CN101855074A - 具有优良tcc的聚合物-陶瓷复合材料 - Google Patents

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Abstract

用于形成电容器的聚合物-陶瓷复合材料，该材料对约-55℃至约125℃范围内的温度变化呈现非常低的电容温度系数(TCC)变化。特别是，这些电容器材料对应于在期望的温度范围内的温度变化，具有范围在约-5％至约+5％的TCC变化。本发明的复合材料包含聚合物成分和铁电陶瓷颗粒的共混物，其中聚合物成分包括至少一种含环氧的聚合物，和至少一种具有环氧反应基团的聚合物。本发明的聚合物-陶瓷复合材料具有优良的机械性质例如改善的抗剥强度和缺乏脆性、电学性质例如高介电常数，和改善的加工特性。

Description

具有优良TCC的聚合物-陶瓷复合材料
发明背景
发明领域
本发明涉及电容器和印制电路板领域。具体地讲，它涉及用于形成电容器和印制电路板的聚合物-陶瓷复合材料。本发明的复合材料呈现响应温度变化的电容温度系数(TCC)的低变化、以及其它期望的性质。
相关领域的描述
因为中央处理器(CPU)的电路设计寻求达到增加操作速度，所以集成电路的性能始终变得更加重要。装上这些集成电路的印制电路板的电路设计也是非常重要的。
电容器是印制电路板和其它微电子装置的共同元件。它们用于稳定这样的装置操作的电力供应。电容是电容器的能量贮存能力的量度。电容器将电容引入电路，且主要起着贮藏电能，阻断直流电的流动，或允许交流电的流动的功能。典型地，电容器包含夹在两个导电金属层，例如铜箔之间的介电材料。一般而言，介电材料通过层压，或通过蒸气沉积，经粘附层偶联至导电金属层。
迄今为止，排列在印制电路板表面上的电容器已经是通用的。在最近的使电容器小型化的努力中，使用具有高介电常数的介电陶瓷材料，或减少介电陶瓷层的厚度已经是众所周知的。电容主要依赖于电容器层的形状与大小和绝缘材料的介电常数。在一个已知的排列中，在多层电路板层内已经形成了包含薄的、双面覆铜薄层压板的″嵌入式″电容器，产生了优良的特性。为了其它目的，具有这样的嵌入式电容器的印制电路板能够使电路板的表面积最化大，并达到增加的信号传递速度。
尤其期望具有高电容密度的电容器。可以通过添加陶瓷材料来增加介电材料的电容密度。然而，陶瓷填充剂材料在介电材料内的高装填经常致成脆性的、并具有非常低的机械和加工性能的复合物。也已知这样的高电容密度材料由于温度变化而呈现大的电容变化。此外，也已知具有高介电常数的材料对温度变化敏感。已知具有这样的电容的温度依赖性的材料具有高″电容温度系数″或TCC。材料的TCC在特定的温度范围显示其最大的电容变化。已经开发常规介电复合电容器材料，其在约-55℃至约125℃时具有低如+15％至低如+10％的TCC变化。然而，在印制电路板领域存在开发电容器材料的需求，且尤其是响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，具有在约-5％至约+5％、并优选低至如从约-0.5％至约+0.5％范围内的极低TCC变化的嵌入式电容器材料。本发明提供达到该目标的独特聚合物-陶瓷复合材料。本发明的复合材料另外具有优良的机械性质例如良好的抗剥强度和缺乏脆性、电学性质例如高介电常数，和加工特性例如易于混合。
发明概述
本发明提供包含聚合物成分与铁电陶瓷颗粒的共混物的复合材料，该聚合物成分包含至少一种含环氧的聚合物(epoxy containingpolymer)，和至少一种具有多个环氧反应基团的聚合物，基于聚合物成分的重量计，该含环氧的聚合物的量为约5％重量至约95％重量，该具有多个环氧反应基团的聚合物的量为约5％重量至约95％重量；
其中复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-5％至约+5％的电容温度系数变化。
本发明还提供包含聚合物成分与铁电陶瓷粉末的共混物的复合材料，该聚合物成分包含至少一种含环氧的聚合物，和至少一种具有多个环氧反应基团的聚合物的复合材料，基于聚合物成分的重量计，该含环氧的聚合物的量为约5％重量至约95％重量，该具有多个环氧反应基团的聚合物的量为约5％重量至约95％重量；
