TWI438292B - 有機化合物蒸氣產生裝置及有機薄膜製造裝置 - Google Patents

有機化合物蒸氣產生裝置及有機薄膜製造裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI438292B
TWI438292B TW099105358A TW99105358A TWI438292B TW I438292 B TWI438292 B TW I438292B TW 099105358 A TW099105358 A TW 099105358A TW 99105358 A TW99105358 A TW 99105358A TW I438292 B TWI438292 B TW I438292B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
connecting pipe
organic compound
insertion portion
tank
tubular insertion
Prior art date
Application number
TW099105358A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201100568A (en
Inventor
Toshio Negishi
Hideyuki Hiraiwa
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of TW201100568A publication Critical patent/TW201100568A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI438292B publication Critical patent/TWI438292B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

有機化合物蒸氣產生裝置及有機薄膜製造裝置
本發明係有關為了製造有機電激發光所使用之蒸鍍源與有機電激發光製造裝置者。
圖3所示之以往的蒸氣產生裝置130係具有儲藏槽131，和輸送裝置132，和產生槽133。
對於儲藏槽131的內部，係垂直地配置有漏斗形狀之漏斗容器134。漏斗容器134乃具有逆圓錐形狀之漏斗斜面129，和連接於漏斗形狀之中央位置的孔的管之管狀插入部128。管狀插入部128係延伸於垂直下方，從較管狀插入部128上端為上方位置遍佈於管狀插入部128內部，垂直地插通有計量棒135。
對於儲藏槽131下方係配置有產生槽133，輸送裝置132係配置於儲藏槽131與產生槽133之間。
輸送裝置132係具有外側連接管137，外側連接管137上端係安裝於儲藏槽131底面，下端係安裝於產生槽133頂部，儲藏槽131內部與產生槽133內部係經由外側連接管137而加以連接。管狀插入部128係插入於外側連接管137。
供給有機材料至漏斗容器134，使有機材料，從形成於計量棒135之螺紋溝槽下端落下至下方時，通過漏斗容器134之管狀插入部128內，落下至產生槽133底面上，經 由配置於產生槽133底面上之發熱體139而加熱有機材料，產生有機材料蒸氣。
其有機材料蒸氣乃經由從連接於產生槽133之氣體導入系統141導入至產生槽133內之載氣而供給至產生槽133之外部。
在以往之蒸氣產生裝置130中，有發生在產生槽133內產生的有機材料蒸氣逆流至管狀插入部128內之問題。
[以往技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-307239號公報
[專利文獻2]日本特開2003-226961號公報
本發明係為了解決上述以往技術之不合適而創作之構成，其目的為提供在產生槽內產生的有機化合物蒸氣，不會逆流至供給有機化合物蒸氣於產生槽之連接配管的裝置者。
為了解決上述課題，本發明係一種有機化合物蒸氣產生裝置，屬於具有配置有機材料之儲藏槽，和將前述有機材料加熱，使前述有機材料的蒸氣產生之產生槽，和將前述儲藏槽內之前述有機材料供給至前述產生槽之輸送裝置 的有機化合物蒸氣產生裝置，其中，前述輸送裝置係具有氣密地連接前述儲藏槽內部環境與前述產生槽內部環境，使前述儲藏槽內之前述有機材料通過，移動至前述產生槽內之連接配管，和形成於前述連接配管，連接於供給氣體之氣體導入系統時，前述氣體係導入至前述連接配管內之氣體導入口者。
