TWI433911B - 二苯乙烯衍生物,液晶混合物及光電顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於二苯乙烯衍生物,較佳液晶原基二苯乙烯衍生物,尤其液晶二苯乙烯衍生物,且係關於包含此等二苯乙烯衍生物之液晶介質。此外,本發明係關於液晶顯示裝置,尤其主動式矩陣定址液晶顯示裝置(AMD或AMLCD),及極特定言之所謂VA("垂直對準")液晶顯示裝置(其為ECB("電控雙折射")液晶顯示裝置之一實施例,其中使用具有負介電各向異性(△ε)之向列液晶)。
在此類型之液晶顯示裝置中,該等液晶係用作介電質,其光學性質因施加電壓而可逆地改變。使用液晶作為介質之光電顯示裝置為熟習此項技術者所已知。此等液晶顯示裝置使用各種光電效應。此等效應之最常用者為TN("扭轉向列")效應,其具有液晶引向器之均勻、實質上平坦之初始對準及扭轉約90∘之向列結構;STN("超扭轉向列")效應及SBE("超扭轉雙折射效應"),其具有扭轉180∘或更高之向列結構。在此等及類似光電效應中,使用具有正介電各向異性(△ε)之液晶介質。
除所提及之需要具有正介電各向異性之液晶介質的光電效應外,亦存在使用具有負介電各向異性之液晶介質的其他光電效應,諸如(例如)ECB效應及其亞型DAP("對準相之變形")、VAN及CSH("彩色超垂直")。
具有出色的低對比度視角依賴性的光電效應使用軸向對
稱微像素(ASM)。在此效應中,各像素之液晶係由聚合物材料以圓柱形方式環繞。此模式尤其適於與經由電漿通道進行之定址組合。因此,詳言之,可達成具有良好對比度視角依賴性之大面積PA("電漿定址")LCD。
近來使用程度已增加之IPS("共平面切換型")效應可以與"客體/主體"顯示裝置類似之方式使用正介電液晶介質以及負介電液晶介質兩者,其視所用顯示模式而定,可在正介電介質或負介電介質中使用染料。
因為液晶顯示裝置(亦即,亦在利用此等效應之顯示裝置中)之工作電壓一般應儘可能低,所以使用具有大的介電各向異性絕對值的液晶介質,其一般主要且在大多數狀況下甚至基本上由具有帶有相應符號之介電各向異性之液晶化合物組成,亦即在正介電介質之狀況下由具有正介電各向異性之化合物組成且在負介電介質之情況下由具有負介電各向異性之化合物組成。在各別類型之介質(正介電或負介電)中,通常使用最大量之介電中性液晶化合物。一般極少或絕不使用介電各向異性之符號與該介質之介電各向異性之符號相反的液晶化合物。
液晶顯示裝置之像素可直接地、時間上連續地(亦即,以時間多路傳輸模式)定址或藉助於具有非線性電特徵線之主動元件之矩陣來定址。
迄今為止最常用之AMD使用離散主動電子開關元件,諸如(例如)三極開關元件,諸如MOS("金屬氧化物矽")電晶體或薄膜電晶體(TFT)或變阻器,或二極開關元件,諸如
(例如)MIM("金屬-絕緣體-金屬")二極體、環二極體或"背對背"二極體。主要為矽、但亦為硒化鎘之多種半導體材料用於TFT中。詳言之,使用非晶形矽或多晶矽。
根據本申請案,較佳為具有垂直於液晶層之電場且含有具有負介電各向異性(△ε<0)之液晶介質的液晶顯示裝置。在此等顯示裝置中,液晶之邊緣對準為垂直的。在開關完全打開之狀態下,亦即施加適當量值之電壓時,液晶引向器係經對準平行於層平面。
下式之正介電氟化二氟二苯乙烯
描述於JP 03-041 03(A)中,及諸如
之正介電氟化二氟二苯乙烯描述於JP 03-041 03(A)中。
下式之氟化二氟二苯乙烯
描述於JP 07-133 241(A)中。
下式之氟化二氟二苯乙烯
描述於Goodby,J.W.等人,Molecular Crystals and Liquid Crystals,第364卷(2001)第889頁中。
然而,此等氟化二氟二苯乙烯具有正或最多弱的負介電各向異性。
液晶材料領域之發展仍遠未結束。為改良液晶顯示裝置元件之特性,不斷嘗試開發能夠優化此類型顯示裝置之新穎化合物。
因此,本發明之一目標為提供具有用於液晶介質之有利特性的化合物。其較佳應具有負介電各向異性(△ε<0),此使得其尤其適用於VA顯示裝置之液晶介質。
