TWI435931B - 電子材料用清洗劑 - Google Patents

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Shohei Sato
Ayayo Sugiyama
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Sanyo Chemical Ind Ltd
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Description

電子材料用清洗劑
本發明是關於一種電子材料用清洗劑。更詳細而言，是關於一種電子材料用清洗劑，其對並不污染電子材料、且亦不會造成製造設備腐蝕的電子材料上的微小顆粒的除去性優良。
於以磁碟(magnetic disk)用基板、平板顯示器(flat-panel display)用基板以及半導體基板等為代表的電子材料的清洗技術中，在近年來，隨著以超大規模積體電路(ultra-large scale integration，簡稱為ULSI)等為代表的微加工技術的進步，在電子材料、特別是基板上殘存的微量的顆粒或有機物對元件(device)的性能或良率產生較大影響，因此清洗時的管理變得極其重要。特別是作為清洗對象的顆粒自身於最近也存在進一步微粒子化的傾向，微粒子化的顆粒變得更加容易附著於界面上，因此亟需確立高度清洗技術。
為了防止由該些顆粒所造成之污染，提出了添加界面活性劑而降低顆粒表面的ζ電位(zeta potential)，從而減低顆粒附著的方法(參照日本專利特開平5-138142號公報、日本專利特開平6-41770號公報、日本專利特開2001-7071號公報)等。
然而，上述日本專利特開平5-138142號公報中提出的界面活性劑為非離子界面活性劑，因此並不能充分降低顆 粒表面的ζ電位，再附著防止性並不充分。而且，上述日本專利特開平6-41770號公報中提出的界面活性劑是陰離子性界面活性劑，確實可以降低顆粒表面的ζ電位從而可一定程度上改善顆粒的再附著防止效果，然而對細微化的顆粒的除去性並不充分。
另外，為了降低基板上的金屬污染，在上述日本專利特開2001-7071號公報中提出了一種使用有機酸與界面活性劑的酸性清洗劑，但是於清洗時容易與微量的金屬(鈣或鎂等)形成難溶於水的鹽，因此存在該些析出的鹽污染基板的問題。
本發明的課題是提供一種電子材料用清洗劑，該電子材料用清洗劑對細微化的顆粒的清洗能力優良且可降低基板上的金屬污染，並且可提高製造時的良率(yield rate)或者可進行可用短時間進行清洗的極其有效率的高度清洗。
本發明者等人為解決上述課題而進行了努力研究，結果完成本發明。即，本發明是一種電子材料用清洗劑，其特徵在於含有如下成分作為必須成分：磺胺酸(sulfamic acid)(A)、於分子內具有至少一個磺酸基或該磺酸基之鹽基的陰離子性界面活性劑(B)、螯合劑(C)、以及水；以及一種電子材料的製造方法，其包含使用所述清洗劑對電子材料進行清洗的步驟。
本發明的電子材料用清洗劑具有如下之效果：作為先前之課題的防止清洗步驟時顆粒粒子再附著於電子材料上的再附著防止性以及除去細微化顆粒的除去性優良，且可提高元件的可靠性或良率。
另外，本發明的電子材料用清洗劑亦具有如下之效果：不會在清洗時與水中存在的微量金屬離子反應而生成水不溶物，不用擔心由於清洗劑而造成之2次污染，也不會對製造設備中使用的金屬部件造成腐蝕。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本發明中的磺胺酸(A)並無特別之限定，可使用通常市售的試劑或工業用原料之任意種，而且也可以是粉末狀或水溶液狀的任意形態。
本發明中的於分子內具有至少一個磺酸基或該磺酸基之鹽基的陰離子性界面活性劑(B)，可列舉於一分子中具有至少2個或2個以上重複單元的重量平均分子量(weight average molecular weight，以下簡稱為Mw)為1,000~2,000,000的高分子陰離子性界面活性劑(B1)以及低分子陰離子性界面活性劑(B2)。
上述高分子陰離子性界面活性劑(B1)的具體例可列舉聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonic acid)、苯乙烯/苯乙烯磺酸共聚物、聚{2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺 酸}、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/苯乙烯共聚物、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/丙烯醯胺共聚物、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/(甲基)丙烯酸共聚物、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/(甲基)丙烯酸/丙烯醯胺共聚物、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/苯乙烯/丙烯醯胺共聚物、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/苯乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物、萘磺酸甲醛縮合物、甲基萘磺酸甲醛縮合物、二甲基萘磺酸甲醛縮合物、蒽磺酸甲醛縮合物、三聚氰胺磺酸甲醛縮合物、苯胺磺酸-苯酚-甲醛縮合物以及該些化合物之鹽等。
