TWI438522B - 在顯示裝置中使用間隔物於間隔中以保護顯示陣列之微結構之系統及方法 - Google Patents

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Description

在顯示裝置中使用間隔物於間隔中以保護顯示陣列之微結構之系統及方法
本發明係關於電子裝置。更特定言之，本發明係關於一種用於保護微機電裝置免受實體損害之封裝系統及方法。
微機電系統(MEMS)包括微機械元件、致動器及電子設備(electronics)。可使用沉積、蝕刻及或蝕刻掉基板及/或沉積材料層之若干部分或添加若干層以形成電氣裝置及機電裝置的其它微機械加工製程來創建微機械元件。一種類型之MEMS裝置稱為一干涉調變器。一干涉調變器可包含一對導電板，其中之一者或兩者可完全或部分地透明及/或反射，且在施加適當之電訊號時能夠相對運動。一板可包含一沉積於一基板上之固定層，另一板可包含一與該固定層分離一氣隙之金屬薄膜。該等裝置具有廣泛的應用，且此項技術中將有益的是利用及/或修改此等類型之裝置的特徵，使得其特徵可用於改良現存產品並創建尚未開發之新產品。
本發明之一實施例係一種包含一形成於一基板上之干涉調變器陣列之顯示裝置。此實施例包括一背板及一安置於該基板與該背板之間的密封件(seal)，其中該基板與該背板密封在一起以封裝該干涉調變器陣列。一或多個間隔物安置於該陣列與該背板之間，其中該或該等間隔物防止該背板接觸該陣列。
本發明之另一實施例係一種用於製造一顯示裝置之方法。此實施例包括在一基板上提供一干涉調變器陣列及在該基板上安置一或多個間隔物。該方法亦提供將一背板密封至該基板上以形成一顯示裝置，其中該或該等間隔物防止該背板接觸該陣列。
本發明之又一實施例係一種藉由在一基板上提供一干涉調變器陣列及在該基板上安置一或多個間隔物之方法而製造的顯示裝置。製造該顯示裝置之方法亦包括將一背板密封至該基板上以形成一顯示裝置，其中該或該等間隔物防止該背板接觸該陣列。
本發明之另一實施例係一種顯示裝置。在此實施例中，該顯示裝置包括用於透過其中傳輸光之傳輸構件(transmissive means)及用於經由該傳輸構件來調變光發射器之調變構件。該顯示裝置亦包含用於覆蓋該調變構件之覆蓋構件及安置於該傳輸構件與該覆蓋構件之間以形成一封裝的密封構件。又，該顯示裝置包括用於防止該調變構件與該覆蓋構件在該顯示裝置內接觸彼此之間隔構件。
電子裝置易受來自實體衝擊(physical assault)之損害，例如，跌落、扭曲、碰撞、按壓及其類似衝擊。某些裝置對損害比其它裝置更為敏感。舉例而言，具有移動部分之裝置易受一或多個移動部分之移位或破損。某些微機電系統(MEMS)裝置因其組件之精細尺寸而對實體衝擊尤其敏感。因此，通常封裝該等裝置以減小或防止不當之接觸，該等不當之接觸可損害該裝置。
在某些狀況下，該封裝本身由於外力而扭曲或變形，其導致該封裝之組件接觸，且在某些狀況下損害或削弱封裝於其中之裝置的運作。因此，本文所揭示的係一用於電子裝置(包括MEMS裝置)之封裝系統(packing system)，其包括經組態以防止或減小已封裝裝置中之組件可能損害該電子裝置之接觸的間隔物。在某些實施例中，該等間隔物經組態以防止或減小由於干涉調變器陣列與一用於該干涉調變器陣列之封裝系統之背板之間的接觸而引起之損害。因此，在某些實施例中，一包含一或多個間隔物之封裝顯示器薄於一未製造有間隔物的等效封裝顯示器，因為該等間隔物允許將背板安置成更接近於干涉調變器陣列，如下文所論述。
本文所揭示之干涉調變器MEMS裝置可用於顯示裝置之製造中。在某些實施例中，顯示器包含一形成於一基板上之干涉調變器陣列，藉此製造一與其長度及/或寬度相比相對較薄之裝置。該等結構之某些實施例易受由於一力而與一垂直於裝置之表面之組件的偏轉或變形。該等結構之某些實施例易受關於扭轉之變形。熟習此項技術者應瞭解，若所有其它情況等同，則偏轉或變形將隨著裝置之長度及/或寬度的增加而增加。
可能誘發該等偏轉及/或變形之力在攜帶型電子裝置中並不是不常見的。舉例而言，該等力出現於觸摸式顯示幕應用中，或出現於基於觸針之介面(stylus－based interface)中。此外，舉例而言，當在電腦顯示器上指出影像時，使用者在顯示器之表面上觸摸或按壓係共同的。舉例而言，在使用者之口袋或錢包中之行動電話顯示器上亦發生顯示器之無意接觸。
下文之詳細描述係針對本發明之某些特定實施例。然而，本發明可以眾多不同的方式來體現。在此描述中，參照圖式，其中全部以相似數字來表示相似部分。自下文之描述將顯而易見，本發明可實施於任何經組態以顯示影像之裝置中，而不管該影像是運動的(例如，視訊)還是固定的(例如，靜止影像)，且不管是本文的還是圖示的。更特定言之，預期本發明可實施於各種電子裝置中或與各種電子裝置相關聯，該等裝置諸如(但不限於)行動電話、無線裝置、個人數位助理(PDA)、掌上型或攜帶型電腦、GPS接收器/導航儀、相機、MP3播放器、攝像機、遊戲控制臺、手錶、時鐘、計算器、電視監控器、平板顯示器、電腦螢幕、汽車顯示器(auto display)(例如，里程計顯示器，等等)、駕駛艙控制器及/或顯示器、相機視圖之顯示器(例如，車輛中後視圖相機之顯示器)、電子攝影、電子廣告牌或標牌、投影儀、架構結構、封裝及美學結構(例如，一塊珠寶上之影像的顯示器)。類似於本文所描述之裝置結構之結構的MEMS裝置亦可用於非顯示應用中，諸如用於電子開關裝置中。
圖1中說明一包含干涉MEMS顯示元件之干涉調變器顯示器實施例。在此等裝置中，像素處於明亮狀態或黑暗狀態中。在該明亮("開啟"(on)或"打開"(open))狀態中，顯示元件將入射可見光之一較大部分反射至使用者。當處於該黑暗("關閉"(off)或"封閉"(closed))狀態中時，顯示元件將很少的入射可見光反射至使用者。視該實施例而定，可顛倒"開啟"及"關閉"狀態之光反射率特性。MEMS像素可經組態以主要地以所選顏色反射，從而允許彩色顯示(除黑色及白色以外)。
圖1係一描繪視覺顯示器之一系列像素中之兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包含一MEMS干涉調變器。在某些實施例中，一干涉調變器顯示器包含此等干涉調變器之一列/行陣列。每一干涉調變器包括一對反射層，其定位於與彼此相距一可變且可控之距離處，以形成一具有至少一可變尺寸之光諧振腔。在一實施例中，一反射層可在兩個位置之間移動。在本文稱為釋放狀態的第一位置中，活動層定位於與一固定的部分反射層相距一相對較大的距離處。在第二位置中，活動層經定位成與該部分反射層更緊密地相鄰。視活動反射層的位置而定，自兩層反射之入射光以相長或相消方式干涉，從而對每一像素產生一全反射或非反射狀態。
圖1中之像素陣列之描繪部分包括兩個相鄰的干涉調變器12a及12b。在左側之干涉調變器12a中，在一與固定的部分反射層16a相距一預定距離處之釋放位置中說明一活動且高度反射層14a。在右側之干涉調變器12b中，在一與固定的部分反射層16b相鄰之致動位置中說明活動高度反射層14b。
固定層16a、16b係導電的、部分地透明的及部分地反射的，且可藉由(例如)將一或多個層(各由鉻及氧化銦錫製成)沉積至一透明基板20上來製造。將該等層圖案化成平行條帶，且該等層可在一顯示裝置中形成列電極，如下文進一步所描述。可將活動層14a、14b形成為一或若干沉積於柱形物18之頂部上之沉積金屬層(正交於列電極16a、16b)及一沉積於該等柱形物18之間之介入犧牲材料的一系列平行條帶。當蝕刻掉該犧牲材料時，可變形之金屬層與固定之金屬層分離了一已界定之氣隙19。一諸如鋁之高度導電且反射之材料可用於可變形層，且此等條帶可在一顯示裝置中形成行電極。
在沒有施加電壓的情況下，空腔19保持於層14a、16a之間，且可變形層處於機械鬆弛的狀態中，如由圖1中之像素12a所說明。然而，當將一電位差施加至一所選列及行時，形成於對應像素處之列與行電極之相交處的電容器被充電，且靜電力將該等電極拉在一起。若電壓足夠高，則使活動層變形且將其壓到固定層上(可將未在此圖中說明之介電材料沉積於該固定層上以防止短路且控制分離距離)，如由在圖1中右側之像素12b所說明。不管所施加之電位差的極性，行為均係相同的。以此方式，可控制反射對非反射像素狀態之列/行致動在許多方面類似於用於習知LCD及其它顯示技術中之致動。
圖2至圖5B說明一用於在一顯示應用中使用一干涉調變器陣列之示範性製程及系統。圖2係一系統方塊圖，其說明一可併入本發明之態樣之電子裝置的一實施例。在該示範性實施例中，該電子裝置包括一處理器21，其可為任何通用之單晶片或多晶片微處理器，諸如，ARM、Pentium、Pentium II、Pentium III、Pentium IV、PentiumPro、8051、MIPS、Power PC、ALPHA，或可為任何專用之微處理器，諸如數位訊號處理器、微控制器或可程式化閘極陣列。此項技術中習知的是，處理器21可經組態以執行一或多個軟體模組。除執行一作業系統之外，處理器可經組態以執行一或多個軟體應用程式，包括網路瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程式(email program)或任何其它軟體應用程式。