為確保例如VA-TFT顯示裝置中令人滿意之特性,尤其低特徵電壓,需要具有大的介電各向異性絕對值(△ε)(對應於特定應用之光學各向異性之值(△n))的物質。
經由使用本發明之式I化合物來實現此目標,
其中R11
及R12
各自彼此獨立地表示H、鹵素、具有1至15個碳原子之經CN或CF3
單取代或至少經鹵素單
取代的烷基,其中此外一或多個CH2
基團在各狀況下彼此獨立地可以使得氧原子或硫原子兩者均不直接彼此連接之方式經-O-、-S-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,較佳地,R11
及R12
中之一者,較佳R11
及R12
兩者各自彼此獨立地表示具有1至12個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至12個碳原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基,且另一者獨立於第一者同樣表示具有1至12個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至12個碳原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基,尤其較佳地,R11
表示烷基或烯基,且R12
表示烷氧基或烯氧基,較佳為烷氧基,
及各自彼此獨立地,且若出現一次以上,則其亦彼此獨立地表示(a)反-1,4-伸環己基,其中此外一或兩個非相鄰CH2
基團可經-O-及/或-S-置換,(b)1,4-伸環己烯基,
(c)1,4-伸苯基,其中此外一或兩個非相鄰CH基團可經N置換,或(d)選自基團萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基及1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基之基團,或(e)選自基團1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、1,3-雙環[1.1.1]伸戊基及螺[3.3]庚烷-2,6-二基之基團,其中在(a)及(b)中一或多個-CH2
-基團可各自彼此獨立地經-CHF-或-CF2
-基團置換,且在(c)及(d)中一或多個-CH=基團可各自彼此獨立地經選自下列各基團之基團置換:-C(F)=、-C(Cl)=、-C(Br)=、-C(CN)=、-C(CH3
)=、-C(CH2
F)=、-C(CHF2
)=、-C(OCH3
)=、-C(OCHF2
)=及-C(OCF3
)=,較佳為-CF=基團,且較佳表示
尤其較佳地,
Z11
及Z12
各自彼此獨立地,且若出現一次以上,則其亦彼此獨立地表示單鍵、-CH2
-CH2
-、-CF2
-CH2
-、-CH2
-CF2
-、-CF2
-CF2
-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CH2
O-、-OCH2
-、-CF2
O-、-OCF2
-或此等基團中之兩者之組合,其中無兩個氧原子彼此鍵結,較佳為-(CH2
)4
-、-CH2
-CH2
-、-CF2
-CF2
-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH2
O-、-CF2
O-或單鍵,尤其較佳為-CH2
O-、-CH2
-CH2
-、-CF2
-CF2
-、-CF=CF-、-CF2
O-或單鍵,且m及n各自彼此獨立地表示0、1或2,較佳為0或1,其中(m+n)表示0、1或2,較佳為0或1,尤其較佳為1。
本發明之式I化合物較佳為液晶原基化合物,且尤其較佳為液晶化合物,該等化合物尤其較佳具有向列相。
本發明之式I化合物尤其較佳係選自子式I-1至I-3,尤其較佳為I-3:
其中參數具有在上文式I下所給出之含義,且較佳地,Z11
及Z12
表示單鍵,且在式I-1及I-3中R11
表示烷基或烯基,且R12
表示烷氧基或烯氧基,較佳為烷氧基,在式I-2中R11
表示烷氧基或烯氧基,較佳為烷氧基,且R12
表示烷基或烯基。
