TWI446465B - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Description

半導體裝置之製造方法

一般而言，本實施形態係關於一種半導體裝置之製造方法。

本申請案享有於2010年9月24日申請之日本專利申請案號2010-213216之優先權之利益，該日本專利申請案之所有內容引用於本申請案中。

半導體裝置存在於單一基板之兩表面上安裝有複數個半導體晶片之所謂雙面安裝型半導體裝置、及於一方之面上安裝有半導體晶片且於另一方之面上形成有端子之單面安裝型半導體裝置。於如上所述之半導體裝置中使用有薄膜基板之半導體裝置之製造中，於特定之支撐基板上設置基板或配線層。然後，於支撐基板上之基板之一方之面上安裝半導體晶片，其後，自基板剝離支撐基板。

根據本實施形態，於半導體裝置之製造方法中，於支撐基板上形成抑制光之透過之第1樹脂層，且於第1樹脂層上形成包含熱可塑性樹脂之第2樹脂層。於第2樹脂層上形成絕緣層及配線層，且於配線層上安裝第1半導體晶片。對第1樹脂層照射雷射光以剝離支撐基板而去除第2樹脂層。

根據本實施形態，可提供一種於形成配線層時或剝離支撐基板時不會產生配線層之偏移或基板之斷裂等不良情況的製造方法。

以下，參照隨附圖式對實施形態之半導體裝置之製造方法詳細地進行說明。再者，本發明並不限定於該等實施形態。

圖1~19係說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法的圖。圖20係說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法的流程圖。再者，以下說明中，於有機絕緣層5中，將支撐基板2側之面設為第二面5d，將其背側之面設為第一面5c(參照圖9等)。

首先，於成為支撐基板2之8英吋玻璃晶圓之表面，形成抑制光之透過之光吸收層(第1樹脂層)3(步驟S1，亦參照圖1)。光吸收層3使用將抑制光之透過之透過阻礙材料混合於合成樹脂中而成者。透過阻礙材料為例如碳黑、石墨粉末或鐵、氧化鈦等金屬氧化物、或染料、顏料。光吸收層3於後續步驟中藉由雷射光之照射而分解。

光吸收層3較佳為以0.1 μm以上且5 μm以下之厚度而形成。例如，以1.5 μm之厚度形成光吸收層3。於光吸收層3之厚度未達0.1 μm之情形時，於照射雷射光時並未有效地進行光吸收，故而有時光吸收層3並未順利地分解。又，若光吸收層3之厚度超過5 μm，則有時一部分光吸收層3不分解而殘存下來。

其次，於光吸收層3上形成熱可塑性樹脂層(第2樹脂層)4(步驟S2，亦參照圖2)。熱可塑性樹脂層4係以1 μm以上且50 μm以下之厚度形成。例如，熱可塑性樹脂層4以15 μm之厚度而形成。作為熱可塑性樹脂層4之材料，可使用聚苯乙烯系、甲基丙烯酸樹脂系、聚乙烯系、聚丙烯系、纖維素系、聚醯胺系、聚苯硫醚(PPS)系、聚醚醚酮(PEEK)系、液晶聚合物(LCP)系、聚四氟乙烯(PTFE)系、聚醚醯亞胺(PEI)系、聚芳酯(PAR)系、聚碸(PSF)系、聚醚碸(PES)系、聚醯胺醯亞胺(PAI)系等合成樹脂。再者，作為光吸收層3，若使用混合有抑制光對熱可塑性材料之透過之透過阻礙材料者，則亦可省略光吸收層3上之熱可塑性樹脂層4。

熱可塑性樹脂層4之厚度未達1 μm時，於對光吸收層3照射雷射光時，有可能因熱之影響而受損。又，若熱可塑性樹脂層4之厚度超過50 μm，則形成於其上部之有機絕緣層5之開口有時會產生畸變。

又，作為熱可塑性樹脂層4之材料，使用玻璃轉移溫度為150℃以上且280℃以下者。於玻璃轉移溫度未達150℃之情形時，產生於高溫時軟化而導致有機絕緣層之開口畸變之問題。又，對於玻璃轉移溫度超過280℃之合成樹脂，合成樹脂之製作本身變難。