另外，本發明係對於前述儲藏槽內，漏斗形狀之漏斗狀容器乃將前述漏斗形狀的斜面朝上，將連接於位置於漏斗形狀中央的孔之管狀的管狀插入部朝下而插入於前述連接配管，前述管狀插入部之下端係位置於前述連接配管內，對於前述斜面上，係配置前述有機材料之粉體，前述漏斗狀容器內之前述有機材料係做成呈從前述管狀插入部之下端，通過前述連接配管內部而供給至前述產生槽，前述氣體導入口係呈在前述連接配管內，供給前述氣體至前述管狀插入部與前述連接配管之間地加以形成，所供給之前述氣體係呈通過前述管狀插入部與前述連接配管之間的間隙而導入至前述產生槽地加以構成之有機化合物蒸氣產生裝置。
本發明係對於前述漏斗狀容器，下端呈開放的螺紋溝槽乃形成為螺旋狀於側面之計量棒則前述螺紋溝槽之下端呈位置於前述管狀插入部內地加以插通，經由前述計量棒的旋轉，前述有機材料乃移動在前述螺紋溝槽內而落下，呈從前述管狀插入部供給至前述輸送裝置內地加以構成之有機化合物蒸氣產生裝置。
更且，本發明係前述連接配管乃具有外側連接管，與內側連接管，前述內側連接管乃配置於前述外側連接管內部，下端乃配置於前述產生槽內，前述管狀插入部乃插入於前述內側連接管內，前述管狀插入部之下端乃配置於前述內側連接管內之有機化合物蒸氣產生裝置。
更且，本發明係前述內側連接管的熱傳導率乃做成較前述外側連接管的熱傳導率為低之有機化合物蒸氣產生裝置。
本發明係對於前述外側連接管，設置有流通冷卻媒體之冷卻路徑的有機化合物蒸氣產生裝置。
本發明係前述內側連接管乃位置於前述產生槽內之前端部分形成為前端縮窄之有機化合物蒸氣產生裝置。
本發明係前述管狀插入部乃下端位置於前述內側連接管內，對於前述管狀插入部與前述內側連接管之間係形成有間隙，前述氣體乃從前述氣體導入口導入至前述間隙，所導入之前述氣體乃呈從前述氣體導入口朝向前述管狀插入部下端流動地加以構成之有機化合物蒸氣產生裝置。
本發明係各前述漏斗狀容器乃對於前述內側連接管而言上下移動，可從前述內側連接管內插拔地加以構成，對於前述儲藏槽與前述輸送裝置之間，從前述內側連接管內拔除前述管狀插入部時，設置有可遮斷前述儲藏槽內部與前述輸送裝置內部之開關閥的有機化合物蒸氣產生裝置。
本發明係對於前述儲藏槽內部，係設置有配置前述有機化合物之液體的液體供給容器，和將前述液體供給容器 內之前述有機化合物供給至前述輸送裝置之吐出裝置的有機化合物蒸氣產生裝置。
另外，本發明係具有成膜槽，和配置於前述成膜槽內之放出裝置，和前述記載之有機化合物蒸氣產生裝置，前述放出裝置之內部與前述有機化合物蒸氣產生裝置之內部係藉由切換前述有機化合物蒸氣之導通．遮斷之連接閥而加以連接，從前述儲藏槽通過前述輸送裝置而移動至前述產生槽之有機材料係在前述產生槽進行加熱，使有機材料氣體產生，所產生之前述有機材料氣體係從前述放出裝置放出至前述成膜槽內之有機薄膜製造裝置。
更且，本發明係前述連接閥乃在前述連接閥將前述放出裝置內部與前述產生槽內部做成遮斷狀態時，將前述產生槽內部，連接於固定有機化合物蒸氣之固定裝置的有機薄膜製造裝置。
經由本發明，有機化合物蒸氣乃不易侵入至供給有機化合物至產生槽之連接配管內。特別是可提供內側連接管係在產生槽內產生之有機化合物蒸氣不易侵入至內側連接管內，另外，即使將內側連接管之下部在產生槽內進行加熱，對於內側連接管之上端部係亦不易傳導熱之有機薄膜製造裝置。
圖1之符號1係本發明之一例的有機薄膜製造裝置(蒸鍍裝置)。
其有機薄膜製造裝置1係具有成膜槽10，和蒸氣產生裝置30，和蒸氣放出裝置50。
蒸氣放出裝置50係配置於成膜槽10之內部。蒸氣產生裝置30係與蒸氣放出裝置50，藉由連接閥20加以連接，當連接閥20成為導通狀態時，在蒸氣產生裝置30內所生成之有機化合物的蒸氣則呈供給至蒸氣放出裝置50地加以構成。供給至蒸氣放出裝置50之有機化合物蒸氣乃從蒸氣放出裝置50之複數的放出口51，放出至做成真空環境之成膜槽10內。
圖2所示之蒸氣產生裝置30係本發明之一例，具有儲藏槽31，和輸送裝置32，和產生槽33。
對於儲藏槽31的內部，係垂直地配置有漏斗形狀之漏斗容器34。漏斗容器34係具有上端的漏斗開口部分乃大口徑，伴隨著接近於中央成為小口徑之同時傾斜於下方之逆圓錐形狀之漏斗斜面29，和於其漏斗斜面29下端之漏斗形狀之中央具有孔，於此孔連接有上端的管之管狀插入部28。圖1，2之符號22係顯示配置於其漏斗容器34內之漏斗斜面29上的有機化合物粉體。
漏斗容器34之管狀插入部28係延伸至垂直下方，從較管狀插入部28上端為上方位置至管狀插入部28內部，垂直地插通有計量棒35。