尤其較佳為具有一或多個選自式I-3a及I-3b之群之式的式I-3化合物:
其中參數具有上文所給出之各別含義,且較佳地,
R11
表示烷基或烯基,且R12
表示烷氧基或烯氧基,較佳為烷氧基。
歸因於在常用液晶基質材料中之較佳溶解性,含有支鏈翼基團R11
及/或R12
的式I化合物偶爾可為重要的,但若其具有光學活性,則尤其作為對掌性摻雜劑。此類型之距列化合物適用作鐵電材料之組份。具有SA
相之式I化合物適用於(例如)熱定址顯示裝置。
若R11
及/或R12
表示烷基及/或烷氧基,則其可為直鏈或支鏈。其較佳為直鏈,具有2、3、4、5、6或7個碳原子且因此較佳表示乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基,此外甲基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、甲氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。
氧雜烷基或烷氧基烷基較佳表示直鏈2-氧雜丙基(=甲氧基甲基),2-氧雜丁基(=乙氧基甲基)或3-氧雜丁基(=2-甲氧基乙基),2-氧雜戊基、3-氧雜戊基或4-氧雜戊基,2-氧雜己基、3-氧雜己基、4-氧雜己基或5-氧雜己基,2-氧雜庚基、3-氧雜庚基、4-氧雜庚基、5-氧雜庚基或6-氧雜庚基,2-氧雜辛基、3-氧雜辛基、4-氧雜辛基、5-氧雜辛基、6-氧雜辛基或7-氧雜辛基,2-氧雜壬基、3-氧雜壬基、4-氧雜壬基、5-氧雜壬基、6-氧雜壬基、7-氧雜壬基或8-氧雜壬基,或2-氧雜癸基、3-氧雜癸基、4-氧雜癸
基、5-氧雜癸基、6-氧雜癸基、7-氧雜癸基、8-氧雜癸基或9-氧雜癸基。
若R11
及/或R12
表示一個CH2
基團已經-CH=CH-置換之烷基,則其可為直鏈或支鏈。其較佳為直鏈且具有2至10個碳原子。因此,其尤其表示乙烯基,丙-1-烯基或丙-2-烯基,丁-1-烯基、丁-2-烯基或丁-3-烯基,戊-1-烯基、戊-2-烯基、戊-3-烯基或戊-4-烯基,己-1-烯基、己-2-烯基、己-3-烯基、己-4-烯基或己-5-烯基,庚-1-烯基、庚-2-烯基、庚-3-烯基、庚-4-烯基、庚-5-烯基或庚-6-烯基,辛-1-烯基、辛-2-烯基、辛-3-烯基、辛-4-烯基、辛-5-烯基、辛-6-烯基或辛-7-烯基,壬-1-烯基、壬-2-烯基、壬-3-烯基、壬-4-烯基、壬-5-烯基、壬-6-烯基、壬-7-烯基或壬-8-烯基,或癸-1-烯基、癸-2-烯基、癸-3-烯基、癸-4-烯基、癸-5-烯基、癸-6-烯基、癸-7-烯基、癸-8-烯基或癸-9-烯基。
若R11
及/或R12
表示一個CH2
基團已經-O-置換且一者已經-CO-置換之烷基,則此等基團較佳相鄰。因此此等基團含有醯氧基-CO-O-或氧基羰基-O-CO-。此等基團較佳為直鏈且具有2至6個碳原子。因此,其尤其表示乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、己醯氧基、乙醯氧基甲基、丙醯氧基甲基、丁醯氧基甲基、戊醯氧基甲基、2-乙醯氧基乙基、2-丙醯氧基乙基、2-丁醯氧基乙基、3-乙醯氧基丙基、3-丙醯氧基丙基、4-乙醯氧基丁基、甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、丁氧羰基、戊氧羰基、甲氧羰
基甲基、乙氧羰基甲基、丙氧羰基甲基、丁氧羰基甲基、2-(甲氧羰基)乙基、2-(乙氧羰基)乙基、2-(丙氧羰基)乙基、3-(甲氧羰基)丙基、3-(乙氧羰基)丙基或4-(甲氧羰基)丁基。
若R11
及/或R12
表示其中一個CH2
基團已經未經取代或經取代之-CH=CH-置換且一鄰接CH2
基團已經CO或CO-O或O-CO置換之烷基,則其可為直鏈或支鏈。其較佳為直鏈且具有4至13個碳原子。因此,其尤其表示丙烯醯基氧基甲基、2-丙烯醯基氧基乙基、3-丙烯醯基氧基丙基、4-丙烯醯基氧基丁基、5-丙烯醯基氧基戊基、6-丙烯醯基氧基己基、7-丙烯醯基氧基庚基、8-丙烯醯基氧基辛基、9-丙烯醯基氧基壬基、10-丙烯醯基氧基癸基、甲基丙烯醯基氧基甲基、2-甲基丙烯醯基氧基乙基、3-甲基丙烯醯基氧基丙基、4-甲基丙烯醯基氧基丁基、5-甲基丙烯醯基氧基戊基、6-甲基丙烯醯基氧基己基、7-甲基丙烯醯基氧基庚基、8-甲基丙烯醯基氧基辛基或9-甲基丙烯醯基氧基壬基。