在一實施例中，處理器21亦經組態以與一陣列控制器22通訊。在一實施例中，陣列控制器22包括將訊號提供至像素陣列30之列驅動器電路24及一行驅動器電路26。藉由圖2中之線1－1來展示圖1中所說明之陣列的橫截面。對於MEMS干涉調變器而言，列/行致動協定可利用圖3中所說明之此等裝置的磁滯特性。舉例而言，可需要10伏特之電位差來導致一活動層自釋放狀態變形至致動狀態。然而，當自彼值減小該電壓時，該活動層在該電壓降落回至10伏特以下時維持其狀態。在圖3之示範性實施例中，活動層未完全釋放，直至電壓降落至2伏特以下。因此在圖3中所說明之實例中存在一電壓範圍(約3至7 V)，其中存在一施加電壓窗，在該窗內，裝置在釋放或致動狀態中係穩定的。本文將此稱為"磁滯窗"(hysteresis window)或"穩定窗"(stability window)。對於具有圖3之磁滯特徵之顯示陣列而言，列/行致動協定可經設計成使得在列選通期間，將所選通之列中之待致動的像素曝露至約10伏特之電壓差，且將待釋放之像素曝露至接近於零伏特之電壓差。在該選通之後，將該等像素曝露至約5伏特之穩態電壓差，使得其保持於列選通將其所放之任何狀態中。在寫入每一像素之後，在此實例中每一像素經歷3－7伏特之"穩定窗"內的電位差。此特徵使得圖1中所說明之像素設計在相同施加電壓條件下於致動或釋放之預存在狀態中穩定。因為不管是在致動狀態還是在釋放狀態中的干涉調變器之每一像素基本上係一由固定及移動反射層所形成之電容器，所以此穩態可在幾乎沒有功率耗散的情況下保持磁滯窗內之一電壓。若施加電位係固定的，則基本上無電流流入像素中。
在典型的應用中，可藉由根據第一列中所要之致動像素組而確定行電極組來創建一顯示訊框。接著將一列脈衝施加至列1電極，從而致動對應於所確定之行線之像素。接著改變所確定之行電極組以對應於第二列中所要之致動像素組。接著將一脈衝施加至列2電極，從而根據所確定之行電極而致動列2中適當的像素。列1像素未受列2脈衝的影響，且在列1脈衝期間保持於其被設定至之狀態中。可以一連續方式對整個系列之列重複此情況以產生該訊框。通常，藉由以每秒鐘進行某些所要數目之訊框來不斷地重複此過程而利用新的顯示資料來刷新及/或更新該等訊框。用於驅動像素陣列之列及行電極以產生顯示訊框之各種各樣的協定亦係熟知的，且可結合本發明來使用。
表1、圖4及圖5說明一用於在圖2之3×3陣列上創建一顯示訊框之可能的致動協定。表1說明一可用於展現圖3之磁滯曲線之像素之可能的行及列電壓位準組。在表1之實施例中，致動一像素涉及將適當之行設定為-Vbias 、且將適當之列設定為+△V，其可分別對應於-5伏特與+5伏特。釋放該像素係藉由將適當之行設定為+Vbias 、且將適當之列設定為相同的+△V來完成，從而在該像素中產生零伏特之電位差。在列電壓保持於零伏特之彼等列中，像素在其最初所處之任何狀態中係穩定的，而不管行是處於+Vbias 還是-Vbias 。
圖5係一展示一系列施加至圖2之3×3之陣列之列及行訊號的時序圖，其將導致圖4中所說明之顯示配置，其中致動像素係非反射的。在寫入圖4中所說明之訊框之前，像素可處於任何狀態中，且在此實例中，所有列均處於0伏特，且所有行均處於+5伏特。在此等施加電壓之情況下，所有像素在其現存之致動或釋放狀態中均係穩定的。
在圖4之訊框中，像素(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)及(3,3)被致動。為完成此目的，在列1之"線時間"(line time)期間，將行1及2設定為-5伏特，且將行3設定為+5伏特。此未改變 任何像素之狀態，因為所有像素均保持於3-7伏特之穩定窗中。接著利用一自0上升至5伏特且回落至零之脈衝來選通列1。此致動(1,1)及(1,2)像素且釋放(1,3)像素。陣列中無其它像素受到影響。為按需要來設定列2，將行2設定為-5伏特，且將行1及3設定為+5伏特。施加至列2之相同選通將接著致動像素(2,2)且釋放像素(2,1)及(2,3)。此外，陣列中無其它像素受到影響。藉由將行2及3設定為-5伏特、且將行1設定為+5伏特來類似地設定列3。列3選通設定列3像素，如圖4中所示。在寫入訊框之後，列電位係零，且行電位可保持於+5或-5伏特，且接著顯示器在圖4之配置中係穩定的。應瞭解，相同之程序可用於好幾打或好幾百列及行的陣列。亦應瞭解，用以執行列及行致動之時序、序列及電壓位準可在上文所概述之一般原理內廣泛地變化，且上文之實例僅係示範性的，且任何致動電壓方法可與本發明一起來使用。
根據上文所陳述之原理而運作之干涉調變器之結構的細節可廣泛地變化。舉例而言，圖6A-圖6C說明移動鏡子結構之三個不同實施例。圖6A係圖1之實施例的橫截面，其中一金屬材料條帶14沉積於正交地延伸之支撐件18上。在圖6B中，活動反射材料14僅在角落處藉由繫鏈32而附著至支撐件。在圖6C中，活動反射材料14係自一可變形層34懸浮。此實施例具有益處，因為可關於光學特性來最優化用於反射材料14之結構設計及材料，且可關於所要的機械特性來最優化用於可變形層34之結構設計及材料。在各種公開之文獻(例如，包括美國公開申請案2004/0051929)中描述了各種類型之干涉裝置之生產。各種各樣熟知的技術可用以產 生上文所描述結構，涉及一系列材料沉積、圖案化及蝕刻步驟。
圖7A及圖7B說明一已封裝電子裝置700之一實施例的分解圖及橫截面，其包含一基板710、干涉調變器722之一陣列720、一或多個間隔物730、一密封件740及一背板750。最佳在圖7B中看出，裝置700包含一第一側702及一第二側704。基板710包含一第一表面712及一第二表面714。在該基板之第二表面714上形成干涉調變器陣列720。在所說明之實施例中，藉由密封件740將背板750固定至基板710。安置於陣列720與背板750之間的係一或多個間隔物730。圖7A中亦說明x、y及z軸，且圖7B中說明本文之描述中所參照之y及z軸。
上文更詳細地描述了基板710及干涉調變器722。簡要地，基板710係可在其上形成干涉調變器722之任何基板。在某些實施例中，裝置700顯示一可自第一側702看得見之影像，且因此，基板710係大體上透明的及/或半透明的。舉例而言，在某些實施例中，該基板係玻璃、矽石及/或氧化鋁。在其它實施例中，例如，在一顯示可自第二側704看得見之影像之裝置700中，或在一未顯示一可看得見之影像之裝置700中，基板710不是大體上透明的及/或半透明的。在某些實施例中，該基板之第一表面712進一步包含一或多個額外之結構，例如，一或多個結構薄膜、保護薄膜及/或光學薄膜。
干涉調變器722係任何類型的。在某些實施例中，干涉調變器722包含一遠離於基板710且最接近於背板750之機械層724。如下文更詳細的論述，在某些實施例中，機械層724易受實體損害。
在所說明之實施例中，密封件740將背板750固定至基板710。本文亦使用術語"周邊支撐件"(perimeter support)來指代密封件740。在圖7B中所說明之實施例中，密封件740亦行動以在背板750與基板710之間維持一預定間隔。在圖7C中所說明之實施例中，密封件740'不具有間隔功能。在某些實施例中，該密封件未產生或除氣揮發性化合物，例如，烴、酸、胺及其類似物。在某些實施例中，密封件部分地或大體上不可滲透液態水及/或水蒸氣。在某些實施例中，密封件部分地或大體上不可滲透空氣及/或其它氣體。在某些實施例中，密封件係硬質的。在其它實施例中，密封件係彈性的或彈性體的。在其它實施例中，密封件包含硬質的、與彈性的或彈性體的組件。在某些實施例中，密封件包含與基板及/或背板相容之一或多種黏著劑。該或該等黏著劑係此項技術中已知之任何合適之類型。在某些實施例中，一或多種黏著劑係壓敏的。在某些實施例中，一或多種黏著劑係熱固化的。在某些實施例中，一或多種黏著劑係UV固化的。在某些實施例中，密封件熱黏結至基板及/或背板。在某些實施例中，密封件機械地固定至基板及/或背板。某些實施例使用若干方法之組合以用於將密封件固定至基板及/或背板。某些實施例未包含密封件，例如，在基板(例如)藉由熱焊接而直接固定至背板之處。
密封件包含任何合適之材料，例如，金屬、鋼、不銹鋼、黃銅、鈦、鎂、鋁、銅、錫、鉛、鋅、焊料、聚合樹脂、環氧樹脂、聚醯胺、聚烯烴、聚酯、聚碸、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸酯、氰基丙烯酸酯、丙烯酸環氧樹脂、聚矽氧、橡膠、聚異丁烯、氯丁橡膠、聚異戊二烯、苯乙烯丁二烯、聚對二甲苯基、U.V.固化黏著劑、陶瓷、玻璃、矽石、氧化鋁及其摻合物、共聚物、合金及/或複合物。在某些實施例中，密封件進一步包含一加強件(reinforcement)，例如，纖維、網狀物及/或織物，例如，玻璃、金屬、碳、硼、碳奈米管及其類似物。在某些實施例中，所選密封材料係部分地或大體上不滲水的。因此，在某些實施例中，密封件係半氣密性或氣密性密封件。在某些實施例中，密封件的厚度小於約50 μm，例如，厚度為約10 μm至約30 μm。在某些實施例中，密封件的寬度為約0.5 mm至約5 mm，例如，約1 mm至約2 mm。
