TWI438673B - 導電片以及電容性觸控面板 - Google Patents

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TWI438673B
TWI438673B TW100117221A TW100117221A TWI438673B TW I438673 B TWI438673 B TW I438673B TW 100117221 A TW100117221 A TW 100117221A TW 100117221 A TW100117221 A TW 100117221A TW I438673 B TWI438673 B TW I438673B
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Description

導電片以及電容性觸控面板
本發明是有關於導電片(conductive sheet)以及電容性觸控面板(capacitive touch panel),例如適用於投射式電容性觸控面板中的導電片以及電容性觸控面板。
觸控面板近年來已吸引諸多關注。舉例而言,已揭露使用氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)作為電極材料來使電極矩陣較不可見的一些觸控面板(見日本特許公開專利公告第2010-086684號以及第05-224818號等)。
儘管觸控面板當前已主要用於諸如個人數位助理(personal digital assistant,PDA)以及行動電話等小型裝置,但預期其可用於諸如個人電腦顯示器之大型裝置。
習知電極是由氧化銦錫(ITO)構成,且因此具有約數百歐姆/平方之高電阻。因此,當將習知觸控面板用於上述未來趨勢中的大型裝置中時,大尺寸觸控面板在電極之間具有低的電流傳輸速率(current transfer rate),且因此展現出低的回應速度(花費長的時間來偵測用手指尖部所觸摸的位置)。
可配置由金屬細線(細金屬線)製成的大量柵格(lattice)以形成具有降低的表面電阻之電極。自以下各者可知使用細金屬線電極之觸控面板:國際公開案第WO 97/018508號、日本特許公開專利公告第2003-099185號、美國專利第5113041號、國際公開案第WO 95/027334號、美國專利申請公開案第2004/0239650號、美國專利第7202859號、國際公開案第WO 2010/013679號等。
根據國際公開案第WO 97/018508號、日本特許公開專利公告第2003-099185號、美國專利第5113041號(圖1a)以及國際公開案第WO 95/027334號之導電片各自具有藉由在垂直方向上配置大量細金屬線而形成的第一導電圖案、藉由在水平方向上配置大量細金屬線而形成的第二導電圖案以及安置於所述第一導電圖案與所述第二導電圖案之間的絕緣層。
根據美國專利申請公開案第2004/0239650號以及美國專利第7202859號之導電片各自具有第一導電圖案以及第二導電圖案,所述第一導電圖案是藉由在垂直方向上配置各自具有多個S形部分的若干細金屬線而形成,所述第二導電圖案是藉由在水平方向上配置各自具有多個S形部分的若干細金屬線而形成。
根據國際公開案第WO 2010/013679號之觸控開關(touch switch)具有:基板;以規則間隔配置於基板之一表面上的多個第一電極;以及以規則間隔配置於基板之另一表面上的多個第二電極,且所述第一電極與所述第二電極配置成柵格圖案。所述觸控開關附接至顯示裝置之前部。
此外,在國際公開案第WO 2010/013679號中,圖7所示之第一電極具有多個感測區段,所述多個感測區段各自包含由多個小柵格形成之組合。所述感測區段經由連接部件中由導電線形成之兩個連接路徑而連接。
然而,在以上實例中,不利地,當一根細金屬線斷開時,與所斷開的線相關聯的位址即無法辨識。在國際公開案第WO 2010/013679號的觸控開關中,第一電極之感測區段僅經由兩個連接路徑而連接。因此,所述兩個連接路徑皆斷開而使所述感測區段完全解除連接之可能性很大。
鑒於以上問題,本發明之目標為提供一種導電片以及一種電容性觸控面板,其與習知導電片以及電容性觸控面板相比可具有感測區段之間完全解除連接的可能性較低、可在基板上具有低電阻導電圖案,且可展現出改良之可視性、改良之觸摸位置偵測靈敏度以及改良之偵測準確性。
[1] 根據本發明之第一態樣之導電片,包含:基板;形成於基板之一個主表面上的第一導電部件;以及形成於基板之另一主表面上的第二導電部件,其中所述第一導電部件包含兩個或更多個第一導電圖案,所述兩個或更多個第一導電圖案各自包含藉由第一連接而在第一方向上串聯地電性連接之兩個或更多個第一感測區段且配置於垂直於所述第一方向之第二方向上;所述第二導電部件包含兩個或更多個第二導電圖案,所述兩個或更多個第二導電圖案各自包含藉由第二連接而在第二方向上串聯地電性連接之兩個或更多個第二感測區段且配置於所述第一方向上,所述第一感測區段以及所述第二感測區段各自包含由兩個或更多個小柵格形成之組合,所述第一導電圖案在自上方檢視時被配置成鄰近於所述第二導電圖案,所述第一連接與所述第二連接被配置為面向彼此,基板插入於其間,所述第一感測區段經由所述第一連接中之三個或更多個連接路徑而電性連接,且所述第二感測區段經由所述第二連接中之三個或更多個連接路徑而電性連接。
[2] 根據第一態樣之導電片,其中所述第一連接包含三根或更多根導電線,所述三根或更多根導電線連接一第一感測區段中之小柵格的一或多個頂點與另一第一感測區段中之小柵格的一或多個頂點,且所述第二連接包含三根或更多根導電線,所述三根或更多根導電線連接一第二感測區段中之小柵格的一或多個頂點與另一第二感測區段中之小柵格的一或多個頂點。
[3] 根據第一態樣之導電片,其中所述第一連接包含第一導電線部分以及第二導電線部分、第三導電線部分、以及第四導電線部分,所述第一導電線部分以及所述第二導電線部分連接一第一感測區段中之小柵格的一或多個頂點與另一第一感測區段中之小柵格的一或多個頂點,所述第三導電線部分連接所述一第一感測區段中之小柵格的另一頂點與所述第一導電線部分,且所述第四導電線部分連接所述另一第一感測區段中之小柵格的另一頂點與所述第二導電線部分;且所述第二連接包含第五導電線部分以及第六導電線部分、第七導電線部分、以及第八導電線部分,所述第五導電線部分以及第六導電線部分連接一第二感測區段中之小柵格的一或多個頂點與另一第二感測區段中之小柵格的一或多個頂點,所述第七導電線部分連接所述一第二感測區段中之小柵格的另一頂點與所述第五導電線部分,且所述第八導電線部分連接所述另一第二感測區段中之小柵格的另一頂點與所述第六導電線部分。
[4] 根據第一態樣之導電片,其中所述第一導電部件更包含第一輔助圖案,所述第一輔助圖案包含圍繞所述第一感測區段之一側邊的多個第一輔助線,所述第二導電部件更包含第二輔助圖案,所述第二輔助圖案包含圍繞所述第二感測區段之一側邊的多個第二輔助線,且所述第一輔助圖案以及所述第二輔助圖案彼此交疊以在自上方檢視時在所述第一導電圖案與所述第二導電圖案之間形成組合圖案。
[5] 根據第一態樣之導電片,其中所述組合圖案包含由兩個或更多個小柵格形成之組合。
[6] 根據第一態樣之導電片,其中所述第一感測區段與所述第二感測區段具有實質上相同的大小或具有不同大小。
[7] 根據第一態樣之導電片,其中所述第一感測區段是由實質上正方形的大柵格形成,且所述第二感測區段是由實質上長方形的大柵格形成。
[8] 根據本發明之第二態樣之導電片,包含基板以及形成於所述基板之主表面上的導電部件,其中所述導電部件包含兩個或更多個導電圖案,所述兩個或更多個導電圖案各自包含由細金屬線構成之兩個或更多個感測區段且配置於第二方向上,所述兩個或更多個感測區段藉由由細金屬線構成之連接而在第一方向上串聯地電性連接,所述第二方向垂直於所述第一方向,所述感測區段各自包含由兩個或更多個小柵格形成之組合,且所述感測區段經由所述連接中的三個或更多個連接路徑而電性連接。
[9] 根據第二態樣之導電片,其中當Na表示自一感測區段與所述連接之間的接觸點延伸至所述連接中的細金屬線之數目、Nb表示在所述連接中的多個相交點之間延伸的細金屬線之數目、Nc表示自另一鄰近感測區段與所述連接之間的接觸點延伸至所述連接中的細金屬線之數目、且N表示所述鄰近的兩個感測區段之間的連接路徑之數目時,所述導電片滿足N=Na×(Nb+Nc-1)。
[10] 根據第二態樣之導電片,其中所述連接包含在所述鄰近的兩個感測區段之間配置於預定連接方向上的四邊形部分,所述四邊形部分包含第一四邊形部分以及第二四邊形部分,所述第一四邊形部分具有距離為La之對置細金屬線,且所述第二四邊形部分具有距離為Lb之對置細金屬線,且所述四邊形部分滿足La>Lb。
[11] 根據第二態樣之導電片,其中所述距離Lb等於所述小柵格之邊長。
[12] 根據第二態樣之導電片,其中所述四邊形部分滿足1.2×LbLa3.0×Lb。
[13] 根據第二態樣之導電片,其中所述四邊形部分滿足La=2×Lb。
[14] 根據第二態樣之導電片,其中所述第一四邊形部分配置於所述第二四邊形部分之每一側邊上。
[15] 根據第二態樣之導電片,其中所述連接包含突起,所述突起由自側邊垂直地延伸之細金屬線構成,所述側邊之長度比所述小柵格之邊長大3倍或更多倍。
[16] 根據第二態樣之導電片,其中所述突起朝向所述連接之內部延伸。
[17] 根據第二態樣之導電片,其中所述突起自所述連接向外延伸。
[18] 根據本發明之第三態樣之導電片,其包含基板、形成於所述基板之一主表面上的第一導電部件、以及形成於所述基板之另一主表面上的第二導電部件,其中所述第一導電部件包含兩個或更多個第一導電圖案,所述兩個或更多個第一導電圖案各自包含藉由第一連接而連接之兩個或更多個第一襯墊部分,所述第二導電部件包含兩個或更多個第二導電圖案,所述兩個或更多個第二導電圖案各自包含藉由第二連接而連接之兩個或更多個第二襯墊部分,所述第一導電圖案與所述第二導電圖案在所述連接上大致垂直交叉,所述第一導電圖案與所述第二導電圖案由線寬為15 μm或小於15 μm之細線圖案構成,所述第一襯墊部分經由所述第一連接中之三個或更多個連接路徑而電性連接,且所述第二襯墊部分經由所述第二連接中之三個或更多個連接路徑而電性連接。
[19] 根據本發明之第四態樣之電容性觸控面板,包含根據第一態樣至第三態樣中任一態樣的導電片。
如上所述,在本發明中,與習知技術相比,可降低感測區段或襯墊之間完全解除連接的可能性,可降低基板上形成的導電圖案之電阻,可改良可視性,且所述導電片可適用於電容性觸控面板或其類似者。
結合附圖閱讀下文說明,可更顯而易見本發明之以上以及其他目標、特徵以及優點,在附圖中,以說明性實例方式展示本發明之較佳實施例。
本發明之導電片以及電容性觸控面板之若干實施例將在下文參考圖1至圖27加以描述。應注意,在此描述中,數值範圍「A至B」包含分別作為下限值及上限值的數值A及數值B。
如圖1以及圖2A所示,藉由堆疊第一導電片12A以及第二導電片12B而獲得根據第一實施例之導電片積層體(下文中稱為第一導電片積層體10A)。舉例而言,x方向對應於下文將描述之投射式電容性觸控面板100或配有投射式電容性觸控面板100之顯示面板110的水平或垂直方向(見圖7)。
如圖1以及圖3所示,第一導電片12A具有形成於第一透明基板14A之一主表面上的第一導電部件16A(見圖2A)。第一導電部件16A包含兩個或更多個第一導電圖案18A以及第一輔助圖案20A。所述第一導電圖案18A在第一方向(x方向)上延伸,且配置於垂直於第一方向之第二方向(y方向)上,各自包含大量柵格,且由細金屬線構成。第一輔助圖案20A圍繞第一導電圖案18A配置,且由細金屬線構成。
第一導電圖案18A包含由細金屬線構成的兩個或更多個第一大柵格(第一感測區段、第一襯墊部分)24A。第一大柵格24A在第一方向上串聯連接,且各自包含由兩個或更多個小柵格26形成之組合。以上第一輔助圖案20A是圍繞第一大柵格24A之一側邊形成,且不連接至第一大柵格24A。小柵格26在圖式中被展示為最小的正方形。第一連接28A形成於第一大柵格24A之間,且所述第一大柵格24A中之每二鄰近者藉由第一連接28A而電性連接。舉例而言,所述細金屬線包含金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)。所述細金屬線在下文中亦稱為導電線。
如圖3所示,第一大柵格24A所具有之形狀是以由小柵格26構成之正方形藉由自正方形對角線上的每一隅角(corner)移除若干小柵格26(在本實施例中,移除五個小柵格26)而提供。因此,第一大柵格24A具有四個直邊30以及兩個「之」字形邊32。
在本實例中,第一大柵格24A與第一連接28A在三個連接點(接觸點,意即第一接觸點34、第二接觸點36以及第三接觸點38)處連接。在第一大柵格24A中的小柵格26的頂點中,第一接觸點34對應於最靠近鄰近的第一大柵格24A的頂點。第二接觸點36對應於鄰近於「之」字形邊32上的第一接觸點34之頂點。第三接觸點38對應於次最靠近於鄰近的第一大柵格24A的頂點,因此對應於直邊30與「之」字形邊32之間的相交點。下文中將描述之第二大柵格24B具有相同接觸點。當區分鄰近的兩個第一大柵格24A時,第一大柵格24A中之一者用參考符號24Aa表示,且另一者用參考符號24Ab表示。
第一連接28A具有具L形之第一導電線部分40a,所述第一導電線部分40a之一隅角用於連接一第一大柵格24Aa之第一接觸點34與另一第一大柵格24Ab之第二接觸點36,且第一連接28A更具有具L形之第二導電線部分40b,所述第二導電線部分40b之一隅角用於連接所述另一第一大柵格24Ab之第一接觸點34與所述一第一大柵格24Aa之第二接觸點36。所述第一導電線部分40a以及所述第二導電線部分40b形成一個長方形部分42。
第三方向(m方向)平分第一方向與第二方向之間的夾角,且第四方向(n方向)垂直於所述第三方向。第一連接28A具有在第四方向上自所述一第一大柵格24Aa之第三接觸點38延伸至第一導電線部分40a之第三導電線部分40c,且更具有在所述第四方向上自所述另一第一大柵格24Ab之第三接觸點38延伸至第二導電線部分40b之第四導電線部分40d。另外,第一連接28A具有在第一導電線部分40a與第三導電線部分40c之間的相交點P1、在第二導電線部分40b與第三導電線部分40c之間的相交點P2、在第二導電線部分40b與第四導電線部分40d之間的相交點P3以及在第一導電線部分40a與第四導電線部分40d之間的相交點P4。因此,在第一連接28A中,所述長方形部分42包含:鄰近於所述一第一大柵格24Aa之第一長方形42a,其具有第一接觸點34、第二接觸點36、第一相交點P1以及第二相交點P2;第二長方形42b,其具有第一至第四相交點P1至P4;及鄰近於所述另一第一大柵格24Ab之第一長方形42a,其具有第一接觸點34、第二接觸點36、第三相交點P3以及第四相交點P4。
在第一長方形42a中,長邊較小柵格26之側邊長3倍,且短邊較小柵格26之側邊長2倍。另一方面,在第二長方形42b中,長邊較小柵格26之側邊長3倍,且短邊與小柵格26之側邊具有相同長度。因此,當第一長方形42a之細金屬線(長邊)被配置為以距離La面向彼此且第二長方形42b之細金屬線(長邊)被配置為以距離Lb面向彼此時,長方形部分42滿足La>Lb,且較佳滿足1.2×LbLa3.0×Lb。在此實例中,距離Lb等於如上所述之小柵格26之邊長,且長方形部分42滿足La=2×Lb。
如圖4所示,第一導電線部分40a包含在第四方向上自所述一第一大柵格24Aa之第一接觸點34延伸之第一導電線44a、在第三方向上自第一導電線44a之末端延伸至第一相交點P1之第二導電線44b、連接第一相交點P1與第四相交點P4之第三導電線44c以及連接第四相交點P4與所述另一第一大柵格24Ab的第二接觸點36之第四導電線44d。
第二導電線部分40b包含在第四方向上自所述另一第一大柵格24Ab之第一接觸點34延伸之第五導電線44e、在第三方向上自第五導電線44e之末端延伸至第三相交點P3之第六導電線44f、連接第三相交點P3與第二相交點P2之第七導電線44g以及連接第二相交點P2與所述一第一大柵格24Aa的第二接觸點36之第八導電線44h。
