RU2379227C2 - Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем - Google Patents

Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем Download PDF

Info

Publication number
RU2379227C2
RU2379227C2 RU2005129946/28A RU2005129946A RU2379227C2 RU 2379227 C2 RU2379227 C2 RU 2379227C2 RU 2005129946/28 A RU2005129946/28 A RU 2005129946/28A RU 2005129946 A RU2005129946 A RU 2005129946A RU 2379227 C2 RU2379227 C2 RU 2379227C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
seal
mems
getter
substrate
housing
Prior art date
Application number
RU2005129946/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2005129946A (ru
Inventor
Лорен ПАЛМАТИР (US)
Лорен ПАЛМАТИР
Уилльям Дж. КАММИНГЗ (US)
Уилльям Дж. КАММИНГЗ
Брайан Дж. ГАЛЛИ (US)
Брайан Дж. ГАЛЛИ
Клэренс ЧУЙ (US)
Клэренс ЧУЙ
Маниш КОТХАРИ (US)
Маниш КОТХАРИ
Original Assignee
АйДиСи, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by АйДиСи, ЭлЭлСи filed Critical АйДиСи, ЭлЭлСи
Publication of RU2005129946A publication Critical patent/RU2005129946A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2379227C2 publication Critical patent/RU2379227C2/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032Packages or encapsulation
    • B81B7/0035Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
    • B81B7/0038Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/01Packaging MEMS
    • B81C2203/0172Seals
    • B81C2203/019Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Packages (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам (МЭМС). Технический результат направлен на усовершенствование и создание новых изделий. Система для монтажа в корпус устройств на основе MEMS содержит подложку, устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), сформированное на подложке, объединительную плату, уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и контактирующее с подложкой и объединительной платой. Причем указанное уплотнение содержит клей, химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней периферии уплотнения. Способ и устройство реализуются вышеуказанной системой. 4 н. и 37 з.п. ф-лы, 10 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к микроэлектромеханическим системам (МЭМС), а более конкретно - к способам и системам для монтажа в корпус устройств на основе МЭМС.
Предшествующий уровень техники
Микроэлектромеханические системы (МЭМС) включают в себя микромеханические элементы, исполнительные механизмы и электронику. Микромеханические элементы могут быть изготовлены путем осаждения, травления и/или других процессов микрообработки, при осуществлении которых вытравливают части подложек и/или осажденных слоев материалов или добавляют слои для формирования электрических и электромеханических устройств. Один тип устройства на основе МЭМС называют интерферометрическим модулятором. Интерферометрический модулятор может содержать пару электропроводных пластин, причем одна из них или обе они могут быть прозрачными и/или отражающими полностью или частично и выполненными с возможностью относительного перемещения после приложения соответствующего электрического сигнала. Одна пластина может содержать стационарный слой, осажденный на подложке, другая пластина может содержать металлическую мембрану, отделенную от стационарного слоя воздушным зазором. Такие устройства имеют широкий диапазон применения, и в данной области техники могло бы оказаться выгодным использование и/или модификация характеристик устройств этих типов таким образом, что возникнет возможность использования их конструктивных особенностей при усовершенствовании существующих изделий и создании новых изделий.
Краткое изложение сущности изобретения
Предложены система, способ и устройства, согласно изобретению, причем каждый из объектов имеет несколько аспектов воплощения. Ниже без ограничения объема притязаний изобретения приведено краткое описание наиболее важных признаков. После ознакомления с нижеследующим описанием станет ясно, каким образом признаки настоящего изобретения позволяют получить преимущества по сравнению с известными дисплейными устройствами.
Согласно одному варианту осуществления предложено устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС). Устройство на основе МЭМС содержит подложку и устройство на основе МЭМС, сформированное на подложке. Устройство также содержит объединительную плату и уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и находящееся в контакте с подложкой и объединительной платой, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель.
В другом варианте осуществления предложен способ уплотнения корпуса устройства на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС). Способ включает в себя использование подложки и объединительной платы, причем подложка содержит устройство на основе МЭМС, сформированное на ней. Способ также включает формирование уплотнения вблизи периметра устройства на основе МЭМС, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель. Кроме того, способ обеспечивает скрепление подложки, уплотнения и объединительной платы, и тем самым заключение устройства на основе МЭМС в корпус.
В еще одном варианте осуществления предложен корпус устройства на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), полученный соответствующим способом. Способ включает в себя использование подложки и объединительной платы, причем подложка содержит устройство на основе МЭМС, сформированное на ней. Способ также включает формирование уплотнения вблизи периметра устройства на основе МЭМС, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель. Кроме того, способ обеспечивает скрепление подложки, уплотнения и объединительной платы, и тем самым заключение устройства на основе МЭМС в корпус.
И в еще одном варианте осуществления изобретения предложено устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС). Это устройство содержит пропускающее средство, предназначенное для пропускания через него света, а также модулирующее средство, предназначенное для модуляции света, пропущенного через пропускающее средство. Кроме того, устройство содержит закрывающее средство, предназначенное для закрывания модулирующего средства. Устройство также содержит уплотняющее средство, предназначенное для создания полости путем формирования уплотнения между пропускающим средством и закрывающим средством, причем уплотняющее средство содержит химически активное средство, предназначенное для вступления в химическую реакцию с веществами, которые контактируют с уплотняющим средством.
Краткое описание чертежей
В дальнейшем изобретение поясняется описанием предпочтительных вариантов воплощения со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых:
фиг.1 изображает общий вид части дисплея на основе интерферометрических модуляторов, в котором перемещаемый отражающий слой первого интерферометрического модулятора находится в невозбужденном состоянии, а перемещаемый отражающий слой второго интерферометрического модулятора находится в возбужденном состоянии, согласно изобретению;
фиг.2 - блок-схему электронного устройства, содержащего дисплей на основе, имеющей размер 3×3 матрицы интерферометрических модуляторов, согласно изобретению;
фиг.3 - диаграмму зависимости положения перемещаемого зеркала от приложенного напряжения для одного возможного варианта осуществления интерферометрического модулятора, согласно изобретению;
фиг.4 - напряжения группы строк и столбцов, которые можно использовать для возбуждения дисплея на основе интерферометрических модуляторов, согласно изобретению;
фиг.5А и 5В - возможную временную диаграмму для сигналов строк и столбцов, которые можно использовать для записи кадра данных изображения на дисплее на основе, имеющей размер 3×3 матрицы интерферометрических модуляторов, показанной на фиг.2, согласно изобретению;
фиг.6А - поперечное сечение устройства на фиг.1, согласно изобретению;
фиг.6В - поперечное сечение интерферометрического модулятора (альтернативный вариант осуществления), согласно изобретению;
фиг.6С - поперечное сечение интерферометрического модулятора (другой альтернативный вариант осуществления), согласно изобретению;
фиг.7 - поперечное сечение базовой конструкции корпуса для устройства на основе интерферометрических модуляторов, согласно изобретению;
фиг.8 - поперечное сечение части конструкции корпуса для устройства на основе интерферометрических модуляторов с основным уплотнением и вспомогательным уплотнением, согласно изобретению;
фиг.9 - поперечное сечение части конструкции корпуса для устройства на основе интерферометрических модуляторов с газопоглотительным материалом, расположенным внутри конструкции корпуса вблизи уплотнения, согласно изобретению;
фиг.10А и 10В - блок-схемы системы, иллюстрирующие вариант осуществления дисплейного устройства, содержащего множество интерферометрических модуляторов, согласно изобретению.
Подробное описание предпочтительных вариантов осуществления изобретения
Ниже приводится описание множества вариантов конструкций корпусов для устройств на основе МЭМС, включая усовершенствованные уплотненные конструкции. В одном варианте осуществления устройство на основе МЭМС размещено в корпусе между объединительной пластиной и подложкой, которые удерживаются вместе посредством основного уплотнения. В одном из вариантов осуществления основное уплотнение содержит химически активный газопоглотитель. Как известно в данной области техники, газопоглотитель - это вещество, которое улавливает или связывает другое вещество путем абсорбции, адсорбции или, например, химической реакции. Химически активный газопоглотитель - это газопоглотитель, способный химически реагировать с сорбированным веществом, а не абсорбировать или адсорбировать сорбированное вещество. В других вариантах осуществления конструкция корпуса содержит вспомогательное уплотнение, расположенное вдоль внешней периферии основного уплотнения. В одном варианте осуществления вспомогательное уплотнение содержит, например, гидрофобный материал. В еще одном варианте осуществления конструкция корпуса содержит газопоглотитель, расположенный вблизи внутренней периферии уплотнения и способный поглощать водяной пар или загрязняющие вещества, которые могут попасть внутрь конструкции корпуса. В описанных вариантах осуществления дополнительный газопоглотитель или влагопоглотитель (осушающее вещество) может не потребоваться для удовлетворения требований к желательным параметрам срока службы устройства, смонтированного в корпусе, тем самым обеспечивая уменьшенные размеры и стоимость корпуса.
В описании раскрыты некоторые конкретные варианты осуществления изобретения. Из описания следует, что изобретение можно применить в любом устройстве, предназначенном для отображения изображения либо в движении (например, видеоизображения), либо в статике (например, фотографического изображения), будь то текст или картинка. Предполагается, что изобретение можно воплотить в совокупности электронных устройств или связать с совокупностью электронных устройств, например, но не ограничиваясь этим, в мобильных телефонах, радиоустройствах, персональных цифровых секретарях (ПЦС), карманных или портативных компьютерах, приемниках и/или навигаторах глобальной системы позиционирования (ГСП), съемочных камерах, плеерах стандарта МР3, видеомагнитофонных камерах, игровых консолях, наручных часах, будильниках, калькуляторах, телевизионных мониторах, дисплеях с плоскими экранами, мониторах компьютеров, автомобильных дисплеях (например, дисплеях счетчиков пройденного пути), органах управления и/или дисплеях кабин пилотов, дисплеях кадров съемочной камеры (например, дисплей съемочной камеры заднего обзора в транспортном средстве), электронных фотоаппаратах, электронных рекламных щитах или дорожных знаках, проекционных аппаратах, архитектурных сооружениях, средствах монтажа в корпус и средствах достижения эстетических впечатлений (например, отображения изображений на ювелирном изделии). Устройства на основе МЭМС можно также использовать в приложениях, не связанных с индикацией или отображением, например, в электронных коммутирующих устройствах.
Один вариант осуществления дисплея на основе интерферометрических модуляторов, содержащий интерферометрический элемент дисплея на основе МЭМС, представлен на фиг.1. Пиксели находятся либо в освещенном, либо в затемненном состоянии. В освещенном («включенном» или «открытом») состоянии элемент дисплея отражает большую часть падающего видимого света по направлению к пользователю. Находясь в затемненном («выключенном» или «закрытом») состоянии, элемент дисплея отражает мало падающего света по направлению к пользователю. В зависимости от варианта осуществления светоотражательные свойства во «включенном» и «выключенном» состояниях могут меняться местами. Пиксели при использовании МЭМС можно конфигурировать с возможностью доминирующего отражения на длинах волн выбранных цветов, что позволяет создать цветной дисплей, а не только черно-белый.
На фиг.1 представлен общий вид двух соседних пикселей в ряду пикселей визуального дисплея, при этом каждый пиксель содержит интерферометрический модулятор на основе МЭМС. В некоторых вариантах осуществления дисплей на основе интерферометрических модуляторов содержит матрицу строк и столбцов этих интерферометрических модуляторов. Каждый интерферометрический модулятор содержит пару отражающих слоев, расположенных на изменяемом и регулируемом расстоянии друг от друга, для образования резонансной оптической полости, по меньшей мере, один размер которой является изменяемым. В одном из вариантов осуществления один из отражающих слоев может перемещаться между двумя положениями. В первом положении, называемом невозбужденным положением, перемещаемый слой расположен на относительно большом расстоянии от фиксированного частично отражающего слоя. Во втором положении перемещаемый слой расположен ближе к частично отражающему слою, находясь рядом с ним. Падающий свет, который отражается от обоих слоев, интерферирует конструктивно или деструктивно в зависимости от положения перемещаемого отражающего слоя, вследствие чего получается либо полностью отражающее, либо неотражающее состояние каждого пикселя.