返回至圖7A及圖7B，下文描述一用於使用UV固化環氧樹脂來製造所說明之密封件740之方法的實施例。使用此項技術中已知之方法，例如，藉由印刷將環氧樹脂施加至背板750及/或基板710。預先選擇環氧樹脂之類型及量以給密封件740提供所要的寬度、厚度及濕氣滲透特性。將背板750及基板710放在一起，且藉由利用適當之UV輻射源的照射來固化環氧樹脂。使用約6000 mJ/cm2 之UV輻射來固化典型之環氧樹脂。某些實施例亦包括在約80℃下的後固化烘焙。
本文亦將背板750稱為"蓋板"(cap)或"底板"(backplane)。此等術語不意欲限制背板750在裝置700內的位置或裝置700本身之方位。在某些實施例中，背板750保護陣列720免受損害。如上文所論述，干涉調變器722之某些實施例潛在地受到實體衝擊的損害。因此，在某些實施例中，舉例而言，背板750保護陣列720不與外來物體及/或一包含陣列720之設備中的其它組件相接觸。此外，在某些實施例中，背板750保護陣列720免受其它環境條件的影響，例如，濕度、濕氣、灰塵、周圍壓力之改變及其類似條件。
在裝置700顯示一可自第二側704看得見之影像的實施例中，背板750係大體上透明的及/或半透明的。在其它實施例中，背板750不是大體上透明的及/或半透明的。在某些實施例中，背板750係由不產生或除氣揮發性化合物之材料製成，例如，烴、酸、胺及其類似物。在某些實施例中，背板750大體上不可滲透液態水及/或水蒸氣。在某些實施例中，背板750大體上不可滲透空氣及/或其它氣體。用於背板750之合適的材料包括(例如)金屬、鋼、不銹鋼、黃銅、鈦、鎂、鋁、聚合樹脂、環氧樹脂、聚醯胺、聚烯烴、聚酯、聚碸、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸酯、聚對二甲苯基、陶瓷、玻璃、矽石、氧化鋁及其摻合物、共聚物、合金、複合物及/或組合物。合適之複合材料之實例包括可自Vitex Systems(San Jose，CA)獲得之複合薄膜。在某些實施例中，背板750進一步包含一加強件，例如，纖維及/或織物，例如，玻璃、金屬、碳、硼、碳奈米管及其類似物。
在某些實施例中，背板750係大體上硬質的。在其它實施例中，背板750係可撓性的，例如，箔片或薄膜。在某些實施例中，在組裝封裝結構700之前及/或期間，使背板750以一預定組態變形。如下文將更詳細地論述，在某些實施例中，背板750係一系統中之用於防止對陣列720之損害的元件。
背板750包含一內表面752及一外表面753。在某些實施例中，背板之內表面及/或外表面進一步包含一或多個額外結構，例如，一或若干結構薄膜、保護薄膜、機械薄膜及/或光學薄膜。
在圖7B中所說明之實施例中，背板750係大體上平面的。圖7C說明裝置700'之一實施例，其中背板之內表面752'係凹陷的，藉此在背板750'之周邊處形成一凸緣754'。本文將具有此組態之背板稱為"凹陷蓋"。
圖7D以橫截面形式說明一包含彎曲或弓形背板750"之封裝裝置700"之一實施例。在所說明之實施例中，間隔物730"安置於陣列720"之周邊附近，其相對接近於背板750"，且因此，更可能接觸背板750"且遭受損害。其它實施例包含一或多個間隔物之不同組態。下文更詳細地論述間隔物。在某些實施例中，將背板750"預成型為彎曲組態。在其它實施例中，藉由在組裝封裝裝置700"期間彎曲或變形一大體上平坦之前驅體來形成背板750"之彎曲形狀。舉例而言，在某些實施例中，一干涉調變器陣列720"形成於一基板710"上，如上文所描述。將一密封材料(例如，一UV固化環氧樹脂)施加至一大體上平面之背板750"之周邊，其比基板710"更寬及/或更長。舉例而言，藉由壓縮將背板750"變形至所要的大小，且定位於基板710"上。舉例而言，使用UV輻射來固化環氧樹脂以形成密封件740"。
圖8A－圖8C說明背板之其它實施例。圖8A說明一凹陷蓋850，其中內表面852係凹面的。在所說明之實施例中，內表面852與外表面853係不平行的。因此，凹陷蓋850在中心858處比在邊緣859處更薄。熟習此項技術者應瞭解到其它配置係可能的。所說明之實施例包含一周邊凸緣854，其在凹陷蓋背板之基板與內表面852之間設定最小間隔。在某些實施例中，周邊凸緣854在凹陷蓋850之周邊周圍形成一大體上連續之結構。在其它實施例中，周邊凸緣854係不連續的。其它實施例未包含一周邊凸緣。在圖8B中，背板850在外表面853上包含加強肋856。在其它實施例中，該等加強肋在內表面852上或在背板之兩個表面上。在某些實施例中，加強結構具有另一形狀，例如，柵格或蜂巢。某些實施例包含此等特徵之組合。舉例而言，圖8C說明凹陷蓋850之一實施例，該凹陷蓋具有一凹面內表面852及在外表面853上之加強肋856。所揭示之背板之某些實施例展現改良之特性，例如，強度、重量、成本、硬度、透明度、易製造性及其類似特性。
圖8D及圖8E以橫截面形式說明包含經組態以含有乾燥劑之一或多個空腔之背板。圖8D說明背板850之一實施例，該背板包含一形成於該背板之內表面852上(意即，在該背板與陣列之間)之空腔857。乾燥劑855安置於空腔857中。圖8E說明一包含兩個空腔857之凹陷蓋背板850之一實施例，在該等空腔中安置乾燥劑855。在圖8D及圖8E中所說明之實施例中，乾燥劑855大體上不延伸越過背板之內表面852。因此，下文所論述之相同的間隔物可在陣列與背板之間的任何地方使用。根據此項技術中已知之因子來選擇空腔857之尺寸，例如，乾燥劑之特性、待使用之乾燥劑的量、待吸收之濕氣的量、裝置之體積、背板之機械特性及其類似因子。下文論述合適之乾燥劑及用於將乾燥劑固定至背板之合適的方法。熟習此項技術者應瞭解，在其它實施例中，空腔857具有不同之組態，例如，長度、寬度、厚度及/或形狀。藉由此項技術中已知之任何方法來製造空腔857，例如，蝕刻、壓印、衝壓、雕刻、機械加工、研磨、銑削、噴沙、模製、塌陷及其類似方法。在某些實施例中，藉由建置背板859之非凹陷部分來創建凹陷部，例如，使用黏著劑、焊接、熔合、燒結及其類似方法。舉例而言，在某些實施例中，將玻璃漿料噴射至或模製於背板上且將該漿料熔合或燒結以形成一空腔。熟習此項技術者應瞭解，此等方法之組合亦適於製造具有本文所描述之任何特徵之背板，例如，圖7A－圖7D及圖8A－圖8E中所說明之背板。
再次參照圖7B，密封件740延伸於基板710與背板750之間。在某些實施例中，基板710、背板750及密封件740一起大體上完全封閉陣列720。在某些實施例中，自其中形成之外殼706大體上不可滲透液態水、水蒸氣及/或粒子(例如，污垢或灰塵)。在某些實施例中，大體上氣密性地及/或半氣密性地密封外殼706。
在某些實施例中，背板之內表面752接觸陣列720。在某些實施例中，內表面752不接觸陣列720。在某些實施例中，背板之內表面752與陣列720之間的間隙或頂端空間(headspace)至少為約10 μm。在某些較佳實施例中，該間隙為約30 μm至約100 μm，例如，約40 μm、50 μm、60 μm、70 μm、80 μm或90 μm。在某些實施例中，間隙大於100 μm，例如，0.5 mm、1 mm或更大。在某些實施例中，背板之內表面752與陣列720之間的間隙或頂端空間係不恆定的。
圖9說明包含第一基板910a及第二基板910b之封裝裝置900之一實施例，在該第一基板上形成干涉調變器922a之一第一陣列920a，且在該第二基板上形成干涉調變器922b之一第二陣列920b。本文亦將具有此組態之裝置稱為"雙陣列裝置"。可將此裝置視為其中利用第二干涉調變器陣列來替換背板之裝置。因此，封裝裝置900能夠同時在第一陣列920a上顯示第一影像且在第二陣列920b上顯示第二影像。封裝裝置900亦包含如上文所描述之密封件940。安置於第一陣列920a與第二陣列920b之間的係本文所揭示之任何合適類型的一或多個間隔物930。
圖10中所說明之一實施例1000包含一形成於基板1010上之干涉調變器陣列1020。凹陷蓋背板1050及密封件1040連同基板1010形成一空腔或封閉空間1006，其中安置一或多個間隔物1030。在所說明之實施例中，背板1050包含乾燥劑1055之一或多個單元。該乾燥劑在封閉空間1006內維持減小之濕度。在某些實施例中，舉例而言，使用黏著劑、用熱方法及/或用機械方法將乾燥劑1055之封裝固定至背板之內表面1052。此項技術中已知將乾燥劑合適地保持於其中之合適的封裝，包括(例如)具有網狀表面之容器、穿孔容器、由可滲透織物或覆蓋原料(cover stock)製成之包狀物及其類似物。在其它實施例中，該封裝係(例如)使用壓敏黏著劑而固定至背板之合適的材料薄片。在某些實施例中，該封裝係非除塵的，意即，抵抗釋放灰塵。在某些實施例中，乾燥劑嵌入於惰性載劑(例如，聚合樹脂)中，且總成固定至內表面1052。在某些實施例中，乾燥劑1055直接固定至背板之內表面1052。在某些實施例中，製造背板1050所利用之材料包含乾燥劑。在某些實施例中，背板包含施加之乾燥劑層。舉例而言，在某些實施例中，將液態乾燥劑或溶解於或懸浮於合適之液體中之乾燥劑施加至背板1050且烘焙，藉此在背板1050上形成一乾燥劑層。在其它實施例中，將乾燥劑與未固化之聚合樹脂混合，且將混合物施加至背板1050且固化。