第三導電線部分40c包含連接所述一第一大柵格24Aa之第三接觸點38與第二相交點P2之第九導電線44i以及連接第二相交點P2與第一相交點P1之第十導電線44j。
第四導電線部分40d包含連接所述另一第一大柵格24Ab之第三接觸點38與第四相交點P4之第十一導電線44k以及連接第四相交點P4與第三相交點P3之第十二導電線441。
具有以上結構之第一連接28A用以經由三個或更多個連接路徑而電性連接第一大柵格24A。具體言之,自所述第一大柵格24Aa之第一接觸點34起始,第一連接28A具有以下六個連接路徑:
(1)第一連接路徑(比小柵格之邊長長12倍),其自第一大柵格24Aa之第一接觸點34經由導電線44a、44b、44c、441、44f以及44e延伸至第一大柵格24Ab之第一接觸點34;
(2)第二連接路徑(比小柵格之邊長長12倍),其自第一大柵格24Aa之第一接觸點34經由導電線44a、44b、44j、44g、44f以及44e延伸至第一大柵格24Ab之第一接觸點34;
(3)第三連接路徑(比小柵格之邊長長7倍),其自第一大柵格24Aa之第一接觸點34經由導電線44a、44b、44c以及44d延伸至第一大柵格24Ab之第二接觸點36;
(4)第四連接路徑(比小柵格之邊長長13倍),其自第一大柵格24Aa之第一接觸點34經由導電線44a、44b、44j、44g、44l以及44d延伸至第一大柵格24Ab之第二接觸點36;
(5)第五連接路徑(比小柵格之邊長長7倍),其自第一大柵格24Aa之第一接觸點34經由導電線44a、44b、44c以及44k延伸至第一大柵格24Ab之第三接觸點38;以及
(6)第六連接路徑(比小柵格之邊長長13倍),其自第一大柵格24Aa之第一接觸點34經由導電線44a、44b、44j、44g、44l以及44k延伸至第一大柵格24Ab之第三接觸點38。
第一連接28A更具有自第一大柵格24Aa之第二接觸點36以及第三接觸點38中之每一者開始的六個連接路徑,但不再予以贅述。因此,第一連接28A具有十八個連接路徑。
因此,一般而言,當N表示所述鄰近的兩個大柵格之間的連接路徑數目、Na表示自所述一大柵格與所述連接之間的接觸點延伸至所述連接中的細金屬線之數目、Nb表示在所述連接中的相交點之間延伸的細金屬線之數目且Nc表示自所述另一大柵格與所述連接之間的接觸點延伸至所述連接中的細金屬線之數目時,導電片滿足N=Na×(Nb+Nc-1)。
在圖3所示之第一連接28A之實例中,Na為3,Nb為4,Nc為3,且因此N=3×(4+3-1)=18,如圖5A所示。
第一連接28A之變化實例包含圖5B以及圖5C所示之實例。在圖5B之第一變化實例中,Na為4,Nb為7,Nc為4,且因此N=4×(7+4-1)=40。在圖5C之第二變化實例中,Na為4,Nb為12,Nc為4,且因此N=4×(12+4-1)=60。
第一連接28A更具有由細金屬線(第一突出線52A)構成的突起。所述突起中之每一者垂直於第一長方形42a之長邊(比小柵格26之側邊長3倍或更多倍),且自所述長邊上的第一接觸點34朝向第二長方形42b延伸。因此,所述突起朝向第一連接28A之內側延伸。第一突出線52A之長度等於小柵格26之邊長。
電性隔離之第一絕緣體54A安置於所述鄰近的第一導電圖案18A之間。
第一輔助圖案20A包含軸線方向平行於第三方向之多根第一輔助線56A(沿垂直於第三方向之第一大柵格24A之側邊配置)、軸線方向平行於第四方向之多根第一輔助線56A(沿垂直於第四方向之第一大柵格24A之側邊配置)以及被配置為面向彼此之兩個第一L形圖案58A。第一L形圖案58A中之每一者是藉由將兩個第一輔助線56A在第一絕緣體54A中組合成L形而形成。
每一第一輔助線56A之軸線方向長度為小柵格26之內側邊長的1/2。第一輔助線56A定位於距第一大柵格24A預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之內側邊長的1/2的距離)處。
如圖1所示,在具有以上結構的第一導電片12A中,在每一第一導電圖案18A之一末端中,第一連接28A未形成於第一大柵格24A之開放末端中。在第一導電圖案18A之另一末端中,第一大柵格24A之末端藉由第一線連接60A而電性連接至由細金屬線構成的第一端子佈線圖案62A。
另一方面,如圖1以及圖6所示,第二導電片12B具有形成於第二透明基板14B之一主表面上的第二導電部件16B(見圖2A)。第二導電部件16B包含兩個或更多個第二導電圖案18B以及第二輔助圖案20B。所述第二導電圖案18B在第二方向(y方向)上延伸,且配置於第一方向(x方向)上,各自包含大量柵格,且由細金屬線構成。第二輔助圖案20B圍繞第二導電圖案18B配置,且由細金屬線構成。
第二導電圖案18B包含由細金屬線構成的兩個或更多個第二大柵格(第二感測區段、第二襯墊部分)24B。第二大柵格24B在第二方向上串聯連接,且各自包含兩個或更多個小柵格26之組合。以上第二輔助圖案20B是圍繞第二大柵格24B之一側邊形成,且不連接至第二大柵格24B。第二連接28B形成於第二大柵格24B之間,且所述第二大柵格24B中之每二鄰近者藉由第二連接28B而電性連接。
如圖6所示,第二大柵格24B具有由小柵格26構成的正方形所提供之形狀,在所述正方形之對角線上的每一隅角處自所述正方形移除若干小柵格26(在本實施例中,移除五個小柵格26)。因此,第二大柵格24B具有四個直邊30以及兩個「之」字形邊32。
當在以下解釋中區分所述鄰近的兩個第二大柵格24B時,第二大柵格24B中之一者用參考符號24Ba表示,且另一者用參考符號24Bb表示。
第二連接28B與第一連接28A具有相同結構,故不再予以贅述。第二連接28B具有具L形之第五導電線部分40e,所述第五導電線部分40e之一隅角用於連接所述一第二大柵格24Ba之第一接觸點34與所述另一第二大柵格24Bb之第二接觸點36,且第二連接28B更具有具L形之第六導電線部分40f,所述第六導電線部分40f之一隅角用於連接所述另一第二大柵格24Bb之第一接觸點34與所述一第二大柵格24Ba之第二接觸點36。所述第五導電線部分40e以及所述第六導電線部分40f形成一個長方形部分42。
第二連接28B具有在第四方向上自所述一第二大柵格24Ba之第三接觸點38延伸至第五導電線部分40e之第七導電線部分40g,且更具有在所述第四方向上自所述另一第二大柵格24Bb之第三接觸點38延伸至第六導電線部分40f之第八導電線部分40h。
儘管圖6中未展示,但第五導電線部分40e以與第一導電線部分40a相同之方式包含第一導電線至第四導電線44a至44d,第六導電線部分40f以與第二導電線部分40b相同之方式包含第五導電線至第八導電線44e至44h,第七導電線部分40g以與第三導電線部分40c相同之方式包含第九導電線以及第十導電線44i以及44j,且第八導電線部分40h以與第四導電線部分40d相同之方式包含第十一導電線以及第十二導電線44k至441。
第二連接28B中之其他組件與第一連接28A之組件相同,故不再予以贅述。
在第二導電片12B中,電性隔離之第二絕緣體54B安置於所述鄰近的第二導電片18B中。
第二輔助圖案20B包含軸線方向平行於第四方向之多根第二輔助線56B(沿垂直於第四方向之第二大柵格24B之側邊配置)、軸線方向平行於第三方向之多根第二輔助線56B(沿垂直於第三方向之第二大柵格24B之側邊配置)以及被配置為面向彼此之兩個第二L形圖案58B。第二L形圖案58B中之每一者是藉由將兩個第二輔助線56B在第二絕緣體54B中組合成L形而形成。
每一第二輔助線56B之軸線方向長度為小柵格26之內側邊長的1/2。第二輔助線56B定位於距第二大柵格24B預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之內側邊長的1/2的距離)處。
如圖1所示,在具有以上結構的第二導電片12B中,例如,在每一交替奇數編號之第二導電圖案18B之一末端中以及在每一偶數編號的第二導電圖案18B之另一末端中,未形成第二連接28B以便製成第二大柵格24B之開放末端。在每一奇數編號之第二導電圖案18B之另一末端中以及在每一偶數編號的第二導電圖案18B之一末端中,第二大柵格24B之末端藉由第二線連接60B而電性連接至由細金屬線構成的第二端子佈線圖案62B。
第一大柵格24A以及第二大柵格24B中之每一者的邊長(直邊30之長度)較佳為3 mm至10 mm,更佳為4 mm至6 mm。當所述邊長小於下限時,例如在將第一導電片12A以及第二導電片12B用於觸控面板中的情況下,第一大柵格24A以及第二大柵格24B在偵測過程中展現出降低的靜電電容,且觸控面板可能會引起偵測問題。另一方面,當所述邊長大於上限時,位置偵測準確性可能會劣化。出於相同原因,第一大柵格24A以及第二大柵格24B中之每一小柵格26的邊長較佳為50 μm或大於50 μm,更佳為50 μm至500 μm,尤其更佳為150 μm至300 μm。當小柵格26之邊長在此範圍內時,第一導電片12A以及第二導電片12B具有高的透明度,且由此可以極佳的可視性而適當地用於顯示裝置之前部。
第一導電圖案18A(第一大柵格24A以及第一連接28A)以及第二導電圖案18B(第二大柵格24B以及第二連接28B)中之每一者的線寬為1 μm至15 μm。
第一輔助圖案20A(第一輔助線56A)以及第二輔助圖案20B(第二輔助線56B)中之每一者的線寬為1 μm至15 μm,且可等於或不同於第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B之線寬。較佳使第一導電圖案18A、第二導電圖案18B、第一輔助圖案20A以及第二輔助圖案20B具有相同線寬。
在下文中將參考圖7描述包含第一導電片12A以及第二導電片12B之觸控面板100。
觸控面板100具有感測器本體102以及諸如輸入電路之控制電路(圖中未示)。如圖1、圖2A以及圖7所示,感測器本體102包含以上第一導電片積層體10A(第一導電片12A與第二導電片12B之堆疊)以及位於第一導電片積層體10A上之保護層106(圖2A中未展示)。第一導電片積層體10A以及保護層106可安置於諸如液晶顯示器之顯示裝置108的顯示面板110上。在自上方檢視時,感測器本體102具有對應於顯示面板110之顯示螢幕110a的感測器區域112以及對應於顯示面板110之周邊的端子佈線區域114(所謂的框架)。
如圖1所示,在用於觸控面板100中之第一導電片12A中,以上第一導電圖案18A被配置於感測器區域112中,且由細金屬線構成的第一端子佈線圖案62A自端子佈線區域114中之第一線連接60A延伸。
在圖7之實例中,在自上方檢視時,第一導電片12A以及感測器區域112各自具有長方形形狀。在端子佈線區域114中,多個第一端子116a在第一導電片12A之一長邊上配置於周邊之長度方向上的縱向中心中。第一線連接60A沿著感測器區域112之一長邊(最接近於第一導電片12A之一長邊的長邊)在y方向上配置成直線。第一端子佈線圖案62A自每一第一線連接60A延伸至第一導電片12A之所述一長邊的中心,且電性連接至對應的第一端子116a。因此,與形成於感測器區域112的所述一長邊之左側以及右側的每一對對應的第一線連接60A相連接之第一端子佈線圖案62A均具有大致相同之長度。當然,第一端子116a可形成於第一導電片12A之隅角中或隅角附近。然而,在此情況下,最長的第一端子佈線圖案62A與最短的第一端子佈線圖案62A之間的長度差異增大,藉此不利地使最長的第一端子佈線圖案62A以及其附近的第一端子佈線圖案62A在向對應的第一導電圖案18A傳送信號的速率方面不佳。因此,在本實施例中,第一端子116a形成於第一導電片12A之所述一長邊的縱向中心,藉此防止局部信號傳送速率劣化,以增大回應速度。
同樣,在第二導電片12B中,第二導電圖案18B配置於感測器區域112中,且第二端子佈線圖案62B自端子佈線區域114中之第二線連接60B延伸。
如圖7所示,在端子佈線區域114中,多個第二端子116b在第二導電片12B之一長邊上配置於周邊之長度方向上的縱向中心。舉例而言,奇數編號的第二線連接60B沿感測器區域112之一短邊(最接近於第二導電片12B之一短邊的短邊)在x方向上配置成直線,且偶數編號的第二線連接60B沿感測器區域112之另一短邊(最接近於第二導電片12B之另一短邊的短邊)在x方向上配置成直線。
舉例而言,每一奇數編號的第二導電圖案18B連接至對應的奇數編號的第二線連接60B,且每一偶數編號的第二導電圖案18B連接至對應的偶數編號的第二線連接60B。第二端子佈線圖案62B自奇數編號的以及偶數編號的第二線連接60B延伸至第二導電片12B之一長邊的中心,且各自電性連接至對應的第二端子116b。因此,舉例而言,第一個與第二個第二端子佈線圖案62B具有大致相同的長度,且類似地,第(2n-1)個與第(2n)個第二端子佈線圖案62B具有大致相同的長度(n=1、2、3、......)。
當然,第二端子116b可形成於第二導電片12B之隅角中或隅角附近。然而,在此情況下,如上所述,不利地使最長的第二端子佈線圖案62B以及其附近的第二端子佈線圖案62B在向對應的第二導電圖案18B傳送信號的速率方面不佳。因此,在本實施例中,第二端子116b形成於第二導電片12B之所述一長邊的縱向中心,藉此防止局部信號傳送速率劣化,以增大回應速度。
第一端子佈線圖案62A可以與上述第二端子佈線圖案62B相同之方式配置,且第二端子佈線圖案62B可以與上述第一端子佈線圖案62A相同之方式配置。
當將第一導電片積層體10A使用於觸控面板100中時,保護層形成於第一導電片12A上,且自第一導電片12A中之第一導電圖案18A延伸的第一端子佈線圖案62A以及自第二導電片12B中之第二導電圖案18B延伸的第二端子佈線圖案62B連接至掃描控制電路或類似電路。
自電容技術或互電容技術(self or mutual capacitance technology)可較佳地用於偵測觸摸位置。在自電容技術中,將用於偵測觸摸位置的電壓信號依次供應至第一導電圖案18A,且進一步將用於偵測觸摸位置之電壓信號依次供應至第二導電圖案18B。當手指接觸或接近於保護層106之上表面時,觸摸位置以及GND(接地)中的第一導電圖案18A與第二導電圖案18B之間的電容增大,藉此使來自此第一導電圖案18A以及此第二導電圖案18B之信號所具有之波形不同於來自其他導電圖案之信號之波形。因此,可由控制電路基於自第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B傳輸之信號而計算觸摸位置。另一方面,在互電容技術中,舉例而言,將用於偵測觸摸位置的電壓信號依次供應至第一導電圖案18A,且使第二導電圖案18B依次經受感測(感測所傳輸之信號)。當手指接觸或接近於保護層106之上表面時,手指之雜散電容(stray capacitance)並列地加至觸摸位置中第一導電圖案18A與第二導電圖案18B之間的寄生電容,藉此使來自此第二導電圖案18B之信號所具有之波形不同於來自其他第二導電圖案18B之信號之波形。因此,可由控制電路基於向第一導電圖案18A供應電壓信號之次序以及自對應的第二導電圖案18B所傳輸之信號而計算觸摸位置。即使當兩個手指同時接觸或接近於保護層106之上表面時,亦可藉由使用自電容技術或互電容技術來偵測觸摸位置。用於投射式電容性技術中的習知相關偵測電路描述於美國專利第4,582,955號、第4,686,332號、第4,733,222號、第5,374,787號、第5,543,588號以及第7,030,860號、美國專利申請公開案第2004/0155871號等中。
舉例而言,如圖8所示,當第一導電片12A堆疊於第二導電片12B上而形成第一導電片積層體10A時,第一導電圖案18A與第二導電圖案18B交叉。具體言之,第一導電圖案18A之第一連接28A與第二導電圖案18B之第二連接28B被配置為面向彼此,使第一透明基板14A(見圖2A)插入於其間,且同樣,第一導電部件16A之第一絕緣體54A與第二導電部件16B之第二絕緣體54B被配置為面向彼此,使第一透明基板14A插入於其間。儘管第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B在圖3、圖6、圖8至圖15以及圖17至圖24中分別以粗線與細線加以誇示以清楚地表示其位置,但其具有相同線寬。