又，作為熱可塑性樹脂層4之材料，使用分解溫度為200℃以上且400℃以下者。於分解溫度未達200℃之情形時，存在於有機絕緣層5之固化步驟中承受不住高溫而分解之虞。又，對於分解溫度超過400℃之樹脂，合成樹脂之製作本身變難。

又，作為熱可塑性樹脂層4之材料，使用25℃時之彈性模數為0.01 GPa以上且10 GPa以下者。對於彈性模數未達0.01 GPa之情形，由於彈性模數較低，故而有時於有機絕緣層5之開口產生畸變，或開口之錐度變寬。又，關於彈性模數超過10 GPa之合成樹脂，合成樹脂中必需加入有填料，從而難以形成開口。

又，使熱可塑性樹脂層4之熱膨張係數CTE1相對於有機絕緣層之熱膨張係數CTE2為「CTE2×0.7以上且CTE2×1.3以下」。對於未達CTE2×0.7或超過CTE×1.3之情形，於形成有機絕緣層5時易產生開口部分畸變之問題。

又，作為熱可塑性樹脂層4之材料，需選擇使用對有機絕緣層5中所含之溶劑具有耐受性者。於使用無耐受性之材料之情形時，當形成有機絕緣層5時，藉由有機絕緣層5中所含之溶劑而使熱可塑性樹脂層4溶解並混合於有機絕緣層5中，之後成為殘渣而難以去除。

其次，於熱可塑性樹脂層4上以3 μm之厚度形成聚醯亞胺作為有機絕緣層(絕緣層)5(步驟S3，亦參照圖3)。其次，藉由曝光顯影而於有機絕緣層5上形成開口5a(步驟S4，亦參照圖4)。開口5a係與第二面5d之形成有連接焊墊之位置對應而形成。開口5a為例如以20 μm之直徑尺寸、40 μm之間距而形成。

其次，於有機絕緣層5之表面、形成有開口5a之內側面、及藉由形成開口5a而露出之熱可塑性樹脂層4之表面上，形成有Ti膜‧Cu膜6作為鍍敷之籽晶層(步驟S5，亦參照圖5)。Ti膜‧Cu膜6包含厚度為0.05 μm之Ti膜、及厚度為0.1 μm之Cu膜。

其次，於Ti膜‧Cu膜6上以厚度為5 μm之方式塗佈抗蝕劑7，藉由曝光顯影而形成第一配線層(3 μm寬度)用之開口(步驟S6，亦參照圖6)。其次，將籽晶層即Ti膜‧Cu膜6作為電極，進行電解鍍銅而形成3 μm之第一配線層8(步驟S7，亦參照圖7)。

其次，去除抗蝕劑7，進而蝕刻籽晶層之Cu膜‧Ti膜6(步驟S8，亦參照圖8)。Cu膜‧Ti膜6中，於Cu膜之蝕刻中使用將硫酸與雙氧水混合而成者，於Ti膜之蝕刻中使用將氨水與雙氧水混合而成者。

其次，塗佈聚醯亞胺等並積層有機絕緣層5，在與作為第1半導體晶片之安裝於第一面5c上之半導體晶片10之金屬凸塊10a對應的部位，以20 μm直徑(40 μm間距)形成開口5b(步驟S9，亦參照圖9)。其次，於有機絕緣層5之第一面5c上，對半導體晶片10進行倒裝晶片安裝(步驟S10，亦參照圖10)。

半導體晶片10之金屬凸塊10a包含SnAg。再者，於藉由形成開口5b而露出之第一配線層8上，亦可於形成Ni/Pd/Au膜之後形成SnAg凸塊。

又，作為金屬凸塊10a，除SnAg凸塊之外，亦可使用Au、Sn、Ag、Cu、Bi、In、Ge、Ni、Pd、Pt、Pb等。又，亦可為該等金屬之合金、混合物。金屬凸塊10a係間距為40 μm且直徑為20 μm之凸塊。FC(flip chip，倒裝晶片)安裝係於金屬凸塊10a上塗佈助焊劑且以倒裝晶片接合器搭載於配線焊墊上，放入至回焊爐中進行連接，其後，以清洗液去除助焊劑。或者亦可不使用助焊劑，使用電漿去除SnAg凸塊之氧化膜，並使用倒裝晶片接合器以脈衝加熱進行連接。於有機絕緣層5之第一面5c上，將複數個半導體晶片進行倒裝晶片安裝。

