JP2018164002A - 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持体と、該支持体上に形成された二層からなる接着剤樹脂層と、該接着剤樹脂層上に形成された絶縁層及び再配線層と、チップ層と、モールド樹脂層とを備える半導体装置であって、前記接着剤樹脂層が、前記支持体側から順に、光の照射により分解可能な樹脂を含む樹脂層Aと、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとからなり、前記光の照射により分解可能な樹脂は、主鎖に縮合環を含む樹脂であり、前記樹脂層Bは、25℃における貯蔵弾性率E'が1〜500MPa及び引張破断強度が5〜50MPaである半導体装置。
【選択図】なし
Description
1.支持体と、該支持体上に形成された二層からなる接着剤樹脂層と、該接着剤樹脂層上に形成された絶縁層及び再配線層と、チップ層と、モールド樹脂層とを備える半導体装置であって、
前記接着剤樹脂層が、前記支持体側から順に、光の照射により分解可能な樹脂を含む樹脂層Aと、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとからなり、前記光の照射により分解可能な樹脂は、主鎖に縮合環を含む樹脂であり、前記樹脂層Bは、25℃における貯蔵弾性率E'が1〜500MPa及び引張破断強度が5〜50MPaである半導体装置。
2.前記樹脂層Aの波長355nmの光の透過率が、20%以下である1の半導体装置。
3.前記樹脂層Aが、下記式(1)で表される繰り返し単位を含む樹脂Aを含む樹脂組成物Aの硬化物からなるものである1又は2の半導体装置。
4. (a)支持体に、直接樹脂層Aを形成する工程、
(b)前記樹脂層A上に、樹脂層Bを形成する工程、
(c)前記樹脂層B上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にパターンを形成する工程、
(d)前記パターンを形成した絶縁層上に、導電層を形成する工程、
(e)前記導電層上に、メッキレジスト層を形成し、該メッキレジスト層にパターンを形成し、前記メッキレジスト層のパターン間に前記導電層を露出させる工程、
(f)前記メッキレジスト層のパターン間に露出した導電層上に、再配線層を形成する工程、
(g)前記メッキレジスト層を除去後、露出した導電層を除去する工程、
(h)前記工程後、二層目の絶縁層を形成し、該二層目の絶縁層にパターンを形成し、前記再配線層を露出させる工程、
(i)前記再配線層上に、チップ層を形成する工程、
(j)前記チップ層と絶縁層との間に、アンダーフィル剤を充填する工程、及び
(k)前記チップ層上に、モールド樹脂層を形成する工程
を含む、1〜3のいずれかの半導体装置の製造方法。
5.支持体と、該支持体上に形成された二層からなる接着剤樹脂層と、該接着剤樹脂層上に形成された絶縁層と、メッキレジスト層とを備える積層体であって、
前記接着剤樹脂層が、前記支持体側から順に、光の照射により分解可能な樹脂を含む樹脂層Aと、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとを含み、前記光の照射により分解可能な樹脂は、主鎖に縮合環を含む樹脂であり、前記樹脂層Bは、25℃における貯蔵弾性率E'が1〜500MPa及び引張破断強度が5〜50MPaである積層体。
本発明の半導体装置は、支持体と、該支持体上に形成された二層からなる接着剤樹脂層と、該接着剤樹脂層上に形成された絶縁層及び再配線層と、チップ層と、モールド樹脂層とを備える半導体装置である。前記接着剤樹脂層は、前記支持体側から順に、光の照射により分解可能な樹脂を含む樹脂層Aと、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとからなる。前記光の照射により分解可能な樹脂は、主鎖に縮合環を含む樹脂であり、前記樹脂層Bは、25℃における貯蔵弾性率E'が1〜500MPa及び引張破断強度が5〜50MPaである。
前記支持体としては、透明基板、シリコン基板、セラミック基板等が挙げられるが、支持体を剥離する際に照射するレーザーの透過性の点から、透明基板が好ましい。前記透明基板としては、通常、ガラス基板や石英基板が用いられ、その厚さは、通常300〜1,500μmが好ましく、500〜1,100μmがより好ましい。支持体の形状は、特に限定されないが、円型又は角型が好適である。
接着剤樹脂層は、前記支持体側から順に、光の照射により分解可能な樹脂を含む樹脂層Aと、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとからなる。
R4−CHO
(式中、R4は、前記と同じ。)
樹脂層Bは、シロキサン骨格を有しない熱可塑性樹脂(非シリコーン系熱可塑性樹脂)を含むものである。樹脂層A上への適用性から、良好なスピンコート性を有する非シリコーン系熱可塑性樹脂が熱可塑性樹脂層を形成する材料として特に好適に使用される。このような非シリコーン系熱可塑性樹脂としては、特にガラス転移温度が−80〜120℃程度の非シリコーン系熱可塑性樹脂が好ましく、Mwが、好ましくは20,000〜200,000、より好ましくは30,000〜150,000のものがよい。なお、本発明においてTgは、公知の動的粘弾性測定装置を用いて測定することができる。
本発明の積層体の製造方法は、下記工程を含む。
[工程(a)]