當自上方觀察堆疊之第一導電片12A以及第二導電片12B時,第一導電片12A之第一大柵格24A之間的空間被填充以第二導電片12B之第二大柵格24B。因此,表面被大柵格覆蓋。在此情況下,第一輔助圖案20A與第二輔助圖案20B彼此交疊,以在第一大柵格24A與第二大柵格24B之間形成組合圖案75。
在組合圖案75中,第一輔助線56A與第二輔助線56B垂直交叉,且並不彼此交疊。
因此,在組合圖案75中,沿第一大柵格24A之一側邊配置的第一輔助線56A與沿第二大柵格24B之一側邊配置的第二輔助線56B之組合使得在自上方檢視時,每一第一輔助線56A之一末端(距第一大柵格24A較遠之末端)連接至第二大柵格24B之直邊30,每一第一輔助線56A之另一末端(較接近於第一大柵格24A之末端)連接至第二輔助線56B之一末端(較接近於第二大柵格24B之末端),且每一第二輔助線56B之另一末端(距第二大柵格24B較遠之末端)連接至第一大柵格24A之直邊30,以使多個小柵格26排成陣列。結果,可幾乎不會發現第一大柵格24A與第二大柵格24B之間的邊界。
舉例而言,在不形成第一輔助圖案20A以及第二輔助圖案20B之情況下,會形成對應於組合圖案75之空白區域,由此使第一大柵格24A以及第二大柵格24B之邊緣高度地可見,從而使可視性劣化。可藉由使第一大柵格24A之每一直邊30與第二大柵格24B之對應直邊30交疊以防止形成空白區域來解決此問題。然而,當堆疊位置準確性出現些微劣化時,直線之交疊具有大的寬度(直線加厚),由此使第一大柵格24A與第二大柵格24B之間的邊界高度地可見,從而使可視性劣化。
相比之下,在本實施例中,第一輔助線56A以及第二輔助線56B以上述方式加以堆疊,由此使得第一大柵格24A與第二大柵格24B之間的邊界較不可見,以改良可視性。
在第一大柵格24A之每一直邊30均與第二大柵格24B之對應直邊30交疊以防止形成如上所述之空白區域的情況下,第二大柵格24B的直邊30定位於第一大柵格24A之直邊30正下方。在此情況下,第一大柵格24A以及第二大柵格24B之所有直邊30均充當導電部分,使得於第一大柵格24A之直邊30與第二大柵格24B之直邊30之間形成寄生電容,且所述寄生電容對電荷資訊(charge information)具有雜訊之作用而使S/N比顯著劣化。此外,由於在每一對第一大柵格24A與第二大柵格24B之間形成寄生電容,因此大量寄生電容並聯連接於第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B中而增大CR時間常數。當CR時間常數增大時,存在以下可能性:供應至第一導電圖案18A(以及第二導電圖案18B)之電壓信號的波形上升時間增大,且幾乎不會在預定掃描時間內產生用於偵測位置之電場。此外,存在以下可能性:自第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B中之每一者傳輸的信號之波形上升時間或下降時間變長,且無法在預定掃描時間內偵測到所傳輸信號之波形變化。此導致偵測準確性劣化以及回應速度劣化。因此,在此情況下,僅能藉由減少第一大柵格24A以及第二大柵格24B之數目(降低解析度)或藉由減小顯示螢幕之大小來提高偵測準確性以及回應速度,且無法將層壓導電片用於諸如B5大小、A4大小或更大的螢幕等大螢幕中。
相比之下,在本實施例中,如圖2A所示,第一大柵格24A之直線30與第二大柵格24B之直線30之間的投影距離Lf大致等於小柵格26之邊長。因此,僅有小的寄生電容形成於第一大柵格24A與第二大柵格24B之間。結果,可減小CR時間常數以提高偵測準確性以及回應速度。在第一輔助圖案20A以及第二輔助圖案20B之組合圖案75中,第一輔助線56A之末端可與第二輔助線56B之末端交疊。然而,此交疊並不會導致第一大柵格24A與第二大柵格24B之間之寄生電容增大,此是因為第一輔助線56A不與第一大柵格24A連接而是與其電性隔離,且第二輔助線56B不與第二大柵格24B連接而是與其電性隔離。
較佳不是取決於第一大柵格24A以及第二大柵格24B之大小而是取決於第一大柵格24A以及第二大柵格24B中小柵格26之大小(線寬以及邊長)來適當地確定投影距離Lf之最佳值。當小柵格26之大小相較第一大柵格24A以及第二大柵格24B之大小過大時,層壓之導電片可能會具有高透光性,但所傳輸信號之動態範圍可能減小,從而降低偵測靈敏度。另一方面,當小柵格26之大小過小時,層壓之導電片可能會具有高的偵測靈敏度,但透光性可能因線寬減小之限制而劣化。
當小柵格26具有1 μm至15 μm之線寬時,投影距離Lf之最佳值(最佳距離)較佳為100 μm至400 μm,更佳為200 μm至300 μm。在小柵格26具有較小線寬之情況下,所述最佳距離可進一步減小。然而,在此情況下,電阻可能會增大,且CR時間常數即使在小寄生電容下亦可能增大,從而使偵測靈敏度以及回應速度劣化。因此,小柵格26之線寬較佳在以上範圍內。
舉例而言,基於顯示面板110之大小或感測器區域112之大小及觸摸位置偵測解析度(驅動脈衝週期或類似因素)來確定第一大柵格24A、第二大柵格24B以及小柵格26之大小,且基於小柵格26之線寬來獲得第一大柵格24A與第二大柵格24B之間的最佳距離。
在本實施例中,在端子佈線區域114中,第一端子116a在第一導電片12A之所述一長邊上形成於周邊之縱向中心中,且第二端子116b在第二導電片12B之所述一長邊上形成於周邊之縱向中心中。特定言之,在圖7之實例中,第一端子116a與第二端子116b彼此接近但不交疊,且第一端子佈線圖案62A與第二端子佈線圖案62B彼此不交疊。舉例而言,第一端子116a可與奇數編號之第二端子佈線圖案62B部分交疊。
因此,第一端子116a與第二端子116b可藉由使用線纜以及兩個連接器(一個連接器用於第一端子116a,且一個連接器用於第二端子116b)或一個連接器(用於第一端子116a以及第二端子116b的複合連接器)而電性連接至控制電路。
由於第一端子佈線圖案62A以及第二端子佈線圖案62B並不與彼此垂直交疊,因此其間的寄生電容減小以防止回應速度劣化。
由於第一線連接60A沿感測器區域112之一長邊配置且第二線連接60B沿感測器區域112之兩個短邊配置,因此可減小端子佈線區域114之面積。因此,可容易地減小包含觸控面板100之顯示面板110的大小,且可使顯示螢幕110a看起來感覺較大。亦可改良觸控面板100之可操作性。
可藉由減小相鄰近的第一端子佈線圖案62A或相鄰近的第二端子佈線圖案62B之間的距離來進一步減小端子佈線區域114之面積。為防止位移,所述距離較佳為10 μm至50 μm。
或者,可藉由自上方所檢視將第二端子佈線圖案62B配置於相鄰近的第一端子佈線圖案62A之間而減小端子佈線區域114之面積。然而,當圖案未對準時,第一端子佈線圖案62A可能會與第二端子佈線圖案62B垂直交疊,從而增加其間的寄生電容。此導致回應速度劣化。因此,在此種配置之情況下,相鄰近的第一端子佈線圖案62A之間的距離較佳為50 μm至100 μm。
如圖7所示,第一對準標記118a以及第二對準標記118b較佳形成於例如第一導電片12A以及第二導電片12B之隅角上。所述第一對準標記118a以及第二對準標記118b用於在接合第一導電片12A與第二導電片12B之製程中定位所述導電片。當接合第一導電片12A與第二導電片12B以獲得第一導電片積層體10A時,第一對準標記118a以及第二對準標記118b形成複合對準標記。所述複合對準標記可用於在附接至顯示面板110之製程中定位第一導電片積層體10A。
在第一導電片積層體10A中,第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B之CR時間常數可顯著減小,由此可增大回應速度,且可易於在操作時間(掃描時間)內執行位置偵測。因此,可容易地增大觸控面板100之螢幕大小(並非厚度,而是長度以及寬度)。
當自上方觀察第一連接28A與第二連接28B之間的交疊時,第一導電線44a與第二導電線44b之間的在第一導電片12A之第一導電線部分40a中的連接點位於小柵格26的在第二大柵格24B之「之」字形邊32上的頂點76處,第一導電線44a與第二導電線44b之間的在第二導電片12B之第五導電線部分40e中的連接點位於小柵格26的在第一大柵格24A之「之」字形邊32上的頂點78處,第一突出線52A之諸末端分別位於第二連接28B之第一相交點P1與第三相交點P3處,第二突出線52B之諸末端分別位於第一連接28A之第一相交點P1與第三相交點P3處,且第一連接28A中之第一導電線部分40a至第四導電線部分40d以及第一突出線52A與第二連接28B中的第五導電線部分40e至第八導電線部分40h以及第二突出線52B組合地形成多個小柵格26。因此,藉由在第一連接28A與第二連接28B之交疊部分中組合第一連接28A與第二連接28B而形成小柵格26。如此形成之小柵格26無法與第一大柵格24A以及第二大柵格24B中之周圍小柵格26區分開,使得可視性得以改良。
當自上方觀察第一絕緣體54A與第二絕緣體54B之間的交疊時,第一L形圖案58A之隅角位於第二大柵格24B中之直邊30的連接點處,第二L形圖案58B之隅角位於第一大柵格24A中之直邊30的連接點處,且第一L形圖案58A以及第二L形圖案58B組合地形成多個小柵格26。如此形成之小柵格26無法與第一大柵格24A以及第二大柵格24B中之周圍小柵格26區分開,使得可視性得以改良。
在本實施例中,第一大柵格24A經由第一連接28A中之十八個連接路徑進行連接。因此,舉例而言,即使當第二導電線部分40b之部分與第三導電線部分40c之部分在第一連接28A中斷開時,亦可藉由未斷開的第一連接路徑以及其類似者來維持第一大柵格24A之間的電性連接。因此,與習知技術相比,可降低第一連接28A完全斷開的可能性。
在本實施例中,第一連接28A具有比小柵格26之邊長長7倍的連接路徑(諸如第三連接路徑或第五連接路徑)、比所述邊長長8倍的連接路徑、比小柵格26之邊長長12倍的連接路徑(諸如第一連接路徑或第二連接路徑)以及比小柵格26之邊長長13倍的連接路徑(諸如第四連接路徑或第六連接路徑)。每一連接中的第三導電線44c以及第七導電線44g具有等於小柵格26之邊長的長度。因此,第三導電線44c或第七導電線44g在連接路徑中斷開的可能性為1/7或更小。因此,第一連接28A中的第三導電線44c以及第七導電線44g兩者皆斷開(第一連接28A完全斷開)的可能性顯著降低。比小柵格26之邊長長8倍的連接路徑之實例包含自第一大柵格24Aa之第三接觸點38經由第三導電線部分40c、第三導電線44c以及第四導電線44d延伸至第一大柵格24Ab的第二接觸點36之連接路徑。
第二連接28B具有相同結構,且第二大柵格24B經由第二連接28B中之十八個連接路徑進行連接。因此,舉例而言,即使當第六導電線部分40f之部分與第七導電線部分40g之部分在第二連接28B中斷開時,亦可藉由未斷開的第一連接路徑以及其類似者來維持第二大柵格24B之間的電性連接。因此,與習知技術相比,可降低第二連接28B完全斷開的可能性。
如上所述,第一導電片積層體10A具有低表面電阻。因此,當將第一導電片積層體10A用於投射式電容性觸控面板或其類似者中時,可容易地增大觸控面板之回應速度以及大小。此外,充當電荷儲存單元之第一大柵格24A以及第二大柵格24B各自包含大量小柵格26。因此,第一大柵格24A以及第二大柵格24B可儲存大量信號電荷,藉此增加輸出對輸入(output to input)之動態範圍。因此,當將第一導電片12A、第二導電片12B或第一導電片積層體10A用於觸控面板中時,可增大偵測手指觸摸位置之靈敏度(偵測靈敏度)。此外,可增大信號分量對雜訊分量之比率,且可提高偵測信號之S/N比。此會達成觸摸位置偵測準確性之提高。
此外,圍繞第一導電片12A中之第一大柵格24A形成的第一輔助圖案20A與圍繞第二導電片12B中之第二大柵格24B形成的第二輔助圖案20B之組合、第一連接28A與第二連接28B之組合以及第一絕緣體54A與第二絕緣體54B之組合形成多個小柵格26。因此,可使得第一導電片12A之第一大柵格24A與第二導電片12B之第二大柵格24B之間的邊界較不可見,可防止諸如局部線加厚之缺陷,且可改良總體可視性。
儘管小柵格26在以上第一導電片積層體10A中具有正方形形狀,但其可具有另一多邊形形狀。小柵格26之每一側邊可具有直線形狀、曲線形狀或弧形形狀。當小柵格26具有弧形側邊時,舉例而言,兩個對置側邊可具有向外突出的弧形形狀,且另兩個對置側邊可具有向內突出的弧形形狀。或者,每一側邊可具有波浪形狀,包含連續形成的向外突出的弧形以及向內突出的弧形。當然,每一側邊可具有正弦曲線形狀。
儘管第一導電線44a以及第五導電線44e在以上第一導電片12A以及第二導電片12B中為小柵格26之側邊的兩倍長,但所述線中之每一者可例如比小柵格26之側邊長1.5倍、2.5倍或3倍。儘管第一導電線部分40a中在第三方向上延伸的導電線(第二導電線44b、第三導電線44c以及第四導電線44d)、第二導電線部分40b中(第五導電線44e、第六導電線44f以及第七導電線44g)、第三導電線部分40c中以及第四導電線部分40d中在第三方向上延伸的導電線比小柵格26之側邊長5倍,但所述線中之每一者可例如比所述側邊長3倍、4倍或6倍。然而,當第一連接28A以及第二連接28B具有過大之大小時,第一大柵格24A以及第二大柵格24B無法容易地配置,且其交疊展現出具有相當大雜訊分量的大靜電電容變化量。因此,較佳使第一導電線44a以及第五導電線44e比小柵格26之側邊長4倍或小於4倍,且在第一導電線部分40a中沿著第三方向延伸的導電線、在第二導電線部分40b、第三導電線部分40c以及第四導電線部分40d中沿著第三方向延伸的導電線比小柵格26之側邊長6倍或小於6倍。
第一連接28A之結構可視情況加以修改,只要第一連接28A具有三個或更多個連接路徑即可。舉例而言,第三導電線部分40c或第四導電線部分40d可自第一連接28A中省略。在此情況下,第一連接28A具有九個連接路徑。因此,僅需使第一連接28A具有三個或更多個導電線以用於連接第一大柵格24Aa中之小柵格26的一或多個頂點與第一大柵格24Ab中的小柵格26的一或多個頂點。對於第二連接28B亦為此情況。
同樣,小柵格26之大小(包含邊長以及對角線長度)、第一大柵格24A中之小柵格26的數目以及第二大柵格24B中之小柵格26之數目可取決於使用導電片之觸控面板的大小以及解析度(線數目)而加以適當選擇。
如圖1以及圖2A所示,在以上第一導電片積層體10A中,第一導電部件16A形成於第一透明基板14A之所述一主表面上,第二導電部件16B形成於第二透明基板14B之所述一主表面上,且所得導電片加以堆疊。或者,如圖2B所示,第一導電部件16A可形成於第一透明基板14A之一主表面上,且第二導電部件16B可形成於第一透明基板14A之另一主表面上。在此情況下,不使用第二透明基板14B,第一透明基板14A堆疊於第二導電部件16B上,且第一導電部件16A堆疊於第一透明基板14A上。此外,另一層可安置於第一導電片12A與第二導電片12B之間。第一導電部件16A以及第二導電部件16B可被配置為面向彼此,只要其絕緣即可。
下文將參考圖9至圖11描述根據第二實施例之導電片積層體(下文中稱為第二導電片積層體10B)。
第二導電片積層體10B與上述第一導電片積層體10A具有大致相同結構,但其差異在於,如圖9所示,突起(第一突出線52A)未形成於第一導電片12A之第一連接28A中,且如圖10所示,突起(第二突出線52B)未形成於第二導電片12B之第二連接28B中。