其中铁电陶瓷粉末包含钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡，或其组合；
其中含环氧的聚合物包含可溶可熔酚醛环氧树脂、具有脂肪族烃骨架或衍生自双酚A或双酚F的芳烃骨架的环氧树脂、丁二烯-丙烯酸修饰的环氧树脂，或其组合；
其中具有多个环氧反应基团的聚合物包含聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、反应性聚酯，或其组合；和
其中复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-5％至约+5％的电容温度系数变化。
本发明还提供形成电容器的方法，该方法包括：
a)提供包含聚合物成分和铁电陶瓷颗粒的共混物的复合材料，该聚合物成分包含至少一种含环氧的聚合物和至少一种具有多个环氧反应基团的聚合物，基于聚合物成分的重量计，该含环氧的聚合物的量为约5％重量至约95％重量，该具有多个环氧反应基团的聚合物的量为约5％重量至约95％重量；
其中复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-5％至约+5％的电容温度系数变化；和
b)在第一导电层(electrically conductive layer)与第二导电层之间附着复合材料层。
附图简述
图1提供本发明复合材料的某些制剂的TCC特性的图解表示。在该图中显示的制剂响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-5％至约+5％的TCC变化。
图2提供本发明复合材料的某些制剂的TCC特性的图解表示。在该图中显示的制剂响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-2.5％至约+2.5％的TCC变化。
图3提供本发明复合材料的某些制剂的TCC特性的图解表示。在该图中显示的制剂响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-0.5％至约+0.5％的TCC变化。
发明详述
本发明的复合材料包含聚合物成分与铁电陶瓷颗粒的共混物。本发明的聚合物成分包含至少一种含环氧的聚合物，和至少一种具有多个环氧反应基团的聚合物。
基于聚合物成分的重量计，含环氧的聚合物优选以约5％重量至约95％重量，更优选以约20％重量至约80％重量，且最优选以约45％重量至约55％重量的量存在于聚合物成分中。合适的含环氧的聚合物的实例非排它地包括包含可溶可熔酚醛环氧树脂、具有脂肪族烃骨架或衍生自双酚A或双酚F的芳烃骨架的环氧树脂、丁二烯-丙烯酸修饰的环氧树脂，或其组合的聚合物。
基于聚合物成分的重量计，具有多个环氧反应基团的聚合物优选以约5％重量至约95％重量，更优选以约20％重量至约80％重量，且最优选以约45％重量至约55％重量的量存在。环氧反应基团的实例非排它地包括胺基、羟基、羧基，和活性氢基团。用于具有多个环氧反应基团的聚合物的合适材料的实例非排它地包括聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、反应性聚酯，或其组合。在优选的实施方案中，具有多个环氧反应基团的聚合物包含具有多个羟基的反应性聚酯。
本发明复合材料的聚合物成分优选以基于复合材料的重量计的约10％重量至约99.5％重量，更优选以基于复合材料的重量计约20％重量至约95％重量，且最优选以基于复合材料的重量计约40％重量至约90％重量范围的量存在。聚合物成分优选在室温下呈固体形式存在。
铁电陶瓷颗粒在本发明的复合材料中用作电介质，或电绝缘体。合适的铁电陶瓷颗粒的实例包括钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、氮化硼、氧化铝，或其组合。铁电陶瓷颗粒的颗粒大小优选在约0.1μm至约2μm，更优选约0.5μm至约1μm范围内。铁电陶瓷颗粒优选以粉末状存在。粉末被定义为平均直径为约10μm或更小的固体颗粒。在某些实施方案中，钛酸锶的平均颗粒大小的范围为从约0.85μm至约0.95μm。在某些实施方案中，钛酸钡的平均颗粒大小为约0.55μm至约0.60μm。铁电陶瓷颗粒优选以基于复合材料的重量计的约0.5％重量至约90％重量，更优选以基于复合材料的重量计的约5％重量至约80％重量，且最优选以基于复合材料的重量计的约10％重量至约60％重量范围的量存在。本发明的某些实施方案的准确组成的实例显示于下表1的制剂A-K、以及实施例中。