Часть матрицы пикселей (фиг.1) содержит два соседних интерферометрических модулятора 12а и 12b. В интерферометрическом модуляторе 12а, показанном слева, перемещаемый и высокоотражающий слой 14а изображен в невозбужденном состоянии на заранее заданном расстоянии от фиксированного частично отражающего слоя 16а. В интерферометрическом модуляторе 12b, показанном справа, перемещаемый сильно высокоотражающий слой 14b изображен в возбужденном состоянии рядом с фиксированным частично отражающим слоем 16b.
Фиксированные слои 16а, 16b являются электропроводными, частично прозрачными и частично отражающими и могут быть изготовлены, например, путем осаждения одного или более слоев, каждый из которых состоит из хрома и оксида индия-олова, на прозрачную подложку 20. В этих слоях сформированы рисунки с получением параллельных полос, которые могут образовывать электроды строк в дисплейном устройстве, что подробнее описано ниже. Перемещаемые слои 14а, 14b могут быть выполнены в виде множества параллельных полос осажденного слоя металла или осажденных слоев металла (перпендикулярных электродам 16а, 16b строк), которые осаждены поверх столбиков 18, и промежуточного удаляемого материала, осажденного между столбиками 18. Когда удаляемый материал вытравливают, деформируемые слои металла оказываются отделенными от фиксированных слоев металла определенным воздушным зазором 19. Для деформируемых слоев можно использовать материал с высокой электрической проводимостью и высокой отражательной способностью, например алюминий, а полосы могут образовывать электроды столбцов в дисплейном устройстве.
При отсутствии приложенного напряжения полость 19 между слоями 14а, 16а сохраняется, а деформируемый слой находится в механически ненапряженном состоянии, что иллюстрируется пикселем 12а (фиг.1). Однако, когда к выбранным строке и столбцу приложена разность потенциалов, конденсатор, образованный на пересечении электродов строки и столбца в соответствующем пикселе, становится заряженным, и электростатические силы притягивают электроды друг к другу. Если напряжение является достаточно высоким, перемещаемый слой деформируется и принудительно подводится к фиксированному слою (на фиксированном слое можно осадить диэлектрический материал (не показан), чтобы предотвратить короткое замыкание и управлять разделительным расстоянием), что иллюстрируется пикселем 12b справа на фиг.1. Это поведение аналогично и не зависит от полярности приложенной разности потенциалов. Таким образом, возбуждение строки и столбца, которое может обеспечить управление отражающими и неотражающими состояниями отражающих пикселей, оказывается во многом аналогичным тому, которое имеет место в технологиях производства обычных ЖКД и других дисплеев.
На фиг.2-5 представлены один способ и система для использования матрицы интерферометрических модуляторов для дисплея. На фиг.2 представлена блок-схема системы, иллюстрирующая один вариант осуществления электронного устройства. В возможном варианте осуществления электронное устройство содержит процессор 21, который может быть одно- или многокристальным микропроцессором общего назначения, таким как ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® или любым микропроцессором специального назначения, таким как процессор цифровых сигналов, микроконтроллер или программируемая вентильная матрица. Как принято в данной области техники, процессор 21 может быть предназначен для выполнения одного или более модулей программного обеспечения. В дополнение к воплощению операционной системы процессор может быть конфигурирован для выполнения одного или более приложений программного обеспечения, включая web-браузер, телефонное приложение, программу электронной почты или любое другое приложение программного обеспечения.
Процессор 21 также выполнен с возможностью связи с контроллером 22 матрицы. В одном из вариантов осуществления контроллер 22 матрицы содержит схему 24 возбуждения строк и схему 26 возбуждения столбцов, которые формируют сигналы в матрицу 30 пикселей. Поперечное сечение этой матрицы (фиг.1) показано линиями 1-1 на фиг.2. Протокол возбуждения строк и/или столбцов для интерферометрических модуляторов на основе МЭМС может обладать преимуществом наличия гистерезиса у этих устройств (фиг.3). Например, может потребоваться разность потенциалов 10 вольт, чтобы заставить перемещаемый слой деформироваться с переходом из невозбужденного состояния в возбужденное состояние. Вместе с тем, когда напряжение становится меньше этой величины, перемещаемый слой поддерживает свое состояние при падении напряжения ниже 10 вольт. В возможном варианте осуществления (фиг.3) перемещаемый слой не переходит в невозбужденное состояние до тех пор, пока напряжение не падает ниже 2 вольт. Таким образом, существует диапазон напряжений, составляющий от 3 до 7 вольт, в котором есть интервал прикладываемого напряжения, в пределах которого устройство устойчиво в любом - возбужденном или невозбужденном состоянии. Этот интервал называется «интервалом гистерезиса» или «интервалом устойчивости». Для матрицы дисплея, имеющей характеристики гистерезиса, протокол возбуждения строк и/или столбцов можно разработать так, что во время стробирования строк те пиксели в стробируемой строке, которые должны быть возбуждены, подвергаются воздействию разности напряжений около 10 вольт, а пиксели, которые должны остаться невозбужденными, подвергаются воздействию разности напряжений, близкой к нулю вольт. После подачи строб-импульса пиксели подвергаются воздействию разности напряжений установившегося состояния, составляющей около 5 вольт, так что они остаются в том состоянии, в которое переводит их строб-импульс строки. После записи каждый пиксель «видит» разность потенциалов в «интервале устойчивости», размер которого, например, составляет 3-7 вольт. Этот признак делает пиксель (фиг.1) устойчивым в одинаковых условиях приложенного напряжения как в возбужденном, так и в невозбужденном ранее существовавшем состоянии. Поскольку каждый пиксель интерферометрического модулятора в возбужденном или невозбужденном состоянии по существу представляет собой конденсатор, образованный фиксированным и перемещаемым отражающими слоями, это устойчивое состояние можно поддерживать при напряжении, находящемся в пределах интервала гистерезиса, почти без рассеяния мощности. Если приложенный потенциал фиксирован, ток в пикселе почти не протекает.
В типичных приложениях кадр дисплея можно создавать, назначая набор электродов столбцов в соответствии с требуемым набором возбуждаемых пикселей в первой строке. Затем к электроду строки 1 прикладывают импульс строки, возбуждающий пиксели, соответствующие назначенным шинам столбцов. Затем назначенный набор электродов столбцов изменяют в соответствии с требуемым набором возбуждаемых пикселей во второй строке. Затем к электроду строки 2 прикладывают импульс строки, возбуждающий пиксели в строке 2 в соответствии с назначенными электродами столбцов. Импульс строки 2 не влияет на пиксели строки 1, так что они остаются в том состоянии, в котором они находились во время действия импульса строки 1. Этот процесс можно последовательно повторить для всего множества строк, чтобы получить кадр. В общем случае кадры обновляют новыми данными дисплея путем постоянного повторения этого процесса с получением некоторого желательного количества кадров в секунду. Также известно и может быть использовано совместно с настоящим изобретением множество протоколов возбуждения электродов строк и столбцов матриц пикселей, предназначенных для получения кадров дисплея.
На фиг.4 и 5 показан один возможный протокол возбуждения для создания кадра дисплея на имеющей размер 3х3 матрице согласно фиг.2. На фиг.4 показан возможный набор уровней напряжений столбцов и строк, который можно использовать для пикселей, обладающих кривыми гистерезиса согласно фиг.3. В этом варианте осуществления возбуждение пикселей обуславливает установление напряжения -
Vсмещения для соответствующего столбца и установление напряжения + ΔV для соответствующей строки, которые могут составлять -5 вольт и +5 вольт, соответственно. Снятие возбуждения с пикселя достигается путем установления напряжения+Vсмещения для соответствующего столбца и установления того же напряжения+ΔV для соответствующей строки, что приводит к нулевой разности потенциалов на этом пикселе. В тех строках, где напряжение строки поддерживается на уровне нуля вольт, пиксели оказываются устойчивыми, в каком бы состоянии они сначала не находились и безотносительно того, под каким напряжением +Vсмещения или -Vсмещения находится столбец. На фиг.4 также показано, и это следует понять, что можно использовать напряжения, полярность которых противоположна полярности напряжений, описанных выше, например, возбуждение пикселя может предусматривать установление напряжения+Vсмещения для соответствующего столбца и установление напряжения -ΔV для соответствующей строки. В этом варианте осуществления снятие возбуждения с пикселя осуществляется путем установления напряжения -Vсмещения для соответствующего столбца и установления того же напряжения -ΔV для соответствующей строки, что обеспечивает разность потенциалов величиной ноль вольт на пикселе.
На фиг.5 В представлена временная диаграмма, изображающая последовательность сигналов рядов и строк применительно к имеющей размер 3×3 матрице на фиг.2, причем эта диаграмма обуславливает компоновку дисплея, проиллюстрированную на фиг.5А, где возбужденные пиксели являются неотражающими. Перед записью кадра пиксели могут находиться в любом состоянии, и в этом примере все строки находятся под напряжением 0 вольт, а все столбцы - под напряжением +5 вольт. Если приложены такие напряжения, то все пиксели устойчивы в своих возбужденных или невозбужденных состояниях.
На фиг.5А пиксели (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) и (3,3) показаны возбужденными. Чтобы достичь этого, в течение «времени включения шины» для строки 1 устанавливают напряжение -5 вольт для столбцов 1 и 2 и напряжение+5 вольт для столбца 3. Это не изменяет состояние каких-либо пикселей, потому что все пиксели остаются в интервале устойчивости, составляющем 3-7 вольт. Затем строку 1 стробируют импульсом, который сначала обуславливает скачок от 0 до 5 вольт, а затем - обратный скачок до 0 вольт. Это обеспечивает возбуждение пикселей (1,1) и (1,2) и снятие возбуждения с пикселя (1,3). Ни на какие другие пиксели влияние не оказывается. Чтобы установить строку 2 в желаемое состояние, для столбца 2 устанавливают напряжение -5 вольт, а для столбцов 1 и 3 устанавливают напряжение+5 вольт. Такой же строб-импульс, прикладываемый затем к строке 2, возбудит пиксель (2,2) и снимет возбуждение с пикселей (2,1) и (2,3). При этом ни на какие другие пиксели в матрице влияние не оказывается. Установку строки 3 осуществляют точно так же, устанавливая для столбцов 2 и 3 напряжение -5 вольт, а для столбца 1 - напряжение+5 вольт. Строб-импульс строки 3 устанавливает пиксели строки 3 так, как показано на фиг.5А. После записи кадра потенциалы строк становятся нулевыми, а потенциалы столбцов могут остаться на любом из уровней+5 или -5 вольт, после чего дисплей оказывается устойчивым (фиг.5А). Следует понять, что ту же процедуру можно применить для матриц, содержащих десятки или сотни строк и столбцов. В рамках вышеизложенных принципов синхронизацию, последовательность приложения и уровни напряжений, используемых для осуществления возбуждения строк и столбцов, можно изменять в широких пределах, а вышеописанный пример является лишь иллюстративным, и вместе с настоящим изобретением можно использовать любой способ приложения напряжений возбуждения.
Подробности конструкции интерферометрических модуляторов, которые работают в соответствии с принципами, изложенными выше, могут изменяться в широких пределах. Например, на фиг.6А-6С представлены три разных варианта осуществления конструкции перемещаемых зеркал. На фиг.6А представлено поперечное сечение для разных вариантов осуществления, в которых полоса металлического материала 14 расположена на перпендикулярно выступающих столбиках 18. На фиг.6 В показано, что перемещаемый отражающий материал 14 прикреплен к столбикам только по углам на фалах 32. На фиг.6С показано, что перемещаемый отражающий материал 14 свисает с деформируемого слоя 34. Этот вариант осуществления имеет преимущества, заключающиеся в том, что структурную компоновку и выбор материалов, используемых в качестве отражающего материала 14, можно оптимизировать по оптическим свойствам, а структурную компоновку и выбор материалов, используемых в качестве деформируемого слоя 34, можно оптимизировать по требуемым механическим свойствам. Способ изготовления интерферометрических устройств различных типов описан в множестве опубликованных документов, например, в опубликованной заявке на патент 2004/0051929, поданной в США. Для изготовления вышеописанных конструкций можно использовать множество хорошо известных способов, предусматривающих технологическую последовательность, включающую этапы осаждения материала, формирования рисунка и травления.
Перемещаемые части устройства на основе МЭМС, такие как матрица интерферометрических модуляторов, предпочтительно имеют защищенное пространство, внутри которого они перемещаются. Ниже будут подробнее описаны способы установки в корпус устройства на основе МЭМС.Схема базовой конструкции корпуса для устройства на основе МЭМС, такого как матрица интерферометрических модуляторов, изображена на фиг.7 (поперечный разрез). Базовая конструкция 70 корпуса содержит подложку 72 и накладку в виде объединительной платы или «крышку» 74, причем на подложке 72 сформирована матрица 76 интерферометрических модуляторов. Эту крышку 74 также называют «объединительной платой».
Подложка 72 и объединительная плата 74 соединены уплотнением 78, образуя конструкцию 70 корпуса, в котором матрица 76 интерферометрических модуляторов инкапсулирована подложкой 72, объединительной платой 74 и уплотнением 78, при этом между объединительной платой 74 и подложкой 72 образуется полость 79. Уплотнение 78 может быть негерметичным уплотнением, таким как обычный клей на основе эпоксидной смолы. В других вариантах осуществления уплотнение 78 представляет собой полиизобутилен (иногда называемый бутиловым каучуком, а иногда - ПИБ), уплотнительные кольца круглого поперечного сечения, сварной шов между тонкой пленкой и металлом, жидкое стекло, наносимое центрифугированием, припой, полимеры или пластики, помимо других типов уплотнений, которые могут иметь диапазон проницаемости для водяного пара, составляющий около
