KR102390263B1 - 본딩 시트 및 연성 인쇄 회로 기판 - Google Patents

본딩 시트 및 연성 인쇄 회로 기판 Download PDF

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셍기 테크놀로지 코. 엘티디.
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Abstract

본 발명은, 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하는 접착층;을 포함한, 인쇄 회로 기판용 본딩 시트와 상기 본딩 시트를 포함한 연성 금속 적층체가 제공될 수 있다.

Description

본딩 시트 및 연성 인쇄 회로 기판{BONDING SHEET AND FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD}
본 발명은 본딩 시트 및 연성 인쇄 회로 기판에 관한 것이다.
최근 전자 기기의 소형화와 고속화 및 다양한 기능들이 결합하는 추세에 맞춰서 전자 기기 내부에서의 신호 전달 속도 또는 전자 기기 외부와의 신호 전달 속도가 빨라지고 있는 실정이다. 이에 따라서, 기존의 절연체보다 유전율과 유전 손실 계수가 더욱 낮은 절연체를 이용한 인쇄 회로 기판이 필요해지고 있다.
이전에 알려진 본딩 시트(bonding sheet) 및 커버레이(coverlay)의 경우, 접착성 에폭시 수지 조성물로 제조되는 것이 일반적인데, 에폭시 수지의 고유의 특성으로 인하여 유전율이 높아져서 최종 제품의 유전율과 유전 손실 계수를 낮추기 용이하지 않다. 또한, 상기 접착성 에폭시 수지 조성물에 일반적으로 사용되는 카르복실기 말단의 부타디엔/아크릴로니트릴(CTBN) 등 엘라스토머 또한 높은 유전율과 유전 손실 계수를 갖기 때문에, 보다 미세화되고 고집적화되는 인쇄 회로 기판에 적용되기에 일정한 한계가 있었다.
또한, 인쇄 회로 기판의 집적도가 높아져서 홀(hole)과 홀(hole) 간의 간격이 좁아지고 인쇄 회로 기판의 구성층의 두께가 얇아지고 회로 간의 간격이 좁아짐에 따라서, CAF (Conductive Anodic Filament)에 의한 단락이 발생할 가능성이 높아지고 있는 실정이며, 고온 다습한 조건에 노출되는 다양한 장비에 연성 인쇄 회로 기판이 널리 적용됨에 따라서, CAF현상을 방지할 수 있는 기술 개발이 필요한 실정이다.
그런데, 이전에 알려진 연성 인쇄 회로 기판용 접착제에 사용되던 CTBN계의 엘라스토머는 다량의 이온성 계면활성제를 사용하는 유화 중합 과정을 통하여 제조되는데, 여기에는 나트륨 또는 나트륨 이온의 함량이 1,000ppm에 달하여 CAF 현상에 의한 단락 발생 가능성을 보다 높이게 된다.
이에 따라, 고온 다습한 조건 등에서도 연성 인쇄 회로 기판의 작동 불량을 방지할 수 있으며, 연성 인쇄 회로 기판을 보다 미세화하고 고집적화할 수 있는 방법에 대한 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 가질 뿐만 아니라 연성 인쇄 회로 기판에 적용되어 금속 이온 전이를 최소화하고 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있는 본딩 시트를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 고온 및 고습 환경 하에 장시간 노출되어도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있으며, 높은 제품 신뢰성 및 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 가지며, 보다 고집적화된 연성 인쇄 회로 기판을 제공하기 위한 것이다.
본 명세서에서는, 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하는 접착층;을 포함한, 인쇄 회로 기판용 본딩 시트가 제공된다.
또한, 본 명세서에서는, 상기 인쇄 회로 기판용 본딩 시트를 포함한 연성 인쇄 회로 기판이 제공될 수 있다.
또한, 본 명세서에서는, 제1연성 금속 적층체; 상기 제1연성 금속 적층체 상에 형성된 커버 레이; 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하고, 상기 커버 레이 상에 형성되는 본딩 시트; 및 상기 본딩 시트 상에 형성되는 제2연성 금속 적층체;를 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판이 제공된다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 본딩 시트 및 연성 인쇄 회로 기판에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
상술한 바와 같이, 발명의 일 구현예에 따르면, 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하는 접착층;을 포함한, 인쇄 회로 기판용 본딩 시트가 제공될 수 있다.
본 발명자들은, 에폭시 수지와 함께 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 상술한 산무수물계 화합물 및 상기 경화 촉매를 함께 사용하여 얻어지는 접착용 수지 조성물이 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 가질 뿐만 아니라 연성 인쇄 회로 기판에 적용되어 금속 이온 전이를 최소화하고 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
구체적으로, 상기 접착층은 상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체를 포함하여, 연성 인쇄 회로 기판에 적용되어 금속 이온 전이를 최소화하고 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있다.