本发明的复合材料可任选包括附加的成分或添加剂，例如常规的固化剂、分散剂、混合剂、加速剂、硬化剂、催化剂、溶剂等。合适的固化剂的实例非排它地包括二胺、多元酸和酸酐。合适的分散剂的实例非排它地包括硅烷、新烷氧基钛酸盐(neoalkoxy titanates)、新烷氧基锆酸盐(neoalkoxy zirconates)，和与酸性基团的共聚物。合适的催化剂的实例非排它地包括咪唑和三苯基膦(TPP)。合适的市售可获得的催化剂的一个实例是Curezol，购自Shikoku Chemicals Corporation ofKagawa，日本。合适的硬化剂的实例非排它地包括二氨基二苯砜(DDS)和苯二胺。合适的溶剂的实例非排它地包括甲基乙基甲酮(MEK)、二甲基甲酰胺(DMF)、环己酮(CyH)、及其组合。在某些实施方案中，本发明的复合材料包含至少一种足量的溶剂，以使全部复合材料的约60％重量以固体形式存在。
可通过本领域已知的任何合适的组合方法例如混合、共混等，形成本发明的复合材料。在优选的实施方案中，将聚合物材料和铁电陶瓷颗粒混合在一起，形成基本上均匀的复合材料混合物。复合材料混合物可成形为任何合适的所需形状，并可允许硬化成复合材料层等。在某些实施方案中，复合材料层的厚度范围为约4μm至约100μm，优选约8μm至约50μm，且更优选约10μm至约35μm。
本发明的主要特征为：复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，优选呈现约-5％至约+5％的电容温度系数(TCC)变化。更优选地，本发明的复合材料响应于该温度范围内的变化，其TCC变化范围为约-4％至约+4％，且甚至更优选响应于该温度范围内的变化，为约-2.5％至约+2.5％。在最优选的实施方案中，本发明的复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，其TCC变化范围为约-0.5％至约+0.5％。下表2显示了制剂A-K中的本发明材料的电容温度系数(TCC)性质，其也在图1-3中经图解表示，并在实施例中有详细描述。表2的数据显示制剂A-K在-55℃至125℃范围内的温度时的电容变化百分数(ΔTCC)。
本发明的复合材料也具有优良的介电常数(DK)，和在1MHz时具有优良的损耗因子(DF)。制剂A-K的本发明材料的DK和DF性质也显示于下表2中。本发明复合材料的介电常数(DK)优选为约2.5至约50，更优选约5至约50，甚至更优选约10至约40，且最优选约15至约30。损耗因子(DF)是电容器的功率损失的量度，在这里DF＝2∏fRC×100％，其中R是电容器的等效串联电阻，f是频率，和C是电容。损耗因子随频率和温度而改变。本发明材料在1MHz时的损耗因子(DF)优选在约0.003至约0.03，更优选约0.004至约0.02，并最优选约0.005至约0.015范围内。
本发明的复合材料可用于多种应用，例如用于形成电容器、印制电路板、电子装置等。在某些实施方案中，本发明提供包含导电层，和在导电层上的本发明的复合材料层的物品。这样的物品可包含电容器、含本发明电容器的印制电路板、含本发明电容器的电子装置、含本发明的印制电路板的电子装置等。本发明的一个实施方案包括包含第一导电层、第二导电层，和附着在第一导电层和第二导电层之间的本发明复合材料层的电容器。复合材料层优选直接附着于各导电层的表面。另一实施方案包括含第一物品和第二物品的电容器，第一物品包含第一导电层，在第一导电层上有本发明的复合材料层，第二物品包含第二导电层，在第二导电层上有本发明的复合材料层，第一物品和第二物品互相附着，致使它们的复合材料层互相接触。
导电层是本领域中熟知的。导电层的实例非排它地包括金属层例如金属箔。用于这样的导电层的合适材料的实例非排它地包括铜、铝、镍、银、铁镍合金，或其组合。优选的材料包含铜。当存在多于一个导电层时，独立地选择各层的材料，且各层可包含相同的材料或可包含不同的材料。导电层的厚度优选在约3μm-约100μm，更优选约5μm至约70μm，且最优选约10μm至约35μm范围内。如上所述，复合材料层的厚度优选在4μm至约100μm，更优选约8μm至约50μm，且最优选约10μm至约35μm。