工程(a)は、支持体に遮光性を有する樹脂層Aを形成する工程である。樹脂層Aを形成するための樹脂組成物Aが溶液である場合は、これをスピンコート、ロールコート等の方法により支持体上に塗布し、その溶剤の揮発条件に応じて、好ましくは80〜200℃、より好ましくは100〜180℃の温度でプリベークを行い、溶剤を揮発させることで、樹脂組成物層A'が形成される。また、樹脂組成物Aがフィルム状組成物である場合は、ラミネート法によって支持体上に樹脂組成物層A'が形成される。
工程(b)は、樹脂層A上に樹脂層Bを形成する工程である。樹脂組成物Bが溶液である場合は、スピンコート、ロールコート、ダイコート、印刷、ディッピング等の方法で樹脂層A上に塗布し、その後、ホットプレートやオーブンによって130〜190℃で加熱することで、樹脂層Bを形成することができる。
工程(c)は、樹脂層B上に再配線層の形成に用いられる絶縁層を形成し、該絶縁層にパターンを形成する工程である。前記絶縁層としては、特に限定されず、半導体分野における公知のものを使用することができるが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ポリベンゾオキサゾール(PBO)、又はこれらの共重合体等の樹脂材料を用いて形成されたものが好ましい。
工程(d)は、前記パターンを形成した絶縁層上に導電層を形成する工程である。導電層は、例えばTi、Cu、Ti/Cu等の層をスパッタにより形成させる。この導電層は、後述する再配線層の形成に必要となる。前記導電層の厚みは、0.01〜2μmが好ましく、0.02〜1μmがより好ましい。
工程(e)は、前記導電層上に再配線層形成用のメッキレジスト層を形成し、該メッキレジスト層にパターンを形成し、前記メッキレジスト層のパターン間に前記導電層を露出させる工程である。前記レジスト層は、特に限定されず、一般的に用いられているものを使用することができるが、好ましくはi線用ポジ型レジストがよい。前記レジスト層は、0.1〜100μm程度の厚さに形成されることが好ましい。前記メッキレジスト層に、例えば、フォトリソグラフィーによってパターンを形成することができる。
工程(f)は、前記メッキレジスト層のパターン間に露出した導電層上に再配線層を形成する工程である。導電層上にメッキを施すことで、再配線層を形成することができるが、メッキは、銅等の金属、銅/金合金、銅/ニッケル/金合金等の合金を電気メッキしたものが好ましい。前記再配線層の厚みは、0.5〜30μmが好ましく、1.0〜20μmがより好ましい。
工程(g)は、前記メッキレジスト層を除去し、更に露出した導電層を除去する工程である。前記メッキレジスト層は半導体分野における公知の方法で除去できるが、例えばシクロペンタノンやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の溶剤を使用することで除去可能である。また、露出した導電層の除去についても半導体分野における公知の方法で除去できるが、Tiの場合はバッファードフッ酸を、Cuの場合はリン酸加水を使用することで除去可能である。
工程(h)は、前記工程(g)後、二層目の絶縁層を形成し、該二層目の絶縁層にパターンを形成し、前記再配線層を露出させる工程である。前記絶縁層としては工程(c)と同様のものを使用することができ、パターンを形成することで、開口部に次工程のチップを接続する際に必要となる再配線層部分を露出させることができる。
工程(i)は、前記二層目の絶縁層の開口により表面に露出した前記再配線層上にチップ層を形成する工程である。前記チップ層は、例えば、Sn、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt等の金属やその合金等を用いてメッキ等によってバンプを形成した基板を、前記再配線層上にフリップ接続させることで形成することができる。
工程(j)は、前記チップ層と絶縁層との間にアンダーフィル剤を充填する工程である。前記アンダーフィル剤は半導体分野における公知の方法で充填することができるが、例えばエポキシ系等の材料をキャピラリーによりチップ層と絶縁層との間に充填することができる。
工程(k)は、前記チップ層上にモールド樹脂層を形成する工程である。モールド材料で得られた半導体装置を更に封止することで、所望の半導体装置が得られる。モールド材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂に、シリカ、酸化チタン等の無機フィラーを加えた材料が用いられる。このようなモールド材料を用いて、必要により加熱硬化させることで封止することができる。モールド材料層の厚さは、特に限定されないが、通常10〜500μm程度である。
[調製例1]
1,000mLのフラスコに、1,5−ジヒドロキシナフタレン80g(0.50モル)、6−ヒドロキシ−2−ナフトアルデヒド51.6g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸メチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温に冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、ヘキサン2,400mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A1を得た。樹脂A1のMwは3,200、分散度(Mw/Mn)は2.44であった。