該乾燥劑係此項技術中已知之任何合適之乾燥劑，例如，金屬氧化物、氧化鈣、氧化鋇、硼酸酐、五氧化二磷、金屬硫酸鹽、硫酸鈣、硫酸鎂、硫酸鈉、金屬、鈉、鉛/鈉合金、金屬氫化物、硼氫化鈉、氫化鈉、氫化鋁鋰、矽膠、活性氧化鋁、沸石、分子篩、磷、金屬鹽、高氯酸鎂、氯化鋅、碳奈米管及其組合物。
返回至圖7A及圖7B，且如上文所論述，在某些實施例中，裝置700在外力施加時會變形。熟習此項技術者將認識到，在某些實施例中，該變形將導致陣列720與背板750之間的相對或差異移動。在某些實施例中，在裝置700之正常使用中(例如，在裝置700之構造中、裝置700在一設備中之安裝中或在裝置700之正常使用中)可能碰到之力不足以導致陣列720接觸背板750。如上文所論述，干涉調變器722之某些組件(例如，機械層724)易受關於實體接觸之損害。因此，在此等實施例中，在正常使用中背板750不可能損害陣列720及/或該陣列中之干涉調變器722。
在其它實施例中，在裝置700之正常使用中可能碰到之力足以導致陣列720接觸背板750，通常，在背板750及陣列720之中心處或附近接觸。舉例而言，熟習此項技術者應瞭解，若所有其它情況保持等同，則隨著裝置700之長度及/或寬度增加(沿x及/或y軸，如圖7A中所說明)，陣列720與背板750之間的相對移動亦將增加。舉例而言，隨著陣列720中之干涉調變器722之大小及/或數目的增加，裝置700之長度及/或寬度將增加。在某點處，在裝置700之正常使用中可能碰到之力將誘發一相對運動，其將導致陣列720之某部分接觸背板750，藉此可能損害該裝置中之一或多個干涉調變器722。在某些實施例中，在陣列720與背板750之間接觸增加的可能性係藉由增加陣列720與背板750之間的距離來抵制。在某些實施例中，在陣列720與背板750之間接觸增加的可能性係藉由增加裝置700(例如，基板710、背板750及/或密封件740)之硬度來抵制。用於增加硬度之方法在此項技術中係已知的，且包括(例如)增加組件之硬度、修改組件之尺寸、改變組件之形狀或輪廓、添加加強件及其類似動作。
在某些實施例中，在陣列720與背板750之間接觸增加的可能性係藉由增加陣列720與該背板之內表面752之間的距離來抵制。該裝置之某些實施例使用如圖8A中所說明之背板850，其中內表面852係凹面的，藉此增加該背板之中心858與陣列820之間的距離。參看圖7B，尤其若亦將該裝置中之組件製造得更厚以增加硬度，則增加背板752之內表面與陣列720之間的距離將傾向於增加裝置700之厚度。在某些應用中，一更厚之裝置700係不合需要的。
因此，裝置700之某些實施例包含安置於陣列720與背板750之間的一或多個間隔物730。該(該等)間隔物730經組態以在裝置700經受變形力時防止及/或減小陣列720與背板750之間的接觸，藉此消除及/或減小對干涉調變器722之損害。在某些實施例中，背板750包含不規則部或特徵，例如，加強肋及/或乾燥劑封裝，如上文所描述。間隔物730防止不規則部或特徵直接(例如，該特徵接觸該間隔物)或間接(例如，背板之某其它部分接觸該間隔物，從而防止該特徵接觸機械層724)接觸陣列之機械層724。在某些此等實施例中，最接近於陣列720之間隔物730之表面係大體上平滑的。在某些實施例中，間隔物730分散一施加力，藉此減小該力將損害任何特定干涉調變器722之可能性。舉例而言，在某些實施例中，間隔物730將一施加力分散至該等干涉調變器之柱形物726，藉此保護機械層724。在某些實施例中，舉例而言，間隔物730藉由滑動及/或滾動來減小或防止由於陣列720與背板750之間的相對橫向或切向運動而引起之損害。舉例而言，在某些此等實施例中，間隔物730包含一或多個低摩擦表面。在某些實施例中，間隔物具有圓形橫截面，例如，球體或棒體。如下文更詳細地論述，在某些實施例中，該或該等間隔物730係彈性的，藉此吸收及/或分散一施加力。此外，即使該力將損害陣列720中之複數個干涉調變器722，在某些實施例中，對使用者而言在陣列720上分散之損害比集中於陣列720之特定區域中之損害更少引起注意。在其它實施例中，間隔物730經設計以將損害集中至少量的干涉調變器，例如，藉由使用一或多個特定大小及/或形狀之間隔物730。舉例而言，在某些實施例中，陣列720包含冗餘像素，使得將一經分離像素去能對最終使用者而言係不引起注意的。因此，在此等實施例中，間隔物730將損害集中至單一像素而非一群相鄰像素，其對最終使用者而言將係引起注意的。
圖11A係裝置1100之俯視圖，其說明間隔物與陣列之相對定位。如上文所論述，在某些實施例中，該等間隔物接觸該陣列；在其它實施例中，該等間隔物接觸該背板；且在其它實施例中，該等間隔物接觸該陣列及該背板。裝置1100包含複數個間隔物1130，其以一大體上規則之圖案配置於一形成於基板1110上之干涉調變器陣列1120上。在所說明之實施例中，間隔物1130大體上定位於該等干涉調變器之柱形物1126之上方。如以幻像(phantom)形式來說明柱形物1126的圖11A中所示，在所說明之實施例中，間隔物1130不定位於每一柱形物1126上。在某些實施例中，間隔物1130定位於陣列1120之上方。在某些實施例中，間隔物1130定位於陣列1120與密封件1140之間的空間1110中。在某些實施例中，間隔物1130既定位於陣列1120之上方又定位於陣列1120與密封件1140之間的空間1110中。熟習此項技術者應瞭解，用於間隔物1130之其它間隔及/或圖案係可能的。
圖11B說明一裝置1100之另一實施例之俯視圖，其中間隔物1130大體上隨機地配置於陣列1120上。在圖11C中所說明之裝置1100之實施例中，在陣列1120之中心周圍但不在周邊周圍提供間隔物1130。圖11D中所說明之裝置1100之實施例包含陣列1120之中心周圍之間隔物1130的較密集配置及周邊周圍之較稀疏配置。圖11E中所說明之裝置1100的實施例包含間隔物1130之三個同心區域，其朝向陣列1120之中心具有增加之密度。熟習此項技術者應瞭解到其它配置係可能的。
該等間隔物為任何合適之大小、形狀及材料。在某些實施例中，所有間隔物係相同類型的。其它實施例包含不同類型之間隔物，例如，不同大小、形狀及/或材料。間隔物之特定尺寸將取決於此項技術中已知之因子，包括製造該間隔物所利用之材料、陣列與背板之間的頂端空間、用於顯示封裝之預期應用及其類似因子。在某些實施例中，間隔物之厚度類似於陣列與背板之間的頂端空間。在其它實施例中，間隔物之厚度小於陣列與背板之間的頂端空間。上文論述了該頂端空間之尺寸。
用於間隔物之合適材料包括硬質材料及/或彈性體材料。在某些實施例中，該等間隔物包含以下一材料：其能夠(例如)藉由變形來吸收施加至其之力的至少一部分。在某些實施例中，間隔物係彈性的，且在移除變形力之後大體上返回至原始形狀。在其它實施例中，間隔物在吸收施加至其之力時永久地變形。合適材料的實例包括金屬、鋼、不銹鋼、黃銅、鈦、鎂、鋁、聚合樹脂、環氧樹脂、聚醯胺、聚烯烴、聚氟烯烴、聚酯、聚碸、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸酯、陶瓷、玻璃、矽石、氧化鋁及其摻合物、共聚物、合金及/或複合物。在某些實施例中，間隔物係一(例如)包含一材料之核心及另一材料之塗層的複合物。在某些實施例中，間隔物包含一硬質材料(例如，金屬)之核心及一彈性體材料(例如，聚合樹脂)之塗層。在可透過背板看得見影像之某些實施例中，間隔物係透明的或半透明的。在某些實施例中，間隔物係導電的。
在某些實施例中，間隔物包含此項技術中已知之任何類型之乾燥劑，例如，金屬氧化物、氧化鈣、氧化鋇、硼酸酐、五氧化二磷、金屬硫酸鹽、硫酸鈣、硫酸鎂、硫酸鈉、金屬、鈉、鉛/鈉合金、金屬氫化物、硼氫化鈉、氫化鈉、氫化鋁鋰、矽膠、活性氧化鋁、沸石、分子篩、磷、金屬鹽、高氯酸鎂、氯化鋅、碳奈米管及其組合物。在某些實施例中，間隔物大體上包含乾燥劑。在其它實施例中，間隔物包含以下一複合物：其中乾燥劑係一組件。在某些實施例中，乾燥劑分佈於整個複合物中。在其它實施例中，乾燥劑集中於間隔物之一部分中，例如，在一核心中。複合物中之其它組件係任何合適之材料，例如，上文所揭示之適用於間隔物之材料。在某些實施例中，舉例而言，在間隔物包含乾燥劑核心之實施例中，另一材料(例如，該乾燥劑上之塗層)係可透水及/或水蒸氣之材料，藉此有助於該乾燥劑吸收水。在某些實施例中，該塗層包含(例如)藉由磨損該塗層或藉由間隔物之製造製程而製成的一或多個開口，以允許核心中之乾燥劑與周圍氣氛之間的接觸。
使用此項技術中已知之方法來製造間隔物，其將取決於此項技術中已知之因子，包括製造間隔物所利用之材料、間隔物之大小及形狀、間隔物之容許度。在某些實施例中，將間隔物作為流體來施加，例如，液體、凝膠及/或糊狀物，接著將其固化以形成間隔物。合適流體材料之實例包括(例如)黏著劑及光阻。熟習此項技術者應瞭解，固化條件取決於特定材料，且包括熱固化、光固化、UV固化及/或輻射固化。
