KR20060092914A - 게터를 구비한 미소 기전 시스템 기기의 패키징 방법 및시스템 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 간섭 변조기 어레이와 같은 미소 기전 시스템 기기를 패키징하는 방법 및 시스템을 개시하고 있다. 일실시예에서 미소 기전 시스템 기기 패키지 구조(70)는 화학 반응성이 있는 게터를 구비한 밀봉재(78)를 포함한다. 다른 실시예에서, 미소 기전 시스템 기기 패키지(800)는 게터를 구비한 제1 밀봉재(805), 및 상기 제1 밀봉재(805)의 외측 주변부에 인접한 제2 밀봉재(804)를 포함한다. 또 다른 실시예에서 미소 기전 시스템 기기 패키지(900)는, 상기 미소 기전 시스템 기기 패키지(900)의 내부에 위치하며 패키지 밀봉재(78)의 내측 주변부(903)에 인접해 있는 게터(902)를 포함한다.
간섭 변조기, 어레이, 미소 기전 시스템, 게터, 밀봉재, 패키지
Description
도 1은, 제1 간섭 변조기의 이동가능한 반사층이 해방 위치에 있고, 제2 간섭 변조기의 이동가능한 반사층은 작동 위치에 있는, 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예의 일부를 도시한 등각투영도이다.
도 2는 3x3 간섭 변조기 디스플레이를 포함하는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다.
도 3은, 도 1의 간섭 변조기의 일실시예에서, 인가된 전압에 대응한 이동가능한 미러의 위치를 나타낸 도면이다.
도 4는 간섭 변조기 디스플레이를 구동하기 위해 사용될 수 있는 한 세트의 수평열 및 수직열 전압을 나타낸 것이다.
도 5a 및 5b는 도 2의 3x3 간섭 변조기 디스플레이에 한 프레임의 디스플레이 데이터를 기록하기 위해 사용될 수 있는 수평열 및 수직열 신호에 대한 타이밍도의 일례를 나타낸 것이다.
도 6a는 도 1에 도시된 기기의 단면도이다.
도 6b는 간섭 변조기의 다른 실시예의 단면도이다.
도 6c는 간섭 변조기의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 7은 간섭 변조기 기기용 기본 패키지 구조를 나타내는 단면도이다.
도 9은 제1 밀봉재 및 제2 밀봉재를 구비한 간섭 변조기 패키지 구조의 일실시예를 나타내는 부분 단면도이다.
도 9는 밀봉재에 인접하여 패키지 구조 내부에 위치하고 있는 게터 재료를 구비한 간섭 변조기 패키지 구조의 일실시예를 나타내는 부분 단면도이다.
도 10a 및 10b는 복수의 간섭 변조기를 포함하여 구성되는 시각 디스플레이 기기의 실시예를 보여주는 시스템 블록도이다.
본 발명은 미소 기전 시스템(MEMS: micro electromechanical systems)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미소 기전 시스템 기기를 패키징하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.
미소 기전 시스템은 미소 기계 소자, 액추에이터, 및 전자 기기를 포함한다. 미소 기계 소자는 침적(deposition), 에칭, 및/또는, 기판 및/또는 침적된 재료 층의 일부를 에칭으로 제거하거나 전기 기기 및 기전 기기를 만들기 위해 층을 부가하는 그 밖의 기타 미소 기계 가공 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 미소 기전 시스템 기기의 한 형태로서 간섭 변조기가 있다. 간섭 변조기는 한 쌍의 도전성 플레이트를 포함하고, 이들 중 하나 또는 양자 모두는 전체적으로 또는 부분적으로 투명하거나 및/또는 반사성을 가지고 있을 수 있고, 적절한 전기 신호가 인가되면 상대적으로 이동할 수 있다. 하나의 플레이트는 기판 상에 배치된 고정층을 포함하여 구성되고, 다른 하나의 플레이트는 에어갭에 의해 상기 고정층으로부터 이격된 금속막을 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 기기는 그 응용분야가 넓고, 이러한 형태의 기기의 특성을 활용 및/또는 개조하여, 그 특성이 기존의 제품을 개선하고 아직까지 개발되지 않은 새로운 제품을 창출하는 데에 이용될 수 있도록 하는 것은 해당 기술분야에서 매우 유익할 것이다.
본 발명의 목적은 게터를 구비한 미소 기전 시스템 기기의 패키징 방법 및 시스템을 제공하는 데에 있다.
본 발명에 따른 시스템, 방법 및 기기는 각각 여러 가지 실시태양을 가지고 있고, 그들 중 하나가 단독으로 모든 바람직한 특성을 나타내는 것은 아니다. 이하에서 본 발명의 주요 특징을 설명하겠지만, 이것이 본 발명의 권리범위를 제한하는 것은 아니다. 이러한 점을 고려하여, “발명의 상세한 설명”을 읽고 나면, 본 발명의 특징적 구성이 어떻게 다른 디스플레이 기기에 비해 더 나은 장점을 제공하는지를 이해하게 될 것이다.
본 발명의 일실시예는 미소 기전 시스템(MEMS) 기기에 관한 것이다. 미소 기전 시스템 기기는 기판 및 기판 상에 형성되어 있는 미소 기전 시스템 기기를 포함한다. 또한, 미소 기전 시스템 기기는 백플레인 , 및 상기 미소 기전 시스템 기기의 주변부에 인접해 위치하여 상기 기판 및 상기 백플레인과 접촉하고 있는 밀봉 재를 포함하며, 상기 밀봉재는 화학 반응성이 있는 게터(getter)를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 미소 기전 시스템(MEMS) 기기 패키지를 밀봉하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 기판 및 백플레인을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 기판은 상기 기판 상에 형성되어 있는 미소 기전 시스템 기기를 포함한다. 또한, 화학 반응성이 있는 게터를 포함하며 상기 미소 기전 시스템 기기의 주변부에 인접한 밀봉재를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은 상기 기판, 밀봉재 및 백플레인을 부착하여 상기 미소 기전 시스템 기기를 패키지로 캡슐화하는 단계를 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 다음 방법에 의해 제조되는 미소 기전 시스템 기기 패키지에 관한 것이다. 즉, 이 방법은 기판 및 백플레인을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 기판은 상기 기판 상에 형성되어 있는 미소 기전 시스템 기기를 포함한다. 또한, 화학 반응성이 있는 게터를 포함하며 상기 미소 기전 시스템 기기의 주변부에 인접한 밀봉재를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은 상기 기판, 밀봉재 및 백플레인을 부착하여 상기 미소 기전 시스템 기기를 패키지로 캡슐화하는 단계를 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 미소 기전 시스템 기기에 관한 것이다. 이 기기는 광을 투과시키는 투과 수단 및 상기 투과 수단을 투과한 광을 변조하는 변조 수단을 포함한다. 또한, 상기 변조 수단을 덮는 커버 수단을 포함한다. 또한, 이 기기는 상기 투과 수단과 상기 커버 수단 사이에 캐비티를 형성하는 밀봉 수단을 포함하며, 상기 밀봉 수단은 상기 밀봉 수단에 접촉하는 물질과 화학 반응하는 반 응 수단을 포함한다.
이하, 향상된 밀봉 구조를 포함하는 미소 기전 시스템 패키지 구조에 관해 기재한다. 일실시예에서, 미소 기전 시스템 기기는 제1 밀봉재에 의해 결합되는 기판 및 백플레이트 사이에서 패키징된다. 일실시예에서 제1 밀봉재는 화학 반응성이 있는 게터를 포함한다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 공지된 바와 같이, 게터는 예컨대 흡수(absorption), 흡착(adsorption), 또는 화학 반응에 의해 다른 물질을 포획 또는 고착하는 물질이다. 화학 반응성이 있는 게터는, 게터로 제거되는 물질을 흡수 또는 흡착하지 않고, 그러한 물질과 화학 반응하도록 구성된 게터이다. 다른 실시예에서, 패키지 구조는 제1 밀봉재의 외측 주변부를 따라 배치되는 제2 밀봉재를 포함한다. 일실시예에서, 제2 밀봉재는 예컨대 소수성 재료를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 패키지 구조는 밀봉재의 내측 주변부에 인접하여 위치하는 게터를 포함하며, 패키지 구조의 내부로 유입되려고 하는 수증기 또는 오염물질을 제거하도록 구성된다. 전술한 실시예에서, 패키지 기기의 수명 특성을 원하는 만큼 충족시키기 위해 게터 또는 건조제를 추가할 필요는 없으며, 그에 따라 패키지 치수 및 비용이 감소한다.