对于本发明的目标，除非另外指明，术语″施加″或″附着″指将一层沉积、附加，或连接至下一层的任何熟知的方法，非排它地包括同时地或连续地涂布、浸渍、喷雾、溅射、层压、蒸气沉积、电沉积、电镀、印制、蒸发、及其组合。在某些实施方案中，通过涂布将复合材料层施加于金属层上。在某些实施方案中，经层压进行两种或多种材料的附着，例如形成电容器积层(capacitorlaminate)。优选在适合于所选材料的温度、压力，和时间下进行层压。在某些实施方案中，可在约150℃至约310℃，更优选约160℃至约200℃的温度，在压力下进行层压。层压可进行约30分钟至约120分钟，优选约40分钟至约80分钟。优选，压力在至少70cm(28英寸)水银的真空下，并维持在约3.5kgf/cm2(50psi)至约28kgf/cm2(400psi)，优选约4.9kgf/cm2(70psi)至约14kgf/cm2(200psi)的压强。除层压之外，可依照任何常规已知的固化方法来进行固化步骤。在某些实施方案中，可通过使复合材料经受约93℃(200°F)至约316℃(600°F)的温度，持续约1至约120分钟，进行固化步骤。
本发明还涉及用于形成电容器的方法，该方法包括：(a)提供如上所述的复合材料。和(b)在第一导电层和第二导电层之间附着复合材料层。复合材料层优选直接附着于各导电层的表面。
可按许多种方法形成这样的电容器。在几个实施方案中，通过将本发明的复合材料层施加于导电层上，来形成物品。在某些实施方案中，上述附着步骤(b)包括：i)形成第一物品，该第一物品包含第一导电层，和在第一导电层上的复合材料层；ii)形成第二物品，该第二物品包含第二导电层，和在第二导电层上的复合材料层；和iii)使第一物品和第二物品连接在一起，以使第一物品的复合材料层与第二物品的复合材料层接触。任选但优选，步骤iii)包括将第一物品和第二物品层压在一起和/或固化复合材料层。上面提供了合适的导电层材料，和关于层压和固化的细节。产生的电容器结构具有金属-复合材料-复合材料-金属的排列。
在另一实施方案中，附着步骤(b)包括：i)将复合材料层施加于第一导电层上；和ii)将第二导电层施加于第一导电层上的复合材料层的表面；和iii)任选将第一导电层和复合材料层及第二导电层层压在一起，和/或固化复合材料层。产生的电容器结构具有金属-复合材料-金属的排列。
在还一个实施方案中，附着步骤(b)包括：i)将复合材料层施加于第一导电层上；然后ii)固化复合材料层；和然后iii)经溅射在复合材料的表面上形成第二导电层，该表面与第一金属层相反。产生的电容器结构也具有金属-复合材料-金属的排列。此外，在形成本发明的电容器之后，也可使用已知的蚀刻技术在导电层中创建电路图。
除上述的期望的TCC、DK和DF性质之外，用本发明的聚合物-陶瓷复合材料形成的电容器还呈现几种所需性质。例如，用本发明的聚合物-陶瓷复合材料在导电层例如铜箔上形成的电容器优选呈现0.5kN/m或更大，且优选1kN/m或更大的良好的90度抗剥强度。此外，本发明的电容器在约288℃的焊接温度下呈现非常高的热稳定性。在一个实施方案中，形成本发明的电容器积层，以在铜箔上包括本发明的聚合物-陶瓷复合材料，其中复合材料包含20％重量的聚合物成分和80％重量的铁电陶瓷颗粒。该实施方案的电容器积层在288℃下经过10次浮焊试验(solder float test)。
本发明还提供形成印制电路板的方法，该方法包括将如上所形成的电容器结合到印制电路板中。本发明的又一实施方案非排它地包括形成含本发明电容器的印制电路板、含本发明的印制电路板的电子装置、含本发明的电容器的电子装置等。
以下非限制性实施例用于描述本发明。应理解：本发明成分元素的比例变更和替换对本领域中的那些技术人员来说将是显而易见的，并在本发明的范围内。
实施例1
下表1显示了本发明的制剂A-K。制剂A用作对照材料，并完全由本发明的聚合物成分组成。制剂B-K涉及本发明的复合材料，并包含聚合物成分和铁电陶瓷颗粒的不同组合。在表1中，钛酸锶缩写为术语″ST″，而钛酸钡缩写为术语″BT″，后面是它们的平均粒径，和它们的重量克数。