이전에 알려진 연성 회로 기판용 접착제에 사용되던 CTBN계의 엘라스토머를 포함한 접착층을 사용하는 경우 나트륨 또는 나트륨 이온 농도가 과다하여 CAF 현상에 의한 단락 발생 가능성이 높은데 반하여, 상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체를 포함한 접착층은 나트륨 또는 나트륨 이온을 극미량으로 포함하거나 실질적으로 포함하지 않기 때문에, 연성 인쇄 회로 기판에 적용되어 금속 이온 전이를 최소화할 수 있으며 또한 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있다. 구체적으로, 상기 접착층 중 나트륨 또는 나트륨 이온의 함량은 100ppmw이하, 또는 10ppmw이하일 수 있으며, 상기 접착층 중 나트륨 또는 나트륨 이온은 실질적으로 존재하지 않을 수 있다.
또한, 상기 인쇄 회로 기판용 본딩 시트에 포함되는 접착층에는 염소 또는 염소 이온 농도 또한 이전에 알려진 본딩 시트에 비하여 상당히 낮으며, 이에 따라 금속 이온 전이를 최소화할 수 있으며 또한 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있다. 구체적으로 이전에 알려진 본딩 시트의 경우 약 600 ppmw 내외의 염소 이온 함량을 나타내는데 반하여, 상기 인쇄 회로 기판용 본딩 시트에 포함되는 접착층 중 염소 이온 함량은 150ppmw이하, 또는 120 ppmw이하일 수 있다.
상기 접착층은 건조 상태 및 5 GHz 에서 2.8이하, 또는 2.2 내지 2.8의 유전율(Dk)을 가질 수 있다. 또한, 상기 접착층은 건조 상태 및 5 GHz 에서 0.010이하, 또는 0.010 내지 0.001의 유전 손실 계수(Df)을 가질 수 있다.
상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물은 상기 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체의 말단에 0.1중량% 내지 15중량%, 또는 0.2중량% 내지 10 중량%의 함량으로 치환되거나 공중합체의 주쇄에 0.1중량% 내지 15중량%, 또는 0.2중량% 내지 10중량% 의 함량으로 그라프트될 수 있다.
상기 디카르복실산은 말레인산, 프탈산, 이타콘산, 씨트라콘산, 알케닐숙신산, 씨스-1,2,3,6 테트라하이드로프탈산 및 4-메틸-1,2,3,6 테트라하이드로프탈산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체는 30,000 내지 800,000의 중량평균분자량, 바람직하게는 20,000 내지 200,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다.
상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체는 스티렌 유래 반복 단위 5 내지 50중량% 포함할 수 있다. 상기 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 중 스티렌 유래 반복 단위의 함량이 너무 작으면, 상기 접착층의 내열성이 크게 저하될 수 있으며 유전율 및 유전 손실 계수를 낮추거나 인쇄 회로 기판에서의 금속 이온 전이를 최소화하는 효과를 충분히 확보하기 어렵다. 또한, 상기 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 중 스티렌 유래 반복 단위의 함량이 너무 높으면, 상기 접착층에 에폭시 수지와의 상용성이 저하될 수 있다.
상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체는 상기 접착층의 고형분(유기 용매, 물 또는 수용성 용매 성분을 제외한 나머지 성분) 중 30중량% 내지 80중량% 또는 25중량% 내지 75중량%일 수 있다.
한편, 상기 접착층은 상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 100중량부에 대하여, 에폭시 수지 10 내지 80 중량부 또는 20 내지 60중량부를 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 상기 접착층이 높은 내열성 및 기계적 물성을 가질 수 있도록 한다. 그리고, 상기 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 100중량부에 대하여, 상기 에폭시 수지 10 내지 80 중량부, 또는 20 내지 60중량부를 포함함에 따라서, 상기 접착층이 보다 낮은 유전율 및 유전 손실 계수를 가질 수 있다.
상기 접착층 중 상기 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 대비 상기 에폭시 수지의 함량이 너무 크면, 상기 접착층이 높은 유전율 및 유전 손실 계수를 가질 수 있고 실제 사용시 수지 유동(resin flow)가 과도하게 커질 수 있다. 또한, 상기 접착층 중 상기 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 대비 상기 에폭시 수지의 함량이 너무 작으면, 상기 접착층이 갖는 내열성이나 기계적 물성이 저하될 수 있으며 접착력 자체가 저하될 수 있다.
상기 에폭시 수지는 비페닐 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 페놀 부가반응형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 상기 에폭시 수지의 바람직한 예로는 비페닐 노볼락 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔 페놀 부가반응형 에폭시 수지를 들 수 있다.
상기 접착층의 내열성을 높이면서 유전율 및 유전 손실 계수를 낮추기 위해서 200 g/eq 내지 500 g/eq의 에폭시 당량을 갖는 것이 바람직하다.