0,2-4,7 г мм/м2·кПа в сутки. В других вариантах осуществления уплотнение 78 может быть герметичным уплотнением и может содержать, например, металлы, сварные швы и стеклянные припои. Способы формирования герметичного уплотнения включают в себя, например, создание либо предварительно сформированной тонкой пленки металла или припоя, либо лазерную сварку или сварку сопротивлением, а также способы анодного скрепления, при этом получаемая конструкция корпуса может требовать или не требовать наличия влагопоглотителя для соответствия требованиям внутри корпуса.
Уплотнение 78 может быть выполнено в виде замкнутого уплотнения или разомкнутого уплотнения и может быть нанесено или сформировано на подложке 72, объединительной плате 74 либо и на подложке, и на объединительной плате 74 при осуществлении способа монтажа в корпус матрицы 76 интерферометрических модуляторов. Уплотнение 78 может быть нанесено посредством простых поточных технологических процессов, при этом преимущество имеют процессы, проводимые при меньших температурах, тогда как способы сварки и пайки являются высокотемпературными процессами, которые могут повредить конструкцию 70 корпуса и являются относительно дорогостоящими. В некоторых случаях можно воспользоваться способами локального нагрева, чтобы уменьшить температуру процесса и получить жизнеспособное технологическое решение.
В некоторых вариантах осуществления конструкция 70 корпуса содержит газопоглотитель, например, влагопоглотитель 80, предназначенный для уменьшения влаги внутри полости 79. Специалисту в данной области техники ясно, что влагопоглотитель необязателен для герметично уплотненного корпуса, но может оказаться желательным для удаления остаточной влаги внутри корпуса. В одном из вариантов осуществления влагопоглотитель 80 находится между матрицей 76 интерферометрических модуляторов и объединительной пластиной 74. Влагопоглотители можно использовать для корпусов, которые имеют как герметичные, так и негерметичные уплотнения. В корпусах, имеющих герметичное уплотнение, влагопоглотители, как правило, используют для удаления остаточной влаги во внутреннем пространстве корпуса. В корпусах, имеющих негерметичное уплотнение, влагопоглотитель можно использовать для удаления влаги, попадающей в корпус из окружающей среды. В общем случае, любую подложку, которая может улавливать влагу, не мешая проявлению оптических свойств матрицы интерферометрических модуляторов, можно использовать в качестве влагопоглотителя. Материалы, подходящие в качестве газопоглотителей и влагопоглотителей, включают в себя, но не ограничиваются, цеолиты, молекулярные сита, поверхностные адсорбенты, объемные адсорбенты и химические реагенты.
Влагопоглотитель 80 может иметь разные формы, очертания и размеры. Кроме твердой формы влагопоглотитель 80 в альтернативном варианте может иметь форму порошка. Порошки можно засыпать непосредственно в корпус или смешивать их с клеем для нанесения. В альтернативном варианте осуществления влагопоглотитель 80 может иметь форму цилиндра, кольца или листа.
Специалисту в данной области техники ясно, что влагопоглотитель 80 можно наносить разными способами. В одном варианте осуществления влагопоглотитель 80 наносят осаждением как часть матрицы 76 интерферометрических модуляторов. В еще одном варианте осуществления влагопоглотитель 80 наносят внутри корпуса 70 как аэрозоль или погружением.
Подложка 72 может быть выполнена из полупрозрачного или прозрачного материала, способного принимать форму тонкой пленки. Она служит основой для формирования устройств на основе МЭМС. Такие прозрачные вещества содержат стекло, пластик и прозрачные полимеры. Матрица 76 интерферометрических модуляторов может содержать мембранные модуляторы или модуляторы разделительного типа. Специалисту в данной области техники ясно, что объединительная плата 74 может быть выполнена из любого подходящего материала, такого как стекло, металл, фольга, полимер, пластик, керамика или полупроводниковые материалы, например кремний.
Процесс установки в корпус можно осуществлять в вакууме, под давлением в диапазоне от вакуума до давления окружающей среды включительно или под давлением, превышающим давление окружающей среды. Процесс установки в корпус можно также осуществлять в среде изменяемого или управляемого высокого или низкого давления во время создания уплотнения. Это может придать матрице 76 интерферометрических модуляторов в корпусе преимущества совершенно сухой среды, но это не обязательно. Аналогично среда при установке в корпус может быть инертным газом в условиях окружающей среды. Установка в корпус в условиях окружающей среды позволяет удешевить процесс и обеспечивает гибкость в выборе оборудования, потому что устройство можно транспортировать в условиях окружающей среды без вредного влияния на работу устройства.
В общем случае желательно минимизировать проникновение водяного пара в конструкцию 70 корпуса и управлять таким образом средой в полости 79 корпуса, герметично уплотнять ее, гарантируя, что среда останется неизменной. Когда влажность или уровень водяного пара внутри корпуса превышает уровень, за которым поверхностное натяжение водяного пара превышает восстанавливающую силу подвижного элемента (не показан) в матрице 76 интерферометрических модуляторов, этот подвижный элемент может оказаться постоянно прилипшим к поверхности. Поэтому существует необходимость уменьшения уровня влажности внутри корпуса.
В тех вариантах осуществления конструкции 70 корпуса, где уплотнение 78 содержит клей, клеевой компонент в отдельности не может действовать как удовлетворительный барьер для окружающей среды, потому что он в принципе допускает проникновение водяного пара и/или загрязняющих веществ в полость 79 корпуса. Соответственно, в некоторых вариантах осуществления конструкции 70 корпуса предусмотрено наличие газопоглотителя, находящегося внутри корпуса или внедренного в уплотнение 78. Газопоглотитель может иметь свойства поглощения газообразных загрязняющих веществ, которые выделяются из матрицы 76 интерферометрических модуляторов или из компонентов, используемых при установке в корпус, после сборки конструкции 70 корпуса, например, это могут быть вещества, выделившиеся или испарившиеся из клея, присутствующего в уплотнении 78, в полость 79 при отверждении клея. Газопоглотитель может быть химически активным поглотителем, способным вступать в химическую реакцию с конкретными веществами, или газопоглотитель может быть способным к физическому превращению в присутствии конкретного вещества, такого как вода. Например, газопоглотитель может содержать влагопоглотитель, например цеолиты, способные к физическому превращению в контакте с водой или водяным паром. В других вариантах осуществления влагопоглотитель находится внутри корпуса вблизи внутреннего периметра уплотнения 78, что позволяет поглощать водяной пар или загрязняющие вещества внутри корпуса, когда они высвобождаются внутри полости 79, или вещества, которые проникли через уплотнение 78. В еще одном варианте осуществления конструкция 70 корпуса содержит вспомогательное уплотнение, нанесенное на наружную поверхность уплотнения 78, при этом вспомогательное уплотнение содержит гидрофобный материал, способный удерживать водяной пар снаружи конструкции 70 корпуса, или уменьшать скорость проникновения водяного пара в корпус.
В одном варианте осуществления уплотнение 78 содержит химически активный влагопоглотитель для поглощения веществ, проникающих через уплотнение 78 и попадающих в корпус, и/или веществ, которые присутствуют в корпусе во время изготовления или сборки либо высвобождаются во время или после изготовления или сборки. Химически активный газопоглотитель может включать в себя, например, оксид кальция, стронций (Sr), оксид стронция и комплексы алюминия. В некоторых вариантах осуществления уплотнение 78 содержит смесь химически активного газопоглотителя для поглощения или улавливания по существу всех веществ, выделившихся или высвободившихся из уплотняющего материала во время изготовления или сборки, например, из клея во время отверждения. Количество газопоглотительного вещества, входящего в состав уплотнения, может быть ограничено тем количеством, которое не окажет негативного влияния на проницаемость уплотнения, сохраняя способность последнего улавливать вещества, высвободившиеся из уплотняющего материала во время изготовления или сборки конструкции 70 корпуса.
Еще один вариант осуществления конструкции 800 корпуса представлен на фиг.8 и содержит основное уплотнение 802, контактирующее с подложкой 72 и объединительной платой 74, и вспомогательное уплотнение 804, расположенное по внешней периферии 805 основного уплотнения 802. Вспомогательное уплотнение 804 может контактировать с основным уплотнением 802 (фиг.8), либо между вспомогательным уплотнением 804 и основным уплотнением 802 может присутствовать зазор (не показан). В некоторых вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 находится в контакте с основным уплотнением 802, подложкой 72 и объединительной платой 74. Геометрия поперечного сечения вспомогательного уплотнения 804 может не зависеть от материала уплотнения 804, но может зависеть от способа формирования или нанесения уплотнения 804 и не ограничивается той геометрией, которая показана на фиг.8.
В определенных вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 содержит клей, обладающий малой скоростью проникновения, или гидрофобный материал, например политетрафторэтилен или родственные соединения. В некоторых вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 представляет собой полиизобутилен (называемый бутиловым каучуком или ПИБ), уплотнительные кольца круглого поперечного сечения, сварной шов между тонкой пленкой и металлом, жидкое стекло, наносимое центрифугированием, припой, полимеры или пластики либо их комбинации.
В других вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 содержит дешевый уплотняющий материал без учета его особенностей проникновения, действующий совместно с основным уплотнением 802, уменьшая скорость проникновения водяного пара или других загрязняющих веществ в полость 79 корпуса. Варианты осуществления способа нанесения или формирования вспомогательного уплотнения 804 могут включать в себя внедрение или впечатывание шарика уплотняющего материала, напыление, предварительное формирование, впечатывание или любые другие способы, известные специалистам в данной области техники.
В тех вариантах осуществления, где основное уплотнение содержит газопоглотитель, такой как влагопоглотитель, скорость проникновения водяного пара достигает или приближается к максимальной способности поглощать молекулы воды или вступать с ними в реакцию. Вспомогательное уплотнение 804 преимущественно уменьшает скорость проникновения водяного пара, тем самым продлевая срок службы матрицы 76 интерферометрических модуляторов внутри корпуса. Хотя конструкция 800 корпуса на фиг.8 содержит влагопоглотитель 80, находящийся на объединительной плате 74, варианты осуществления могут предусматривать ее изготовление или сборку без влагопоглотителя 80 либо размещение влагопоглотителя в другом положении.
На фиг.9 представлено поперечное сечение варианта осуществления конструкции 900 корпуса, содержащей газопоглотитель 902, расположенный вблизи внутренней периферии 903 уплотнения 78. Газопоглотитель может содержать, например, цеолиты, молекулярные сита, поверхностные абсорбенты, объемные абсорбенты и химически активные вещества либо их комбинацию. В одном из вариантов осуществления газопоглотитель 902 содержит смесь газопоглотительного материала и клея. Газопоглотитель 902 предпочтительно способен поглощать вещества, такие как водяной пар и загрязняющие вещества, которые проникли через уплотнение 78 из окружающей среды, вещества, выделившиеся или высвободившиеся из уплотнения 78 во время изготовления или сборки, и вещества, находящиеся внутри полости 79 корпуса. Газопоглотитель 902 может находиться в контакте с уплотнением 78, либо между газопоглотителем 902 и уплотнением 78 может быть зазор. Например, в вариантах осуществления, где газопоглотитель 902 увеличивается в размере при насыщении поглощаемым веществом, наличие зазора между газопоглотителем 902 и уплотнением 78 является предпочтительным.
Газопоглотитель 902 имеет по существу прямоугольное поперечное сечение и находится в контакте с подложкой 72 и уплотнением 78. Геометрия поперечного сечения газопоглотителя 902 может отличаться от той, которая показана на фиг.8, и в некоторых случаях зависит от способа формирования или нанесения газопоглотителя 902. В одном из вариантов осуществления газопоглотитель 902 формируют с использованием технологии тонких пленок. Кроме того, газопоглотитель 902 может находиться в контакте с объединительной платой 74 дополнительно к контакту с подложкой 72 или вместо контакта с подложкой 72.
В вариантах, когда уплотнение содержит, например, металлическое уплотнение, загрязняющие вещества могут выделяться или высвобождаться из-за химической реакции во время формирования уплотнения. Например, если уплотнение 78 содержит припой, то во время нанесения или формирования уплотнения либо сборки конструкции 900 корпуса может высвобождаться оксид. Соответственно, газопоглотитель 902 в предпочтительном варианте должен поглощать вещества, выделяющиеся или высвобождающиеся из уплотнения во время нанесения или формирования этого уплотнения либо при сборке корпуса.
В определенных вариантах осуществления конструкция 900 корпуса не содержит влагопоглотитель 80, который присутствует в других конструкциях корпусов, таких как конструкция 70 корпуса (фиг.7). Однако конструкция 900 корпуса может содержать влагопоглотитель 80, не ограничивается конфигурацией, представленной на фиг.9.
В одном из вариантов осуществления газопоглотитель может включать в себя оксид кальция или алюмосиликаты, например алюмосиликат натрия. В еще одном варианте осуществления газопоглотитель может включать минералы структуры микропористых силикатов. В качестве газопоглотителя могут найти применение активные компоненты, которые не являются цеолитами и могут действовать как абсорбирующие фильтры на молекулярном уровне. Вышеупомянутые клеи могут включать в себя клей с малыми скоростями газовыделения или клей с различными скоростями газовыделения.