對於計量棒35係於其側面，從較管狀插入部28之上端 為上方到達至管狀插入部28內部，形成有螺旋狀之螺紋溝槽。
計量棒35側面之螺紋溝槽之間的螺絲峰頂上係與管狀插入部28內壁面接觸，或隔開些微間隙而加以配置，計量棒35乃呈做成可將其中心軸線作為中心而旋轉。
於螺紋溝槽之間的螺絲峰頂上與管狀插入部28內壁面之間有間隙之情況，其間隙係做成較所使用之有機化合物的粒子(粉體)直徑為小，於漏斗容器34之管狀插入部28內插通有計量棒35，在計量棒35靜止的狀態中，投入至漏斗容器34之粉體狀的有機化合物22係未落下至管狀插入部28內而積存於漏斗斜面29上。
對於儲藏槽31之下方係配置有輸送裝置32。儲藏槽31底面與輸送裝置32上端之間係配置有開關閥25，儲藏槽31內部與輸送裝置32內部係藉由開關閥25而加以連接。
產生槽33係配置於輸送裝置32之下方，輸送裝置32之下端係安裝於產生槽33之頂部。
輸送裝置32係具有連接配管。
其連接配管係由外側連接管37，和配置於外側連接管37內部之內側連接管38加以構成，外側連接管37上端係藉由開關閥25而安裝於儲藏槽31底面。
對於儲藏槽31底面與產生槽33的頂部之安裝有外側連接管37之位置，係各形成有孔，孔係位置於外側連接管37內側。在開關閥25乃開啟狀態中，儲藏槽31內部與產生槽33內部係經由孔與外側連接管37加以連接。
藉由開關閥25之儲藏槽31與外側連接管37之間的連接，和產生槽33與外側連接管37之間的連接係各做成氣密，在開關閥25乃開啟狀態中，將儲藏槽31內或產生槽33內做成真空排氣時，可將儲藏槽31內部與外側連接管37內部與產生槽33內部做成真空環境者。
管狀插入部28係在將開關閥25做成開啟狀態之後，貫通開關閥25，管狀插入部28之上端係位置於儲藏槽31內，下端係位置於內側連接管38內。
使管狀插入部28移動至上方的儲藏槽31內，從開關閥25拔除時，可將開關閥25做成關閉狀態。
在開關閥25乃關閉狀態中，維持產生槽33內部的真空環境，和輸送裝置32內部的真空環境同時，可導入大氣至儲藏槽31內部者。
內側連接管38係在外側連接管37內部做成垂直，其上端係朝向儲藏槽31側，下端係從產生槽33的頂部的孔插入至產生槽33內部。
在此例中，在通常的裝置運轉狀態中，開關閥25係為開啟狀態，管狀插入部28下部係延伸於通過開關閥25而位置於外側連接管37內之內側連接管38內部，管狀插入部28之下端乃做成呈位置於內側連接管38內，然而，管狀插入部28之下端係亦可位置於儲藏槽31內，此情況，內側連接管38的上端如延伸於儲藏槽31內部即可。
計量棒35之螺紋溝槽的尺寸係做成較有機化合物的粒徑(粉體的直徑)為大，有機化合物係可進入至螺紋溝槽 內，有機化合物乃在較連接漏斗斜面29與管狀插入部28之管狀插入部28上端位置為上的位置，進入於螺紋溝槽內，使計量棒35旋轉時，有機化合物係移動至螺紋溝槽內下方。
螺紋溝槽係結束在計量棒35之下端或中途，計量棒35係結束在管狀插入部28之中途位置。圖2之符號27係位置於較管狀插入部28之中之計量棒35為下方之延長部分。
在螺紋溝槽下端的位置中，螺紋溝槽係未加以閉塞，螺紋溝槽內的空間係連接於管狀插入部28內之空間，經由具有管狀插入部28之延長部分27的下端的孔，管狀插入部28內部的空間係連接於內側連接管38內部的空間。
對於內側連接管38下端係形成有噴出口49，其噴出口49係做成呈以與產生槽33底面具有間隙之高度位置於產生槽33內部。噴出口49的緣為圓形，其直徑乃0.5mm~3mm。對於面對產生槽33底面之噴出口49的位置，係配置有發熱體39，噴出口49與發熱體39之間的間隙高度乃1mm~2mm。在此，噴出口49的直徑乃0.5mm，間隙的高度乃做成1mm。
隨之，移動至螺紋溝槽內其下端位置之有機化合物係從螺紋溝槽下端，落下至延長部分27內之空間下方。並且，從延長部分27進入至內側連接管38內，通過內側連接管38內，從噴出口49落下至位置於產生槽33底面上之發熱體39上。有機化合物之落下量係可與計量棒35的旋轉量成比例而使期望量落下者。
預先將其發熱體39通電而升溫至300℃以上400℃以下之溫度。然而，產生槽33係配置於反射體外殼內，發熱體39所產生的熱呈未放射至反射體外殼外側。
落下至產生槽33底面上之有機化合物的粒子係經由來自發熱體39之熱傳導，或從側壁所照射之放射熱而加熱，當升溫至其有機化合物的蒸發溫度以上時而產生氣化，在產生槽33內產生有機化合物蒸氣。
對於蒸氣產生裝置30之外部，係配置有氣體導入系統41。
內側連接管38係於較管狀插入部28下端為上方位置，具有接觸於輸送裝置32之外部環境之部分，對於其部分係形成有氣體導入口42。