한편, 상기 산무수물은 스티렌-말레산 무수물 공중합체, 메틸테트라하이드로 무수프탈산, 무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산(Hexahydrophthalic Anhydride), 테트라하이드로 무수프탈산, 메틸헥사하이드로 무수프탈산(Methylhexahydrophthalic Anhydride), 메틸히믹 무수물(Methyl Himic Anhydride), 나딕메틸 무수물(NADIC Methyl Anhydride), 나딕 무수물(NADIC Anhydride) 및 도데세닐 무수호박산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
이러한 산무수물계 화합물은 상기 접착층의 유전율을 낮춰주면서도 높은 접착력 및 내열성을 확보하게 할 수 있고, 또한 상기 접착층이 반경화 상태의 접착 필름 상태로 존재하는 경우에 높은 저장 안정성을 확보하게 한다.
통상적으로 알려진 다른 경화제, 경화 촉진제, 또는 경화 촉매 등이 상기 접착층의 유전율 및 유전 손실 계수를 크게 높이는데 반하여, 상술한 특정의 산무수물계 화합물은 상술한 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 및 에폭시 수지와 함께 사용되어, 상기 접착층의 유전율을 건조 상태 및 5 GHz 에서 2.8이하가 되도록 하며, 유전 손실 계수(Df)를 건조 상태 및 5 GHz 에서 0.010이하가 될 수 있도록 한다.
상기 산무수물계 화합물 중 스티렌-말레산 무수물 공중합체로는 1,000 내지 50,000, 또는 5,000 내지 25,000의 중량평균분자량을 갖는 스티렌-말레산 무수물 공중합체를 사용할 수 있다.
또한, 상기 스티렌-말레산 무수물 공중합체는 스티렌 유래 반복 단위 50중량% 내지 95중량%, 또는 60중량% 내지 90중량%를 포함할 수 있다.
상기 접착용 수지 조성물은 상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 100중량부에 대하여 상기 산무수물계 화합물 10 내지 80 중량부, 또는 20 내지 60중량부를 포함할 수 있다.
상기 접착층 중 상기 산무수물계 화합물의 함량이 너무 작으면 상기 접착층의 도막 특성이나 내열성 및 기계적 물성이 충분하지 않을 수 있으며, 상기 접착층의 유전율 및 유전 손실 계수를 충분히 낮추기 어려울 수 있다. 또한, 상기 접착층 중 상기 산무수물계 화합물의 함량이 너무 높으면, 흡습성이 높아지고 내열성이 저하될 수 있으며 상기 접착층의 유전율 및 유전 손실 계수가 높아질 수 있다.
구체적으로, 상기 산무수물계 화합물 대비 상기 에폭시 수지의 중량비는 2.0 내지 0.05, 또는 1.5 내지 0.10, 1.0 내지 0.12 또는 0.75 내지 0.15일 수 있다. 상기 산무수물계 화합물 대비 상기 에폭시 수지의 중량비는 상기 산무수물계 화합물의 고형분 및 상기 에폭시 수지의 고형분의 중량비이다. 상기 산무수물계 화합물 대비 상기 에폭시 수지의 중량이 너무 높으면, 상기 접착층의 유전율 및 유전 손실 계수를 충분히 낮추기 어려울 수 있고 수지 유동(resin flow)가 과도하게 높아질 수 있다. 또한, 상기 산무수물계 화합물 대비 상기 에폭시 수지의 중량이 너무 낮으면, 상기 접착층의 접착력이나 내열성 및 내화학성이 저하될 수 있다.
상기 접착층은 통상적으로 알려진 경화 촉매, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 접착층은 상술한 성분을 포함한 코팅 조성물로부터 형성될 수 있으며, 상기 접착층을 형성하는 코팅 조성물은 상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 100중량부에 대하여 상기 경화 촉매 0.05 내지 5중량부, 0.1 내지 2중량부를 포함할 수 있다.
상기 접착층을 형성하는 코팅 조성물은 상술한 접착층에 포함되는 성분에 추가하여 유기 용매를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 접착층을 형성하는 코팅 조성물은 상기 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 100중량부에 대하여 유기 용매 50 내지 1,000 중량부를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 용매는 상기 접착층을 형성하는 코팅 조성물의 점도를 조절하여 접착층의 제조가 용이하도록 한다. 상기 유기 용매는 상기 접착층을 형성하는 코팅 조성물의 구체적인 성분 및 점도 등을 고려하여 사용할 수 있으며, 예를 들어 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논, 메틸셀로솔브, 메탄올, 에탄올 등을 사용할 수 있다.