Специалисту в данной области техники ясно, что количество материала для уплотнения или количество газопоглотителя либо гидрофобного материала может зависеть от оценочного количества влаги или загрязняющих газообразных веществ, которые нужно удалить из конструкции корпуса в течение требуемого срока службы. Количество материала для уплотнения 78 или количество газопоглотителя либо гидрофобного материала и в случае внедрения в уплотнение 78, и в случае нахождения внутри или снаружи полости 79 или конструкции 900 корпуса зависит не только от количества влаги или загрязняющих газообразных веществ внутри корпуса во время его формирования, но и от скорости проникновения через уплотнение 78 и потенциала газовыделения корпусных компонентов.
В некоторых вариантах осуществления уплотнение 78 предпочтительно выполнено, например, с использованием тонких пленок толщиной в диапазоне от 100 до 300 мкм, от 10 до 30 мкм, или составляет около 50 мкм. Толщина уплотнения 78 и количество газопоглотителя, внедренного в уплотнение 78 или введенного в полость 79 корпуса, или объем вспомогательного уплотнения вблизи внешней периферии уплотнения 78 будут зависеть от различных факторов, таких как требуемый срок службы устройства, установленного в корпусе, компоненты материала уплотнения 78, количество загрязняющих веществ и влаги, которые, судя по оценкам, будут проникать в корпус во время срока службы, прогнозируемый уровень влажности окружающей среды для конструкции 900 корпуса, а также от того, будет ли находиться дополнительный газопоглотитель или влагопоглотитель 80 внутри корпуса.
Как указано выше, конструкции 900 корпуса могут включать или не включать в себя влагопоглотитель 80 (фиг.7). Например, если уплотнение 78 содержит газопоглотитель, и если вспомогательное уплотнение сформировано вблизи внешней периферии уплотнения 78, либо если газопоглотитель расположен вблизи внутренней периферии уплотнения 78, дополнительный влагопоглотитель внутри корпуса может и не потребоваться для достижения требуемого срока службы устройства, смонтированного в корпусе. В вариантах осуществления, где конструкция корпуса не должна содержать влагопоглотитель 80, оказывается возможным уменьшение размеров корпуса и соответственно затрат.
В некоторых вариантах осуществления газопоглотитель содержит цеолиты. Цеолиты могут абсорбировать молекулы воды при относительно высоких температурах. Цеолиты могут улавливать и удерживать влагу и газообразные загрязняющие вещества в своих порах. Специалисту в данной области техники ясно, что в качестве материала уплотнения 78, который должен абсорбировать другие загрязняющие вещества, можно выбирать цеолиты, имеющие другие размеры пор. В некоторых вариантах осуществления газопоглотитель включает в себя цеолиты, которые выбраны для абсорбирования молекул загрязняющих веществ, например, это могут быть ароматические углеводороды с разветвленными цепями, имеющие критические диаметры до десяти ангстрем. В еще одном варианте осуществления могут быть выбраны цеолиты, имеющие размеры пор в диапазоне от двух до трех ангстрем, например, для удаления молекул загрязняющих веществ, имеющих диаметры менее двух ангстрем, таких как молекулы водорода и воды. В еще одном варианте осуществления можно использовать цеолиты, имеющие размер пор около пятидесяти ангстрем, для поглощения молекул азота и диоксида углерода. Специалисты в данной области техники поймут, что уплотнение 78 и газопоглотители или гидрофобные материалы, используемые внутри и снаружи конструкции корпуса, могут содержать смесь цеолитов или других материалов, специально разработанных для газопоглощения или выполняющих такую функцию и имеющих различные размеры пор.
На фиг.10А и 10В представлены блок-схемы системы, иллюстрирующие еще один вариант осуществления дисплейного устройства 2040. Дисплейное устройство 2040 может быть, например, сотовым или мобильным телефоном. Однако, те же самые или немного измененные элементы дисплейного устройства 2040 могут служить для иллюстрации различных типов дисплейных устройств, таких как телевизионные приемники и портативные медиаплееры.
Дисплейное устройство 2040 содержит корпус 2041, дисплей 2030, антенну 2043, динамик 2045, устройство 2048 ввода и микрофон 2046. Корпус 2041 в общем случае изготовлен различными способами, которые известны специалистам в данной области техники, включая литьевое формование и вакуумное формование. Кроме того, корпус 2041 может быть выполнен из множества материалов, включая, но не ограничиваясь этим, пластмассу, стекло, резину и керамику или их комбинацию. В одном из вариантов осуществления корпус 2041 содержит съемные детали (не показаны), которые могут быть взаимозаменяемыми с другими съемными деталями другого цвета, либо содержащими другие логотипы, изображения или символы.
Дисплей 2030 дисплейного устройства 2040 может быть любым из множества дисплеев, включая дисплей с двумя устойчивыми состояниями, описываемый здесь. В одном варианте осуществления дисплей 2030 включает в себя дисплей с плоским экраном, например, плазменный, электролюминесцентный, на органических светодиодах, ЖКД на нематических кристаллах или ЖКД на тонкопленочных транзисторах, который описан выше, либо дисплей с неплоским экраном, например, электронно-лучевая трубка или любое другое электровакуумное устройство, хорошо известное специалистам в данной области техники.
Элементы дисплейного устройства 2040 в варианте его осуществления схематически представлены на фиг.10В. Дисплейное устройство 2040 содержит корпус 2041 и может содержать дополнительные элементы, по меньшей мере часть которых размещена в корпусе. Например, дисплейное устройство 2040 содержит сетевой интерфейс 2027, который включает в себя антенну 2043, подключенную к приемопередатчику 2047. Приемопередатчик 2047 соединен с процессором 2021, который соединен с аппаратным средством 2052 приведения к требуемым условиям, которое может быть конфигурировано с возможностью приведения к требуемым условиям некоторого сигнала (например, фильтрации некоторого сигнала). Аппаратное средство 2052 приведения к требуемым условиям соединено с динамиком 2045 и микрофоном 2046. Процессор 2021 также соединен с устройством 2048 ввода и контроллером 2029 возбуждения. Контроллер 2029 возбуждения подключен к буферу 2028 кадров и к схеме 2022 возбуждения матрицы, которая в свою очередь подключена к матрице 2030 дисплея. Источник 2050 питания предназначен для подачи электропитания ко всем элементам дисплейного устройства 2040.
Сетевой интерфейс 2027 содержит антенну 2043 и приемопередатчик 2047, так что дисплейное устройство 2040 может осуществлять связь с одним или несколькими устройствами через сеть. В одном из вариантов осуществления сетевой интерфейс 2027 также может быть наделен некоторыми функциональными возможностями обработки, чтобы сделать менее жесткими требования к процессору 2021. Антенна 2043 представляет собой антенну, известную специалистам в области передачи и приема сигналов. Антенна передает и принимает ВЧ-сигналы, соответствующие стандарту IEEE 802/11, включая IEEE 802/11(a), (b) или (g). В еще одном варианте осуществления антенна передает и принимает ВЧ-сигналы, соответствующие стандарту BLUETOOTH. В случае сотового телефона антенна предназначена для приема сигналов, соответствующих стандартам множественного доступа с кодовым разделением каналов (МДКРК), Глобальной системы позиционирования (ГСП), усовершенствованной мобильной телефонной связи (УМТС) или других известных сигналов, используемых для связи в беспроводной сотовой телефонной сети. Приемопередатчик 2047 предварительно обрабатывает сигналы, принимаемые от антенны 2043, так что процессор 2021 может принимать их и проводить с ними дальнейшие манипуляции. Приемопередатчик 2047 также обрабатывает сигналы, принимаемые от процессора 2021, вследствие чего их можно передавать из возможного устройства 2040, содержащего индикатор, через антенну 2043.
В альтернативном варианте осуществления приемопередатчик 2047 может быть заменен приемником. В еще одном варианте осуществления сетевой интерфейс 2027 может быть заменен источником изображений, который может хранить или генерировать данные изображений, посылаемые в процессор 2021. Например, источник изображений может быть цифровым видеодиском (ЦВД) или дисководом на жестких дисках, который содержит данные изображения или модуль программного обеспечения, который генерирует данные изображений.
Процессор 2021 в общем случае управляет всей работой возможного дисплейного устройства 2040. Процессор 2021 принимает данные, например, сжатые данные изображения из сетевого интерфейса 2027 или источника изображения и обрабатывает эти данные с получением исходных данных изображения или формата, который легко обрабатывается с получением исходных данных изображения. Затем процессор 2021 посылает обработанные данные в контроллер 2029 возбуждения или в буфер 2028 кадров для хранения. Исходными данными обычно называют информацию, которая идентифицирует характеристики изображения для каждой точки в изображении. Например, такие характеристики изображения могут включать в себя цвет, насыщение и уровень серого.
Процессор 2021 содержит микроконтроллер, центральный процессор или логический блок для управления работой возможного дисплейного устройства 2040. Аппаратное средство 2052 приведения к требуемым условиям в общем случае содержит усилители и фильтры для передачи сигналов в динамик 2045 и для приема сигналов из микрофона 2046. Аппаратное средство 2052 приведения к требуемым условиям может быть воплощено в форме дискретных элементов внутри дисплейного устройства 2040, либо может быть встроено внутрь процессора 2021 или других компонентов.
Контроллер 2029 возбуждения принимает исходные данные изображения, генерируемые процессором 2021, либо непосредственно из процессора 2021, либо из буфера 2028 кадров, и надлежащим образом переформатирует исходные данные изображения для высокоскоростной передачи в схему 2022 возбуждения матрицы. В частности, контроллер 2029 возбуждения переформатирует исходные данные изображения в поток данных, имеющий растрообразный формат, так что он имеет временной порядок, подходящий для сканирования по матрице 2030 дисплея. Затем контроллер 2029 возбуждения посылает отформатированную информацию в схему 2022 возбуждения матрицы. Хотя контролер 2029 возбуждения, например контроллер ЖКД, часто связан с процессором 2021 системы, таким как автономная интегральная схема (ИС), эти контроллеры могут быть воплощены различным образом. Они могут быть внедрены в процессор 2021 как аппаратные средства, внедрены в процессор 2021 как программные средства или полностью интегрированы как аппаратные средства с помощью схемы 2022 возбуждения матрицы.
Как правило, схема 2022 возбуждения матрицы принимает отформатированную информацию из контроллера 2029 возбуждения и переформатирует видеоданные в параллельный набор сигналов, которые много раз в секунду прикладываются к сотням, а иногда тысячам проводников, идущих от реализованной в координатах «х-у» матрицы пикселей дисплея.
В одном из вариантов осуществления контроллер 2029 возбуждения, схема 2022 возбуждения матрицы и матрица 2030 дисплея подходят для любого из типов описываемых здесь дисплеев. Например, контроллер 2029 возбуждения является контроллером обычного дисплея или контроллером дисплея с двумя устойчивыми состояниями (например, контроллером на основе интерферометрических модуляторов). В еще одном варианте осуществления схема 2022 возбуждения матрицы является схемой возбуждения обычного дисплея или схемой возбуждения дисплея с двумя устойчивыми состояниями (например, дисплея на основе интерферометрических модуляторов). В одном из вариантов осуществления контроллер 2029 возбуждения выполнен за одно целое со схемой 2022 возбуждения матрицы. Такой вариант осуществления является обычным в системах с высокой степенью интеграции, таких как сотовые телефоны, наручные часы и другие дисплеи с малой площадью изображения. В еще одном варианте осуществления матрица 2030 дисплея является матрицей типичного дисплея или матрицей дисплея с двумя устойчивыми состояниями (например, дисплея, включающего в себя матрицу интерферометрических модуляторов).
Устройство 2048 ввода позволяет пользователю управлять работой дисплейного устройства 2040. Устройство 2048 ввода содержит клавиатуру, например, клавиатуру стандарта QWERTY или клавиатуру телефона, кнопку, переключатель, сенсорный экран, нажимную или теплочувствительную мембрану. Микрофон 2046, например, является устройством ввода для дисплейного устройства 2040. Когда микрофон 2046 используют для ввода данных в устройство, пользователь может выдавать речевые команды для управления операциями дисплейного устройства 2040.
Источник 2050 питания может включать в себя совокупность устройств, аккумулирующих энергию, которые хорошо известны в данной области техники. Например, источник 2050 питания представляет собой аккумуляторную батарею, такую как никель-кадмиевая батарея или ионно-литиевая батарея. В еще одном варианте осуществления источник 2050 питания представляет собой возобновляемый источник энергии, конденсатор или солнечный элемент, включая солнечный элемент из пластмассы, и краску для солнечных элементов. В еще одном варианте осуществления источник 2050 питания конфигурирован с возможностью подключения к настенной розетке.
В некоторых случаях функциональные возможности программируемости управления, как описано выше, заложены в контроллере возбуждения, который может находиться в нескольких местах в электронной системе дисплея. В некоторых случаях программируемость управления обеспечивается в схеме 2022 возбуждения матрицы. Специалистам в данной области техники ясно, что вышеописанную оптимизацию можно воплотить в любом количестве компонентов аппаратных средств и/или программных средств и в различных конфигурациях.
В вышеизложенном описании подробно рассмотрены некоторые варианты осуществления изобретения. Однако изобретение можно воплотить на практике различными путями.

