RU2379227C2 - Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем - Google Patents
Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2379227C2 RU2379227C2 RU2005129946/28A RU2005129946A RU2379227C2 RU 2379227 C2 RU2379227 C2 RU 2379227C2 RU 2005129946/28 A RU2005129946/28 A RU 2005129946/28A RU 2005129946 A RU2005129946 A RU 2005129946A RU 2379227 C2 RU2379227 C2 RU 2379227C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- seal
- mems
- getter
- substrate
- housing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
- B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0172—Seals
- B81C2203/019—Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Packages (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам (МЭМС). Технический результат направлен на усовершенствование и создание новых изделий. Система для монтажа в корпус устройств на основе MEMS содержит подложку, устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), сформированное на подложке, объединительную плату, уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и контактирующее с подложкой и объединительной платой. Причем указанное уплотнение содержит клей, химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней периферии уплотнения. Способ и устройство реализуются вышеуказанной системой. 4 н. и 37 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к микроэлектромеханическим системам (МЭМС), а более конкретно - к способам и системам для монтажа в корпус устройств на основе МЭМС.
Предшествующий уровень техники
Микроэлектромеханические системы (МЭМС) включают в себя микромеханические элементы, исполнительные механизмы и электронику. Микромеханические элементы могут быть изготовлены путем осаждения, травления и/или других процессов микрообработки, при осуществлении которых вытравливают части подложек и/или осажденных слоев материалов или добавляют слои для формирования электрических и электромеханических устройств. Один тип устройства на основе МЭМС называют интерферометрическим модулятором. Интерферометрический модулятор может содержать пару электропроводных пластин, причем одна из них или обе они могут быть прозрачными и/или отражающими полностью или частично и выполненными с возможностью относительного перемещения после приложения соответствующего электрического сигнала. Одна пластина может содержать стационарный слой, осажденный на подложке, другая пластина может содержать металлическую мембрану, отделенную от стационарного слоя воздушным зазором. Такие устройства имеют широкий диапазон применения, и в данной области техники могло бы оказаться выгодным использование и/или модификация характеристик устройств этих типов таким образом, что возникнет возможность использования их конструктивных особенностей при усовершенствовании существующих изделий и создании новых изделий.
Краткое изложение сущности изобретения
Предложены система, способ и устройства, согласно изобретению, причем каждый из объектов имеет несколько аспектов воплощения. Ниже без ограничения объема притязаний изобретения приведено краткое описание наиболее важных признаков. После ознакомления с нижеследующим описанием станет ясно, каким образом признаки настоящего изобретения позволяют получить преимущества по сравнению с известными дисплейными устройствами.
Согласно одному варианту осуществления предложено устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС). Устройство на основе МЭМС содержит подложку и устройство на основе МЭМС, сформированное на подложке. Устройство также содержит объединительную плату и уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и находящееся в контакте с подложкой и объединительной платой, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель.
В другом варианте осуществления предложен способ уплотнения корпуса устройства на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС). Способ включает в себя использование подложки и объединительной платы, причем подложка содержит устройство на основе МЭМС, сформированное на ней. Способ также включает формирование уплотнения вблизи периметра устройства на основе МЭМС, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель. Кроме того, способ обеспечивает скрепление подложки, уплотнения и объединительной платы, и тем самым заключение устройства на основе МЭМС в корпус.
В еще одном варианте осуществления предложен корпус устройства на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), полученный соответствующим способом. Способ включает в себя использование подложки и объединительной платы, причем подложка содержит устройство на основе МЭМС, сформированное на ней. Способ также включает формирование уплотнения вблизи периметра устройства на основе МЭМС, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель. Кроме того, способ обеспечивает скрепление подложки, уплотнения и объединительной платы, и тем самым заключение устройства на основе МЭМС в корпус.
И в еще одном варианте осуществления изобретения предложено устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС). Это устройство содержит пропускающее средство, предназначенное для пропускания через него света, а также модулирующее средство, предназначенное для модуляции света, пропущенного через пропускающее средство. Кроме того, устройство содержит закрывающее средство, предназначенное для закрывания модулирующего средства. Устройство также содержит уплотняющее средство, предназначенное для создания полости путем формирования уплотнения между пропускающим средством и закрывающим средством, причем уплотняющее средство содержит химически активное средство, предназначенное для вступления в химическую реакцию с веществами, которые контактируют с уплотняющим средством.
Краткое описание чертежей
В дальнейшем изобретение поясняется описанием предпочтительных вариантов воплощения со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых:
фиг.1 изображает общий вид части дисплея на основе интерферометрических модуляторов, в котором перемещаемый отражающий слой первого интерферометрического модулятора находится в невозбужденном состоянии, а перемещаемый отражающий слой второго интерферометрического модулятора находится в возбужденном состоянии, согласно изобретению;
фиг.2 - блок-схему электронного устройства, содержащего дисплей на основе, имеющей размер 3×3 матрицы интерферометрических модуляторов, согласно изобретению;
фиг.3 - диаграмму зависимости положения перемещаемого зеркала от приложенного напряжения для одного возможного варианта осуществления интерферометрического модулятора, согласно изобретению;
фиг.4 - напряжения группы строк и столбцов, которые можно использовать для возбуждения дисплея на основе интерферометрических модуляторов, согласно изобретению;
фиг.5А и 5В - возможную временную диаграмму для сигналов строк и столбцов, которые можно использовать для записи кадра данных изображения на дисплее на основе, имеющей размер 3×3 матрицы интерферометрических модуляторов, показанной на фиг.2, согласно изобретению;
фиг.6А - поперечное сечение устройства на фиг.1, согласно изобретению;
фиг.6В - поперечное сечение интерферометрического модулятора (альтернативный вариант осуществления), согласно изобретению;
фиг.6С - поперечное сечение интерферометрического модулятора (другой альтернативный вариант осуществления), согласно изобретению;
фиг.7 - поперечное сечение базовой конструкции корпуса для устройства на основе интерферометрических модуляторов, согласно изобретению;
фиг.8 - поперечное сечение части конструкции корпуса для устройства на основе интерферометрических модуляторов с основным уплотнением и вспомогательным уплотнением, согласно изобретению;
фиг.9 - поперечное сечение части конструкции корпуса для устройства на основе интерферометрических модуляторов с газопоглотительным материалом, расположенным внутри конструкции корпуса вблизи уплотнения, согласно изобретению;
фиг.10А и 10В - блок-схемы системы, иллюстрирующие вариант осуществления дисплейного устройства, содержащего множество интерферометрических модуляторов, согласно изобретению.
Подробное описание предпочтительных вариантов осуществления изобретения
Ниже приводится описание множества вариантов конструкций корпусов для устройств на основе МЭМС, включая усовершенствованные уплотненные конструкции. В одном варианте осуществления устройство на основе МЭМС размещено в корпусе между объединительной пластиной и подложкой, которые удерживаются вместе посредством основного уплотнения. В одном из вариантов осуществления основное уплотнение содержит химически активный газопоглотитель. Как известно в данной области техники, газопоглотитель - это вещество, которое улавливает или связывает другое вещество путем абсорбции, адсорбции или, например, химической реакции. Химически активный газопоглотитель - это газопоглотитель, способный химически реагировать с сорбированным веществом, а не абсорбировать или адсорбировать сорбированное вещество. В других вариантах осуществления конструкция корпуса содержит вспомогательное уплотнение, расположенное вдоль внешней периферии основного уплотнения. В одном варианте осуществления вспомогательное уплотнение содержит, например, гидрофобный материал. В еще одном варианте осуществления конструкция корпуса содержит газопоглотитель, расположенный вблизи внутренней периферии уплотнения и способный поглощать водяной пар или загрязняющие вещества, которые могут попасть внутрь конструкции корпуса. В описанных вариантах осуществления дополнительный газопоглотитель или влагопоглотитель (осушающее вещество) может не потребоваться для удовлетворения требований к желательным параметрам срока службы устройства, смонтированного в корпусе, тем самым обеспечивая уменьшенные размеры и стоимость корпуса.
В описании раскрыты некоторые конкретные варианты осуществления изобретения. Из описания следует, что изобретение можно применить в любом устройстве, предназначенном для отображения изображения либо в движении (например, видеоизображения), либо в статике (например, фотографического изображения), будь то текст или картинка. Предполагается, что изобретение можно воплотить в совокупности электронных устройств или связать с совокупностью электронных устройств, например, но не ограничиваясь этим, в мобильных телефонах, радиоустройствах, персональных цифровых секретарях (ПЦС), карманных или портативных компьютерах, приемниках и/или навигаторах глобальной системы позиционирования (ГСП), съемочных камерах, плеерах стандарта МР3, видеомагнитофонных камерах, игровых консолях, наручных часах, будильниках, калькуляторах, телевизионных мониторах, дисплеях с плоскими экранами, мониторах компьютеров, автомобильных дисплеях (например, дисплеях счетчиков пройденного пути), органах управления и/или дисплеях кабин пилотов, дисплеях кадров съемочной камеры (например, дисплей съемочной камеры заднего обзора в транспортном средстве), электронных фотоаппаратах, электронных рекламных щитах или дорожных знаках, проекционных аппаратах, архитектурных сооружениях, средствах монтажа в корпус и средствах достижения эстетических впечатлений (например, отображения изображений на ювелирном изделии). Устройства на основе МЭМС можно также использовать в приложениях, не связанных с индикацией или отображением, например, в электронных коммутирующих устройствах.
Один вариант осуществления дисплея на основе интерферометрических модуляторов, содержащий интерферометрический элемент дисплея на основе МЭМС, представлен на фиг.1. Пиксели находятся либо в освещенном, либо в затемненном состоянии. В освещенном («включенном» или «открытом») состоянии элемент дисплея отражает большую часть падающего видимого света по направлению к пользователю. Находясь в затемненном («выключенном» или «закрытом») состоянии, элемент дисплея отражает мало падающего света по направлению к пользователю. В зависимости от варианта осуществления светоотражательные свойства во «включенном» и «выключенном» состояниях могут меняться местами. Пиксели при использовании МЭМС можно конфигурировать с возможностью доминирующего отражения на длинах волн выбранных цветов, что позволяет создать цветной дисплей, а не только черно-белый.
На фиг.1 представлен общий вид двух соседних пикселей в ряду пикселей визуального дисплея, при этом каждый пиксель содержит интерферометрический модулятор на основе МЭМС. В некоторых вариантах осуществления дисплей на основе интерферометрических модуляторов содержит матрицу строк и столбцов этих интерферометрических модуляторов. Каждый интерферометрический модулятор содержит пару отражающих слоев, расположенных на изменяемом и регулируемом расстоянии друг от друга, для образования резонансной оптической полости, по меньшей мере, один размер которой является изменяемым. В одном из вариантов осуществления один из отражающих слоев может перемещаться между двумя положениями. В первом положении, называемом невозбужденным положением, перемещаемый слой расположен на относительно большом расстоянии от фиксированного частично отражающего слоя. Во втором положении перемещаемый слой расположен ближе к частично отражающему слою, находясь рядом с ним. Падающий свет, который отражается от обоих слоев, интерферирует конструктивно или деструктивно в зависимости от положения перемещаемого отражающего слоя, вследствие чего получается либо полностью отражающее, либо неотражающее состояние каждого пикселя.
Часть матрицы пикселей (фиг.1) содержит два соседних интерферометрических модулятора 12а и 12b. В интерферометрическом модуляторе 12а, показанном слева, перемещаемый и высокоотражающий слой 14а изображен в невозбужденном состоянии на заранее заданном расстоянии от фиксированного частично отражающего слоя 16а. В интерферометрическом модуляторе 12b, показанном справа, перемещаемый сильно высокоотражающий слой 14b изображен в возбужденном состоянии рядом с фиксированным частично отражающим слоем 16b.
Фиксированные слои 16а, 16b являются электропроводными, частично прозрачными и частично отражающими и могут быть изготовлены, например, путем осаждения одного или более слоев, каждый из которых состоит из хрома и оксида индия-олова, на прозрачную подложку 20. В этих слоях сформированы рисунки с получением параллельных полос, которые могут образовывать электроды строк в дисплейном устройстве, что подробнее описано ниже. Перемещаемые слои 14а, 14b могут быть выполнены в виде множества параллельных полос осажденного слоя металла или осажденных слоев металла (перпендикулярных электродам 16а, 16b строк), которые осаждены поверх столбиков 18, и промежуточного удаляемого материала, осажденного между столбиками 18. Когда удаляемый материал вытравливают, деформируемые слои металла оказываются отделенными от фиксированных слоев металла определенным воздушным зазором 19. Для деформируемых слоев можно использовать материал с высокой электрической проводимостью и высокой отражательной способностью, например алюминий, а полосы могут образовывать электроды столбцов в дисплейном устройстве.