對於內側連接管38與插通於其內部之管狀插入部28之延長部分27之間，係形成有間隙36。內側連接管38與延長部分27之間的間隙36係在上端加以閉塞。
氣體導入口42係連接於間隙36，配置於較延長部分27下端為高的位置。
其氣體導入口42係連接於氣體導入系統41，氣體導入系統41乃做成可將供給之氣體，導入至內側連接管38內部之間隙36內。
產生槽33的內部係做成呈可經由具有連接閥20之配管43，連接於蒸氣放出裝置50。
連接閥20係呈將產生槽33內部與蒸氣放出裝置50內部做成連接或遮斷任一地加以構成。成膜槽10內部係連接於 真空排氣系統55，在經由連接閥20而連接蒸氣放出裝置50內部與產生槽33內部之狀態，經由真空排氣系統55而將成膜槽10內部進行真空排氣時，藉由蒸氣放出裝置50與連接閥20，將產生槽33內部與儲藏槽31內部進行真空排氣。
在此狀態，經由氣體導入系統41，從內側連接管38之氣體導入口42導入由Ar等之稀有氣體所成之載氣至內側連接管38內時，所導入之載氣係通過內側連接管38與延長部分27之間的間隙36，在延長部分27之下端噴出於內側連接管38之內部，從內側連接管38內部之延長部分27的下端位置，朝內側連接管38下端的噴出口49流動。
從螺紋溝槽下端位置落下之有機化合物粒子係從延長部分27之下端落下至內側連接管38內時，隨著載氣的流動而朝向噴出口49而流動，呈未附著於內側連接管38之內壁面。
載氣，和經由載氣所運送之有機化合物的粒子係從噴出口49朝向發熱體39所噴出，有機化合物的粒子係散亂於發熱體39上。隨之，在發熱體39上有機化合物的粒子係未聚集於一處，而均一地加熱各粒子，以短時間有機化合物粒子產生氣化而消滅。
在產生槽33內所生成之有機化合物蒸氣係經由載氣的流動，藉由連接閥20而移動至蒸氣放出裝置50，從蒸氣放出裝置50之放出口51，放出於有著真空環境之成膜槽10內。
對於與蒸氣放出裝置50之放出口51對面之位置，係配 置有成膜對象物(基板5)，從放出口51所放出之有機化合物蒸氣係到達至成膜對象物(基板5)表面，形成有機化合物的薄膜。
在產生槽33內產生之有機化合物蒸氣乃侵入至內側連接管38內時，有機化合物蒸氣係通過內側連接管38內而到達至螺紋溝槽之下端，有機化合物蒸氣係熔融螺紋溝槽下端附近之有機化合物，融合粒子彼此。在此，螺紋溝槽之下端則閉塞。
在本發明中，供給有機化合物22於產生槽33內之內側連接管38係下部縮窄，位置於其下端之噴出口49係成為較內側連接管38之上方為小口徑，更且因導入載氣於內側連接管38內而從噴出口49噴出之故，在產生槽33內產生之有機化合物蒸氣係成為呈不易侵入至內側連接管38內。
另外，供給至內側連接管38內之載氣係以將內側連接管38內做成黏性流的壓力(10Pa以上150Pa以下之範圍)的流量加以供給(作為一例，內側連接管38下端之噴出口49乃直徑為0.5mm時，以0.5~2SCCM供給時，成為上述黏性流的壓力範圍)，載氣係在內側連接管38內，從較管狀插入部28下端為上方位置，朝向噴出口49而形成流動。
從噴出口49下端至內側連接管38內部侵入有有機化合物蒸氣之情況，經由內側連接管38內之載氣的黏性流而推回有機化合物蒸氣，成為呈不會從噴出口49返回至產生槽33內部。
經由成膜槽10之真空排氣，產生槽33內之壓力係做成 1×10-5 Pa以上1×10-2 Pa以下的壓力，隨之，內側連接管38之內部的壓力係較內側連接管38外部之產生槽33內之環境的壓力為大。
內側連接管38之窄縮的部份係位置於產生槽33內，經由來自產生槽33之壁面的放射熱而加熱。
落下在內側連接管38內之有機化合物的粒子乃在內側連接管38之窄縮的部份下端附近，與內側連接管38的壁面接觸，並附著於此而熔融時，噴出口49則閉塞。本發明係載氣乃以黏性流而從噴出口49流出之故，熔融之有機化合物22係從噴出口49推出於產生槽33內，而未有噴出口49閉塞情況。
接著，內側連接管38之外周側面與外側連接管37之內周側面係緊密者，對於外側連接管37係設置有流通液體之冷卻路徑52。在此，冷卻路徑52係金屬製之配管，於金屬製之外側連接管37之外周側面，進行一次或複數次捲起加以熔接固定。
冷卻路徑52係連接於溫度控制．循環裝置53，從溫度控制．循環裝置53供給冷卻成室溫程度之液狀的冷卻媒體至冷卻路徑52，使外側連接管37之溫度降低而升溫之冷卻媒體則返回至溫度控制．循環裝置53。如此，對於外側連接管37係循環有加以溫度控制之冷卻媒體，做成不會升溫至高溫。