Claims (41)

1. Система для монтажа в корпус устройств на основе
микроэлектромеханических систем (MEMS), содержащая
подложку,
устройство на основе МЭМС, сформированное на подложке,
объединительную плату,
уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и контактирующее с подложкой и объединительной платой,
причем указанное уплотнение содержит
клей,
химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней периферии уплотнения.
2. Система по п.1, отличающаяся тем, что уплотнение содержит некоторое количество химически активного газопоглотителя, достаточное для поглощения по существу всех веществ, выделившихся из уплотнения при изготовлении или сборке.
3. Система по п.1, отличающаяся тем, что химически активный газопоглотитель содержит вещество, выбранное из группы, состоящей из оксида кальция, стронция, оксида стронция и комплекса алюминия.
4. Система по п.1, отличающаяся тем, что устройство на основе МЭМС содержит интерферометрический модулятор.
5. Система по п.1, отличающаяся тем, что подложка содержит прозрачную подложку.
6. Система по п.5, отличающаяся тем, что прозрачная подложка содержит стекло.
7. Система по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит вспомогательное уплотнение, расположенное вблизи упомянутого уплотнения.
8. Система по п.7, отличающаяся тем, что вспомогательное уплотнение расположено у внешней периферии упомянутого уплотнения.
9. Система по п.7, отличающаяся тем, что вспомогательное уплотнение расположено у внутренней периферии упомянутого уплотнения.
10. Система по п.7, отличающаяся тем, что вспомогательное уплотнение содержит гидрофобный материал.
11. Система по п.1, отличающаяся тем, что химически активный газопоглотитель содержит влагопоглотитель.
12. Система по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит
процессор, электрически связанный с устройством на основе МЭМС, причем процессор выполнен с возможностью обработки данных изображения,
запоминающее устройство, электрически связанное с процессором.
13. Система по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит схему возбуждения, выполненную с возможностью направления по меньшей мере одного сигнала в устройство на основе МЭМС.
14. Система по п.13, отличающаяся тем, что дополнительно содержит контроллер, обеспечивающий направление по меньшей мере части данных изображения в схему возбуждения.
15. Система по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит модуль источника изображения, предназначенный для направления данных изображения в процессор.
16. Система по п.15, отличающаяся тем, что модуль источника изображения содержит по меньшей мере один компонент, выбранный из группы, состоящей из приемника, приемопередатчика и передатчика.
17. Система по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит устройство ввода, выполненное с возможностью ввода данных и передачи вводимых данных в процессор.
18. Способ уплотнения корпуса устройства на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), заключающийся в том, что используют подложку и объединительную плату, причем положка содержит сформированное на ней устройство на основе МЭМС, формируют уплотнение вблизи периметра устройства на основе МЭМС, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней переферии уплотнения, и
скрепляют между собой подложку, уплотнение и объединительную плату, тем самым заключают устройство на основе МЭМС в корпус.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют уплотнение, содержащее некоторое количество указанного химически активного газопоглотителя, достаточное для поглощения по существу всех веществ, выделившихся из уплотнения, по меньшей мере, при изготовлении или сборке.
20. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют уплотнение, содержащее клей.
21. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют химически активный газопоглотитель, содержащий по меньшей мере одно вещество, выбранное из группы, состоящей из оксида кальция, стронция, оксида стронция и комплекса алюминия.
22. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют устройство на основе МЭМС, содержащее интерферометрический модулятор.
23. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют подложку, содержащую прозрачную подложку.
24. Способ по п.18, отличающийся тем, что дополнительно осуществляют формирование вспомогательного уплотнения вблизи упомянутого уплотнения.
25. Способ по п.24, отличающийся тем, что вспомогательное уплотнение формируют у внешней периферии упомянутого уплотнения.
26. Способ по п.24, отличающийся тем, что вспомогательное уплотнение формируют у внутренней периферии упомянутого уплотнения.
27. Способ по п.24, отличающийся тем, что используют вспомогательное уплотнение, содержащее гидрофобный материал.
28. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют газопоглотитель, содержащий влагопоглотитель.
29. Система для монтажа в корпус устройств на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), изготовленная способом по п.18.
30. Устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), содержащее
пропускающее средство, предназначенное для пропускания через него света,
модулирующее средство, предназначенное для модуляции света, пропущенного через пропускающее средство,
закрывающее средство, предназначенное для закрывания модулирующего средства,
уплотняющее средство, предназначенное для формирования полости между пропускающим средством и закрывающим средством, причем уплотняющее средство содержит химически активное средство для химического взаимодействия с веществами, которые контактируют с уплотняющим средством, при этом химически активное средство находится в контакте с уплотняющим средством по внутренней переферии уплотняющего средства.
31. Устройство по п.30, отличающееся тем, что передающее средство содержит прозрачную подложку.
32. Устройство по п.30, отличающееся тем, что модулирующее средство содержит интерферометрический модулятор.
33. Устройство по п.30, отличающееся тем, что закрывающее средство содержит объединительную плату.
34. Устройство по п.30, отличающееся тем, что уплотняющее средство содержит клей.
35. Устройство по п.30, отличающееся тем, что химически активное средство содержит химически активный газопоглотитель.
36. Устройство по п.35, отличающееся тем, что уплотняющее средство содержит некоторое количество газопоглотителя, достаточное для поглощения по существу всех веществ, выделившихся из уплотнения, по меньшей мере, при изготовлении и сборке.
37. Устройство по п.35, отличающееся тем, что химически активный газопоглотитель содержит по меньшей мере одно вещество, выбранное из группы, состоящей из оксида кальция, стронция, оксида стронция и комплекса алюминия.
38. Устройство по п.30, отличающееся тем, что дополнительно содержит вспомогательное уплотнение, сформированное вокруг периферии упомянутого уплотняющего средства.
39. Устройство по п.38, отличающееся тем, что вспомогательное уплотнение содержит гидрофобный материал.
40. Устройство по п.38, отличающееся тем, что вспомогательное уплотнение сформировано вокруг внутренней периферии уплотняющего средства.
41. Устройство по п.38, отличающееся тем, что вспомогательное уплотнение сформировано вокруг внешней периферии уплотняющего средства.
RU2005129946/28A 2004-09-27 2005-09-26 Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем RU2379227C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61347604P 2004-09-27 2004-09-27
US60/613,476 2004-09-27
US11/102,554 US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2005-04-08 Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US11/102,554 2005-04-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005129946A RU2005129946A (ru) 2007-04-10
RU2379227C2 true RU2379227C2 (ru) 2010-01-20