因此,如圖11所示,當第一導電片12A與第二導電片12B經堆疊以形成第二導電片積層體10B時,於第一連接28A中鄰近於第一相交點P1之部分以及鄰近於第三相交點P3之部分中的每一者中均形成與兩個小柵格26具有相同大小的第一空白區域27A,且於第二連接28B中鄰近於第一相交點P1之部分以及鄰近於第三相交點P3之部分中的每一者中均形成與兩個小柵格26具有相同大小的第二空白區域27B。
在本實施例中,儘管第一空白區域27A以及第二空白區域27B因為其規則地排列且具有等於兩個小柵格26的小的大小而不太可見,但第二導電片積層體10B在可視性上仍劣於第一導電片積層體10A。在第一導電片積層體10A中,如圖8所示,每一第二空白區域27B藉由第一連接28A中之突起(第一突出線52A)而劃分為兩個區域,每一第一空白區域27A藉由第二連接28B中之突起(第二突出線52B)而劃分為兩個區域,且所述區域無法與第一大柵格24A以及第二大柵格24B中之周圍小柵格26區分開,使得可視性得以提高。
下文將參考圖12至圖14描述根據第三實施例之導電片積層體(下文中稱為第三導電片積層體10C)。
第三導電片積層體10C與上述第一導電片積層體10A具有大致相同之結構,但其差異在於,突起自所述連接向外延伸。
因此,如圖12所示,第一連接28A具有由細金屬線構成的突起(第一突出線52A),所述突起垂直於在第一導電線部分40a以及第二導電線部分40b中在第三方向上延伸的導電線,且分別自所述導電線上之第一相交點P1與第三相交點P3延伸。
類似地,如圖13所示,第二連接28B具有由細金屬線構成的突起(第二突出線52B),所述突起垂直於在第五導電線部分40e以及第六導電線部分40f中在第四方向上延伸的導電線,且分別自所述導電線上之第一相交點P1與第三相交點P3延伸。
因此,如圖14所示,當第一導電片12A與第二導電片12B經堆疊以形成第三導電片積層體10C時,每一第一空白區域27A(見圖11)藉由第一連接28A中之突起(第一突出線52A)而劃分為兩個區域,每一第二空白區域27B藉由第二連接28B中之突起(第二突出線52B)而劃分為兩個區域,且所述區域無法與第一大柵格24A以及第二大柵格24B中之周圍小柵格26區分開,使得可視性得以提高。
下文將參考圖15至圖18描述根據第四實施例之導電片積層體(下文中稱為第四導電片積層體10D)。
第四導電片積層體10D與上述第一導電片積層體10A具有大致相同之結構,但其差異在於以下各點。
因此,如圖15以及圖16所示,在第一連接28A中,第三導電線部分40c具有L形,其一個隅角用於連接所述一第一大柵格24Aa之第三接觸點38與另一第一大柵格24Ab之第三接觸點38,且第四導電線部分40d具有L形,其一個隅角用於連接所述另一第一大柵格24Ab之第三接觸點38與所述一第一大柵格24Aa之第三接觸點38。此外,第一缺失部分80A(藉由自小柵格26移除側邊而形成的部分)分別形成於第一導電線部分40a與第一大柵格24A之在第三方向(m方向)上延伸的側邊之間以及第二導電線部分40b與第一大柵格24A之在第三方向(m方向)上延伸的側邊之間,且亦移除一第一輔助線56A。未形成第一接觸點34。
類似地,如圖17所示,在第二連接28B中,第七導電線部分40g具有L形,其一個隅角用於連接所述一第二大柵格24Ba之第三接觸點38與另一第二大柵格24Bb之第三接觸點38,且第八導電線部分40h具有L形,其一個隅角用於連接所述另一第二大柵格24Bb之第三接觸點38與所述一第二大柵格24Ba之第三接觸點38。此外,第二缺失部分80B(藉由自小柵格26移除側邊而形成的部分)分別形成於第五導電線部分40e與第二大柵格24B之在第四方向(n方向)上延伸的側邊之間以及第六導電線部分40f與第二大柵格24B之在第四方向(n方向)上延伸的側邊之間,且亦移除一第二輔助線56B。同樣,在第二連接28B中,未形成第一接觸點34。
儘管圖17中未展示,但如同第一連接28A中之第三導電線部分40c,第七導電線部分40g包含第九導電線44i、第十導電線44j、第十三導電線44m以及第十四導電線44n。如同第一連接28A中之第四導電線部分40d,第八導電線部分40h包含第十一導電線44k、第十二導電線44l、第十五導電線44o以及第十六導電線44p。
因此,在第四導電片積層體10D之第一連接28A中,Na(自一第一大柵格24Aa與第一連接28A之間的接觸點延伸至第一連接28A中之細金屬線之數目)為4,Nb(在第一連接28A中之相交點之間延伸的細金屬線之數目)為4,Nc(自另一第一大柵格24Ab與第一連接28A之間的接觸點延伸至第一連接28A中之細金屬線之數目)為4,且因此N(相鄰近的兩個第一大柵格24A之間的連接路徑之數目)為4×(4+4-1)=28。因此,第四導電片積層體10D中之第一連接28A的連接路徑數目N相較第一導電片積層體10A中之第一連接28A的數目N(=18)大10。結果,在本實施例中,第一連接28A完全斷開的可能性可進一步降低以提高可靠性。對於第二連接28B亦如此。
此外,第四導電片積層體10D之第一連接28A中的第三導電線部分40c之第十三導電線44m以及第四導電線部分40d之第十五導電線44o以與第三導電片積層體10C之第一連接28A中的突起(第一突出線52A)相同之方式起作用。類似地,第四導電片積層體10D之第二連接28B中的第七導電線部分40g之第十三導電線44m以及第八導電線部分40h之第十五導電線44o以與第三導電片積層體10C之第二連接28B中的突起(第二突出線52B)相同之方式起作用。
因此,如圖18所示,當第一導電片12A與第二導電片12B經堆疊以形成第四導電片積層體10D時,每一第一空白區域27A(見圖11)藉由第一連接28A中的第三導電線部分40c之第十三導電線44m以及第十四導電線44n與第四導電線部分40d之第十五導電線44o以及第十六導電線44p劃分為兩個區域,由此第二缺失部分80B以及對應於所移除之第二輔助線56B之空間得以補償。此外,每一第二空白區域27B(見圖11)藉由第二連接28B中的第七導電線部分40g之第十三導電線44m以及第十四導電線44n與第八導電線部分40h之第十五導電線44o以及第十六導電線44p劃分為兩個區域,由此第一缺失部分80A以及對應於所移除之第一輔助線56A之空間得以補償。結果,所述區域無法與第一大柵格24A以及第二大柵格24B中之周圍小柵格26區分開,使得可視性得以提高。
下文將參考圖19至圖21描述根據第五實施例之導電片積層體(下文中稱為第五導電片積層體10E)。
第五導電片積層體10E在以下各點上不同於上述第一導電片積層體10A。
因此,如圖19所示,在根據本實施例之第一導電部件16A中,形成第一導電圖案18A之第一大柵格24A之間的間隔為寬的,且第一絕緣體54A之面積為大的。
具體言之,第一連接200A具有包含L形之第一導電線部分202a,所述第一導電線部分202a之一個隅角用於連接所述一第一大柵格24Aa之第一接觸點34與另一第一大柵格24Ab之第二接觸點36,且第一連接200A更具有具L形之第二導電線部分202b,所述第二導電線部分202b之一個隅角用於連接所述另一第一大柵格24Ab之第一接觸點34與所述一第一大柵格24Aa之第二接觸點36。所述第一導電線部分202a以及所述第二導電線部分202b形成一個長方形部分204。長方形部分204稍大於上述長方形部分42。
第一連接200A具有在第四方向上自所述一第一大柵格24Aa之第三接觸點38延伸至第一導電線部分202a之第三導電線部分202c,且更具有在所述第四方向上自另一第一大柵格24Ab之第三接觸點38延伸至第二導電線部分202b之第四導電線部分202d。
第一連接200A包含第一導電線部分202a與第三導電線部分202c之間的相交點P1、第二導電線部分202b與第三導電線部分202c之間的相交點P2、第二導電線部分202b與第四導電線部分202d之間的相交點P3以及第一導電線部分202a與第四導電線部分202d之間的相交點P4。
如同長方形部分42,長方形部分204包含第一長方形部分204a以及第二長方形部分204b。在第一長方形部分204a中,長邊比小柵格26之側邊長5倍,且短邊比小柵格26之側邊長2倍。在第二長方形部分204b中,長邊比小柵格26之側邊長5倍,且短邊比小柵格26之側邊長3倍。
第一連接200A具有四個突起(突出線208A)。具體言之,所述突出線208A連接至:沿第四方向延伸的第一導電線部分202a之導電線上的點,其位於遠離所述一第一大柵格24Aa之第一接觸點34等於小柵格26之側邊長度的距離處;沿第三方向延伸的第一導電線部分202a之導電線上的點,其位於朝第一相交點P1遠離第四相交點P4等於小柵格26之側邊長度的距離處;沿第四方向延伸的第二導電線部分202b之導電線上的點,其位於遠離另一第一大柵格24Ab之第一接觸點34等於小柵格26之側邊長度的距離處;以及沿第三方向延伸的第二導電線部分202b之導電線上的點,其位於朝第三相交點P3遠離第二相交點P2等於小柵格26之側邊長度的距離處。所述突出線208A由兩根直細金屬線構成,所述細金屬線具有等於小柵格26之側邊長度的長度,且連接成L形。
如自圖19顯而易見,第一大柵格24A之第一接觸點34具備突出線52A。
第一輔助圖案212A具有配置於第一連接200A之第二長方形部分204b內側的一對平行輔助線210、沿第一大柵格24A之垂直於第三方向之側邊配置的U形圖案(門形圖案)218A、沿第一大柵格24A之垂直於第四方向之側邊配置的U形圖案(門形圖案)218A以及定位於第一絕緣體54A處之正方形框架圖案220。
所述一對輔助線210在第四方向上具有相同長度,且在第三方向上彼此分開。所述U形圖案218A中之每一者由與小柵格26之側邊具有相同之長度的三根直細金屬線構成。所述U形圖案218A中之每一者均定位於距第一大柵格24A預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之邊長的距離)處。正方形框架圖案220與小柵格26具有相同形狀及大小。另外,如自圖19顯而易見,在第三方向上延伸的輔助線214在第四方向上配置於正方形框架圖案220與U形圖案218A之間。
另外,如圖20所示,在根據本實施例之第二導電部件16B中,第二大柵格24B形成為稍大。意即,第二大柵格24B具有稍大於第一大柵格24A之實質正方形形狀。
在此實例中,在一第二大柵格24B與第二連接200B之間存在四個連接點(接觸點),意即第一接觸點222、第二接觸點224、第三接觸點226以及第四接觸點228。第一接觸點222對應於在第四方向上延伸的直邊30與「之」字形邊32之間的相交點。第二接觸點224對應於第二大柵格24B之小柵格26的頂點,其定位於「之」字形邊32處且遠離第一接觸點222一距離,該距離兩倍於小柵格26的邊長。第三接觸點226對應於沿第三方向延伸的直邊30與「之」字形邊32之間的相交點。第四接觸點228對應於第二大柵格24B之小柵格26的頂點,其定位於「之」字形邊32處且鄰近於第三接觸點226。
第二大柵格24B具備突出線230,突出線230在第四方向上自定位於「之」字形邊32上的第一接觸點222與第二接觸點224之間的小柵格26之頂點延伸。
第二連接200B具有:第五導電線部分202e,其兩個隅角用於連接所述一第二大柵格24Ba之第一接觸點222與另一第二大柵格24Bb之第二接觸點224;第六導電線部分202f,其兩個隅角用於連接所述另一第二大柵格24Bb之第一接觸點222與所述一第二大柵格24Ba之第二接觸點224;以及第七導電線部分202g,其在第三方向上自所述一第二大柵格24Ba之第三接觸點226延伸至所述第五導電線部分222e;第八導電線部分202h,其在第三方向上自所述另一第二大柵格24Bb之第三接觸點226延伸至所述第六導電線部分202f;第九導電線部分202i,其在第三方向上自所述一第二大柵格24Ba之第四接觸點228延伸至所述第五導電線部分202e;以及第十導電線部分202j,其在第三方向上自所述另一第二大柵格24Bb之第四接觸點228延伸至第六導電線部分202f。
同樣,第二連接200B包含第五導電線部分202e與第七導電線部分202g之間的相交點P1、第五導電線部分202e與第八導電線部分202h之間的相交點P2、第五導電線部分202e與第十導電線部分202j之間的相交點P3、第六導電線部分202f與第九導電線部分202i之間的相交點P4、第六導電線部分202f與第七導電線部分202g之間的相交點P5以及第六導電線部分202f與第八導電線部分202h之間的相交點P6。
因此,在第五導電片積層體10E之第二連接200B中,自所述一第二大柵格24Ba與第二連接200B之間的多個接觸點延伸至第二連接200B內部之細金屬線之數目Na為4,在第二連接200B內側之多個相交點之間的細金屬線之數目Nb為8,且自另一第二大柵格24Bb與第二連接200B之間的多個接觸點延伸至第二連接28B內部之細金屬線之數目Nc為4。因此,所述鄰近的兩個第二大柵格24B之間的連接路徑之數目N為4×(8+4-1)=44。因此,第五導電片積層體10E中之第二連接200B的連接路徑數目N比第一導電片積層體10A之第二導電部件16B中之第二連接28B的連接路徑數目(=18)大26。結果,在本實施例中,第二連接200B完全斷開的可能性可進一步降低,從而提高可靠性。
第二連接200B具有四個直突起(突出線208B)以及一對突起(突出線232),所述一對突起各自具有三個隅角。突出線208B分別連接至:沿第三方向延伸的第五導電線部分202e之導電線上的點,其定位於朝第一相交點P1遠離與第九導電線部分202i之相交點等於小柵格26之側邊長度的距離處;第一相交點P1;沿第三方向延伸的第六導電線部分202f之導電線上的點,其定位於朝第六相交點P6遠離與第十導電線部分202j之相交點等於小柵格26之側邊長度的距離處;以及第六相交點P6。
突出線232分別在另一第二大柵格24Bb側上的頂點(隅角)處連接至第五導電線部分202e,且在所述一第二大柵格24Ba側上的頂點(隅角)處連接至第六導電線部分202f。
如自圖20可見,突出線232包含在第四方向上自第五導電線部分202e(或第六導電線部分202f)向外延伸的第一直線234、自第一直線234之尖端朝向第二大柵格24B延伸的第二直線236、自第二直線236之尖端向外延伸的第三直線238以及自第三直線238之尖端朝與第二大柵格234B相反之側延伸的第四直線240。
第二輔助圖案212B包含沿第二大柵格24B之垂直於第三方向的側邊配置的U形圖案(門形圖案)218B、沿第二大柵格24B之垂直於第四方向之側邊配置的U形圖案(門形圖案)218B以及組合圖案242。組合圖案242設於形成鄰近的第二導電圖案18B之第二大柵格24B與上述U形圖案218B之間。
所述U形圖案218B中之每一者由與小柵格26之側邊具有相同長度的三根直細金屬線構成。所述U形圖案218B中之每一者均定位於距第二大柵格24B預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之邊長的距離)處。組合圖案242是藉由將正方形框架圖案以及L形圖案連接成阿拉伯數字9或6之形狀而形成。正方形框架圖案與小柵格26具有相同形狀以及大小,且L形圖案是由與小柵格26之側邊具有相同軸向長度的兩根直細金屬線構成。
因此,當第一導電片12A與第二導電片12B經堆疊以形成第五導電片積層體10E時,由於第一導電部件16A具備突出線52A、突出線208A以及第一輔助圖案212A,且第二導電部件16B具備突出線230、突出線208B、突出線232以及第二輔助圖案212B,故所述導電部件無法與第一大柵格24A或第二大柵格24B中之小柵格26相區分,使得可視性得以提高(見圖21)。
儘管在本實施例中使第二大柵格24B比第一大柵格24A大,但第二大柵格24B可小於第一大柵格24A。以此方式,可使第一大柵格24A之大小不同於第二大柵格24B之大小,從而得到第一導電片12A與第二導電片12B之組合的增加之變化。
接下來,將在下文參考圖22至圖24描述根據第六實施例之導電片積層體(下文中稱為第六導電片積層體10F)。
第六導電片積層體10F在以下各方面不同於上述第五導電片積層體10E。