상기 접착층을 형성하는 코팅 조성물은 상술한 성분 이외에 통상적으로 알려진 첨가제, 예를 들어 난연제나 필러 등을 포함할 수 있다. 상기 난연제로는 통상적으로 사용되는 난연제를 별 다른 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 이온성 인계 난연제인 OP-935(Clarian 사) 또는 비이온성 인계 난연제인 FP 시리즈(Fushimi 사) 등을 사용할 수 있다. 상기 필러로는 실리카 등의 무기 입자를 별 다른 제한 없이 사용할 수 있으며 예를 들어 SFP-30M 또는 SFP-30MHE(DENKA 사) 등을 사용할 수 있으며, 폴리프로필렌옥사이드 등의 유기 필러를 사용할 수도 있으며, 유기-무기 복합의 필러를 사용할 수도 있다.
상기 접착층의 두께는 크게 한정되는 것은 아니며, 적용되는 인쇄 회로 기판 또는 연성 인쇄 회로 기판의 종류나 구조에 따라서 적절히 조절될 수 있으며, 예를 들어, 상기 접착층은 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 본딩 시트는 상술한 접착층과 더불어, 상기 접착층의 일면에 형성된 캐리어 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 캐리어 필름의 구체적인 종류는 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 폴리에스테르류 필름, 폴리에틸렌류 필름, 폴리프로필렌류 필름, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트류 필름 등을 사용할 수 있으며, 구체적으로 PET 필름을 사용할 수 있다. 상기 캐리어 필름의 두께는 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 10 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 본딩 시트는 상기 접착층의 일면에 형성된 이형지 또는 이형 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 이형지 또는 이형 필름의 구체적인 종류는 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 폴리에틸렌이 일면에 코팅된 이형지, 일면에는 폴리에틸렌이 코팅되고 다른 일면에는 폴리프로필렌이 코팅된 이형지, 양면에 폴리프로필렌이 코팅된 이형지, 폴리에스테르류 고분자 필름, 폴리에틸렌류 고분자 필름, 폴리프로필렌류 고분자 필름을 사용할 수 있다. 또한, 상기 이형지 또는 이형 필름의 두께는 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 이형지의 두께는 50 ㎛ 내지 200 ㎛일 수 있으며, 이형필름의 두께는 5 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다.
한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 제1연성 금속 적층체; 상기 제1연성 금속 적층체 상에 형성된 커버 레이; 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하고, 상기 커버 레이 상에 형성되는 본딩 시트; 및 상기 본딩 시트 상에 형성되는 제2연성 금속 적층체;를 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판이 제공될 수 있다.
본 발명자들은, 상술한 특정 조성의 본딩 시트를 연성 인쇄 회로 기판에 적용하면, 보다 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 확보하면서 신호 전송 손실을 낮출 수 있고 고온 및 고습 환경 하에 장시간 노출되어도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지하여 보다 고집적화된 연성 회로 기판을 제공할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
상술한 바와 같이, 상기 본딩 시트는 상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체를 포함하여, 연성 인쇄 회로 기판에 적용되어 금속 이온 전이를 최소화하고 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있다.
상기 본딩 시트에 관한 보다 구체적인 내용은 상술한 발명의 일 구현예의 본딩 시트 및 이에 포함되는 접착층에 관한 내용을 모두 포함한다.
상기 본딩 시트를 포함한 연성 인쇄 회로 기판은 전압이 가해졌을 때 금속 이온 전이를 최소화할 수 있으며 또한 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있다. 구체적으로, 상기 연성 인쇄 회로 기판에 대하여 85℃ 및 85%RH에서 50V의 전압이 가해졌을 때 1,000 시간 이내에 CAF (Conductive Anodic Filament)에 의한 단락이 발생하지 않을 수 있다.
상기 제1연성 금속 적층체 및 상기 제2연성 금속 적층체는 각각 폴리이미드 수지층 및 상기 폴리이미드 수지층의 적어도 1면에 형성된 금속 박막을 포함할 수 있다.
상기 제1연성 금속 적층체는 상기 폴리이미드 수지층의 일면 또는 양면에 형성된 금속 박막이 형성된 구조일 수 있으며, 상기 금속 박막 상에는 상기 커버레이가 결합 또는 적층될 수 있다. 또한, 상기 금속 박막의 표면은 소정의 공정을 통하여 signal 회로 등이 형성될 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 필름에 포함되는 폴리이미드 수지는 3,000 내지 600,000, 또는 50,000 내지 300,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량이 너무 작으면 연성 금속 적층체 등으로 적용시 요구되는 기계적 물성 등을 충분히 확보할 수 없다. 또한, 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량이 너무 크면, 상기 폴리이미드 수지 필름의 탄성도가 저하될 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 필름은 1㎛ 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 필름은 폴리이미드 수지와 함께 불소계 수지 5 내지 75중량%를 추가로 더 함유할 수 있다.
상기 불소계 수지의 예로는 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오르에틸렌-헥사플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 코폴리머 수지(ETFE), 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(TFE/CTFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 수지(ECTFE), 이들의 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 2종 이상의 공중합체를 들 수 있다. 상기 불소계 수지는 0.05 ㎛ 내지 20㎛, 또는 0.1㎛ 내지 10㎛ 의 최장 직경을 갖는 입자를 포함할 수 있다.