При отсутствии приложенного напряжения полость 19 между слоями 14а, 16а сохраняется, а деформируемый слой находится в механически ненапряженном состоянии, что иллюстрируется пикселем 12а (фиг.1). Однако, когда к выбранным строке и столбцу приложена разность потенциалов, конденсатор, образованный на пересечении электродов строки и столбца в соответствующем пикселе, становится заряженным, и электростатические силы притягивают электроды друг к другу. Если напряжение является достаточно высоким, перемещаемый слой деформируется и принудительно подводится к фиксированному слою (на фиксированном слое можно осадить диэлектрический материал (не показан), чтобы предотвратить короткое замыкание и управлять разделительным расстоянием), что иллюстрируется пикселем 12b справа на фиг.1. Это поведение аналогично и не зависит от полярности приложенной разности потенциалов. Таким образом, возбуждение строки и столбца, которое может обеспечить управление отражающими и неотражающими состояниями отражающих пикселей, оказывается во многом аналогичным тому, которое имеет место в технологиях производства обычных ЖКД и других дисплеев.
На фиг.2-5 представлены один способ и система для использования матрицы интерферометрических модуляторов для дисплея. На фиг.2 представлена блок-схема системы, иллюстрирующая один вариант осуществления электронного устройства. В возможном варианте осуществления электронное устройство содержит процессор 21, который может быть одно- или многокристальным микропроцессором общего назначения, таким как ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® или любым микропроцессором специального назначения, таким как процессор цифровых сигналов, микроконтроллер или программируемая вентильная матрица. Как принято в данной области техники, процессор 21 может быть предназначен для выполнения одного или более модулей программного обеспечения. В дополнение к воплощению операционной системы процессор может быть конфигурирован для выполнения одного или более приложений программного обеспечения, включая web-браузер, телефонное приложение, программу электронной почты или любое другое приложение программного обеспечения.
Процессор 21 также выполнен с возможностью связи с контроллером 22 матрицы. В одном из вариантов осуществления контроллер 22 матрицы содержит схему 24 возбуждения строк и схему 26 возбуждения столбцов, которые формируют сигналы в матрицу 30 пикселей. Поперечное сечение этой матрицы (фиг.1) показано линиями 1-1 на фиг.2. Протокол возбуждения строк и/или столбцов для интерферометрических модуляторов на основе МЭМС может обладать преимуществом наличия гистерезиса у этих устройств (фиг.3). Например, может потребоваться разность потенциалов 10 вольт, чтобы заставить перемещаемый слой деформироваться с переходом из невозбужденного состояния в возбужденное состояние. Вместе с тем, когда напряжение становится меньше этой величины, перемещаемый слой поддерживает свое состояние при падении напряжения ниже 10 вольт. В возможном варианте осуществления (фиг.3) перемещаемый слой не переходит в невозбужденное состояние до тех пор, пока напряжение не падает ниже 2 вольт. Таким образом, существует диапазон напряжений, составляющий от 3 до 7 вольт, в котором есть интервал прикладываемого напряжения, в пределах которого устройство устойчиво в любом - возбужденном или невозбужденном состоянии. Этот интервал называется «интервалом гистерезиса» или «интервалом устойчивости». Для матрицы дисплея, имеющей характеристики гистерезиса, протокол возбуждения строк и/или столбцов можно разработать так, что во время стробирования строк те пиксели в стробируемой строке, которые должны быть возбуждены, подвергаются воздействию разности напряжений около 10 вольт, а пиксели, которые должны остаться невозбужденными, подвергаются воздействию разности напряжений, близкой к нулю вольт. После подачи строб-импульса пиксели подвергаются воздействию разности напряжений установившегося состояния, составляющей около 5 вольт, так что они остаются в том состоянии, в которое переводит их строб-импульс строки. После записи каждый пиксель «видит» разность потенциалов в «интервале устойчивости», размер которого, например, составляет 3-7 вольт. Этот признак делает пиксель (фиг.1) устойчивым в одинаковых условиях приложенного напряжения как в возбужденном, так и в невозбужденном ранее существовавшем состоянии. Поскольку каждый пиксель интерферометрического модулятора в возбужденном или невозбужденном состоянии по существу представляет собой конденсатор, образованный фиксированным и перемещаемым отражающими слоями, это устойчивое состояние можно поддерживать при напряжении, находящемся в пределах интервала гистерезиса, почти без рассеяния мощности. Если приложенный потенциал фиксирован, ток в пикселе почти не протекает.
В типичных приложениях кадр дисплея можно создавать, назначая набор электродов столбцов в соответствии с требуемым набором возбуждаемых пикселей в первой строке. Затем к электроду строки 1 прикладывают импульс строки, возбуждающий пиксели, соответствующие назначенным шинам столбцов. Затем назначенный набор электродов столбцов изменяют в соответствии с требуемым набором возбуждаемых пикселей во второй строке. Затем к электроду строки 2 прикладывают импульс строки, возбуждающий пиксели в строке 2 в соответствии с назначенными электродами столбцов. Импульс строки 2 не влияет на пиксели строки 1, так что они остаются в том состоянии, в котором они находились во время действия импульса строки 1. Этот процесс можно последовательно повторить для всего множества строк, чтобы получить кадр. В общем случае кадры обновляют новыми данными дисплея путем постоянного повторения этого процесса с получением некоторого желательного количества кадров в секунду. Также известно и может быть использовано совместно с настоящим изобретением множество протоколов возбуждения электродов строк и столбцов матриц пикселей, предназначенных для получения кадров дисплея.
На фиг.4 и 5 показан один возможный протокол возбуждения для создания кадра дисплея на имеющей размер 3х3 матрице согласно фиг.2. На фиг.4 показан возможный набор уровней напряжений столбцов и строк, который можно использовать для пикселей, обладающих кривыми гистерезиса согласно фиг.3. В этом варианте осуществления возбуждение пикселей обуславливает установление напряжения -
Vсмещения для соответствующего столбца и установление напряжения + ΔV для соответствующей строки, которые могут составлять -5 вольт и +5 вольт, соответственно. Снятие возбуждения с пикселя достигается путем установления напряжения+Vсмещения для соответствующего столбца и установления того же напряжения+ΔV для соответствующей строки, что приводит к нулевой разности потенциалов на этом пикселе. В тех строках, где напряжение строки поддерживается на уровне нуля вольт, пиксели оказываются устойчивыми, в каком бы состоянии они сначала не находились и безотносительно того, под каким напряжением +Vсмещения или -Vсмещения находится столбец. На фиг.4 также показано, и это следует понять, что можно использовать напряжения, полярность которых противоположна полярности напряжений, описанных выше, например, возбуждение пикселя может предусматривать установление напряжения+Vсмещения для соответствующего столбца и установление напряжения -ΔV для соответствующей строки. В этом варианте осуществления снятие возбуждения с пикселя осуществляется путем установления напряжения -Vсмещения для соответствующего столбца и установления того же напряжения -ΔV для соответствующей строки, что обеспечивает разность потенциалов величиной ноль вольт на пикселе.
На фиг.5 В представлена временная диаграмма, изображающая последовательность сигналов рядов и строк применительно к имеющей размер 3×3 матрице на фиг.2, причем эта диаграмма обуславливает компоновку дисплея, проиллюстрированную на фиг.5А, где возбужденные пиксели являются неотражающими. Перед записью кадра пиксели могут находиться в любом состоянии, и в этом примере все строки находятся под напряжением 0 вольт, а все столбцы - под напряжением +5 вольт. Если приложены такие напряжения, то все пиксели устойчивы в своих возбужденных или невозбужденных состояниях.
На фиг.5А пиксели (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) и (3,3) показаны возбужденными. Чтобы достичь этого, в течение «времени включения шины» для строки 1 устанавливают напряжение -5 вольт для столбцов 1 и 2 и напряжение+5 вольт для столбца 3. Это не изменяет состояние каких-либо пикселей, потому что все пиксели остаются в интервале устойчивости, составляющем 3-7 вольт. Затем строку 1 стробируют импульсом, который сначала обуславливает скачок от 0 до 5 вольт, а затем - обратный скачок до 0 вольт. Это обеспечивает возбуждение пикселей (1,1) и (1,2) и снятие возбуждения с пикселя (1,3). Ни на какие другие пиксели влияние не оказывается. Чтобы установить строку 2 в желаемое состояние, для столбца 2 устанавливают напряжение -5 вольт, а для столбцов 1 и 3 устанавливают напряжение+5 вольт. Такой же строб-импульс, прикладываемый затем к строке 2, возбудит пиксель (2,2) и снимет возбуждение с пикселей (2,1) и (2,3). При этом ни на какие другие пиксели в матрице влияние не оказывается. Установку строки 3 осуществляют точно так же, устанавливая для столбцов 2 и 3 напряжение -5 вольт, а для столбца 1 - напряжение+5 вольт. Строб-импульс строки 3 устанавливает пиксели строки 3 так, как показано на фиг.5А. После записи кадра потенциалы строк становятся нулевыми, а потенциалы столбцов могут остаться на любом из уровней+5 или -5 вольт, после чего дисплей оказывается устойчивым (фиг.5А). Следует понять, что ту же процедуру можно применить для матриц, содержащих десятки или сотни строк и столбцов. В рамках вышеизложенных принципов синхронизацию, последовательность приложения и уровни напряжений, используемых для осуществления возбуждения строк и столбцов, можно изменять в широких пределах, а вышеописанный пример является лишь иллюстративным, и вместе с настоящим изобретением можно использовать любой способ приложения напряжений возбуждения.
Подробности конструкции интерферометрических модуляторов, которые работают в соответствии с принципами, изложенными выше, могут изменяться в широких пределах. Например, на фиг.6А-6С представлены три разных варианта осуществления конструкции перемещаемых зеркал. На фиг.6А представлено поперечное сечение для разных вариантов осуществления, в которых полоса металлического материала 14 расположена на перпендикулярно выступающих столбиках 18. На фиг.6 В показано, что перемещаемый отражающий материал 14 прикреплен к столбикам только по углам на фалах 32. На фиг.6С показано, что перемещаемый отражающий материал 14 свисает с деформируемого слоя 34. Этот вариант осуществления имеет преимущества, заключающиеся в том, что структурную компоновку и выбор материалов, используемых в качестве отражающего материала 14, можно оптимизировать по оптическим свойствам, а структурную компоновку и выбор материалов, используемых в качестве деформируемого слоя 34, можно оптимизировать по требуемым механическим свойствам. Способ изготовления интерферометрических устройств различных типов описан в множестве опубликованных документов, например, в опубликованной заявке на патент 2004/0051929, поданной в США. Для изготовления вышеописанных конструкций можно использовать множество хорошо известных способов, предусматривающих технологическую последовательность, включающую этапы осаждения материала, формирования рисунка и травления.
Перемещаемые части устройства на основе МЭМС, такие как матрица интерферометрических модуляторов, предпочтительно имеют защищенное пространство, внутри которого они перемещаются. Ниже будут подробнее описаны способы установки в корпус устройства на основе МЭМС.Схема базовой конструкции корпуса для устройства на основе МЭМС, такого как матрица интерферометрических модуляторов, изображена на фиг.7 (поперечный разрез). Базовая конструкция 70 корпуса содержит подложку 72 и накладку в виде объединительной платы или «крышку» 74, причем на подложке 72 сформирована матрица 76 интерферометрических модуляторов. Эту крышку 74 также называют «объединительной платой».
Подложка 72 и объединительная плата 74 соединены уплотнением 78, образуя конструкцию 70 корпуса, в котором матрица 76 интерферометрических модуляторов инкапсулирована подложкой 72, объединительной платой 74 и уплотнением 78, при этом между объединительной платой 74 и подложкой 72 образуется полость 79. Уплотнение 78 может быть негерметичным уплотнением, таким как обычный клей на основе эпоксидной смолы. В других вариантах осуществления уплотнение 78 представляет собой полиизобутилен (иногда называемый бутиловым каучуком, а иногда - ПИБ), уплотнительные кольца круглого поперечного сечения, сварной шов между тонкой пленкой и металлом, жидкое стекло, наносимое центрифугированием, припой, полимеры или пластики, помимо других типов уплотнений, которые могут иметь диапазон проницаемости для водяного пара, составляющий около
0,2-4,7 г мм/м2·кПа в сутки. В других вариантах осуществления уплотнение 78 может быть герметичным уплотнением и может содержать, например, металлы, сварные швы и стеклянные припои. Способы формирования герметичного уплотнения включают в себя, например, создание либо предварительно сформированной тонкой пленки металла или припоя, либо лазерную сварку или сварку сопротивлением, а также способы анодного скрепления, при этом получаемая конструкция корпуса может требовать или не требовать наличия влагопоглотителя для соответствия требованиям внутри корпуса.