因此,如圖22所示,根據本實施例之第一導電部件16A在第一連接250A中不同。第一連接250A包含與第一導電線部分202a形狀相同之第一導電線部分252a以及與第二導電線部分202b形狀相同的第二導電線部分252b,且形成一個併有第一導電線部分252a以及第二導電線部分252b兩者的長方形部分254。
另外,第一連接250A具有在第四方向上自所述一第一大柵格24Aa之第三接觸點38延伸至第二導電線部分252b之第三導電線部分252c、在第四方向上自另一第一大柵格24Ab之第三接觸點38延伸至第一導電線部分252a之第四導電線部分252d、第五導電線部分252e以及第六導電線部分252f,所述第五導電線部分252e以及第六導電線部分252f各自連接沿著第三方向之第一導電線部分252a之導電線與沿著第三方向之第二導電線部分252b之導電線。
第一連接250A包含第一導電線部分252a與第五導電線部分252e之間的相交點P1、第二導電線部分252b與第五導電線部分252e之間的相交點P2、第二導電線部分252b與第六導電線部分252f之間的相交點P3以及第一導電線部分252a與第六導電線部分252f之間的相交點P4。
如同長方形部分204一樣,長方形部分254具有第一長方形部分254a以及第二長方形部分254b。在第一長方形部分254a中,長邊比小柵格26之側邊長5倍,且短邊比小柵格26之側邊長3倍。在第二長方形部分254b中,長邊比小柵格26之側邊長5倍,且短邊與小柵格26之側邊具有相同長度。因此,在根據本實施例之第一連接250A中,滿足不等式La>Lb,在此實例中意即La=3×Lb。
另外,第一連接250A具備四個突起(突出線256)。具體言之,突出線256連接至:第五導電線部分252e上的點,其位於遠離第一相交點P1兩倍於小柵格26之側邊長度的距離處;第五導電線部分252e上的點,其位於遠離第二相交點P2兩倍於小柵格26之側邊長度的距離處;第六導電線部分252f上的點,其位於遠離第三相交點P3兩倍於小柵格26之側邊長度的距離處;以及第六導電線部分252f上的點,其位於遠離第四相交點P4兩倍於小柵格26之側邊長度的距離處。突出線256是由長度兩倍於小柵格26之側邊長度的直細金屬線構成。
如自圖22顯而易見,第一大柵格24A之第一接觸點34具備突出線52A。
第一輔助圖案258A具有:多個輔助長線260,沿第一大柵格24A之垂直於第三方向之側邊配置;多個輔助短線262,安置於所述輔助長線260之間;以及組合圖案264,被配置為面向沿第三方向延伸的第一大柵格24A之直邊30。
每一輔助長線260之軸向長度為小柵格26之邊長的兩倍。每一輔助長線260均位於距第一大柵格24A預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之邊長的距離)處。每一輔助短線262之軸向長度均與小柵格26之邊長相同。每一輔助短線262均位於距第一大柵格24A預定距離(在此實例中,為兩倍於小柵格26之邊長的距離)處。
如圖22所示,輔助長線260的在第一大柵格24A之側邊上最接近於第一連接250A之末端連接至沿第四方向延伸之輔助線266。意即,輔助長線260與輔助線266經組合以形成L形圖案。
組合圖案264具有:多個(在圖22中,為5個)輔助線268,沿第一大柵格24A之垂直於第四方向的側邊配置;長輔助線270,在第一大柵格24A之所述側邊上連接這些輔助線268之每一末端;輔助線272,沿第四方向延伸且在第一絕緣體54A之側邊上連接至輔助線270之末端;以及沿第三方向自輔助線272延伸的一對輔助線274a、274b。
輔助線268以及輔助線274a、274b之軸向長度等於小柵格26之邊長。每一輔助線268均位於距第一大柵格24A預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之邊長的距離)處。因此,組合圖案264與第一大柵格24A分離。
如自圖22顯而易見,輔助線274a連接至輔助線268中之一者以形成正方形框架圖案,且輔助線274b在與第一大柵格24A之位置相對之側邊上連接至輔助線272之末端。
另外,如圖23所示,在根據本實施例之第二導電部件16B中,第二大柵格24B形成為具有實質上長方形形狀。意即,第二大柵格24B具有與第一大柵格24A之大小以及形狀不同的大小以及形狀。在此實例中,第二大柵格24B之長邊沿第四方向延伸。
一第二大柵格24B與第二連接250B之間的連接點(接觸點)為第一接觸點222、第二接觸點300、第三接觸點226以及第四接觸點228。第二接觸點300對應於第二大柵格24B之小柵格26的頂點,其定位於「之」字形邊32處,且遠離第一接觸點222等於小柵格26的邊長之距離。在圖23中,省略圖20所示之突出線230。
第二連接250B具有:第七導電線部分252g,其與第五導電線部分202e相同;第八導電線部分252h,其與第六導電線部分202f相同;第九導電線部分252i,其在第三方向上自所述一第二大柵格24Ba之第三接觸點226延伸至第八導電線部分252h;第十導電線部分252j,其在第三方向上自另一第二大柵格24Bb之第三接觸點226延伸至第七導電線部分252g;第十一導電線部分252k,其具有一隅角並接觸第七導電線部分252g,且將所述一第二大柵格24Ba之第四接觸點228連接至第八導電線部分252h;以及第十二導電線部分2521,其具有一隅角並接觸第八導電線部分252h,且將所述另一第二大柵格24Bb之第四接觸點228連接至第七導電線部分252g。
另外,第二連接250B包含沿著第三方向延伸的第七導電線部分252g之導電線與沿著第四方向延伸的第十二導電線部分252l之導電線之間的相交點P1、第七導電線部分252g與第十一導電線部分252k之間的相交點P2、沿著第四方向延伸的第八導電線部分252h之導電線與沿著第三方向延伸的第十一導電線部分252k之導電線之間的相交點P3、沿著第四方向延伸的第七導電線部分252g之導電線與沿著第三方向延伸的第十二導電線部分252l之導電線之間的相交點P4、第八導電線部分252h與第十二導電線部分252l之間的相交點P5以及沿著第三方向延伸的第八導電線部分252h之導電線與沿著第四方向延伸的第十一導電線部分252k之導電線之間的相交點P6。
以此方式,由以下導電線形成長方形部分302:在第二相交點P2與第四相交點P4之間延伸的第七導電線部分252g之導電線、在第三相交點P3與第五相交點P5之間延伸的第八導電線部分252h之導電線、在第二相交點P2與第三相交點P3之間延伸的第十一導電線部分252k之導電線以及在第四相交點P4與第五相交點P5之間延伸的第十二導電線部分252l之導電線。
長方形部分302之長邊沿第三方向延伸。長方形部分302包含:位於所述一第二大柵格24Ba側上的具有第二相交點P2、第三相交點P3以及第六相交點P6之小長方形部分302a;具有第一相交點P1、第二相交點P2、第五相交點P5以及第六相交點P6的正方形部分302b;以及位於另一第二大柵格24Bb側上的具有第一相交點P1、第四相交點P4以及第五相交點P5之小長方形部分302a。
小長方形部分302a具有四倍於小柵格26之邊長的長邊長以及等於小柵格26之邊長的短邊長。第二正方形部分302b具有三倍於小柵格26之邊長的邊長。因此,根據本實施例之第二連接250B滿足La>Lb,在此實例中意即La=3×Lb。
另外,第二連接250B包含一對直突起(突出線304)、各自具有一個隅角的一對突起(突出線306)以及各自具有兩個隅角之一對突起(突出線308)。突出線304分別連接至第一相交點P1以及第六相交點P6。
所述對突出線306分別連接至:第七導電線部分252g上的點,其定位於朝第一相交點P1遠離第四相交點P4兩倍於小柵格26之側邊的距離處;以及第八導電線部分252h上的點,其定位於朝第六相交點P6遠離第三相交點P3兩倍於小柵格26之側邊的距離處。每一突出線306均具有L形狀。
所述一對突出線308分別在另一第二大柵格24Bb側上的頂點(隅角)處連接至第七導電線部分252g,以及在所述一第二大柵格24Ba側上的頂點(隅角)處連接至第八導電線部分252h。每一突出線308包含:第一直線310,其在第四方向上自第七導電線部分252g(或第八導電線部分252h)向外延伸;第二直線312,其自第一直線310之尖端朝第二大柵格24B延伸;以及第三直線314,其自第二直線312之尖端向內延伸。
第二輔助圖案258B具有:一對平行輔助線315,配置於第二連接250B之第二長方形部分302b內側;多個輔助線316,沿第二大柵格24B的垂直於第四方向之側邊配置;組合圖案318,被配置為面向沿第四方向延伸的第二大柵格24B之直邊30;以及一對輔助線320,平行地配置於第二絕緣體54B處。
所述一對輔助線315在第三方向上具有相同長度,且在第四方向上彼此分開。所述一對輔助線320以相同方式配置。輔助線315、316、320之軸向長度中之每一者均等於小柵格26之邊長。每一輔助線316均定位於距第二大柵格24B預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之邊長的距離)處。
組合圖案318具有:輔助長線322以及輔助短線324,沿第二大柵格24B的垂直於第三方向之側邊交替配置;長輔助線326,在第四方向上延伸且連接第二大柵格24B側上的輔助長線322之每一末端;長輔助線328,在第四方向上延伸且連接第二大柵格24B側上的輔助短線324之每一末端;輔助線330,在第三方向上延伸且連接第二絕緣體54B側上的輔助線328之每一末端;以及輔助線332,自輔助線330的與第二大柵格24B相對定位之末端向外延伸。
每一輔助長線322之軸向長度為小柵格26之邊長的兩倍。每一輔助長線322均定位於距第二大柵格24B預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之邊長的距離)處。每一輔助短線324之軸向長度均等於小柵格26之邊長。每一輔助短線324均定位於距第二大柵格24B預定距離(在此實例中,為等於小柵格26之邊長的距離)處。因此,組合圖案318與第二大柵格24B分離。
因此,當第一導電片12A與第二導電片12B經堆疊以形成第六導電片積層體10F時,由於第一導電部件16A具備突出線52A、突出線256以及第一輔助圖案258A,且第二導電部件16B具備突出線304、突出線306、突出線312以及第二輔助圖案258B,故所述導電部件無法與第一大柵格24A或第二大柵格24B中之小柵格26區分開,使得可視性得以提高(見圖24)。
儘管第一大柵格24A形成為實質上正方形形狀,且第二大柵格24B形成為實質上長方形形狀,但第一大柵格24A可形成為實質上長方形形狀,且第二大柵格24B可形成為實質上正方形形狀。以此方式,可使第一大柵格24A之形狀不同於第二大柵格24B之形狀,從而得到第一導電片12A與第二導電片12B之組合的增加之變化。
儘管第一導電片12A以及第二導電片12B在上述實施例中用於投射式電容性觸控面板100中,但其可用於表面電容性觸控面板或電阻性觸控面板中。
可如下形成第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B。舉例而言,可使感光材料曝光並顯影,所述感光材料具有第一透明基板14A或第二透明基板14B以及位於第一透明基板14A或第二透明基板14B上之包含感光性鹵化銀之乳液層(emulsion layer),由此可分別在曝光區域與未曝光區域中形成金屬銀部分與透光性部分,從而獲得第一導電圖案18A或第二導電圖案18B。可使金屬銀部分經受物理顯影處理及/或電鍍(plating)處理,以在其上沈積導電性金屬。
如圖2B所示,第一導電圖案18A可形成於第一透明基板14A之一主表面上,且第二導電圖案18B可形成於其另一主表面上。在此情況下,當用通常方法使所述一主表面曝光且接著使另一主表面曝光時,有時無法獲得所要的第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B。詳言之,難以均一地形成沿第一大柵格24A之直邊30配置的第一輔助線56A之圖案、配置於第一絕緣體54A中之第一L形圖案58A、沿第二大柵格24B之直邊30配置的第二輔助線56B之圖案、配置於第二絕緣體54B中之第二L形圖案58B等等。
因此,可較佳地使用以下生產方法。
於是,藉由使第一透明基板14A兩側上之感光性鹵化銀乳液層經受一次性曝光(one-shot exposure)而形成所述一主表面上之第一導電圖案18A以及另一主表面上之第二導電圖案18B。
下文將參考圖25至圖27描述所述生產方法之特定實例。
首先,在圖25之步驟S1中,製備長的感光材料140。如圖26A所示,感光材料140具有第一透明基板14A、形成於第一透明基板14A之一主表面上的感光性鹵化銀乳液層(下文中稱為第一感光層142a)以及形成於第一透明基板14A之另一主表面上的感光性鹵化銀乳液層(下文中稱為第二感光層142b)。
在圖25之步驟S2中,使感光材料140曝光。在此步驟中,執行同時雙側曝光,其包含第一曝光處理以及第二曝光處理,在第一曝光處理中使用光以第一曝光圖案照射第一透明基板14A上之第一感光層142a,在第二曝光處理中則使用光以第二曝光圖案照射第一透明基板14A上的第二感光層142b。在圖26B之實例中,用第一光144a(平行光)經由第一光罩(photomask)146a照射第一感光層142a,且用第二光144b(平行光)經由第二光罩146b照射第二感光層142b,同時沿一個方向傳送所述長感光材料140。第一光144a使得來自第一光源148a之光藉由中間第一準直透鏡150a而轉換為平行光,且第二光144b使得來自第二光源148b之光藉由中間第二準直透鏡150b而轉換為平行光。儘管在圖26B之實例中使用兩個光源(第一光源148a以及第二光源148b),但可僅使用一個光源。在此情況下,來自所述一個光源的光可藉由光學系統而分成第一光144a以及第二光144b,以用於使第一感光層142a以及第二感光層142b曝光。
在圖25之步驟S3中,使經曝光的感光材料140顯影,以製備圖2B所示之第一導電片積層體10A。第一導電片積層體10A具有:第一透明基板14A;第一導電部件16A(包含第一導電圖案18A),形成於第一透明基板14A之所述一主表面上的第一曝光圖案中;以及第二導電部件16B(包含第二導電圖案18B),形成於第一透明基板14A之另一主表面上的第二曝光圖案中。第一感光層142a以及第二感光層142b之較佳曝光時間與顯影時間取決於第一光源148a、第二光源148b以及顯影劑等之類型,且無法明確地確定。可根據達成100%顯影比率之目的而選擇曝光時間以及顯影時間。
如圖27所示,在本實施例之生產方法的第一曝光處理中,舉例而言,將第一光罩146a放置成與第一感光層142a緊密接觸,將第一光源148a配置為面向第一光罩146a,且自第一光源148a朝第一光罩146a發出第一光144a,進而使第一感光層142a曝光。第一光罩146a具有由透明鈉玻璃(soda glass)構成的玻璃基板以及形成於玻璃基板上的罩幕(mask)圖案(第一曝光圖案152a)。因此,在第一曝光處理中,第一感光層142a的與第一光罩146a中之第一曝光圖案152a相對應之區域得以曝光。可在第一感光層142a與第一光罩146a之間形成約2 μm至10 μm之空間。
類似地,在第二曝光處理中,舉例而言,將第二光罩146b放置成與第二感光層142b緊密接觸,將第二光源148b配置為面向第二光罩146b,且自第二光源148b朝第二光罩146b發出第二光144b,進而使第二感光層142b得以曝光。第二光罩146b如第一光罩146a一樣具有由透明鈉玻璃構成的玻璃基板以及形成於玻璃基板上的罩幕圖案(第二曝光圖案152b)。因此,在第二曝光處理中,第二感光層142b的與第二光罩146b中之第二曝光圖案152b相對應之區域得以曝光。在此情況下,可在第二感光層142b與第二光罩146b之間形成約2 μm至10 μm之空間。
在第一曝光處理以及第二曝光處理中,自第一光源148a發出第一光144a以及自第二光源148b發出第二光144b可同時或獨立地執行。當同時執行所述發光時,可將第一感光層142a以及第二感光層142b於一個曝光製程中同時曝光,以減少處理時間。
