TWI439439B - 具有優異電容溫度系數（ｔｃｃ）之聚合物-陶瓷複合物 - Google Patents

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Description

具有優異電容溫度系數(TCC)之聚合物－陶瓷複合物
本發明係關於電容器及印刷電路板領域。詳言之，本發明係關於用於形成電容器及印刷電路板之聚合物－陶瓷複合材料。本發明之複合材料展現回應溫度改變之較低電容溫度係數(TCC)變化，以及其他所需特性。
因為中央處理單元(CPU)之電路設計設法達成增加之運算速度，故積體電路之效能變得日益重要。安裝此等積體電路之印刷電路板之電路設計亦極為重要。
電容器為印刷電路板及其他微電子學裝置之常見元件。其係用以穩定該等裝置之操作電源。電容為電容器能量儲存能力之量度。電容器將電容引入電路中且主要用以儲存電能，阻斷直流電流或允許交流電流。電容器通常包含夾在兩個導電金屬層(諸如銅箔)之間的介電材料。一般而言，藉由層壓或藉由氣相沈積將介電材料與導電金屬層經由黏著層耦合。
此前，排列於印刷電路板表面上之電容器為常見的。在使電容器小型化之最近嘗試中，已知使用具有高介電常數之介電陶瓷材料或降低介電陶瓷層之厚度。電容主要視電容器層之形狀及尺寸及絕緣材料之介電常數而定。在一種已知排列中，於多層電路板層內形成包含較薄雙面覆銅箔層壓板之"嵌埋"電容器，從而產生優異特徵。具有該等嵌埋電容器之印刷電路板能夠使用於其他目的之電路板的表 面積最大化，且達成增加之信號傳輸速度。
特別需要具有高電容密度之電容器。介電材料之電容密度可藉由添加陶瓷材料而增加。然而，介電材料中高負載量之陶瓷填充材料通常產生易碎且具有極低機械及加工特性之複合物。亦已知該等高電容密度材料展現歸因於溫度變化之較大電容變化。此外，亦已知具有高介電常數之材料對溫度變化敏感。已知具有該等電容溫度相關性之材料具有高"電容溫度係數"或"TCC"。材料之TCC指示其在指定溫度範圍內之最大電容變化。已研發出在約－55℃至約125℃之溫度範圍內具有低至±15%至低至±10%之TCC變化的習知介電複合物電容器材料。然而，在印刷電路板領域中需要研發回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而具有約－5%至約＋5%且較佳低至約－0.5%至約＋0.5%範圍內之極低TCC變化的電容器材料且詳言之嵌埋電容器材料。本發明提供達成此目標之獨特聚合物－陶瓷複合材料。本發明複合材料另外具有優異的機械特性(諸如良好剝離強度及無脆性)、電學特性(諸如高介電常數)及加工特徵(諸如易於混合)。
本發明提供一種複合材料，其包含聚合物組份與鐵電陶瓷顆粒之摻合物，該聚合物組份包含以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種含環氧基聚合物，及以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種具有複數個環氧基反應性基團之聚合物，其中該複合 材料回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－5%至約＋5%之電容溫度係數變化。
本發明另外提供一種複合材料，其包含聚合物組份與鐵電陶瓷粉末之摻合物，該聚合物組份包含以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種含環氧基聚合物，及以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種具有複數個環氧基反應性基團之聚合物；其中鐵電陶瓷粉末包含鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶或其組合；其中含環氧基聚合物包含酚醛清漆環氧樹脂、具有衍生自雙酚A或雙酚F之脂族或芳族烴主鏈之環氧樹脂、經丁二烯－丙烯酸系物改質之環氧樹脂或其組合；其中具有複數個環氧基反應性基團之聚合物包含聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚乙烯丁醛、聚醚碸、反應性聚酯或其組合；且其中複合材料回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－5%至約＋5%之電容溫度係數變化。