隨之，即使產生槽33之壁面升溫，產生槽33的熱係不會傳導至儲藏槽31。
冷卻外側連接管37之情況，間接冷卻與外側連接管37接觸之內側連接管38，即使有機化合物的粒子接觸於內側連接管38之內壁面，有機化合物的粒子亦未產生熔融。
另外，對於以金屬構成外側連接管37之情況而言，內側連接管38係由較金屬，熱傳導率低之陶瓷(在此係石英)加以形成。
隨之，即使在產生槽33內加熱內側連接管38之下部，對於內側連接管38之上端部亦不易傳導熱。
經由如此之有機薄膜製造裝置1而形成薄膜於基板5表面之情況，預先使連接於儲藏槽31之真空排氣系統54與連接於成膜槽10之真空排氣系統55動作，將儲藏槽31，和輸送裝置32，和產生槽33，和成膜槽10之內部進行真空排氣而做成特定壓力。另外，對於產生槽33內之發熱體39進行通電而使其升溫。
另外，有機薄膜製造裝置1係具有冷卻閘60，連接閥20則在遮斷蒸氣產生裝置30內部與蒸氣放出裝置50內部之間時，經由配管44而連接蒸氣產生裝置30內部於冷卻閘60內部。
在經由連接閥20而將產生槽33內部連接於蒸氣放出裝置50內部之狀態，經由氣體導入系統41而供給載氣至內側連接管38內同時，從儲藏槽31內，使特定量之有機化合物落下至發熱體39上，在產生槽33內使有機化合物蒸氣產生。
所產生之有機化合物的蒸氣係通過連接閥20而導入至 蒸氣放出裝置50，從蒸氣放出裝置50之放出口51放出於成膜槽10內。所放出之有機化合物蒸氣係到達至與蒸氣放出裝置50之放出口51對向配置之基板5表面，形成有機薄膜。
在形成上述有機薄膜於基板5表面之後，從成膜槽10運出形成有有機薄膜之基板5，運入未成膜之基板，以上述步驟重複形成有機薄膜時，可於複數之基板，各一層形成相同組成之有機薄膜者。
在有機薄膜製造裝置1中，漏斗容器34係配置複數台於儲藏槽31內部，計量棒35係各插通於各漏斗容器34內部。
於複數的基板形成多層之有機薄膜的情況係首先，經由最初的漏斗容器34內之有機化合物22，於基板上形成特定膜厚之有機薄膜之後，經由連接閥20而遮斷產生槽33與蒸氣放出裝置50之連接，將產生槽33連接於冷卻閘60。
對於冷卻閘60內，係配置有經由循環冷卻媒體之冷卻裝置61而冷卻至35℃以下的溫度之冷卻板62，侵入至冷卻閘60內之有機化合物蒸氣係固定於冷卻板62上而加以排氣，有機化合物蒸氣係從產生槽33內或配管內加以去除。
對於儲藏槽31係設置有馬達23，複數之漏斗容器34係保持維持儲藏槽31內或輸送裝置32內之真空環境，與計量棒35同時，可上下方向移動地加以構成。
當消耗漏斗容器34內之有機化合物的粉體時，使漏斗容器34移動至上方，從內側連接管38拔除管狀插入部28之 延長部分27，關閉開關閥25時，儲藏槽31內部則從輸送裝置32及產生槽33內部加以切割。保持維持輸送裝置32或產生槽33內部之真空環境，將儲藏槽31開放於大氣，可於漏斗容器34內配置有機化合物的粉體者。
然而，本發明之內側連接管38係未限定於石英，亦可為陶瓷。
另外，本發明之有機薄膜製造裝置1係於1個成膜槽10，將複數之蒸氣產生裝置30，藉由各連接閥20而加以連接，將任一個之蒸氣產生裝置30內部連接於成膜槽10，進行成膜，由變更成為連接狀態之連接閥20者，可使經由在各蒸氣產生裝置30內所生成之有機化合物蒸氣之薄膜，層積於一枚之基板表面。
如此對於複數之基板而言進行成膜時，可於各基板層積所期望之有機薄膜。
然而，前述有機材料乃粒子，但如可將期望量，在期望時供給至產生槽33，於儲藏槽31配置液體狀之有機材料，導入氣體至內側連接管38內同時，呈從儲藏槽31供給液體狀之有機材料至產生槽33亦可。
1‧‧‧有機薄膜製造裝置
5‧‧‧基板
10‧‧‧成膜槽
20‧‧‧連接閥
27‧‧‧延長部分
28‧‧‧管狀插入部
29‧‧‧漏斗斜面
30‧‧‧蒸氣產生裝置
31‧‧‧儲藏槽
32‧‧‧輸送裝置
33‧‧‧產生槽
34‧‧‧漏斗容器
35‧‧‧計量棒
36‧‧‧間隙
37‧‧‧外側連接管
38‧‧‧內側連接管
39‧‧‧發熱體
41‧‧‧氣體導入系統
42‧‧‧氣體導入口
49‧‧‧噴出口
50‧‧‧蒸氣放出裝置
51‧‧‧放出口
52‧‧‧冷卻路徑
53‧‧‧溫度控制．循環裝置
54，55‧‧‧真空排氣系統
60‧‧‧冷卻閘
61‧‧‧冷卻裝置
62‧‧‧冷卻板
圖1乃本發明之有機薄膜製造裝置之剖面圖。
圖2乃本發明之蒸氣產生裝置之剖面圖。
圖3乃以往之蒸氣產生裝置之剖面圖。
1‧‧‧有機薄膜製造裝置
5‧‧‧基板
10‧‧‧成膜槽
20‧‧‧連接閥
22‧‧‧有機化合物
23‧‧‧馬達