상기 금속 박막은 1㎛ 내지 50㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 금속 박막은 구리, 철, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 은, 금 및 이들의 2종 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 연성 금속 적층체는 건조 상태 및 5 GHz 에서 2.2 내지 2.8의 유전율(Dk)을 가질 수 있다. 또한, 상기 연성 금속 적층체는 건조 상태 및 5 GHz 에서 0.010이하의 유전 손실 계수(Df)를 가질 수 있다.
한편, 상기 커버 레이는 상기 제1연성 금속 적층체에 접하는 접착층; 및 상기 접착층 상에 형성된 폴리이미드 수지 필름을 포함할 수 있다.
상기 커버 레이의 접착층은 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함할 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 필름의 열팽창계수는 금속 박막, 예를 들어 동박과 유사한 15 ppm/K 내지 20 ppm/K, 또는 16 ppm/K 내지 18 ppm/K일 수 있다.
상기 커버 레이의 접착층은 1㎛ 내지 200㎛, 또는 5㎛ 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있고, 상기 커버 레이의 폴리이미드 수지 필름은 1㎛ 내지 200㎛ 또는 5㎛ 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 연성 인쇄 회로 기판은 상기 본딩 시트 상에 형성되는 제2연성 금속 적층체을 포함하며, 상기 제2연성 금속 적층체는 상기 본딩 시트를 매개로 상기 제1연성 금속 적층체에 형성된 커버레와 결합될 수 있다.
상기 연성 인쇄 회로 기판은 상기 제1연성 금속 적층체 및 상기 제2연성 금속 적층체에 추가하여 복수의 연성 금속 적층체를 더 포함할 수 있다. 이러한 경우, 각각의 연성 금속 적층체의 표면에는 커버 레이가 형성될 수 있으며, 상기 커버 레이 상에 상술한 본딩 시트와 동일한 조성을 갖는 추가적인 본딩 시트가 형성되고, 이러한 본딩 시트를 매개로 이웃하는 연성 금속 적층체가 결합될 수 있다.
예를 들어, 상기 연성 인쇄 회로 기판은 상기 제2연성 금속 적층체 상에 형성된 커버 레이; 상기 제2연성 금속 적층체 상에 형성된 커버 레이 상에 형성되는 제2본딩 시트; 및 상기 제2본딩 시트 상에 형성되는 제3연성 금속 적층체;를 더 포함할 수 있다.
한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 발명의 일 구현예의 본딩 시트를 포함한 연성 인쇄 회로 기판이 제공될 수 있다.
상기 연성 인쇄 회로 기판은 상기 연성 금속 적층체에 관하여 상술한 내용을 제외하고, 통상적으로 알려진 구조 및 구성 성분을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 가질 뿐만 아니라 연성 인쇄 회로 기판의 전송 손실을 낮출 수 있고 금속 이온 전이를 최소화하고 고온 및 고습 환경 하에서도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있는 본딩 시트와, 고온 및 고습 환경 하에 장시간 노출되어도 CAF 에 의한 단락의 발생을 방지할 수 있으며 높은 제품 신뢰성 및 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 가지며 보다 고집적화된 연성 인쇄 회로 기판이 제공될 수 있다.
도1은 실시예1의 연성 인쇄 회로 기판에 대한 CAF (Conductive Anodic Filament) 테스트를 진행한 결과를 나타난 그래프이다.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예: 본딩 시트의 제조]
실시예1
(1) 접착층 형성용 수지 조성물의 제조
말레산 무수물이 1.81 wt% 그라프트된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 25wt% 자일렌 용액(M1913, Asshi Kasei㈜ 제품) 200g, 비페닐 노볼락계 에폭시 수지 70wt% 자일렌 용액(NC-3000H, 일본 화약㈜ 제품, 에폭시 당량 288 g/eq) 20g, 나딕 메틸 무수물(Nadic Methy Anhydride) 10.4g, 2-에틸-4-메틸이미다졸 25wt% 자일렌 용액 0.1g을 상온에서 혼합하여 접착층 형성용 수지 조성물을 제조하였다.
(2) 본딩 시트의 제조
상기 제조된 접착층 형성용 수지 조성물을 PET 필름(케리어 필름, 두께: 38㎛, RPK 201, 도레이 첨단소재 제품)의 일면에 도포하고 100℃에서 5분간 건조하여 25㎛의 접착층을 형성하였다. 그리고, 80℃의 온도에서 이형지(EX-12, Lintec 제품)의 내면과 상기 접착층의 외부면을 롤 라이네이터를 이용하여 접착하여 본딩 시트를 제조하였다.