低分子陰離子性界面活性劑(B2)的具體例可列舉碳數為6~24之醇的磺基琥珀酸(單或二)酯(鹽){二辛基磺基琥珀酸(鹽)等}、碳數為8~24之α-烯烴的磺酸化物(鹽)、具有碳數為8~14之烷基的烷基苯磺酸(鹽){辛基苯磺酸(鹽)、十二烷基苯磺酸(鹽)等}、石油磺酸酯(鹽)、甲苯磺酸(鹽)、二甲苯磺酸(鹽)以及異丙苯磺酸(鹽)等。
自顆粒的除去性、低起泡性之觀點考慮，該些化合物中較好的是高分子陰離子性界面活性劑(B1)，更好的是聚苯乙烯磺酸、聚{2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸}、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/(甲基)丙烯酸共聚物、萘磺酸甲醛縮合物以及該些化合物之鹽。
進一步更好的是聚苯乙烯磺酸、聚{2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸}、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲 基乙磺酸/(甲基)丙烯酸共聚物以及該些化合物之鹽，特別好的是聚苯乙烯磺酸、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/(甲基)丙烯酸共聚物以及該些化合物之鹽。
陰離子性界面活性劑(B)中的磺酸基形成鹽時，該鹽例如可列舉鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽、銨鹽、碳數為4~25之四級銨鹽、碳數為1~36之脂肪族胺鹽、碳數為4~10之脒鹽、碳數為1~23之烷醇胺鹽、以及碳數為6~20之芳香族或芳香脂肪族胺鹽。而且(B)可單獨使用，亦可並用2種或2種以上。
自顆粒除去性之觀點考慮，該些化合物中較好的是鹼金屬鹽、銨鹽、碳數為4~25之銨鹽、碳數為1~36之脂肪族胺鹽、碳數為4~10之脒鹽、以及碳數為1~23之烷醇胺鹽。
而且，自對防止基板之金屬污染之觀點考慮，更好的是銨鹽、碳數為4~25之銨鹽、碳數為1~36之脂肪族胺鹽、碳數為4~10之脒鹽以及碳數為1~23之烷醇胺鹽。
特別好的是碳數為1~36之脂肪族胺鹽、碳數為4~10之脒鹽以及碳數為1~23之烷醇胺鹽，最好的是1,4-二氮雜二環[2.2.2]辛烷(1,4-Diazabicyclo[2.2.2]octane，簡稱為DABCO)、1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一烯-7(1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene，簡稱為DBU)、1,5-二氮雜二環[4.3.0]-壬烯-5(1,5-Diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene，簡稱為DBN)、1H-咪唑(1H-imidazole)、2-甲基-1H-咪唑、2-乙基-1H-咪唑、 單乙醇胺(monoethanolamine)、二乙醇胺(diethanolamine)、三乙醇胺(triethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-methyldiethanolamine)、2-胺基-2-甲基-1-丙醇以及3-胺基-1-丙醇之鹽。
陰離子性界面活性劑(B)可為酸，亦可形成鹽，自容易工業性獲得之觀點考慮，較好的是形成鹽。
自防止顆粒再附著的再附著防止性以及低泡性之觀點等考慮，高分子陰離子性界面活性劑(B1)的Mw通常為1,000~2,000,000，較好的是1,200~1,000,000，更好的是1,500~80,000，特別好的是2,000~50,000。
另外，本發明的Mw以及數量平均分子量可利用凝膠滲透層析法(gel permeation chromatograph，以下簡稱為GPC)，以聚環氧乙烷為標準物質，於40℃下進行測定。
具體而言，以如下方式進行測定：裝置本體：HLC-8120(Tosoh股份有限公司製造)；管柱：Tosoh股份有限公司製造的TSKgel α 6000、G3000 PWXL；偵測器：裝置本體內置的示差折射儀偵測器；溶離液(eluent)：0.5%乙酸鈉‧水/甲醇(體積比70/30)；溶離液流量：1.0mL/min；管柱溫度：40℃；試樣：0.25%的溶離液溶液；注入量：200μL；標準物質：Tosoh股份有限公司製造TSK TANDARD POLYETHYLENE OXIDE；資料處理軟體：GPC-8020 model II(Tosoh股份有限公司製造)。
於上述以及下述中，若無特別之規定，則%表示重量百分比(wt%)。
高分子陰離子性界面活性劑(B1)的製造方法可列舉：(1)使用具有磺酸基的不飽和單體藉由自由基聚合而進行製造的方法、(2)藉由於高分子化合物導入磺酸基而進行製造的方法、(3)使用於分子內具有磺酸基的芳香族化合物藉由與甲醛的聚縮合反應而進行製造的方法等公知的方法。
(1)使用具有磺酸基的不飽和單體藉由自由基聚合而進行製造的方法：使用包含具有磺酸基的不飽和單體[苯乙烯磺酸以及2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸等]以及視需要的其他不飽和單體(苯乙烯、丙烯酸以及丙烯醯胺等)的單體，相對於單體為0.1%~30%的自由基起始劑(radical initiator)(過硫酸鹽、偶氮二異丁基脒(azobis-amidinopropane)鹽以及偶氮雙異丁基腈等)，於水或醇系溶劑等溶劑中、於30℃~150℃的溫度下進行聚合。若需要，則亦可使用硫醇等鏈轉移劑(chain transfer reagent)。
(2)藉由於高分子化合物導入磺酸基而進行製造的方法：可列舉在獲得以上述(1)的方法等獲得具有不飽和鍵的高分子化合物(聚苯乙烯磺酸等)後，利用下述方法而將磺酸基導入至高分子化合物的方法(以下記為磺化)。