25‧‧‧開關閥
27‧‧‧延長部分
28‧‧‧管狀插入部
29‧‧‧漏斗斜面
30‧‧‧蒸氣產生裝置
31‧‧‧儲藏槽
32‧‧‧輸送裝置
33‧‧‧產生槽
34‧‧‧漏斗容器
35‧‧‧計量棒
37‧‧‧外側連接管
38‧‧‧內側連接管
39‧‧‧發熱體
41‧‧‧氣體導入系統
43，44‧‧‧配管
50‧‧‧蒸氣放出裝置
51‧‧‧放出口
52‧‧‧冷卻路徑
53‧‧‧溫度控制．循環裝置
54，55‧‧‧真空排氣系統
60‧‧‧冷卻閘
61‧‧‧冷卻裝置
62‧‧‧冷卻板

Claims (12)

  1. 一種有機化合物蒸氣產生裝置，屬於具有配置有機材料之儲藏槽；和將前述有機材料加熱，使前述有機材料的蒸氣產生之產生槽；和將前述儲藏槽內之前述有機材料供給至前述產生槽之輸送裝置，該有機化合物蒸氣產生裝置，其特徵乃前述輸送裝置係具有：氣密地連接前述儲藏槽內部環境與前述產生槽內部環境，使前述儲藏槽內之前述有機材料通過，移動至前述產生槽內之連接配管；和形成於前述連接配管，連接於供給氣體之氣體導入系統時，前述氣體係導入至前述連接配管內之氣體導入口者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，對於前述儲藏槽內，漏斗形狀之漏斗狀容器乃將前述漏斗形狀的斜面朝上，將連接於位置於漏斗形狀中央的孔之管狀的管狀插入部朝下而插入於前述連接配管，前述管狀插入部之下端係位置於前述連接配管內，對於前述斜面上，係配置前述有機材料之粉體，前述漏斗狀容器內之前述有機材料係呈從前述管狀插入部之下端，通過前述連接配管內部而供給至前述產生槽地加以構成， 前述氣體導入口係呈在前述連接配管內，供給前述氣體至前述管狀插入部與前述連接配管之間地加以形成，所供給之前述氣體係呈通過前述管狀插入部與前述連接配管之間的間隙而導入至前述產生槽地加以構成者。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，對於前述漏斗狀容器，具有下端呈開放之計量棒，該計量棒側面形成螺旋狀之螺紋溝槽，且前述螺紋溝槽的下端插通並位於前述管狀插入部內，經由前述計量棒的旋轉，前述有機材料乃移動在前述螺紋溝槽內而落下，呈從前述管狀插入部供給至前述輸送裝置內地加以構成者。
  4. 如申請專利範圍第2項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，前述連接配管乃具有外側連接管，與內側連接管，前述內側連接管乃配置於前述外側連接管內部，下端乃配置於前述產生槽內，前述管狀插入部乃插入於前述內側連接管內，前述管狀插入部之下端乃配置於前述內側連接管內者。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，前述內側連接管的熱傳導率乃做成較前述外側連接管的熱傳導率為低者。
  6. 如申請專利範圍第4項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，對於前述外側連接管，設置有流通冷卻媒體之冷卻路徑者。
  7. 如申請專利範圍第4項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，前述內側連接管位於前述產生槽內之前端部分形成為前端縮窄者。
  8. 如申請專利範圍第4項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，前述管狀插入部乃下端位置於前述內側連接管內，對於前述管狀插入部與前述內側連接管之間係形成有間隙，前述氣體乃從前述氣體導入口導入至前述間隙，所導入之前述氣體乃呈從前述氣體導入口朝向前述管狀插入部下端流動地加以構成者。
  9. 如申請專利範圍第4項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，各前述漏斗狀容器乃對於前述內側連接管而言可上下移動，以從前述內側連接管內插拔地加以構成，對於前述儲藏槽與前述輸送裝置之間，從前述內側連接管內拔除前述管狀插入部時，設置有可遮斷前述儲藏槽內部與前述輸送裝置內部之開關閥者。
  10. 如申請專利範圍第1項記載之有機化合物蒸氣產生裝置，其中，對於前述儲藏槽內部，係設置有配置前述有機化合物之液體的液體供給容器；和將前述液體供給容器內之前述有機化合物供給至前述輸送裝置之吐出裝置者。