이하의 상세한 설명은 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 것이다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 방법과 방식으로 구현될 수 있다. 이하의 설명에서, 도면이 참조되는데, 전체 도면에 걸쳐 동일한 부분에 대해 동일한 번호가 사용된다. 이하의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명은 동화상(예컨대, 비디오)이든 정지화상(예컨대, 스틸 이미지)이든, 또는 텍스트이든 그림이든, 이미지를 디스플레 이하도록 구성된 것이라면 어떠한 기기에든 구현될 수 있다. 보다 상세하게는, 본 발명은 한정되지는 않지만, 예컨대, 이동전화기, 무선 기기, 개인 휴대용 정보 단말기(PDA), 손에 들고 다니거나 휴대할 수 있는 컴퓨터, GPS 수신기/네비게이터, 카메라, MP3 플레이어, 캠코더, 게임 콘솔, 손목 시계, 시계, 계산기, 텔레비전 모니터, 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 자동차 디스플레이(예컨대, 주행 거리계 디스플레이), 조종석 제어 장치 및/또는 디스플레이, 감시 카메라의 디스플레이(예컨대, 자동차에서의 후방 감시 카메라의 디스플레이), 전자 사진 액자, 전자 게시판 또는 전자 표시기, 프로젝터, 건축 구조물, 포장물, 및 미적 구조물(예컨대, 보석 상의 이미지 디스플레이) 등과 같은 다양한 전자 기기에 구현되거나 결합될 수 있다. 또한, 여기서 개시한 미소 기전 시스템 기기와 유사한 구조의 기기를 전자 스위칭 기기와 같은 비(非)디스플레이 분야에 사용할 수도 있다.
간섭계 미소 기전 시스템 디스플레이 소자를 포함하여 구성된 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예가 도 1에 도시되어 있다. 이러한 기기에서, 픽셀은 밝은 상태 또는 어두운 상태 중 하나의 상태로 된다. 밝은 상태(“온 상태” 또는 “개방 상태”)에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광의 대부분을 사용자에게 반사한다. 어두운 상태(“오프 상태” 또는 “폐쇄 상태”)에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광을 사용자에게 거의 반사하지 않는다. 실시예에 따라서는, “온 상태”와 “오프 상태”의 광 반사 특성이 반대로 바뀔 수도 있다. 미소 기전 시스템 픽셀은 선택된 컬러를 두드러지게 반사하여 흑백뿐 아니라 컬러 디스플레이도 가능하도록 구성될 수 있다.
도 1은 영상 디스플레이의 일련의 픽셀들에서 인접하는 두 개의 픽셀을 나타낸 등각투영도다. 여기서, 각 픽셀은 미소 기전 시스템의 간섭 변조기를 포함하여 구성된다. 일부 실시예에서, 간섭 변조기 디스플레이는 이들 간섭 변조기들의 행렬 어레이을 포함하여 구성된다. 각각의 간섭 변조기는, 적어도 하나의 치수가 가변적인 공진 광학 캐비티를 형성하도록 서로 가변적이고 제어가능한 거리를 두고 배치되어 있는 한 쌍의 반사층을 포함한다. 일실시예에서, 이 반사층들 중 하나가 두 개의 위치 사이에서 이동될 수 있다. 제1 위치에서(여기서는 “해방 상태”라고 한다), 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 고정된 층으로부터 상대적으로 먼 거리에 위치한다. 제2 위치에서, 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 층에 보다 가까이 인접하여 위치한다. 두 개의 층으로부터 반사되는 입사광은 이동가능한 반사층의 위치에 따라 보강적으로 또는 상쇄적으로 간섭하여, 각 픽셀을 전체적으로 반사 상태 또는 비반사 상태로 만든다.
도 1에 도시된 부분의 픽셀 어레이는 두 개의 간섭 변조기(12a, 12b)를 포함한다. 좌측에 있는 간섭 변조기(12a)에서는, 이동가능하고 반사성이 높은 층(14a)이 부분적으로 반사하는 고정된 층(16a)으로부터 소정의 거리를 두고 해방 위치에 있는 것이 도시되어 있다. 우측에 있는 간섭 변조기(12b)에서는, 이동가능하고 반사성이 높은 층(14b)이 부분적으로 반사하는 고정된 층(16b)에 인접한 작동 위치에 있는 것이 도시되어 있다.
고정된 층(16a, 16b)은 전기적으로 도전성을 가지고 있고, 부분적으로 투명하며, 부분적으로 반사성을 가지고 있고, 예컨대 투명 기판(20) 상에 크롬과 인듐 주석산화물(ITO)로 된 하나 이상의 층을 침적시킴으로써 제조될 수 있다. 이들 층을 병렬 스트립으로 패턴화하여, 이하에서 설명하는 바와 같이, 디스플레이의 수평열 전극(row electrode)을 형성할 수 있다. 이동가능한 층(14a, 14b)은, 포스트(18)와 이 포스트들 사이에 개재된 희생 재료의 표면에 침적된 금속층(들)으로 된 일련의 병렬 스트립(수평열 전극(16a, 16b)에 수직하는)으로 형성될 수 있다. 희생 재료를 에칭하여 제거하면, 변형가능한 금속층이 에어갭(19)에 의해 고정된 금속층으로부터 이격된다. 변형가능한 층은 알루미늄과 같이 도전성과 반사성이 높은 재료를 이용하여 형성할 수 있고, 이것의 스트립은 디스플레이 기기의 수직열 전극(column electrode)을 형성할 수 있다.
전압이 인가되지 않으면, 층(14a)과 층(16a) 사이에 캐비티(19)가 그대로 존재하게 되어, 변형가능한 층이 도 1의 픽셀(12a)로 도시된 바와 같이 기계적으로 해방된 상태로 있게 된다. 그러나, 선택된 행과 열에 전위차가 인가되면, 해당하는 픽셀에서 수평열 전극과 수직열 전극이 교차하는 지점에 형성된 커패시터가 충전되어, 정전기력이 이들 전극을 서로 당기게 된다. 만일 전압이 충분히 높다면, 이동가능한 층이 변형되어, 도 1에서 우측에 도시된 픽셀(12b)과 같이, 고정된 층에 대해 힘을 받게 된다(도 1에는 도시하지 않았지만, 단락을 방지하고 이격 거리를 제어하기 위해 고정된 층 상에 유전 재료를 배치할 수 있다). 이러한 양상은 인가된 전위차의 극성에 관계없이 동일하다. 이러한 방식으로, 반사와 비반사의 픽셀 상태를 제어할 수 있는 수평열/수직열 구동은 종래의 액정 디스플레이나 다른 디스플레이 기술에서 사용되었던 방식과 여러 가지 면에서 유사하다.
도 2 내지 5는 디스플레이 응용분야에서 간섭 변조기의 어레이를 이용하기 위한 방법 및 시스템의 일례를 보여준다. 도 2는 본 발명의 여러 측면을 포함할 수 있는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. 본 실시예에서는, 전자 기기가 프로세서(21)를 포함한다. 이 프로세서(21)는 ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® 등과 같은 범용의 단일칩 또는 멀티칩 마이크로프로세서나, 또는 디지털 신호 처리기, 마이크로컨트롤러, 프로그래머블 게이트 어레이 등과 같은 특정 목적의 마이크로프로세서일 수 있다. 해당 기술 분야에서 알려진 바와 같이, 프로세서(21)는 하나 이상의 소프트웨어 모듈을 실행하도록 구성될 수 있다. 오퍼레이팅 시스템을 실행하는 것 외에도, 프로세서는 웹 브라우저, 전화 응용프로그램, 이메일 프로그램, 또는 임의의 다른 소프트웨어 응용프로그램을 포함하여 하나 이상의 소프트웨어 응용프로그램을 실행하도록 구성될 수 있다.