在第一感光層142a以及第二感光層142b兩者皆未光譜敏化(spectrally sensitized)的情況下,在感光材料140的雙側曝光中,入射於一側上的光可能影響另一側(背面)上的影像形成。
因此,來自第一光源148a之第一光144a到達第一感光層142a,且由第一感光層142a中之鹵化銀粒子散射,且散射光之一部分透過第一透明基板14A並到達第二感光層142b。由此,第二感光層142b與第一透明基板14A之間邊界的大區域經曝光而形成潛像(latent image)。結果,第二感光層142b曝露於來自第二光源148b之第二光144b以及來自第一光源148a之第一光144a。當第二感光層142b經顯影以製備第一導電片積層體10A時,形成對應於第二曝光圖案152b之導電圖案(第二導電部件16B),且由於來自第一光源148a之第一光144a而在導電圖案之間額外形成薄導電層,使得無法獲得所要圖案(對應於第二曝光圖案152b)。對於第一感光層142a亦如此。
作為為解決此問題而進行的認真研究之結果,已發現當第一感光層142a以及第二感光層142b的厚度以及所施加的銀量被選擇為處於特定範圍內時,可藉由鹵化銀而吸收入射光以抑制光透射至背側。在本實施例中,第一感光層142a以及第二感光層142b的厚度可為1 μm至4 μm。上限較佳為2.5 μm。第一感光層142a以及第二感光層142b的所施加銀量可為5 g/m2 至20 g/m2
在上述雙側接觸曝光技術中,附著至膜表面之灰塵或其類似物可能會抑制曝光而產生影像缺陷。已知可藉由將諸如金屬氧化物或導電聚合物之導電物質塗覆至所述膜來防止灰塵附著。然而,金屬氧化物或其類似物會存留於經處理的產品上,從而使最終產品之透明度劣化且導電聚合物在儲存穩定性方面是不利的等等。作為認真研究之結果,已發現黏合劑含量減小的鹵化銀層展現出令人滿意的導電性以防止靜電荷。因此,在第一感光層142a以及第二感光層142b中,銀/黏合劑之體積比是受限的。第一感光層142a以及第二感光層142b之銀/黏合劑體積比為1/1或以上,較佳為2/1或以上。
當第一感光層142a以及第二感光層142b之厚度、所施加銀量以及銀/黏合劑體積比如上所述加以選擇時,自第一光源148a發出至第一感光層142a之第一光144a並不到達第二感光層142b,如圖27所示。類似地,自第二光源148b發出至第二感光層142b之第二光144b並不到達第一感光層142a。結果,在隨後顯影以產生第一導電片積層體10A時,如圖2B所示,僅對應於第一曝光圖案152a(第一導電部件16A之圖案)之導電圖案形成於第一透明基板14A之所述一主表面上,且僅對應於第二曝光圖案152b(第二導電部件16B之圖案)之導電圖案形成於第一透明基板14A之另一主表面上,進而可獲得所要圖案。
在使用上述一次性雙面曝光之生產方法中,第一感光層142a以及第二感光層142b可具有令人滿意的導電性以及雙側曝光適宜性兩者,且可藉由曝光而於第一透明基板14A之諸側上形成相同或不同圖案,由此可容易地形成觸控面板100之電極,且可使觸控面板100較薄(較小)。
在以上生產方法中,第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B是使用感光性鹵化銀乳液層形成。其他生產方法包括以下方法。
可對安置於第一透明基板14A或第二透明基板14B上的銅箔上的光阻膜進行曝光及顯影以形成抗蝕圖案,且可蝕刻自抗蝕圖案曝露出的銅箔以獲得第一導電部件16A或第二導電部件16B。
或者,可將包含精細金屬粒子之膏體(paste)印刷於第一透明基板14A或第二透明基板14B上,且經印刷膏體可鍍以金屬,以獲得第一導電部件16A或第二導電部件16B。
可藉由使用絲網印刷板或凹版印刷板將第一導電部件16A或第二導電部件16B印刷於第一透明基板14A或第二透明基板14B上。
可藉由使用噴墨方法使第一導電圖案18A或第二導電圖案18B形成於第一透明基板14A或第二透明基板14B上。
下文將主要描述根據本實施例之尤其較佳之方法,所述方法包含使用攝影感光性鹵化銀材料來產生第一導電片12A以及第二導電片12B。
本實施例之用於產生第一導電片12A以及第二導電片12B之方法包含以下三個在感光材料以及顯影處理方面不同之製程。
(1)包含使不含物理顯影核(physical development nuclei)之感光性黑白鹵化銀材料經受化學或熱顯影以在所述材料上形成金屬銀部分之製程。
(2)包含使感光性黑白鹵化銀材料經受溶液物理顯影以在所述材料上形成金屬銀部分之製程,所述感光性黑白鹵化銀材料具有含有物理顯影核之鹵化銀乳液層。
(3)包含使感光性黑白鹵化銀材料與影像接收片之堆疊經受擴散轉移顯影(diffusion transfer development)以在所述非感光性影像接收片上形成金屬銀部分之製程,所述感光性黑白鹵化銀材料不含物理顯影核,所述影像接收片具有包含物理顯影核之非感光層。
在製程(1)中,使用整合式黑白顯影程序在感光材料上形成諸如透光導電膜之可透射導電膜。所得銀為經化學或熱顯影的銀並包含高比表面積(high-specific surface area)之細絲,由此在隨後電鍍或物理顯影處理中展示出高的活性。
在製程(2)中,將鹵化銀粒子熔融於曝光區域中之物理顯影核周圍且沈積於所述物理顯影核上,以在感光材料上形成諸如透光導電膜之可透射導電膜。同樣,在此製程中,使用整合式黑白顯影程序。儘管可因為在顯影時將鹵化銀沈積於物理顯影核上而達成高活性,但經顯影的銀具有比表面為小之球形形狀。
在製程(3)中,將鹵化銀粒子熔融於未曝光區域上,且擴散並沈積於影像接收片之顯影核上,以在影像接收片上形成諸如透光導電膜之可透射導電膜。在此製程中,使用所謂的分離型程序,其中影像接收片自感光材料剝離。
可在所述製程中使用負型或反顯影處理。在擴散轉移顯影中,可使用直接正型感光材料(auto-positive photosensitive material)來執行負型顯影處理。
化學顯影、熱顯影、溶液物理顯影以及擴散轉移顯影具有此項技術中通常所知之意義,且解釋於常見攝影化學課本中,諸如Shin-ichi Kikuchi,「Shashin Kagaku (Photographic Chemistry)」,Kyoritsu Shuppan CO.,Ltd.,1955以及C. E. K. Mees,「The Theory of Photographic Processes,4th ed.」,Mcmillan,1977。在本發明中通常使用液體處理,且亦可使用熱顯影處理。舉例而言,描述於日本特許公開專利公告第2004-184693號、第2004-334077號以及第2005-010752號以及日本專利申請案第2004-244080號以及第2004-085655號中之技術可用於本發明中。
下文將詳細描述本實施例之第一導電片12A以及第二導電片12B中的每一層之結構。
[第一透明基板14A以及第二透明基板14B]
第一透明基板14A以及第二透明基板14B可為塑膠膜、塑膠板、玻璃板等。
用於塑膠膜以及塑膠板之材料的實例包括:聚酯,諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN);聚烯烴,諸如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯以及EVA;乙烯系樹脂;聚碳酸酯(PC);聚醯胺;聚醯亞胺;丙烯酸系樹脂;以及三乙醯纖維素(TAC)。
第一透明基板14A以及第二透明基板14B較佳為具有約290℃或低於290℃之熔點的塑膠膜或塑膠板,諸如PET(熔點258℃)、PEN(熔點269℃)、PE(熔點135℃)、PP(熔點163℃)、聚苯乙烯(熔點230℃)、聚氯乙烯(熔點180℃)、聚偏二氯乙烯(熔點212℃)或TAC(熔點290℃)。自透光性、可加工性等之觀點觀之,PET尤其較佳。諸如導電片積層體10中所用之第一導電片12A或第二導電片12A之導電膜需要為透明的,且因此第一透明基板14A以及第二透明基板14B較佳具有高的透明度。
[銀鹽乳液層]
待轉換為第一導電片12A之第一導電部件16A(包含第一大柵格24A、第一連接28A以及第一輔助圖案20A)以及第二導電片12B之第二導電部件16B(包含第二大柵格24B、第二連接28B以及第二輔助圖案20B)的銀鹽乳液層包含銀鹽以及黏合劑,且可更包含溶劑以及諸如染料之添加劑。
用於本實施例中之銀鹽可為諸如鹵化銀之無機銀鹽或諸如乙酸銀之有機銀鹽。在本實施例中,鹵化銀因為其極佳之感光特性而為較佳的。
銀鹽乳液層之所施加銀量(以銀密度計之所施加銀鹽的量)較佳為1 g/m2 至30 g/m2 ,更佳為1 g/m2 至25 g/m2 ,更佳為5 g/m2 至20 g/m2 。當所施加銀量在此範圍內時,所得導電片積層體10可展現出所要之表面電阻。
用於本實施例中之黏合劑之實例包含明膠、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、諸如澱粉、纖維素及其衍生物之多糖、聚氧化乙烯、聚乙烯胺、聚胺基葡萄糖(chitosan)、聚賴氨酸(polylysine)、聚丙烯酸、聚海藻酸(polyalginic acid)、聚透明質酸(polyhyaluronic acid)、以及羧基纖維素。所述黏合劑取決於官能基之電離度(ionicity)而具有中性、陰離子或陽離子性質。
在本實施例中,黏合劑在銀鹽乳液層中的量不受特別限制,且可加以適當選擇以獲得充分分散性以及黏附性。銀鹽乳液層中銀/黏合劑之體積比較佳為1/4或以上,更佳為1/2或以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1或以下,更佳為50/1或以下。特定言之,銀/黏合劑體積比更佳為1/1至4/1,最佳為1/1至3/1。當銀鹽乳液層之銀/黏合劑體積比在所述範圍內時,可減少電阻變化,甚至在不同所施加銀量下亦如此,由此可產生具有均一表面電阻之導電片積層體。可藉由將材料之鹵化銀/黏合劑重量比轉換為銀/黏合劑重量比,且藉由進一步將銀/黏合劑重量比轉換為銀/黏合劑體積比來獲得銀/黏合劑體積比。
<溶劑>
用於形成銀鹽乳液層之溶劑不受特別限制,且其實例包含水、有機溶劑(例如,諸如甲醇之醇類、諸如丙酮之酮類、諸如甲醯胺之醯胺類、諸如二甲基亞碸之亞碸類、諸如乙酸乙酯之酯類、醚類)、離子液體、及其混合物。
在本實施例中,銀鹽乳液層中溶劑對銀鹽、黏合劑以及其類似物之總量的比率以質量計為30%至90%,較佳以質量計為50%至80%。
<其他添加劑>
用於本實施例中之添加劑不受特別限制,且可較佳地選自已知添加劑。
[其他層]
保護層(圖中未示)可形成於銀鹽乳液層上。用於本實施例中之保護層包含諸如明膠或高分子聚合物之黏合劑,且安置於感光性銀鹽乳液層上以改良防刮擦性或機械特性。保護層之厚度較佳為0.5 μm或小於0.5 μm。塗覆或形成保護層之方法不受特別限制,且可適當地選自已知之塗覆或形成方法。此外,可在銀鹽乳液層之下形成底塗層(undercoat layer)或其類似者。
下文將描述用於產生第一導電片12A以及第二導電片12B之步驟。
[曝光]
在本實施例中,第一導電部件16A以及第二導電部件16B可在印刷製程中形成,並可在另一製程中藉由曝光以及顯影處理等來形成。因此,使具有第一透明基板14A或第二透明基板14B以及位於第一透明基板14A或第二透明基板14B上的含銀鹽層之感光材料或塗有用於光刻法(photolithography)之光聚合物的感光材料經受曝光處理。於曝光中可使用電磁波。舉例而言,電磁波可為諸如可見光或紫外光之光或諸如X射線之輻射。可使用具有波長分佈或特定波長的光源執行曝光。
較佳使用玻璃罩幕方法或雷射微影圖案曝光方法來執行曝光。
[顯影處理]
在本實施例中,使乳液層在曝光後經受顯影處理。用於攝影銀鹽膜、攝影紙(photographic paper)、雕版印刷膜(print engraving film)、用於形成光罩的乳液罩幕及其類似者之常用顯影處理技術可用於本發明中。於顯影處理中所用之顯影劑不受特別限制,且可為PQ顯影劑、MQ顯影劑、MAA顯影劑等。可用於本發明中的市售顯影劑之實例包括可購自FUJIFILM公司之CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、以及PAPITOL,可購自Eastman Kodak公司之C-41、E-6、RA-4、D-19、以及D-72,以及包含於其套組(kit)中的顯影劑。所述顯影劑可為高反差顯影劑(lith developer)。
在本發明中,顯影製程可包含用於移除未曝光區域中之銀鹽以使材料穩定化的固定處理(fixation treatment)。用於攝影銀鹽膜、攝影紙、雕版印刷膜、用於形成光罩的乳液罩幕及其類似者之固定處理技術可用於本發明中。
在固定處理中,固定溫度較佳為約20℃至50℃,更佳為25℃至45℃。固定時間為5秒至1分鐘,更佳為7秒至50秒。所使用的固定劑(fixer)的量對於每1 m2 經處理的感光材料較佳為600 ml/m2 或以下,更佳為500 ml/m2 或以下,尤其較佳為300 ml/m2 或以下。
較佳使經顯影及固定之感光材料經受水洗處理或穩定化處理。用於水洗處理或穩定化處理中的水量對於每1 m2 感光材料通常為20 L或以下,且可為3 L或以下。水量可為0,且因此可用儲存水來清洗感光材料。
在顯影後含於曝光區域中的金屬銀對曝光前含於所述區域中的銀之比率以質量計較佳為50%或以上,更佳為80%或以上。當所述比率以質量計為50%或以上時,可達成高導電性。
在本實施例中,藉由顯影而獲得之色調(灰度)較佳大於4.0,但不受特別限制。當色調在顯影後大於4.0時,導電金屬部分之導電性可增大,同時維持透光部分之高透射率。舉例而言,可藉由以銠或銥離子進行摻雜來獲得為4.0或以上之色調。
藉由上述步驟而獲得導電片。所得導電片之表面電阻較佳在0.1歐姆/平方至100歐姆/平方之範圍內。下限較佳為1歐姆/平方或以上、3歐姆/平方或以上、5歐姆/平方或以上或10歐姆/平方。上限較佳為70歐姆/平方或以下或50歐姆/平方或以下。當將表面電阻控制在此範圍內時,即使在具有10 cm×10 cm或以上之面積的大觸控面板中亦可執行位置偵測。可使導電片在顯影處理之後經受壓延處理以獲得所要之表面電阻。
[物理顯影處理以及電鍍處理]
在本實施例中,為增大藉由上述曝光以及顯影處理而形成之金屬銀部分的導電性,可藉由物理顯影處理及/或電鍍處理而在其上沈積導電金屬粒子。在本發明中,可藉由物理顯影與電鍍處理中之僅一者或藉由物理顯影與電鍍處理之組合而在金屬銀部分上沈積導電金屬粒子。以此方式經受物理顯影處理及/或電鍍處理之金屬銀部分亦稱為導電金屬部分。
在本實施例中,物理顯影為如下製程:藉由還原劑還原出諸如銀離子之金屬離子,由此將金屬粒子沈積至金屬或金屬化合物核心(metal compound core)上。此物理顯影已用於速溶B & W膜、速溶滑膜(slide film)、印刷板生產等領域中,且所述技術可用於本發明中。
可在曝光後與上述顯影處理同時執行物理顯影,並可在所述顯影處理之後單獨執行物理顯影。
在本實施例中,電鍍處理可包含無電極電鍍(electrodeless plating),諸如化學還原電鍍(chemical reduction plating)或置換電鍍(replacement plating)。用於印刷電路板等的已知無電極電鍍技術可用於本發明中。無電極電鍍較佳為無電極銅電鍍。
[氧化處理]
在此實施例中,較佳使藉由顯影處理形成的金屬銀部分或藉由物理顯影處理及/或電鍍處理形成的導電金屬部分經受氧化處理。舉例而言,藉由氧化處理,可移除少量沈積於透光部分上的金屬,以使得可將透光部分之透射率增大至約100%。
[導電金屬部分]