磺化反應法例如可以是：裝入反應溶劑(1,2-二氯乙 烷、二氯甲烷、氯乙烷、四氯化碳、1,1-二氯乙烷、1,1,2,3-四氯乙烷、氯仿以及1,2-二溴乙烷等對於磺化而言為惰性的溶劑)、磺化劑(無水硫酸以及氯磺酸等)，然後使其於0℃~50℃下反應，視需要進行過濾或餾去溶劑，由此而獲得導入了磺酸基的高分子化合物。
相對於構成高分子化合物的不飽和單體的莫耳數，此時的磺化劑的使用量(莫耳比)較好的是0.5~3，更好的是1~2.5。溶劑的使用量(重量百分比)亦根據該高分子化合物的分子量而定，相對於原料高分子化合物通常為1~30，較好的是2~20。
自於水中的溶解性之觀點等考慮，所得之高分子化合物的構成單體單元平均的磺化率(莫耳百分比)較好的是50~100，更好的是80~99。另外，磺化率是表示在高分子化合物中的構成單體單元中平均導入了幾個磺酸基的指標，例如在聚苯乙烯的磺化物的情況下，所謂磺化率為100%，是指對聚苯乙烯中的所有芳香族環導入了一個磺酸基。
磺化率可利用公知的方法而求出，例如可利用如下方法而求出：利用元素分析而測定碳原子與硫原子之比率的方法，或者測定鍵合硫酸量(JIS K 3362：1998中的陰離子界面活性劑的定量，對應於ISO 2271)的方法。
(3)使用於分子內具有磺酸基的芳香族化合物藉由與甲醛的聚縮合反應而進行製造的方法：可列舉如下方法：將具有磺酸基的芳香族化合物(萘磺酸以及蒽磺酸、甲基萘磺酸等)、視需要的其他化合物 (萘、苯酚以及甲酚等)或尿素、作為觸媒而使用的酸(硫酸等)或鹼(氫氧化鈉等)裝入至反應容器中，於70℃~90℃之攪拌下，以1小時~4小時滴下預定量的甲醛水溶液(例如37wt%水溶液)，滴加結束後於回流下攪拌3小時~30小時而進行冷卻的方法。
本發明的電子材料用清洗劑中所使用的螯合劑(C)可列舉胺基多羧酸(鹽)(C1)、羥基羧酸(鹽)(C2)、環羧酸(鹽)(C3)、醚羧酸(鹽)(C4)、其他羧酸(鹽)(C5)、膦酸(鹽)(C6)、縮合磷酸(鹽)(C7)等。
胺基多羧酸(鹽)(C1)例如可列舉乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid，EDTA)(鹽)、二乙三胺五乙酸(diethylenetriaminepentaacetic acid，DTPA)(鹽)、三乙四胺六乙酸(triethyleneteraamipehexaacetic acid，TTHA)(鹽)、羥乙基乙二胺三乙酸(hydroxyethyl ethylenediamine triacetic acid，HEDTA)(鹽)、二羥乙基乙二胺四乙酸(hydroxyethyl ethylenediamine tetraacetic acid，DHEDDA)(鹽)、氮川三乙酸(nitrilotriacetic acid，NTA)(鹽)、羥乙基亞胺基二乙酸(Hydroxyethyl iminodiacetic acid，HIDA)(鹽)、β-丙胺酸二乙酸(鹽)、天冬胺酸二乙酸(鹽)、甲基甘胺酸二乙酸(鹽)、亞胺基二琥珀酸(鹽)、絲胺酸二乙酸(鹽)、羥基亞胺基二琥珀酸(鹽)、二羥乙基甘胺酸(鹽)、天冬胺酸(鹽)以及麩胺酸(鹽)等。
羥基羧酸(鹽)(C2)例如可列舉羥基乙酸(鹽)、 乳酸(鹽)、酒石酸(鹽)、蘋果酸(鹽)、羥基丁酸(鹽)、甘油酸(鹽)、檸檬酸(鹽)、葡萄糖酸(鹽)、L-抗壞血酸(鹽)、異抗壞血酸(鹽)、水楊酸(鹽)以及沒食子酸(鹽)等。
環羧酸(鹽)(C3)例如可列舉均苯四甲酸(鹽)、苯并多羧酸(鹽)以及環戊烷四甲酸(鹽)等。
醚羧酸(鹽)(C4)例如可列舉羧甲基羥基丙二酸酯、羧甲基氧基琥珀酸酯、氧基二琥珀酸酯、酒石酸單琥珀酸酯以及酒石酸二琥珀酸酯等。
其他羧酸(鹽)(C5)例如可列舉馬來酸(鹽)、富馬酸(鹽)以及草酸(鹽)等。
膦酸(鹽)(C6)例如可列舉亞甲基二膦酸(鹽)、胺基三(亞甲基膦酸)(鹽)、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(鹽)、乙二胺四(亞甲基膦酸)(鹽)、己二胺四(亞甲基膦酸)(鹽)、丙二胺四(亞甲基膦酸)(鹽)、二乙三胺五(亞甲基膦酸)(鹽)、三乙四胺六(亞甲基膦酸)(鹽)、三胺基三乙胺六(亞甲基膦酸)(鹽)、反式-1,2-環己二胺四(亞甲基膦酸)(鹽)、二醇醚二胺四(亞甲基膦酸)(鹽)以及四乙五胺七(亞甲基膦酸)(鹽)等。
縮合磷酸(鹽)(C7)例如可列舉焦磷酸(鹽)、偏磷酸(鹽)、三聚磷酸(鹽)以及六偏磷酸(鹽)等。
螯合劑(C)可作為酸使用，亦可作為中和鹽使用。
另外，在螯合劑(C)形成鹽時，其鹽可列舉與上述陰離子性界面活性劑(B)的鹽中所例示的化合物具有相 同的陽離子成分的鹽。而且，該些化合物可單獨使用，亦可並用2種或2種以上。
自顆粒除去性之觀點考慮，該些化合物中較好的是(C1)、(C2)、(C6)、(C7)以及該些化合物之鹽，更好的是(C1)、(C6)、(C7)以及該些化合物之鹽。
特別好的是乙二胺四乙酸(EDTA)(鹽)、二乙三胺五乙酸(DTPA)(鹽)、二羥乙基乙二胺四乙酸(DHEDDA)(鹽)、氮川三乙酸(NTA)(鹽)、羥乙基亞胺基二乙酸(HIDA)(鹽)、天冬胺酸二乙酸(鹽)、天冬胺酸(鹽)、麩胺酸(鹽)、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(鹽)、乙二胺四(亞甲基膦酸)(鹽)以及偏磷酸(鹽)及六偏磷酸(鹽)。
最好的是二乙三胺五乙酸(DTPA)(鹽)、二羥乙基乙二胺四乙酸(DHEDDA)(鹽)、氮川三乙酸(NTA)(鹽)、羥乙基亞胺基二乙酸(HIDA)(鹽)、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(鹽)以及乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)(鹽)。