在其它實施例中，預先製造間隔物。圖12E－圖12T中說明預先製造之間隔物的實施例。熟習此項技術者應瞭解，所說明之形狀係示範性的，且其它形狀係可能的。舉例而言，在某些實施例中，間隔物係不規則形狀的。在某些實施例中，間隔物係大體上固體的。在其它實施例中，間隔物包含一或多個空隙。舉例而言，在某些實施例中，間隔物包含一或多個中空區域。在某些實施例中，間隔物包含複數個空隙，例如，一開放式單元或封閉式單元之發泡體。可購得以玻璃、矽石及/或聚苯乙烯形式之圖12D與圖12I中所分別說明之球形間隔物與棒形間隔物。舉例而言，直徑約1.5 μm至約60 μm之玻璃棒形間隔物可自Nippon Electric Glass Co.(Otsu，Japan)購得。舉例而言，直徑約5 μm至約350 μm之塑膠球形間隔物可自Sekisui Chemical Co.(Osaka，Japan)購得。由於可用性、均一性及/或成本的原因，某些實施例使用該等間隔物。其它形狀(例如，正方形及圓形)亦易於製造，且用於其它實施例中。
在某些實施例中，舉例而言，間隔物包含一或多個突出物及/或凹痕，如圖12N－圖12T中所說明。在某些實施例中，該等突出物及/或凹痕嚙合陣列及/或背板上之結構或特徵，如下文更詳細地論述。在某些實施例中，突出物及/或凹痕經設計以吸收施加至裝置之至少某些力。舉例而言，某些實施例包含彈簧，如圖12P－圖12S中所說明。某些實施例包含突出物，如圖12N、圖12O及圖12T中所說明，下文對其進行更詳細地論述。圖12T中所說明之實施例包含突出物1232與凹痕1234兩者。
在圖13A中之俯視圖中所說明之一實施例中，間隔物1330橫跨干涉調變器陣列1320中之至少兩個柱形物1326。在所說明之實施例中，間隔物1330之最短直徑D為柱形物1326之間隔d的至少約兩倍，其確保該間隔物總是橫跨至少兩個柱形物1326。在某些實施例中，間隔d為約30 μm至約80 μm，例如，為約30 μm、40 μm、50 μm、60 μm或30 μm。在其它實施例中，間隔d更大，例如，高達1 mm或高達5 mm。如上文所論述，在某些實施例中，陣列1320包含具有不同尺寸(例如，寬度)之干涉調變器1322，且因此，相鄰干涉調變器1322之柱形物1326之間的間隔係不均勻的。因此在某些實施例中，尺寸D至少為相鄰干涉調變器1322之外部柱形物1326之間的最大距離。圖13B中說明此配置之一實施例，其中柱形物1326'具有一不同於圖13A中所說明之柱形物之設計，且間隔物1330'係碟形的。
在圖14中所說明之一實施例中，間隔物1430至少與干涉調變器1422一樣大，且因此，至少定位於一柱形物1426上。在所說明之實施例中，間隔物1430係一穿孔正方形。上文論述了干涉調變器之大小。
在圖15A中所說明之實施例中，每一間隔物1530大體上居中於一柱形物1526上。在圖15B中所說明之實施例中，每一間隔物1530之至少一部分定位於一柱形物1526上。在圖15C中所說明之實施例中，每一間隔物1530無任何部分定位於一柱形物1526上。未說明之其它實施例包括此等配置之任何組合。
圖16中所說明之裝置1600之實施例包含大體上定位於陣列1620上之具有不同大小的間隔物1630。
某些實施例包含一或多個整合間隔物，該或該等間隔物單獨或與本文所揭示之其它間隔物組合來使用。圖17A說明一裝置1700之實施例，其包含一定位於陣列1720之中心部分上之呈網狀物形態的間隔物1730。圖17B說明一包含網狀間隔物1730之裝置1700之實施例，該網狀間隔物在中心周圍比在周邊部分周圍更密集。圖17C說明一裝置1700之實施例，其中間隔物1730粗略為一大體上居中於陣列1720上之開口矩形。圖17D說明一裝置1700之實施例，其中間隔物1730大體上係由陣列1720之對角線所界定。在某些實施例中，間隔物在一或多個區域中較厚且在一或多個區域中較薄。舉例而言，在某些實施例中，該間隔物在中心區域中較厚且在周邊周圍較薄。在某些實施例中，間隔物1730包含乾燥劑，如上文所論述。舉例而言，在某些實施例中，間隔物1730包含一由外層表面(例如，聚合樹脂)所包圍之乾燥劑之核心。在其它實施例中，乾燥劑嵌入於間隔物材料中。
圖18A中所說明之實施例1800包含一安置於陣列1820與背板1850之間之呈薄膜形態的間隔物1830。在所說明之實施例中，間隔物1830延伸至陣列1820之外。在其它實施例中，間隔物1830未延伸至陣列1820之外。在某些實施例中，間隔物1830大體上與陣列1820共同延伸。在其它實施例中，間隔物1830未覆蓋整個陣列1820。
在某些實施例中，薄膜大體上係平坦薄膜。在某些實施例中，該薄膜的厚度為約5 μm至約50 μm，例如，厚度為約10 μm至約20 μm。在其它實施例中，該薄膜更厚。在某些實施例中，該薄膜足夠厚以大體上填充陣列與背板之間的空間。在某些實施例中，薄膜包含彈性材料，例如，發泡體。在某些實施例中，該發泡體具有一覆蓋物，例如，不可滲透聚合物，其在某些實施例中包含穿孔。在其它實施例中，薄膜具有不同形狀。圖18B說明一呈薄膜形態之具有非平面橫截面(例如，波紋形狀或"裝蛋箱"(egg－crate)形狀)的間隔物1830'，其在被壓縮於陣列1820'與背板1850'之間時吸收至少某些變形力。熟習此項技術者應瞭解，非平面薄膜厚於對應之平面薄膜。在某些實施例中，薄膜間隔物包含具有變化特性之區域，例如，厚度、組合物(例如，複合物)、突出物、凹痕及其類似物。在其它實施例中，薄膜之一或兩面進一步包含如上文所描述之額外間隔物，例如，圖12A－圖12T中所說明之間隔物。在某些實施例中，將薄膜及間隔物形成為一整合單元。在其它實施例中，獨立地製造且在一分離步驟中結合間隔物及薄膜。在某些實施例中，將薄膜穿孔。舉例而言，圖17A及圖17B中所說明之間隔物之某些實施例係穿孔薄膜。圖18C說明一實施例，其中間隔物1830"係一安置於陣列1820"與背板1850"之間的封閉大量氣體的密封包狀物。熟習此項技術者應瞭解，為一應用而選擇之特定薄膜將取決於以下因子：其包括薄膜之厚度、其機械特性、其形狀及組態、陣列與背板之間的頂端空間及顯示封裝之預期使用。
在某些實施例中，薄膜包含乾燥劑。在某些實施例中，薄膜係乾燥劑。在其它實施例中，薄膜(例如，聚合樹脂薄膜)充滿乾燥劑。仍在其它實施例中，薄膜包含(例如)使用聚合樹脂來封裝之乾燥劑薄層。
某些實施例包含與陣列或其一部分相接觸之平面薄膜間隔物，以在更大區域上分散力。在某些實施例中，如本文所揭示之一或多個其它間隔物定位於薄膜與背板之間，及/或定位於薄膜與陣列之間，例如，上文所描述之任何間隔物。
圖19說明一實施例1900，其包含安置於陣列1920與背板1950之間的複數個薄膜間隔物1930。薄膜間隔物係如上文所描述。某些實施例包含平面薄膜間隔物與非平面薄膜間隔物之組合，例如，其中該平面薄膜間隔物接觸陣列1920，如上文所描述。某些實施例包含至少兩個非平面薄膜間隔物，其經配置成使得該等間隔物不會套合，例如，一對經配置成具有直角波紋之波紋薄膜。某些實施例包含至少兩個非平面薄膜間隔物，在其中間安置一平面薄膜間隔物，藉此防止該等非平面間隔物套合。
在某些實施例中，間隔物或其某部分具有一經設計以對施加力提供分級回應之形狀，例如，一具有三角形橫截面之間隔物或其一部分。間隔物之一部分之一實例在圖12T中被提供為突出物1232。圖20A中說明間隔物之三角形部分。該三角形部分相對易受小變形，如圖20B中所說明，但變得愈加難以變形，如圖20C及圖20D中所說明。圖20E說明另一實施例，其中間隔物2032具有兩個區域，每一區域對一施加力具有一不同回應：一較薄上部分2032a及一較厚下部分2034b。在圖20F中所說明之實施例中，間隔物2030'亦具有兩個回應區域：一具有相對較多空隙空間之上部區域2032'及一具有相對較少空隙空間之下部區域2034'。在某些實施例中，間隔物包含一提供分級回應之複合物。
在某些實施例中，一或多個間隔物固定至陣列。在其它實施例中，一或多個間隔物固定至背板。在其它實施例中，一或多個間隔物固定至陣列與背板兩者。在其它實施例中，一第一組之一或多個間隔物固定至陣列，且一第二組之一或多個間隔物固定至背板。在其它實施例中，一或多個間隔物未固定至陣列或背板。在間隔物固定至陣列及或背板之實施例中，使用此項技術中已知之任何方法(例如，使用黏著劑、用機械方法及/或藉由焊接)來固定間隔物。
在使用黏著劑之實施例中，使用此項技術中已知之任何方法將一或多種黏著劑施加至陣列及/或背板，例如，使用微影法、噴墨印刷、接觸印刷及其類似方法。接著將一或若干間隔物施加至黏著劑。在某些實施例中，將該黏著劑施加至間隔物，接著(例如)藉由噴射、滾動、個別施加及其類似方法將該間隔物施加至陣列及/或背板。在其它實施例中，間隔物懸浮於包含黏著劑之液體中。將間隔物之懸浮液施加至陣列，且(例如)藉由蒸發來移除該液體。合適液體之實例包括：低級醇，例如，甲醇、乙醇及異丙醇；以及其它揮發性液體，例如，丙酮、甲基第三丁基醚及乙酸乙酯。如上文所論述，在某些實施例中，將間隔物施加至薄膜，接著將該薄膜施加至陣列及/或背板。在某些實施例中，間隔物與陣列或背板為一體式，如下文更詳細地描述。使用大體上類似之方法將間隔物固定至背板。
在某些實施例中，一或多個間隔物未固定至陣列或背板。舉例而言，在使用大間隔物之某些實施例中，舉例而言，在使用圖17A及圖17B中所說明之網狀間隔物、圖17C及圖17D中所說明之間隔物及/或圖18A－圖18C及圖19中所說明之薄膜間隔物的某些實施例中，該等間隔物簡單地定位於封裝裝置之總成中的陣列及/或背板上。