表1：复合材料制剂
Figure GPA00001138996100091
表2显示了本发明制剂A-F的特性。具体地讲，表2显示了制剂A-F的DK和DF性质、以及各制剂在-55℃至125℃范围内的温度下的电容变化百分数(ΔTCC)。在图1-3中图解表示了关于TCC的表2的数据。
表2：复合材料特性
Figure GPA00001138996100101
制剂A
本发明的复合材料包括聚合物成分与铁电陶瓷颗粒的共混物。通过按75∶25的重量比混合下面的组合物1与组合物2，形成这些实施例的聚合物成分。
组合物1：
9.0g   苯酚与芳烃的环氧化共聚物
28g    使弹性体坚韧的环氧化的可溶可熔酚醛树脂(phenolnovolak)
7.2g   双酚F环氧树脂
74.8g  具有可与环氧聚合的官能团的聚酯；65％在甲苯中
6.8g   聚乙烯醇缩丁醛
0.5g   2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑
123.9g 80％甲基乙基酮与20％二甲基酰胺的溶剂混合物
组合物2：
20g    苯酚与芳烃的环氧化共聚物
15g    环氧聚合物-环氧乙烷，2，2′-[[1-[4-[1-甲基-1-[4-[(环氧乙烷基(oxyranyl)甲氧基)苯基]乙基]苯基]亚乙基(ethyledene)]双(4，1-亚苯基氧亚甲基)]双
15g    双酚A环氧树脂
48g    聚醚砜
0.30g  2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑
1.5g   二氨基二苯砜
0.20g  三苯基膦
150g   23％甲基乙基酮、62％环己酮，和15％二甲基甲酰胺的溶剂混合物。
表1的制剂A包含100g产生的聚合物成分。
实施例2
制剂B
通过将20g实施例1的聚合物成分共混物、与80g钛酸锶(85μm颗粒)和0.12g分散剂混合，形成依据制剂B的本发明复合材料，如表1所示。
制剂B呈现在1MHz时28的DK和0.003的DF，在-55℃时2.6％和在125℃时-3.4％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例3
制剂C
通过将22g实施例1的聚合物成分共混物、与78g钛酸钡和0.11g分散剂混合，形成依据制剂C的本发明复合材料，如表1所示。
制剂C呈现在1MHz时21的DK和0.009的DF，在-55℃时-4.5％和在125℃时4.8％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例4
制剂D
通过将45g实施例1的聚合物成分共混物、与33g钛酸锶(95μm颗粒)、22g钛酸钡和0.11g分散剂混合依据，形成制剂D的本发明复合材料，如表1所示。
制剂D呈现在1MHz时8的DK和0.004的DF，在-55℃时-0.7％和在125℃时0.2％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例5
制剂E
通过将30g实施例1的聚合物成分共混物、与42g钛酸锶(95μm颗粒)、28g钛酸钡，和0.06g分散剂混合，形成依据制剂E的本发明复合材料，如表1所示。
制剂E呈现在1MHz时12的DK和0.007的DF，在-55℃时-0.3％和在125℃时-0.6％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例6
制剂F
通过将22g实施例1的聚合物成分共混物、与23.4g钛酸锶(95μm颗粒)、54.6g钛酸钡，和0.11g分散剂混合，形成依据制剂F的本发明复合材料，如表1所示。
制剂F呈现在1MHz时18的DK和0.008的DF，在-55℃时-2.4％和在125℃时2.1％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例7
制剂G
通过将22g实施例1的聚合物成分共混物、与42.1g钛酸锶(95μm颗粒)、35.9g钛酸钡，和0.08g分散剂混合，形成依据制剂G的本发明复合材料，如表1所示。