일실시예에서, 프로세서(21)는 또한 어레이 컨트롤러(22)와 통신하도록 구성된다. 일실시예에서, 어레이 컨트롤러(22)는 픽셀 어레이(30)에 신호를 제공하는 수평열 구동 회로(24) 및 수직열 구동 회로(26)를 포함한다. 도 2에서 1-1의 선을 따라 절단한 어레이의 단면도가 도 1에 도시되어 있다. 미소 기전 시스템의 간섭 변조기에 대한 수평열/수직열 구동 프로토콜은 도 3에 도시된 기기의 히스테리시스 특성을 이용할 수 있다. 이동가능한 층을 해방 상태에서 작동 상태로 변형시키기 위해, 예컨대, 10볼트의 전위차가 요구될 수 있다. 그러나, 전압이 그 값으로부터 감소할 때, 전압이 10볼트 이하로 떨어지더라도 이동가능한 층은 그 상태를 유지한 다. 도 3의 실시예에서, 이동가능한 층은 전압이 2볼트 이하로 떨어질 때까지는 완전히 해방되지 않는다. 따라서, 기기가 해방 상태 또는 작동 상태 중 어느 하나의 상태로 안정되는 인가 전압 영역이 존재하는 전압의 범위가 있다. 도 3에서는 약 3~7볼트가 예시되어 있다. 이것을 여기서는 “히스테리시스 영역” 또는 “안정 영역”이라고 부른다. 도 3의 히스테리시스 특성을 가진 디스플레이 어레이에서는, 수평열/수직열 구동 프로토콜은, 수평열 스트로브(row strobe)가 인가되는 동안에 스트로브가 인가된 수평열에 있는 픽셀들 중에 작동되어야 픽셀들은 약 10볼트의 전위차에 노출되고, 해방되어야 할 픽셀들은 0(영)볼트에 가까운 전위차에 노출되도록 설계될 수 있다. 스트로브를 인가한 후에는, 픽셀들이 수평열 스트로브에 의해 어떠한 상태가 되었든지 간에 그 상태로 유지되도록 약 5볼트의 정상 상태 전압차를 적용받는다. 기록된 후에, 각 픽셀은 본 실시예에서는 3-7볼트인 “안정 영역” 내의 전위차를 가진다. 이러한 구성으로 인해, 도 1에 도시된 픽셀 구조가 동일한 인가 전압의 조건 하에서 작동 상태든 해방 상태든 기존의 상태로 안정되게 된다. 작동 상태로 있든 해방 상태로 있든, 간섭 변조기의 각 픽셀은 필연적으로 고정된 반사층과 이동하는 반사층에 의해 형성되는 커패시터이기 때문에, 이 안정된 상태는 히스테리시스 영역 내의 전압에서 거의 전력 낭비 없이 유지될 수 있다. 인가 전위가 고정되어 있으면, 필연적으로 픽셀에 유입되는 전류는 없다.
전형적인 응용예로서, 첫번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 따라 한 세트의 수직열 전극을 어서팅(asserting)함으로써 디스플레이 프레임을 만들 수 있다. 그런 다음, 수평열 펄스를 수평열 1의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 라인에 대응하는 픽셀들을 작동시킨다. 그러면, 수직열 전극의 어서트된 세트가 두번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 대응하도록 변경된다. 그런 다음, 펄스를 수평열 2의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 전극에 따라 수평열 2에서의 해당하는 픽셀을 작동시킨다. 수평열 1의 픽셀들은 수평열 2의 펄스에 영향을 받지 않고, 수평열 1의 펄스에 의해 설정되었던 상태를 유지한다. 이러한 동작을 순차적으로 전체 수평열에 대해 반복하여 프레임을 생성할 수 있다. 일반적으로, 이러한 프레임들은 초당 소정 수의 프레임에 대해 이러한 처리를 계속해서 반복함으로써 리프레시(refresh)되거나, 및/또는 새로운 디스플레이 데이터로 갱신된다. 수평열 및 수직열 전극을 구동하여 디스플레이 프레임을 생성하는 많은 다양한 프로토콜이 잘 알려져 있고, 본 발명과 관련하여 사용될 수 있다.
도 4 및 5는 도 2의 3x3 어레이 상에서 디스플레이 프레임을 생성하기 위한 하나의 가능한 구동 프로토콜을 나타낸 것이다. 도 4는 도 3의 히스테리시스 곡선을 보여주는 픽셀들에 사용될 수 있는 수직열 및 수평열의 가능한 전압 레벨 세트를 보여준다. 도 4의 실시예에서, 픽셀을 작동시키기 위해, 해당하는 수직열은 -Vbias로 설정하고 해당하는 수평열은 +ΔV로 설정한다. 각각의 전압은 -5볼트 및 +5볼트에 대응할 수 있다. 픽셀을 해방시키기 위해서는, 해당하는 수직열은 +Vbias로 설정하고 해당하는 수평열은 동일한 값의 +ΔV로 설정하여, 픽셀에 걸리는 전위차가 0(영)볼트가 되도록 한다. 수평열의 전압이 0(영)볼트로 되어 있는 수평열에서는, 수직열이 +Vbias이든 -Vbias이든 관계없이 픽셀들이 원래의 상태로 안정된다. 또 한 도 4에 도시된 바와 같이, 전술한 것과 반대 극성을 갖는 전압을 사용할 수도 있다. 예컨대 해당하는 수직열을 +Vbias로 설정하고, 해당하는 수평열을 -ΔV로 설정할 수 있다. 본 실시예에서 픽셀을 해방시키기 위해서는, 해당하는 수직열을 -Vbias로 설정하고 해당하는 수평을을 동일한 값의 -ΔV로 설정하여, 픽셀에 걸리는 전위치가 0(영)볼트가 되도록 한다.
도 5b는 도 2의 3x3 어레이에 인가되는 일련의 수평열 및 수직열 신호를 보여주는 타이밍도이며, 그 결과로서 작동된 픽셀들이 비반사성인 도 5a에 도시된 디스플레이 배열이 얻어진다. 도 5a에 도시된 프레임을 기록하기 전에, 픽셀들은 어떤 상태로 되어 있어도 무방하다. 본 예에서는, 모든 수평열들이 0(영)볼트이고, 모든 수직열들이 +5볼트이다. 이러한 인가 전압으로, 모든 픽셀들은 기존의 작동 상태 또는 해방 상태로 안정되어 있다.
도 5a의 프레임에서, (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) 및 (3,3)의 픽셀들이 작동된다. 이를 구현하기 위해, 수평열 1에 대한 “라인 시간” 동안, 수직열 1과 2는 -5볼트로 설정되고, 수직열 3은 +5볼트로 설정된다. 이것은 어느 픽셀의 상태도 바꾸지 않는다. 왜냐하면, 모든 픽셀들이 3-7볼트의 안정영역 내에 있기 때문이다. 그런 다음, 수평열 1에 0볼트에서 5볼트로 상승한 후 다시 0볼트로 되는 펄스를 가진 스트로브를 인가한다. 이것은 (1,1) 및 (1,2)의 픽셀을 작동시키고 (1,3)의 픽셀을 해방시킨다. 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수평열 2를 원하는 대로 설정하기 위해, 수직열 2를 -5볼트로 설정하고, 수직열 1 및 3은 +5볼트로 설정한다. 동일한 스트로브를 수평열 2에 인가하면, (2,2)의 픽셀이 작동되고, (2,1) 및 (2,3)의 픽셀이 해방된다. 여전히, 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수직열 2 및 3을 -5볼트로 설정하고 수직열 1을 +5볼트로 설정함으로써, 수평열 3도 마찬가지의 방법으로 설정될 수 있다. 수평열 3에 대한 스트로브로 인해 수평열 3의 픽셀들도 도 5a에 도시된 바와 같이 설정된다. 프레임을 기록한 후에, 수평열 전위는 0(영)이고, 수직열 전위는 +5볼트 또는 -5볼트로 남아있으므로, 디스플레이는 도 5a의 배열로 안정된다. 수십 또는 수백의 수평열 및 수직열로 된 어레이에 대해 동일한 처리가 행해질 수 있다는 것은 잘 알 수 있을 것이다. 또한, 수평열 및 수직열의 구동을 위해 사용되는 전압의 타이밍, 순서 및 레벨은 위에서 설명한 전반적인 원리 내에서 다양하게 변경될 수 있고, 상술한 예는 예시에 불과하고, 임의의 구동 전압 방법을 본 발명에 적용하여도 무방하다.