Family

ID=35482159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005129946/28A RU2379227C2 (ru) 2004-09-27 2005-09-26 Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем

Country Status (11)

Country Link
US (3) US20060076634A1 (ru)
EP (1) EP1640327A3 (ru)
JP (1) JP2006121052A (ru)
KR (1) KR20060092914A (ru)
AU (1) AU2005204607A1 (ru)
BR (1) BRPI0503873A (ru)
CA (1) CA2519656A1 (ru)
MX (1) MXPA05010246A (ru)
RU (1) RU2379227C2 (ru)
SG (2) SG121122A1 (ru)
TW (1) TW200620590A (ru)

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100386849B1 (ko) * 2001-07-10 2003-06-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 표시장치의 정전방전 방지회로
US7109092B2 (en) 2003-05-19 2006-09-19 Ziptronix, Inc. Method of room temperature covalent bonding
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7405924B2 (en) * 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
KR100807484B1 (ko) * 2004-10-07 2008-02-25 삼성전기주식회사 소수성 물질층을 구비한 mems 패키지
JP4453546B2 (ja) * 2004-12-22 2010-04-21 日産自動車株式会社 パッケージ素子
US7485968B2 (en) 2005-08-11 2009-02-03 Ziptronix, Inc. 3D IC method and device
JP4820816B2 (ja) * 2005-11-24 2011-11-24 パナソニック株式会社 微小電気機械素子およびこれを用いた電気機械スイッチ
US7561334B2 (en) * 2005-12-20 2009-07-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for reducing back-glass deflection in an interferometric modulator display device
US20070243662A1 (en) * 2006-03-17 2007-10-18 Johnson Donald W Packaging of MEMS devices
US7781697B2 (en) * 2006-04-10 2010-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-display and methods
WO2007120887A2 (en) 2006-04-13 2007-10-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc Packaging a mems device using a frame
EP2029473A2 (en) * 2006-06-21 2009-03-04 Qualcomm Incorporated Method for packaging an optical mems device
DE102006029849A1 (de) * 2006-06-27 2008-01-03 Nanoscape Ag Beschichtetes Molekularsieb
FR2922203B1 (fr) * 2007-10-15 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure ayant un cordon de scellement ajoure et structure obtenue.
DE112008002554B4 (de) * 2007-10-15 2018-05-09 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Elements auf einem Substrat
US8349635B1 (en) * 2008-05-20 2013-01-08 Silicon Laboratories Inc. Encapsulated MEMS device and method to form the same
US20090323170A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Groove on cover plate or substrate
US20100020382A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spacer for mems device
DE102008060796B4 (de) 2008-11-18 2014-01-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Ausbilden einer Mikro-Oberflächenstruktur sowie zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauelements, Mikro-Oberflächenstruktur sowie mikroelektromechanisches Bauelement mit einer solchen Struktur
US8410690B2 (en) * 2009-02-13 2013-04-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with desiccant
FR2950877B1 (fr) * 2009-10-07 2012-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure a cavite comportant une interface de collage a base de materiau getter
US8379392B2 (en) * 2009-10-23 2013-02-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light-based sealing and device packaging
JP5911144B2 (ja) * 2010-07-02 2016-04-27 国立研究開発法人産業技術総合研究所 微小機械システム
TWI443784B (zh) 2010-07-29 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法
DE102010036217B4 (de) * 2010-08-27 2014-02-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Mikrosystems
FR2967150A1 (fr) * 2010-11-09 2012-05-11 Commissariat Energie Atomique Procédé de réalisation de substrat a couches enfouies de matériau getter
TWI528608B (zh) 2011-11-21 2016-04-01 財團法人工業技術研究院 環境敏感電子元件之封裝體
KR20130065219A (ko) * 2011-12-09 2013-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8735219B2 (en) 2012-08-30 2014-05-27 Ziptronix, Inc. Heterogeneous annealing method and device
US9018715B2 (en) 2012-11-30 2015-04-28 Silicon Laboratories Inc. Gas-diffusion barriers for MEMS encapsulation
EP2973685B1 (en) * 2013-03-13 2018-01-17 Robert Bosch GmbH Mems device having a getter
US9479138B2 (en) 2013-05-24 2016-10-25 Epcos Ag Microelectromechanical systems device package and method for producing the microelectromechanical systems device package
US9416003B2 (en) 2014-02-24 2016-08-16 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor die with high pressure cavity
US20150262902A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Invensas Corporation Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture
US20160140685A1 (en) * 2014-11-17 2016-05-19 Pixtronix, Inc. Display including sensors
US11069734B2 (en) 2014-12-11 2021-07-20 Invensas Corporation Image sensor device
US9741620B2 (en) 2015-06-24 2017-08-22 Invensas Corporation Structures and methods for reliable packages
US9953941B2 (en) 2015-08-25 2018-04-24 Invensas Bonding Technologies, Inc. Conductive barrier direct hybrid bonding
US9852988B2 (en) 2015-12-18 2017-12-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Increased contact alignment tolerance for direct bonding
US10446532B2 (en) 2016-01-13 2019-10-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Systems and methods for efficient transfer of semiconductor elements
US10204893B2 (en) 2016-05-19 2019-02-12 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked dies and methods for forming bonded structures
TWI612281B (zh) 2016-09-26 2018-01-21 財團法人工業技術研究院 干涉分光元件封裝裝置
US10446487B2 (en) 2016-09-30 2019-10-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interface structures and methods for forming same
US10580735B2 (en) 2016-10-07 2020-03-03 Xcelsis Corporation Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die
US10002844B1 (en) 2016-12-21 2018-06-19 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
KR20230156179A (ko) 2016-12-29 2023-11-13 아데이아 세미컨덕터 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 집적된 수동 컴포넌트를 구비한 접합된 구조체
TWI738947B (zh) 2017-02-09 2021-09-11 美商英帆薩斯邦德科技有限公司 接合結構與形成接合結構的方法
WO2018169968A1 (en) 2017-03-16 2018-09-20 Invensas Corporation Direct-bonded led arrays and applications
US10508030B2 (en) 2017-03-21 2019-12-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Seal for microelectronic assembly
US10784191B2 (en) 2017-03-31 2020-09-22 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interface structures and methods for forming same
US10879212B2 (en) 2017-05-11 2020-12-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed stacked dies
US10217720B2 (en) 2017-06-15 2019-02-26 Invensas Corporation Multi-chip modules formed using wafer-level processing of a reconstitute wafer
FR3069476A1 (fr) * 2017-07-31 2019-02-01 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'une piece moulee dotee d'au moins un dispositif electromecanique
US10840205B2 (en) 2017-09-24 2020-11-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing for hybrid bonding
US11380597B2 (en) 2017-12-22 2022-07-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
US10923408B2 (en) 2017-12-22 2021-02-16 Invensas Bonding Technologies, Inc. Cavity packages
US10830787B2 (en) * 2018-02-20 2020-11-10 General Electric Company Optical accelerometers for use in navigation grade environments
US11169326B2 (en) 2018-02-26 2021-11-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects
US10165667B1 (en) 2018-03-14 2018-12-25 Microsoft Technologies Licensing, LLC Computing system with superconducting and non-superconducting components located on a common substrate
US11056348B2 (en) 2018-04-05 2021-07-06 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonding surfaces for microelectronics
US11004757B2 (en) 2018-05-14 2021-05-11 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
US11276676B2 (en) 2018-05-15 2022-03-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked devices and methods of fabrication
WO2019241417A1 (en) 2018-06-13 2019-12-19 Invensas Bonding Technologies, Inc. Tsv as pad
US11393779B2 (en) 2018-06-13 2022-07-19 Invensas Bonding Technologies, Inc. Large metal pads over TSV
US11664357B2 (en) 2018-07-03 2023-05-30 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics
US11158606B2 (en) 2018-07-06 2021-10-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Molded direct bonded and interconnected stack
US11462419B2 (en) 2018-07-06 2022-10-04 Invensas Bonding Technologies, Inc. Microelectronic assemblies
US11515291B2 (en) 2018-08-28 2022-11-29 Adeia Semiconductor Inc. Integrated voltage regulator and passive components
US11011494B2 (en) 2018-08-31 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics
US11158573B2 (en) 2018-10-22 2021-10-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interconnect structures
WO2020150159A1 (en) 2019-01-14 2020-07-23 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
US11901281B2 (en) 2019-03-11 2024-02-13 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structures with integrated passive component
US11296053B2 (en) 2019-06-26 2022-04-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics
US11762200B2 (en) 2019-12-17 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded optical devices
US11631647B2 (en) 2020-06-30 2023-04-18 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated device packages with integrated device die and dummy element
US11728273B2 (en) 2020-09-04 2023-08-15 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
US11764177B2 (en) 2020-09-04 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
US11264357B1 (en) 2020-10-20 2022-03-01 Invensas Corporation Mixed exposure for large die