Уплотнение 78 может быть выполнено в виде замкнутого уплотнения или разомкнутого уплотнения и может быть нанесено или сформировано на подложке 72, объединительной плате 74 либо и на подложке, и на объединительной плате 74 при осуществлении способа монтажа в корпус матрицы 76 интерферометрических модуляторов. Уплотнение 78 может быть нанесено посредством простых поточных технологических процессов, при этом преимущество имеют процессы, проводимые при меньших температурах, тогда как способы сварки и пайки являются высокотемпературными процессами, которые могут повредить конструкцию 70 корпуса и являются относительно дорогостоящими. В некоторых случаях можно воспользоваться способами локального нагрева, чтобы уменьшить температуру процесса и получить жизнеспособное технологическое решение.
В некоторых вариантах осуществления конструкция 70 корпуса содержит газопоглотитель, например, влагопоглотитель 80, предназначенный для уменьшения влаги внутри полости 79. Специалисту в данной области техники ясно, что влагопоглотитель необязателен для герметично уплотненного корпуса, но может оказаться желательным для удаления остаточной влаги внутри корпуса. В одном из вариантов осуществления влагопоглотитель 80 находится между матрицей 76 интерферометрических модуляторов и объединительной пластиной 74. Влагопоглотители можно использовать для корпусов, которые имеют как герметичные, так и негерметичные уплотнения. В корпусах, имеющих герметичное уплотнение, влагопоглотители, как правило, используют для удаления остаточной влаги во внутреннем пространстве корпуса. В корпусах, имеющих негерметичное уплотнение, влагопоглотитель можно использовать для удаления влаги, попадающей в корпус из окружающей среды. В общем случае, любую подложку, которая может улавливать влагу, не мешая проявлению оптических свойств матрицы интерферометрических модуляторов, можно использовать в качестве влагопоглотителя. Материалы, подходящие в качестве газопоглотителей и влагопоглотителей, включают в себя, но не ограничиваются, цеолиты, молекулярные сита, поверхностные адсорбенты, объемные адсорбенты и химические реагенты.
Влагопоглотитель 80 может иметь разные формы, очертания и размеры. Кроме твердой формы влагопоглотитель 80 в альтернативном варианте может иметь форму порошка. Порошки можно засыпать непосредственно в корпус или смешивать их с клеем для нанесения. В альтернативном варианте осуществления влагопоглотитель 80 может иметь форму цилиндра, кольца или листа.
Специалисту в данной области техники ясно, что влагопоглотитель 80 можно наносить разными способами. В одном варианте осуществления влагопоглотитель 80 наносят осаждением как часть матрицы 76 интерферометрических модуляторов. В еще одном варианте осуществления влагопоглотитель 80 наносят внутри корпуса 70 как аэрозоль или погружением.
Подложка 72 может быть выполнена из полупрозрачного или прозрачного материала, способного принимать форму тонкой пленки. Она служит основой для формирования устройств на основе МЭМС. Такие прозрачные вещества содержат стекло, пластик и прозрачные полимеры. Матрица 76 интерферометрических модуляторов может содержать мембранные модуляторы или модуляторы разделительного типа. Специалисту в данной области техники ясно, что объединительная плата 74 может быть выполнена из любого подходящего материала, такого как стекло, металл, фольга, полимер, пластик, керамика или полупроводниковые материалы, например кремний.
Процесс установки в корпус можно осуществлять в вакууме, под давлением в диапазоне от вакуума до давления окружающей среды включительно или под давлением, превышающим давление окружающей среды. Процесс установки в корпус можно также осуществлять в среде изменяемого или управляемого высокого или низкого давления во время создания уплотнения. Это может придать матрице 76 интерферометрических модуляторов в корпусе преимущества совершенно сухой среды, но это не обязательно. Аналогично среда при установке в корпус может быть инертным газом в условиях окружающей среды. Установка в корпус в условиях окружающей среды позволяет удешевить процесс и обеспечивает гибкость в выборе оборудования, потому что устройство можно транспортировать в условиях окружающей среды без вредного влияния на работу устройства.
В общем случае желательно минимизировать проникновение водяного пара в конструкцию 70 корпуса и управлять таким образом средой в полости 79 корпуса, герметично уплотнять ее, гарантируя, что среда останется неизменной. Когда влажность или уровень водяного пара внутри корпуса превышает уровень, за которым поверхностное натяжение водяного пара превышает восстанавливающую силу подвижного элемента (не показан) в матрице 76 интерферометрических модуляторов, этот подвижный элемент может оказаться постоянно прилипшим к поверхности. Поэтому существует необходимость уменьшения уровня влажности внутри корпуса.
В тех вариантах осуществления конструкции 70 корпуса, где уплотнение 78 содержит клей, клеевой компонент в отдельности не может действовать как удовлетворительный барьер для окружающей среды, потому что он в принципе допускает проникновение водяного пара и/или загрязняющих веществ в полость 79 корпуса. Соответственно, в некоторых вариантах осуществления конструкции 70 корпуса предусмотрено наличие газопоглотителя, находящегося внутри корпуса или внедренного в уплотнение 78. Газопоглотитель может иметь свойства поглощения газообразных загрязняющих веществ, которые выделяются из матрицы 76 интерферометрических модуляторов или из компонентов, используемых при установке в корпус, после сборки конструкции 70 корпуса, например, это могут быть вещества, выделившиеся или испарившиеся из клея, присутствующего в уплотнении 78, в полость 79 при отверждении клея. Газопоглотитель может быть химически активным поглотителем, способным вступать в химическую реакцию с конкретными веществами, или газопоглотитель может быть способным к физическому превращению в присутствии конкретного вещества, такого как вода. Например, газопоглотитель может содержать влагопоглотитель, например цеолиты, способные к физическому превращению в контакте с водой или водяным паром. В других вариантах осуществления влагопоглотитель находится внутри корпуса вблизи внутреннего периметра уплотнения 78, что позволяет поглощать водяной пар или загрязняющие вещества внутри корпуса, когда они высвобождаются внутри полости 79, или вещества, которые проникли через уплотнение 78. В еще одном варианте осуществления конструкция 70 корпуса содержит вспомогательное уплотнение, нанесенное на наружную поверхность уплотнения 78, при этом вспомогательное уплотнение содержит гидрофобный материал, способный удерживать водяной пар снаружи конструкции 70 корпуса, или уменьшать скорость проникновения водяного пара в корпус.
В одном варианте осуществления уплотнение 78 содержит химически активный влагопоглотитель для поглощения веществ, проникающих через уплотнение 78 и попадающих в корпус, и/или веществ, которые присутствуют в корпусе во время изготовления или сборки либо высвобождаются во время или после изготовления или сборки. Химически активный газопоглотитель может включать в себя, например, оксид кальция, стронций (Sr), оксид стронция и комплексы алюминия. В некоторых вариантах осуществления уплотнение 78 содержит смесь химически активного газопоглотителя для поглощения или улавливания по существу всех веществ, выделившихся или высвободившихся из уплотняющего материала во время изготовления или сборки, например, из клея во время отверждения. Количество газопоглотительного вещества, входящего в состав уплотнения, может быть ограничено тем количеством, которое не окажет негативного влияния на проницаемость уплотнения, сохраняя способность последнего улавливать вещества, высвободившиеся из уплотняющего материала во время изготовления или сборки конструкции 70 корпуса.
Еще один вариант осуществления конструкции 800 корпуса представлен на фиг.8 и содержит основное уплотнение 802, контактирующее с подложкой 72 и объединительной платой 74, и вспомогательное уплотнение 804, расположенное по внешней периферии 805 основного уплотнения 802. Вспомогательное уплотнение 804 может контактировать с основным уплотнением 802 (фиг.8), либо между вспомогательным уплотнением 804 и основным уплотнением 802 может присутствовать зазор (не показан). В некоторых вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 находится в контакте с основным уплотнением 802, подложкой 72 и объединительной платой 74. Геометрия поперечного сечения вспомогательного уплотнения 804 может не зависеть от материала уплотнения 804, но может зависеть от способа формирования или нанесения уплотнения 804 и не ограничивается той геометрией, которая показана на фиг.8.
В определенных вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 содержит клей, обладающий малой скоростью проникновения, или гидрофобный материал, например политетрафторэтилен или родственные соединения. В некоторых вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 представляет собой полиизобутилен (называемый бутиловым каучуком или ПИБ), уплотнительные кольца круглого поперечного сечения, сварной шов между тонкой пленкой и металлом, жидкое стекло, наносимое центрифугированием, припой, полимеры или пластики либо их комбинации.
В других вариантах осуществления вспомогательное уплотнение 804 содержит дешевый уплотняющий материал без учета его особенностей проникновения, действующий совместно с основным уплотнением 802, уменьшая скорость проникновения водяного пара или других загрязняющих веществ в полость 79 корпуса. Варианты осуществления способа нанесения или формирования вспомогательного уплотнения 804 могут включать в себя внедрение или впечатывание шарика уплотняющего материала, напыление, предварительное формирование, впечатывание или любые другие способы, известные специалистам в данной области техники.
В тех вариантах осуществления, где основное уплотнение содержит газопоглотитель, такой как влагопоглотитель, скорость проникновения водяного пара достигает или приближается к максимальной способности поглощать молекулы воды или вступать с ними в реакцию. Вспомогательное уплотнение 804 преимущественно уменьшает скорость проникновения водяного пара, тем самым продлевая срок службы матрицы 76 интерферометрических модуляторов внутри корпуса. Хотя конструкция 800 корпуса на фиг.8 содержит влагопоглотитель 80, находящийся на объединительной плате 74, варианты осуществления могут предусматривать ее изготовление или сборку без влагопоглотителя 80 либо размещение влагопоглотителя в другом положении.
На фиг.9 представлено поперечное сечение варианта осуществления конструкции 900 корпуса, содержащей газопоглотитель 902, расположенный вблизи внутренней периферии 903 уплотнения 78. Газопоглотитель может содержать, например, цеолиты, молекулярные сита, поверхностные абсорбенты, объемные абсорбенты и химически активные вещества либо их комбинацию. В одном из вариантов осуществления газопоглотитель 902 содержит смесь газопоглотительного материала и клея. Газопоглотитель 902 предпочтительно способен поглощать вещества, такие как водяной пар и загрязняющие вещества, которые проникли через уплотнение 78 из окружающей среды, вещества, выделившиеся или высвободившиеся из уплотнения 78 во время изготовления или сборки, и вещества, находящиеся внутри полости 79 корпуса. Газопоглотитель 902 может находиться в контакте с уплотнением 78, либо между газопоглотителем 902 и уплотнением 78 может быть зазор. Например, в вариантах осуществления, где газопоглотитель 902 увеличивается в размере при насыщении поглощаемым веществом, наличие зазора между газопоглотителем 902 и уплотнением 78 является предпочтительным.
Газопоглотитель 902 имеет по существу прямоугольное поперечное сечение и находится в контакте с подложкой 72 и уплотнением 78. Геометрия поперечного сечения газопоглотителя 902 может отличаться от той, которая показана на фиг.8, и в некоторых случаях зависит от способа формирования или нанесения газопоглотителя 902. В одном из вариантов осуществления газопоглотитель 902 формируют с использованием технологии тонких пленок. Кроме того, газопоглотитель 902 может находиться в контакте с объединительной платой 74 дополнительно к контакту с подложкой 72 или вместо контакта с подложкой 72.
В вариантах, когда уплотнение содержит, например, металлическое уплотнение, загрязняющие вещества могут выделяться или высвобождаться из-за химической реакции во время формирования уплотнения. Например, если уплотнение 78 содержит припой, то во время нанесения или формирования уплотнения либо сборки конструкции 900 корпуса может высвобождаться оксид. Соответственно, газопоглотитель 902 в предпочтительном варианте должен поглощать вещества, выделяющиеся или высвобождающиеся из уплотнения во время нанесения или формирования этого уплотнения либо при сборке корпуса.
В определенных вариантах осуществления конструкция 900 корпуса не содержит влагопоглотитель 80, который присутствует в других конструкциях корпусов, таких как конструкция 70 корпуса (фиг.7). Однако конструкция 900 корпуса может содержать влагопоглотитель 80, не ограничивается конфигурацией, представленной на фиг.9.
В одном из вариантов осуществления газопоглотитель может включать в себя оксид кальция или алюмосиликаты, например алюмосиликат натрия. В еще одном варианте осуществления газопоглотитель может включать минералы структуры микропористых силикатов. В качестве газопоглотителя могут найти применение активные компоненты, которые не являются цеолитами и могут действовать как абсорбирующие фильтры на молекулярном уровне. Вышеупомянутые клеи могут включать в себя клей с малыми скоростями газовыделения или клей с различными скоростями газовыделения.