실시예2
(1) 접착층 형성용 수지 조성물의 제조
말레산 무수물이 0.36 wt% 그라프트된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 25wt% 자일렌 용액(M1911, Asahi Kasei㈜ 제품) 200g을 사용한 점을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 접착층 형성용 수지 조성물을 제조하였다.
(2) 본딩 시트의 제조
상기 제조된 접착층 형성용 수지 조성물을 사용한 점을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 본딩 시트를 제조하였다.
[비교예: 본딩 시트의 제조]
비교예1
(1) 접착층 형성용 수지 조성물의 제조
말레산 무수물이 1.81 wt% 그라프트된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 25wt% 자일렌 용액(M1913, Asshi Kasei㈜ 제품) 200g, 비페닐 노볼락계 에폭시 수지 70wt% 자일렌 용액(NC-3000H, 일본 화약㈜ 제품, 에폭시 당량 288 g/eq) 35.7g, 4,4'-디아미노디페닐 설폰(4,4'-Diamino diphenyl sulfone)의 25wt% 메틸셀로솔브 용액 21.5g, 2-에틸-4-메틸이미다졸 25wt% 자일렌 용액 0.12g을 상온에서 혼합하여 접착층 형성용 수지 조성물을 제조하였다.
(2) 본딩 시트의 제조
상기 제조된 접착층 형성용 수지 조성물을 사용한 점을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 본딩 시트를 제조하였다.
비교예2
(1) 접착층 형성용 수지 조성물의 제조
말레산 무수물이 1.81 wt% 그라프트된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 25wt% 자일렌 용액(M1913, Asshi Kasei㈜ 제품) 200g, 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(YD-128, 에폭시 당량 187 g/eq, 국도화학㈜ 제품) 2.5g, 1,8-디아자바이시클로운데-7-켄(1,8-Diazabicycloundec-7-ene) 0.5g을 상온에서 혼합하여 접착층 형성용 수지 조성물을 제조하였다.
(2) 본딩 시트의 제조
상기 제조된 접착층 형성용 수지 조성물을 사용한 점을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 본딩 시트를 제조하였다.
[제조예: 연성 인쇄 회로 기판의 제조]
1. 연성 금속 적층체의 제조
(1) 열가소성 폴리이미드 전구체의 합성
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 n-메틸-2-피롤리돈 330g, 피로멜리틱 이무수물(Pyromellitic Dianhydride, PMDA) 20.0g, 2,2'-비스 [4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 (BAPP) 38.2g을 넣고, 50℃에서 10시간 동안 질소를 흘려주면서 교반기로 교반하면서 반응시켜 12,000 cP의 점도를 갖는 열가소성 폴리아믹산 용액을 얻었다.
(2) 불소계 수지(PTFE)가 분산된 저유전 폴리이미드의 전구체의 합성
1L의 폴리에틸렌 용기(PE bottle)에 질소를 충진하고, n-메틸-2-피롤리돈 600 g, 폴리테트라 플로오로에틸렌 마이크로 분말(PTFE micro powder, 입자 크기: 약 0.2 내지 3.0 ㎛) 200g 및 지름 2mm의 비드(bead) 600g, 폴리에스테르계 분산제 10.0g을 넣고, 고속 볼 밀링(ball milling) 기기에서 12시간 교반하였다.
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 상기 PTFE 마이크로 분말이 분산된 용액 50g, n-메틸-2-피롤리돈 260g, 피로멜리틱 이무수물(Pyromellitic Dianhydride) 25.5g, 2,2'-비스(트리플로오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 30.3g, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐 5.0g을 넣고, 50℃에서 10시간 동안 질소를 흘려주면서 교반기로 교반하면서 반응시켜 26,000 cP의 점도를 갖는 저유전 폴리아믹산 용액을 얻었다.
(3) 연성 금속 적층체의 제조
상기 제조된 열가소성 폴리아믹산 용액을 최종 두께가 2.0㎛가 되도록 동박(두께: 12 ㎛)의 Matte면에 코팅한 후 100℃에서 5분간 건조하였다. 상기 건조된 폴리아믹산 위에 상기 제조된 저유전 폴리아믹산 용액의 최종 두께가 21㎛가 되도록 코팅한 후 100℃에서 10 분간 건조하였다. 상기 건조된 저유전 폴리아믹산 위에 상기 제조된 열가소성 폴리아믹산 용액을 재차 최종 두께가 2.0㎛가 되도록 코팅한 후 100℃에서 5분간 건조하였다.
상기 건조 이후 형성된 적층체를 오븐에 넣고 100℃부터 서서히 승온하여 300℃ 내외의 온도 및 질소 분위기 하에서 30분간 열경화 하였다. 상기 열경화 이후, 상기 열가소성 폴리아믹산 용액의 코팅층의 다른 일면에 동박(두께: 12 ㎛)의 Matte면이 접하도록 하고 400℃에서 압착하여, 최외각 양면에 동박이 위치하는 연성 금속 적층체를 제조하였다.