樹脂A1 20質量部、酸発生剤AG1質量部、及び架橋剤としてニカラックMw390((株)三和ケミカル製)4質量部を、FC-4430(スリーエム社製)0.1質量%を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、樹脂組成物A1を得た。
1,000mLのフラスコに、1,5−ジヒドロキシナフタレン80g(0.50モル)、パラホルムアルデヒド9.0g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸メチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温に冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、ヘキサン2,400mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A2を得た。樹脂A2のMwは1,500、Mw/Mnは2.20であった。
樹脂A2 20質量部、酸発生剤AG1質量部、及び架橋剤としてニカラックMw390((株)三和ケミカル製)4質量部を、FC-4430(スリーエム社製)0.1質量%を含むPGMEA100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、樹脂組成物A2を得た。
1,000mLのフラスコに、1−ナフトール72g(0.50モル)、6−ヒドロキシ−2−ナフトアルデヒド51.6g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸メチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温に冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、ヘキサン2,400mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A3を得た。樹脂A3のMwは2,700、Mw/Mnは2.61であった。
樹脂A3 20質量部、酸発生剤AG1質量部、及び架橋剤としてニカラックMw390((株)三和ケミカル製)4質量部を、FC-4430(スリーエム社製)0.1質量%を含むPGMEA100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、樹脂組成物A3を得た。
1,000mLのフラスコに、2−メチルヒドロキシベンゼン32.4g(0.30モル)、6−ヒドロキシ−2−ナフトアルデヒド51.6g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸メチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温に冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、ヘキサン2,400mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A4を得た。樹脂A4のMwは2,100、Mw/Mnは1.58であった。
樹脂A4 20質量部、酸発生剤AG1質量部、及び架橋剤としてニカラックMw390((株)三和ケミカル製)4質量部を、FC-4430(スリーエム社製)0.1質量%を含むPGMEA100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、樹脂組成物A4を得た。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン4033((株)クラレ製ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロック−ポリスチレン共重合体、スチレン含有量30質量%)25g及び水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン8076((株)クラレ製ポリスチレン−ポリ(エチレン/ブチレン)ブロック−ポリスチレン共重合体、スチレン含有量30質量%)25gをメシチレン150gに溶解し、25質量%のセプトン4033/8076のメシチレン溶液を得た。得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B1を得た。また、樹脂のガラス転移温度(Tg)を測定したところ、111℃であった。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン4033((株)クラレ製ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロック−ポリスチレン共重合体、スチレン含有量30質量%)25g及び水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン2002((株)クラレ製ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロック−ポリスチレン共重合体、スチレン含有量30質量%)25gをメシチレン150gに溶解し、25質量%のセプトン4033/2002のメシチレン溶液を得た。