在間隔物較小(例如，大小在微米至數百微米範圍內)之實施例中，該等間隔物係藉由將其懸浮於流體載劑中且(例如)藉由噴射及/或旋塗將懸浮間隔物施加至陣列及/或背板來方便地定位。在某些實施例中，該流體載劑係(例如)在真空下及/或藉由加熱而易於移除之液體。合適液體之實例在此項技術中係已知的，且包括低級醇(例如，甲醇、乙醇、異丙醇)、烴(例如，丙烷、丁烷、戊烷)、鹵代化合物(例如，碳氟化合物、氯氟碳化物、氫氯氟碳化物、氯碳化物、氫氯碳化物)、醚類(例如，甲基第三丁基醚、二乙醚、四氫呋喃)、酯類(例如，乙酸乙酯)、酮類(例如，丙酮)及其組合物。在其它實施例中，流體係氣體，例如，空氣或氮氣。在某些實施例中，在移除溶劑之後，甚至缺少添加之黏著劑，間隔物傾向於保持於合適的位置中。
在某些實施例中，例如，藉由在施加間隔物期間遮蔽上面形成有密封件之區域而僅大體上將間隔物施加於陣列上。在其它實施例中，將間隔物施加於陣列以及裝置之其它部分上，例如，施加於上面形成有密封件之區域上。在某些此等實施例中，間隔物亦界定密封件之厚度，藉此提供均勻的密封厚度。舉例而言，在密封件內安置20 μm之間隔物且使基板及背板與該等間隔物相接觸會提供20 μm之密封厚度。
如圖21A中所說明，在某些實施例中，一或多個間隔物2130在陣列2120與背板2150之間延伸。在圖21B中所說明之實施例中，間隔物2130'接觸陣列2120'，但未接觸背板2150'。在圖21C中所說明之實施例中，間隔物2130"接觸背板2150"，但未接觸陣列2120"。某些實施例包含此等組態之組合。
圖22A中所說明之實施例類似於圖6C中所說明之裝置。在實施例2200中，間隔物2230與干涉調變器陣列2220整合。在所說明之實施例中，間隔物2230形成於干涉調變器2222之柱形物2226上。在某些實施例中，用於形成間隔物2230之製程係薄膜製程，且與用於形成干涉調變器2222之製程整合，例如，如上文及美國專利第5,835,255號中所揭示。在某些實施例中，在用於製造干涉調變器2222之製程中於移除犧牲材料(未說明)之前將間隔物材料沉積於機械層2224上。圖案化間隔物2230，且使用此項技術中已知之方法自間隔物材料來蝕刻該等間隔物。熟習此項技術者應瞭解，特定方法將取決於以下因子，其包括：所使用之特定間隔物材料、製造干涉調變器2222所使用之其它材料、干涉調變器2222之幾何形狀及其類似因子。
在某些實施例中，間隔物2230之形成被整合於用於形成干涉調變器之製程流程中，例如，美國專利第5,835,255號中所揭示之製程。舉例而言，在移除一佔據鏡子之間的空腔之犧牲材料(未圖示)之前，將一層(未圖示)間隔物材料沉積於機械層2224上。接著蝕刻間隔物層以形成個別間隔物2230。在某些實施例中，圖案化且蝕刻該間隔物層，使得形成一通道，其允許對一干涉調變器陣列2220中之每一空腔的氣體連通。接著藉由經由該通道來移除犧牲材料而形成空腔。
在某些實施例中，自一具有良好形狀保持性之不易被壓縮之固體材料來製造整合間隔物。在某些實施例中，該材料係選自由金屬、氧化物、氮化物、光阻、其它有機材料、旋塗式玻璃及其組合物所組成之群。在某些實施例中，間隔物係導電的。熟習此項技術者應瞭解，類似製程可用於在背板之內表面上製造整合間隔物。
如圖22B中所說明，在某些實施例中，陣列2220'包含具有不同高度之干涉調變器2222'。在所說明之實施例中，第一間隔物2230'補償高度差，藉此提供一支撐上文所揭示之任何類型之第二間隔物2260'的均勻平臺。在某些實施例中，第二間隔物2260'固定至第一間隔物。在其它實施例中，第二間隔物2260'未固定至第一間隔物。在圖22C中所說明之實施例中，第二間隔物2260"包含嚙合第一間隔物2230"之凹痕2234"。
圖23係一流程圖，其說明一用於參看圖7A及圖7B中所說明之結構來製造已封裝電子裝置之方法。在步驟2310中，獲得上面形成有干涉調變器722之基板710。在某些實施例中，干涉調變器722係干涉調變器722之陣列720之一部分。在步驟2320中，獲得一背板750。在步驟2330中，將一或多個間隔物730安置於干涉調變器722與背板750之間。在步驟2340中，在基板710與背板750之間形成一密封件740。
在某些實施例中，製造製程之產品係一包含複數個封裝顯示器之面板。接著自該面板切割個別封裝顯示器。在該製造製程中，複數個干涉調變器陣列形成於單一基板(母玻璃(mother glass))上，如上文所論述。獲得一經定尺寸且經間隔以匹配干涉調變器陣列之包含複數個背板(通常在數目上等於干涉調變器陣列)的薄片。間隔物安置於基板與背板之間，如上文所論述。密封件形成於每一陣列與背板之間，如上文所論述，藉此形成一包含複數個干涉調變器陣列之面板。使用此項技術中已知之任何方法(例如，藉由雕合)自該面板切割個別封裝顯示器。
圖24係一流程圖，其說明一用於參看圖7A及圖7B中所說明之結構來保護電子裝置之方法。在步驟2410中，獲得一包含形成於基板710上之干涉調變器722及背板750之裝置。在步驟2420中，將一或多個間隔物安置於干涉調變器722與背板750之間。
實例1
在一680 mm×880 mm之玻璃基板上製造六個250 mm×300 mm之干涉調變器陣列。清洗且乾燥一具有六個凹陷蓋、7 mm厚、252 mm×302 mm、0.3 mm之凹陷部的玻璃薄片。將CaO乾燥劑(Hi Cap 2800，Cookson，London，UK)之薄膜施加至凹陷部、充分地固化且製備。將異丙醇中以體積計為1%之10 μm直徑之聚苯乙烯棒形間隔物(Sekisui Chemical Co.,Osaka,Japan)的懸浮液均勻地噴射於背板上以在表面上提供2%之間隔物覆蓋。未遮蔽該等凹陷部之間的密封區域。藉由在100℃下加熱5秒鐘來移除異丙醇。將一珠UV固化環氧樹脂(H5516,Nagase,Tokyo,Japan)施加至凹陷蓋背板之周邊，且在基板上對準薄片。將壓力施加至該薄片以提供一具有15 μm之平均厚度的環氧樹脂層。藉由以6000 mJ/cm2 350 nm照射(約2分鐘)，接著在80℃下烘焙30分鐘來固化環氧樹脂。自所得面板切割六個干涉調變器封裝。
圖25A及25B係說明顯示裝置2040之實施例之系統方塊圖。顯示裝置2040可為(例如)蜂巢式或行動電話。然而，顯示裝置2040之相同組件或其微小變化亦說明各種類型之顯示裝置，諸如電視及攜帶型媒體播放器。
顯示裝置2040包括一外殼2041、一顯示器2030、一天線2043、一揚聲器2045、一輸入裝置2048及一麥克風2046。外殼2041通常係由熟習此項技術者所熟知之任何各種製造製程所形成，包括射出成形及真空成形。此外，外殼2041可由任何各種材料製成，包括(但不限於)塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合物。在一實施例中，外殼2041包括可移除部分(未圖示)，其可與具有不同顏色或含有不同標誌、圖片或符號之其它可移除部分互換。
示範性顯示裝置2040之顯示器2030可為任何各種顯示器，包括雙穩態顯示器，如本文所描述。在其它實施例中，顯示器2030包括：平板顯示器，諸如電漿、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD，如上文所描述；或非平板顯示器，諸如CRT或其它管裝置，如熟習此項技術者所熟知。然而，為了描述本實施例之目的，顯示器2030包括干涉調變器顯示器，如本文所描述。
圖25B中示意性地說明示範性顯示裝置2040之一實施例之組件。所說明之示範性顯示裝置2040包括一外殼2041，且可包括被至少部分地封閉於其中之額外組件。舉例而言，在一實施例中，示範性顯示裝置2040包括一網路介面2027，其包括一耦接至收發器2047之天線2043。收發器2047連接至處理器2021，其連接至調節硬體2052。調節硬體2052可經組態以調節一訊號(例如，篩選一訊號)。調節硬體2052連接至一揚聲器2045及一麥克風2046。處理器2021亦連接至一輸入裝置2048及一驅動器控制器2029。驅動器控制器2029耦接至一訊框緩衝器2028且耦接至陣列驅動器2022，該陣列驅動器又耦接至一顯示陣列2030。電源2050按照特定示範性顯示裝置2040之設計的需要對所有組件提供電力。
網路介面2027包括天線2043及收發器2047，使得示範性顯示裝置2040可經由一網路而與一或多個裝置通訊。在一實施例中，網路介面2027亦可具有某些用以緩解處理器2021之需求的處理能力。天線2043係熟習此項技術者已知之用於傳輸且接收訊號的任何天線。在一實施例中，該天線根據IEEE 802.11標準(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))來傳輸且接收RF訊號。在另一實施例中，該天線根據BLUETOOTH標準來傳輸且接收RF訊號。在蜂巢式電話之狀況下，該天線經設計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它已知之用以在無線蜂窩式電話網路內通訊之訊號。收發器2047預處理自天線2043所接收之訊號，使得其可藉由處理器2021來接收且進一步操控。收發器2047亦處理自處理器2021所接收之訊號，使得其可經由天線2043而自示範性顯示裝置2040傳輸。