在本實施例中,導電金屬部分(細金屬線)的線寬之下限較佳為1 μm或以上、3 μm或以上、4 μm或以上或5 μm或以上,且其上限較佳為15 μm或以下、10 μm或以下,9 μm或以下或8 μm或以下。當所述線寬小於所述下限時,導電金屬部分導電性不足,由此使使用所述導電部件之觸控面板之偵測靈敏度不足。另一方面,當線寬大於所述上限時,會因導電金屬部分而顯著產生波紋(moire),且使用所述導電部件之觸控面板具有不良之可視性。當線寬在上述範圍內時,導電金屬部分之波紋得以改良,且可視性得以明顯改良。線距(小柵格26中面向彼此的側邊之間的距離)較佳為30 μm至500 μm,更佳為50 μm至400 μm,最佳為100 μm至350 μm。所述導電金屬部分可具有線寬大於200 μm之部分,以用於接地連接等目的。
在本實施例中,考慮到可見光透射率,導電金屬部分之開口率(opening ratio)較佳為85%或以上,更佳為90%或以上,最佳為95%或以上。開口率為除導電部分以外之透光部分對整個第一導電部件16A或第二導電部分16B之比率。舉例而言,線寬為15 μm且間距(pitch)為300 μm之正方形柵格具有為90%之開口率。
[透光部分]
在此實施例中,透光部分為除第一導電片12A以及第二導電片12B之導電金屬部分以外具有透光性之部分。透光部分之透射率(本文中為忽略第一透明基板14A與第二透明基板14B之光吸收以及反射而獲得的在380 nm至780 nm波長區域中之最小透射率值)為90%或以上、較佳為95%或以上、更佳為97%或以上、尤其更佳為98%或以上、最佳為99%或以上。
[第一導電片12A以及第二導電片12B]
在本實施例之第一導電片12A以及第二導電片12B中,第一透明基板14A以及第二透明基板14B之厚度較佳為5 μm至350 μm,更佳為30 μm至150 μm。當所述厚度為5 μm至350 μm時,可獲得所要之可見光透射率,且可容易地搬運基板。
可藉由控制用於塗覆至第一透明基板14A以及第二透明基板14B之含銀鹽層的塗佈液體之厚度,而適當選擇形成於第一透明基板14A以及第二透明基板14B上的金屬銀部分之厚度。金屬銀部分之厚度可選擇為處於0.001 mm至0.2 mm之範圍內,且較佳為30 μm或以下、更佳為20 μm或以下、更佳為0.01 μm至9 μm、最佳為0.05 μm至5 μm。較佳以經圖案化之形狀形成金屬銀部分。金屬銀部分可具有單層結構或包含兩個或更多個層之多層結構。當金屬銀部分具有包含兩個或更多個層之經圖案化多層結構時,所述層可具有不同的波長色彩靈敏度。在此情況下,可藉由使用具有不同波長之曝光用光而在所述層中形成不同圖案。
在將第一導電片12A或第二導電片12B用於觸控面板中之情況下,導電金屬部分較佳具有較小厚度。當厚度減小時,可改良顯示面板之視角以及可視性。因此,導電金屬部分上的導電金屬層之厚度較佳小於9 μm,更佳為0.1 μm或以上但小於5 μm、尤其更佳為0.1 μm或以上但小於3 μm。
在此實施例中,可藉由改變含銀鹽層之塗佈厚度來控制金屬銀部分之厚度,且可在物理顯影處理及/或電鍍處理中控制導電金屬粒子層之厚度,由此可容易地製成厚度小於5 μm(較佳小於3 μm)之第一導電片12A以及第二導電片12B。
在本實施例之製造第一導電片12A以及第二導電片12B之方法中並非必需執行電鍍或其類似處理。此是因為在本實施例之製造第一導電片12A以及第二導電片12B之方法中,可藉由控制所施加銀量以及銀鹽乳液層之銀/黏合劑體積比來獲得所要之表面電阻。若需要,可執行壓延(calender)處理或其類似處理。
(顯影處理之後的膜硬化處理)
較佳在使銀鹽乳液層顯影之後,將所得物浸沒於硬化劑中,且因此經受膜硬化處理。硬化劑之實例包含日本特許公開專利公告第02-141279號中描述之硼酸、2,3-二羥基-1,4-二噁烷以及諸如戊二醛(glutaraldehyde)以及己二醛(adipaldehyde)之二醛。
在上述實例中,第一導電圖案18A包含在第一方向上串聯連接的兩個或更多個第一大柵格24A,且第二導電圖案18B包含在第二方向上串聯連接之兩個或更多個第二大柵格24B。或者,第一導電圖案18A可包含在第一方向上串聯連接之具有菱形形狀或類似形狀的兩個或更多個透明氧化銦錫(ITO)膜電極,且第二導電圖案18B可包含在第二方向上串聯連接的具有菱形形狀或類似形狀的兩個或更多個透明ITO膜電極。
於導電片中可形成諸如抗反射層(antireflection layer)或硬質塗層(hard coat layer)之額外功能層。
本發明可與在表1及表2中展示之以下專利公開案及國際專利小冊子中所描述之技術適當地組合。其中省略了「日本特許公開專利」、「公開案第......號」、「小冊子第......號」等。
實例
在下文中將參考實例更具體地描述本發明。可適當地改變在實例中所用之材料、量、比率、處理內容、處理程序及其類似者,此並不脫離本發明之範疇。因此,以下具體實例應在所有方面均被視為說明性而非限制性的。
[第一實例]
第一實例中,藉由以下處理產生100個第一導電片12A以及100個第二導電片12B。細金屬線具有為1 μm之線寬,且小柵格26具有為100 μm之邊長。
(感光性鹵化銀材料)
製備包含水性介質、明膠以及氯溴碘化銀(silver iodobromochloride)粒子之乳液。明膠之量為10.0 g/150 gAg,且氯溴碘化銀粒子中I含量為0.2 mol%,Br含量為40 mol%,且平均球當量直徑(average spherical equivalent diameter)為0.1 μm。
將K3 Rh2 Br9 以及K2 IrCl5 以10-7 mol/mol銀之濃度添加至乳液中,以用Rh離子以及Ir離子摻雜溴化銀粒子。進一步將Na2 PdCl4 添加至乳液,且使用氯金酸(chlorauric acid)以及硫代硫酸鈉(sodium thiosulfate)使所得乳液經受金-硫敏化。將所述乳液以及明膠硬化劑塗覆至本文中皆由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)構成的第一透明基板14A或第二透明基板14B。所施加銀之量為10 g/m2 ,且銀/明膠體積比為2/1。
PET支撐件具有為30 cm之寬度,且乳液塗覆至PET支撐件達25 cm之寬度以及20 m之長度。切掉寬度為3 cm之兩個末端部分,以獲得寬度為24 cm之捲式感光性鹵化銀材料。
(曝光)
將第一透明基板14A之A4(210 mm×297 mm)大小區域曝露於圖1以及圖3所示之第一導電片12A的圖案中,且將第二透明基板14B之A4大小區域曝露於圖1以及圖4所示之第二導電片12B的圖案中。使用來自高壓汞燈光源之平行光以及經圖案化光罩來執行曝光。
(顯影處理)
1L顯影劑之調配物
對苯二酚 20 g
亞硫酸鈉 50 g
碳酸鉀 40 g
乙二胺四乙酸 2 g
溴化鉀 3 g
聚乙二醇2000 1 g
氫氧化鉀 4 g
pH值 控制為10.3
1 L固定劑之調配物
硫代硫酸銨溶液(75%) 300 ml
一水亞硫酸銨 25 g
1,3-二胺基丙烷四乙酸 8 g
乙酸 5 g
氨水(27%) 1 g
pH值 控制在6.2
在以下條件下使用由FUJIFILM公司製造的自動處理器FG-710PTS用以上處理試劑來處理經曝光的感光材料。在35℃下執行顯影處理歷時30秒,在34℃下執行固定處理歷時23秒,且接著以5 L/min之水流速率執行水洗處理歷時20秒。
[比較實例]
根據國際公開案第WO 2010/013679號之圖7(a)製造100個對應於第一導電片12A之第一比較導電片以及100個對應於第二導電片12B之第二比較導電片。細金屬線具有為1 μm之線寬,且最小柵格具有為100 μm之邊長。
(評估方法)
在將第一導電片12A(第一比較導電片)堆疊於第二導電片12B(第二比較導電片)上以製成導電片積層體之前,藉由電路測試器量測形成於每一導電片上的導電圖案之兩個末端之間的電阻值。每一導電片具有多個導電圖案,且量測所有導電圖案之電阻值。
當藉由電路測試器所量測之電阻值為1 MΩ或以上時,即斷定導電圖案中的多個連接(用於連接大柵格)中之至少一者完全斷開。同時,當藉由電路測試器所量測之電阻值小於1 MΩ時,即斷定導電圖案中之連接未斷開。
(評估結果)
在實例中,在所有第一導電片12A中,未偵測到第一連接28A之斷開。此外,在所有第二導電片12B中,未偵測到第二連接28B之斷開。而在比較實例中,在12個第一比較導電片中,第一連接斷開。此外,在13個第二比較導電片中,第二連接斷開。
因此,在比較實例中,導電圖案之連接在導電片生產過程中常常完全斷開。相比之下,在實例中,則可防止第一連接28A以及第二連接28B完全斷開。
[第二實例]
分別製成實例1至實例9之導電片積層體。量測每一導電片之表面電阻以及透射率,並評估每一導電片之波紋以及可視性。實例1至實例9之組件、量測結果以及評估結果展示於表3中。
以與第一實例相同之方式製成實例1至實例9之第一導電片12A以及第二導電片12B。
(實例1)
在實例1中所製成之第一導電片12A以及第二導電片12B中,導電部分(第一導電圖案18A以及第二導電圖案18B)具有為1 μm之線寬,小柵格26具有為50 μm之邊長,且大柵格(第一大柵格24A以及第二大柵格24B)具有為3 mm之邊長。
(實例2)
以與實例1相同之方式製成實例2之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是小柵格26具有為100 μm之邊長。
(實例3)
以與實例1相同之方式製成實例3之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是導電部分具有為3 μm之線寬,小柵格26具有為150 μm之邊長,且大柵格具有為4 mm之邊長。
(實例4)
以與實例1相同之方式製成實例4之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是導電部分具有為4 μm之線寬,小柵格26具有為210 μm之邊長,且大柵格具有為5 mm之邊長。
(實例5)
以與實例1相同之方式製成實例5之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是導電部分具有為5 μm之線寬,小柵格26具有為250 μm之邊長,且大柵格具有為5 mm之邊長。
(實例6)
以與實例1相同之方式製成實例6之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是導電部分具有為8 μm之線寬,小柵格26具有為300 μm之邊長,且大柵格具有為6 mm之邊長。
(實例7)
以與實例1相同之方式製成實例7之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是導電部分具有為9 μm之線寬,小柵格26具有為300 μm之邊長,且大柵格具有為10 mm之邊長。
(實例8)
以與實例1相同之方式製成實例8之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是導電部分具有為10 μm之線寬,小柵格26具有為400 μm之邊長,且大柵格具有為10 mm之邊長。
(實例9)
以與實例1相同之方式製成實例9之第一導電片12A以及第二導電片12B,只是導電部分具有為15 μm之線寬,小柵格26具有為500 μm之邊長,且大柵格具有為10 mm之邊長。
(表面電阻量測)
在第一導電片12A以及第二導電片12B中之每一者中,藉由由Dia Instruments CO.,Ltd.製造之LORESTA GP(型號MCP-T610)利用直列四探針法(ASP)量測視情況選擇的10個區域之表面電阻率值,且獲得所量測值之平均值以評估偵測準確性。
(透射率量測)
藉由分光光度計(spectrophotometer)量測第一導電片12A以及第二導電片12B中之每一者的透射率以評估透明度。
(波紋評估)
在實例1至實例9中之每一者中,將第一導電片12A堆疊於第二導電片12B中以獲得第一導電片積層體10A。將第一導電片積層體10A附接至液晶顯示裝置之顯示螢幕,以獲得觸控面板100。將觸控面板100固定至轉台(turntable),且使液晶顯示裝置運作以顯示白色。視覺上感測並評估第一導電片積層體10A之波紋,同時在-45°至+45°之偏置角範圍內轉動轉台。
在距液晶顯示裝置之顯示螢幕1.5 m之距離處觀察波紋。當看不到波紋時,將第一導電片積層體10A評估為「極佳」,當波紋在可接受程度上稍微可見時,將其評估為「尚可」,或當波紋高度地可見時,將其評估為「不良」。
(可視性評估)
當將觸控面板100固定至轉台且使液晶顯示裝置運作以顯示白色時,在波紋評估之前,藉由裸眼觀察是否在觸控面板100上形成加粗的線或黑點以及觸控面板100中第一大柵格24A與第二大柵格24B之邊界是否可見。
如表3所示,在實例1至實例9中,實例1至實例8之導電片在導電性、透射率、波紋以及可視性方面是極佳的。實例9之導電片在波紋以及可視性評估中劣於實例1至實例8之導電片,但波紋僅在可接受程度上稍微可見,且顯示裝置上之影像未出現劣化。
[第三實例]
使用第二實例中之實例1至實例9之第一導電片12A以及第二導電片12B中之每一者製成投射式電容性觸控面板。所製成之觸控面板不具有高度可見之波紋。當藉由手指觸摸來操作觸控面板時,觸控面板展現出高的回應速度以及極佳的偵測靈敏度。此外,當觸摸兩個或更多個點時,觸控面板展現出相同的極佳性質。因此,可確認觸控面板能夠進行多點觸摸偵測。
應理解,本發明之導電片以及使用所述導電片之電容性觸控面板不限於上述實施例,且可在本文中進行各種改變以及潤飾,此並不脫離本發明之範疇。
10A...第一導電片積層體
10B...第二導電片積層體
10C...第三導電片積層體
10D...第四導電片積層體
10E...第五導電片積層體
10F...第六導電片積層體
12A...第一導電片
12B...第二導電片
14A...第一透明基板
14B...第二透明基板
16A...第一導電部件
16B...第二導電部件
18A...第一導電圖案
18B...第二導電圖案
20A...第一輔助圖案
20B...第二輔助圖案
24A、24Aa、24Ab...第一大柵格
24B、24Ba、24Bb...第二大柵格
26...小柵格
27A...第一空白區域
27B...第二空白區域
28A...第一連接
28B...第二連接
30...直邊
32...「之」字形邊
34...第一接觸點
36...第二接觸點
38...第三接觸點
40a...第一導電線部分
40b...第二導電線部分
40c...第三導電線部分
40d...第四導電線部分
40e...第五導電線部分
40f...第六導電線部分
40g...第七導電線部分
40h...第八導電線部分
42、204、254、302...長方形部分
42a...第一長方形
42b...第二長方形
44a...第一導電線
44b...第二導電線
44c...第三導電線
44d...第四導電線
44e...第五導電線
44f...第六導電線
44g...第七導電線
44h...第八導電線
44i...第九導電線
44j...第十導電線
44k...第十一導電線
44l...第十二導電線
44m...第十三導電線
44n...第十四導電線
44o...第十五導電線
44p...第十六導電線
52A...第一突出線
52B...第二突出線
54A...第一絕緣體
54B...第二絕緣體
56A...第一輔助線
56B...第二輔助線
58A...第一L形圖案
58B...第二L形圖案
60A...第一線連接
60B...第二線連接
62A...第一端子佈線圖案
62B...第二端子佈線圖案
75、242、264、318...組合圖案
76、78...頂點
80A...第一缺失部分
80B...第二缺失部分
100...觸控面板
102...感測器本體
106...保護層
108...顯示裝置
110...顯示面板
110a...顯示螢幕
112...感測器區域
114...端子佈線區域
116a...第一端子
116b...第二端子
118a...第一對準標記
118b...第二對準標記
140...感光材料
142a...第一感光層