制剂G呈现在1MHz时21的DK和0.005的DF，在-55℃时0.1％和在125℃时-0.7％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例8
制剂H
通过将22g实施例1的聚合物成分共混物、与46.8g钛酸锶(95μm颗粒)和31.2g钛酸钡混合，形成依据制剂H的本发明复合材料，如表1所示。
制剂H呈现在1MHz时22的DK和0.008的DF，在-55℃时-0.4％和在125℃时0.2％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例9
制剂I
通过将22g实施例1的聚合物成分共混物、与54.6g钛酸锶(95μm颗粒)、23.4g钛酸钡，和0.14g分散剂混合，形成依据制剂I的本发明复合材料，如表1所示。
制剂I呈现在1MHz时21的DK和0.008的DF，在-55℃时-0.4％和在125℃时0.2％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例10
制剂J
通过将20g实施例1的聚合物成分共混物、与48g钛酸锶(87μm颗粒)、32g钛酸钡，和0.12g分散剂混合，形成依据制剂J的本发明复合材料，如表1所示。
制剂J呈现在1MHz时2246的DK和0.004的DF，在-55℃时0.3％和在125℃时-0.4％的电容温度系数变化，如表2所示。
实施例11
制剂K
通过将20g实施例1的聚合物成分共混物、与43.2g钛酸锶(0.87μm颗粒)、36.8g钛酸钡，和0.11g分散剂混合，形成依据制剂K的本发明复合材料，如表1所示。
制剂K呈现在1MHz时27的DK和0.005的DF，在-55℃时-0.2％和在125℃时0.1％的电容温度系数变化，如表2所示。
虽然已经参考优选的实施方案详细地显示和描述了本发明，但可进行各种改变和修饰而不脱离本发明的精神和范围，这对本领域的那些普通技术人员来说将是显而易见的。意欲将权利要求书解释为涵盖公开的实施方案、上面已经讨论的那些替换物及其所有的同等物。

Claims (27)

1.复合材料，所述复合材料包含聚合物成分和铁电陶瓷颗粒的共混物，所述聚合物成分包含至少一种含环氧的聚合物和至少一种具有多个环氧反应基团的聚合物，基于所述聚合物成分的重量计，含环氧的聚合物的量为约5％重量-约95％重量，具有多个环氧反应基团的聚合物的量为约5％重量-约95％重量；
其中所述复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-5％至约+5％的电容温度系数的变化。
2.权利要求1的复合材料，其中所述含环氧的聚合物包含可溶可熔酚醛环氧树脂、具有脂肪族烃骨架或衍生自双酚A或双酚F的芳烃骨架的环氧树脂、丁二烯-丙烯酸修饰的环氧树脂，或其组合。
3.权利要求1的复合材料，其中具有多个环氧反应基团的聚合物包含聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、反应性聚酯，或其组合。
4.权利要求1的复合材料，其中具有多个环氧反应基团的聚合物包含具有多个羟基的聚酯。
5.权利要求1的复合材料，其中所述铁电陶瓷颗粒包含钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡，或其组合。
6.权利要求1的复合材料，其中所述铁电陶瓷颗粒以粉末形式存在。
7.权利要求1的复合材料，所述复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-2.5％至约+2.5％的电容温度系数的变化。
8.权利要求1的复合材料，所述复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-0.5％至约+0.5％的电容温度系数的变化。
9.权利要求1的复合材料，所述复合材料具有约15至约30的介电常数。
10.复合材料，所述复合材料包含聚合物成分和铁电陶瓷粉末的共混物，所述聚合物成分包含至少一种含环氧的聚合物和至少一种具有多个环氧反应基团的聚合物，含环氧的聚合物的量为基于所述聚合物成分的重量计的约5％重量至约95％重量，具有多个环氧反应基团的聚合物的量为基于所述聚合物成分的重量计的约5％重量至约95％重量；