Специалисту в данной области техники ясно, что количество материала для уплотнения или количество газопоглотителя либо гидрофобного материала может зависеть от оценочного количества влаги или загрязняющих газообразных веществ, которые нужно удалить из конструкции корпуса в течение требуемого срока службы. Количество материала для уплотнения 78 или количество газопоглотителя либо гидрофобного материала и в случае внедрения в уплотнение 78, и в случае нахождения внутри или снаружи полости 79 или конструкции 900 корпуса зависит не только от количества влаги или загрязняющих газообразных веществ внутри корпуса во время его формирования, но и от скорости проникновения через уплотнение 78 и потенциала газовыделения корпусных компонентов.
В некоторых вариантах осуществления уплотнение 78 предпочтительно выполнено, например, с использованием тонких пленок толщиной в диапазоне от 100 до 300 мкм, от 10 до 30 мкм, или составляет около 50 мкм. Толщина уплотнения 78 и количество газопоглотителя, внедренного в уплотнение 78 или введенного в полость 79 корпуса, или объем вспомогательного уплотнения вблизи внешней периферии уплотнения 78 будут зависеть от различных факторов, таких как требуемый срок службы устройства, установленного в корпусе, компоненты материала уплотнения 78, количество загрязняющих веществ и влаги, которые, судя по оценкам, будут проникать в корпус во время срока службы, прогнозируемый уровень влажности окружающей среды для конструкции 900 корпуса, а также от того, будет ли находиться дополнительный газопоглотитель или влагопоглотитель 80 внутри корпуса.
Как указано выше, конструкции 900 корпуса могут включать или не включать в себя влагопоглотитель 80 (фиг.7). Например, если уплотнение 78 содержит газопоглотитель, и если вспомогательное уплотнение сформировано вблизи внешней периферии уплотнения 78, либо если газопоглотитель расположен вблизи внутренней периферии уплотнения 78, дополнительный влагопоглотитель внутри корпуса может и не потребоваться для достижения требуемого срока службы устройства, смонтированного в корпусе. В вариантах осуществления, где конструкция корпуса не должна содержать влагопоглотитель 80, оказывается возможным уменьшение размеров корпуса и соответственно затрат.
В некоторых вариантах осуществления газопоглотитель содержит цеолиты. Цеолиты могут абсорбировать молекулы воды при относительно высоких температурах. Цеолиты могут улавливать и удерживать влагу и газообразные загрязняющие вещества в своих порах. Специалисту в данной области техники ясно, что в качестве материала уплотнения 78, который должен абсорбировать другие загрязняющие вещества, можно выбирать цеолиты, имеющие другие размеры пор. В некоторых вариантах осуществления газопоглотитель включает в себя цеолиты, которые выбраны для абсорбирования молекул загрязняющих веществ, например, это могут быть ароматические углеводороды с разветвленными цепями, имеющие критические диаметры до десяти ангстрем. В еще одном варианте осуществления могут быть выбраны цеолиты, имеющие размеры пор в диапазоне от двух до трех ангстрем, например, для удаления молекул загрязняющих веществ, имеющих диаметры менее двух ангстрем, таких как молекулы водорода и воды. В еще одном варианте осуществления можно использовать цеолиты, имеющие размер пор около пятидесяти ангстрем, для поглощения молекул азота и диоксида углерода. Специалисты в данной области техники поймут, что уплотнение 78 и газопоглотители или гидрофобные материалы, используемые внутри и снаружи конструкции корпуса, могут содержать смесь цеолитов или других материалов, специально разработанных для газопоглощения или выполняющих такую функцию и имеющих различные размеры пор.
На фиг.10А и 10В представлены блок-схемы системы, иллюстрирующие еще один вариант осуществления дисплейного устройства 2040. Дисплейное устройство 2040 может быть, например, сотовым или мобильным телефоном. Однако, те же самые или немного измененные элементы дисплейного устройства 2040 могут служить для иллюстрации различных типов дисплейных устройств, таких как телевизионные приемники и портативные медиаплееры.
Дисплейное устройство 2040 содержит корпус 2041, дисплей 2030, антенну 2043, динамик 2045, устройство 2048 ввода и микрофон 2046. Корпус 2041 в общем случае изготовлен различными способами, которые известны специалистам в данной области техники, включая литьевое формование и вакуумное формование. Кроме того, корпус 2041 может быть выполнен из множества материалов, включая, но не ограничиваясь этим, пластмассу, стекло, резину и керамику или их комбинацию. В одном из вариантов осуществления корпус 2041 содержит съемные детали (не показаны), которые могут быть взаимозаменяемыми с другими съемными деталями другого цвета, либо содержащими другие логотипы, изображения или символы.
Дисплей 2030 дисплейного устройства 2040 может быть любым из множества дисплеев, включая дисплей с двумя устойчивыми состояниями, описываемый здесь. В одном варианте осуществления дисплей 2030 включает в себя дисплей с плоским экраном, например, плазменный, электролюминесцентный, на органических светодиодах, ЖКД на нематических кристаллах или ЖКД на тонкопленочных транзисторах, который описан выше, либо дисплей с неплоским экраном, например, электронно-лучевая трубка или любое другое электровакуумное устройство, хорошо известное специалистам в данной области техники.
Элементы дисплейного устройства 2040 в варианте его осуществления схематически представлены на фиг.10В. Дисплейное устройство 2040 содержит корпус 2041 и может содержать дополнительные элементы, по меньшей мере часть которых размещена в корпусе. Например, дисплейное устройство 2040 содержит сетевой интерфейс 2027, который включает в себя антенну 2043, подключенную к приемопередатчику 2047. Приемопередатчик 2047 соединен с процессором 2021, который соединен с аппаратным средством 2052 приведения к требуемым условиям, которое может быть конфигурировано с возможностью приведения к требуемым условиям некоторого сигнала (например, фильтрации некоторого сигнала). Аппаратное средство 2052 приведения к требуемым условиям соединено с динамиком 2045 и микрофоном 2046. Процессор 2021 также соединен с устройством 2048 ввода и контроллером 2029 возбуждения. Контроллер 2029 возбуждения подключен к буферу 2028 кадров и к схеме 2022 возбуждения матрицы, которая в свою очередь подключена к матрице 2030 дисплея. Источник 2050 питания предназначен для подачи электропитания ко всем элементам дисплейного устройства 2040.
Сетевой интерфейс 2027 содержит антенну 2043 и приемопередатчик 2047, так что дисплейное устройство 2040 может осуществлять связь с одним или несколькими устройствами через сеть. В одном из вариантов осуществления сетевой интерфейс 2027 также может быть наделен некоторыми функциональными возможностями обработки, чтобы сделать менее жесткими требования к процессору 2021. Антенна 2043 представляет собой антенну, известную специалистам в области передачи и приема сигналов. Антенна передает и принимает ВЧ-сигналы, соответствующие стандарту IEEE 802/11, включая IEEE 802/11(a), (b) или (g). В еще одном варианте осуществления антенна передает и принимает ВЧ-сигналы, соответствующие стандарту BLUETOOTH. В случае сотового телефона антенна предназначена для приема сигналов, соответствующих стандартам множественного доступа с кодовым разделением каналов (МДКРК), Глобальной системы позиционирования (ГСП), усовершенствованной мобильной телефонной связи (УМТС) или других известных сигналов, используемых для связи в беспроводной сотовой телефонной сети. Приемопередатчик 2047 предварительно обрабатывает сигналы, принимаемые от антенны 2043, так что процессор 2021 может принимать их и проводить с ними дальнейшие манипуляции. Приемопередатчик 2047 также обрабатывает сигналы, принимаемые от процессора 2021, вследствие чего их можно передавать из возможного устройства 2040, содержащего индикатор, через антенну 2043.
В альтернативном варианте осуществления приемопередатчик 2047 может быть заменен приемником. В еще одном варианте осуществления сетевой интерфейс 2027 может быть заменен источником изображений, который может хранить или генерировать данные изображений, посылаемые в процессор 2021. Например, источник изображений может быть цифровым видеодиском (ЦВД) или дисководом на жестких дисках, который содержит данные изображения или модуль программного обеспечения, который генерирует данные изображений.
Процессор 2021 в общем случае управляет всей работой возможного дисплейного устройства 2040. Процессор 2021 принимает данные, например, сжатые данные изображения из сетевого интерфейса 2027 или источника изображения и обрабатывает эти данные с получением исходных данных изображения или формата, который легко обрабатывается с получением исходных данных изображения. Затем процессор 2021 посылает обработанные данные в контроллер 2029 возбуждения или в буфер 2028 кадров для хранения. Исходными данными обычно называют информацию, которая идентифицирует характеристики изображения для каждой точки в изображении. Например, такие характеристики изображения могут включать в себя цвет, насыщение и уровень серого.
Процессор 2021 содержит микроконтроллер, центральный процессор или логический блок для управления работой возможного дисплейного устройства 2040. Аппаратное средство 2052 приведения к требуемым условиям в общем случае содержит усилители и фильтры для передачи сигналов в динамик 2045 и для приема сигналов из микрофона 2046. Аппаратное средство 2052 приведения к требуемым условиям может быть воплощено в форме дискретных элементов внутри дисплейного устройства 2040, либо может быть встроено внутрь процессора 2021 или других компонентов.
Контроллер 2029 возбуждения принимает исходные данные изображения, генерируемые процессором 2021, либо непосредственно из процессора 2021, либо из буфера 2028 кадров, и надлежащим образом переформатирует исходные данные изображения для высокоскоростной передачи в схему 2022 возбуждения матрицы. В частности, контроллер 2029 возбуждения переформатирует исходные данные изображения в поток данных, имеющий растрообразный формат, так что он имеет временной порядок, подходящий для сканирования по матрице 2030 дисплея. Затем контроллер 2029 возбуждения посылает отформатированную информацию в схему 2022 возбуждения матрицы. Хотя контролер 2029 возбуждения, например контроллер ЖКД, часто связан с процессором 2021 системы, таким как автономная интегральная схема (ИС), эти контроллеры могут быть воплощены различным образом. Они могут быть внедрены в процессор 2021 как аппаратные средства, внедрены в процессор 2021 как программные средства или полностью интегрированы как аппаратные средства с помощью схемы 2022 возбуждения матрицы.
Как правило, схема 2022 возбуждения матрицы принимает отформатированную информацию из контроллера 2029 возбуждения и переформатирует видеоданные в параллельный набор сигналов, которые много раз в секунду прикладываются к сотням, а иногда тысячам проводников, идущих от реализованной в координатах «х-у» матрицы пикселей дисплея.
В одном из вариантов осуществления контроллер 2029 возбуждения, схема 2022 возбуждения матрицы и матрица 2030 дисплея подходят для любого из типов описываемых здесь дисплеев. Например, контроллер 2029 возбуждения является контроллером обычного дисплея или контроллером дисплея с двумя устойчивыми состояниями (например, контроллером на основе интерферометрических модуляторов). В еще одном варианте осуществления схема 2022 возбуждения матрицы является схемой возбуждения обычного дисплея или схемой возбуждения дисплея с двумя устойчивыми состояниями (например, дисплея на основе интерферометрических модуляторов). В одном из вариантов осуществления контроллер 2029 возбуждения выполнен за одно целое со схемой 2022 возбуждения матрицы. Такой вариант осуществления является обычным в системах с высокой степенью интеграции, таких как сотовые телефоны, наручные часы и другие дисплеи с малой площадью изображения. В еще одном варианте осуществления матрица 2030 дисплея является матрицей типичного дисплея или матрицей дисплея с двумя устойчивыми состояниями (например, дисплея, включающего в себя матрицу интерферометрических модуляторов).
Устройство 2048 ввода позволяет пользователю управлять работой дисплейного устройства 2040. Устройство 2048 ввода содержит клавиатуру, например, клавиатуру стандарта QWERTY или клавиатуру телефона, кнопку, переключатель, сенсорный экран, нажимную или теплочувствительную мембрану. Микрофон 2046, например, является устройством ввода для дисплейного устройства 2040. Когда микрофон 2046 используют для ввода данных в устройство, пользователь может выдавать речевые команды для управления операциями дисплейного устройства 2040.
Источник 2050 питания может включать в себя совокупность устройств, аккумулирующих энергию, которые хорошо известны в данной области техники. Например, источник 2050 питания представляет собой аккумуляторную батарею, такую как никель-кадмиевая батарея или ионно-литиевая батарея. В еще одном варианте осуществления источник 2050 питания представляет собой возобновляемый источник энергии, конденсатор или солнечный элемент, включая солнечный элемент из пластмассы, и краску для солнечных элементов. В еще одном варианте осуществления источник 2050 питания конфигурирован с возможностью подключения к настенной розетке.
В некоторых случаях функциональные возможности программируемости управления, как описано выше, заложены в контроллере возбуждения, который может находиться в нескольких местах в электронной системе дисплея. В некоторых случаях программируемость управления обеспечивается в схеме 2022 возбуждения матрицы. Специалистам в данной области техники ясно, что вышеописанную оптимизацию можно воплотить в любом количестве компонентов аппаратных средств и/или программных средств и в различных конфигурациях.