142b...第二感光層
144a...第一光
144b...第二光
146a...第一光罩
146b...第二光罩
148a...第一光源
148b...第二光源
150a...中間第一準直透鏡
150b...中間第二準直透鏡
152a...第一曝光圖案
152b...第二曝光圖案
200A...第一連接
200B...第二連接
202a...第一導電線部分
202b...第二導電線部分
202c...第三導電線部分
202d...第四導電線部分
202e...第五導電線部分
202f...第六導電線部分
202g...第七導電線部分
202h...第八導電線部分
202i...第九導電線部分
202j...第十導電線部分
204a...第一長方形部分
204b...第二長方形部分
208A、208B、230、232、256、304、306、308...突出線
210、214、266、268、270、272、274a、274b、315、316、320、330、332...輔助線
212A...第一輔助圖案
212B...第二輔助圖案
218A、218B...U形圖案
220...正方形框架圖案
222...第一接觸點
224...第二接觸點
226...第三接觸點
228...第四接觸點
234...第一直線
236...第二直線
238...第三直線
240...第四直線
250A...第一連接
250B...第二連接
252a...第一導電線部分
252b...第二導電線部分
252c...第三導電線部分
252d...第四導電線部分
252e...第五導電線部分
252f...第六導電線部分
252g...第七導電線部分
252h...第八導電線部分
252i...第九導電線部分
252j...第十導電線部分
252k...第十一導電線部分
252l...第十二導電線部分
254a...第一長方形部分
254b...第二長方形部分
258A...第一輔助圖案
258B...第二輔助圖案
260、322...輔助長線
262、324...輔助短線
300...第二接觸點
302a...小長方形部分
302b...正方形部分
310...第一直線
312...第二直線
314...第三直線
326、328...長輔助線
P1、P2、P3、P4、P5、P6...相交點
S1、S2、S3...步驟
圖1為部分地展示根據第一實施例之導電片積層體(第一導電片積層體)的分解透視圖。
圖2A為部分地展示第一導電片積層體之實例的橫截面圖,且圖2B為部分地展示第一導電片積層體之另一實例的橫截面圖。
圖3為展示形成於第一導電片積層體之第一導電片上的第一導電部件之圖案實例的平面圖。
圖4為展示圖3之第一連接的放大平面圖。
圖5A為展示第一連接之連接狀態的解釋性視圖,圖5B為展示第一連接之第一變化實例的連接狀態之解釋性視圖,且圖5C為展示第一連接之第二變化實例的連接狀態之解釋性視圖。
圖6為展示形成於第一導電片積層體之第二導電片上的第二導電部件之圖案實例的平面圖。
圖7為展示使用第一導電片積層體之觸控面板的透視圖。
圖8為部分地展示藉由組合第一導電片與第二導電片而形成之第一導電片積層體之實例的平面圖。
圖9為展示根據第二實施例形成於導電片積層體(第二導電片積層體)的第一導電片上的第一導電部件之圖案實例的平面圖。
圖10為展示形成於第二導電片積層體之第二導電片上的第二導電部件之圖案實例的平面圖。
圖11為部分地展示藉由組合第一導電片與第二導電片而形成之第二導電片積層體之實例的平面圖。
圖12為展示形成於根據第三實施例之導電片積層體(第三導電片積層體)的第一導電片上的第一導電部件之圖案實例的平面圖。
圖13為展示形成於第三導電片積層體之第二導電片上的第二導電部件之圖案實例的平面圖。
圖14為部分地展示藉由組合第一導電片與第二導電片而形成之第三導電片積層體之實例的平面圖。
圖15為展示根據第四實施例形成於導電片積層體(第四導電片積層體)的第一導電片上的第一導電部件之圖案實例的平面圖。
圖16為展示圖15之第一連接的放大平面圖。
圖17為展示形成於第四導電片積層體之第二導電片上的第二導電部件之圖案實例的平面圖。
圖18為部分地展示藉由組合第一導電片與第二導電片而形成之第四導電片積層體之實例的平面圖。
圖19為展示根據第五實施例形成於導電片積層體(第五導電片積層體)的第一導電片上的第一導電部件之圖案實例的平面圖。
圖20為展示形成於第五導電片積層體之第二導電片上的第二導電部件之圖案實例的平面圖。
圖21為部分地展示藉由組合第一導電片與第二導電片而形成之第五導電片積層體之實例的平面圖。
圖22為展示根據第六實施例形成於導電片積層體(第六導電片積層體)的第一導電片上的第一導電部件之圖案實例的平面圖。
圖23為展示形成於第六導電片積層體之第二導電片上的第二導電部件之圖案實例的平面圖。
圖24為部分地展示藉由組合第一導電片與第二導電片而形成之第六導電片積層體之實例的平面圖。
圖25為用於生產第一導電片積層體之方法的流程圖。
圖26A為部分地展示所產生的感光材料之橫截面圖,且圖26B為展示感光材料之同時雙側曝光的解釋性視圖。
圖27為展示所執行之第一曝光處理以及第二曝光處理、同時防止入射於第一感光層上之光透射至第二感光層且防止入射於第二感光層上之光透射至第一感光層之解釋性視圖。
10A...第一導電片積層體
12A...第一導電片
12B...第二導電片
14A...第一透明基板
14B...第二透明基板
16A...第一導電部件
16B...第二導電部件
18A...第一導電圖案
18B...第二導電圖案
20A...第一輔助圖案
20B...第二輔助圖案
24A...第一大柵格
24B...第二大柵格
26...小柵格
28A...第一連接
28B...第二連接
56A...第一輔助線
56B...第二輔助線
60A...第一線連接
60B...第二線連接
62A...第一端子佈線圖案
62B...第二端子佈線圖案
112...感測器區域
114...端子佈線區域

Claims (18)

  1. 一種導電片,包含基板(14A)、形成於所述基板(14A)之一主表面上的第一導電部件(16A)以及形成於所述基板(14A)之另一主表面上的第二導電部件(16B),其中所述第一導電部件(16A)包含兩個或更多個第一導電圖案(18A),所述第一導電圖案(18A)各自包含藉由第一連接而在第一方向上串聯地電性連接之兩個或更多個第一感測區段(24A),且配置於垂直於所述第一方向之第二方向上,所述第二導電部件(16B)包含兩個或更多個第二導電圖案(18B),所述第二導電圖案(18B)各自包含藉由第二連接而在所述第二方向上串聯地電性連接之兩個或更多個第二感測區段(24B),且配置於所述第一方向上,所述第一感測區段(24A)以及所述第二感測區段(24B)各自包含由兩個或更多個小柵格(26)形成之組合,所述第一導電圖案(18A)在自上方檢視時是鄰近於所述第二導電圖案(18B)配置,所述第一連接與所述第二連接被配置為面向彼此,且所述基板(14A)插入於其間,所述第一感測區段(24A)經由三個或更多個連接路徑而電性連接至彼此,且在所述第一連接中四邊形部分(42)配置於鄰近的兩個所述感測區段(24A)之間的預 定連接方向上,所述第二感測區段(24B)經由三個或更多個連接路徑而電性連接至彼此,且在所述第二連接中四邊形部分(42)配置於鄰近的兩個所述感測區段(24A)之間的預定連接方向上,且在所述第一連接中的四邊形部分(42)與在所述第二連接中的四邊形部分(42)中的每一者包含第一四邊形部分以及第二四邊形部分,所述第一四邊形部分具有距離為La之彼此對置的細金屬線,所述第二四邊形部分具有距離為Lb之彼此對置的細金屬線,且滿足La>Lb。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電片,其中所述第一連接包含三根或更多根導電線,所述導電線連接一個第一感測區段(24A)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點與另一個第一感測區段(24A)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點,且所述第二連接包含三根或更多根導電線(40a、40b、40c、40d),所述導電線(40a、40b、40c、40d)連接一個第二感測區段(24B)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點與另一個第二感測區段(24B)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電片,其中所述第一連接包含第一導電線部分、第二導電線部分、第三導電線部分以及第四導電線部分,所述第一導電線部分以及所述第二導電線部分連接一個第一感測區段 (24A)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點與另一個第一感測區段(24A)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點,所述第三導電線部分連接所述一個第一感測區段(24A)中之所述小柵格(26)的另一個頂點與所述第一導電線部分,且所述第四導電線部分連接所述另一個第一感測區段(24A)中之所述小柵格(26)的另一個頂點與所述第二導電線部分;且所述第二連接包含第五導電線部分、第六導電線部分、第七導電線部分以及第八導電線部分,所述第五導電線部分以及所述第六導電線部分連接一個第二感測區段(24B)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點與另一個第二感測區段(24B)中之所述小柵格(26)的一或多個頂點,所述第七導電線部分連接所述一個第二感測區段(24B)中之所述小柵格(26)的另一個頂點與所述第五導電線部分,且所述第八導電線部分連接所述另一個第二感測區段(24B)中之所述小柵格(26)的另一個頂點與所述第六導電線部分。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電片,其中所述第一導電部件(16A)更包含第一輔助圖案,所述第一輔助圖案包含圍繞所述第一感測區段(24A)之一側邊的多個第一輔助線(56A),所述第二導電部件(16B)更包含第二輔助圖案,所述第二輔助圖案包含圍繞所述第二感測區段(24B)之一側邊的多個第二輔助線(56B),且 所述第一輔助圖案以及所述第二輔助圖案彼此交疊,以在自上方檢視時在所述第一導電圖案(18A)與所述第二導電圖案(18B)之間形成組合圖案(75)。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之導電片,其中所述組合圖案(75)含有由兩個或更多個小柵格(26)形成之組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之導電片,其中所述第一感測區段(24A)與所述第二感測區段(24B)具有實質上相同的大小或具有不同大小。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之導電片,其中所述第一感測區段(24A)包含實質上正方形之大柵格,且所述第二感測區段(24B)包含實質上長方形之大柵格。
  8. 一種導電片,包含基板(14A)以及形成於所述基板(14A)之主表面上的導電部件(16A),其中所述導電部件(16A)包含兩個或更多個導電圖案(18A),所述導電圖案(18A)各自包含由細金屬線構成之兩個或更多個感測區段(24A)且配置於第二方向上,所述感測區段(24A)藉由由所述細金屬線構成之連接而在第一方向上串聯地電性連接,且所述第二方向垂直於所述第一方向,所述感測區段(24A)各自包含由兩個或更多個小柵格(26)形成之組合,所述感測區段(24A)經由三個或更多個連接路徑而電性連接,且在所述連接中四邊形部分(42)配置於鄰近 的兩個所述感測區段(24A)之間的預定連接方向上,且四邊形部分(42)包含第一四邊形部分以及第二四邊形部分,所述第一四邊形部分具有距離為La之彼此對置的所述細金屬線,所述第二四邊形部分具有距離為Lb之彼此對置的所述細金屬線,且滿足La>Lb。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之導電片,其中當Na表示自一個感測區段(24A)與所述連接之間的接觸點延伸至所述連接中的所述細金屬線之數目、Nb表示在所述連接中的多個相交點之間延伸的所述細金屬線之數目、Nc表示自另一個鄰近感測區段(24A)與所述連接之間的接觸點延伸至所述連接中的所述細金屬線之數目且N表示所述兩個感測區段(24A)之間的連接路徑之數目時,所述導電片滿足N=Na×(Nb+Nc-1)。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之導電片,其中所述距離Lb等於所述小柵格(26)之邊長。
  11. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之導電片,其中所述四邊形部分(42)滿足1.2×LbLa3.0×Lb。
  12. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之導電片,其中所述四邊形部分(42)滿足La=2×Lb。
  13. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之導電片,其中所述第一四邊形部分配置於所述第二四邊形部分之每一側邊上。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之導電片,其中所述連接含有突起(52A),所述突起(52A)由自側邊垂直地 延伸之所述細金屬線構成,所述側邊之長度為所述小柵格(26)之邊長之3倍或更多倍。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之導電片,其中所述突起(52A)朝向所述連接之內側延伸。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之導電片,其中所述突起(52A)自所述連接向外延伸。
  17. 一種導電片,包含基板(14A)、形成於所述基板(14A)之一主表面上的第一導電部件(16A)以及形成於所述基板(14A)之另一主表面上的第二導電部件(16B),其中所述第一導電部件(16A)包含兩個或更多個第一導電圖案(18A),所述第一導電圖案(18A)各自包含藉由第一連接而連接之兩個或更多個第一感測區段(24A),所述第二導電部件(16B)包含兩個或更多個第二導電圖案(18B),所述第二導電圖案(18B)各自包含藉由第二連接而連接之兩個或更多個第二感測區段(24B),所述第一導電圖案(18A)與所述第二導電圖案(18B)在所述連接上大致垂直交叉,所述第一導電圖案(18A)與所述第二導電圖案(18B)由線寬為15μm或小於15μm之細線圖案構成,所述第一感測區段(24A)經由三個或更多個連接路徑而電性連接,且在所述第一連接中四邊形部分(42)配置於鄰近的兩個所述感測區段(24A)之間的預定連接方向上,所述第二感測區段(24B)經由之三個或更多個連 接路徑而電性連接,且在所述第二連接中四邊形部分(42)配置於鄰近的兩個所述感測區段(24A)之間的預定連接方向上,且在所述第一連接中的四邊形部分(42)與在所述第二連接中的四邊形部分(42)中的每一者包含第一四邊形部分以及第二四邊形部分,所述第一四邊形部分具有距離為La之彼此對置的細金屬線,所述第二四邊形部分具有距離為Lb之彼此對置的細金屬線,且滿足La>Lb。
  18. 一種電容性觸控面板(100),包含如申請專利範圍第1項、第8項與第17項中任一項所述之導電片(10A、10B、10C、10D、10E、10F)。
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