本發明另外提供一種形成電容器之方法，其包含：a)提供包含聚合物組份與鐵電陶瓷顆粒之摻合物的複合材料，該聚合物組份包含以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種含環氧基聚合物，及以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種具有複數個環氧基反應性基團之聚合物，其中複合材料回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化 而展現約－5%至約＋5%之電容溫度係數變化；及b)將複合材料層附著於第一導電層與第二導電層之間。
本發明複合材料包含聚合物組份與鐵電陶瓷顆粒之摻合物。本發明之聚合物組份包含至少一種含環氧基聚合物及至少一種具有複數個環氧基反應性基團之聚合物。
含環氧基聚合物較佳係以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%、更佳約20 wt%至約80 wt%且最佳約45 wt%至約55 wt%之量存在於聚合物組份中。合適含環氧基聚合物之實例非排外性地包括包含酚醛清漆環氧樹脂、具有衍生自雙酚A或雙酚F之脂族或芳族烴主鏈之環氧樹脂、經丁二烯－丙烯酸系物改質之環氧樹脂或其組合之聚合物。
具有複數個環氧基反應性基團之聚合物較佳係以聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%、更佳約20 wt%至約80 wt%且最佳約45 wt%至約55 wt%之量存在。環氧基反應性基團之實例非排外性地包括胺基、羥基、羧基及活性氫基。適用於具有複數個環氧基反應性基團之聚合物之材料的實例非排外性地包括聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚乙烯丁醛、聚醚碸、反應性聚酯或其組合。在一較佳實施例中，具有複數個環氧基反應性基團之聚合物包含具有複數個羥基之反應性聚酯。
本發明複合材料之聚合物組份較佳係以複合材料重量計約10 wt%至約99.5 wt%、更佳以複合材料重量計約20 wt%至約95 wt%且最佳以複合材料重量計約40%至約90%範圍 內之量存在。聚合物組份較佳在室溫下以固體形式存在。
鐵電陶瓷顆粒係用作本發明複合材料中之介電質或電絕緣體。合適鐵電陶瓷顆粒之實例包括鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶、氮化硼、氧化鋁或其組合。鐵電陶瓷顆粒具有較佳約0.1 μm至約2 μm、更佳約0.5 μm至約1 μm範圍內之粒度。鐵電陶瓷顆粒較佳以粉末形式存在。將粉末定義為具有約10 μm或更低平均直徑之固體顆粒。在某些實施例中，鈦酸鍶之平均粒度係在約0.85 μm至約0.95 μm之範圍內。在某些實施例中，鈦酸鋇之平均粒度為約0.55 μm至約0.60 μm。鐵電陶瓷顆粒較佳係以複合材料重量計約0.5 wt%至約90 wt%、更佳以複合材料重量計約5 wt%至約80 wt%且最佳以複合材料重量計約10 wt%至約60 wt%範圍內之量存在。本發明某些實施例之確切組成之實例係展示於下表1之調配物A－K以及實例中。
本發明複合材料可視情況包括額外組份或添加劑，諸如習知固化劑、分散劑、混合劑、促進劑、硬化劑、催化劑、溶劑及其類似物。合適固化劑之實例非排外性地包括二胺、多元酸及酸酐。合適分散劑之實例非排外性地包括矽烷、鈦酸新烷氧基酯(neoalkoxy titanate)、鋯酸新烷氧基酯(neoalkoxy zirconate)及與酸基之共聚物。合適催化劑之實例非排外性地包括咪唑及三苯膦(TPP)。合適的市售催化劑之一個實例為可購自Shikoku Chemicals Corporation(Kagawa,Japan)之Curezol。合適硬化劑之實例非排外性地包括二胺基二苯碸(DDS)及苯二胺。合適溶劑之實例非排 外性地包括甲基乙基酮(MEK)、二甲基甲醯胺(DMF)、環己酮(CyH)及其組合。在某些實施例中，本發明複合材料包含足量之至少一種溶劑，使得總複合材料之約60 wt%以固體形式存在。
本發明複合材料可藉由此項技術中已知之任何合適組合方式來形成，諸如混合、摻合或其類似方式。在一較佳實施例中，將聚合物材料與鐵電陶瓷顆粒摻合在一起以形成實質上均勻之複合材料混合物。複合材料混合物可形成為任何合適所需形狀且可使其硬化為複合材料層或其類似物。在某些實施例中，複合材料層具有約4 μm至約100 μm、較佳約8 μm至約50 μm且更佳約10 μm至約35 μm範圍內之厚度。