自防止由於金屬雜質所造成的2次污染之觀點考慮，本發明中的水特別好的是離子交換水(導電率小於等於0.2μS/cm)或超純水(電阻率大於等於18MΩ‧cm)。
另外，於本發明的含量的份數的說明中，將除水以外的成分定義為有效成分。
自清洗性之觀點考慮，基於清洗劑之有效成分之重量，本發明的清洗劑中之(A)的含量較好的是5%~90 %，更好的是10%~85%，特別好的是20~60%。
自清洗性之觀點考慮，基於清洗劑之有效成分之重量，本發明的清洗劑中之(B)的含量較好的是0.1%~50%，更好的是1%~30%，特別好的是3%~25%。
自清洗性之觀點考慮，基於清洗劑之有效成分之重量，本發明的清洗劑中之(C)的含量較好的是0.1%~50%，更好的是0.5%~40%，特別好的是1%~30%。
而且，特別是自顆粒之除去性之觀點考慮，(B)相對於(C)之重量比[(B)/(C)]較好的是0.1~7，更好的是0.1~5，特別好的是0.2~2，最好的是0.3~1。
自清洗性之觀點考慮，本發明的清洗劑在使用時的有效成分濃度較好的是0.01wt%~50wt%，更好的是0.05wt%~20wt%，特別好的是0.1wt%~5wt%。
自對於顆粒或有機物之清洗性以及金屬污染物之除去性之觀點考慮，本發明的清洗劑在25℃下的pH值較好的是3.0或3.0以下，特別好的是2.5~0.5，最好的是2.0~0.8。
本發明的清洗劑，可在不損及其效果的範圍內進一步含有選自由親水性有機溶劑(D)、除具有磺酸基或該磺酸基之鹽基的陰離子性界面活性劑(B)以外的界面活性劑(E)、3元或3元以上的多元醇、還原劑以及其他添加劑所組成之群組的一種或一種以上成分。
親水性溶劑(D)具有提高清洗劑的產品穩定性的效果與提高沖洗(rinse)性的效果。
(D)可列舉於20℃之水中的溶解度[(D)/100g H2O]為3或3以上、較好的是10或10以上的有機溶劑。
(D)的具體例可列舉亞碸(二甲基亞碸等)；碸{二甲基碸、二乙基碸、雙(2-羥乙基)碸、丁抱楓、3-甲基丁抱楓以及2,4-二甲基丁抱楓等}；醯胺{N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺以及N,N-二甲基丙醯胺等}；內醯胺{N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮以及N-羥基甲基-2-吡咯烷酮等}；內酯{β-丙內酯、β-丁內酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯以及δ-戊內酯等}；醇{甲醇、乙醇以及異丙醇等}；二醇以及二醇醚{乙二醇、乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單己醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、丁二醇、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、三乙二醇二甲醚以及三乙二醇二乙醚等}；噁唑烷酮(N-甲基-2-噁唑烷酮以及3,5-二甲基-2-噁唑烷酮等)；腈(乙腈、丙腈、丁腈、丙烯腈以及甲基丙烯腈等)；碳酸酯(碳酸乙二酯以及碳酸丙二酯等)；酮(丙酮、二乙基酮、苯乙酮、甲基乙基酮、環己酮、環戊酮以及二丙酮醇等)；環狀醚(四氫呋喃以及四氫吡喃等)等。
(D)可單獨使用，亦可並用2種或2種以上。
自沖洗性之觀點等考慮，(D)中較好的是二醇以及二醇醚，更好的是乙二醇單甲醚、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚以及二乙二醇單己醚。
為提高本發明的清洗劑的沖洗性，基於清洗劑之有效成分之重量，親水性溶劑(D)的含量較好的是1wt%~70wt%，更好的是5wt%~50wt%，特別好的是10wt%~40wt%。
為提高清洗劑於電子材料基板上的潤濕性(wettability)與提高分散性，較好的是本發明的清洗劑中進一步含有非離子性界面活性劑(E)。
此種非離子性界面活性劑(E)可列舉高級醇、酚、烷酚(alkylphenol)、脂肪酸、脂肪族胺等的環氧烷加成物(E1)、醇的脂肪酸酯(E2)、脂肪酸烷醇醯胺(E3)。
(E1)可列舉高級醇的碳數為2~4的環氧烷加成物(加成莫耳數為1~30)、酚或烷酚的環氧烷加成物(加成莫耳數為1~30)、高級脂肪酸的環氧乙烷加成物(加成莫耳數為1~30)、脂肪族胺的環氧烷加成物(加成莫耳數為1~30)、烷二醇的環氧烷加成物(加成莫耳數為5~200)、聚丙二醇(polyoxypropylene glycol)(數量平均分子量為200~4,000)的環氧乙烷加成物(加成莫耳數為1~100)、聚乙二醇(polyoxyethylene glycol)(數量平均分子量為200~4,000)的環氧丙烷加成物(加成莫耳數為1~100)以及聚乙二醇(數量平均分子量為60~2,000)的烷基(碳數為1~20)烯丙基醚；山梨醇酐單月桂酸酯環氧乙烷加成物(加成莫耳數為1~30)、山梨醇酐單油酸酯環氧乙烷加成物(加成莫耳數為1~30)等多元醇的脂肪酸(碳數為8~24)酯的環氧乙烷加成物(加 成莫耳數為1~30)等。
(E2)可列舉丙三醇單硬脂酸酯、丙三醇單油酸酯、山梨醇酐單月桂酸酯、山梨醇酐單油酸酯等多元醇(碳數為2~30)的脂肪酸(碳數為8~24)酯等。
(E3)可列舉月桂酸單乙醇醯胺以及月桂酸二乙醇醯胺等。
自清洗劑對於電子材料用基板的潤濕性以及有機物的除去性等觀點考慮，(E)較好的是(E1)，更好的是高級醇的碳數為2~3的環氧烷加成物(加成莫耳數為2~20)、酚或烷酚的環氧乙烷加成物(加成莫耳數為2~20)以及碳數為9~18的脂肪族胺的環氧烷加成物(加成莫耳數為2~20)。