위에서 설명한 원리에 따라 동작하는 간섭 변조기의 상세한 구조는 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 도 6a 내지 6c는 이동하는 미러 구조의 세가지 다른 예를 보여준다. 도 6a는 도 1에 도시된 실시예의 단면도로서, 금속 재료로 된 스트립(14)이 직각으로 연장된 지지대(18) 상에 배치되어 있다. 도 6b에서, 이동가능한 반사 재료(14)가 연결선(32)에 의해 그 코너에서만 지지대에 부착되어 있다. 도 6c에서, 이동가능한 반사 재료(14)가 변형가능한 층(34)에 매달려 있다. 이 실시예는, 반사 재료(14)에 대한 구조적 설계와 재료는 광학 특성에 대해 최적화될 수 있고, 변형가능한 층(34)에 대한 구조적 설계와 재료는 원하는 기계적 특성에 대해 최적화될 수 있기 때문에 유용하다. 여러 가지 형태의 간섭 기기의 제조에 대해, 예컨대 미국특허공개 제2004/0051929호를 포함하여 여러 공개 문헌에 기술되어 있다. 일련의 재료 침적, 패터닝 및 에칭 단계들을 포함하여, 상술한 구조를 제조하기 위해 다양한 공지 기술이 사용될 수 있다.
간섭 변조기 어레이와 같은 미소 기전 시스템 기기의 이동하는 부분은 그 곳에서 운동이 가능한 보호 공간부(protected space)를 구비하는 것이 바람직하다. 이하, 미소 기전 시스템 기기의 패키징 기술에 대해 자세히 설명하기로 한다. 도 7에는 간섭 변조기 어레이와 같은 미소 기전 시스템 기기용 기본 패키지 구조의 개략도가 도시되어 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 기본 패키지 구조(70)는 기판(72) 및 백플레인 커버 또는 “캡”(74)을 포함하며, 기판(72) 상에는 간섭 변조기 어레이(76)가 형성되어 있다. 상기 캡(74)은 “백플레인(backplane)”으로도 불린다.
기판(72) 및 백플레인(74)은 밀봉재(78)에 의해 결합되어 패키지 구조(70)를 이루며, 따라서 간섭 변조기 어레이(76)는 기판(72), 백플레인(74), 및 밀봉재(78)에 의해 캡슐화된다. 이는 백플레인(74)과 기판(72) 사이에 캐비티(79)를 형성한다. 밀봉재(78)는 종래의 에폭시계 접착제와 같은 비밀폐성 밀봉재일 수 있다. 다른 실시예에서, 밀봉재(78)는 수증기 투과율의 범위가 일일(day)당 약 0.2 - 4.7 g mm/m2kPa인 여러 형태의 밀봉재 중에서 폴리이소부틸렌(종종, 부틸 고무라 칭하며, 때로는 PIB라고도 함), 오-링, 폴리우레탄, 박막 금속 용접, 액체 스핀-온 유리, 땜납, 폴리머 또는 플라스틱일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 밀봉재(78)는 밀폐성 밀봉재(hermetic seal)일 수 있으며, 예컨대 금속, 용접, 및 유리 프릿 (glass frit)을 포함할 수 있다. 밀폐성 밀봉 방법은 예컨대 금속 또는 땜납 박막 또는 예비적 성형품(perform), 레이저 또는 저항 용접 기술, 및 양극 산화 결합 기술(anodic bonding techniques)을 포함하며, 그에 따른 패키지 구조는 내부 패키지의 요구 조건을 충족하기 위해 건조제를 필요로 할 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다.
밀봉재(78)는 폐쇄식 밀봉재(연속식) 또는 개방식 밀봉재(비연속식)로 실현될 수 있으며, 간섭 변조기 어레이(76)를 패키징하는 방법으로 기판(72), 백플레인(74), 또는 기판 및 백플레인(74) 양측 상에 도포 또는 형성될 수 있다. 밀봉재(78)는 단순 인-라인형(simple in-line) 제조 공정을 통해 도포할수 있으며, 이는 저온 처리가 가능하다는 장점을 갖는다. 반면, 용접 및 납땜 기술은 패키지 구조(20)를 손상시킬 수 있는 고온 처리를 요하며, 비교적 고가이다. 몇몇 경우에, 처리 온도를 낮춘 실용적인 처리법을 얻기 위해, 집중 가열 방식이 사용될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 패키지 구조(70)는 캐비티(79) 내의 습기를 줄이도록 구성된 건조제(80)와 같은 게터(getter)를 포함한다. 당업자라면 건조제가 밀폐성 밀봉 패키지에 반드시 필요한 것은 아니지만, 패키지 내에 존재하는 습기를 제어하는데 바람직할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 일실시예에서, 건조제(80)는 간섭 변조기 어레이(76) 및 백플레인(74) 사이에 위치한다. 건조제는 밀폐성 또는 비밀폐성 밀봉재를 가진 패키지용으로 사용될 수 있다. 밀폐성 밀봉재를 가진 패키지에서, 건조제는 보통 패키지 내부에 존재하는 습기를 제어하기 위해 사용된다. 비밀폐성 밀봉재를 가진 패키지에서, 건조제는 주변 환경으로부터 패키지 내로 이 동하는 습기를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 간섭 변조기 어레이의 광학적 속성을 해치지 않으면서 습기를 막을 수 있는 어떠한 물질도 건조제(80)로로 사용될 수 있다. 적절한 게터 및 건조제 재료에는 제올라이트(zeolite), 분자체(molecular sieve), 표면 흡착제(surface adsorbent), 벌크 흡착제(bulk adsorbent), 및 화학 반응체(chemical reactant) 등이 포함되며, 이에 한정되는 것은 아니다.
건조제(80)는 상태, 형상, 및 크기가 상이할 수 있다. 건조제(80)는 고체 상태일 수도 있으며, 대안적으로 파우더 상태일 수도 있다. 이 파우더는 패키지 내부로 직접 삽입될 수 있으며, 또는 도포용 접착제와 함께 혼합될 수도 있다. 다른 실시예에서, 건조제(80)는 패키지 내에 도포되기 전에 상이한 형상, 예컨대 원주형, 링형, 또는 판형으로 형성될 수 있다.
당업자라면 건조제(80)는 상이한 방식으로 도포될 수 있음을 이해할 것이다. 일실시예에서, 건조제(80)는 간섭 변조기 어레이(76)의 일부로 형성된다. 또 다른 실시예에서, 건조제(80)는 패키지(70) 내부에 스프레이(spray) 또는 담금 피복(dip coat)으로 도포된다.
기판(72)은 그 위에 박막, 미소 기전 시스템 기기를 구비할 수 있는 반투명, 또는 투명 물질일 수 있다. 그러한 투명 물질로는 유리, 플라스틱, 및 투명 폴리머가 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 간섭 변조기 어레이(76)는 박막 변조기 또는 분리형 변조기를 포함할 수 있다. 당업자라면 백플레인(74)은 유리, 금속, 호일, 폴리머, 플라스틱, 세라믹 또는 반도체 재료(예컨대, 실리콘)와 같은 임의의 적합한 재료로 형성될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
패키징 공정은 주변 압력, 보통의 대기압, 또는 주변 압력보다 큰 압력에서 진공 사이의 압력하에서 실행될 수 있다. 또한, 패키징 공정은 다양한 환경에서 실행될 수 있으며, 밀봉 공정시 고압 또는 저압으로 제어될 수 있다. 완전 건조된 환경에서 간섭 변조기 어레이(76)를 패키징하는 것이 바람직할 수 있지만, 필수적인 것은 아니다. 마찬가지로, 패키징이 이루어지는 주변 환경(ambient conditions)이 비활성 가스(inert gas)일 수 있다. 주변 환경에서 패키징하는 것은, 기기의 동작에 영향을 끼치지 않고도 주변 조건을 통해 기기가 운반될 수 있기 때문에, 공정 비용을 절감시킬 수 있고, 장비 선택을 더 다양하게 할 수 있다.