若R11
及/或R12
表示經CN或CF3
單取代之烷基或烯基,則此基團較佳為直鏈。經CN或CF3
之取代係在任何所需位置處。
若R11
及/或R12
表示至少經鹵素單取代之烷基或烯基,則此基團較佳為直鏈,且鹵素較佳為F或Cl。在多取代之狀況下,鹵素較佳為F。所得基團亦包括全氟化基團。在單取代之狀況下,氟或氯取代基可在任何所需位置處,但較
佳係在ω-位置處。
支鏈基團一般含有不多於一個鏈分枝。較佳之支鏈基團R為異丙基、2-丁基(=1-甲基丙基)、異丁基(=2-甲基丙基)、2-甲基丁基、異戊基(=3-甲基丁基)、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基己基、2-丙基戊基、異丙氧基、2-甲基丙氧基、2-甲基丁氧基、3-甲基丁氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、2-乙基己氧基、1-甲基己氧基及1-甲基庚氧基。
若R11
及/或R12
表示兩個或兩個以上CH2
基團已經-O-及/或-CO-O-置換之烷基,則其可為直鏈或支鏈。其較佳為支鏈且具有3至12個碳原子。因此,其尤其表示雙羧基甲基、2,2-雙羧基乙基、3,3-雙羧基丙基、4,4-雙羧基丁基、5,5-雙羧基戊基、6,6-雙羧基己基、7,7-雙羧基庚基、8,8-雙羧基辛基、9,9-雙羧基壬基、10,10-雙羧基癸基、雙(甲氧羰基)甲基、2,2-雙(甲氧羰基)乙基、3,3-雙(甲氧羰基)丙基、4,4-雙(甲氧羰基)丁基、5,5-雙(甲氧羰基)戊基、6,6-雙(甲氧羰基)己基、7,7-雙(甲氧羰基)庚基、8,8-雙(甲氧羰基)辛基、雙(乙氧羰基)甲基、2,2-雙(乙氧羰基)乙基、3,3-雙(乙氧羰基)丙基、4,4-雙(乙氧羰基)丁基、5,5-雙(乙氧羰基)戊基及6,6-雙(乙氧羰基)己基。
尤其較佳為n=0或1且m=0或1且R11
表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基或1E-戊烯基之式I化合物,及包含此等化合物之介質。在此等化合物中,尤其較佳使用經烷基取代之化合物。
根據以下流程(流程I)來合成式I化合物。
其中除非另外明確指示,否則A具有以上針對A11
所給出之含義且此外亦可為單鍵,且R及R'分別具有以上針對R11
及R12
所給出之各別含義。
較佳式I化合物之結構之實例在下文中給出:
其中參數具有上文所給出之含義。
由於其分子結構,本發明之式I化合物可具有對掌性且
因此可以多種對映異構體形式存在。因此,其可呈外消旋或光學活性形式。
本發明亦係關於包含一或多種式I化合物之液晶介質。
在一較佳實施例中,本發明之液晶介質包含a)或多種負介電性之式I化合物
其中參數具有上文所給出之含義,b)情況一或多種負介電性之式II化合物
其中R21
及R22
自彼此獨立地具有上文在式I下針對R11
所給出之含義,Z21
及Z22
自彼此獨立地具有上文在式I下針對Z11
所給出之含義,存在之環及,較佳及中之至少一者表示
且其他在各狀況下彼此獨立地表示
較佳為
尤其較佳地,
若存在,則表示
L21
及L22
表示C-F或兩者中之一者表示N或C-Cl且另一
者表示C-F,較佳均表示C-F,且I示0、1或2,較佳為0或1,及c)情況一或多種介電中性式III化合物
其中R31
及R32
自彼此獨立地具有上文在式I下針對R1
所給出之含義,且Z31
、Z32
及Z33
各自彼此獨立地表示-CH2
CH2
-、-CH=CH-、-COO-或單鍵, 各自彼此獨立地表示
o及p此獨立地表示0或1,但較佳地R31
及R32
自彼此獨立地表示具有1-5個碳原子之烷基或烷氧基或具有2-5個碳原子之烯基, 各自彼此獨立地表示且極其較佳地,此等環中之至少兩者表示
其中兩個相鄰環極其較佳地直接連接且較佳表示