本發明的清洗劑含有非離子性界面活性劑(E)時，基於本發明的清洗劑之有效成分的重量，其含量較好的是0.1%~10%，更好的是0.2%~5%，特別好的是0.3~3%。
本發明的清洗劑可以在不損及其效果的範圍內含有除上述具有磺酸基或該磺酸基之鹽基的陰離子性界面活性劑(B)以及非離子性界面活性劑(E)以外的界面活性劑(F)。
界面活性劑(F)可列舉除(B)以外的陰離子性界面活性劑(F1)、陽離子性界面活性劑(F2)、以及兩性界面活性劑(F3)。
(F1)可列舉具有選自由硫酸酯(鹽)基、磷酸酯(鹽)基、膦酸(鹽)基以及羧酸(鹽)基所組成之群組的至少 一種基的高分子型以及低分子型陰離子性界面活性劑。
(F2)可列舉四級銨鹽型界面活性劑、胺系界面活性劑等。
(F3)可列舉甜菜鹼型兩性界面活性劑、胺基酸型兩性界面活性劑、磺胺酸鹽型兩性界面活性劑等。
自清洗性之觀點考慮，上述界面活性劑(F)中較好的是(F1)，更好的是聚丙烯酸(鹽)、甲基丙烯醯氧基聚環氧烷硫酸酯/丙烯酸共聚物的鹽、以及2-乙基己醇硫酸酯(鹽)。
另外，(F)可單獨使用，亦可並用2種或2種以上。
而且，在陰離子性界面活性劑(F1)形成鹽時，其鹽可列舉具有與上述(B)的鹽中例示的化合物相同的陽離子成分的化合物。該些化合物可單獨使用，亦可並用2種或2種以上。
本發明的清洗劑含有其他界面活性劑(F)時，基於本發明的清洗劑之有效成分的重量，其他界面活性劑(F)的含量較好的是0.1%~10%，更好的是0.2%~5%，特別好的是0.3~3%。
為了提高清洗性，亦可於本發明的清洗劑中添加3元或3元以上的多元醇。
3元或3元以上的多元醇可列舉脂肪族多元醇、脂肪族多元醇的脫水縮合物、糖類、糖醇、三酚(trisphenol)等，較好的是丙三醇、蔗糖以及山梨糖醇。
為了控制清洗劑的蝕刻性以及防止由於清洗劑中的離 子再污染基板，本發明的清洗劑中亦可添加還原劑。
該些還原劑較好的是醛類、烷醇胺、酚化合物、硫醇系還原劑、硫的含氧酸類以及磷的含氧酸類。
可視需要添加的其他添加劑可列舉抗氧化劑(oxidation inhibitor)、防銹劑、pH值調整劑、緩衝劑、消泡劑、防腐劑以及水溶助劑(hydrotropic agent)等。
自防止金屬污染之觀點考慮，基於清洗劑之有效成分之重量，本發明的清洗劑中的Na、K、Ca、Fe、Cu、Al、Pb、Ni以及Zn原子的各金屬含量較好的是20ppm或20ppm以下，更好的是10ppm或10ppm以下，特別好的是5ppm或5ppm以下。
該些金屬原子之含量的測定方法可利用公知之方法，例如可利用原子吸光法、高頻波感應耦合電漿(ICP)發光分析法以及ICP質量分析法。
本發明的清洗劑是用以清洗電子材料的清洗劑，成為清洗對象的電子材料可列舉磁碟基板(玻璃基板、鋁基板以及實施了Ni-P鍍敷的鋁基板)、平板顯示器基板(液晶面板用玻璃基板、彩色濾光片基板、陣列基板、電漿顯示用基板以及有機EL用基板等)、半導體基板(半導體元件以及矽晶圓等)、複合半導體(compound semiconductor)基板(SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等)、藍寶石基板(LED等)、光罩(photomask)用基板、太陽電池用基板(矽基板以及薄膜型太陽電池用玻璃基板等)、光學透鏡、印刷電路板、光通訊用纜線、微機電系 統(MEMS)以及晶體振盪器(crystal oscillator)等。
成為清洗對象的電子材料特別好的是磁碟用玻璃基板、平板顯示器用玻璃基板(液晶面板用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板以及有機EL用玻璃基板)、光罩用玻璃基板、光學透鏡以及薄膜型太陽電池用玻璃基板。
清洗對象物(污垢)可列舉油分(冷卻劑等)、來自人體的污垢(指紋以及皮脂等)、塑化劑(鄰苯二甲酸二辛酯等)、有機顆粒等有機物，以及無機顆粒[研磨劑(膠質氧化矽、氧化鋁、氧化鈰以及金剛石等)以及研磨屑(玻璃屑等)等]等無機物。
本發明的清洗劑的顆粒之除去性極其優良，因此較好的是在上述基板的製造步驟中的用以除去研磨劑、研磨屑以及研削屑等顆粒的清洗步驟中使用；更具體而言，較好的是應用為研削步驟後的清洗步驟、研磨步驟後的清洗步驟的清洗劑。
而且，為了防止在基板表面上牢固地附著大氣中浮動的污垢(顆粒以及有機物污垢等)，亦可於上述清洗步驟前後將該基板浸漬於本發明的清洗劑中。
若將上述研磨劑使用氧化鋁、二氧化矽、氧化鈰、金剛石等而進行研磨後的基板作為清洗對象的電子材料，則可以特別容易地發揮本發明的清洗劑的效果。
使用了本發明的清洗劑的清洗方式可列舉超音波清洗、噴淋清洗、噴射清洗、刷清洗、浸漬清洗、浸漬振盪清洗以及枚葉式清洗，無論是任意方式均容易發揮本發明 的清洗劑的效果。
自清洗性之觀點考慮，使用本發明的清洗劑時的清洗溫度較好的是10℃~80℃，更好的是15℃~60℃，特別好的是20℃~50℃。
自電子材料的表面平坦性之觀點考慮，用本發明的清洗劑進行清洗後的電子材料表面的表面粗糙度(Ra)較好的是0.5nm或0.5nm以下，更好的是0.001nm~0.3nm，特別好的是0.05nm~0.25nm。
另外，表面粗糙度(Ra)可使用精工電子納米科技公司(SII NanoTechnology Inc.)製造的E-sweep根據下述條件進行測定。
測定模式：DFM(tapping mode，計時模式)
掃描面積：10μm×10μm
掃描線數：256根(Y方向掃描)
校正：有X，Y方向的平面校正
本發明的電子材料的製造方法是包含用上述清洗劑對電子材料進行清洗之步驟的電子材料的製造方法，特別是可適用為磁碟基板、平板顯示器基板、光罩基板、光學透鏡以及太陽電池用基板之製造方法。
【實驗例】
以下，利用實驗例對本發明加以更詳細之說明，但本發明並不受其限定。以下，份表示重量份。