Family Cites Families (328)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
FR1603131A (ru) * 1968-07-05 1971-03-22
US3653741A (en) * 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3704806A (en) * 1971-01-06 1972-12-05 Le T Im Lensoveta Dehumidifying composition and a method for preparing the same
JPS5836030B2 (ja) * 1972-11-02 1983-08-06 株式会社クラレ セツチヤクザイソセイブツ
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US4036360A (en) * 1975-11-12 1977-07-19 Graham Magnetics Incorporated Package having dessicant composition
US4074480A (en) * 1976-02-12 1978-02-21 Burton Henry W G Kit for converting single-glazed window to double-glazed window
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
DE2802728C2 (de) 1977-01-24 1984-03-15 Sharp K.K., Osaka Elektrochrome Anzeigezelle
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4445050A (en) * 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4431691A (en) * 1979-01-29 1984-02-14 Tremco, Incorporated Dimensionally stable sealant and spacer strip and composite structures comprising the same
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
FR2486349A1 (fr) * 1980-07-03 1982-01-08 Onera (Off Nat Aerospatiale) Procede et moyen de protection des aeronefs contre les perturbations d'origine electrostatique
US4377324A (en) * 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) * 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
US4400870A (en) * 1980-10-06 1983-08-30 Texas Instruments Incorporated Method of hermetically encapsulating a semiconductor device by laser irradiation
FR2506026A1 (fr) * 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) * 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) * 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
JPS596842U (ja) * 1982-07-06 1984-01-17 日本電気株式会社 樹脂封止用キヤツプ
JPS5918136A (ja) 1982-07-16 1984-01-30 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 断熱被覆発泡ガラス成形体
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4566935A (en) * 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US5172262A (en) * 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5835255A (en) 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
JPH02503713A (ja) * 1987-06-04 1990-11-01 ルコツ バルター 光学的な変調及び測定方法
US4977009A (en) * 1987-12-16 1990-12-11 Ford Motor Company Composite polymer/desiccant coatings for IC encapsulation
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
US4950344A (en) * 1988-12-05 1990-08-21 Lauren Manufacturing Company Method of manufacturing multiple-pane sealed glazing units
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5287096A (en) * 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US5446479A (en) 1989-02-27 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated Multi-dimensional array video processor system
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5206629A (en) * 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5079544A (en) * 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US5192946A (en) * 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
KR100202246B1 (ko) * 1989-02-27 1999-06-15 윌리엄 비. 켐플러 디지탈화 비디오 시스템을 위한 장치 및 방법
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) * 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) * 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
US5216537A (en) * 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5018256A (en) * 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
DE69113150T2 (de) * 1990-06-29 1996-04-04 Texas Instruments Inc Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster.
US5099353A (en) * 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5304419A (en) * 1990-07-06 1994-04-19 Alpha Fry Ltd Moisture and particle getter for enclosures
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
JP2794912B2 (ja) * 1990-07-26 1998-09-10 三井化学株式会社 気密封止パッケージおよび接合部材
US5192395A (en) * 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5526688A (en) 1990-10-12 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Digital flexure beam accelerometer and method
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5095375A (en) * 1991-03-29 1992-03-10 Hughes Aircraft Company Holographic combiner edge seal design and composition
CA2063744C (en) 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
US5179274A (en) * 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5563398A (en) 1991-10-31 1996-10-08 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator scanning system
CA2081753C (en) 1991-11-22 2002-08-06 Jeffrey B. Sampsell Dmd scanner
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5244707A (en) * 1992-01-10 1993-09-14 Shores A Andrew Enclosure for electronic devices
CA2087625C (en) 1992-01-23 2006-12-12 William E. Nelson Non-systolic time delay and integration printing
US5296950A (en) * 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) * 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
DE69310974T2 (de) 1992-03-25 1997-11-06 Texas Instruments Inc Eingebautes optisches Eichsystem
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH07508856A (ja) * 1992-04-08 1995-09-28 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
JPH06214169A (ja) * 1992-06-08 1994-08-05 Texas Instr Inc <Ti> 制御可能な光学的周期的表面フィルタ
US5818095A (en) 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5659374A (en) 1992-10-23 1997-08-19 Texas Instruments Incorporated Method of repairing defective pixels
CN1057614C (zh) 1993-01-11 2000-10-18 德克萨斯仪器股份有限公司 用于空间光调制器的象素控制电路
FI96450C (fi) * 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US5293511A (en) * 1993-03-16 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Package for a semiconductor device
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5461411A (en) 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Process and architecture for digital micromirror printer
US5559358A (en) * 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
AU676299B2 (en) * 1993-06-28 1997-03-06 Akira Fujishima Photocatalyst composite and process for producing the same
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5365283A (en) 1993-07-19 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Color phase control for projection display using spatial light modulator
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
US5581272A (en) 1993-08-25 1996-12-03 Texas Instruments Incorporated Signal generator for controlling a spatial light modulator
FR2710161B1 (fr) 1993-09-13 1995-11-24 Suisse Electronique Microtech Réseau miniature d'obturateurs de lumière.
US5457493A (en) 1993-09-15 1995-10-10 Texas Instruments Incorporated Digital micro-mirror based image simulation system
US5526051A (en) 1993-10-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Digital television system
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5459602A (en) 1993-10-29 1995-10-17 Texas Instruments Micro-mechanical optical shutter
US5452024A (en) 1993-11-01 1995-09-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system
US5517347A (en) 1993-12-01 1996-05-14 Texas Instruments Incorporated Direct view deformable mirror device
CA2137059C (en) 1993-12-03 2004-11-23 Texas Instruments Incorporated Dmd architecture to improve horizontal resolution
US5583688A (en) 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5448314A (en) 1994-01-07 1995-09-05 Texas Instruments Method and apparatus for sequential color imaging
US5500761A (en) 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
US5444566A (en) 1994-03-07 1995-08-22 Texas Instruments Incorporated Optimized electronic operation of digital micromirror devices
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US20010003487A1 (en) 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
DE69522856T2 (de) 1994-05-17 2002-05-02 Sony Corp Anzeigevorrichtung mit Positionserkennung eines Zeigers
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5673106A (en) 1994-06-17 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Printing system with self-monitoring and adjustment
US5454906A (en) 1994-06-21 1995-10-03 Texas Instruments Inc. Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5485304A (en) 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
US5703710A (en) 1994-09-09 1997-12-30 Deacon Research Method for manipulating optical energy using poled structure
US6053617A (en) 1994-09-23 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Manufacture method for micromechanical devices
US5619059A (en) * 1994-09-28 1997-04-08 National Research Council Of Canada Color deformable mirror device having optical thin film interference color coatings
US5553440A (en) * 1994-10-20 1996-09-10 Ppg Industries, Inc. Multi-sheet glazing unit and method of making same
US5650881A (en) 1994-11-02 1997-07-22 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
US5552924A (en) 1994-11-14 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device having an improved beam
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5550373A (en) * 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
US5567334A (en) 1995-02-27 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5641713A (en) * 1995-03-23 1997-06-24 Texas Instruments Incorporated Process for forming a room temperature seal between a base cavity and a lid using an organic sealant and a metal seal ring
US5535047A (en) 1995-04-18 1996-07-09 Texas Instruments Incorporated Active yoke hidden hinge digital micromirror device
US5784190A (en) 1995-04-27 1998-07-21 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
US5640764A (en) * 1995-05-22 1997-06-24 Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research Method of forming a tubular feed-through hermetic seal for an implantable medical device
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US5739945A (en) * 1995-09-29 1998-04-14 Tayebati; Parviz Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
JP3799092B2 (ja) * 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インク 光変調装置及びディスプレイ装置
US5851609A (en) * 1996-02-27 1998-12-22 Truseal Technologies, Inc. Preformed flexible laminate
US5815141A (en) 1996-04-12 1998-09-29 Elo Touch Systems, Inc. Resistive touchscreen having multiple selectable regions for pressure discrimination
US5939785A (en) * 1996-04-12 1999-08-17 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device including time-release passivant
US5853662A (en) 1996-04-17 1998-12-29 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method for preserving polished inorganic glass and method for preserving article obtained by using the same
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5912758A (en) 1996-09-11 1999-06-15 Texas Instruments Incorporated Bipolar reset for spatial light modulators
US5771116A (en) 1996-10-21 1998-06-23 Texas Instruments Incorporated Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
DE69806846T2 (de) * 1997-05-08 2002-12-12 Texas Instruments Inc Verbesserungen für räumliche Lichtmodulatoren
US6480177B2 (en) 1997-06-04 2002-11-12 Texas Instruments Incorporated Blocked stepped address voltage for micromechanical devices
US6129603A (en) * 1997-06-24 2000-10-10 Candescent Technologies Corporation Low temperature glass frit sealing for thin computer displays
JPH11145337A (ja) * 1997-11-12 1999-05-28 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品封止パッケージ
GB9724077D0 (en) 1997-11-15 1998-01-14 Dow Corning Sa Insulating glass units
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
DE19824965A1 (de) * 1998-06-04 1999-12-09 Metallgesellschaft Ag Schmelzklebstoff zur Randabdichtung von Verbundglas, Verfahren zur Herstellung des Schmelzklebstoffs und seine Verwendung
EP0951068A1 (en) 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
US6160833A (en) 1998-05-06 2000-12-12 Xerox Corporation Blue vertical cavity surface emitting laser
US6282010B1 (en) 1998-05-14 2001-08-28 Texas Instruments Incorporated Anti-reflective coatings for spatial light modulators
US6323982B1 (en) 1998-05-22 2001-11-27 Texas Instruments Incorporated Yield superstructure for digital micromirror device
US6147790A (en) 1998-06-02 2000-11-14 Texas Instruments Incorporated Spring-ring micromechanical device
US6295154B1 (en) 1998-06-05 2001-09-25 Texas Instruments Incorporated Optical switching apparatus
US6496122B2 (en) 1998-06-26 2002-12-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Image display and remote control system capable of displaying two distinct images
US6872984B1 (en) * 1998-07-29 2005-03-29 Silicon Light Machines Corporation Method of sealing a hermetic lid to a semiconductor die at an angle
JP2000058593A (ja) 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 表面弾性波素子の実装構造及びその実装方法
US6113239A (en) 1998-09-04 2000-09-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Projection display system for reflective light valves
US6606175B1 (en) 1999-03-16 2003-08-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-segment light-emitting diode
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6862029B1 (en) * 1999-07-27 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color display system
JP4336427B2 (ja) 1999-10-01 2009-09-30 帝人株式会社 表面保護フィルムおよびそれからなる積層体
US6452238B1 (en) 1999-10-04 2002-09-17 Texas Instruments Incorporated MEMS wafer level package
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6400009B1 (en) 1999-10-15 2002-06-04 Lucent Technologies Inc. Hermatic firewall for MEMS packaging in flip-chip bonded geometry
US6549338B1 (en) 1999-11-12 2003-04-15 Texas Instruments Incorporated Bandpass filter to reduce thermal impact of dichroic light shift
NZ519878A (en) * 1999-11-29 2004-02-27 Nz Inst For Crop & Food Res Collagen
US6552840B2 (en) 1999-12-03 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Electrostatic efficiency of micromechanical devices
US6548908B2 (en) 1999-12-27 2003-04-15 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
US6545335B1 (en) 1999-12-27 2003-04-08 Xerox Corporation Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits
JP2001249287A (ja) 1999-12-30 2001-09-14 Texas Instr Inc <Ti> 双安定マイクロミラー・アレイを動作させる方法
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
US6661084B1 (en) 2000-05-16 2003-12-09 Sandia Corporation Single level microelectronic device package with an integral window
US6473274B1 (en) 2000-06-28 2002-10-29 Texas Instruments Incorporated Symmetrical microactuator structure for use in mass data storage devices, or the like
JP4609679B2 (ja) 2000-07-19 2011-01-12 日本電気株式会社 液晶表示装置
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
US6778155B2 (en) 2000-07-31 2004-08-17 Texas Instruments Incorporated Display operation with inserted block clears
US6643069B2 (en) 2000-08-31 2003-11-04 Texas Instruments Incorporated SLM-base color projection display having multiple SLM's and multiple projection lenses
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US6762868B2 (en) 2000-11-16 2004-07-13 Texas Instruments Incorporated Electro-optical package with drop-in aperture
US6664779B2 (en) 2000-11-16 2003-12-16 Texas Instruments Incorporated Package with environmental control material carrier
US20020075551A1 (en) 2000-11-29 2002-06-20 Onix Microsystems, Inc Enclosure for MEMS apparatus and method of using the same
US20020096421A1 (en) 2000-11-29 2002-07-25 Cohn Michael B. MEMS device with integral packaging
US7307775B2 (en) 2000-12-07 2007-12-11 Texas Instruments Incorporated Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US6906847B2 (en) * 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
US6775174B2 (en) 2000-12-28 2004-08-10 Texas Instruments Incorporated Memory architecture for micromirror cell
US6625047B2 (en) 2000-12-31 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Micromechanical memory element
US7123026B2 (en) 2001-01-23 2006-10-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Surface shape recognition sensor and method of manufacturing the same
US6455927B1 (en) 2001-03-12 2002-09-24 Amkor Technology, Inc. Micromirror device package
WO2002079853A1 (en) * 2001-03-16 2002-10-10 Corning Intellisense Corporation Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
US6630786B2 (en) 2001-03-30 2003-10-07 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
US6534850B2 (en) * 2001-04-16 2003-03-18 Hewlett-Packard Company Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation
KR100387239B1 (ko) 2001-04-26 2003-06-12 삼성전자주식회사 Mems 릴레이 및 그 제조방법
US6465355B1 (en) 2001-04-27 2002-10-15 Hewlett-Packard Company Method of fabricating suspended microstructures
US6706316B2 (en) 2001-05-08 2004-03-16 Eastman Kodak Company Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays
AU2002361545B2 (en) * 2001-06-28 2007-03-15 Microchips, Inc. Methods for hermetically sealing microchip reservoir devices
US6822628B2 (en) 2001-06-28 2004-11-23 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Methods and systems for compensating row-to-row brightness variations of a field emission display
TW533188B (en) * 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
US6862022B2 (en) * 2001-07-20 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor
US6589625B1 (en) * 2001-08-01 2003-07-08 Iridigm Display Corporation Hermetic seal and method to create the same
US6600201B2 (en) 2001-08-03 2003-07-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems with high density packing of micromachines
US6632698B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6940636B2 (en) * 2001-09-20 2005-09-06 Analog Devices, Inc. Optical switching apparatus and method of assembling same
US6590157B2 (en) 2001-09-21 2003-07-08 Eastman Kodak Company Sealing structure for highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
DE10149140A1 (de) * 2001-10-05 2003-04-17 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Verbindung einer Siliziumplatte mit einer weiteren Platte
US6893574B2 (en) 2001-10-23 2005-05-17 Analog Devices Inc MEMS capping method and apparatus
US6870581B2 (en) * 2001-10-30 2005-03-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination
US6819391B2 (en) 2001-11-30 2004-11-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display panel having dummy column spacer with opened portion
KR100442830B1 (ko) 2001-12-04 2004-08-02 삼성전자주식회사 저온의 산화방지 허메틱 실링 방법
US6776538B2 (en) 2001-12-12 2004-08-17 Axsun Technologies, Inc. MEMS tunable optical filter system with moisture getter for frequency stability
US6936131B2 (en) 2002-01-31 2005-08-30 3M Innovative Properties Company Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives
US6621134B1 (en) * 2002-02-07 2003-09-16 Shayne Zurn Vacuum sealed RF/microwave microresonator
US6791660B1 (en) * 2002-02-12 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electrooptical device and apparatus for manufacturing the same, electrooptical device and electronic appliances
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US7045459B2 (en) 2002-02-19 2006-05-16 Northrop Grumman Corporation Thin film encapsulation of MEMS devices
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US6762072B2 (en) * 2002-03-06 2004-07-13 Robert Bosch Gmbh SI wafer-cap wafer bonding method using local laser energy, device produced by the method, and system used in the method
US6603182B1 (en) 2002-03-12 2003-08-05 Lucent Technologies Inc. Packaging micromechanical devices
US6838309B1 (en) * 2002-03-13 2005-01-04 Amkor Technology, Inc. Flip-chip micromachine package using seal layer
US6627814B1 (en) * 2002-03-22 2003-09-30 David H. Stark Hermetically sealed micro-device package with window
US20030183916A1 (en) 2002-03-27 2003-10-02 John Heck Packaging microelectromechanical systems
US6707351B2 (en) 2002-03-27 2004-03-16 Motorola, Inc. Tunable MEMS resonator and method for tuning
JP2004014820A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd レーザモジュール
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
US6972882B2 (en) 2002-04-30 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with light angle amplification
US20030202264A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Weber Timothy L. Micro-mirror device
US20040212026A1 (en) 2002-05-07 2004-10-28 Hewlett-Packard Company MEMS device having time-varying control
TW569407B (en) 2002-05-17 2004-01-01 Advanced Semiconductor Eng Wafer-level package with bump and method for manufacturing the same
US7034984B2 (en) 2002-06-19 2006-04-25 Miradia Inc. Fabrication of a high fill ratio reflective spatial light modulator with hidden hinge
FR2841380A1 (fr) * 2002-06-25 2003-12-26 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee
US6741377B2 (en) 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
JP2004047387A (ja) 2002-07-15 2004-02-12 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機多色発光表示素子およびその製造方法
US6887733B2 (en) * 2002-09-11 2005-05-03 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Method of fabricating electronic devices
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
US20040108588A1 (en) * 2002-09-24 2004-06-10 Cookson Electronics, Inc. Package for microchips
US6806557B2 (en) * 2002-09-30 2004-10-19 Motorola, Inc. Hermetically sealed microdevices having a single crystalline silicon getter for maintaining vacuum
US7388631B2 (en) 2002-10-10 2008-06-17 Samsung Electronics, Co., Ltd. Parallax compensating color filter and black mask for display apparatus
US6747785B2 (en) 2002-10-24 2004-06-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS-actuated color light modulator and methods
US6666561B1 (en) 2002-10-28 2003-12-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Continuously variable analog micro-mirror device
US7370185B2 (en) 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US7071594B1 (en) 2002-11-04 2006-07-04 Microvision, Inc. MEMS scanner with dual magnetic and capacitive drive
KR100474455B1 (ko) 2002-11-08 2005-03-11 삼성전자주식회사 기판단위 mems 진공실장방법 및 장치
US7405860B2 (en) 2002-11-26 2008-07-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
US6741503B1 (en) 2002-12-04 2004-05-25 Texas Instruments Incorporated SLM display data address mapping for four bank frame buffer
JP4342174B2 (ja) 2002-12-27 2009-10-14 新光電気工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法
US20040140557A1 (en) 2003-01-21 2004-07-22 United Test & Assembly Center Limited Wl-bga for MEMS/MOEMS devices
US7205675B2 (en) 2003-01-29 2007-04-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making
US20040147056A1 (en) 2003-01-29 2004-07-29 Mckinnell James C. Micro-fabricated device and method of making
US6903487B2 (en) 2003-02-14 2005-06-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with increased mirror tilt
US6844953B2 (en) 2003-03-12 2005-01-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
JP4282346B2 (ja) * 2003-03-13 2009-06-17 オリンパス株式会社 静電駆動装置及びその製造方法
TW591778B (en) 2003-03-18 2004-06-11 Advanced Semiconductor Eng Package structure for a microsystem
US7015885B2 (en) 2003-03-22 2006-03-21 Active Optical Networks, Inc. MEMS devices monolithically integrated with drive and control circuitry
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US7358966B2 (en) 2003-04-30 2008-04-15 Hewlett-Packard Development Company L.P. Selective update of micro-electromechanical device
US6829132B2 (en) 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
US7400489B2 (en) 2003-04-30 2008-07-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and a method of driving a parallel-plate variable micro-electromechanical capacitor
US6741384B1 (en) 2003-04-30 2004-05-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Control of MEMS and light modulator arrays
US6853476B2 (en) 2003-04-30 2005-02-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control circuit for a micro-electromechanical device
US6819469B1 (en) 2003-05-05 2004-11-16 Igor M. Koba High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display
US7218499B2 (en) 2003-05-14 2007-05-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control circuit
US20040232535A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Terry Tarn Microelectromechanical device packages with integral heaters
US6917459B2 (en) 2003-06-03 2005-07-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS device and method of forming MEMS device
US6811267B1 (en) 2003-06-09 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display system with nonvisible data projection
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
JP2007505445A (ja) * 2003-07-07 2007-03-08 アイファイアー・テクノロジー・コープ エレクトロルミネセント・ディスプレイのためのシールおよびシール方法
US20050012197A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Smith Mark A. Fluidic MEMS device
US7190380B2 (en) * 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
US20050057442A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
JP3979982B2 (ja) * 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI232333B (en) 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US20050068583A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image
US6861277B1 (en) * 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
US20050093134A1 (en) 2003-10-30 2005-05-05 Terry Tarn Device packages with low stress assembly process
US7012726B1 (en) * 2003-11-03 2006-03-14 Idc, Llc MEMS devices with unreleased thin film components
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US7060895B2 (en) 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7164520B2 (en) * 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US20050253283A1 (en) 2004-05-13 2005-11-17 Dcamp Jon B Getter deposition for vacuum packaging
JP4481720B2 (ja) 2004-05-14 2010-06-16 日本電産コパル株式会社 Ndフィルタ及び光量絞り装置
KR100733242B1 (ko) * 2004-05-19 2007-06-27 삼성전기주식회사 측면 밀봉부재가 형성된 mems 패키지 및 그 제조 방법
US7381583B1 (en) * 2004-05-24 2008-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force MEMS RF switch integrated process
US7787170B2 (en) 2004-06-15 2010-08-31 Texas Instruments Incorporated Micromirror array assembly with in-array pillars
US7126741B2 (en) 2004-08-12 2006-10-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator assembly
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7553582B2 (en) * 2005-09-06 2009-06-30 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Getters for thin film battery hermetic package
JP5673102B2 (ja) * 2008-11-26 2015-02-18 旭硝子株式会社 封着材料層付きガラス部材およびそれを用いた電子デバイスとその製造方法
US8379392B2 (en) * 2009-10-23 2013-02-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light-based sealing and device packaging