其中伸苯基環中之一或多個氫原子可彼此獨立地經F或CN置換,較佳經F置換,且伸環己基環中之一或兩個非相鄰CH2
基團或伸環己基環中之一者可經氧原子置換。
液晶介質較佳包含一或多種具有一或多個選自下式II-1至II-3之群之式的化合物:
其中R21
、R22
、Z12
、Z22
、及I各自具有上文在式II下所給出之含義。較佳地,R21
為烷基,較佳具有1-5個碳原子,R21
為烷基或烷氧基,較佳各
自具有1至5個碳原子,且若Z22
及Z21
存在,則為單鍵。
液晶介質尤其較佳包含一或多種選自以下子式II-1a至II-1e、II-2a至II-2c及II-3a及II-3b之化合物之群的化合物,較佳為一或多個選自式II-1a、II-1c及II-2b及/或II-1d、II-1e及II-2c之群的式:
其中參數具有上文所給出之含義,且較佳地,R21
示烷基或烯基,尤其較佳為烷基,且R22
示烷基或烷氧基。
在另一較佳實施例中,液晶介質包含一或多種具有一或多個選自下式II-4及II-5之群之式的化合物:
其中參數各自彼此獨立地具有上文所指示之含義中之一者,但R22
不為H。
在另一較佳實施例中,液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之化合物,諸如具有一或多個選自下式II-6至II-10之群之式的化合物:
其中參數各自彼此獨立地具有上文所指示之含義中之一者。
較佳混合物包含一或多種式BC之二氟二苯幷色滿及/或式CR之色滿,
其中:RB1
、RB2
、RCR1
及RCR2
各自彼此獨立地具有R11
之含義,較佳為3至20重量%之量,尤其為3至15重量%之量。
尤其較佳之式BC及CR之化合物為化合物BC-1至BC-7及CR-1至CR-5:
其中:烷基及烷基*
自彼此獨立地表示具有1至6個碳原子之直鏈烷基,且烯基及烯基*
自彼此獨立地表示具有2至6個碳原子之直鏈烯基。
極其較佳為包含1、2或3種式BC-2化合物之混合物。
在另一較佳實施例中,液晶介質包含一或多種含有氯氟-1,4-伸苯基環之化合物,較佳為一或多種具有一或多個選自下式II-11至II-15之群之式的化合物:
其中參數各自彼此獨立地具有上文所指示之含義中之一者。
在一尤其較佳之實施例中,液晶介質包含一或多種具有一或多個選自下式II-11a至II-15b之群之式的化合物:
其中參數具有上文所給出之含義。
液晶介質尤其較佳包含一或多種具有一或多個選自下式III-1至III-3之群之式的化合物:
其中R31
、R32
、Z31
、Z32
、各自具有上文在式III下所指示之含義。
液晶介質尤其較佳包含一或多種具有一或多個選自式III-1a至III-1d及/或III-1e及III-1f及/或III-2a至III-2h、III-3a至III-3d之群之式的化合物:
其中n及m各自彼此獨立地表示1至5,且o及p各自兩者以及彼此獨立地表示0至3,
其中R31
及R33
各自具有上文在式III下所指示之含義,較佳為在式III-1下所指示之含義,且尤其化合物III-2g、III-
2h及III-3c中之伸苯基環視情況可經氟化,但並非以使得該等化合物與式II及其子式之化合物相同之方式氟化。較佳地,R31
為具有1至5個碳原子之正烷基,尤其較佳具有1至3個碳原子之正烷基,且R32
為具有1至5個碳原子之正烷基或正烷氧基或具有2至5個碳原子之烯基。在此等化合物中,尤其較佳為式III-1a至III-1d之化合物。
式III-2g、III-2h及III-3c之較佳氟化物為式III-2g'、III-2h'及III-3c'之化合物:
其中R31
及R33
各自具有上文在式III下所指示之含義,較佳在式III-2g、III-2h或III-3c下所指示之含義,且式III-2h'中之R32
較佳表示F。
本發明之介質較佳具有0.11或0.11以上之雙折射率。
本發明之介質較佳具有-2或小於-2之介電各向異性。
本發明之介質較佳包含每一同系化合物濃度為5%至25%,較佳5%至15%之式I
化合物,及每一同系化合物濃度為2%至30%,較佳5%至15%及總共5%至高達60%的式II-1a及/或II-2a化合物,及/或每一同系化合物濃度為2%至20%,較佳5%至12%及總共5%至60%之其中R21