將半導體晶片10進行倒裝晶片安裝後，使樹脂流入至晶片下而形成底層填料17(步驟S11，亦參照圖11)，進而於第一面5c上以熱硬化性樹脂13進行鑄模密封(步驟S12，亦參照圖12)。

其次，自支撐基板2側向光吸收層3施加雷射光(步驟S13，亦參照圖13)。雷射光透過支撐基板2而到達光吸收層3。光吸收層3抑制光之透過，故而吸收所施加之雷射光而使溫度上升。藉此，光吸收層3分解，故而於光吸收層3之部分剝離支撐基板2(步驟S14，亦參照圖14)。由於光吸收層3分解，故而容易順利地進行支撐基板2之剝離，且可抑制有機絕緣層5中產生龜裂等不良情況。

作為施加之雷射光，可使用例如YAG(Yttrium-Aluminum-Garnet，釔鋁石榴石)雷射、紅寶石雷射、準分子雷射、CO₂ 雷射、He-Ne雷射、Ar離子雷射、半導體雷射等。雷射光之波長可使用：10.6 μm、1064 nm之紅外線；694 nm、633 nm、532 nm、514 nm、488 nm之可見光；355 nm、351 nm、308 nm、248 nm等之紫外線等各種波長。又，雷射可同時使用連續波、脈衝波。

於剝離支撐基板2之後，以丙酮等溶劑去除光吸收層3及熱可塑性樹脂層4(步驟S15，亦參照圖15)。此處，熱可塑性樹脂層4必需溶解於溶劑中。於殘留有殘渣之情形時亦可進而施加電漿而去除。

於去除光吸收層3及熱可塑性樹脂層4之後，藉由蝕刻而去除自有機絕緣層5之開口5a露出之Ti膜‧Cu膜6(步驟S16，亦參照圖16)。Cu膜之蝕刻中使用將硫酸與雙氧水混合而成者，於Ti膜之蝕刻中使用將氨水與雙氧水混合而成者。

於背面露出有成為連接焊墊之Cu，故而藉由對該Cu面進行非電解鍍敷而形成Ni‧Pd‧Au膜14(步驟S17，亦參照圖17)。Ni‧Pd‧Au膜14係以如下方式構成：以Ni為3 μm、Pd為0.05 μm、Au為0.5 μm之厚度而形成。

其次，與有機絕緣層5之第一面5c同樣地，將作為第2半導體晶片之半導體晶片10倒裝晶片安裝於第二面5d上(步驟S18，亦參照圖18)。經以上步驟而製造半導體裝置之中間體15。其後，使用安裝漿料將中間體15搭載於印刷基板16上，使用Au線29於印刷基板16上進行打線接合。進而進行樹脂鑄模，於背面搭載球珠(步驟S19，亦參照圖19)，藉此完成半導體裝置。

按上述步驟而製造半導體裝置以供溫度循環試驗檢查其可靠性。再者，溫度循環試驗係將-55℃(30 min)~25℃(5 min)~125℃(30 min)作為1次循環而進行。其結果為，即便於3000次循環之後，在第一面5c及第二面之倒裝晶片連接部位亦幾乎未見產生斷裂。

再者，作為有機絕緣層5，除聚醯亞胺之外，亦可使用PBO(聚對苯撐苯并二噁唑)、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂等。對於第一配線層8之材料已例示Cu，但亦可使用Al、Ag、Au等。又，將玻璃作為支撐基板2而形成有配線層，但亦可使用矽、藍寶石等。即，對於支撐基板2，只要為雷射光可透過之材料，則可使用各種材料。

