中所揭示之具有該配置之基板洗淨單元66。
該基板洗淨單元66可經由操作以洗淨該基板W之上方及背部表面以便移除附著於該基板W之表面之任何粒子及/或外來材料。具有所移除之該粒子及/或外來材料之基板W係藉由該第二基板傳送機械臂64傳送及放置在該暫時放置平台63內之濕的基板擋板上(未揭示)。
該第一基板傳送機械臂62從位在該暫時放置平台63內之濕的基板擋板取出該基板W及傳送該基板W至該基板洗淨及烘乾單元65，其中該基板W以化學及純水進行洗淨程序並且接著旋乾(spin－dried)。在該基板W已經旋乾之後，該基板W係藉由該第一基板傳送機械臂62回送至該運轉盒60。因此，該基板W之一系列處理將已完成。
雖然本發明已經參考一些實施例作說明，但本發明將並未限定於這些特定的實施例，而可以在由申請專利範圍內所定義及在該說明書及圖式內所描述及說明之技術概念的範疇內實施許多變化。
1．．．污染物(黑點)
2．．．污染物(白點)
3．．．孔隙
10、20．．．基板保持及旋轉機構
11．．．結合銷
12．．．洗淨構件保持及旋轉機構
13、23．．．洗淨構件
13a、23a．．．心部
13b、23b、23b－1、23b－2、26．．．被覆層
14、24．．．洗淨液供給噴嘴
15．．．擺臂
21．．．旋轉軸
22．．．旋轉滾輪
23c．．．防水層
23d．．．突出部
23e．．．滾輪本體
25．．．洗淨液
27、37、51．．．洗淨液供給管路
30、40．．．洗淨構件洗淨機構
31、41．．．洗淨浴
32、42．．．觀測壁面
33、43．．．電荷耦合元件
34、44．．．影像處理裝置
35、45．．．控制器
36、46．．．液體性質感測器
38、49．．．超音波產生器
39．．．排放閥
47．．．洗淨夾具驅動器
48．．．洗淨夾具
50．．．洗淨液供給閥門
52．．．洗淨構件置換訊號產生器
60．．．運載盒
61．．．架構結構
62．．．第一基板傳送機械臂
63．．．暫時放置平台
64．．．第二基板傳送機械臂
65．．．烘乾單元
66．．．基板洗淨單元
67．．．電鍍預先處理單元
68．．．電鍍預先處理及電鍍單元
69．．．電鍍預先處理液體供給部
70．．．電鍍液體供給部
第1圖為揭示使用依據本發明之洗淨構件的基板洗淨裝置之實施例之例示性結構的概要圖示；第2圖為揭示使用依據本發明之洗淨構件的基板洗淨裝置之另一實施例之例示性結構的概要圖示；第3圖(a)及(b)揭示依據本發明之筆型洗淨構件之實施例之例示性結構；第4圖(a)及(b)揭示依據本發明之筆型洗淨構件之另一實施例之例示性結構；第5圖(a)及(b)揭示依據本發明之筆型洗淨構件之又另一實施例之例示性結構；第6圖(a)及(b)揭示依據本發明之滾軸型洗淨構件之實施例之例示性結構；第7圖(a)及(b)揭示依據本發明之滾軸型洗淨構件之另一例示性結構；第8圖(a)及(b)揭示依據本發明之滾軸型洗淨構件之另一例示性結構；第9圖(a)至(c)為用於說明污染之情況及排放於該先前技藝之洗淨構件內與依據本發明之洗淨構件內的污染物之圖示；第10圖(a)及(b)為說明污染之情況及排放於該先前技藝之洗淨構件內與依據本發明之洗淨構件內的污染物之另一個圖示；第11圖為揭示依據本發明之基板洗淨裝置之洗淨構件洗淨機構的例示性結構之概要圖式；第12圖為揭示依據本發明之基板洗淨裝置之洗淨構件洗淨機構的另一例示性結構之概要圖式；以及第13圖為揭示依據本發明之基板處理裝置之例示性結構的概要圖示。
23．．．洗淨構件
23b．．．被覆層
23a．．．心部
27．．．洗淨液供給管路
Claims (10)
- 一種基板洗淨裝置之洗淨構件，藉由利用基板之表面及與該基板之表面形成接觸之洗淨構件之間的相對運動以洗淨待洗淨之基板表面，同時供給洗淨液至該基板之表面上，該洗淨構件包括：防水之心部，係具有彈性，且具有用以阻擋水進入其內部的防水性質，其中該心部之表面為被覆有具備多孔隙之聚合材料以定義被覆層。
- 如申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，該多孔隙聚合材料是由聚乙烯醇聚合物、丙烯酸聚合物、其它加成聚合物、丙烯醯胺聚合物、聚氧伸乙基聚合物、聚醚聚合物、縮合聚合物、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸、胺基甲酸酯樹脂及聚胺基甲酸酯樹脂所成群組中選擇之任一種聚合材料所製成。
- 如申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，該多孔隙聚合材料之該被覆層之厚度是在5微米至15毫米之範圍內。
- 如申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，該心部是由：彈性蜂窩狀塑膠發泡體；包含氟橡膠、矽橡膠、磷腈橡膠及胺基甲酸酯橡膠之軟性橡膠；及環氧樹脂所成群組中選擇之任一種防水材料所製成。
- 如申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，該多孔隙聚合材料之該被覆層之硬度於潮溼的條件下為等於或較低於100。
- 如申請專利範圍第1項之洗淨構件，其中，由防水材料所成之防水層為形成在該多孔隙聚合材料之該被覆層內或在該被覆層與該心部之間。
- 一種基板洗淨裝置，藉由利用基板之表面及與該基板之該表面形成接觸之洗淨構件之間的相對運動以洗淨待洗淨之該基板表面，同時供給洗淨液於該基板之表面上，該基板洗淨裝置係採用依據申請專利範圍第1至6項中任一項之洗淨構件，以實現該洗淨構件。
- 如申請專利範圍第7項之基板洗淨裝置，其中，包括硬度計、薄膜硬度計或用於監測該多孔隙聚合材料之該被覆層是否存在於該洗淨構件內之電荷耦合元件。
- 如申請專利範圍第8項之基板洗淨裝置，復包括用以在該洗淨構件上所監測到之孔隙分佈或硬度已由該多孔隙聚合材料之該被覆層之條件轉移至該心部之條件時輸出更換訊號之手段。
- 一種基板處理裝置，包括：用以於基板上執行預定的處理程序之基板處理部；及用於洗淨已經在該基板處理部內完成該預定的處理程序之該基板之基板洗淨部，該基板處理裝置係採用依據申請專利範圍第7至9項中任一項之基板洗淨裝置，以實現該基板洗淨部。