得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B2を得た。また、樹脂のTgを測定したところ、96℃であった。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン4033((株)クラレ製ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロック−ポリスチレン共重合体、スチレン含有量30質量%)20g及び水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂タフテックH1051(旭化成(株)製ポリスチレン−ポリ(エチレン/ブチレン)ブロック−ポリスチレン共重合体、スチレン含有量42質量%)20gをメシチレン160gに溶解し、20質量%のセプトン4033/タフテックH1051のメシチレン溶液を得た。得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B3を得た。また、樹脂のTgを測定したところ、101℃であった。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂タフテックH1043(旭化成(株)製ポリスチレン−ポリ(エチレン/ブチレン)ブロック−ポリスチレン共重合体、スチレン含有量67質量%)10gをメシチレン190gに溶解し、5質量%のタフテックH1043のメシチレン溶液を得た。得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B4を得た。また、樹脂のTgを測定したところ、107℃であった。
樹脂組成物B1〜B4を180℃、10分間加熱して硬化させ、厚さ0.5mm、30mm×10mm角の測定シートを作製した。作製した測定シートを用いて、動的粘弾性測定装置((株)日立ハイテクサイエンス製DMA7100)によって、周波数1Hz、昇温速度3℃/分の条件で、0〜300℃の範囲で測定を行い、tanδのピーク(極大値)をTgとした。
[実施例1〜5、比較例1〜5]
直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板に、樹脂組成物A1、A2、A3又はA4をスピンコート後、ホットプレートにて180℃で2分間、250℃で5分間加熱することにより、樹脂層Aに対応する材料を表1に示す膜厚で成膜した。
更に、樹脂層A上に樹脂組成物B1、B2、B3又はB4をスピンコート後、ホットプレートにより150℃で5分間、180℃で5分間加熱することで、表1に示す膜厚で樹脂層Bを形成した。なお、比較例1は、樹脂層Aのみを形成したものであり、比較例2は、樹脂層Bのみを形成したものである。また、比較のため、特許第5592330号公報の実施例1に記載の熱可塑性ポリオルガノシロキサン組成物を樹脂組成物B5として調製し、表1に示す膜厚で形成した。
その後、樹脂層A及び樹脂層B、又は樹脂層A若しくは樹脂層Bのみが成膜されたガラス板に対し、下記試験を行った。結果を表1に示す。なお、以下の順で評価を実施した。
特許第5417623号公報の実施例2のポリイミドシリコーン組成物を用い、樹脂層Bの上に膜厚4μmとなるようにスピンコートし、100℃で加熱して絶縁層を形成した。前記絶縁層に特許第5417623号公報の実施例2と同様の方法でパターンを形成した後、オーブンにて220℃で1時間加熱することにより硬化を行い、絶縁層を一層形成した。絶縁層及びその開口部に対し、スパッタリングにより、Ti層及びCu層をそれぞれ0.05μm及び0.20μmの膜厚で形成した。続いて、Cu層上に、特許第6003855号公報の実施例1のポジ型レジスト組成物を膜厚10μmとなるようにスピンコートによって塗布し、メッキレジスト層を形成した。前記メッキレジスト層にパターンを形成した後、開口部にCu電解メッキを施し、厚み5μmとなるように配線を形成させた。その後、PGMEA洗浄によりメッキレジスト層を除去し、表面に露出したCu層を、リン酸加水を用いて室温で5分間エッチングを行い、続いてTi層をバッファードフッ酸を用いて室温で3分間エッチングを行い、更に、その上に前記ポリイミドシリコーン組成物を膜厚4μmとなるようにスピンコートし、前記と同じ方法で絶縁層を形成し、パターンを形成することでCu配線が形成された部分を開口させ、再びオーブンにて220℃で1時間加熱することにより硬化を行い、絶縁層の二層目を形成した。
この積層体について、最後にガラス板側から目視で確認し、ガラス板から樹脂層Bまでの間に剥離が発生しなかった場合を良好として「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
SnAgバンプを有するチップを前記積層体のCu配線部に実装後、チップと絶縁層の間に特許第5579764号公報の実施例1のアンダーフィル剤を充填し、120℃にて0.5時間、更に165℃で3時間加熱硬化させた。硬化後、ガラス板側から目視で確認し、ガラス板から樹脂層Bまでの間に剥離が発生しなかった場合を良好として「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