2. 연성 인쇄 회로 기판의 제조
상기 실시예1의 접착층 형성용 수지 조성물을 폴리이미드 필름(LN050, SKC KOLON PI㈜ 제품, 두께 12㎛)의 일면에 건조 후 두께가 15㎛가 되도록 코팅한 후 100℃에서 5분간 건조하여 커버 레이를 제조하였다. 상기 제조된 연성 금속 적층체 일면의 동박을 선택적으로 에칭하여 시그널 라인(singnal line)을 형성한 이후, 상기 커버레이의 접착면에 시그널 라이에 접하도록 적층한 이후, 고온 프레스 기기를 사용하여 160℃에서 1시간 동안 3 MPa의 압력을 가하여 열경화 시켰다.
그리고, 상기 실시예 1 및 2와 비교예 1 및 2에서 제조된 본딩 시트에서 이형지 및 캐리어 필름을 제거하고 상기 커버 레이의 폴리이미드 필름 상에 적층하고, 상기 제조된 또 다른 하나의 연성 금속 적층체를 상기 본딩 시트 상에 적층한 후 160℃에서 1시간 동안 3 MPa의 압력을 가하여 열경화시켜서 연성 인쇄 회로 기판을 제조하였다.
[실험예]
1. 실험예1: 본딩 시트의 유전율 및 유전 손실 계수 측정
상기 실시예에서 제조된 본딩 시트에 대하여 유전 상수 및 유전손실계수를 다음과 같은 측정하여 그 결과를 하기 표1에 기재하였다.
구체적으로, 상기 실시예에서 제조된 본딩 시트의 유전율을 SPDR(split post dielectric resonance) 방법으로, 25℃ 및 50%RH 의 조건에서, Agiletn E5071B ENA장치를 이용하여 5 GHz에서의 유전율 및 유전손실계수를 측정하였다.
2. PI와의 접착력 측정
IPC-TM-650 2.4.9D의 기준에 의거하여, 폴리이미드 필름(LN050)과 폴리이미드 필름(LN050) 사이에 상기 실시예에서 제조된 본딩 시트를 적층하고 160℃에서 3 MPa의 압력을 1시간 동안 가하여 본딩 시트를 경화시킨 후 상온에서 Universal Testing Machine장비를 사용하여 폴리이미드 필름과 본딩 시트간의 접착력을 측정하였다.
3. 내열성 측정
IPC--TM-650 2.4.13의 기준에 의거하여, 상기 제조예에 제조된 연성 인쇄 회로 기판에 대하여 Solder Bath를 사용하고 288℃의 조건에서 Floating 방법으로 내열성을 측정하였다. 측정 결과 기포가 발생한 것을 NG로 평가하고, 기포가 발생하지 않은 것을 PASS로 하였다.
4. 내화학성 측정
IPC--TM-650 2.3.2의 기준에 의거하여, 상기 제조예에 제조된 연성 인쇄 회로 기판에 대하여 Universal Testing Machine장비를 사용하여 각각의 유기 용매에 일정 시간 침지한 이후 본딩 시트의 접착력을 측정하는 방법으로 내화학성을 측정하였다. 접착력이 유지되거나 20%이하로 감소되는 경우에는 PASS로 평가하고, 접착력 감소가 20%를 초과하면 NG로 평가하였다.
5. 전송 손실 측정
상기 제조예에 제조된 연성 인쇄 회로 기판에 대하여, Stripline을 제조하는 방법에 의거하여 Agilent사의 Network Analyzer E5071C 장비를 사용하고 10cm의 전송 선로에서의 전송 손실을 측정하였다.
연성 인쇄 회로 기판 중 본딩 시트 실시예1 실시예2 비교예1 비교예2
유전율 (Dk) @ 5GHz 2.6 2.6 3.1 2.5
유전손실계수(Df) @ 5GHz 0.006 0.006 0.015 0.003
PI와의 접착력 1.1 1.0 1.1 1.2
내열성 PASS PASS PASS NG
내화학성 PASS PASS PASS NG
전송손실 @ 10GHz -5.4 dB -5.4 dB -6.4 dB -5.2 dB
상기 표1에 나타난 바와 같이, 실시예1 및 2에서 제조된 저유전 본딩 시트는 비교예 1 및 2의 본딩 시트에 비하여 유전율 및 유전 손실 계수가 크게 낮음에 따라서 연성 인쇄 회로 기판에 적용하였을 때 크게 낮은 전송 손실 정도를 구현할 수 있으며, 아울러 폴리이미드 필름에 대한 접착력, 내열성 및 내화학성의 전반적인 물성이 상대적으로 우수하다는 점이 확인되었다.