又，本實施形態中，例示第一配線層8僅為1層之構成，但亦可使配線層為多層構成。對於使配線層為多層構成之情形，於實施步驟S8之步驟之後，反覆執行步驟S3~步驟S8之步驟，形成第二配線層、第三配線層等。例如，在相當於步驟S8之步驟之後，進而塗佈聚醯亞胺並積層有機絕緣層，並且藉由曝光顯影而形成Via層。塗佈5 μm之抗蝕劑，藉由曝光顯影而形成第二配線層(3 μm寬度)之開口。將籽晶層作為電極而進行電解鍍銅，形成3 μm之第一配線層。去除抗蝕劑，進而蝕刻籽晶層之Cu膜與Ti膜。Cu膜係使用將硫酸與雙氧水混合而成者，Ti膜係使用將氨水與雙氧水混合而成者。

又，本實施形態中，已例示說明雙面安裝型之半導體裝置，但並不限於此。例如，於一方之面上安裝有半導體晶片、於另一方之面上形成有端子之單面安裝型之半導體裝置之製造中，亦可使用本實施形態之製造方法。

圖21~28係說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法的圖。圖29係說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法的流程圖。對於與實施形態1相同之構成標註相同之符號並省略詳細的說明。

第2實施形態之半導體裝置之製造方法中，如圖29所示，至步驟S9為止與實施形態1中說明者為相同順序。

然後，於步驟S9之步驟之後，塗佈聚醯亞胺等之有機膜並積層有機絕緣層5，並且在第一面5c之與連接焊墊對應之部分以100 μm間距形成短邊為70 μm且長邊為100 μm之開口(步驟S21，亦參照圖21)。關於配線層，已說明其為1層之例，但當然亦可為2層之構成或2層以上之層構成。

其次，於開口之連接焊墊上形成Ni‧Pd‧Au膜24(步驟S22，亦參照圖22)。Ni‧Pd‧Au膜24藉由非電解鍍敷而形成厚度為3 μm之Ni、厚度為0.05 μm之Pd、及厚度為0.5 μm之Au。

將半導體晶片20使用安裝材料25安裝於有機絕緣層5上(步驟S23，亦參照圖23)。對於安裝材料25，使用例如樹脂。又，用於安裝材料25之樹脂使用環氧系、丙烯酸系、聚醯亞胺系等之液狀樹脂或膜狀樹脂。再者，於本實施形態2所使用之半導體晶片20上並未設置金屬凸塊10a，而於表面形成有Al焊墊20a。因此，半導體晶片20相對於有機絕緣層5並未進行倒裝晶片安裝，而使用安裝材料25進行安裝。

安裝於有機絕緣層5上之半導體晶片20可為1個，亦可積層2個以上而在多段形成晶片。其次，將已安裝之半導體晶片20之Al焊墊20a藉由使用有Au線29之打線接合而與Ni‧Pd‧Au膜24電性連接(步驟S24，亦參照圖24)。

其次，將有機絕緣層5之第一面5c上以熱硬化性樹脂13進行鑄模密封(步驟S25，亦參照圖25)。然後，以與實施形態1中說明之順序同樣地，經步驟S13~步驟S17之步驟而製造樹脂體27(亦參照圖26、27)。

然後，藉由切割而使該樹脂體個片化，並將經個片化之封裝進而使用樹脂而安裝於基板28上(步驟S26)。亦可如圖28所示對經個片化之封裝進行積層。對積層後之封裝進而進行打線接合(步驟S27)。其次，以鑄模樹脂覆蓋整體，於基板28之背面進行球珠搭載(步驟S28)，藉此完成半導體裝置。

按上述步驟而製造半導體裝置以供溫度循環試驗檢查其可靠性。再者，溫度循環試驗係將-55℃(30 min)~25℃(5 min)~125℃(30 min)作為1次循環而進行。其結果為，即便於3000次循環之後，在打線接合部分亦幾乎未見產生斷裂。由於形成於配線層上之電極焊墊朝向剝離層而變小，以及於配線層之外周存在有鑄模樹脂，故而可抑制配線層之伸縮，且對電極焊墊施加之應力變小，於回焊或TCT(Thermal Cycling Test，熱循環測試)時難以產生電極焊墊與配線之斷裂。