  11. 一種有機薄膜製造裝置，其特徵乃具有：成膜槽；和配置於前述成膜槽內之放出裝置； 和如申請專利範圍第1項至第10項中任一項記載之有機化合物蒸氣產生裝置；前述放出裝置之內部與前述有機化合物蒸氣產生裝置之內部係藉由切換前述有機化合物蒸氣之導通．遮斷之連接閥而加以連接，從前述儲藏槽通過前述輸送裝置而移動至前述產生槽之有機材料係在前述產生槽進行加熱，使有機材料氣體產生，所產生之前述有機材料氣體係從前述放出裝置放出至前述成膜槽內者。
  12. 如申請專利範圍第11項記載之有機薄膜製造裝置，其中，前述連接閥乃在前述連接閥將前述放出裝置內部與前述產生槽內部做成遮斷狀態時，將前述產生槽內部，連接於附著有機化合物蒸氣之附著裝置者。
TW099105358A 2009-02-24 2010-02-24 有機化合物蒸氣產生裝置及有機薄膜製造裝置 TWI438292B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009041071 2009-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201100568A TW201100568A (en) 2011-01-01
TWI438292B true TWI438292B (zh) 2014-05-21

Family

ID=42665515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099105358A TWI438292B (zh) 2009-02-24 2010-02-24 有機化合物蒸氣產生裝置及有機薄膜製造裝置

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP2402480A4 (zh)
JP (1) JP5186591B2 (zh)
KR (1) KR101286803B1 (zh)
CN (1) CN102239275B (zh)
TW (1) TWI438292B (zh)
WO (1) WO2010098308A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101303812B1 (ko) 2012-03-30 2013-09-04 한국과학기술연구원 석탄슬래그 침식에 강한 알루미나 코팅 스핀넬/탄화규소 내화물 조성물 및 이의 제조방법
KR101364835B1 (ko) * 2012-06-20 2014-02-25 주식회사 야스 고온 증발원 및 그 제조방법
JP6549835B2 (ja) * 2014-11-21 2019-07-24 株式会社カネカ 蒸着装置、及び有機ｅｌ装置の製造方法
CN104711514B (zh) * 2015-04-07 2017-05-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种成膜装置及方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01133390A (ja) * 1987-11-18 1989-05-25 Hitachi Ltd 電子装置
US5820678A (en) * 1997-05-30 1998-10-13 The Regents Of The University Of California Solid source MOCVD system
JPH1133390A (ja) * 1997-07-17 1999-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 粉末原料気化装置
JP2001247967A (ja) * 1999-12-30 2001-09-14 Applied Materials Inc ジルコン酸チタン酸鉛膜の有機メタル化学気相堆積
JP2003226961A (ja) 2002-02-04 2003-08-15 Sanyo Shinku Kogyo Kk 連続蒸着装置
JP4044515B2 (ja) * 2003-11-28 2008-02-06 富士通株式会社 エアロゾルデポジッション成膜装置
JP4590881B2 (ja) * 2004-02-13 2010-12-01 株式会社ユーテック Ｃｖｄ用気化器、溶液気化式ｃｖｄ装置
JP4535926B2 (ja) 2005-04-26 2010-09-01 日立造船株式会社 蒸着材料の蒸発装置