另外，以下中的高分子的GPC之Mw是利用上述條件進行測定，超純水使用比電阻值為18MΩ或18MΩ以上 的超純水。
[製造例1]
於可進行攪拌、溫度調節以及回流之反應容器中裝入1,2-二氯乙烷100份，於攪拌下進行氮氣置換後升溫至90℃，使1,2-二氯乙烷回流。將苯乙烯120份、以及預先將2,2'-偶氮雙異丁腈1.7份溶解於1,2-二氯乙烷20份中而成之起始劑溶液，分別各自用6小時同時滴加至反應容器中，滴加結束後進一步進行1小時之聚合。
於聚合後，在氮氣密封下冷卻到20℃，然後一面將溫度控制為20℃一面以10小時滴加無水硫酸105份，滴加結束後進一步使其進行3小時之磺化反應。反應後，餾去溶劑而使其固化，然後投入超純水345份進行溶解，獲得聚苯乙烯磺酸水溶液。
用40%氫氧化鈉水溶液(約110份)將所得之聚苯乙烯磺酸水溶液中和至pH值成為7為止，接著用超純水進行濃度調整，由此可獲得作為高分子陰離子性界面活性劑的聚苯乙烯磺酸鈉鹽(B-1)的40%水溶液。
另外，(B-1)的Mw為40,000，磺化率為97%。
[製造例2]
於可進行攪拌以及溫度調節之反應容器中裝入萘磺酸21份以及超純水10份，於攪拌下，一面將系統內溫度保持為80℃，一面以3小時滴加37%甲醛8份。滴加結束後，升溫至105℃進行25小時之反應後，冷卻至室溫(約25℃)，於水浴中一面將溫度控制為25℃一面緩緩添加 DBU，將pH值調整為6.5(使用約15份之DBU)。添加超純水而將固體成分調整為40%，獲得作為高分子陰離子性界面活性劑的萘磺酸甲醛縮合物的DBU鹽(B-2)的40%水溶液。
另外，(B-2)的Mw為5,000。
[製造例3]
於可進行攪拌以及溫度調節之反應容器中裝入異丙醇300份以及超純水100份，進行氮氣置換後升溫至75℃。於攪拌下以3.5小時同時滴加包含丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸227份、丙烯酸78份以及超純水131份的70%單體水溶液436份以及2,2'-偶氮雙(異丁酸二甲酯)(dimethyl 2,2'-azobis(iso-butylate))之15%異丙醇溶液95份。
滴加結束後，於75℃下攪拌5小時，然後於系統內間歇性投入超純水以使其不產生固化，餾去水與異丙醇之混合物直至無法檢測出異丙醇。
於所得之丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸/丙烯酸共聚物水溶液中，一面將溫度控制為25℃一面緩緩添加DBU，將pH值調整為6.5(使用約280份之DBU)，用超純水進行濃度調整，由此而獲得作為高分子陰離子性界面活性劑的丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸/丙烯酸共聚物的DBU鹽(B-3)的40%水溶液。
另外，(B-3)的Mw為8,000。
[製造例4]
使用2-胺基-2-甲基-1-丙醇代替製造例1中所使用的 40%氫氧化鈉水溶液進行中和直至pH值成為6為止，除此以外以與製造例1相同之方式進行製造，獲得作為高分子陰離子性界面活性劑的聚苯乙烯磺酸的2-胺基-2-甲基-1-丙醇鹽(B-4)的40%水溶液。
另外，(B-4)的Mw為40,000，磺化率為97%。
[製造例5]
使用DBN代替製造例2中所使用的DBU進行中和直至pH值成為7為止，除此以外以與製造例2相同之方式進行製造，獲得作為高分子陰離子性界面活性劑的萘磺酸甲醛縮合物的DBN鹽(B-5)的40%水溶液。
另外，(B-5)的Mw為5,000。
[製造例6]
使用2-甲基-1H-咪唑代替製造例3中所使用的DBU進行中和直至pH值成為7為止，除此以外以與製造例3相同之方式進行製造，獲得作為高分子陰離子性界面活性劑的丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸/丙烯酸共聚物的2-甲基-1H-咪唑鹽(B-6)的40%水溶液。
另外，(B-6)的Mw為8,000。
[製造例7]
將辛基苯磺酸136份以及超純水245份裝入至燒杯中，使其均勻溶解。於所得之辛基苯磺酸水溶液中緩緩添加DBN(約65份)進行中和直至pH值成為7為止，用超純水進行濃度調整，由此獲得作為陰離子性界面活性劑的辛基苯磺酸的DBN鹽(B-7)的40%水溶液。
[製造例8]
於可進行攪拌以及溫度調節之耐壓反應容器中裝入月桂醇186份(1.0莫耳份)以及氫氧化鉀0.5份，於100℃、30mmHg或30mmHg以下之減壓下進行30分鐘之脫水。一面將反應溫度保持為160℃，一面以3小時滴加環氧乙烷396份(9.0莫耳份)，然後於160℃下熟化2小時，獲得液狀之粗製聚醚。將該粗製聚醚冷卻至約80℃，添加超純水6份以及陽離子交換樹脂{Organo Corporation製造、Amber Light IR120B(I)}100份，於室溫(約20℃)下攪拌30分鐘後，進行減壓過濾及脫水，獲得作為非離子性界面活性劑之月桂醇的環氧乙烷9莫耳加成物(E-1)。
[製造例9]
於可進行攪拌以及溫度調節之耐壓反應容器中裝入月桂基胺296份(1.6莫耳份)，以氬氣置換後進行減壓，升溫至95℃。於同溫度下以使耐壓反應容器之內壓並不變為0.3MPa或0.3MPa以上之方式緩緩滴加環氧乙烷140.8份(3.2莫耳份，相對於1莫耳份胺為2.0莫耳份)。經過約1.5小時之誘導期(induction period)後一面將溫度控制為90℃~110℃之範圍一面使其反應共計4小時。於滴加結束後，於95℃下進行30分鐘反應直至耐壓反應容器之內壓顯示為與滴加開始時相同之壓力為止。
以並不混入空氣之方式於所得之月桂基胺之環氧乙烷2.0莫耳加成物(X-1)中添加四甲基乙二胺0.8份[相對於(X-1)之純度為0.183%]，於95℃下進行1小時之減壓 脫水。