再者，作為有機絕緣層5，除聚醯亞胺之外，亦可使用PBO(聚對苯撐苯并二噁唑)、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂等。對於第一配線層8之材料已例示Cu，但亦可使用Al、Ag、Au等。又，將玻璃作為支撐基板2並形成有配線層，但亦可使用矽、藍寶石等。即，對於支撐基板2，只要為雷射光可透過之材料，則可使用各種材料。

圖30~39係說明第3實施形態之半導體裝置之製造方法的圖。圖40係說明第3實施形態之半導體裝置之製造方法的流程圖。對於與上述實施形態相同之構成標註相同之符號並省略詳細的說明。

首先，於成為支撐基板2之8英吋玻璃晶圓之表面，形成抑制光之透過之光吸收層(第1樹脂層)3(步驟S31)。光吸收層3使用將抑制光之透過之透過阻礙材料混合於合成樹脂中而成者。透過阻礙材料為例如碳黑、石墨粉末或鐵、氧化鈦等金屬氧化物、或染料、顏料。光吸收層3於後續步驟中藉由雷射光之照射而分解。

光吸收層3較佳為以0.1 μm以上且5 μm以下之厚度而形成。例如，以1.5 μm之厚度形成光吸收層3。於光吸收層3之厚度未達0.1 μm之情形時，於照射雷射光時並未有效地進行光吸收，從而有時光吸收層3並未順利地分解。又，若光吸收層3之厚度超過5 μm，則有時一部分光吸收層3不分解而殘存下來。

其次，於光吸收層3上形成熱可塑性樹脂層(第2樹脂層)4(步驟S32，亦參照圖30)。熱可塑性樹脂層4係以1 μm以上且50 μm以下之厚度形成。例如，熱可塑性樹脂層4以15 μm之厚度而形成。作為熱可塑性樹脂層4之材料，可使用聚苯乙烯系、甲基丙烯酸樹脂系、聚乙烯系、聚丙烯系、纖維素系等合成樹脂。

熱可塑性樹脂層4之厚度未達1 μm時，於對光吸收層3照射雷射光時，有可能因熱之影響而受損。又，若熱可塑性樹脂層4之厚度超過50 μm，則安裝於其上部之半導體晶片20之位置容易產生偏移。

又，作為熱可塑性樹脂層4之材料，使用玻璃轉移溫度為150℃以上且280℃以下者。於玻璃轉移溫度未達150℃之情形時，於高溫時會軟化，安裝於其上部之半導體晶片20容易產生位置偏移。又，對於玻璃轉移溫度超過280℃之合成樹脂，合成樹脂之製作本身變難。對於熱可塑性樹脂層4，使用具有接著性之性質者。

其次，於熱可塑性樹脂層4上進行位置對準而安裝半導體晶片20作為第1半導體晶片(步驟S33，亦參照圖31)。其次，將安裝有半導體晶片20之熱可塑性樹脂層4之第一面4a上以熱硬化性樹脂13進行鑄模密封(步驟S34，亦參照圖32)。

其次，自支撐基板2側向光吸收層3施加雷射光(步驟S35，亦參照圖33)。雷射光透過支撐基板2而到達光吸收層3。光吸收層3抑制光之透過，故而吸收所施加之雷射光而使溫度上升。藉此，光吸收層3分解，故而於光吸收層3之部分剝離支撐基板2(步驟S36，亦參照圖34)。由於光吸收層3分解，故而容易順利地進行支撐基板2之剝離。

作為施加之雷射光，可使用例如YAG雷射、紅寶石雷射、準分子雷射、CO₂ 雷射、He-Ne雷射、Ar離子雷射、半導體雷射等。雷射光之波長可使用：10.6 μm、1064 nm之紅外線；694 nm、633 nm、532 nm、514 nm、488 nm之可見光；355 nm、351 nm、308 nm、248 nm等之紫外線等各種波長。又，雷射可同時使用連續波、脈衝波。