本發明之主要特徵在於複合材料回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化較佳展現約－5%至約＋5%之電容溫度係數(TCC)變化。本發明複合材料之TCC變化回應此溫度範圍內之溫度變化更佳在約－4%至約＋4%範圍內，且回應此溫度範圍內之變化甚至更佳在約－2.5%至約＋2.5%範圍內。在一最佳實施例中，回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化，本發明複合材料之TCC變化在約－0.5%至約＋0.5%範圍內。下表2展示調配物A－K中本發明材料之電容溫度係數(TCC)特性，其亦以圖表表示於圖1－3中且詳述於實例中。表2之數據展示－55℃至125℃範圍內之溫度下，調配物A－K之電容變化百分比(△TCC)。
本發明複合材料亦具有優異介電常數(DK)及1 MHz下之 優異耗散因子(DF)。調配物A－K之本發明材料之DK及DF特性亦展示於下表2中。本發明複合材料較佳具有約2.5至約50、更佳約5至約50、甚至更佳約10至約40且最佳約15至約30之介電常數(DK)。耗散因子(DF)為電容器功率損耗之量度，其中DF＝2Π f RC×100%，其中R為電容器之等效串聯電阻，f 為頻率且C為電容。耗散因子隨頻率及溫度而變化。本發明材料之耗散因子(DF)在1 MHz下較佳在約0.003至約0.03、更佳約0.004至約0.02且最佳約0.005至約0.015範圍內。
本發明複合材料可用於各種應用，諸如用於形成電容器、印刷電路板、電子裝置及其類似物。在某些實施例中，本發明提供包含導電層及導電層上之本發明複合材料層的物件。該等物件可包含：電容器、包含本發明電容器之印刷電路板、包含本發明電容器之電子裝置、包含本發明印刷電路板之電子裝置及其類似物。本發明之一實施例包括包含第一導電層、第二導電層及附著於第一導電層與第二導電層之間的本發明複合材料層的電容器。複合材料層較佳直接附著於各導電層表面。另一實施例包括包含第一物件(該第一物件包含第一導電層，於該第一導電層上具有本發明複合材料層)及第二物件(該第二物件包含第二導電層，於該第二導電層上具有本發明複合材料層)的電容器，其中該第一物件與該第二物件彼此附著使得其複合材料層彼此接觸。
導電層在此項技術中為人所熟知。導電層之實例非排外 性地包括諸如金屬箔之金屬層。用於該等導電層之合適材料之實例非排外性地包括銅、鋁、鎳、銀、鐵鎳合金或其組合。較佳材料包含銅。若存在一種以上導電層，則各層材料係獨立選擇且可包含相同材料或可包含不同材料。導電層較佳具有約3 μm至約100 μm、更佳約5 μm至約70 μm且最佳約10 μm至約35 μm範圍內之厚度。如上所述，複合材料層較佳具有約4 μm至約100 μm、更佳約8 μm至約50 μm且最佳約10 μm至約35 μm範圍內之厚度。
基於本發明目的，除非另有說明，否則術語"塗覆"或"附著"係指將一層沈積、附加或接合至下一層上之任何熟知方法，其非排外性地包括同時或依次塗佈、浸漬、噴霧、濺鍍、層壓、氣相沈積、電沈積、電鍍、印刷、蒸發及其組合。在某些實施例中，藉由塗佈將複合材料層塗覆於金屬層上。在某些實施例中，附著兩種或兩種以上材料係經由層壓進行以便形成電容器層壓板。層壓較佳在適用於所選材料之溫度、壓力及時間下進行。在某些實施例中，層壓可在約150℃至約310℃、更佳約160℃至約200℃之溫度下在擠壓機中進行。層壓可進行約30分鐘至約120分鐘、較佳約40分鐘至約80分鐘。較佳地，擠壓機在至少70 cm(28吋)汞柱之真空下，且係維持在約3.5 kgf/cm2 (50 psi)至約28 kgf/cm2 (400 psi)、較佳約4.9 kgf/cm2 (70 psi)至約14 kgf/cm2 (200 psi)之壓力下。除層壓外，亦可根據任何習知固化法來進行固化步驟。在某些實施例中，可藉由使複合材料經受一約93℃(200℉)至約316℃(600℉)之溫 度，歷時約1分鐘至約120分鐘來進行固化步驟。
本發明另外係關於一種形成電容器之方法，該方法包括(a)提供如上所述之複合材料及(b)將複合材料層附著於第一導電層與第二導電層之間。複合材料層較佳直接附著於各導電層表面。
該電容器形成可以各種方式進行。在若干實施例中，藉由將本發明複合材料層塗覆於導電層上而形成物件。在某些實施例中，以上附著步驟(b)包含：i)形成一包含第一導電層及第一導電層上之複合材料層的第一物件；ii)形成一包含第二導電層及第二導電層上之複合材料層的第二物件；及iii)將第一物件與第二物件接合在一起使得第一物件之複合材料層與第二物件之複合材料層接觸。視情況但較佳地，步驟iii)包含將第一物件與第二物件層壓在一起及/或固化複合材料層。以上提供合適導電層材料及關於層壓及固化之細節。所得電容器結構具有金屬－複合物－複合物－金屬排列。
在另一實施例中，附著步驟(b)包含：i)將複合材料層塗覆於第一導電層上；及ii)將第二導電層塗覆於位於第一導電層上之複合材料層之表面上；及iii)視情況將第一導電層與複合材料層及第二導電層層壓在一起，及/或固化複合材料層。所得電容器結構具有金屬－複合物－金屬排列。