일반적으로, 패키지 구조(70) 내로의 수증기 침투를 최소화하여, 패키지 구조(70)의 캐비티(79) 환경을 제어하고, 그 환경을 일정하게 유지하도록 밀폐성으로 밀봉하는 것이 바람직하다. 패키지 내의 습도 또는 수증기 레벨이, 수증기의 표면 장력이 간섭 변조기 어레이(76)의 이동가능한 소자(도시되지 않음)의 복원력에 비해 커지는 레벨보다 높아지면, 이동가능한 소자는 표면에 영구적으로 부착될 수 있다. 따라서, 패키지 내의 습기 레벨을 감소시킬 필요가 있다.
밀봉재(78)가 접착제를 포함하는 패키지 구조(70)의 실시예에서, 접착제 성분만으로는 적절한 환경적인 장벽 역할을 할 수 없는데, 이는 결국 접착제에 의해 수증기 및/또는 오염 물질이 패키지 구조(70)의 캐비티(79) 내로 침투할 수 있기 때문이다. 따라서, 일부 실시예에서 패키지 구조(70)는 게터를 포함하는데, 이 게터는 패키지 구조 내에 위치하거나, 밀봉재(78) 내에 결합된다. 게터는 패키지 구 조(70)의 조립후 패키징 부품 및 간섭 변조기 어레이(76)로부터 방출되는 오염 가스를 제거하도록 구성될 수 있는데, 그러한 오염 가스로는 접착제가 경화되는 동안 밀봉재(78)의 접착제로부터 캐비티(79) 내로 방출 또는 증발되는 물질들이 있다. 게터는 특정 물질과 화학적으로 반응하도록 화학 반응성이 있는 게터일 수 있으며, 또는 수분과 같은 특정 물질이 존재하면 물리적으로 변형되도록 구성될 수도 있다. 예컨대, 게터는 수분 또는 수증기와 접촉하면 물리적으로 변형되는 제올라이트(zeolite)와 같은 건조제를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 수증기 또는 오염물질은 밀봉재(78)를 통해 침투된 물질 또는 캐비티(79) 내의 부품으로부터 해방되므로, 패키지 구조(70) 내의 그러한 수증기 또는 오염 물질을 제거하기 위해, 게터는 밀봉재(78)의 내측 주변부에 인접한 패키지 구조(70) 내부에 위치한다. 또 다른 실시예에서, 패키지 구조(70)는 밀봉재(78)의 외부에 도포되는 제2 밀봉재를 포함하며, 이 제2 밀봉재는 수증기가 패키지 구조(70)로 유입되지 못하도록 하거나, 또는 수증기가 패키지 구조(70)로 침투되는 속도를 낮추는 소수성 재료를 포함한다.
패키지 구조(70)의 일실시예에서, 밀봉재(78)는 생산 또는 조립 공정시 패키지 구조(78) 내에 존재하는, 또는 그러한 공정이나 후속 공정시 배출되는 물질 및/또는 밀봉재(78)에 침투하여 패키지 구조(70)로 유입되는 물질들을 제거하도록 구성된, 화학 반응성이 있는 게터를 포함한다. 화학 반응성이 있는 게터는, 예컨대 산화칼슘, 스트론튬(Sr), 산화스트론튬, 및 알루미늄 복합체(complex)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 밀봉재(78)는 화학 반응성이 있는 게터 및 접착제의 혼합 물을 포함한다. 몇몇 실시예에서 밀봉재(78)는, 접착제 재료의 경화 중 그로부터 배출되는 물질과 같이, 생산 또는 조립 과정에서 밀봉재로부터 방출 또는 해방되는 모든 물질을 실질적으로 제거 또는 포획하는데 충분한 양의 게터를 포함한다. 밀봉재에 포함되는 게터의 양은, 패키지 구조(70)의 생산 또는 조립시 밀봉 부품으로부터 배출되는 물질은 포획할 수 있으면서도, 밀봉재의 침투성에는 역효과를 주지 않을 정도로 제한될 수 있다.
도 8의 단면도에 도시된 바와 같이, 패키지 구조(800)의 또 다른 실시예는 기판(72) 및 백플레인(74)과 접촉하여 위치하는 제1 밀봉재(802), 및 제1 밀봉재(802)의 외측 주변부에 인접하여 위치하는 제2 밀봉재(804)를 포함한다. 도 8에 도시된 바와 같이 제2 밀봉재(804)는 제1 밀봉재(802)와 접촉하고 있을 수도 있으며, 제2 밀봉재(804)와 제1 밀봉재(802) 사이에 갭이 있을 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 밀봉재(804)는 제1 밀봉재(802), 기판(76), 및 백플레인(74)과 접촉하고 있다. 제2 밀봉재(804)의 단면 형상은 밀봉재(804)의 재료에 따라 정해질 수 있고, 또한 밀봉재(804)의 도포 또는 형성 방법에 따라 달라질 수 있으며, 도 8에 도시된 것으로 한정되지 않는다.
몇몇 실시예에서, 제2 밀봉재(804)는 PTFE 또는 관련 화합물과 같은 소수성 재료 또는 침투율이 낮은 접착제를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 제2 밀봉재(804)는 폴리이소부틸렌(부틸 고무, 또는 PIB로 불림), O-링, 폴리우레탄, 박막 금속 용접, 액체 스핀-온 유리, 땜납, 중합체 또는 플라스틱, 또는 이들의 화합물을 포함한다.
다른 실시예에서, 제2 밀봉재(804)는 침투 속성에 관계 없이 저가의 밀봉 재료를 포함하며, 이는 제1 밀봉재(802)와 함께 수증기 또는 다른 오염 물질이 패키지 구조(800)의 캐비티(79) 내로 침투하는 속도를 감소시키도록 구성된다. 제2 밀봉재(804)를 도포 또는 형성하는 방법의 실시예는, 예컨대 밀봉 재료 비드를 프린팅 또는 디스펜싱(dispensing)하는 방법, 스프레이-온(spray-on) 방법, 예비적 성형품(perform) 배치법, 프린팅법, 또는 당업자에게 공지된 기타 방법을 포함할 수 있다.
제1 밀봉재(802)가 건조제와 같은 게터를 포함하는 실시예에서, 제1 밀봉재(802)에 대한 수증기의 침투율은 건조제가 물 분자와 반응 또는 흡수하는 최대 용량에 근접 또는 도달할수록 급격히 증가할 수 있다. 제2 밀봉재(804)는 수증기 침투율을 감소시킴으로써, 패키지 구조(800) 내의 간섭 변조기 어레이(76)의 수명을 연장하는 것이 바람직하다. 도 8에서는 패키지 구조(800)가 백플레인(74) 상에 건조제를 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 패키지 구조(800)의 실시예는 건조제를 포함하지 않은 채로, 또는 건조제가 패키지 구조 내의 다른 위치에 놓인 채로, 생산 또는 조립될 수 있다.
도 9는 밀봉재(78)의 내측 주변부에 인접해 위치하는 게터(902)를 포함하는 패키지 구조(900)의 일실시예를 나타내는 단면도이다. 게터는 예를 들어 제올라이트, 분자체, 표면 흡착제, 벌크 흡착제, 및 화학 반응 물질, 또는 이들의 화합물을 포함할 수 있다. 일실시예에서, 게터(902)는 게터 재료 및 접착제의 혼합물을 포함할 수 있다. 게터(902)는 주변 환경으로부터 밀봉재(78)로 침투한 수증기 및 오 염물과 같은 물질, 생산 또는 조립시 밀봉재(78)로부터 배출 또는 방출된 물질, 및 패키지 구조(900)의 캐비티(79) 내의 물질을 제거하도록 구성되는 것이 바람직하다. 게터(902)는 밀봉재(78)와 접촉할 수도 있고, 게터(902)와 밀봉재(78) 사이에 갭이 있을 수도 있다. 예컨대, 게터(902)가 흡수된 물질로 포화되어 그 크기가 증가하는 실시예에서는, 게터(902)와 밀봉재(78) 사이에 갭이 있는 것이 바람직하다.