在一替代實施例中，收發器2047可藉由一接收器來替換。在又一替代實施例中，網路介面2027可藉由一影像源來替換，該影像源可儲存或產生待發送至處理器2021之影像資料。舉例而言，該影像源可為一數位視訊光碟(DVD)或一含有影像資料之硬碟驅動器或一產生影像資料之軟體模組。
處理器2021通常控制示範性顯示裝置2040之總體運作。處理器2021自網路介面2027或一影像源接收諸如壓縮影像資料之資料，且將該資料處理成原始影像資料或處理成一易於被處理成原始影像資料之格式。處理器2021接著將經處理之資料發送至驅動器控制器2029或至用於儲存之訊框緩衝器2028。原始資料通常指識別一影像內每一位置處之影像特徵的資訊。舉例而言，該等影像特徵可包括顏色、飽和度及灰階級別。
在一實施例中，處理器2021包括微控制器、CPU或邏輯單元以控制示範性顯示裝置2040之運作。調節硬體2052通常包括放大器及濾波器以用於將訊號傳輸至揚聲器2045、且用於自麥克風2046接收訊號。調節硬體2052可為示範性顯示裝置2040內之離散組件，或可併入於處理器2021或其它組件內。
驅動器控制器2029直接自處理器2021或自訊框緩衝器2028獲取由處理器2021所產生之原始影像資料，且適當地重新格式化該原始影像資料以用於高速傳輸至陣列驅動器2022。具體而言，驅動器控制器2029將原始影像資料重新格式化為一具有類光柵格式之資料流，使得其具有一適於跨越顯示陣列2030掃描之時間順序。接著，驅動器控制器2029將經格式化之資訊發送至陣列驅動器2022。儘管諸如LCD控制器之驅動器控制器2029通常作為一單獨積體電路(IC)與系統處理器2021相關聯，但是可以許多方式來實施該等控制器。可將其作為硬體而嵌入於處理器2021中，作為軟體而嵌入於處理器2021中，或完全與陣列驅動器2022整合於硬體中。
通常，陣列驅動器2022自驅動器控制器2029接收經格式化之資訊，且將視訊資料重新格式化為一平行組之波形，將該等波形每秒鐘數次地施加至數百個及有時數千個來自顯示器之x－y像素矩陣之引線。
在一實施例中，驅動器控制器2029、陣列驅動器2022及顯示陣列2030適合於本文所描述之任何類型之顯示器。舉例而言，在一實施例中，驅動器控制器2029係一習知之顯示控制器或雙穩態顯示控制器(例如，干涉調變器控制器)。在另一實施例中，陣列驅動器2022係一習知之驅動器或一雙穩態顯示驅動器(例如，干涉調變器顯示器)。在一實施例中，驅動器控制器2029與陣列驅動器2022整合。此實施例在高度整合之系統中係共同的，該等系統諸如蜂巢式電話、手錶及其它小面積顯示器。在又一實施例中，顯示陣列2030係一典型的顯示陣列或一雙穩態顯示陣列(例如，一包括一干涉調變器陣列之顯示器)。
輸入裝置2048允許使用者控制示範性顯示裝置2040之運作。在一實施例中，輸入裝置2048包括小鍵盤(keypad)(諸如QWERTY鍵盤(keyboard)或電話小鍵盤)、按鈕、開關、觸敏顯示幕、壓敏或熱敏薄膜。在一實施例中，麥克風2046係示範性顯示裝置2040之輸入裝置。當麥克風2046用以將資料輸入至裝置時，使用者可提供聲音指令以用於控制示範性顯示裝置2040之運作。
電源2050可包括此項技術中所熟知之各種能量儲存裝置。舉例而言，在一實施例中，電源2050係可再充電電池，諸如鎳鎘電池或鋰離子電池。在另一實施例中，電源2050係可更新之能源、電容器或太陽能電池，包括塑膠太陽能電池及太陽能電池漆(solar－cell paint)。在另一實施例中，電源2050經組態以自壁裝插座接收電力。
在某些實施例中，如上文所描述，控制可程式化性居於一可位於電子顯示系統中之若干位置中的驅動器控制器中。在某些狀況下，控制可程式化性居於陣列驅動器2022中。熟習此項技術者將認識到，可在任何數目之硬體及/或軟體組件中且以各種組態來實施上文所描述之最優化。
僅作為實例而提供上文所說明且描述之實施例。熟習此項技術者可對本文所呈現之實施例做出各種改變及修改，而不脫離本文之教示的精神及範疇。
12a、12b．．．干涉調變器
14．．．活動反射材料
14a、14b．．．活動層
16a、16b．．．固定的部分反射層
18．．．柱形物/支撐件
19．．．氣隙
20．．．透明基板
21．．．處理器
22．．．陣列控制器
24．．．列驅動器電路
26．．．行驅動器電路
30．．．像素陣列
32．．．繫鏈
34．．．可變形層
700．．．電子裝置
700'．．．裝置
700"．．．封裝裝置
702．．．第一側
704．．．第二側
710、710"．．．基板
712．．．第一表面
714．．．第二表面
720、720"．．．陣列
722．．．干涉調變器
724．．．機械層
726．．．柱形物
730、730"．．．間隔物
740、740'、740"．．．密封件
750、750'、750"．．．背板
752、752'．．．內表面
753．．．外表面
754'．．．凸緣
850．．．凹陷蓋
852．．．內表面
853．．．外表面
854．．．周邊凸緣
858．．．中心
859．．．邊緣
856．．．加強肋
855．．．乾燥劑
857．．．空腔
900．．．封裝裝置
910a．．．第一基板
910b．．．第二基板
920a．．．第一陣列
920b．．．第二陣列
930．．．間隔物
940．．．密封件
1000．．．實施例
1006．．．空腔或封閉空間
1010．．．基板
1020．．．干涉調變器陣列
1030．．．間隔物
1040．．．密封件
1050．．．凹陷蓋背板
1055．．．乾燥劑
1052．．．內表面
1100．．．裝置
1110．．．基板/空間
1120．．．干涉調變器陣列
1126．．．柱形物
1130．．．間隔物
1140．．．密封件
1232．．．突出物
1234．．．凹痕
1320．．．干涉調變器陣列
1326、1326'．．．柱形物
1330、1330'．．．間隔物
1422．．．干涉調變器
1430．．．間隔物
1526．．．柱形物
1530．．．間隔物
1600．．．裝置
1620．．．陣列
1630．．．間隔物
1700．．．裝置
1720．．．陣列
1730．．．網狀間隔物
1800．．．實施例
1820、1820'、1820"．．．陣列
1830、1830'、1830"．．．間隔物
1850、1850'、1850"．．．背板
1900．．．實施例
1920．．．陣列
1930．．．薄膜間隔物
1950．．．背板
2021．．．處理器
2022．．．陣列驅動器
2027．．．網路介面
2028．．．訊框緩衝器
2029．．．驅動器控制器
2030．．．顯示器/顯示陣列
2030'．．．間隔物
2032．．．間隔物
2032a．．．較薄上部分
2032b．．．較厚下部分
2032'．．．上部區域
2034'．．．下部區域
2040．．．顯示裝置
2041．．．外殼
2043．．．天線
2045．．．揚聲器
2046．．．麥克風
2047．．．收發器
2048．．．輸入裝置
2050．．．電源
2052．．．調節硬體
2120、2120'、2120"．．．陣列
2130、2130'、2130"．．．間隔物
2150、2150'、2150"．．．背板
2200．．．實施例
2220、2220'．．．陣列
2222、2222'．．．干涉調變器
2224．．．機械層
2226．．．柱形物
2230．．．間隔物
2230'、2230"．．．第一間隔物
2260'、2260"．．．第二間隔物
圖1係一描繪干涉調變器顯示器之一實施例之一部分的等角視圖，在該干涉調變器顯示器中，第一干涉調變器之活動反射層處於釋放位置中，且第二干涉調變器之活動反射層處於致動位置中。
圖2係一說明併入3×3干涉調變器顯示器之電子裝置之一實施例的系統方塊圖。
圖3係圖1之干涉調變器之一示範性實施例之活動鏡子位置對施加電壓的圖。
圖4說明圖2之3×3干涉調變器顯示器中之顯示資料的一示範性訊框。
圖5說明可用以寫入圖4之訊框之列及行訊號的一示範性時序圖。
圖6A係圖1之裝置之橫截面。圖6B係干涉調變器之一替代實施例之橫截面。圖6C係干涉調變器之一替代實施例之橫截面。
圖7A及圖7B說明包含間隔物之顯示封裝之一實施例的分解圖及橫截面。圖7C說明包含凹陷蓋之顯示封裝之一實施例。圖7D說明包含彎曲背板之顯示封裝之一實施例。
圖8A說明凹陷蓋之一實施例的橫截面。圖8B說明包含加強肋之背板之一實施例的橫截面。圖8C說明包含加強肋之凹陷蓋之一實施例的橫截面。圖8D及圖8E以橫截面形式說明包含空腔之背板，在該等空腔中安置乾燥劑。
圖9說明雙陣列裝置之橫截面，其包含兩個干涉調變器陣列。
圖10說明包含乾燥劑之顯示封裝之一實施例的橫截面。
圖11A說明一裝置之一實施例的俯視圖，在該裝置中，以一大體上規則之圖案來配置間隔物。圖11B說明一裝置之一實施例的俯視圖，在該裝置中，以一隨機圖案來配置間隔物。圖11C說明一裝置之一實施例的俯視圖，在該裝置中，在陣列之中心周圍配置間隔物。圖11D說明一裝置之一實施例的俯視圖，在該裝置中，間隔物在陣列之中心周圍較密集且在周邊周圍較不密集。圖11E說明一包含間隔物之三個同心區域之裝置之一實施例的俯視圖。