表示烷基且R22
表示烷氧基的式II-1c及/或II-2b之化合物,及/或每一同系化合物濃度為2%至20%,較佳5%至15%之其中R21
及R22
表示烷基的式II-1c化合物,及/或每一同系化合物濃度為2%至15%,較佳5%至10%之II-3a化合物及/或每一同系化合物濃度為2%至20%,較佳5%至15%及總共5%至40%之II-3b化合物,及/或濃度為5%至80%,較佳10%至60%之式III化合物。
在本申請案中,除非另外明確說明,否則術語化合物意謂一種化合物與複數種化合物兩者。
本發明之液晶介質較佳在各狀況下具有至少-20℃至80℃,較佳-30℃至90℃且極其較佳-40℃至100℃之向列相。本文中術語"具有向列相"首先意謂在低溫下在相應溫度下未觀測到距列液晶相且未觀測到結晶,且其次亦意謂在加熱時未自向列相出現澄清。低溫下之研究係在相應溫度下於一流動黏度計中進行,且藉由儲存於具有對應於光電應用之層厚度的測試單元中歷時至少1000小時來檢查。在高溫下,清澈點係藉由習知方法於毛細管中量測。
此外,本發明之液晶介質之特徵在於低光學各向異性值。
術語"烷基"較佳涵蓋具有1至7個碳原子之直鏈及支鏈烷
基,尤其為直鏈基團甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及庚基。具有2至5個碳原子之基團一般較佳。
術語"烯基"較佳涵蓋具有2至7個碳原子之直鏈及支鏈烯基,尤其為直鏈基團。尤其較佳之烯基為C2
-至C7
-1E-烯基、C4
-至C7
-3E-烯基、C5
-至C7
-4-烯基、C6
-至C7
-5-烯基及C7
-6-烯基,尤其C2
-至C7
-1E-烯基、C4
-至C7
-3E-烯基及C5
-至C7
-4-烯基。進一步較佳烯基之實例為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及其類似物。具有至多5個碳原子之基團一般較佳。
術語"氟烷基"較佳涵蓋具有末端氟之直鏈基團,亦即氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基及7-氟庚基。然而,不排除氟在其他位置。
術語"氧雜烷基"或"烷氧基烷基"較佳涵蓋式Cn
H2n+1
-O-(CH2
)m
之直鏈基團,其中n及m各自彼此獨立地表示1至6。較佳地,n為1且m為1至6。
含有乙烯基端基之化合物及含有甲基端基之化合物具有低旋轉黏度。
在本申請案中,術語正介電化合物表示△ε>1.5之化合物,術語介電中性化合物表示-1.5△ε1.5之化合物,且術語負介電化合物表示△ε<-1.5之化合物。在本文中化合物之介電各向異性係藉由將10%之化合物溶解於一液晶主體中且在1 kHz及20℃之溫度下於至少一個具有垂直表面對
準之具有約20 μm之層厚度的測試單元及至少一個具有均勻表面對準之具有約20 μm之層厚度的測試單元中測定此混合物之電容來測定。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V,但總是小於各別液晶混合物之電容臨限值。
用於測定應用相關物理參數之主體混合物為來自Merck KGaA(Germany)之ZLI-4792。作為例外,負介電化合物之介電各向異性的測定使用同樣來自Merck KGaA(Germany)之ZLI-2857進行。待研究之各別化合物之值係自添加待研究之化合物之後的主體混合物之性質(例如,介電常數)改變且將所用化合物外推至100%而獲得。
主體混合物中所用之待研究之化合物的濃度一般為10%。若待研究之化合物之溶解度不足以達成此目的,則作為例外,將所用濃度減半,亦即降至5%、2.5%等,直至濃度低於溶解度極限為止。
術語臨限電壓通常係關於10%相對對比度之光學臨限值(V10
)。然而,除非另外明確說明,否則關於負介電各向異性之液晶混合物的術語臨限電壓在本申請案中用於指電容臨限電壓(V0
),其亦稱為Freedericksz臨限值。在負介電各向異性之液晶介質之狀況下,在具有垂直對準之液晶層的單元中藉助於來自Nissan Chemicals(Japan)之聚醯亞胺SE-1211測定臨界電壓為電容臨限V0