도 9에 도시된 바와 같이, 게터(902)는 실질적으로 직사각형 단면을 가지며, 기판(72) 및 밀봉재(78)와 접촉하고 있다. 그러나, 당업자가 알 수 있다시피, 게터(902)의 단면 형상은 도 9에 도시된 것과 상이할 수 있으며, 몇몇 실시예에서는, 게터(902)의 도포 또는 형성 방법에 따라 좌우될 수 있다. 일실시예에서, 게터(902)는 박막 기술을 사용해 형성될 수 있다. 또한, 게터(902)는 기판(72)과 함께, 또는 기판(72) 대신에 백플레인(74)과 접촉할 수 있다.
예컨대, 밀봉재(78)가 금속 밀봉재를 포함하는 패키지 구조(900)의 실시예에서는, 밀봉재를 형성하는 동안 화학 반응에 의해 오염 물질이 배출 또는 방출될 수 있다. 예컨대 밀봉재(78)가 땜납을 포함하는 경우, 패키지 구조(900)를 조립하거나, 밀봉재를 도포 또는 형성하는 동안, 산화물이 방출될 수 있다. 따라서, 게터(902)는 패키지 구조(900)를 조립하거나, 밀봉재를 도포 또는 형성하는 동안 밀봉재로부터 배출 또는 방출되는 물질을 제거하도록 구성되는 것이 바람직하다.
도 7의 패키지 구조(70)와 같은 다른 패키지 구조(900)들은 건조제(80)를 포함하는데, 도 9에 도시된 것과 같은 몇몇 실시예에서는 패키지 구조(900)가 건조제(80)를 포함하지 않는다. 그러나, 패키지 구조(900)는 건조제(80)를 포함할 수 있 으며, 도 9에 도시되어 있는 구성 또는 성분으로 한정되지 않는다.
일실시예에서, 게터는 산화칼슘, 또는 알루미노규산나트륨(sodium aluminosilicate)과 같은 알루미노규산염계 무기물(aluminosilicate-structured mineral)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 게터는 미공성 규산염계 무기물(silicate-structured mineral)을 포함할 수 있다. 분자 수준에서 흡수 필터로 작용할 수 있는 제올라이트 이외의 능동 소자도 게터로 이용될 수 있다. 전술한 접착제에는 가스 방출 수(outgassing numbers)가 낮은 접착제, 또는 여러 가지 가스 방출 수를 가진 접착제가 포함될 수 있다.
당업자라면 밀봉재(78)용 재료량 또는 게터나 소수성 재료의 양은, 패키지 구조의 원하는 동작 수명 동안 패키지 구조로부터 제거될 필요가 있는 습기 또는 오염 가스의 예상량에 따라 좌우된다는 점을 이해할 것이다. 밀봉재(78) 내부에 합체되든, 아니면 패키지 구조(70)의 캐비티(79) 내측 또는 외측에 합체되든, 밀봉재(78)용 재료양, 또는 게터나 소수성 재료의 양은, 패키지가 형성될 때 패키지 구조(20) 내에 있던 습기나 오염 가스의 양 뿐만 아니라, 패키지 부품의 잠재적인 가스 배출량 및 밀봉재(78)의 침투율에 따라 좌우된다.
몇몇 실시예에서, 밀봉재(78)의 두께는 약 100-300 Å (예컨대, 박막을 이용), 약 10-30 μm, 또는 약 50 μm인 것이 바람직하다. 당업자라면, 밀봉재(78)의 두께, 및 밀봉재(78)의 외측 주변부에 인접한 제2 밀봉재 또는, 패키지 구조(70)의 캐비티(79) 또는 밀봉재(78) 내에 합체된 게터의 양은, 여러 가지 요인들에 좌우될 것이라는 점을 알 것이다. 그러한 요인들로는, 패키징된 기기의 희망 수 명, 밀봉재(78)의 재료 성분, 수명 동안 패키지 구조(70)로 침투할 것으로 예상되는 습기 및 오염 물질의 양, 패키지 구조(70)에 대한 주변 환경의 예상 습도 레벨, 및 패키지 구조(70) 내에 게터 또는 건조제(80)가 추가로 포함될 것인지 여부 등이 있다.
전술한 바와 같이, 패키지 구조는 도 7과 관련하여 설명한 건조제(80)를 포함할 수도, 그렇지 않을 수도 있다. 예컨대, 밀봉재(78)가 게터를 포함하거나, 밀봉재(78) 외측 주변부에 제2 밀봉재가 형성되어 있거나, 또는 게터가 밀봉재(78)의 내측 주변부에 근접하여 위치하고 있으면, 패키지 기기의 원하는 수명 특성을 충족시키기 위해, 패키지 구조 내에 건조제를 추가할 필요는 없을 수 있다. 따라서, 패키지 구조가 건조제(80)를 수용할 필요가 없는 실시예에서는, 패키지 치수 및 비용이 감소할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 게터는 제올라이트를 포함한다. 제올라이트는 비교적 고온에서 물분자를 흡수할 수 있다. 제올라이트는 자체의 미세공(pore)에 습기 및 오염 가스를 포획할 수 있다. 당업자라면 여러 가지 오염 물질을 흡수하기 위해서, 밀봉재(78) 재료로 여러 가지 미세공 크기를 가진 제올라이트가 선택될 수 있다는 점을 이해할 것이다. 몇몇 실시예에서, 게터는 오염물 분자를 흡수하도록 선택된 제올라이트를 포함하며, 이러한 오염물 분자로는 임계 직경(critical diameter)이 10 옹스트롬에 달하는 방향족 분지-사슬 탄화 수소(aromatic branched-chain hydrocarbon)가 있다. 또 다른 실시예에서는, 수소 및 습기 분자와 같이 2 옹스토롬 미만의 직경을 가진 오염물 분자를 저지하기 위해, 미세공의 크기가 2 내지 3 옹스토롬 사이인 제올라이트가 선택될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 질소 및 이산화탄소 분자를 흡수하기 위해, 미세공의 크기가 50 옹스트롬인 제올라이트가 사용될 수 있다. 당업자라면, 패키지 구조의 내측 및 외측에 사용되는 소수성 재료 또는 게터 및 밀봉재(78)는, 미세공의 크기가 다양한 주문형 또는 기능형 게터 재료 또는 제올라이트의 혼합물을 포함할 수 있다는 점을 알 것이다.
도 10a 및 10b는 디스플레이 기기(2040)의 실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. 디스플레이 기기(2040)는, 예컨대, 휴대 전화기일 수 있다. 그러나, 텔레비전이나 휴대용 미디어 플레이어와 같이 디스플레이 기기(2040)와 동일한 구성품이나 약간 변형된 것도 디스플레이 기기의 여러 가지 형태의 예에 해당한다.
디스플레이 기기(2040)는 하우징(2041), 디스플레이(2030), 안테나(2043), 스피커(2045), 입력 기기(2048), 및 마이크(2046)를 포함한다. 하우징(2041)은 일반적으로 사출 성형이나 진공 성형을 포함하여 해당 기술분야에서 잘 알려진 여러 가지 제조 공정 중 어느 것에 의해서도 제조될 수 있다. 또한, 하우징(2041)은, 한정되는 것은 아니지만, 플라스틱, 금속, 유리, 고무, 및 세라믹 또는 이들의 조합을 포함하여 여러 가지 재료 중 어느 것으로도 만들어질 수 있다. 일실시예에서, 하우징(2041)은 분리가능한 부분(도시되지 않음)을 포함하고, 이 분리가능한 부분은 다른 색깔이나 다른 로고, 그림 또는 심볼을 가진 다른 분리가능한 부분으로 교체될 수 있다.