В вышеизложенном описании подробно рассмотрены некоторые варианты осуществления изобретения. Однако изобретение можно воплотить на практике различными путями.
Claims (41)
1. Система для монтажа в корпус устройств на основе
микроэлектромеханических систем (MEMS), содержащая
подложку,
устройство на основе МЭМС, сформированное на подложке,
объединительную плату,
уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и контактирующее с подложкой и объединительной платой,
причем указанное уплотнение содержит
клей,
химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней периферии уплотнения.
микроэлектромеханических систем (MEMS), содержащая
подложку,
устройство на основе МЭМС, сформированное на подложке,
объединительную плату,
уплотнение, расположенное вблизи периметра устройства на основе МЭМС и контактирующее с подложкой и объединительной платой,
причем указанное уплотнение содержит
клей,
химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней периферии уплотнения.
2. Система по п.1, отличающаяся тем, что уплотнение содержит некоторое количество химически активного газопоглотителя, достаточное для поглощения по существу всех веществ, выделившихся из уплотнения при изготовлении или сборке.
3. Система по п.1, отличающаяся тем, что химически активный газопоглотитель содержит вещество, выбранное из группы, состоящей из оксида кальция, стронция, оксида стронция и комплекса алюминия.
4. Система по п.1, отличающаяся тем, что устройство на основе МЭМС содержит интерферометрический модулятор.
5. Система по п.1, отличающаяся тем, что подложка содержит прозрачную подложку.
6. Система по п.5, отличающаяся тем, что прозрачная подложка содержит стекло.
7. Система по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит вспомогательное уплотнение, расположенное вблизи упомянутого уплотнения.
8. Система по п.7, отличающаяся тем, что вспомогательное уплотнение расположено у внешней периферии упомянутого уплотнения.
9. Система по п.7, отличающаяся тем, что вспомогательное уплотнение расположено у внутренней периферии упомянутого уплотнения.
10. Система по п.7, отличающаяся тем, что вспомогательное уплотнение содержит гидрофобный материал.
11. Система по п.1, отличающаяся тем, что химически активный газопоглотитель содержит влагопоглотитель.
12. Система по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит
процессор, электрически связанный с устройством на основе МЭМС, причем процессор выполнен с возможностью обработки данных изображения,
запоминающее устройство, электрически связанное с процессором.
процессор, электрически связанный с устройством на основе МЭМС, причем процессор выполнен с возможностью обработки данных изображения,
запоминающее устройство, электрически связанное с процессором.
13. Система по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит схему возбуждения, выполненную с возможностью направления по меньшей мере одного сигнала в устройство на основе МЭМС.
14. Система по п.13, отличающаяся тем, что дополнительно содержит контроллер, обеспечивающий направление по меньшей мере части данных изображения в схему возбуждения.
15. Система по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит модуль источника изображения, предназначенный для направления данных изображения в процессор.
16. Система по п.15, отличающаяся тем, что модуль источника изображения содержит по меньшей мере один компонент, выбранный из группы, состоящей из приемника, приемопередатчика и передатчика.
17. Система по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит устройство ввода, выполненное с возможностью ввода данных и передачи вводимых данных в процессор.
18. Способ уплотнения корпуса устройства на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), заключающийся в том, что используют подложку и объединительную плату, причем положка содержит сформированное на ней устройство на основе МЭМС, формируют уплотнение вблизи периметра устройства на основе МЭМС, причем уплотнение содержит химически активный газопоглотитель, находящийся в контакте с уплотнением по внутренней переферии уплотнения, и
скрепляют между собой подложку, уплотнение и объединительную плату, тем самым заключают устройство на основе МЭМС в корпус.
скрепляют между собой подложку, уплотнение и объединительную плату, тем самым заключают устройство на основе МЭМС в корпус.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют уплотнение, содержащее некоторое количество указанного химически активного газопоглотителя, достаточное для поглощения по существу всех веществ, выделившихся из уплотнения, по меньшей мере, при изготовлении или сборке.
20. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют уплотнение, содержащее клей.
21. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют химически активный газопоглотитель, содержащий по меньшей мере одно вещество, выбранное из группы, состоящей из оксида кальция, стронция, оксида стронция и комплекса алюминия.
22. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют устройство на основе МЭМС, содержащее интерферометрический модулятор.
23. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют подложку, содержащую прозрачную подложку.
24. Способ по п.18, отличающийся тем, что дополнительно осуществляют формирование вспомогательного уплотнения вблизи упомянутого уплотнения.
25. Способ по п.24, отличающийся тем, что вспомогательное уплотнение формируют у внешней периферии упомянутого уплотнения.
26. Способ по п.24, отличающийся тем, что вспомогательное уплотнение формируют у внутренней периферии упомянутого уплотнения.
27. Способ по п.24, отличающийся тем, что используют вспомогательное уплотнение, содержащее гидрофобный материал.
28. Способ по п.18, отличающийся тем, что используют газопоглотитель, содержащий влагопоглотитель.
29. Система для монтажа в корпус устройств на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), изготовленная способом по п.18.
30. Устройство на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), содержащее
пропускающее средство, предназначенное для пропускания через него света,
модулирующее средство, предназначенное для модуляции света, пропущенного через пропускающее средство,
закрывающее средство, предназначенное для закрывания модулирующего средства,
уплотняющее средство, предназначенное для формирования полости между пропускающим средством и закрывающим средством, причем уплотняющее средство содержит химически активное средство для химического взаимодействия с веществами, которые контактируют с уплотняющим средством, при этом химически активное средство находится в контакте с уплотняющим средством по внутренней переферии уплотняющего средства.
пропускающее средство, предназначенное для пропускания через него света,
модулирующее средство, предназначенное для модуляции света, пропущенного через пропускающее средство,
закрывающее средство, предназначенное для закрывания модулирующего средства,
уплотняющее средство, предназначенное для формирования полости между пропускающим средством и закрывающим средством, причем уплотняющее средство содержит химически активное средство для химического взаимодействия с веществами, которые контактируют с уплотняющим средством, при этом химически активное средство находится в контакте с уплотняющим средством по внутренней переферии уплотняющего средства.
31. Устройство по п.30, отличающееся тем, что передающее средство содержит прозрачную подложку.
32. Устройство по п.30, отличающееся тем, что модулирующее средство содержит интерферометрический модулятор.
33. Устройство по п.30, отличающееся тем, что закрывающее средство содержит объединительную плату.
34. Устройство по п.30, отличающееся тем, что уплотняющее средство содержит клей.
35. Устройство по п.30, отличающееся тем, что химически активное средство содержит химически активный газопоглотитель.
36. Устройство по п.35, отличающееся тем, что уплотняющее средство содержит некоторое количество газопоглотителя, достаточное для поглощения по существу всех веществ, выделившихся из уплотнения, по меньшей мере, при изготовлении и сборке.
37. Устройство по п.35, отличающееся тем, что химически активный газопоглотитель содержит по меньшей мере одно вещество, выбранное из группы, состоящей из оксида кальция, стронция, оксида стронция и комплекса алюминия.
38. Устройство по п.30, отличающееся тем, что дополнительно содержит вспомогательное уплотнение, сформированное вокруг периферии упомянутого уплотняющего средства.
39. Устройство по п.38, отличающееся тем, что вспомогательное уплотнение содержит гидрофобный материал.
40. Устройство по п.38, отличающееся тем, что вспомогательное уплотнение сформировано вокруг внутренней периферии уплотняющего средства.
41. Устройство по п.38, отличающееся тем, что вспомогательное уплотнение сформировано вокруг внешней периферии уплотняющего средства.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61347604P | 2004-09-27 | 2004-09-27 | |
US60/613,476 | 2004-09-27 | ||
US11/102,554 US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2005-04-08 | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US11/102,554 | 2005-04-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2005129946A RU2005129946A (ru) | 2007-04-10 |
RU2379227C2 true RU2379227C2 (ru) | 2010-01-20 |
Family
ID=35482159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005129946/28A RU2379227C2 (ru) | 2004-09-27 | 2005-09-26 | Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20060076634A1 (ru) |
EP (1) | EP1640327A3 (ru) |
JP (1) | JP2006121052A (ru) |
KR (1) | KR20060092914A (ru) |
AU (1) | AU2005204607A1 (ru) |
BR (1) | BRPI0503873A (ru) |
CA (1) | CA2519656A1 (ru) |
MX (1) | MXPA05010246A (ru) |
RU (1) | RU2379227C2 (ru) |
SG (2) | SG121122A1 (ru) |
TW (1) | TW200620590A (ru) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100386849B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2003-06-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시장치의 정전방전 방지회로 |
US7109092B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-09-19 | Ziptronix, Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US7405924B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate |
KR100807484B1 (ko) * | 2004-10-07 | 2008-02-25 | 삼성전기주식회사 | 소수성 물질층을 구비한 mems 패키지 |
JP4453546B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-04-21 | 日産自動車株式会社 | パッケージ素子 |
US7485968B2 (en) | 2005-08-11 | 2009-02-03 | Ziptronix, Inc. | 3D IC method and device |
JP4820816B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 微小電気機械素子およびこれを用いた電気機械スイッチ |
US7561334B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-07-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for reducing back-glass deflection in an interferometric modulator display device |
US20070243662A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-10-18 | Johnson Donald W | Packaging of MEMS devices |
US7781697B2 (en) * | 2006-04-10 | 2010-08-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-display and methods |
WO2007120887A2 (en) | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | Packaging a mems device using a frame |
EP2029473A2 (en) * | 2006-06-21 | 2009-03-04 | Qualcomm Incorporated | Method for packaging an optical mems device |
DE102006029849A1 (de) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Nanoscape Ag | Beschichtetes Molekularsieb |
FR2922203B1 (fr) * | 2007-10-15 | 2009-11-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure ayant un cordon de scellement ajoure et structure obtenue. |
DE112008002554B4 (de) * | 2007-10-15 | 2018-05-09 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Elements auf einem Substrat |
US8349635B1 (en) * | 2008-05-20 | 2013-01-08 | Silicon Laboratories Inc. | Encapsulated MEMS device and method to form the same |
US20090323170A1 (en) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Groove on cover plate or substrate |
US20100020382A1 (en) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Spacer for mems device |
DE102008060796B4 (de) | 2008-11-18 | 2014-01-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Ausbilden einer Mikro-Oberflächenstruktur sowie zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauelements, Mikro-Oberflächenstruktur sowie mikroelektromechanisches Bauelement mit einer solchen Struktur |
US8410690B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-04-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with desiccant |
FR2950877B1 (fr) * | 2009-10-07 | 2012-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure a cavite comportant une interface de collage a base de materiau getter |
US8379392B2 (en) * | 2009-10-23 | 2013-02-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light-based sealing and device packaging |
JP5911144B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2016-04-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 微小機械システム |
TWI443784B (zh) | 2010-07-29 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 |
DE102010036217B4 (de) * | 2010-08-27 | 2014-02-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Mikrosystems |
FR2967150A1 (fr) * | 2010-11-09 | 2012-05-11 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de réalisation de substrat a couches enfouies de matériau getter |
TWI528608B (zh) | 2011-11-21 | 2016-04-01 | 財團法人工業技術研究院 | 環境敏感電子元件之封裝體 |
KR20130065219A (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8735219B2 (en) | 2012-08-30 | 2014-05-27 | Ziptronix, Inc. | Heterogeneous annealing method and device |
US9018715B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-04-28 | Silicon Laboratories Inc. | Gas-diffusion barriers for MEMS encapsulation |
EP2973685B1 (en) * | 2013-03-13 | 2018-01-17 | Robert Bosch GmbH | Mems device having a getter |
US9479138B2 (en) | 2013-05-24 | 2016-10-25 | Epcos Ag | Microelectromechanical systems device package and method for producing the microelectromechanical systems device package |
US9416003B2 (en) | 2014-02-24 | 2016-08-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor die with high pressure cavity |
US20150262902A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Invensas Corporation | Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture |
US20160140685A1 (en) * | 2014-11-17 | 2016-05-19 | Pixtronix, Inc. | Display including sensors |
US11069734B2 (en) | 2014-12-11 | 2021-07-20 | Invensas Corporation | Image sensor device |
US9741620B2 (en) | 2015-06-24 | 2017-08-22 | Invensas Corporation | Structures and methods for reliable packages |
US9953941B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-04-24 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Conductive barrier direct hybrid bonding |
US9852988B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-12-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Increased contact alignment tolerance for direct bonding |
US10446532B2 (en) | 2016-01-13 | 2019-10-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Systems and methods for efficient transfer of semiconductor elements |
US10204893B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-02-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked dies and methods for forming bonded structures |
TWI612281B (zh) | 2016-09-26 | 2018-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 干涉分光元件封裝裝置 |