。
除非另外明確說明,否則本申請案中所有濃度係以重量百分比指示且係關於總體上之相應混合物。除非另外明確說明,否則所有物理性質係且已根據"Merck Liquid
Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals",status 1997年11月,Merck KGaA,Germany進行測定且應用於20℃之溫度。△n在589 nm下測定且△ε在1 kHz下測定。
若需要,則本發明之液晶介質亦可包含習知量之其他添加劑且視情況亦包含習知量之對掌性摻雜劑。所用此等添加劑之量總共為以總體混合物之量計0%至10%,較佳為0.1%至6%。所用個別化合物之濃度在各狀況下較佳為0.1%至3%。當指示液晶介質中液晶化合物之濃度及濃度範圍時,並未考慮此等及類似添加劑之濃度。
組合物由複數種化合物組成,較佳3至30種,尤其較佳6至20種且極其較佳10至16種化合物,該等化合物係以習知方式混合。一般而言,有利地在高溫下,將以較少量使用之所需量之組份溶解於組成主要成份之組份中。若所選溫度高於該主要成份之清澈點,則尤其易於觀測到溶解過程之完成。然而,亦可能以其他習知方式,例如使用預混物或自所謂"多瓶"系統來製備液晶混合物。
藉助於合適添加劑,本發明之液晶相可以使得其可用於任何類型之顯示裝置中且尤其迄今已揭示之任何類型之ECB顯示裝置及IPS顯示裝置中之方式改質。
以下實例用以說明本發明而不表示限制。在該等實例中,液晶物質之熔點T(C,N)、自距列液晶(S)相至向列(N)相之轉移T(S,N)及清澈點T(N,I)係以攝氏度指示。各種距列液晶相係以相應下標為特徵。
除非另外明確說明,否則上文及下文之百分比為重量百分比,且除非另外明確說明,否則物理性質為20℃下之值。
除非另外明確說明,否則在本申請案中所指示之所有溫度值均為℃且所有溫度差相應地為差示度。
在合成實例及流程中,除非另外明確說明,否則縮寫具有以下含義:
在本申請案及尤其以下實例中,液晶化合物之結構係藉助於縮寫(亦為簡稱)來指示,其中使用下表A至C進行向化學式之轉換。所有基團Cn
H2n+1
、Cm
H2m+1
及CI
H2I+1
為分別具有n、m及I個碳原子之直鏈烷基。所有基團Cn
H2n-1
、Cm
H2m-1
及CI
H2I-1
為分別具有n、m及I個碳原子之直鏈烯基,較佳1E-烯基。在表A中,僅指示化合物母結構之環元件的縮寫部分。表B展示橋接基團。表C列出化合物之左側及右側端基的縮寫。化合物之縮寫如下獲得。首先,藉助於相應字母寫出母結構。將左側端基之縮寫添加至在兩個連字符之間的母結構縮寫中,接著在第二個連字符後為右側端基之縮寫。最終,表D展示常見化合物之說明性縮
寫,其亦較佳根據本發明與其結構形式一起使用。
其中n及m各自表示整數,且三個圓點"..."表示此表之其他縮寫的位置標記。
下表展示說明性結構以及其縮寫。其展示縮寫之含義。此外,其較佳展示所欲使用之化合物。
本發明之介質較佳包含兩種或兩種以上,較佳四種或四種以上選自表D之化合物的化合物。
下表表E展示可在本發明之介質中用作穩定劑的化合物之實例。
在本發明之一較佳實施例中,液晶原基介質包含一或多種選自表E之化合物的化合物。
下表表F展示可在本發明之介質中用作對掌性摻雜劑的化合物之實例。
在本發明之一較佳實施例中,液晶原基介質包含一或多種選自表F之化合物的化合物。
以下實例意欲解釋本發明而非對其加以限制。上文及下文中百分比資料表示重量百分比。所有溫度均以攝氏度指示。△n表示光學各向異性(589 nm,20℃),△ε表示介電各向異性(1 kHz,20℃),H.R.表示"電壓保持比"(100℃下,在烘箱中5分鐘後,1 V),及V0
表示電容臨界電壓(在20℃及1 kHz下)。
最初將4 g鎂引入40 ml THF中,且將懸浮液溫至45℃。添加40 g PCH-3溴化物於80 ml THF中之10%溶液,在此期間反應立即開始。接著在溫和回流下逐滴添加剩餘PCH溴化物溶液。將混合物冷卻至-35℃,且通入20 g氯三氟乙烯。接著使混合物溫至RT且經受習知處理,產生31 g粗產物,使該粗產物進一步反應。