본 예의 디스플레이 기기(2040)의 디스플레이(2030)는, 여기서 개시한 쌍안정(bi-stable) 디스플레이를 포함하여, 여러 가지 디스플레이 중 어느 것이어도 무 방하다. 다른 실시예에서, 디스플레이(2030)는, 상술한 바와 같은, 플라즈마, EL, OLED, STN LCD, 또는 TFT LCD 등과 같은 평판 디스플레이와, 해당 기술분야에서 당업자에게 잘 알려진 바와 같은, CRT나 다른 튜브 디스플레이 기기 등과 같은 비평판 디스플레이를 포함한다. 그러나, 본 실시예를 설명하기 위해, 디스플레이(2030)는 여기서 설명하는 바와 같이 간섭 변조기 디스플레이를 포함한다.
예시된 디스플레이 기기(2040)의 일실시예에서의 구성요소가 도 10b에 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 예의 디스플레이 기기(2040)는 하우징(2041)을 포함하고, 적어도 부분적으로 하우징 내에 배치되어 있는 구성요소들을 추가로 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 본 예의 디스플레이 기기(2040)가 송수신기(2047)와 연결된 안테나(2043)를 포함하는 네트워크 인터페이스(2027)를 포함할 수 있다. 송수신기(2047)는 프로세서(2021)에 연결되어 있고, 프로세서(2021)는 컨디셔닝 하드웨어(conditioning 하드웨어)(2052)에 연결되어 있다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 신호를 고르게 하도록(예컨대, 신호를 필터링하도록) 구성될 수 있다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 스피커(2045)와 마이크(2046)에 연결되어 있다. 프로세서(2021)는 입력 기기(2048)와 드라이버 컨트롤러(2029)에도 연결되어 있다. 드라이버 컨트롤러(2029)는 프레임 버퍼(2028)와 어레이 드라이버(2022)에 연결되어 있고, 어레이 드라이버는 디스플레이 어레이(2030)에 연결되어 있다. 전원(2050)은 예시된 디스플레이 기기(2040)의 특정 설계에 따라 요구되는 모든 구성요소에 전력을 공급한다.
네트워크 인터페이스(2027)는 예시된 디스플레이 기기(2040)가 네트워크를 통해 하나 이상의 기기들과 통신할 수 있도록 안테나(2043)와 송수신기(2047)를 포함한다. 일실시예에서, 네트워크 인터페이스(2027)는 프로세서(2021)의 부담을 경감하기 위해 어느 정도의 처리 능력을 가질 수도 있다. 안테나(2043)는 신호를 송수신하는 것으로서, 해당 기술분야의 당업자에게 알려진 어떠한 안테나라도 무방하다. 일실시예에서, 안테나는 IEEE 802.11(a), (b), 또는 (g)를 포함하여 IEEE802.11 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 다른 실시예에서, 안테나는 블루투스 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 휴대 전화기의 경우, 안테나는 CDMA, GSM, AMPS 또는 무선 휴대폰 네트워크를 통한 통신에 사용되는 공지의 다른 신호를 수신하도록 설계된다. 송수신기(2047)는 안테나(2043)로부터 수신한 신호를, 프로세서(2021)가 수신하여 처리할 수 있도록 전처리한다. 또한, 송수신기(2047)는 프로세서(2021)로부터 수신한 신호를, 안테나(2043)를 통해 본 예의 디스플레이 기기(2040)로부터 전송될 수 있도록 처리한다.
다른 실시예에서, 송수신기(2047)를 수신기로 대체할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 네트워크 인터페이스(2027)는 프로세서(2021)로 전송될 이미지 데이터를 저장하거나 생성할 수 있는 이미지 소스로 대체될 수 있다. 예컨대, 이미지 소스는 이미지 데이터를 담고 있는 DVD나 하드디스크 드라이브일 수도 있고, 이미지 데이터를 생성하는 소프트웨어 모듈일 수도 있다.
프로세서(2021)는 일반적으로 본 예의 디스플레이 기기(2040)의 전반적인 동작을 제어한다. 프로세서(2021)는 네트워크 인터페이스(2027)나 이미지 소스로부터 압축된 이미지 데이터 등을 수신하여, 이를 본래의 이미지 데이터 또는 본래의 이미지 데이터로 처리될 수 있는 포맷으로 가공한다. 그런 다음, 프로세서(2021)는 가공된 데이터를 드라이버 컨트롤러(2029)나 저장을 위한 프레임 버퍼(2028)로 보낸다. 전형적으로, 본래의 데이터는 이미지 내의 각 위치에 대한 이미지 특성을 나타내는 정보를 말한다. 예컨대, 그러한 이미지 특성은 컬러, 채도, 명도(그레이 스케일 레벨)를 포함할 수 있다.
일실시예에서, 프로세서(2021)는 마이크로컨트롤러, CPU, 또는 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어하는 논리 유닛을 포함한다. 일반적으로, 컨디셔닝 하드웨어(2052)는, 스피커(2045)로 신호를 보내고 마이크(2046)로부터 신호를 받기 위해, 증폭기와 필터를 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 예시된 디스플레이 기기(2040) 내의 별도의 구성요소일 수도 있고, 또는 프로세서(2021)나 다른 구성요소 내에 통합되어 있을 수도 있다.
드라이버 컨트롤러(2029)는 프로세서(2021)에 의해 생성된 본래의 이미지 데이터를 이 프로세서(2021)로부터 직접 또는 프레임 버퍼(2028)로부터 받아서, 이를 어레이 드라이버(2022)에 고속으로 전송하기에 적합한 포맷으로 재구성한다. 구체적으로, 드라이버 컨트롤러(2029)는 디스플레이 어레이(2030)를 가로질러 스캐닝하기에 적합한 시간 순서를 가지도록 본래의 이미지 데이터를 래스터(raster)와 같은 포맷을 가진 데이터 흐름으로 재구성한다. 그런 다음, 드라이버 컨트롤러(2029)는 재구성된 정보를 어레이 드라이버(2022)로 보낸다. 종종 액정 디스플레이의 컨트롤러 등과 같은 드라이버 컨트롤러(2029)가 독립형 집적 회로(stand-alone IC)로서 시스템 프로세서(2021)와 통합되기도 하지만, 이러한 컨트롤러는 여러 가지 방법으 로 구현될 수 있다. 이러한 컨트롤러는 프로세서(2021)에 하드웨어로서 내장될 수도 있고, 또는 어레이 드라이버(2022)와 함께 하드웨어로 완전히 통합될 수도 있다.
전형적으로, 어레이 드라이버(2022)는 드라이버 컨트롤러(2029)로부터 재구성된 정보를 받아서, 이 비디오 데이터를 디스플레이의 x-y 행렬의 픽셀들로부터 이어져 나온 수 백 때로는 수 천 개의 리드선에 초당 수 회에 걸쳐 인가되는 병렬의 파형 세트로 변환한다.
일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029), 어레이 드라이버(2022), 및 디스플레이 어레이(2030)는 여기서 기술한 어떠한 형태의 디스플레이에 대해서도 적합하다. 예컨대, 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029)는 종래의 디스플레이 컨트롤러 또는 쌍안정 디스플레이 컨트롤러(예컨대, 간섭 변조기 컨트롤러)이다. 다른 실시예에서, 어레이 드라이버(2022)는 종래의 드라이버 또는 쌍안정 디스플레이 드라이버(예컨대, 간섭 변조기 디스플레이)이다. 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029)는 어레이 드라이버(2022)와 통합되어 있다. 그러한 예는 휴대폰, 시계 및 다른 소형 디스플레이와 같은 고집적 시스템에서는 일반적인 것이다. 또 다른 실시예에서, 디스플레이 어레이(2030)는 전형적인 디스플레이 어레이 또는 쌍안정 디스플레이 어레이(예컨대, 간섭 변조기 어레이를 포함하는 디스플레이)이다.
입력 기기(2048)는 사용자로 하여금 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어할 수 있도록 한다. 일실시예에서, 입력 기기(2048)는 쿼티(QWERTY) 키보드나 전화기 키패드 등의 키패드, 버튼, 스위치, 터치 스크린, 압력 또는 열 감지 막을 포함한다. 일실시예에서, 마이크(2046)는 예시된 디스플레이 기기(2040)의 입력 기기이다. 기기에 데이터를 입력하기 위해 마이크(2046)가 사용되는 경우에, 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어하기 위해 사용자는 음성 명령을 제공할 수 있다.