Also Published As

Publication number Publication date
US20060076634A1 (en) 2006-04-13
TW200620590A (en) 2006-06-16
US20090189230A1 (en) 2009-07-30
EP1640327A2 (en) 2006-03-29
BRPI0503873A (pt) 2006-05-09
EP1640327A3 (en) 2007-12-05
RU2005129946A (ru) 2007-04-10
US20110290552A1 (en) 2011-12-01
SG121122A1 (en) 2006-04-26
US8735225B2 (en) 2014-05-27
MXPA05010246A (es) 2006-05-22
JP2006121052A (ja) 2006-05-11
CA2519656A1 (en) 2006-03-27
KR20060092914A (ko) 2006-08-23
SG155949A1 (en) 2009-10-29
AU2005204607A1 (en) 2006-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2379227C2 (ru) Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем
JP4331148B2 (ja) 基板を封止するための方法およびシステム
JP4535386B2 (ja) ディスプレイをパッケージングするための方法およびシステム
US7715080B2 (en) Packaging a MEMS device using a frame
JP4563892B2 (ja) 非平坦部を持つバックプレートを用いた微小電気機械システムを防護する為のシステム及び方法
US7826127B2 (en) MEMS device having a recessed cavity and methods therefor
KR101237888B1 (ko) 백플레이트 상에 전자 회로를 제공하는 방법 및 기기
RU2374171C2 (ru) Способ и устройство для монтажа подложки в корпус
US8040587B2 (en) Desiccant in a MEMS device
US20060076631A1 (en) Method and system for providing MEMS device package with secondary seal
KR20060092899A (ko) 활성화된 건조제를 가진 디스플레이 기기 시스템 및 제조방법
JP2006099065A (ja) 一体化された乾燥剤を有するディスプレイ装置のためのシステム及び方法
KR20060092919A (ko) 패터닝된 백플레이트용 스페이서를 구비한 장치 및 그의제조 방법
KR20070061517A (ko) 디스플레이 기기의 부분적인 진공을 유지하기 위한 방법 및시스템

Legal Events

Date Code Title Description
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20101006

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150927