在另一實施例中，附著步驟(b)包含：i)將複合材料層塗覆於第一導電層上；接著ii)將複合材料層固化；且接著 iii)經由濺鍍於複合材料表面上形成第二導電層，該表面係與第一金屬層相對。所得電容器結構亦具有金屬－複合物－金屬排列。此外，在形成本發明電容器後，亦可使用已知蝕刻技術於導電層中產生電路圖案。
以本發明聚合物－陶瓷複合材料形成之電容器除上述所需TCC、DK及DF特性外亦展現數種所需特性。舉例而言，以導電層(諸如銅箔)上之本發明聚合物－陶瓷複合材料形成之電容器較佳展現0.5 kN/m或更大且較佳1 kN/m或更大之優良90度剝離強度。此外，本發明電容器在約288℃之焊接溫度下展現極高熱穩定性。在一實施例中，形成在銅箔上包括本發明聚合物－陶瓷複合材料之本發明電容器層壓板，其中複合材料含有20 wt%聚合物組份及80 wt%鐵電陶瓷顆粒。此實施例之電容器層壓板在288℃下通過10次漂錫試驗。
本發明另外提供一種形成印刷電路板之方法，其包含將如上形成之電容器納入印刷電路板中。本發明之其他實施例非排外性地包括形成包含本發明電容器之印刷電路板、包含本發明印刷電路板之電子裝置、包含本發明電容器之電子裝置及其類似物。
以下非限制性實例用以說明本發明。應瞭解，本發明組件之元件之比例變化及替代物將為熟習此項技術者顯而易見且在本發明範疇內。
實例1
下表1展示本發明之調配物A－K。調配物A用作對照材料 且其完全由本發明聚合物組份構成。調配物B－K係關於本發明複合材料且含有聚合物組份與鐵電陶瓷顆粒之各種組合。在表1中，鈦酸鍶縮寫為術語"ST"且鈦酸鋇縮寫為術語"BT"，隨後為其平均粒徑及其以公克計之重量。
表2展示本發明調配物A－F之特徵。詳言之，表2展示調配物A－F之DK及DF特性以及在－55℃至125℃範圍內之溫度下各調配物之電容變化百分比(△TCC)。將關於TCC之表2之數據以圖表表示於圖1－3中。
調配物A
本發明複合材料包括聚合物組份與鐵電陶瓷顆粒之摻合 物。此等實例之聚合物組份係藉由將以下組合物1與組合物2以75：25重量比摻合而形成。
組合物1：
組合物2： 表1之調配物A含有100 g所得聚合物組份。
實例2
調配物B
根據調配物B之本發明複合材料係藉由如表1所示將20 g實例1之聚合物組份摻合物與80 g鈦酸鍶(85 μm顆粒)及0.12 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物B展現為28之DK及1 MHz下為0.003之DF，及－55℃下為2.6%及125℃下為－3.4%之電容溫度係數變化。
實例3
調配物C
根據調配物C之本發明複合材料係藉由如表1所示將22 g實例1之聚合物組份摻合物與78 g鈦酸鋇及0.11 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物C展現為21之DK及1 MHz下為0.009之DF，及－55℃下為－4.5%及125℃下為4.8%之電容溫度係數變化。
實例4
調配物D
根據調配物D之本發明複合材料係藉由如表1所示將45 g實例1之聚合物組份摻合物與33 g鈦酸鍶(95 μm顆粒)、22 g鈦酸鋇及0.11 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物D展現為8之DK及1 MHz下為0.004之DF，及－55℃下為－0.7%及125℃下為0.2%之電容溫度係數 變化。
實例5
調配物E
根據調配物E之本發明複合材料係藉由如表1所示將30 g實例1之聚合物組份摻合物與42 g鈦酸鍶(95 μm顆粒)、28 g鈦酸鋇及0.06 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物E展現為12之DK及1 MHz下為0.007之DF，及－55℃下為－0.3%及125℃下為－0.6%之電容溫度係數變化。
實例6
調配物F
根據調配物F之本發明複合材料係藉由如表1所示將22 g實例1之聚合物組份摻合物與23.4 g鈦酸鍶(95 μm顆粒)、54.6 g鈦酸鋇及0.11 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物F展現為18之DK及1 MHz下為0.008之DF，及－55℃下為－2.4%及125℃下為2.1%之電容溫度係數變化。
實例7
調配物G
根據調配物G之本發明複合材料係藉由如表1所示將22 g實例1之聚合物組份摻合物與42.1 g鈦酸鍶(95 μm顆粒)、35.9 g鈦酸鋇及0.08 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物G展現為21之DK及1 MHz下為0.005之DF，及－55℃下為0.1%及125℃下為－0.7%之電容溫度係 數變化。