於剝離支撐基板2之後，以丙酮等溶劑去除光吸收層3及熱可塑性樹脂層4(步驟S37，亦參照圖35)。此處，熱可塑性樹脂層4必需溶解於溶劑中。於殘留有殘渣之情形時亦可進而施加電漿而去除。

經步驟S36、S37之步驟而使半導體晶片20之焊墊露出，因此於其表面上形成再配線(步驟S38)。形成再配線之步驟為例如首先形成有機絕緣層5(亦參照圖36)。然後，於有機絕緣層5上形成開口。該開口形成於與半導體晶片20之焊墊一致之位置。其次，濺鍍Ti/Cu等膜而形成用以形成再配線之抗蝕膜，從而形成配線用之開口。然後，於抗蝕膜之開口部進行鍍Cu而去除抗蝕膜，並蝕刻已濺鍍之膜，藉此形成再配線31(亦參照圖37)。

如此，於形成再配線之後積層有機絕緣層5，形成開口(步驟S39，亦參照圖38)。其次，於設置有開口之部分形成焊料球30(步驟S40，亦參照圖39)。進而進行切割(步驟S41)，藉此可形成Fanout(扇出)類型之CSP(Chip Scale Package，晶片尺寸封裝)。

按上述步驟而製造半導體裝置，提供至溫度循環試驗檢查其可靠性。再者，溫度循環試驗係將-55℃(30 min)~25℃(5 min)~125℃(30 min)作為1次循環而進行。其結果為，即便於3000次循環之後，於已進行再配線之部位亦幾乎未見產生配線之斷裂。

再者，於形成再配線時，對於熱可塑性樹脂層4之剛性不足之情形，亦可於熱可塑性樹脂層4上貼附玻璃或金屬板，於提高剛性之狀態下執行再配線之步驟。

又，作為有機絕緣層5，除聚醯亞胺之外，亦可使用PBO(聚對苯撐苯并二噁唑)、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂等。對於再配線之配線材料已例示Cu，但亦可使用Al、Ag、Au等。又，雖將玻璃作為支撐基板2並形成有配線層，但亦可使用矽、藍寶石等。即，對於支撐基板2，只要為雷射光可透過之材料，則可使用各種材料。

圖41係例示使複數個半導體晶片20積層並鑄模密封之情形之中途步驟的圖。如圖41所示，將晶片安裝於支撐基板2(熱可塑性樹脂層4)上之半導體晶片20亦可為複數個。即，於最下層之第1半導體晶片上亦可進而積層半導體晶片20作為第3半導體晶片。再者，複數個半導體晶片20例如亦可預先安裝以TSV(Through-Silicon Via，直通矽晶穿孔)而積層之積層體。又，亦可將TSV用之晶片一面逐個層疊於支撐基板2(熱可塑性樹脂層4)上一面進行FC安裝並積層。

如此，若於支撐基板2上預先積層半導體晶片20，則可將最下層之半導體晶片20、即直接安裝於支撐基板2(熱可塑性樹脂層4)上之半導體晶片20安裝於大致平坦的支撐基板2。因此，最下層之半導體晶片20上難以產生翹曲。若半導體晶片20上產生翹曲，則難以確保半導體晶片20彼此之連接。特別在設置於半導體晶片20上之凸塊之間距微細之情形時，若半導體晶片20產生翹曲，則難以確保彼此之連接。另一方面，本實施形態中，可抑制所安裝之半導體晶片20之翹曲，故而容易使半導體晶片20彼此確實連接。

圖42係例示於已進行再配線之面上進而FC安裝有半導體晶片20之半導體裝置的圖。如圖42所示，於步驟S38之再配線之步驟之後，亦可於已進行再配線之面上進而FC安裝作為第4半導體晶片之半導體晶片20而構成半導體裝置。

進一步的效果或變形例可由本領域技術人員容易地導出。因此，本發明之更廣範圍之態樣並不限定於如上所示且記述之特定的詳細情形及代表性的實施形態。因此，可於不脫離藉由隨附之申請專利範圍及其均等之範圍所定義之總括的發明概念之精神或範圍內進行各種變更。