Claims (25)

  1. 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하는 접착층;을 포함하고,
    상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 100중량부에 대하여,
    상기 에폭시 수지 10 내지 80중량부;
    산무수물계 화합물 10 내지 80중량부; 및
    이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매 0.05 내지 5중량부;를 포함하는, 인쇄 회로 기판용 본딩 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착층은 건조 상태 및 5 GHz 에서 2.8이하의 유전율(Dk)을 갖는, 본딩 시트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접착층 중 나트륨 또는 나트륨 이온의 함량이 100ppmw이하인, 본딩 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체는 30,000 내지 800,000의 중량평균분자량을 갖는, 본딩 시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체는 스티렌 유래 반복 단위 5 내지 50중량% 포함하는, 본딩 시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 비페닐 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 페놀 부가반응형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 본딩 시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 산무수물계 화합물은 스티렌-말레산 무수물 공중합체, 메틸테트라하이드로 무수프탈산, 무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산(Hexahydrophthalic Anhydride), 테트라하이드로 무수프탈산, 메틸헥사하이드로 무수프탈산(Methylhexahydrophthalic Anhydride), 메틸히믹 무수물(Methyl Himic Anhydride), 나딕메틸 무수물(NADIC Methyl Anhydride), 나딕 무수물(NADIC Anhydride) 및 도데세닐 무수호박산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는, 본딩 시트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 산무수물계 화합물 대비 상기 에폭시 수지의 중량비가 2.0 내지 0.05인, 본딩 시트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 본딩 시트는, 상기 접착층의 일면에 형성된 캐리어 필름;을 더 포함하는 본딩 시트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 본딩 시트는 상기 접착층의 일면에 형성된 이형 필름을 더 포함하는, 본딩 시트.
  11. 제1연성 금속 적층체;
    상기 제1연성 금속 적층체 상에 형성된 커버 레이;
    디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하고, 상기 커버 레이 상에 형성되는 본딩 시트; 및
    상기 본딩 시트 상에 형성되는 제2연성 금속 적층체;를 포함하고,
    상기 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 100중량부에 대하여,
    상기 에폭시 수지 10 내지 80중량부;
    산무수물계 화합물 10 내지 80중량부; 및
    이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매 0.05 내지 5중량부;를 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 연성 인쇄 회로 기판에 대하여 85℃ 및 85%RH에서 50V의 전압이 가해졌을 때 1,000 시간 이내에 CAF (Conductive Anodic Filament)에 의한 단락이 발생하지 않는, 연성 인쇄 회로 기판.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1연성 금속 적층체는 폴리이미드 수지층 및 상기 폴리이미드 수지층의 의 적어도 1면에 형성된 금속 박막을 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 연성 금속 적층체 및 제2연성 금속 적층체 각각은 폴리이미드 수지 30 내지 95중량%; 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량%를 포함한 폴리이미드 수지층; 및 금속 박막;을 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 폴리이미드 수지층이 25℃ 및 50%RH 의 환경 및 5 GHz에서 2.7이하의 유전율을 갖는, 연성 인쇄 회로 기판.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 폴리이미드 수지는 1,000 내지 500,000의 중량평균분자량을 갖는, 연성 인쇄 회로 기판.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 불소계 수지 입자 각각의 최대 직경은 0.05 ㎛ 내지 20㎛인, 연성 인쇄 회로 기판.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 폴리이미드 수지층은 1㎛ 내지 100㎛ 의 두께를 가지며,
    상기 금속 박막은 1㎛ 내지 50㎛의 두께를 갖는, 연성 인쇄 회로 기판.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 커버 레이는 상기 제1연성 금속 적층체에 접하는 접착층; 및 상기 접착층 상에 형성된 폴리이미드 수지 필름을 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 커버 레이의 접착층은 디카르복실산 또는 이의 산무수물이 0.1중량% 내지 15중량% 결합된 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체; 에폭시 수지; 이미다졸계 화합물, 이민계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한 경화 촉매; 및 산무수물계 화합물;를 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 폴리이미드 수지 필름은 15 ppm/K 내지 20 ppm/K의 열팽창계수를 갖는, 연성 인쇄 회로 기판.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 커버 레이의 접착층은 1㎛ 내지 200㎛의 두께를 갖고,
    상기 커버 레이의 폴리이미드 수지 필름은 1㎛ 내지 200㎛의 두께를 갖는, 연성 인쇄 회로 기판.
  23. 제11항에 있어서,
    상기 제2연성 금속 적층체 상에 형성된 커버 레이;
    상기 제2연성 금속 적층체 상에 형성된 커버 레이 상에 형성되는 제2본딩 시트; 및
    상기 제2본딩 시트 상에 형성되는 제3연성 금속 적층체;를 더 포함하는, 연성 인쇄 회로 기판.
  24. 제1항의 본딩 시트를 포함한 연성 인쇄 회로 기판.
  25. 삭제
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