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| JP6643942B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2020-02-12 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄部材、基板洗浄装置及び基板処理装置 |
| CN106298580A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-01-04 | 上海华力微电子有限公司 | 晶片表面颗粒监测装置和方法、晶片清洗的控制方法 |
| JP7040869B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2022-03-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |
| US20190090624A1 (en) | 2017-09-22 | 2019-03-28 | Illinois Tool Works Inc. | Hybrid material post-cmp brushes and methods for forming the same |
| JP6951199B2 (ja) * | 2017-11-09 | 2021-10-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハ洗浄装置 |
| US20200276619A1 (en) * | 2019-02-04 | 2020-09-03 | Ebara Corporation | Cleaning member attaching part, cleaning member assembly and substrate cleaning apparatus |
| WO2021178506A1 (en) * | 2020-03-03 | 2021-09-10 | Georgia Tech Research Corporation | Methods and systems for solvent-free cleaning of surfaces |
| US12101073B2 (en) * | 2020-05-20 | 2024-09-24 | Ebara Corporation | Method for determining a cleanliness of a cleaning member |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260782A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2000173966A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Ebara Corp | 洗浄具及び基板洗浄装置 |
| JP2001009387A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2002222788A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄具及び基板洗浄装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08323315A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-10 | Sharp Corp | ガラス板用スクラブ洗浄装置 |
| US6502273B1 (en) * | 1996-11-08 | 2003-01-07 | Kanebo, Ltd. | Cleaning sponge roller |
| JP4079205B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2008-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
| US20020100132A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-01 | Mcmullen Daniel T. | Porous polymeric substrate treatment device and method |
| US6802877B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-10-12 | Thomas J. Drury | Polyvinyl acetal composition roller brush with abrasive outer surface |
| JP2003100682A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Jsr Corp | 半導体ウエハ用研磨パッド |
| JP2004298767A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Aion Kk | 洗浄用多孔質ロール体 |
| CN1863645B (zh) * | 2003-08-08 | 2011-11-30 | 安格斯公司 | 用于制作浇注在可旋转基体上的整体式多孔垫的方法和材料 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260782A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2000173966A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Ebara Corp | 洗浄具及び基板洗浄装置 |
| JP2001009387A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2002222788A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄具及び基板洗浄装置 |
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