圖12A－12T說明間隔物之實施例。
圖13A說明一裝置之一實施例的俯視圖，該裝置包含橫跨陣列中之至少兩個柱形物的間隔物。圖13B說明一裝置之一實施例的俯視圖，該裝置包含橫跨陣列中之至少兩個柱形物的碟形間隔物。
圖14說明一裝置之一實施例的俯視圖，該裝置包含至少與一陣列中之一干涉調變器元件一樣大的間隔物。
圖15A說明一裝置之一實施例的俯視圖，該裝置包含大體上居中於柱形物上之間隔物。圖15B說明一裝置之一實施例的俯視圖，其中每一間隔物之一部分定位於一柱形物上方。圖15C說明一裝置之一實施例的俯視圖，其中無任何間隔物之部分定位於一柱形物上方。
圖16說明一包含不同大小之間隔物之裝置之一實施例的俯視圖。
圖17A說明一包含網狀間隔物之裝置之一實施例的俯視圖。圖17B說明一包含網狀間隔物之裝置之一實施例的俯視圖，該網狀間隔物在中心處比在周邊處更密集。圖17C說明一整合矩形間隔物的俯視圖。圖17D說明一整合對角線間隔物之俯視圖。
圖18A說明一包含薄膜間隔物之裝置之一實施例的橫截面。圖18B說明一裝置之一實施例的橫截面，該裝置包含一具有非平面橫截面之薄膜間隔物。圖18C說明一包含呈包狀物形態之薄膜間隔物之裝置之一實施例的橫截面。
圖19說明一包含複數個薄膜間隔物之裝置之一實施例的橫截面。
圖20A－圖20D以橫截面形式說明具有三角形橫截面之間隔物之一實施例對施加力的回應。圖20E說明一具有較薄上部分及較厚下部分之間隔物的一實施例。圖20F說明一間隔物之一實施例的橫截面，該間隔物具有不同地回應於一施加力的兩個區域。
圖21A說明一裝置之一實施例的橫截面，在該裝置中，間隔物在陣列與背板之間延伸。圖21B說明一裝置之一實施例的橫截面，在該裝置中，間隔物接觸陣列但不接觸背板。
圖21C說明一裝置之一實施例的橫截面，在該裝置中，間隔物接觸背板但不接觸陣列。
圖22A說明一裝置之一實施例的橫截面，該裝置包含形成於干涉調變器之柱形物上方的整合間隔物。圖22B說明一裝置之一實施例的橫截面，該裝置包含形成於不同高度之干涉調變器之柱形物上方的整合間隔物及一安置於該等整合間隔物上之第二間隔物。圖22C說明一裝置之一實施例的橫截面，該裝置包含形成於干涉調變器之柱形物上方的整合間隔物及一嚙合該等整合間隔物之第二間隔物。
圖23係一說明一方法之一實施例的流程圖，該方法用於製造一抵抗實體損害之已封裝電子裝置。
圖24係一說明一用於保護電子裝置免受實體損害之方法之一實施例的流程圖。
圖25A及25B係說明一包含複數個干涉調變器之視覺顯示裝置之一實施例的系統方塊圖。
700．．．電子裝置
710．．．基板
720．．．陣列
722．．．干涉調變器
730．．．間隔物
740．．．密封件
750．．．背板

Claims (45)

  1. 一種顯示裝置，包含：一干涉調變器陣列，其形成於一基板上；一背板；一密封件，其安置於該基板與該背板之間，其中該基板與該背板被密封在一起以封裝該干涉調變器陣列；及一或多個間隔物，其安置於該陣列上方且在該陣列與該背板之間，其中該或該等間隔物防止該背板接觸該陣列，且該或該等間隔物當無施加外力時並不接觸該背板或該陣列其中之一者。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中該基板係至少部分地透明的及/或半透明的，且該等干涉調變器經組態以經由該基板之透明及/或半透明部分來反射光。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中該背板包含一凹陷蓋。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中該背板包含一玻璃背板。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中該背板包含一乾燥劑。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中該密封件包含一氣密性密封件。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中該密封件包含一乾燥劑。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中該或該等間隔物包含一乾燥劑。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中該或該等間隔物係規則間隔的。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其中該或該等間隔物係不規則間 隔的。
  11. 如請求項1之顯示裝置，進一步包含：一處理器，其與該等干涉調變器電氣通訊，該處理器經組態以處理影像資料；及一記憶體裝置，其與該處理器電氣通訊。
  12. 如請求項11之顯示裝置，進一步包含一經組態以將至少一訊號發送至該等干涉調變器之驅動器電路。
  13. 如請求項12之顯示裝置，進一步包含一經組態以將該影像資料之至少一部分發送至該驅動器電路之控制器。
  14. 如請求項11之顯示裝置，進一步包含一經組態以將該影像資料發送至該處理器之影像源模組。
  15. 如請求項14之顯示裝置，其中該影像源模組包含一接收器、一收發器及一發射器中之至少一者。
  16. 如請求項11之顯示裝置，進一步包含一經組態以接收輸入資料且將該輸入資料傳達至該處理器之輸入裝置。
  17. 如請求項1之顯示裝置，其中該或該等間隔物包含至少一經設計以對一施加力提供一分級回應之間隔物。
  18. 如請求項1之顯示裝置，其中該干涉調變器陣列之一部分包含柱形物且該或該等間隔物係定位於該等柱形物上。
  19. 如請求項1之顯示裝置，其中該或該等間隔物係與該等干涉調變器陣列整合。
  20. 如請求項1之顯示裝置，其中該或該等間隔物係由該背板所支撐且不與該陣列接觸，或由該陣列所支撐且不與該背板接觸。
  21. 如請求項1之顯示裝置，其中該或該等間隔物中之至少一者係安置靠近於該背板之中心或靠近於該陣列之中心。
  22. 一種製造一顯示裝置之方法，包含：在一基板上提供一干涉調變器陣列；於該陣列上方且在該陣列和一背板之間安置一或多個間隔物；及將該背板密封至該基板上以形成一顯示裝置，其中該或該等間隔物防止該背板接觸該陣列，且該或該等間隔物當無施加外力時並不接觸該背板或該陣列其中之一者。
  23. 如請求項22之方法，其中該基板係至少部分地透明的及/或半透明的，且該等干涉調變器經組態以經由該基板之透明及/或半透明部分來反射光。
  24. 如請求項22之方法，其中該背板包含一凹陷蓋。
  25. 如請求項22之方法，其中該背板包含一玻璃背板。
  26. 如請求項22之方法，其中該背板包含一乾燥劑。
  27. 如請求項22之方法，其中將一背板密封至該基板上會形成一氣密性密封件。
  28. 如請求項22之方法，其中該等間隔物中之至少一者包含一乾燥劑。
  29. 如請求項22之方法，其中該或該等間隔物包含複數個規則間隔之間隔物。
  30. 如請求項22之方法，其中該或該等間隔物包含複數個不規則間隔之間隔物。
  31. 如請求項22之方法，其中該或該等間隔物包含至少一經設計以對一施加力提供一分級回應之間隔物。
  32. 如請求項22之方法，其中該干涉調變器陣列之一部分包含柱形物且該或該等間隔物係定位於該等柱形物上。
  33. 如請求項22之方法，其中安置該或該等間隔物包含在一與一形成該等干涉調變器的流程整合之流程中形成該或該等間隔物。
  34. 如請求項22之方法，其中該或該等間隔物中之至少一者係安置靠近於該背板之中心或靠近於該陣列之中心。
  35. 一種顯示裝置，包含：一透明基板，其用於透過其中傳輸光；一干涉調變器陣列，其用於經由該透明基板來調變光；用於覆蓋該干涉調變器陣列之覆蓋構件；安置於該透明基板與該覆蓋構件之間以形成一封裝之密封構件；及用於防止該干涉調變器陣列與該覆蓋構件在該顯示裝置內接觸彼此之間隔構件，其中該間隔構件係安置在該陣列上方且於該干涉調變器陣列與該覆蓋構件之間且其中該間隔構件當無施加外力時並不接觸該干涉調變器陣列或該覆蓋構件。
  36. 如請求項35之顯示裝置，其中該覆蓋構件包含一背板。
  37. 如請求項35之顯示裝置，其中該密封構件包含一黏著密封件。
  38. 如請求項35之顯示裝置，其中該間隔構件包含一被製造 於該傳輸構件或該覆蓋構件上之間隔物。
  39. 如請求項35之顯示裝置，其中該覆蓋構件包含一凹陷蓋。
  40. 如請求項35之顯示裝置，其中該覆蓋構件包含一乾燥劑。
  41. 如請求項35之顯示裝置，其中該間隔構件包含複數個均勻間隔之間隔物。
  42. 如請求項35之顯示裝置，其中該間隔構件包含複數個不規則間隔之間隔物。
  43. 如請求項35之顯示裝置，其中該間隔構件經設計以對一施加力提供一分級回應。
  44. 如請求項35之顯示裝置，其中該間隔構件不接觸該覆蓋構件。
  45. 如請求項35之顯示裝置，其中該間隔構件係安置靠近於該背板之中心或靠近於該陣列之中心。
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