將溫度降低至70℃後，以耐壓反應容器之內壓並不成為0.2MPa或0.2MPa以上之方式，一面將溫度控制為70℃~90℃一面以3小時滴加環氧乙烷563.2份(12.8莫耳份，相對於1莫耳份之胺為8.0莫耳份)。
滴加結束後，於70℃下進行30分鐘之反應直至耐壓反應容器之內壓顯示為與滴加開始時相同之壓力為止，獲得作為非離子性界面活性劑之月桂基胺的環氧乙烷10莫耳加成物(E-2)。
[比較製造例1]
於可進行攪拌以及溫度調節之反應容器中裝入異丙醇300份以及超純水100份，進行氮氣置換後升溫至75℃。於攪拌下以3.5小時同時滴加丙烯酸之75%水溶液407份以及2,2'-偶氮雙異丁酸二甲酯之15%異丙醇溶液95份。
滴加結束後，於75℃下攪拌5小時後，於系統內間歇性投入超純水以使其不產生固化，餾去水與異丙醇之混合物直至無法檢測出異丙醇。以DBU(約450份)將所得之聚丙烯酸水溶液中和為pH值成為7為止，以超純水進行濃度調整，由此獲得作為陰離子性界面活性劑之聚丙烯酸的DBU鹽(F-1)的40%水溶液。
另外，(F-1)的Mw為10,000。
[比較製造例2]
使用40%氫氧化鈉水溶液代替比較製造例1中所使用的DBU進行中和直至pH值成為7為止，除此以外以與比 較製造例1相同之方式進行製造，獲得作為陰離子性界面活性劑之聚丙烯酸鈉鹽(F-2)的40%水溶液。
另外，(F-2)的Mw為10,000。
[實驗例1~實驗例15以及比較例1~比較例8]
將表1以及表2中記載的各成分，按照表1以及表2中記載的調配份數，使用燒杯於20℃下進行均勻混合，製作實驗例1~實驗例15以及比較例1~比較例8的清洗劑。
其中，表1以及表2中記載的(A)~(E)的份數是有效成分的份數，超純水的份數包含(B-1)~(B-7)以及(F-1)、(F-2)中的水。
另外，表1以及表2中的成分的略寫如下所示。
DTPA：二乙三胺五乙酸
HEDP：1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸
EDTMP：乙二胺四(亞甲基膦酸)
DEGB：二乙二醇單丁醚
TEGM：三乙二醇單甲醚
<物性測定與性能評價>
將實驗例1~實驗例15以及比較例1~比較例8之清洗劑預先以超純水稀釋為20倍量，將稀釋後的清洗劑用作試驗用清洗劑，按照以下之方法對pH值、清洗性試驗(1)、清洗性試驗(2)、分散性、金屬腐蝕性、起泡性、沖洗性以及潤濕性進行測定、評價。
而且，關於對於硬水之稀釋穩定性，直接使用實驗例1~實驗例15以及比較例1~比較例8之清洗劑進行測 定、評價。
將測定結果以及評價結果示於表1以及表2中。
<pH值之測定>
使用pH計(堀場製作所股份有限公司製造、M-12)，於測定溫度為25℃下進行測定。
<清洗性試驗(1)>
使用作為研磨劑之市售的矽膠研漿(colloidal silica slurry)(平均粒徑約為30nm)以及研磨布，對2.5吋之磁碟用玻璃基板進行研磨後，以氮氣進行吹拂(blow)，由此製作污染基板。
以玻璃製燒杯取試驗用清洗劑1,000份，浸漬所製作之污染基板，於超音波清洗機(200kHz)內於30℃下進行5分鐘之清洗。清洗後取出基板，以超純水進行充分地沖洗後，以氮氣進行吹拂而加以乾燥，依照下述判定標準，使用微分干涉顯微鏡(Nikon公司製造、OPTIPHOT-2、倍率為400倍)評價評價基板表面之清洗性。
另外，為了防止來自大氣的污染，於Class 1,000(HED-STD-209D、美國聯邦規格、1988年)之無塵室(clean room)內實施本評價。
◎：除去率約為90%或90%以上
○：除去率約為70%~90%左右
△：除去率約為50%~70%左右
×：除去率約為不足50%
<清洗性試驗(2)>
除將研磨劑設為市售之氧化鈰漿料(平均粒徑約為250nm)以外，以與清洗性試驗(1)相同之評價方法以及判定標準進行評價。
<分散性>
用玻璃製容器稱量清洗性試驗(2)之評價中所使用之氧化鈰漿料10g與試驗用清洗劑90g。使用超音波清洗機 (200kHz)，於30℃下照射30分鐘之超音波，使容器內之漿料分散。自超音波清洗機中取出，於室溫下(23℃)下靜置，依照下述判定標準進行評價。
◎：保持分散狀態5天或5天以上。
○：保持分散狀態3天~4天。
△：保持分散狀態1天~2天。
×：不到1天即分離。
<金屬腐蝕性>
以聚丙烯製容器取試驗用清洗劑100份，於其中浸漬不銹鋼製試片(test piece)(SUS304製、大小為5cm×2.5m、厚度為0.1cm)。將容器封口，於溫度調節為23℃之室內放置3天後，使用高頻波感應耦合電漿(ICP)發光分析裝置(VARIAN公司製造、Varian730-ES)分析溶液中所溶出之鐵離子的含量(ppm)。溶出量越少則金屬腐蝕性越低。
另外，實施本試驗前之試驗用清洗劑中的鐵離子的含量均小於等於檢測極限(0.02ppm)。
<對於硬水之稀釋穩定性>
於1,000份之超純水中溶解氯化鈣2水合物(和光純藥工業股份有限公司製造)3.3份以及氯化鎂6水合物(和光純藥工業股份有限公司製造)1.5份而調製人工硬水。使用該人工硬水，將清洗劑稀釋為20倍量。
利用目視依照下述判定標準進行評價。若不產生渾濁則對於硬水之稀釋穩定性高。
◎：透明
○：幾乎透明
×：產生渾濁
<振盪之後的起泡性與1分鐘後的消泡性>
於100mL之玻璃製帶蓋量筒(作為JIS R3504「化學用體積計玻璃材料」中的帶蓋量筒而規定了尺寸)中裝入試驗用清洗劑20mL，於恆溫水槽中將溫度調節為25℃後，閉上帶蓋量筒之蓋，以30秒劇烈上下振盪60次，分別測定振盪之後以及1分鐘後的泡沫的量(mL)。
振盪之後的泡沫的量越少則起泡性越低，1分鐘後的泡沫的量約少則消泡性越高。
<沖洗性>
預先將試驗中使用的2.5吋磁碟用玻璃基板之重量(g)測定至小數點後第5位。
於1L之燒杯中裝入試驗用清洗劑1L，於恆溫水槽中將溫度調節為25℃之後，使上述測定了重量之玻璃基板完全浸漬於其中。
