JP2017050464A - 配線基板積層体、その製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図3(a)に示すように、ガラス支持体12上に剥離層として光分解性樹脂層を1μm厚でスピンコート法により形成し、170℃、60分で硬化した。その後に接着保護層としてUV硬化樹脂を30μm厚でスピンコートすることによって本発明におけるガラス支持体12を作成した。使用したガラスはOA−10G(日本電気硝子株式会社製)、1.1mm厚、線膨張係数 4ppm/℃である。剥離層としてLTHC(スリーエムジャパン株式会社製)を使用し、接着保護層としてUV硬化樹脂3200(スリーエムジャパン株式会社製)を使用した。
次に、銅張両面板の両面に、プリプレグと、プリプレグ上にキャリア箔つき銅箔(18μm厚のキャリア、5μm厚の銅箔)とをキャリア箔とプリプレグとが対向するように積層プレスを用いて両面積層し、コアレス基板作成用の支持基板を作成した。続いて支持基板の両面に25μm厚のドライフィルムレジストをラミネートし、外部接続端子に対応するパターンが描画されたフォトマスクを用いて露光処理した後に、1%炭酸ソーダ水溶液にてスプレー現像処理を行った。続いて剥離可能な銅箔層を給電層として、1μm厚の電解Niめっきと、0.05μm厚の電解金めっきと、3μm厚の電解Niめっきと、15μm厚の電解銅めっきとをこの順に形成し、外部接続端子15を形成した。外部接続端子形成後にドライフィルムレジストを60℃、3%の水酸化ナトリウム溶液にスプレー剥離処理することで、外部接続端子15が両面に形成された支持基板を得た。
続いて図3(c)に記載のように、作成したガラス支持体12と配線基板10とを貼り合わせることにより、配線基板積層体2を作成した。具体的には、ガラス支持体12上に形成された剥離層及び紫外線硬化樹脂である接着保護層の2層からなる接着層20を用いて、配線基板10を真空中で保持後にガラス支持体12及び配線基板10を貼り合わせ、ガラス支持体を介して紫外線硬化することによってガラス支持体及び配線基板10を接着固定し、実施例における配線基板積層体2を作成した。
半導体装置1は、図4に示した工程に沿って作製した。
実施例と同様の方法により製造したコアレス基板を用いて、ガラス支持体12との貼り合わせを行わない以外は実施例と同様の方法により半導体チップ11を実装したところ、チップ実装時に基板の割れ、基板のそりによる実装不良が多発した。その結果、比較例に係る半導体装置1の製造収率は8%と低いものとなった。
実施例に係る半導体装置1を、X線透視装置(株式会社ユニハイトシステム製、XVA−160α)で観察した。実施例における半導体装置1を観察した結果、半導体チップ11の突起電極16と配線基板10の接続端子24との間には、設計値からわずか2μm以内の位置ずれで良好な実装・接続性を示す結果となった。実施例の配線基板積層体においては、ガラス支持体12の線膨張係数を4ppm/℃としたことにより、半導体チップ11と配線基板10との間に発生する位置ずれが小さくなっていることが確認できた。
2・・・配線基板積層体
10・・・配線基板
11・・・半導体チップ
12・・・ガラス支持体
13・・・アンダーフィル
14・・・モールド樹脂
15・・・外部接続端子
16・・・突起電極
17・・・半田層
18・・・半田ボール
19・・・ダイシングテープ
20・・・接着層
21・・・絶縁樹脂層
22・・・配線層
23・・・絶縁膜
24・・・半導体チップとの接続端子
25・・・ビアホール
Claims (5)
- 半導体チップを内蔵する半導体装置の製造に用いられる配線基板積層体であって、
前記配線基板積層体は、ガラス支持体と前記ガラス支持体上に形成された配線基板とを備え、
前記配線基板と前記ガラス支持体とは、剥離可能な接着層を介して接着されており、
前記配線基板は、前記ガラス支持体上の前記接着層上に形成されている外部接続端子と、前記外部接続端子の上層に設けられる1層または多層の配線層と、前記外部接続端子と前記配線層との層間及び前記多層の配線層の層間に設けられる絶縁層と、前記外部接続端子と前記配線層との層間及び前記多層の配線層の層間を電気的に接続するためのビアホールと、最上層の配線層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜の一部を除去して前記最上層の配線層の一部を露出させることによって形成され、前記半導体チップとの接続箇所となるチップ接続端子とを含む、配線基板積層体。 - 前記接着層は、前記ガラス支持体上に設けられ、光照射により分解可能な樹脂を含む剥離層と、前記剥離層の上層に設けられる接着保護層とを有し、
前記接着保護層は、前記剥離層と前記配線基板とを接着し、かつ、前記配線基板を照射光から保護することを特徴とする、請求項1に記載の配線基板積層体。 - 前記配線基板の総厚が0.01mm以上1mm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線基板積層体。
- 配線基板積層体の製造方法であって、
配線基板を製造する工程と、
製造した前記配線基板を検査する工程と、
ガラス支持体上に剥離可能な接着層を形成する工程と、
検査により良品と判定された前記配線基板を前記ガラス支持体上に貼り合わせる工程とを備える、配線基板積層体の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
請求項1〜3のいずれかに記載の配線基板積層体の前記チップ接続端子に、半導体チップを電気的に接続することによって、半導体チップを実装する工程と、
実装された前記半導体チップを封止する封止樹脂を形成する工程と、
前記支持体を介して前記接着層に光を照射することによって、前記封止樹脂と前記半導体チップと前記配線基板とを一体的に前記ガラス支持体から分離させる工程と、
前記配線基板上の前記接着保護層を剥離する工程と、
露出した前記外部接続端子上に半田層を形成する工程とを少なくとも含む、半導体装置の製造方法。
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