전원(2050)은 해당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 에너지 저장 기기를 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 전원(2050)은 니켈-카드뮴 전지나 리튬-이온 전지와 같은 재충전가능한 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(2050)은 재생가능한 에너지원, 커패시터, 또는 플라스틱 태양 전지와 태양 전지 도료를 포함하는 태양 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(2050)은 콘센트로부터 전력을 공급받도록 구성된다.
몇몇 구현예에서는, 상술한 바와 같이, 전자 디스플레이 시스템 내의 여러 곳에 위치될 수 있는 드라이버 컨트롤러의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수 있다. 어떤 경우에는, 어레이 드라이버(2022)의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수도 있다.. 해당 기술분야의 당업자라면 임의의 수의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 구성요소로도 상술한 최적화 상태를 구현할 수 있고, 또 여러 가지 다양한 구성으로 구현할 수도 있다는 것을 인식할 수 있을 것이다.
전술한 설명은 본 발명의 소정의 실시예를 상술한 것이다. 그러나, 본 명세서에 상세히 기재되어 있는 설명과 무관하게, 본 발명은 여러 가지 방식으로 구현될 수 있다. 또한 전술한 바와 같이, 본 발명의 특징적 구성 및 실시 태양을 기재하면서 사용된 특정한 용어는, 그 용어와 관련되어 있는 본 발명의 특징적 구성 및 실시 태양의 어떠한 특별한 성질을 포함하는 것으로만 한정되어 재정의된 것으로 이해되어서는 안된다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 첨부한 청구항 및 그 균등 영역에 따라 해석되어야 한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 게터를 구비한 향상된 밀봉 구조를 가진 미소 기전 시스템 기기의 패키징 방법 및 시스템을 얻을 수 있다.
Claims (42)
- 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 미소 기전 시스템 기기;백플레인; 및상기 미소 기전 시스템 기기의 주변부에 인접해 위치하여, 상기 기판 및 상기 백플레인과 접촉하고 있는 밀봉재를 포함하며,상기 밀봉재는 화학 반응성이 있는 게터(getter)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 밀봉재는 하나 이상의 생산 및 조립 과정에서 상기 밀봉재로부터 방출되는 모든 물질을 실질적으로 제거하는데 충분한 양의 게터를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 밀봉재는 접착제(adhesive)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 화학 반응성이 있는 게터는 산화칼슘, 스트론튬, 산화스트론튬, 및 알루미늄 복합체(complex) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 미소 기전 시스템 기기는 간섭 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 투명 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제8항에 있어서,상기 투명 기판은 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 밀봉재에 인접해 위치하는 제2 밀봉재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제8항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 상기 밀봉재의 외측 주변부에 위치하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제8항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 상기 밀봉재의 내측 주변부에 위치하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제8항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 소수성 재료(hydrophobic material)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 게터는 건조제를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 미소 기전 시스템 기기와 전기적으로 연결되어, 이미지 데이터를 처리하도록 구성된 프로세서; 및상기 프로세서와 전기적으로 연결되어 있는 메모리 기기를 더 포함하는 시스템.
- 제13항에 있어서,상기 미소 기전 시스템 기기로 하나 이상의 신호를 송신하도록 구성된 구동 회로를 더 포함하는 시스템.
- 제14항에 있어서,상기 구동 회로에 상기 이미지 데이터의 적어도 일부를 전송하도록 구성된 컨트롤러를 더 포함하는 시스템.
- 제13항에 있어서,상기 프로세서에 상기 이미지 데이터를 전송하도록 구성된 이미지 소스 모듈(image source module)을 더 포함하는 미소 기전 시스템.
- 제16항에 있어서,상기 이미지 소스 모듈이 수신기, 송수신기, 및 송신기 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제13항에 있어서,입력 데이터를 수신하고, 상기 입력 데이터를 상기 프로세서에 전송하도록 구성된 입력 기기를 더 포함하는 시스템.
- 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법에 있어서,그 위에 형성되어 있는 미소 기전 시스템 기기를 포함하는 기판 및 백플레인 을 제공하는 단계;화학 반응성이 있는 게터를 포함하며, 상기 미소 기전 시스템 기기의 주변부에 인접한 밀봉재를 형성하는 단계; 및상기 기판, 상기 밀봉재, 및 상기 백플레인을 부착하여, 상기 시스템 기기를 패키지로 캡슐화하는 단계를 포함하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 있어서,상기 밀봉재는 하나 이상의 생산 및 조립 과정에서 상기 밀봉재로부터 방출되는 모든 물질을 실질적으로 제거하는데 충분한 양의 상기 화학 반응성이 있는 게터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 있어서,상기 밀봉재는 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 있어서,상기 화학 반응성이 있는 게터는 산화칼슘, 스트론튬, 산화스트론튬, 및 알루미늄 복합체 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 있어서,상기 미소 기전 시스템 기기는 간섭 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 있어서,상기 기판은 투명 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 있어서,상기 밀봉재에 인접하여 제2 밀봉재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제25항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 상기 밀봉재의 외측 주변부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제25항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 상기 밀봉재의 내측 주변부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제25항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 소수성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 있어서,상기 게터는 건조제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 미소 기전 시스템 기기 패키지의 밀봉 방법.
- 제19항에 의한 방법으로 제조되는 미소 기전 시스템 기기 패키지.
- 미소 기전 시스템 기기에 있어서,광을 투과시키는 투과 수단;상기 투과 수단을 투과한 광을 변조하는 변조 수단;상기 변조 수단을 덮는 커버 수단; 및상기 투과 수단과 상기 커버 수단 사이에 캐비티를 형성하는 밀봉 수단을 포함하며,상기 밀봉 수단은 상기 밀봉 수단에 접촉하는 물질과 화학 반응하는 반응 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제31항에 있어서,상기 투과 수단은 투명 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제31항에 있어서,상기 변조 수단은 간섭 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제31항에 있어서,상기 커버 수단은 백플레인을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제31항에 있어서,상기 밀봉 수단은 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제31항에 있어서,상기 반응 수단은 화학 반응성이 있는 게터를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제36항에 있어서,상기 밀봉 수단은 하나 이상의 생산 및 조립 과정에서 상기 밀봉 수단으로부터 방출되는 모든 물질을 실질적으로 제거하는데 충분한 양의 게터를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제36항에 있어서,상기 화학 반응성이 있는 게터는 산화칼슘, 스트론튬, 산화스트론튬, 및 알루미늄 복합체 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제31항에 있어서,상기 밀봉 수단의 주변부에 형성되어 있는 제2 밀봉재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제39항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 소수성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제39항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 상기 밀봉 수단의 내측 주변부에 형성되어 있는 것을 특 징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
- 제39항에 있어서,상기 제2 밀봉재는 상기 밀봉 수단의 외측 주변부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 기기.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61347604P | 2004-09-27 | 2004-09-27 | |
US60/613,476 | 2004-09-27 | ||
US11/102,554 US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2005-04-08 | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US11/102,554 | 2005-04-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060092914A true KR20060092914A (ko) | 2006-08-23 |
Family
ID=35482159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050089823A KR20060092914A (ko) | 2004-09-27 | 2005-09-27 | 게터를 구비한 미소 기전 시스템 기기의 패키징 방법 및시스템 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20060076634A1 (ko) |
EP (1) | EP1640327A3 (ko) |
JP (1) | JP2006121052A (ko) |
KR (1) | KR20060092914A (ko) |
AU (1) | AU2005204607A1 (ko) |
BR (1) | BRPI0503873A (ko) |
CA (1) | CA2519656A1 (ko) |
MX (1) | MXPA05010246A (ko) |
RU (1) | RU2379227C2 (ko) |
SG (2) | SG121122A1 (ko) |
TW (1) | TW200620590A (ko) |
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EP1640327A2 (en) | 2006-03-29 |
BRPI0503873A (pt) | 2006-05-09 |
EP1640327A3 (en) | 2007-12-05 |
RU2005129946A (ru) | 2007-04-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
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