US10446487B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-10-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interface structures and methods for forming same |
US10580735B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-03-03 | Xcelsis Corporation | Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die |
US10002844B1 (en) | 2016-12-21 | 2018-06-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
KR20230156179A (ko) | 2016-12-29 | 2023-11-13 | 아데이아 세미컨덕터 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 | 집적된 수동 컴포넌트를 구비한 접합된 구조체 |
TWI738947B (zh) | 2017-02-09 | 2021-09-11 | 美商英帆薩斯邦德科技有限公司 | 接合結構與形成接合結構的方法 |
WO2018169968A1 (en) | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Invensas Corporation | Direct-bonded led arrays and applications |
US10508030B2 (en) | 2017-03-21 | 2019-12-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Seal for microelectronic assembly |
US10784191B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-09-22 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interface structures and methods for forming same |
US10879212B2 (en) | 2017-05-11 | 2020-12-29 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Processed stacked dies |
US10217720B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-02-26 | Invensas Corporation | Multi-chip modules formed using wafer-level processing of a reconstitute wafer |
FR3069476A1 (fr) * | 2017-07-31 | 2019-02-01 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de realisation d'une piece moulee dotee d'au moins un dispositif electromecanique |
US10840205B2 (en) | 2017-09-24 | 2020-11-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing for hybrid bonding |
US11380597B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-07-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
US10923408B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-02-16 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Cavity packages |
US10830787B2 (en) * | 2018-02-20 | 2020-11-10 | General Electric Company | Optical accelerometers for use in navigation grade environments |
US11169326B2 (en) | 2018-02-26 | 2021-11-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects |
US10165667B1 (en) | 2018-03-14 | 2018-12-25 | Microsoft Technologies Licensing, LLC | Computing system with superconducting and non-superconducting components located on a common substrate |
US11056348B2 (en) | 2018-04-05 | 2021-07-06 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonding surfaces for microelectronics |
US11004757B2 (en) | 2018-05-14 | 2021-05-11 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
US11276676B2 (en) | 2018-05-15 | 2022-03-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked devices and methods of fabrication |
WO2019241417A1 (en) | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Tsv as pad |
US11393779B2 (en) | 2018-06-13 | 2022-07-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Large metal pads over TSV |
US11664357B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-30 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics |
US11158606B2 (en) | 2018-07-06 | 2021-10-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Molded direct bonded and interconnected stack |
US11462419B2 (en) | 2018-07-06 | 2022-10-04 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Microelectronic assemblies |
US11515291B2 (en) | 2018-08-28 | 2022-11-29 | Adeia Semiconductor Inc. | Integrated voltage regulator and passive components |
US11011494B2 (en) | 2018-08-31 | 2021-05-18 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics |
US11158573B2 (en) | 2018-10-22 | 2021-10-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interconnect structures |
WO2020150159A1 (en) | 2019-01-14 | 2020-07-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
US11901281B2 (en) | 2019-03-11 | 2024-02-13 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structures with integrated passive component |
US11296053B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics |
US11762200B2 (en) | 2019-12-17 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded optical devices |
US11631647B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-04-18 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Integrated device packages with integrated device die and dummy element |
US11728273B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-08-15 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
US11764177B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
US11264357B1 (en) | 2020-10-20 | 2022-03-01 | Invensas Corporation | Mixed exposure for large die |
Family Cites Families (328)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2534846A (en) | 1946-06-20 | 1950-12-19 | Emi Ltd | Color filter |
DE1288651B (de) | 1963-06-28 | 1969-02-06 | Siemens Ag | Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
FR1603131A (ru) * | 1968-07-05 | 1971-03-22 | ||
US3653741A (en) * | 1970-02-16 | 1972-04-04 | Alvin M Marks | Electro-optical dipolar material |
US3813265A (en) | 1970-02-16 | 1974-05-28 | A Marks | Electro-optical dipolar material |
US3704806A (en) * | 1971-01-06 | 1972-12-05 | Le T Im Lensoveta | Dehumidifying composition and a method for preparing the same |
JPS5836030B2 (ja) * | 1972-11-02 | 1983-08-06 | 株式会社クラレ | セツチヤクザイソセイブツ |
DE2336930A1 (de) | 1973-07-20 | 1975-02-06 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator (ii.) |
US4036360A (en) * | 1975-11-12 | 1977-07-19 | Graham Magnetics Incorporated | Package having dessicant composition |
US4074480A (en) * | 1976-02-12 | 1978-02-21 | Burton Henry W G | Kit for converting single-glazed window to double-glazed window |
US4099854A (en) | 1976-10-12 | 1978-07-11 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption |
DE2802728C2 (de) | 1977-01-24 | 1984-03-15 | Sharp K.K., Osaka | Elektrochrome Anzeigezelle |
US4389096A (en) | 1977-12-27 | 1983-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus of liquid crystal valve projection type |
US4663083A (en) | 1978-05-26 | 1987-05-05 | Marks Alvin M | Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics |
US4445050A (en) * | 1981-12-15 | 1984-04-24 | Marks Alvin M | Device for conversion of light power to electric power |
US4431691A (en) * | 1979-01-29 | 1984-02-14 | Tremco, Incorporated | Dimensionally stable sealant and spacer strip and composite structures comprising the same |
US4228437A (en) | 1979-06-26 | 1980-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror |
NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
FR2486349A1 (fr) * | 1980-07-03 | 1982-01-08 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede et moyen de protection des aeronefs contre les perturbations d'origine electrostatique |
US4377324A (en) * | 1980-08-04 | 1983-03-22 | Honeywell Inc. | Graded index Fabry-Perot optical filter device |
US4441791A (en) * | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
US4400870A (en) * | 1980-10-06 | 1983-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Method of hermetically encapsulating a semiconductor device by laser irradiation |
FR2506026A1 (fr) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Radant Etudes | Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence |
NL8103377A (nl) | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
US4571603A (en) * | 1981-11-03 | 1986-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror electrostatic printer |
NL8200354A (nl) | 1982-02-01 | 1983-09-01 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
US4500171A (en) * | 1982-06-02 | 1985-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Process for plastic LCD fill hole sealing |
JPS596842U (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止用キヤツプ |
JPS5918136A (ja) | 1982-07-16 | 1984-01-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 断熱被覆発泡ガラス成形体 |
US4482213A (en) | 1982-11-23 | 1984-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs |
US4710732A (en) | 1984-07-31 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4566935A (en) * | 1984-07-31 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4662746A (en) | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5061049A (en) | 1984-08-31 | 1991-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5096279A (en) * | 1984-08-31 | 1992-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4596992A (en) | 1984-08-31 | 1986-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Linear spatial light modulator and printer |
US4615595A (en) | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
US5172262A (en) * | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5835255A (en) | 1986-04-23 | 1998-11-10 | Etalon, Inc. | Visible spectrum modulator arrays |
GB8610129D0 (en) | 1986-04-25 | 1986-05-29 | Secr Defence | Electro-optical device |
US4748366A (en) | 1986-09-02 | 1988-05-31 | Taylor George W | Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects |
US4786128A (en) | 1986-12-02 | 1988-11-22 | Quantum Diagnostics, Ltd. | Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction |
JPH02503713A (ja) * | 1987-06-04 | 1990-11-01 | ルコツ バルター | 光学的な変調及び測定方法 |
US4977009A (en) * | 1987-12-16 | 1990-12-11 | Ford Motor Company | Composite polymer/desiccant coatings for IC encapsulation |
US4956619A (en) | 1988-02-19 | 1990-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US4856863A (en) | 1988-06-22 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Optical fiber interconnection network including spatial light modulator |
US5028939A (en) | 1988-08-23 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator system |
US4950344A (en) * | 1988-12-05 | 1990-08-21 | Lauren Manufacturing Company | Method of manufacturing multiple-pane sealed glazing units |
US4982184A (en) * | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
US5287096A (en) * | 1989-02-27 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Variable luminosity display system |
US5446479A (en) | 1989-02-27 | 1995-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Multi-dimensional array video processor system |
US5170156A (en) | 1989-02-27 | 1992-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Multi-frequency two dimensional display system |
US5206629A (en) * | 1989-02-27 | 1993-04-27 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and memory for digitized video display |
US5214420A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator projection system with random polarity light |
US5079544A (en) * | 1989-02-27 | 1992-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Standard independent digitized video system |
US5272473A (en) | 1989-02-27 | 1993-12-21 | Texas Instruments Incorporated | Reduced-speckle display system |
US5192946A (en) * | 1989-02-27 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Digitized color video display system |
US5214419A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Planarized true three dimensional display |
KR100202246B1 (ko) * | 1989-02-27 | 1999-06-15 | 윌리엄 비. 켐플러 | 디지탈화 비디오 시스템을 위한 장치 및 방법 |
US5162787A (en) | 1989-02-27 | 1992-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface |
US5022745A (en) | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
US4954789A (en) * | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US5381253A (en) * | 1991-11-14 | 1995-01-10 | Board Of Regents Of University Of Colorado | Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation |
US5124834A (en) | 1989-11-16 | 1992-06-23 | General Electric Company | Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same |
US5037173A (en) | 1989-11-22 | 1991-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Optical interconnection network |
US5500635A (en) * | 1990-02-20 | 1996-03-19 | Mott; Jonathan C. | Products incorporating piezoelectric material |
CH682523A5 (fr) * | 1990-04-20 | 1993-09-30 | Suisse Electronique Microtech | Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel. |
GB9012099D0 (en) | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for multicolour imaging |
US5216537A (en) * | 1990-06-29 | 1993-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5018256A (en) * | 1990-06-29 | 1991-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
US5142405A (en) | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
DE69113150T2 (de) * | 1990-06-29 | 1996-04-04 | Texas Instruments Inc | Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster. |
US5099353A (en) * | 1990-06-29 | 1992-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5304419A (en) * | 1990-07-06 | 1994-04-19 | Alpha Fry Ltd | Moisture and particle getter for enclosures |
US5153771A (en) | 1990-07-18 | 1992-10-06 | Northrop Corporation | Coherent light modulation and detector |
JP2794912B2 (ja) * | 1990-07-26 | 1998-09-10 | 三井化学株式会社 | 気密封止パッケージおよび接合部材 |
US5192395A (en) * | 1990-10-12 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a digital flexure beam accelerometer |
US5526688A (en) | 1990-10-12 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Digital flexure beam accelerometer and method |
US5044736A (en) | 1990-11-06 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Configurable optical filter or display |
US5602671A (en) * | 1990-11-13 | 1997-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Low surface energy passivation layer for micromechanical devices |
US5331454A (en) | 1990-11-13 | 1994-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Low reset voltage process for DMD |
US5233459A (en) | 1991-03-06 | 1993-08-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Electric display device |
US5095375A (en) * | 1991-03-29 | 1992-03-10 | Hughes Aircraft Company | Holographic combiner edge seal design and composition |
CA2063744C (en) | 1991-04-01 | 2002-10-08 | Paul M. Urbanus | Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system |
US5142414A (en) | 1991-04-22 | 1992-08-25 | Koehler Dale R | Electrically actuatable temporal tristimulus-color device |
US5226099A (en) | 1991-04-26 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror shutter device |
US5179274A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for controlling operation of optical systems and devices |
US5168406A (en) | 1991-07-31 | 1992-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Color deformable mirror device and method for manufacture |
US5254980A (en) | 1991-09-06 | 1993-10-19 | Texas Instruments Incorporated | DMD display system controller |
US5563398A (en) | 1991-10-31 | 1996-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator scanning system |
CA2081753C (en) | 1991-11-22 | 2002-08-06 | Jeffrey B. Sampsell | Dmd scanner |
US5233385A (en) | 1991-12-18 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | White light enhanced color field sequential projection |
US5233456A (en) | 1991-12-20 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Resonant mirror and method of manufacture |
US5244707A (en) * | 1992-01-10 | 1993-09-14 | Shores A Andrew | Enclosure for electronic devices |
CA2087625C (en) | 1992-01-23 | 2006-12-12 | William E. Nelson | Non-systolic time delay and integration printing |
US5296950A (en) * | 1992-01-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Optical signal free-space conversion board |