將烯烴(31 g)溶於120 ml THF、70 ml戊烷及70 ml乙醚中且冷卻至-100℃。逐滴添加59 ml於正己烷中之1.6 M BuLi,且攪拌混合物1小時。逐滴添加11 ml溶於60 ml THF、30 ml戊烷及30 ml乙醚中之硼酸三甲酯。在攪拌後1小時後,將混合物加溫且使其經受習知處理,產生14 g酸。
將7.8 g酸、7.1 g 4-碘-2,3-二氟乙氧基苯、0.1 g Pd(OAc)2
及0.36 g三苯基膦與58 ml異丙醇、19 ml飽和Na2
CO3
溶液及11 ml水一起在回流下加熱隔夜。接著使混合物經受習知處理,且使產物自庚烷中結晶,產生3.9 g標題化合物。C 103 N 224.6 I;△ε=-5.8;△n=0.234。
以下可類似於實例1來製備:
註釋:*
自10%於ZLI-4792或ZLI-2857中之溶液外推之值(△ε)。
下式化合物:
類似於實例1來製備:
以下類似於實例1來製備:
以下類似於實例1來製備:
製備液晶混合物且研究其應用性質。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦所示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦顯示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦顯示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦顯示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦顯示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦顯示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦顯示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
製備且研究具有下表中所指示之組成的液晶混合物。其具有表中亦顯示之性質。
液晶介質具有極佳應用性質且可用於各種VA技術,諸如MVA、PVA、ASV,且亦可用於IPS。
Claims (17)
- 一種液晶介質,其特徵在於其:具有向列相;包含一或多種式I化合物
- 如請求項1之液晶介質,其包含一或多個選自式I-1至I-3之化合物之群之式I化合物:
- 如請求項1或2之液晶介質,其包含一或多種式I化合物,其中Z11 及Z12 均表示單鍵。
- 如請求項1或2之液晶介質,其包含一或多種式I化合物,其中(m+n)表示0或1。
- 如請求項1或2項之液晶介質,其包含一或多種式I化合物,其中m表示1。
- 如請求項1或2之液晶介質,其包含一或多種式II-1化合物
- 如請求項1或2之液晶介質,其包含一或多種式III-1之化合物
- 如請求項7之液晶介質,其包含一或多種選自由式III-1a至III-1d所組成之群之化合物
- 如請求項8之液晶介質,其包含一或多種選自由式III-1a 及III-1b所組成之群之化合物
- 一種如請求項1至9中任一項所述之液晶介質的用途,其係用於光電顯示裝置中。
- 一種光電顯示裝置,其含有如請求項1至9中任一項所述之液晶介質。
- 如請求項11之顯示裝置,其特徵在於其為VAN LCD。
- 一種製備如請求項1至9中任一項之液晶介質的方法,其特徵在於將如請求項1至9中所定義之式I化合物與一或多種其他化合物混合。
- 一種製造光電顯示裝置之方法,其特徵在於將如請求項1至9中任一項之液晶介質引入兩個基板之間。
- 一種如請求項1所述之式I化合物,其係選自下式I-2及I-3之化合物:
- 如請求項15之化合物,其係選自下式I-3a及I-3b之化合物:
- 一種製備如請求項15或16之式I化合物的方法,其特徵在於在鈀催化作用下使1,2-二氟苯乙烯酸與鹵芳族化合物偶合。
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