實例8
調配物H
根據調配物H之本發明複合材料係藉由如表1所示將22 g實例1之聚合物組份摻合物與46.8 g鈦酸鍶(95 μm顆粒)及31.2 g鈦酸鋇摻合而形成。
如表2所示，調配物H展現為22之DK及1 MHz下為0.008之DF，及－55℃下為－0.4%及125℃下為0.2%之電容溫度係數變化。
實例9
調配物I
根據調配物I之本發明複合材料係藉由如表1所示將22 g實例1之聚合物組份摻合物與54.6 g鈦酸鍶(95 μm顆粒)、23.4 g鈦酸鋇及0.14 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物I展現為21之DK及1 MHz下為0.008之DF，及－55℃下為－0.4%及125℃下為0.2%之電容溫度係數變化。
實例10
調配物J
根據調配物J之本發明複合材料係藉由如表1所示將20 g實例1之聚合物組份摻合物與48 g鈦酸鍶(87 μm顆粒)、32 g鈦酸鋇及0.12 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物J展現為2246之DK及1 MHz下為0.004之DF，及－55℃下為0.3%及125℃下為－0.4%之電容溫 度係數變化。
實例11
調配物K
根據調配物K之本發明複合材料係藉由如表1所示將20 g實例1之聚合物組份摻合物與43.2 g鈦酸鍶(0.87 μm顆粒)、36.8 g鈦酸鋇及0.11 g分散劑摻合而形成。
如表2所示，調配物K展現為27之DK及1 MHz下為0.005之DF，及－55℃下為－0.2%及125℃下為0.1%之電容溫度係數變化。
儘管已參考較佳實施例特別展示及描述本發明，但普通熟習此項技術者易於瞭解在不偏離本發明精神及範疇的情況下可進行各種改變及修改。申請專利範圍意欲解釋為涵蓋所揭示之實施例、上文已討論之彼等替代物及其所有等效物。
圖1提供本發明複合材料之特定調配物之TCC特徵圖示。此圖中所示之調配物回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－5%至約＋5%之TCC變化。
圖2提供本發明複合材料之特定調配物之TCC特徵圖示。此圖中所示之調配物回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－2.5%至約＋2.5%之TCC變化。
圖3提供本發明複合材料之特定調配物之TCC特徵圖示。此圖中所示之調配物回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－0.5%至約＋0.5%之TCC變化。
(無元件符號說明)

Claims (27)

  1. 一種複合材料，其包含聚合物組份與鐵電陶瓷顆粒之摻合物，該聚合物組份包含以該聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種含環氧基聚合物，及以該聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種具有複數個環氧基反應性基團之聚合物，其中該複合材料回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－5%至約＋5%之電容溫度係數變化。
  2. 如請求項1之複合材料，其中該含環氧基聚合物包含酚醛清漆環氧樹脂、具有衍生自雙酚A或雙酚F之脂族或芳族烴主鏈之環氧樹脂、經丁二烯－丙烯酸系物改質之環氧樹脂或其組合。
  3. 如請求項1之複合材料，其中該具有複數個環氧基反應性基團之聚合物包含聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚乙烯丁醛、聚醚碸、反應性聚酯或其組合。
  4. 如請求項1之複合材料，其中該具有複數個環氧基反應性基團之聚合物包含具有複數個羥基之聚酯。
  5. 如請求項1之複合材料，其中該等鐵電陶瓷顆粒包含鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶或其組合。
  6. 如請求項1之複合材料，其中該等鐵電陶瓷顆粒以粉末形式存在。
  7. 如請求項1之複合材料，其回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－2.5%至約＋2.5%之電容溫度係數變化。
  8. 如請求項1之複合材料，其回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－0.5%至約＋0.5%之電容溫度係數變化。