US5231532A (en) | 1992-02-05 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Switchable resonant filter for optical radiation |
US5212582A (en) * | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
DE69310974T2 (de) | 1992-03-25 | 1997-11-06 | Texas Instruments Inc | Eingebautes optisches Eichsystem |
US5312513A (en) * | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
JPH07508856A (ja) * | 1992-04-08 | 1995-09-28 | ジョージア テック リサーチ コーポレイション | 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス |
US5311360A (en) | 1992-04-28 | 1994-05-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for modulating a light beam |
JPH0651250A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ |
JPH06214169A (ja) * | 1992-06-08 | 1994-08-05 | Texas Instr Inc <Ti> | 制御可能な光学的周期的表面フィルタ |
US5818095A (en) | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
US5327286A (en) | 1992-08-31 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Real time optical correlation system |
US5325116A (en) | 1992-09-18 | 1994-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Device for writing to and reading from optical storage media |
US5659374A (en) | 1992-10-23 | 1997-08-19 | Texas Instruments Incorporated | Method of repairing defective pixels |
CN1057614C (zh) | 1993-01-11 | 2000-10-18 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于空间光调制器的象素控制电路 |
FI96450C (fi) * | 1993-01-13 | 1996-06-25 | Vaisala Oy | Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto |
US5293511A (en) * | 1993-03-16 | 1994-03-08 | Texas Instruments Incorporated | Package for a semiconductor device |
US6674562B1 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US5461411A (en) | 1993-03-29 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Process and architecture for digital micromirror printer |
US5559358A (en) * | 1993-05-25 | 1996-09-24 | Honeywell Inc. | Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom |
AU676299B2 (en) * | 1993-06-28 | 1997-03-06 | Akira Fujishima | Photocatalyst composite and process for producing the same |
US5489952A (en) * | 1993-07-14 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for multi-format television |
US5365283A (en) | 1993-07-19 | 1994-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Color phase control for projection display using spatial light modulator |
US5526172A (en) | 1993-07-27 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same |
US5581272A (en) | 1993-08-25 | 1996-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Signal generator for controlling a spatial light modulator |
FR2710161B1 (fr) | 1993-09-13 | 1995-11-24 | Suisse Electronique Microtech | Réseau miniature d'obturateurs de lumière. |
US5457493A (en) | 1993-09-15 | 1995-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Digital micro-mirror based image simulation system |
US5526051A (en) | 1993-10-27 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Digital television system |
US5497197A (en) * | 1993-11-04 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | System and method for packaging data into video processor |
US5459602A (en) | 1993-10-29 | 1995-10-17 | Texas Instruments | Micro-mechanical optical shutter |
US5452024A (en) | 1993-11-01 | 1995-09-19 | Texas Instruments Incorporated | DMD display system |
US5517347A (en) | 1993-12-01 | 1996-05-14 | Texas Instruments Incorporated | Direct view deformable mirror device |
CA2137059C (en) | 1993-12-03 | 2004-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Dmd architecture to improve horizontal resolution |
US5583688A (en) | 1993-12-21 | 1996-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level digital micromirror device |
US5448314A (en) | 1994-01-07 | 1995-09-05 | Texas Instruments | Method and apparatus for sequential color imaging |
US5500761A (en) | 1994-01-27 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Micromechanical modulator |
US5444566A (en) | 1994-03-07 | 1995-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Optimized electronic operation of digital micromirror devices |
US5665997A (en) | 1994-03-31 | 1997-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices |
US7138984B1 (en) | 2001-06-05 | 2006-11-21 | Idc, Llc | Directly laminated touch sensitive screen |
US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US6040937A (en) | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
US7460291B2 (en) * | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
US20010003487A1 (en) | 1996-11-05 | 2001-06-14 | Mark W. Miles | Visible spectrum modulator arrays |
US6710908B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
DE69522856T2 (de) | 1994-05-17 | 2002-05-02 | Sony Corp | Anzeigevorrichtung mit Positionserkennung eines Zeigers |
US5497172A (en) * | 1994-06-13 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing |
US5673106A (en) | 1994-06-17 | 1997-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Printing system with self-monitoring and adjustment |
US5454906A (en) | 1994-06-21 | 1995-10-03 | Texas Instruments Inc. | Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices |
US5499062A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory |
US5485304A (en) | 1994-07-29 | 1996-01-16 | Texas Instruments, Inc. | Support posts for micro-mechanical devices |
US5636052A (en) | 1994-07-29 | 1997-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Direct view display based on a micromechanical modulation |
US5703710A (en) | 1994-09-09 | 1997-12-30 | Deacon Research | Method for manipulating optical energy using poled structure |
US6053617A (en) | 1994-09-23 | 2000-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Manufacture method for micromechanical devices |
US5619059A (en) * | 1994-09-28 | 1997-04-08 | National Research Council Of Canada | Color deformable mirror device having optical thin film interference color coatings |
US5553440A (en) * | 1994-10-20 | 1996-09-10 | Ppg Industries, Inc. | Multi-sheet glazing unit and method of making same |
US5650881A (en) | 1994-11-02 | 1997-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Support post architecture for micromechanical devices |
US5552924A (en) | 1994-11-14 | 1996-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device having an improved beam |
US5610624A (en) * | 1994-11-30 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect |
US5550373A (en) * | 1994-12-30 | 1996-08-27 | Honeywell Inc. | Fabry-Perot micro filter-detector |
US5567334A (en) | 1995-02-27 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask |
US5610438A (en) * | 1995-03-08 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Micro-mechanical device with non-evaporable getter |
US5641713A (en) * | 1995-03-23 | 1997-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Process for forming a room temperature seal between a base cavity and a lid using an organic sealant and a metal seal ring |
US5535047A (en) | 1995-04-18 | 1996-07-09 | Texas Instruments Incorporated | Active yoke hidden hinge digital micromirror device |
US5784190A (en) | 1995-04-27 | 1998-07-21 | John M. Baker | Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates |
US5640764A (en) * | 1995-05-22 | 1997-06-24 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Method of forming a tubular feed-through hermetic seal for an implantable medical device |
US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
US5739945A (en) * | 1995-09-29 | 1998-04-14 | Tayebati; Parviz | Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror |
US5825528A (en) | 1995-12-26 | 1998-10-20 | Lucent Technologies Inc. | Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator |
JP3799092B2 (ja) * | 1995-12-29 | 2006-07-19 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 光変調装置及びディスプレイ装置 |
US5851609A (en) * | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Truseal Technologies, Inc. | Preformed flexible laminate |
US5815141A (en) | 1996-04-12 | 1998-09-29 | Elo Touch Systems, Inc. | Resistive touchscreen having multiple selectable regions for pressure discrimination |
US5939785A (en) * | 1996-04-12 | 1999-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device including time-release passivant |
US5853662A (en) | 1996-04-17 | 1998-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for preserving polished inorganic glass and method for preserving article obtained by using the same |
US5710656A (en) * | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
US5912758A (en) | 1996-09-11 | 1999-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Bipolar reset for spatial light modulators |
US5771116A (en) | 1996-10-21 | 1998-06-23 | Texas Instruments Incorporated | Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control |
US7471444B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-12-30 | Idc, Llc | Interferometric modulation of radiation |
DE69806846T2 (de) * | 1997-05-08 | 2002-12-12 | Texas Instruments Inc | Verbesserungen für räumliche Lichtmodulatoren |
US6480177B2 (en) | 1997-06-04 | 2002-11-12 | Texas Instruments Incorporated | Blocked stepped address voltage for micromechanical devices |
US6129603A (en) * | 1997-06-24 | 2000-10-10 | Candescent Technologies Corporation | Low temperature glass frit sealing for thin computer displays |
JPH11145337A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子部品封止パッケージ |
GB9724077D0 (en) | 1997-11-15 | 1998-01-14 | Dow Corning Sa | Insulating glass units |
US6028690A (en) * | 1997-11-26 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio |
US6180428B1 (en) * | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices using micromachining |
DE19824965A1 (de) * | 1998-06-04 | 1999-12-09 | Metallgesellschaft Ag | Schmelzklebstoff zur Randabdichtung von Verbundglas, Verfahren zur Herstellung des Schmelzklebstoffs und seine Verwendung |
EP0951068A1 (en) | 1998-04-17 | 1999-10-20 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity |
US6160833A (en) | 1998-05-06 | 2000-12-12 | Xerox Corporation | Blue vertical cavity surface emitting laser |
US6282010B1 (en) | 1998-05-14 | 2001-08-28 | Texas Instruments Incorporated | Anti-reflective coatings for spatial light modulators |
US6323982B1 (en) | 1998-05-22 | 2001-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Yield superstructure for digital micromirror device |
US6147790A (en) | 1998-06-02 | 2000-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Spring-ring micromechanical device |
US6295154B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-09-25 | Texas Instruments Incorporated | Optical switching apparatus |
US6496122B2 (en) | 1998-06-26 | 2002-12-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Image display and remote control system capable of displaying two distinct images |
US6872984B1 (en) * | 1998-07-29 | 2005-03-29 | Silicon Light Machines Corporation | Method of sealing a hermetic lid to a semiconductor die at an angle |
JP2000058593A (ja) | 1998-08-03 | 2000-02-25 | Nec Corp | 表面弾性波素子の実装構造及びその実装方法 |
US6113239A (en) | 1998-09-04 | 2000-09-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Projection display system for reflective light valves |
US6606175B1 (en) | 1999-03-16 | 2003-08-12 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multi-segment light-emitting diode |
US6201633B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-03-13 | Xerox Corporation | Micro-electromechanical based bistable color display sheets |
US6862029B1 (en) * | 1999-07-27 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Color display system |
JP4336427B2 (ja) | 1999-10-01 | 2009-09-30 | 帝人株式会社 | 表面保護フィルムおよびそれからなる積層体 |
US6452238B1 (en) | 1999-10-04 | 2002-09-17 | Texas Instruments Incorporated | MEMS wafer level package |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US6400009B1 (en) | 1999-10-15 | 2002-06-04 | Lucent Technologies Inc. | Hermatic firewall for MEMS packaging in flip-chip bonded geometry |
US6549338B1 (en) | 1999-11-12 | 2003-04-15 | Texas Instruments Incorporated | Bandpass filter to reduce thermal impact of dichroic light shift |
NZ519878A (en) * | 1999-11-29 | 2004-02-27 | Nz Inst For Crop & Food Res | Collagen |
US6552840B2 (en) | 1999-12-03 | 2003-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatic efficiency of micromechanical devices |
US6548908B2 (en) | 1999-12-27 | 2003-04-15 | Xerox Corporation | Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices |
US6545335B1 (en) | 1999-12-27 | 2003-04-08 | Xerox Corporation | Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits |
JP2001249287A (ja) | 1999-12-30 | 2001-09-14 | Texas Instr Inc <Ti> | 双安定マイクロミラー・アレイを動作させる方法 |
US6384473B1 (en) | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Sandia Corporation | Microelectronic device package with an integral window |
US6661084B1 (en) | 2000-05-16 | 2003-12-09 | Sandia Corporation | Single level microelectronic device package with an integral window |
US6473274B1 (en) | 2000-06-28 | 2002-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Symmetrical microactuator structure for use in mass data storage devices, or the like |
JP4609679B2 (ja) | 2000-07-19 | 2011-01-12 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
US6853129B1 (en) * | 2000-07-28 | 2005-02-08 | Candescent Technologies Corporation | Protected substrate structure for a field emission display device |
US6778155B2 (en) | 2000-07-31 | 2004-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Display operation with inserted block clears |
US6643069B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | SLM-base color projection display having multiple SLM's and multiple projection lenses |
US6859218B1 (en) * | 2000-11-07 | 2005-02-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic display devices and methods |
US6762868B2 (en) | 2000-11-16 | 2004-07-13 | Texas Instruments Incorporated | Electro-optical package with drop-in aperture |
US6664779B2 (en) | 2000-11-16 | 2003-12-16 | Texas Instruments Incorporated | Package with environmental control material carrier |
US20020075551A1 (en) | 2000-11-29 | 2002-06-20 | Onix Microsystems, Inc | Enclosure for MEMS apparatus and method of using the same |
US20020096421A1 (en) | 2000-11-29 | 2002-07-25 | Cohn Michael B. | MEMS device with integral packaging |
US7307775B2 (en) | 2000-12-07 | 2007-12-11 | Texas Instruments Incorporated | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
US6906847B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-06-14 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas |
US6775174B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Memory architecture for micromirror cell |
US6625047B2 (en) | 2000-12-31 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical memory element |
US7123026B2 (en) | 2001-01-23 | 2006-10-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Surface shape recognition sensor and method of manufacturing the same |
US6455927B1 (en) | 2001-03-12 | 2002-09-24 | Amkor Technology, Inc. | Micromirror device package |
WO2002079853A1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-10-10 | Corning Intellisense Corporation | Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture |
US6630786B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-07 | Candescent Technologies Corporation | Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance |
US6534850B2 (en) * | 2001-04-16 | 2003-03-18 | Hewlett-Packard Company | Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation |
KR100387239B1 (ko) | 2001-04-26 | 2003-06-12 | 삼성전자주식회사 | Mems 릴레이 및 그 제조방법 |
US6465355B1 (en) | 2001-04-27 | 2002-10-15 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating suspended microstructures |
US6706316B2 (en) | 2001-05-08 | 2004-03-16 | Eastman Kodak Company | Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays |
AU2002361545B2 (en) * | 2001-06-28 | 2007-03-15 | Microchips, Inc. | Methods for hermetically sealing microchip reservoir devices |
US6822628B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-11-23 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Methods and systems for compensating row-to-row brightness variations of a field emission display |
TW533188B (en) * | 2001-07-20 | 2003-05-21 | Getters Spa | Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices |
US6862022B2 (en) * | 2001-07-20 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor |
US6589625B1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-07-08 | Iridigm Display Corporation | Hermetic seal and method to create the same |
US6600201B2 (en) | 2001-08-03 | 2003-07-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems with high density packing of micromachines |
US6632698B2 (en) | 2001-08-07 | 2003-10-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS |
US6940636B2 (en) * | 2001-09-20 | 2005-09-06 | Analog Devices, Inc. | Optical switching apparatus and method of assembling same |
US6590157B2 (en) | 2001-09-21 | 2003-07-08 | Eastman Kodak Company | Sealing structure for highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication |
DE10149140A1 (de) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Verbindung einer Siliziumplatte mit einer weiteren Platte |
US6893574B2 (en) | 2001-10-23 | 2005-05-17 | Analog Devices Inc | MEMS capping method and apparatus |
US6870581B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-03-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination |
US6819391B2 (en) | 2001-11-30 | 2004-11-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having dummy column spacer with opened portion |
KR100442830B1 (ko) | 2001-12-04 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 저온의 산화방지 허메틱 실링 방법 |
US6776538B2 (en) | 2001-12-12 | 2004-08-17 | Axsun Technologies, Inc. | MEMS tunable optical filter system with moisture getter for frequency stability |
US6936131B2 (en) | 2002-01-31 | 2005-08-30 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives |
US6621134B1 (en) * | 2002-02-07 | 2003-09-16 | Shayne Zurn | Vacuum sealed RF/microwave microresonator |
US6791660B1 (en) * | 2002-02-12 | 2004-09-14 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electrooptical device and apparatus for manufacturing the same, electrooptical device and electronic appliances |
US6794119B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-09-21 | Iridigm Display Corporation | Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device |
US7045459B2 (en) | 2002-02-19 | 2006-05-16 | Northrop Grumman Corporation | Thin film encapsulation of MEMS devices |
US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
US6762072B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-07-13 | Robert Bosch Gmbh | SI wafer-cap wafer bonding method using local laser energy, device produced by the method, and system used in the method |
US6603182B1 (en) | 2002-03-12 | 2003-08-05 | Lucent Technologies Inc. | Packaging micromechanical devices |
US6838309B1 (en) * | 2002-03-13 | 2005-01-04 | Amkor Technology, Inc. | Flip-chip micromachine package using seal layer |
US6627814B1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-30 | David H. Stark | Hermetically sealed micro-device package with window |
US20030183916A1 (en) | 2002-03-27 | 2003-10-02 | John Heck | Packaging microelectromechanical systems |
US6707351B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-03-16 | Motorola, Inc. | Tunable MEMS resonator and method for tuning |
JP2004014820A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュール |
US6954297B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-10-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
US6972882B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with light angle amplification |
US20030202264A1 (en) | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Weber Timothy L. | Micro-mirror device |
US20040212026A1 (en) | 2002-05-07 | 2004-10-28 | Hewlett-Packard Company | MEMS device having time-varying control |
TW569407B (en) | 2002-05-17 | 2004-01-01 | Advanced Semiconductor Eng | Wafer-level package with bump and method for manufacturing the same |
US7034984B2 (en) | 2002-06-19 | 2006-04-25 | Miradia Inc. | Fabrication of a high fill ratio reflective spatial light modulator with hidden hinge |
FR2841380A1 (fr) * | 2002-06-25 | 2003-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee |
US6741377B2 (en) | 2002-07-02 | 2004-05-25 | Iridigm Display Corporation | Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same |
JP2004047387A (ja) | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機多色発光表示素子およびその製造方法 |
US6887733B2 (en) * | 2002-09-11 | 2005-05-03 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Method of fabricating electronic devices |
TW544787B (en) * | 2002-09-18 | 2003-08-01 | Promos Technologies Inc | Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer |
US20040108588A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-06-10 | Cookson Electronics, Inc. | Package for microchips |
US6806557B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-10-19 | Motorola, Inc. | Hermetically sealed microdevices having a single crystalline silicon getter for maintaining vacuum |
US7388631B2 (en) | 2002-10-10 | 2008-06-17 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Parallax compensating color filter and black mask for display apparatus |
US6747785B2 (en) | 2002-10-24 | 2004-06-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS-actuated color light modulator and methods |
US6666561B1 (en) | 2002-10-28 | 2003-12-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Continuously variable analog micro-mirror device |
US7370185B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-05-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers |
US7071594B1 (en) | 2002-11-04 | 2006-07-04 | Microvision, Inc. | MEMS scanner with dual magnetic and capacitive drive |
KR100474455B1 (ko) | 2002-11-08 | 2005-03-11 | 삼성전자주식회사 | 기판단위 mems 진공실장방법 및 장치 |
US7405860B2 (en) | 2002-11-26 | 2008-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas |
US6741503B1 (en) | 2002-12-04 | 2004-05-25 | Texas Instruments Incorporated | SLM display data address mapping for four bank frame buffer |
JP4342174B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-10-14 | 新光電気工業株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
US20040140557A1 (en) | 2003-01-21 | 2004-07-22 | United Test & Assembly Center Limited | Wl-bga for MEMS/MOEMS devices |
US7205675B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making |
US20040147056A1 (en) | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Mckinnell James C. | Micro-fabricated device and method of making |
US6903487B2 (en) | 2003-02-14 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with increased mirror tilt |
US6844953B2 (en) | 2003-03-12 | 2005-01-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
JP4282346B2 (ja) * | 2003-03-13 | 2009-06-17 | オリンパス株式会社 | 静電駆動装置及びその製造方法 |
TW591778B (en) | 2003-03-18 | 2004-06-11 | Advanced Semiconductor Eng | Package structure for a microsystem |
US7015885B2 (en) | 2003-03-22 | 2006-03-21 | Active Optical Networks, Inc. | MEMS devices monolithically integrated with drive and control circuitry |
US6998776B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
US7358966B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-04-15 | Hewlett-Packard Development Company L.P. | Selective update of micro-electromechanical device |
US6829132B2 (en) | 2003-04-30 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control of micro-electromechanical device |
US7072093B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical interference pixel display with charge control |
US7400489B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-07-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and a method of driving a parallel-plate variable micro-electromechanical capacitor |
US6741384B1 (en) | 2003-04-30 | 2004-05-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Control of MEMS and light modulator arrays |
US6853476B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-02-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control circuit for a micro-electromechanical device |
US6819469B1 (en) | 2003-05-05 | 2004-11-16 | Igor M. Koba | High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display |
US7218499B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-05-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control circuit |
US20040232535A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-25 | Terry Tarn | Microelectromechanical device packages with integral heaters |
US6917459B2 (en) | 2003-06-03 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS device and method of forming MEMS device |
US6811267B1 (en) | 2003-06-09 | 2004-11-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Display system with nonvisible data projection |
US7221495B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
JP2007505445A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-03-08 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | エレクトロルミネセント・ディスプレイのためのシールおよびシール方法 |
US20050012197A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Smith Mark A. | Fluidic MEMS device |
US7190380B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-03-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Generating and displaying spatially offset sub-frames |
US7173314B2 (en) * | 2003-08-13 | 2007-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts |
TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
TWI305599B (en) * | 2003-08-15 | 2009-01-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference display panel and method thereof |
TW593127B (en) * | 2003-08-18 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
US20050057442A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Olan Way | Adjacent display of sequential sub-images |
JP3979982B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 干渉性変調器および表示装置 |
TWI232333B (en) | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
US20050068583A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Gutkowski Lawrence J. | Organizing a digital image |
US6861277B1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming MEMS device |
US20050093134A1 (en) | 2003-10-30 | 2005-05-05 | Terry Tarn | Device packages with low stress assembly process |
US7012726B1 (en) * | 2003-11-03 | 2006-03-14 | Idc, Llc | MEMS devices with unreleased thin film components |
US7119945B2 (en) | 2004-03-03 | 2006-10-10 | Idc, Llc | Altering temporal response of microelectromechanical elements |
US7060895B2 (en) | 2004-05-04 | 2006-06-13 | Idc, Llc | Modifying the electro-mechanical behavior of devices |
US7164520B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
US20050253283A1 (en) | 2004-05-13 | 2005-11-17 | Dcamp Jon B | Getter deposition for vacuum packaging |
JP4481720B2 (ja) | 2004-05-14 | 2010-06-16 | 日本電産コパル株式会社 | Ndフィルタ及び光量絞り装置 |
KR100733242B1 (ko) * | 2004-05-19 | 2007-06-27 | 삼성전기주식회사 | 측면 밀봉부재가 형성된 mems 패키지 및 그 제조 방법 |
US7381583B1 (en) * | 2004-05-24 | 2008-06-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | MEMS RF switch integrated process |
US7787170B2 (en) | 2004-06-15 | 2010-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror array assembly with in-array pillars |
US7126741B2 (en) | 2004-08-12 | 2006-10-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator assembly |
US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7553582B2 (en) * | 2005-09-06 | 2009-06-30 | Oak Ridge Micro-Energy, Inc. | Getters for thin film battery hermetic package |
JP5673102B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2015-02-18 | 旭硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス部材およびそれを用いた電子デバイスとその製造方法 |
US8379392B2 (en) * | 2009-10-23 | 2013-02-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light-based sealing and device packaging |
-
2005
- 2005-04-08 US US11/102,554 patent/US20060076634A1/en not_active Abandoned
- 2005-08-31 AU AU2005204607A patent/AU2005204607A1/en not_active Abandoned
- 2005-09-09 TW TW094131189A patent/TW200620590A/zh unknown
- 2005-09-12 SG SG200505840A patent/SG121122A1/en unknown
- 2005-09-12 SG SG200906279-5A patent/SG155949A1/en unknown
- 2005-09-13 JP JP2005264841A patent/JP2006121052A/ja active Pending
- 2005-09-14 EP EP05255676A patent/EP1640327A3/en not_active Withdrawn
- 2005-09-15 CA CA002519656A patent/CA2519656A1/en not_active Abandoned
- 2005-09-23 MX MXPA05010246A patent/MXPA05010246A/es active IP Right Grant
- 2005-09-26 RU RU2005129946/28A patent/RU2379227C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2005-09-26 BR BRPI0503873-1A patent/BRPI0503873A/pt not_active IP Right Cessation
- 2005-09-27 KR KR1020050089823A patent/KR20060092914A/ko not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-03-31 US US12/415,986 patent/US8735225B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-11 US US13/208,218 patent/US20110290552A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060076634A1 (en) | 2006-04-13 |
TW200620590A (en) | 2006-06-16 |
US20090189230A1 (en) | 2009-07-30 |
EP1640327A2 (en) | 2006-03-29 |
BRPI0503873A (pt) | 2006-05-09 |
EP1640327A3 (en) | 2007-12-05 |
RU2005129946A (ru) | 2007-04-10 |
US20110290552A1 (en) | 2011-12-01 |
SG121122A1 (en) | 2006-04-26 |
US8735225B2 (en) | 2014-05-27 |
MXPA05010246A (es) | 2006-05-22 |
JP2006121052A (ja) | 2006-05-11 |
CA2519656A1 (en) | 2006-03-27 |
KR20060092914A (ko) | 2006-08-23 |
SG155949A1 (en) | 2009-10-29 |
AU2005204607A1 (en) | 2006-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2379227C2 (ru) | Способ и система для монтажа в корпус устройств на основе мэмс с внедренным газопоглотителем | |
JP4331148B2 (ja) | 基板を封止するための方法およびシステム | |
JP4535386B2 (ja) | ディスプレイをパッケージングするための方法およびシステム | |
US7715080B2 (en) | Packaging a MEMS device using a frame | |
JP4563892B2 (ja) | 非平坦部を持つバックプレートを用いた微小電気機械システムを防護する為のシステム及び方法 | |
US7826127B2 (en) | MEMS device having a recessed cavity and methods therefor | |
KR101237888B1 (ko) | 백플레이트 상에 전자 회로를 제공하는 방법 및 기기 | |
RU2374171C2 (ru) | Способ и устройство для монтажа подложки в корпус | |
US8040587B2 (en) | Desiccant in a MEMS device | |
US20060076631A1 (en) | Method and system for providing MEMS device package with secondary seal | |
KR20060092899A (ko) | 활성화된 건조제를 가진 디스플레이 기기 시스템 및 제조방법 | |
JP2006099065A (ja) | 一体化された乾燥剤を有するディスプレイ装置のためのシステム及び方法 | |
KR20060092919A (ko) | 패터닝된 백플레이트용 스페이서를 구비한 장치 및 그의제조 방법 | |
KR20070061517A (ko) | 디스플레이 기기의 부분적인 진공을 유지하기 위한 방법 및시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20101006 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150927 |