モールド材料として、特開2016−088952号公報の実施例7の剥離フィルム(1)/樹脂フィルム/剥離フィルム(2)からなる複合フィルムであるフィルム状モールド樹脂を使用した。剥離フィルム(2)を剥離後、真空ラミネーター((株)タカトリ製、製品名:TEAM-100RF)を用いて、真空チャンバー内を真空度250Paに設定し、110℃で、樹脂フィルムを一括して前記二層目の絶縁層上に貼り付けた。常圧に戻した後、前記積層体を25℃に冷却して前記真空ラミネーターから取り出し、残りの剥離フィルム(1)を剥離した。得られた積層体は、イナートオーブンにて180℃、2時間加熱することにより樹脂の硬化を行った。最後にガラス板側から目視で確認し、ガラス板から樹脂層Bまでの間に剥離が発生しなかった場合を良好として「○」で示し、剥離が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
支持体の剥離性は、以下の方法で評価した。まず、(3)でモールドした積層体のモールド層側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、支持体側から全面に355nmのレーザーを照射した。支持体を割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れ等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
前記剥離性試験終了後、溶剤による洗浄除去性の試験を以下の方法で評価した。ダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された絶縁層及びモールド層の積層体を、樹脂層Bを上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてp−メンタンを用い、洗浄方法として5分間噴霧を行い、絶縁層を回転させながらイソプロピルアルコールを噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する樹脂層Bの有無を目視でチェックした。樹脂層B由来の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂層B由来の残存が認められたものを不良として「×」で示した。
樹脂組成物A1、A2、A3又はA4を、厚み500μmのガラス基板に膜厚0.3μmでスピンコート後、250℃で5分間熱硬化を行い、樹脂層Aを形成し、その透過率(波長355nm)を分光光度計(U-4100形、(株)日立ハイテクサイエンス製)を用いて測定した。透過率が20%以下の場合を良好として「○」で示し、20%よりも高い場合を不良として「×」で示した。
樹脂組成物B1〜B4を180℃で10分間加熱して硬化させ、樹脂組成物B5は180℃で10分間加熱して溶剤を除去させ、厚さ0.5mm、30mm×10mm角の測定シートを作製した。作製した測定シートを用いて、動的粘弾性測定装置((株)日立ハイテクサイエンス製DMA7100)によって、周波数1Hz、昇温速度3℃/分の条件で、0〜300℃の範囲で測定を行い、25℃における値を貯蔵弾性率とした。
樹脂組成物B1〜B4を180℃で10分間加熱して硬化させ、樹脂組成物B5は180℃で10分間加熱して溶剤を除去させ、厚さ0.4mm、200mm×40mm角のシートから五号ダンベルシートを作製した。作製した測定シートを用いて、引張試験機((株)東洋精機製作所製V10D)によって、引張速度50mm/分の条件で測定を行い、測定シートが破断した際の強度を引張破断強度とした。
樹脂層Aが塗布されたガラス板上に樹脂組成物B1、B2、B3、B4又はB5をスピンコート後、ホットプレートにより150℃で5分間、180℃で5分間加熱した。その後、外観を観察して樹脂層Bの表面状態を目視でチェックした。樹脂層B表面にクラック等のエラーが認められないものを良好と評価して「○」で示し、クラック等が認められたものを不良として「×」で示した。
Claims (5)
- 支持体と、該支持体上に形成された二層からなる接着剤樹脂層と、該接着剤樹脂層上に形成された絶縁層及び再配線層と、チップ層と、モールド樹脂層とを備える半導体装置であって、
前記接着剤樹脂層が、前記支持体側から順に、光の照射により分解可能な樹脂を含む樹脂層Aと、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとからなり、前記光の照射により分解可能な樹脂は、主鎖に縮合環を含む樹脂であり、前記樹脂層Bは、25℃における貯蔵弾性率E'が1〜500MPa及び引張破断強度が5〜50MPaである半導体装置。 - 前記樹脂層Aの波長355nmの光の透過率が、20%以下である請求項1記載の半導体装置。
- (a)支持体に、直接樹脂層Aを形成する工程、
(b)前記樹脂層A上に、樹脂層Bを形成する工程、
(c)前記樹脂層B上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にパターンを形成する工程、
(d)前記パターンを形成した絶縁層上に、導電層を形成する工程、
(e)前記導電層上に、メッキレジスト層を形成し、該メッキレジスト層にパターンを形成し、前記メッキレジスト層のパターン間に前記導電層を露出させる工程、
(f)前記メッキレジスト層のパターン間に露出した導電層上に、再配線層を形成する工程、
(g)前記メッキレジスト層を除去後、露出した導電層を除去する工程、
(h)前記工程後、二層目の絶縁層を形成し、該二層目の絶縁層にパターンを形成し、前記再配線層を露出させる工程、
(i)前記再配線層上に、チップ層を形成する工程、