  9. 如請求項1之複合材料，其具有約15至約30之介電常數。
  10. 一種複合材料，其包含聚合物組份與鐵電陶瓷粉末之摻合物，該聚合物組份包含以該聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種含環氧基聚合物，及以該聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種具有複數個環氧基反應性基團之聚合物，其中該鐵電陶瓷粉末包含鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶或其組合；其中該含環氧基聚合物包含酚醛清漆環氧樹脂、具有衍生自雙酚A或雙酚F之脂族或芳族烴主鏈之環氧樹脂、經丁二烯－丙烯酸系物改質之環氧樹脂或其組合；其中該具有複數個環氧基反應性基團之聚合物包含聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚乙烯丁醛、聚醚碸、反應性聚酯或其組合；且其中該複合材料回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－5%至約＋5%之電容溫度係數變化。
  11. 一種物件，其包含導電層及該導電層上如請求項1之複合材料之層。
  12. 一種電容器，其包含第一導電層、第二導電層及附著於該第一導電層與該第二導電層之間的如請求項1之複合 材料之層。
  13. 如請求項12之電容器，其中該第一導電層及該第二導電層獨立地包含銅、鋁、鎳、銀、鐵鎳合金或其組合。
  14. 如請求項12之電容器，其中該第一導電層及該第二導電層包含銅。
  15. 一種電容器，其包含：a)第一物件，其包含第一導電層及該第一導電層上如請求項1之複合材料之層；及b)第二物件，其包含第二導電層及該第二導電層上如請求項1之複合材料之層；該第一物件與該第二物件彼此附著使得其複合材料層彼此接觸。
  16. 一種印刷電路板，其包含如請求項12之電容器。
  17. 一種電子裝置，其包含如請求項16之印刷電路板。
  18. 一種電子裝置，其包含如請求項12之電容器。
  19. 一種形成電容器之方法，其包含：a)提供一包含聚合物組份與鐵電陶瓷顆粒之摻合物的複合材料，該聚合物組份包含以該聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種含環氧基聚合物，及以該聚合物組份之重量計約5 wt%至約95 wt%之量的至少一種具有複數個環氧基反應性基團之聚合物，其中該複合材料回應約－55℃至約125℃範圍內之溫度變化而展現約－5%至約＋5%之電容溫度係數變化；及b)將該複合材料之層附著於第一導電層與第二導電層之 間。
  20. 如請求項19之方法，其中該附著步驟(b)包含：i)形成包含該第一導電層及該第一導電層上之該複合材料之層的第一物件；ii)形成包含該第二導電層及該第二導電層上之該複合材料之層的第二物件；及iii)將該第一物件與該第二物件接合在一起使得該第一物件之該複合材料層與該第二物件之該複合材料層接觸。
  21. 如請求項20之方法，其中步驟iii)包含將該第一物件與該第二物件層壓在一起及/或固化該複合材料層。
  22. 如請求項19之方法，其中該附著步驟(b)包含：i)將該複合材料之層塗覆於第一導電層上；及ii)將第二導電層塗覆於位於該第一導電層上之該複合材料層之表面上；及iii)視情況將該第一導電層與該複合材料層及該第二導電層層壓在一起及/或固化該複合材料層。
  23. 如請求項19之方法，其中該附著步驟(b)包含：i)將該複合材料之層塗覆於第一導電層上；接著ii)將該複合材料層固化；且接著iii)經由濺鍍於該複合材料之表面上形成第二導電層，該表面與該第一金屬層相對。
  24. 如請求項19之方法，其中該含環氧基聚合物包含酚醛清漆環氧樹脂、具有衍生自雙酚A或雙酚F之脂族或芳族烴主鏈之環氧樹脂、經丁二烯－丙烯酸系物改質之環氧樹脂 或其組合。
  25. 如請求項19之方法，其中該等鐵電陶瓷顆粒包含鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶或其組合。
  26. 如請求項19之方法，其中該具有複數個環氧基反應性基團之聚合物包含聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚乙烯丁醛、聚醚碸、反應性聚酯或其組合。
  27. 一種形成印刷電路板之方法，其包含將如請求項19所形成之電容器納入印刷電路板中。
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