於30秒浸漬後迅速地取出基板，於1L之超純水中浸漬5秒，然後於25℃下將基板懸掛約30分鐘使其自然乾燥。
測定乾燥後之基板重量，藉由下式算出沖洗性(mg)而進行評價。值越小(於基板上之清洗劑殘留量少)則沖洗性越高。
沖洗性(mg)=[試驗後之基板重量(g)-試驗前之基 板重量(g)]×10-3
<潤濕性>
使用全自動接觸角計[協和界面科學股份有限公司製造、PD-W]測定試驗用清洗劑對於2.5吋磁碟用玻璃基板之接觸角(25℃、10秒後)。
接觸角之值越小則清洗劑對於基板之潤濕性越高。
由表1以及表2之結果可知：實驗例1~實驗例15之本發明的清洗劑對附著於電子材料上的顆粒的除去性均優良。而且，本發明的清洗劑對研磨劑等顆粒之分散性亦優良，因此可期待於清洗時防止顆粒再附著的再附著防止性亦優良。
另外，本發明的清洗劑與比較例5或比較例6中所使用的使用了磺胺酸以外之酸的清洗劑相比，金屬腐蝕性較小，因此即使是對清洗機等中所使用之金屬亦不會造成腐蝕。而且，對於硬水之稀釋穩定性較高，因此即使於使用如通常的工業用水之含有金屬離子的水進行稀釋時，亦不會生成析出物，且亦具有處理能力(handling ability)優良之效果。
而且，於實驗例中，使用了親水性溶劑(D)的清洗劑(實驗例7~實驗例11以及實驗例13~實驗例15)的沖洗性更加優良，使用了非離子性界面活性劑(E)的清洗劑(實驗例4~實驗例5以及實驗例7~實驗例15)的對基板之潤濕性優良，因此可期待於實際使用時縮短清洗以及沖洗時間之效果。
[產業上之可利用性]
本發明的電子材料用清洗劑以及清洗方法可較好地應用於以顆粒(研磨粒、玻璃粉、陶瓷粉以及金屬粉等)等為清洗對象的清洗中。
因此，本發明的電子材料用清洗劑以及清洗方法可於各種電子材料之製造步驟中的清洗步驟中使用。
電子材料例如可列舉磁碟用基板(鋁基板、NiP基板、玻璃基板、磁碟以及磁頭等)、平板顯示器用基板(液晶面板用玻璃基板、彩色濾光片基板、陣列基板、電漿顯示用基板以及有機EL用基板等)、半導體用基板(半導體元件以及矽晶圓等)、複合半導體基板(SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等)、藍寶石基板(LED等)、光罩用基板、太陽電池用基板(單晶矽基板、多晶矽基板、薄膜型太陽電池用基板、單晶化合物基板、多晶化合物基板、有機系太陽電池基板)、光學透鏡、印刷電路板、光通訊用纜線、微機電系統(MEMS)等。
特別是於電子材料為磁碟用玻璃基板、平板顯示器用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光學透鏡或薄膜太陽電池用玻璃基板時，本發明的電子材料用清洗劑較適宜。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。

Claims (11)

  1. 一種電子材料用清洗劑，其特徵在於含有如下成分作為必須成分：磺胺酸(A)、於分子內具有至少一個磺酸基或所述磺酸基之鹽基的陰離子性界面活性劑(B)、螯合劑(C)、以及水，其中所述(B)是重量平均分子量為1,000~2,000,000的高分子陰離子性界面活性劑(B1)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子材料用清洗劑，其中於25℃之pH值為3.0或3.0以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其中基於清洗劑之有效成分的合計重量，所述磺胺酸(A)的含量為5wt%~90wt%，所述陰離子性界面活性劑(B1)的含量為0.1wt%~50wt%，且所述螯合劑(C)的含量為0.1wt%~50wt%。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其中(B1)相對於(C)的重量比[(B1)/(C)]為0.1~7。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其中所述(B1)是選自由聚苯乙烯磺酸、聚{2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸}、2-(甲基)丙烯醯基胺基-2,2-二甲基乙磺酸/(甲基)丙烯酸共聚物、萘磺酸甲醛縮合物以及所述化合物之鹽所組成之群組的至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其中所述(C)是選自由胺基多羧酸、羥基羧酸、膦酸、縮合磷酸以及所述化合物之鹽所組成之群組的至少 一種。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其進一步含有親水性溶劑(D)。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其進一步含有非離子性界面活性劑(E)。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其中所述電子材料是使用二氧化矽、氧化鋁或金剛石作為研磨劑而研磨後的基板。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子材料用清洗劑，其中所述電子材料是磁碟用玻璃基板、平板顯示器用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光學透鏡、薄膜太陽電池用玻璃基板或半導體基板。
  11. 一種電子材料的製造方法，其包括使用如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之清洗劑對電子材料進行清洗的步驟。
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