(j)前記チップ層と絶縁層との間に、アンダーフィル剤を充填する工程、及び
(k)前記チップ層上に、モールド樹脂層を形成する工程
を含む、請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。 - 支持体と、該支持体上に形成された二層からなる接着剤樹脂層と、該接着剤樹脂層上に形成された絶縁層と、メッキレジスト層とを備える積層体であって、
前記接着剤樹脂層が、前記支持体側から順に、光の照射により分解可能な樹脂を含む樹脂層Aと、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとを含み、前記光の照射により分解可能な樹脂は、主鎖に縮合環を含む樹脂であり、前記樹脂層Bは、25℃における貯蔵弾性率E'が1〜500MPa及び引張破断強度が5〜50MPaである積層体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017060638A JP6662337B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体 |
US15/928,305 US10297485B2 (en) | 2017-03-27 | 2018-03-22 | Semiconductor device, making method, and laminate |
KR1020180033003A KR102506002B1 (ko) | 2017-03-27 | 2018-03-22 | 반도체 장치 및 그의 제조 방법, 및 적층체 |
EP18163261.3A EP3382742B1 (en) | 2017-03-27 | 2018-03-22 | Semiconductor device, making method, and laminate |
TW107110228A TWI757458B (zh) | 2017-03-27 | 2018-03-26 | 半導體裝置及其製造方法及層合體 |
CN201810254959.6A CN108666224B (zh) | 2017-03-27 | 2018-03-27 | 半导体器件、制备方法和层合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017060638A JP6662337B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018164002A true JP2018164002A (ja) | 2018-10-18 |
JP6662337B2 JP6662337B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=61800322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017060638A Active JP6662337B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10297485B2 (ja) |
EP (1) | EP3382742B1 (ja) |
JP (1) | JP6662337B2 (ja) |
KR (1) | KR102506002B1 (ja) |
CN (1) | CN108666224B (ja) |
TW (1) | TWI757458B (ja) |
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- 2017-03-27 JP JP2017060638A patent/JP6662337B2/ja active Active
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- 2018-03-22 US US15/928,305 patent/US10297485B2/en active Active
- 2018-03-22 EP EP18163261.3A patent/EP3382742B1/en active Active
- 2018-03-22 KR KR1020180033003A patent/KR102506002B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
US10297485B2 (en) | 2019-05-21 |
TWI757458B (zh) | 2022-03-11 |
KR20180109707A (ko) | 2018-10-08 |
TW201903095A (zh) | 2019-01-16 |
EP3382742A1 (en) | 2018-10-03 |
JP6662337B2 (ja) | 2020-03-11 |
CN108666224B (zh) | 2023-09-05 |
CN108666224A (zh) | 2018-10-16 |
KR102506002B1 (ko) | 2023-03-06 |
US20180277415A1 (en) | 2018-09-27 |
EP3382742B1 (en) | 2019-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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