其中所述铁电陶瓷粉末包含钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡，或其组合；
其中所述含环氧的聚合物包含可溶可熔酚醛环氧树脂、具有脂肪族烃骨架或衍生自双酚A或双酚F的芳烃骨架的环氧树脂、丁二烯-丙烯酸修饰的环氧树脂，或其组合；
其中具有多个环氧反应基团的聚合物包含聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、反应性聚酯，或其组合；和
其中所述复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-5％至约+5％的电容温度系数的变化。
11.物品，所述物品包含导电层，和在所述导电层上的权利要求1的复合材料层。
12.电容器，所述电容器包含第一导电层、第二导电层和附着在第一导电层与第二导电层之间的权利要求1的复合材料层。
13.权利要求12的电容器，其中第一导电层和第二导电层独立地包含铜、铝、镍、银、铁镍合金，或其组合。
14.权利要求12的电容器，其中第一导电层和第二导电层包含铜。
15.电容器，其包含：
a)第一物品，所述第一物品包含第一导电层，和在第一导电层上的权利要求1的复合材料层；和
b)第二物品，所述第二物品包含第二导电层，和在第二导电层上的权利要求1的复合材料层；
第一物品和第二物品互相附着，致使它们的复合材料层互相接触。
16.印制电路板，其包含权利要求12的电容器。
17.电子装置，其包含权利要求16的印制电路板。
18.电子装置，所述电子装置包含权利要求12的电容器。
19.形成电容器的方法，所述方法包括：
a)提供复合材料，所述复合材料包含聚合物成分和铁电陶瓷颗粒的共混物，所述聚合物成分包含至少一种含环氧的聚合物和至少一种具有多个环氧反应基团的聚合物，所述含环氧的聚合物的量为基于所述聚合物成分的重量计的约5％重量至约95％重量，所述具有多个环氧反应基团的聚合物的量为基于所述聚合物成分的重量计的约5％重量至约95％重量；
其中所述复合材料响应于约-55℃至约125℃范围内的温度变化，呈现约-5％至约+5％的电容温度系数的变化；和
b)在第一导电层与第二导电层之间附着复合材料层。
20.权利要求19的方法，其中所述附着步骤(b)包括：
i)形成第一物品，所述第一物品包含第一导电层，和在第一导电层上的复合材料层；
ii)形成第二物品，所述第二物品包含第二导电层，和在第二导电层上的复合材料层；和
iii)将所述第一物品与所述第二物品连接在一起，致使第一物品的复合材料层与第二物品的复合材料层接触。
21.权利要求20的方法，其中步骤iii)包括将第一物品与第二物品层压在一起和/或固化复合材料层。
22.权利要求19的方法，其中附着步骤(b)包括：
i)将所述复合材料层施加于第一导电层上；和
ii)将第二导电层施加于复合材料层的表面上，所述复合材料层在第一导电层上；和
iii)任选将第一导电层与复合材料层和第二导电层层压在一起，和/或固化复合材料层。
23.权利要求19的方法，其中所述附着步骤(b)包括：
i)将复合材料层施加于第一导电层上；然后
ii)固化复合材料层；和然后
iii)经溅射，在复合材料的表面上形成第二导电层，所述复合材料的表面与第一金属层相反。
24.权利要求19的方法，其中所述含环氧的聚合物包含可溶可熔酚醛环氧树脂、具有脂肪族烃骨架或衍生自双酚A或双酚F的芳烃骨架的环氧树脂、丁二烯-丙烯酸修饰的环氧树脂，或其组合。
25.权利要求19的方法，其中所述铁电陶瓷颗粒包含钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡，或其组合。
26.权利要求19的方法，其中所述具有多个环氧反应基团的聚合物包含聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、反应性聚酯，或其组合。
27.形成印制电路板的方法，所述方法包括将依据权利要求19形成的电容器结合到印制电路板中。
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