US7213347B2 (en) * 2005-05-03 2007-05-08 Eastman Kodak Company Metering material to promote rapid vaporization
JP4238239B2 (ja) * 2005-07-26 2009-03-18 株式会社渡辺商行 気化方法
JP4601535B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器
US20070098891A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
JP4815447B2 (ja) * 2006-05-19 2011-11-16 株式会社アルバック 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法
JP5282025B2 (ja) * 2007-02-28 2013-09-04 株式会社アルバック 蒸着源、蒸着装置、有機薄膜の成膜方法
JP5081899B2 (ja) * 2007-03-26 2012-11-28 株式会社アルバック 蒸着源、蒸着装置、成膜方法
JP5234718B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-10 株式会社アルバック 半導体装置の製造方法
JP5114288B2 (ja) * 2008-05-16 2013-01-09 株式会社アルバック 成膜装置、有機薄膜形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101286803B1 (ko) 2013-07-17
CN102239275B (zh) 2013-10-30
JP5186591B2 (ja) 2013-04-17
CN102239275A (zh) 2011-11-09
KR20110083705A (ko) 2011-07-20
TW201100568A (en) 2011-01-01
EP2402480A1 (en) 2012-01-04
EP2402480A4 (en) 2013-11-20
JPWO2010098308A1 (ja) 2012-08-30
WO2010098308A1 (ja) 2010-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4871833B2 (ja) 蒸着源、蒸着装置
JP5114288B2 (ja) 成膜装置、有機薄膜形成方法
TWI428460B (zh) 蒸氣放出裝置、有機薄膜蒸鍍裝置及有機薄膜蒸鍍方法
TWI438292B (zh) 有機化合物蒸氣產生裝置及有機薄膜製造裝置
KR102137181B1 (ko) 증착 배열체, 증착 장치 및 그의 동작 방법들
US10266962B2 (en) Deposition systems including effusion sources, and related methods
JPWO2007135870A1 (ja) 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法
KR101611669B1 (ko) 가열장치 및 이를 포함하는 코팅기구
EP2025773A1 (en) Vacuum evaporation apparatus for solid materials
JPWO2009107733A1 (ja) 成膜源、蒸着装置、有機ｅｌ素子の製造装置
KR20120011854A (ko) 증착 처리 장치 및 증착 처리 방법
US20090020070A1 (en) Vacuum evaporation apparatus for solid materials
CN105861991A (zh) 一种线性加热源
KR20090015324A (ko) 금속성 박막 증착용 선형 하향식 고온 증발원
JP4974877B2 (ja) 成膜源、成膜装置
WO2010007981A1 (ja) 成膜装置及び粉体気化装置
JP6282852B2 (ja) 蒸着装置、成膜方法及び有機ｅｌ装置の製造方法
KR20050036227A (ko) 증착원 및 이를 이용한 증착 방법
TW201316588A (zh) 材料供給裝置及成膜裝置
JP4996452B2 (ja) 成膜源、成膜装置