2．．．支撐基板

3．．．光吸收層

4．．．熱可塑性樹脂層

4a．．．第一面

5．．．有機絕緣層

5a、5b．．．開口

5c．．．第一面

5d．．．第二面

6．．．Ti膜‧Cu膜

7．．．抗蝕劑

8．．．第一配線層

10．．．半導體晶片

10a．．．金屬凸塊

13．．．熱硬化性樹脂

14．．．Ni‧Pd‧Au膜

15．．．中間體

16．．．印刷基板

17．．．底層填料

20．．．半導體晶片

20a．．．Al焊墊

24．．．Ni‧Pd‧Au膜

25．．．安裝材料

27．．．樹脂體

28．．．基板

29．．．Au線

30．．．焊料球

31．．．再配線

S1~S19、S21~S28、S31~S41．．．步驟

圖1~19係說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法的圖。

圖20係說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法的流程圖。

圖21~28係說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法的圖。

圖29係說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法的流程圖。

圖30~39係說明第3實施形態之半導體裝置之製造方法的圖。

圖40係說明第3實施形態之半導體裝置之製造方法的流程圖。

圖41係於第3實施形態之半導體裝置之製造方法中，例示使複數個半導體晶片20積層並鑄模密封之情形之中途步驟的圖。

圖42係於第3實施形態之半導體裝置中，例示於已進行再配線之面上進而FC安裝有半導體晶片20之半導體裝置的圖。

5．．．有機絕緣層

10．．．半導體晶片

10a．．．金屬凸塊

16．．．印刷基板

29．．．Au線

Claims (18)

1. 一種半導體裝置之製造方法，其包括：於支撐基板上形成第1樹脂層，該第1樹脂層含有透過阻礙材料與合成樹脂；於上述第1樹脂層上形成包含熱可塑性樹脂之第2樹脂層；於上述第2樹脂層上形成絕緣層及配線層；於上述配線層上安裝第1半導體晶片；從形成上述第2樹脂層側之相對側對上述第1樹脂層照射雷射光而從上述第2樹脂層剝離上述第1樹脂層；及去除上述第2樹脂層。
2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中於上述絕緣層內形成藉由上述配線層而電性導通之層間連接體，以電性連接於上述層間連接體之方式，對於藉由去除上述第2樹脂層而露出之面安裝第2半導體晶片。
3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述支撐基板包含透光性之材料，且上述雷射光係通過上述支撐基板而照射至上述第1樹脂層。
4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述透過阻礙材料係碳黑。
5. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述透過阻礙材料係金屬氧化物。
6. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述第2樹脂 層之去除係藉由施加電漿而進行。
7. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述雷射光係YAG雷射。
8. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述第2樹脂層包含對上述絕緣層中所含之溶劑具有耐受性之材料。
9. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中於上述第2半導體晶片與上述絕緣層之間流入有樹脂而形成底層填料。
10. 一種半導體裝置之製造方法，其包括：於支撐基板上形成第1樹脂層，該第1樹脂層含有透過阻礙材料與合成樹脂；於上述第1樹脂層上形成包含熱可塑性樹脂之第2樹脂層；於上述第2樹脂層上安裝第1半導體晶片；從形成上述第2樹脂層側之相對側對上述第1樹脂層照射雷射光而從上述第2樹脂層剝離上述第1樹脂層；及去除上述第2樹脂層。
11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述支撐基板包含透光性之材料，且上述雷射光係通過上述支撐基板而照射至上述第1樹脂層。
12. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述透過阻礙材料係碳黑。
13. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述透過阻 礙材料係金屬氧化物。
14. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述第2樹脂層之去除係藉由施加電漿而進行。
15. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述第1半導體晶片係以使上述第1半導體晶片之焊墊與上述第2樹脂層接觸之方式而安裝，且藉由去除上述第2樹脂層而使上述焊墊露出。
16. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述雷射光係YAG雷射。
17. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中將安裝有上述第1半導體晶片之上述第2樹脂層之第一面以熱硬化性樹脂進行鑄模密封後剝離上述第1樹脂層。
18. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中於上述第1半導體晶片上積層第3半導體晶片後剝離上述第1樹脂層。